JP2002231736A - Icチップを実装したアンテナの形成方法 - Google Patents
Icチップを実装したアンテナの形成方法Info
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Abstract
プが所定の実装位置からずれたりすることなくICチッ
プを確実に実装したアンテナの形成方法の提供。 【解決手段】 基材に形成されたアンテナの一対の端子
部間に絶縁層を形成するかあるいは形成せずにICチッ
プを電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて所定の実
装位置に配設した後、電子線を照射して前記導電粘着剤
を硬化させてICチップを実装したアンテナを形成する
方法であって、前記導電粘着剤として導電性粉末と電子
線により硬化する化合物を含む電子線硬化型成分を含む
タック性を有する電子線硬化型導電粘着剤を用いる。
Description
したアンテナの形成方法に関するものであり、さらに詳
しくは非接触型ICタグなどの非接触型データ送受信体
のアンテナの形成方法に関するものである。
グなどのように非接触状態でデータの送受信を行ってデ
ータの記録、消去などが行なえる情報記録メディア(R
F−ID(RadioFrequency IDent
ification))の用途に用いられる非接触型デ
ータ送受信体は、フィルム状やシート状の基材上にアン
テナを配置し、そのアンテナにICチップを実装した構
成を有している。この非接触型データ送受信体のアンテ
ナにあっては、導電ペーストにより印刷形成していると
ともに、ICチップにあっては基材のチップ実装部位に
位置しているアンテナの一対の端子部に突き刺さって導
通を図るバンプを備えたものが採用されている。
ム状やシート状の基材1上に導電ペーストにより印刷し
て形成されたアンテナ2の端子部3の上にNCF(Non-
Conductive Film、絶縁フィルム)あるいはNCP(Non
-Conductive Paste、絶縁ペースト)(絶縁性接着剤)
4−1を配置し、その上方から熱圧装置(フリップチッ
プボンダ)で加圧してICチップのバンプ5を突き刺し
た後、加熱して硬化させてバンプ5とアンテナ2の端子
部3の導通を図り、ICチップを実装したアンテナ2を
形成していた。
ト状の基材1上に導電ペーストにより印刷して形成され
たアンテナ2の端子部3の上にACF(Anisotropic Co
nductive Film、異方性導電フィルム)あるいはACP
(Anisotropic Conductive Paste、異方性導電ペース
ト)(導電性接着剤)4−2を配置し、その上方から熱
圧装置(フリップチップボンダ)で加圧してICチップ
のバンプ5を突き刺した後、加熱して硬化させてバンプ
5とアンテナ2の端子部3の導通を図り、ICチップを
実装したアンテナ2を形成していた。6は導電性粒子で
ある。
せる際に接着剤を用いる理由は、その接着剤を用いずに
圧着のみとした場合、ICチップが確実に固定されるま
で圧着力を高めるとアンテナの変形による接触不良やア
ンテナ短絡などが生じ易くなり、また、ICチップを取
り付けた基材に曲げなどの外力が加わった際にICチッ
プの外れが生じる可能性があるためであり、アンテナへ
の接続の信頼性は主にこの接着剤に多くを依存してい
る。
アンテナの形成方法では、ICチップを高価な熱圧装置
(フリップチップボンダ)を用いて加圧して所定の実装
位置にICチップのバンプ5を突き刺し、加熱硬化させ
るが、その間に、ICチップが所定の実装位置からずれ
たりする問題があった。
接続が導電性粒子6を介したり、あるいはバンプ5とア
ンテナ2の端子部3の直接の接触によって行われるため
に、接続がピンポイントとなったりあるいはそれに近い
状態で行われるために接触面積が小さく電気抵抗が高く
なるとともに物理的衝撃、振動などにより導通が切断さ
れるという問題があり、特に印刷法で形成されたアンテ
ナ2の場合にはこの導通切断の問題が大きな問題であっ
た。
ため処理時間短縮に限界があり、また、基材が熱により
変形したり劣化したりするのを避けることができないと
いう問題があった。
装位置に配設できるように他の基材上にICチップを接
着剤により固定して予め装着した部品)を用いてアンテ
ナの一対の端子部にICチップを実装する場合は、スル
