JP2002231608A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2002231608A
JP2002231608A JP2001026256A JP2001026256A JP2002231608A JP 2002231608 A JP2002231608 A JP 2002231608A JP 2001026256 A JP2001026256 A JP 2001026256A JP 2001026256 A JP2001026256 A JP 2001026256A JP 2002231608 A JP2002231608 A JP 2002231608A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist pattern
etching
ozone
manufacturing
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001026256A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002231608A5 (enExample
Inventor
美帆 ▲高▼橋
Miho Takahashi
Masahiro Tadokoro
昌洋 田所
Shinichi Suzuki
慎一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001026256A priority Critical patent/JP2002231608A/ja
Publication of JP2002231608A publication Critical patent/JP2002231608A/ja
Publication of JP2002231608A5 publication Critical patent/JP2002231608A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
JP2001026256A 2001-02-02 2001-02-02 半導体装置の製造方法 Pending JP2002231608A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001026256A JP2002231608A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001026256A JP2002231608A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002231608A true JP2002231608A (ja) 2002-08-16
JP2002231608A5 JP2002231608A5 (enExample) 2005-07-21

Family

ID=18891099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001026256A Pending JP2002231608A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002231608A (enExample)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002023390A (ja) * 2000-06-28 2002-01-23 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の感光膜パターンの形成方法
JP2004085792A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 微細レジストパターンの形成方法、および半導体装置の製造方法
JP2004530922A (ja) * 2001-03-28 2004-10-07 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド サブリソグラフィフォトレジストフィーチャーを形成するプロセス
JP2005191480A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法
JP2005303088A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置及びレジストトリミング方法
WO2006030581A1 (ja) * 2004-09-17 2006-03-23 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法
US7135409B2 (en) 2003-08-29 2006-11-14 Oki Electric Industry Co., Ltd. Plasma etching method for semiconductor device
KR100854217B1 (ko) * 2004-09-17 2008-08-25 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체 장치의 제조 방법
JP2011513972A (ja) * 2008-02-27 2011-04-28 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド テンプレート形成時の限界寸法制御

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002023390A (ja) * 2000-06-28 2002-01-23 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の感光膜パターンの形成方法
JP2004530922A (ja) * 2001-03-28 2004-10-07 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド サブリソグラフィフォトレジストフィーチャーを形成するプロセス
JP2004085792A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 微細レジストパターンの形成方法、および半導体装置の製造方法
US7135409B2 (en) 2003-08-29 2006-11-14 Oki Electric Industry Co., Ltd. Plasma etching method for semiconductor device
JP2005191480A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法
JP2005303088A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置及びレジストトリミング方法
WO2006030581A1 (ja) * 2004-09-17 2006-03-23 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法
KR100854217B1 (ko) * 2004-09-17 2008-08-25 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체 장치의 제조 방법
US7723235B2 (en) 2004-09-17 2010-05-25 Renesas Technology Corp. Method for smoothing a resist pattern prior to etching a layer using the resist pattern
JP2011513972A (ja) * 2008-02-27 2011-04-28 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド テンプレート形成時の限界寸法制御
US8545709B2 (en) 2008-02-27 2013-10-01 Molecular Imprints, Inc. Critical dimension control during template formation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4056195B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP4149095B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US6900002B1 (en) Antireflective bi-layer hardmask including a densified amorphous carbon layer
US8119533B2 (en) Pattern formation in semiconductor fabrication
US6878646B1 (en) Method to control critical dimension of a hard masked pattern
JP5159626B2 (ja) Sf6ベースの化学反応を用いてドープトシリコンをエッチングするプロセス及びシステム
JP2002231608A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003209046A (ja) レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
KR100587677B1 (ko) 전계효과 트랜지스터 구조 및 그의 제조방법
JP2004152862A (ja) 半導体装置の製造方法
US20070148848A1 (en) Methods of forming dual gate of semiconductor device
US6989333B2 (en) Process for forming a pattern
JP2001332556A (ja) 半導体装置の製造方法
US11264282B2 (en) Gate formation process
JP2002289554A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH11204506A (ja) 回路パターンが形成されたウェハおよびその製造方法
JP2001085407A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JP2005032851A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003188151A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2003174158A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002324744A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004179301A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
TWI898583B (zh) 半導體記憶體裝置製造方法
JP4951585B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP3399111B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041202

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041202

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070904

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080108