ーホールやカシメなどが必要になるので煩雑で、コスト
アップになるとともに表面に凹凸ができ、接合が汚くな
る問題があった。
決し、高価な熱圧装置を用いることなく、ICチップが
所定の実装位置からずれたりする問題がなくなるととも
に万一ずれてもICチップを所定の実装位置に容易に戻
すことが可能であり、物理的衝撃、振動などにより導通
が切断される問題がなく、かつ基材が熱により変形した
り劣化したりせずに、アンテナの端子部とICチップの
バンプとの間の接触が良好で電気抵抗値が低い状態を維
持した状態でICチップを低コストでアンテナに確実に
接続できるので接続信頼性が高く、接続部の耐熱性や耐
圧性が高く、また接続部の歪みが少なく、インターポー
ザーを用いる場合でもスルーホールやカシメなどが不必
要であるような、ICチップを実装したアンテナの形成
方法を提供することである。
課題を考慮してなされたもので、基材に形成されたアン
テナの一対の端子部間に絶縁層を形成するかあるいは形
成せずにICチップを電子線硬化型導電粘着剤により粘
着させて所定の実装位置に配設した後、電子線を照射し
て前記導電粘着剤を硬化させてICチップを実装したア
ンテナを形成する方法であって、前記導電粘着剤として
導電性粉末と電子線により硬化する化合物を含む電子線
硬化型成分を含むタック性を有する電子線硬化型導電粘
着剤を用いることを特徴とするICチップを実装したア
ンテナの形成方法である。
ップを実装したアンテナの形成方法において、前記所定
の実装位置に配設できるように他の基材上にICチップ
を電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて予め装着し
た部品を用い、基材に形成されたアンテナの一対の端子
部間にこの部品を前記他の基材を上にして配設してIC
チップを所定の実装位置に粘着して配設した後、電子線
を照射して前記導電粘着剤を硬化させることを特徴とす
る。
ップを実装したアンテナの形成方法において、前記部品
のICチップ上および電子線硬化型導電粘着剤上の所定
箇所に絶縁層が予め形成された部品を用いることを特徴
とする。
に使用される電子線のエネルギーは低エネルギーのもの
でも150〜300KeV程度と大きく、照射と同時に
重合・架橋の反応が開始されるので、開始剤や増感剤を
添加する必要がなく、数分の1秒またはそれ以下で硬化
が完了する。そして10Mrad以下の電子線の場合は
熱の影響がほとんど問題にならないので、基材が熱によ
り変形したり劣化したりするのを避けることができ、ま
た処理時間短縮が可能となるので低コストでの量産が可
能となる。電子線を照射して前記導電粘着剤を硬化させ
ると、アンテナの端子部とICチップのバンプとの間の
接触が良好で電気抵抗値が低い状態を維持した状態でI
Cチップをアンテナに確実に接続でき、接続部の耐熱性
や耐圧性が高く、また接続部の歪みが少ないので接続信
頼性が高い。
て詳細に説明する。図1〜図6において、図7〜図8に
示した構成部分と同じ構成部分には同一参照符号を付す
ことにより、重複した説明を省略する。本発明のICチ
ップを実装したアンテナの形成方法の一実施形態を図1
(イ)〜(ニ)を用いて説明する。図1(イ)に示すよ
うに、フィルム状やシート状の基材1上に導電ペースト
を用いてスクリーン印刷してアンテナ2を形成する。用
いる導電ペーストは特に限定されないが、本発明で用い
る電子線硬化型導電粘着剤を好ましく用いることができ
る。 (ロ)アンテナ2の一対の端子部3間に絶縁ペーストを
用いて絶縁層7を形成する。用いる絶縁ペーストは特に
限定されないが、本発明で用いる導電性粉末を含まな
い、他方の成分であるタック性を有する電子線硬化型成
分を好ましく用いることができる。 (ハ)形成した絶縁層7の上の所定の位置にICチップ
8を配設する。絶縁層7がタック性を有する電子線硬化
型成分で形成されていると、ICチップ8は絶縁層7に
粘りつくので、多少の衝撃や振動があっても所定の位置
からずれたりしない。 (ニ)本発明で用いる電子線硬化型導電粘着剤を用いて
スクリーン印刷してアンテナ2の一対の端子部3間をI
Cチップ8を介して導通して固定できるように連結部9
を形成する。このようにして所定の実装位置にICチッ
プ8を配設した後、基材1の上方から、あるいは基材1
の下方から、あるいはこれらの両方向から、あるいは横
方向から電子線を照射してアンテナ2、絶縁層7、連結
部9を硬化させるとともに、バンプ5とアンテナ2の端
子部3の良好な導通および固定を図り、ICチップ8を
実装したアンテナ2を形成する。
成分で形成されていると、この絶縁層7はタック性を有
するので、高価な熱圧装置(フリップチップボンダ)な
どの特別な装置を用いることなくその上方から所定の位
置にICチップ8を配設することができる。
ICチップ8を極めて低い圧で電子線硬化型成分で形成
されている絶縁層7に接触させると、極めて短時間に測
定可能な強度をもつ結合が形成されて粘りつくタッキネ
スを有するという意味であり、配設されたICチップ8
はこの絶縁層7に粘りつき、多少の衝撃や振動があって
も所定の実装位置からずれたりしない。この段階で万一
ICチップ8が所定の実装位置からずれた場合は、配設
したICチップ8を取り外すことができ、取り外したの
ち再度所定の実装位置にICチップ8を配設することが
できる。
を実装したアンテナの形成方法の他の実施形態を説明す
る説明図である。この実施形態においては、ICチップ
8を実装するための所定の実装位置にあるアンテナ2の
1部10が基材1の裏面に導通して形成されているた
め、絶縁層7を設けることなくICチップ8を実装した
アンテナ2を形成できる。絶縁層7を設けない以外は図
1に示した方法と同様にしてアンテナ2を形成でき、図
1に示した方法と同様な作用効果を奏する。工程(ロ)
においてICチップ8を所定の位置に配設する際、本発
明で用いるタック性を有する電子線硬化型成分を用いて
粘着させて配設すれば、高価な熱圧装置(フリップチッ
プボンダ)などの特別な装置を用いることなく所定の位
置にICチップ8を配設することができ、配設されたI
Cチップ8は粘りつくので、多少の衝撃や振動があって
も所定の位置からずれたりしない。この段階で万一IC
チップ8が所定の位置からずれた場合は、配設したIC
チップ8を取り外すことができ、取り外したのち再度所
定の位置にICチップ8を配設することができる。
装位置に配設できるように紙などの他の基材11上にI
Cチップ8を電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて
予め装着した部品12の平面説明図であり、(ロ)は、
その断面説明図である。図3において、図1〜図2に示
した構成部分と同じ構成部分には同一参照符号を付すこ
とにより、重複した説明を省略する。部品12を作るた
めには、先ず他の基材11上の所定の箇所にICチップ
8を置き印刷、デイスペンス、貼り付けなどの公知の方
法を用いて電子線硬化型導電粘着剤によりICチップ8
を粘着させて連結部9を形成する。あるいは他の基材1
1上の所定の箇所に印刷、デイスペンス、貼り付けなど
の公知の方法を用いて電子線硬化型導電粘着剤により連
結部9を形成した後、その上の所定の箇所にICチップ
8を粘着させて部品12を作ることができる。そしてI
Cチップ8上および電子線硬化型導電粘着剤上の所定箇
所に絶縁層7を印刷、デイスペンス、貼り付けなどの公
知の方法を用いて配設する。絶縁層7がタック性を有す
る電子線硬化型成分で形成されていると、次に図4に示
すようにこの部品12を用いてICチップ8を実装する
際に粘りつくので、ICチップ8や部品12が多少の衝
撃や振動があっても所定の位置からずれたりしないので
好ましい。
ップ8を実装したアンテナ2を形成する方法を示す説明
図である。図4(イ)に示すように、フィルム状やシー
ト状の基材1上に導電ペーストを用いてスクリーン印刷
してアンテナ2を形成する。用いる導電ペーストは特に
限定されないが、本発明で用いる電子線硬化型導電粘着
剤を好ましく用いることができる。 (ロ)アンテナ2の一対の端子部3間に図3に示す部品
12の他の基材11を上にして配設してICチップ8を
所定の実装位置に粘着して配設する。そして、電子線を
照射してアンテナ2、絶縁層7、連結部9を硬化させ、
ICチップ8を実装したアンテナ2を形成する。この方
法によれば図1に示した方法と同様な作用効果を奏する
上、別に作成した部品12を用いるのでICチップ実装
が容易になる。
装位置に配設できるように他の基材11上にICチップ
8を電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて予め装着
した部品12の平面説明図であり、(ロ)は、その断面
説明図である。図5に示す部品12は絶縁層7が設けら
れていない以外は図3に示す部品12と同様になってお
り、図3に示す部品12と同様にして作ることができ
る。図5に示す部品12の連結部9がタック性を有する
本発明で用いる電子線硬化型導電粘着剤で形成されてい
るので、次に図6に示すようにこの部品12を用いてI
Cチップ8を実装する際に粘りつくので、ICチップ8
や部品12が多少の衝撃や振動があっても所定の位置か
らずれたりしない。
ップ8を実装したアンテナ2を形成する方法を示す説明
図である。図6(イ)に示すように、フィルム状やシー
ト状の基材1上に導電ペーストを用いてスクリーン印刷
してアンテナ2を形成する。用いる導電ペーストは特に
限定されないが、本発明で用いる電子線硬化型導電粘着
剤を好ましく用いることができる。 (ロ)アンテナ2の一対の端子部3間に図5に示す部品
12の他の基材11を上にして配設してICチップ8を
所定の実装位置に粘着して配設する。そして、電子線を
照射してアンテナ2、連結部9を硬化させ、ICチップ
8を実装したアンテナ2を形成する。この方法によれば
図1に示した方法と同様な作用効果を奏する上、別に作
成した部品12を用いるのでICチップ実装が容易にな
る。
物としては、例えば、公知の光重合性モノマーおよび/
または光重合性オリゴマーから任意に選んで用いること
ができる。このような光重合性モノマーとしては、具体
的には、例えばアクリル酸やメタクリル酸などの不飽和
カルボン酸又はそのエステル、例えばアルキル−、シク
ロアルキル−、ハロゲン化アルキル−、アルコキシアル
キル−、ヒドロキシアルキル−、アミノアルキル−、テ
トラヒドロフルフリル−、アリル−、グリシジル−、ベ
ンジル−、フェノキシ−アクリレート及びメタクリレー
ト、アルキレングリコール、ポリオキシアルキレングリ
コールのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート及びメタクリ
レート、ペンタエリトリットテトラアクリレート及びメ
タクリレートなど、アクリルアミド、メタクリルアミド
又はその誘導体、例えばアルキル基やヒドロキシアルキ
ル基でモノ置換又はジ置換されたアクリルアミド及びメ
タクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド及びメタク
リルアミド、N,N′−アルキレンビスアクリルアミド
及びメタクリルアミドなど、アリル化合物、例えばアリ
ルアルコール、アリルイソシアネート、ジアリルフタレ
ート、トリアリルイソシアヌレートなど、マレイン酸、
無水マレイン酸、フマル酸又はそのエステル、例えばア
ルキル、ハロゲン化アルキル、アルコキシアルキルのモ
ノ又はジマレエート及びフマレートなど、その他の不飽
和化合物、例えばスチレン、ビニルトルエン、ジビニル
ベンゼン、N−ビニルカルバゾール、N−ビニルピロリ
ドンなどが用いられる。
は、例えばイソボルニルアクリレート又はメタクリレー
ト、ノルボルニルアクリレート又はメタクリレート、ジ
シクロペンテノキシエチルアクリレート又はメタクリレ
ート、ジシクロペンテノキシプロピルアクリレート又は
メタクリレートなど、ジエチレングリコールジシクロペ
ンテニルモノエーテルのアクリル酸エステル又はメタク
リル酸エステル、ポリオキシエチレン若しくはポリプロ
ピレングリコールジシクロペンテニルモノエーテルのア
クリル酸エステル又はメタクリル酸エステルなど、ジシ
クロペンテニルシンナメート、ジシクロペンテノキシエ
チルシンナメート、ジシクロペンテノキシエチルモノフ
マレート又はジフマレートなど、3,9−ビス(1,1
−ビスメチル−2−オキシエチル)−スピロ[5,5]
ウンデカン、3,9−ビス(1,1−ビスメチル−2−
オキシエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピ
ロ[5,5]ウンデカン、3,9−ビス(2−オキシエ
チル)−スピロ[5,5]ウンデカン、3,9−ビス
(2−オキシエチル)−2,4,8,10−テトラオキ
サスピロ[5,5]ウンデカンなどのモノ−、ジアクリ
レート又はモノ−、ジメタアクリレート、あるいはこれ
らのスピログリコールのエチレンオキシド又はプロピレ
ンオキシド付加重合体のモノ−、ジアクリレート、又は
モノ−、ジメタアクリレート、あるいは前記モノアクリ
レート又はメタクリレートのメチルエーテル、1−アザ
ビシクロ[2,2,2]−3−オクテニルアクリレート
又はメタクリレート、ビシクロ[2,2,1]−5−ヘ
プテン−2,3−ジカルボキシルモノアリルエステルな
ど、ジシクロペンタジエニルアクリレート又はメタクリ
レート、ジシクロペンタジエニルオキシエチルアクリレ
ート又はメタクリレート、ジヒドロジシクロペンタジエ
ニルアクリレート又はメタクリレートなどの光重合性モ
ノマーを用いることができる。これらの光重合性モノマ
ーは単独で用いてもよいし2種以上組み合わせて用いて
もよい。
脂のアクリル酸エステル例えばビスフェノールAのジグ
リシジルエーテルジアクリレート、エポキシ樹脂とアク
リル酸とメチルテトラヒドロフタル酸無水物との反応生
成物、エポキシ樹脂と2−ヒドロキシエチルアクリレー
トとの反応生成物、エポキシ樹脂のジグリシジルエーテ
ルとジアリルアミンとの反応生成物などのエポキシ樹脂
系プレポリマーや、グリシジルジアクリレートと無水フ
タル酸との開環共重合エステル、メタクリル酸二量体と
ポリオールとのエステル、アクリル酸と無水フタル酸と
プロピレンオキシドから得られるポリエステル、ポリエ
チレングリコールと無水マレイン酸とグリシジルメタク
リレートとの反応生成物などのような不飽和ポリエステ
ル系プレポリマーや、ポリビニルアルコールとN−メチ
ロールアクリルアミドとの反応生成物、ポリビニルアル
コールを無水コハク酸でエステル化した後、グリシジル
メタクリレートを付加させたものなどのようなポリビニ
ルアルコール系プレポリマー、ピロメリット酸二無水物
のジアリルエステル化物に、p,p′−ジアミノジフェ
ニルを反応させて得られるプレポリマーのようなポリア
ミド系プレポリマーや、エチレン−無水マレイン酸共重
合体とアリルアミンとの反応生成物、メチルビニルエー
テル−無水マレイン酸共重合体と2−ヒドロキシエチル
アクリレートとの反応生成物又はこれにさらにグリシジ
ルメタクリレートを反応させたものなどのポリアクリル
酸又はマレイン酸共重合体系プレポリマーなど、そのほ
か、ウレタン結合を介してポリオキシアルキレンセグメ
ント又は飽和ポリエステルセグメントあるいはその両方
が連結し、両末端にアクリロイル基又はメタクロイル基
を有するウレタン系プレポリマーなどを挙げることがで
きる。これらの光重合性オリゴマーは、重量平均分子量
凡そ2000〜30000の範囲のものが適当である。
光重合性オリゴマーに、必要に応じてさらに公知の樹
脂、熱可塑性エラストマー、ゴムなどを添加できる。樹
脂としては、具体的には、例えば、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹
脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂な
どの熱硬化性樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ABS樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネ
ート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホ
ン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアリレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ4フッ化エチレ
ン、シリコーン樹脂など、およびこれらの2種以上の混
合物を挙げることができる。熱可塑性エラストマーやゴ
ムは天然品でも合成品もあるいはこれらの混合物でもよ
い。
に、必要に応じてさらに希釈剤などとして公知の溶剤を
添加できる。溶剤としては、具体的には、例えば、トル
エン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ヘ
キサン、ペンタンなどの炭化水素溶剤、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコールなどのアルコール類、シク
ロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、ジエチルケトン、イソホロンなどのケトン類、
酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのエステル
類、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、3−メトキシ−3−メチルブチ
ルアセテートなどのグリコールモノエーテル類およびそ
れらのアセテート化合物、あるいはこれらの1種ないし
2種以上の混合物などを挙げることができる。
に応じて、軟化剤(液状ポリブテン、鉱油、液状ポリイ
ソブチレン、液状ポリアクリル酸エステル)、粘着付与
剤(ロジンおよびロジン誘導体、ポリテルベン樹脂、テ
ルペンフェノール樹脂、石油樹脂)の添加を行ってもよ
い。
のa〜jのものなどを例示することができる。 a.銀粉 同和鉱業株式会社製 G−10,11,12,13,1
5−H,15H,18,ケミカルフレーク 株式会社徳力本店製 TCG−1,1A,5、7,11
N,7V、TC−12,20E,20V,25A、J−
20、E−20、G−1、H−1、AgF−5S、Ag
F−10S 田中貴金属工業株式会社製 AY−6010,6080 b.導電性カーボンブラック 三菱化学株式会社製 ケッチェンブラックEC,EC−
600JD 電気化学工業社製 アセチレンブラック キャボット社製 Vulcan XC−72 コロンビア・ケミカル社製 Conductex−97
5,Conductex−SC c.銅粉 同和鉱業株式会社製 DC−50,100,200,3
00 d.ニッケル粉 同和鉱業株式会社製 DNI−20,50 e.金粉 株式会社徳力本店製 TA−1,2 f.白金粉 株式会社徳力本店製 TP−1,2 田中貴金属工業株式会社製 AY−1010,1020 g.パラジウム粉 株式会社徳力本店製 TPd−1 田中貴金属工業株式会社製 AY−4010,4030 h.銀・パラジウム合金粉 株式会社徳力本店製 AP−10,30 i.亜鉛粉 j.アルミニウム粉
に対して上記の電子線硬化型成分が混合されている導電
粘着剤であるが、両者の混合比率は特に限定されない。
しかし上記導電性粉末100質量部に対して上記の電子
線硬化型成分を10〜100質量部が混合されているも
のが好ましく使用できる。また、上記粘着付与剤は1〜
50質量部の範囲で混合されるが、望ましくは30質量
部以下である。希釈剤は0〜100質量部の範囲で入れ
ても構わない。そして、粘度は1〜100Pa・s程度
が良好であり、望ましい範囲は10〜60Pa・sであ
る。
に、必要に応じて、シリカ、アルミナ、ガラス、タル
ク、各種ゴムなどの絶縁性粉末、あるいは離型剤、表面
処理剤、充填剤、顔料、染料などの公知の添加剤を添加
したりすることができる。
電子線硬化型成分は、上記の各成分を混合することによ
り均一なワニスの形態のもの、あるいは攪拌機、ニーダ
ーあるいはロールミルなどを用いる公知の方法で混練し
て均一にしたもの、あるいはフィルム状の形態にしたも
のなどいずれも使用でき、印刷、デイスペンス、貼り付
けなどの公知の方法を用いてアンテナ、連結部、絶縁層
などを形成できる。
に限定されず、公知のものを使用することができる。し
かし、例えば加速電圧100〜500kvの電子線照射
装置を用いることが好ましい。照射条件は特に限定され
ないが、吸収線量が10〜100kGy(キログレイ)
程度になる条件で、不活性ガス雰囲気下で照射すること
が好ましい。
実装した後の特性を向上させるため、あるいはレベリン
グ性を確保、維持するため、あるいは溶剤を用いた場合
は溶剤を除去するなどのために、電子線照射前、あるい
は電子線照射後あるいは、電子線照射前および電子線照
射後に、あるいは電子線照射と同時に、基材が着色、熱
収縮、軟化、炭化などの著しい劣化をしない限りにおい
て、オーブン加熱、熱風吹き付け、熱板接触、赤外線あ
るいはマイクロ波照射などを利用して、加熱処理を併用
することができる。
ガラス繊維、アルミナ繊維、ポリエステル繊維、ポリア
ミド繊維などの無機または有機繊維からなる織布、不織
布、マット、紙あるいはこれらを組み合わせたもの、あ
るいはこれらに樹脂ワニスを含浸させて成形した複合基
材、ポリアミド系樹脂基材、ポリエステル系樹脂基材、
ポリオレフィン系樹脂基材、ポリイミド系樹脂基材、エ
チレン・ビニルアルコール共重合体基材、ポリビニルア
ルコール系樹脂基材、ポリ塩化ビニル系樹脂基材、ポリ
塩化ビニリデン系樹脂基材、ポリスチレン系樹脂基材、
ポリカーボネート系樹脂基材、アクリロニトリルブタジ
エンスチレン共重合系樹脂基材、ポリエーテルスルホン
系樹脂基材などのプラスチック基材、あるいはこれらに
マット処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線照
射処理、電子線照射処理、フレームプラズマ処理および
オゾン処理、あるいは各種易接着処理などの表面処理を
施したもの、などの公知のものから選択して用いること
ができる。
うことができる。例えば、導電ペーストのスクリーン印
刷、被覆あるいは非被覆金属線の貼り付け、エッチン
グ、金属箔貼り付け、金属の直接蒸着、金属蒸着膜転写
などが挙げられる、またこれらを多重に複合させたアン
テナでもよい。本発明に使用するICチップの厚みは、
アンテナの端子部厚とほぼ同程度あることが望ましく、
例えば200〜10μm程度が好ましい。ICチップに
は、必要に応じて、金属電解メッキ、スタッド、無電解
金属メッキ、導電性樹脂の固定化などによるバンプを形
成しておいてもよい。
した後、IC実装部を物理的あるいは化学的な衝撃から
守るために、実装部全体あるいは一部をグローブトップ
材やアンダーフィル材などで、被覆保護してもよい。
明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発
明を限定し、或は範囲を減縮するものではない。又、本
発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範
囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
たアンテナの形成方法により、高価な熱圧装置を用いる
ことなく、ICチップが所定の実装位置からずれたりす
る問題がなくなるとともに万一ずれてもICチップを所
定の実装位置に容易に戻すことが可能であり、物理的衝
撃、振動などにより導通が切断される問題がなく、かつ
基材が熱により変形したり劣化したりせずに、アンテナ
の端子部とICチップのバンプとの間の接触が良好で電
気抵抗値が低い状態を維持した状態でICチップを低コ
ストでアンテナに確実に接続できるので接続信頼性が高
く、接続部の耐熱性や耐圧性が高く、また接続部の歪み
が少なく、インターポーザーを用いる場合でもスルーホ
ールやカシメなどが不必要であるので平らな接合部が得
られるという顕著な効果を奏する。
アンテナの形成方法によれば他の基材上にICチップを
電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて予め装着した
部品を用いるので、請求項1記載の方法と同様な作用効
果を奏する上、別に作成した部品を用いるのでICチッ
プ実装が容易になるという顕著な効果を奏する。
アンテナの形成方法によれば他の基材上にICチップを
電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて予め装着した
部品を用いるので、請求項1記載の方法と同様な作用効
果を奏する上、別に作成した部品を用いるのでICチッ
プ実装が容易になるという顕著な効果を奏する。
テナを形成する本発明の方法の一例を示す説明図であ
る。
テナを形成する本発明の他の方法を示す説明図である。
型導電粘着剤により粘着させて予め装着した部品の1例
を示す平面説明図であり、(ロ)はその断面説明図であ
る。
てICチップを実装したアンテナを形成する本発明の方
法の例を示す説明図である。
型導電粘着剤により粘着させて予め装着した部品の他の
例を示す平面説明図であり、(ロ)はその断面説明図で
ある。
いてICチップを実装したアンテナを形成する本発明の
方法の他の例を説明する説明図である。
の方法の一例を示す説明図である。
の他の例を示す説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基材に形成されたアンテナの一対の端子
部間に絶縁層を形成するかあるいは形成せずにICチッ
プを電子線硬化型導電粘着剤により粘着させて所定の実
装位置に配設した後、電子線を照射して前記導電粘着剤
を硬化させてICチップを実装したアンテナを形成する
方法であって、 前記導電粘着剤として導電性粉末と電子線により硬化す
る化合物を含む電子線硬化型成分を含むタック性を有す
る電子線硬化型導電粘着剤を用いることを特徴とするI
Cチップを実装したアンテナの形成方法。 - 【請求項2】 前記所定の実装位置に配設できるように
他の基材上にICチップを電子線硬化型導電粘着剤によ
り粘着させて予め装着した部品を用い、基材に形成され
たアンテナの一対の端子部間にこの部品を前記他の基材
を上にして配設してICチップを所定の実装位置に粘着
して配設した後、電子線を照射して前記導電粘着剤を硬
化させることを特徴とする請求項1記載のICチップを
実装したアンテナの形成方法。 - 【請求項3】 前記部品のICチップ上および電子線硬
化型導電粘着剤上の所定箇所に絶縁層が予め形成された
部品を用いることを特徴とする請求項2記載のICチッ
プを実装したアンテナの形成方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244035A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0318041A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電気的接合部 |
JPH06268098A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH11224316A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Toppan Printing Co Ltd | 複合型icカード |
WO1999046728A1 (fr) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Gemplus | Procede de fabrication de cartes sans contact |
JP2000207521A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Toppan Printing Co Ltd | 複合icカ―ドとその製造方法 |
JP2000513125A (ja) * | 1997-03-27 | 2000-10-03 | ジェムプリュス エス.セー.アー. | チップカードまたは類似の電子デバイスの製造方法 |
JP2001093934A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 |
JP2002231759A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Toppan Forms Co Ltd | Icチップの実装方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244035A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0318041A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電気的接合部 |
JPH06268098A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2000513125A (ja) * | 1997-03-27 | 2000-10-03 | ジェムプリュス エス.セー.アー. | チップカードまたは類似の電子デバイスの製造方法 |
JPH11224316A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Toppan Printing Co Ltd | 複合型icカード |
WO1999046728A1 (fr) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Gemplus | Procede de fabrication de cartes sans contact |
JP2000207521A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Toppan Printing Co Ltd | 複合icカ―ドとその製造方法 |
JP2001093934A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 |
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