JP2002231508A - リニアライズドサーミスタ - Google Patents
リニアライズドサーミスタInfo
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- JP2002231508A JP2002231508A JP2001023946A JP2001023946A JP2002231508A JP 2002231508 A JP2002231508 A JP 2002231508A JP 2001023946 A JP2001023946 A JP 2001023946A JP 2001023946 A JP2001023946 A JP 2001023946A JP 2002231508 A JP2002231508 A JP 2002231508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗−温度特性に、広範囲に渡るリニア特性
を有するリニアライズドサーミスタを提供する。 【解決手段】 互いに特性の異なる第1のサーミスタ1
の材料と第2のサーミスタ2の材料とを反応させないで
一体化して等価的に第1のサーミスタ1と、第2のサー
ミスタ2との並列回路を構成し、 第1のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、第1のサーミスタ材料と第2のサーミスタ
材料との組合わせは、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・ (1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすように調整されている。得られたサーミ
スタは、ある温度範囲にわたって、負の値の一定の温度
係数を有している。
を有するリニアライズドサーミスタを提供する。 【解決手段】 互いに特性の異なる第1のサーミスタ1
の材料と第2のサーミスタ2の材料とを反応させないで
一体化して等価的に第1のサーミスタ1と、第2のサー
ミスタ2との並列回路を構成し、 第1のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、第1のサーミスタ材料と第2のサーミスタ
材料との組合わせは、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・ (1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすように調整されている。得られたサーミ
スタは、ある温度範囲にわたって、負の値の一定の温度
係数を有している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗−温度特性に
広範囲にわたるリニア特性を有するリニアライズドサー
ミスタに関する。
広範囲にわたるリニア特性を有するリニアライズドサー
ミスタに関する。
【0002】
【従来の技術】NTCサーミスタの抵抗−温度特性は、
一般に非線形(ノンリニア)である。このため、例え
ば、NTCサーミスタを温度センサに用い、その抵抗値
の変化をもって広範囲(例えば、−40〜+125℃)
にわたって、温度を精度よく測定するには、サーミスタ
特性の補償用回路として、サーミスタの抵抗値(あるい
は出力値)を温度値に変換する演算処理回路(マイコ
ン)が必要である。
一般に非線形(ノンリニア)である。このため、例え
ば、NTCサーミスタを温度センサに用い、その抵抗値
の変化をもって広範囲(例えば、−40〜+125℃)
にわたって、温度を精度よく測定するには、サーミスタ
特性の補償用回路として、サーミスタの抵抗値(あるい
は出力値)を温度値に変換する演算処理回路(マイコ
ン)が必要である。
【0003】もっとも、温度測定範囲が狭ければ、補償
用回路として演算処理回路(マイコン)を用いるまでも
なく、リニアライズ回路を用いて合成抵抗(あるいは出
力)のリニアライズ化を図り、温度に対する抵抗値の変
化がリニアになる領域を利用して温度測定を行うことが
可能である。
用回路として演算処理回路(マイコン)を用いるまでも
なく、リニアライズ回路を用いて合成抵抗(あるいは出
力)のリニアライズ化を図り、温度に対する抵抗値の変
化がリニアになる領域を利用して温度測定を行うことが
可能である。
【0004】しかし、いずれにしても、一般のサーミス
タは、抵抗−温度特性が非線形であるため、サーミスタ
を温度センサとして用いて温度を正確に測定するために
は、サーミスタの抵抗−温度特性に線形領域を形成する
補償用の回路を付設しなければならない。これがもし、
抵抗−温度特性が線型(リニア)であれば、リニア領域
では、サーミスタの出力信号を単にアナログ回路のみで
処理して、抵抗値(あるいは出力)と、温度との関係を
一次関数で表現することができ、演算処理回路(マイコ
ン)やリニアライズ回路は、不要となり、結果として温
度センサを小型、軽量化することができ、ひいては、温
度センサのコストダウンを図ることができる。
タは、抵抗−温度特性が非線形であるため、サーミスタ
を温度センサとして用いて温度を正確に測定するために
は、サーミスタの抵抗−温度特性に線形領域を形成する
補償用の回路を付設しなければならない。これがもし、
抵抗−温度特性が線型(リニア)であれば、リニア領域
では、サーミスタの出力信号を単にアナログ回路のみで
処理して、抵抗値(あるいは出力)と、温度との関係を
一次関数で表現することができ、演算処理回路(マイコ
ン)やリニアライズ回路は、不要となり、結果として温
度センサを小型、軽量化することができ、ひいては、温
度センサのコストダウンを図ることができる。
【0005】このような要求を満たす電子部品として、
たとえば、IC温度センサがある。IC温度センサは、
ダイオードやトランジスタをIC化したものであり、ダ
イオードやトランジスタがもっている温度特性を増幅し
て利用しようという試みのものである。
たとえば、IC温度センサがある。IC温度センサは、
ダイオードやトランジスタをIC化したものであり、ダ
イオードやトランジスタがもっている温度特性を増幅し
て利用しようという試みのものである。
【0006】IC温度センサは、抵抗−温度特性に広範
囲にわたるリニア特性をもっているが、温度分解能が低
く、応答速度は遅くさらに価格が高価であるという難点
がある。一方、NTCサーミスタを用いて抵抗−温度特
性をリニアライズする一般的な方法としてサーミスタに
並列に抵抗を挿入した回路を用いる方法がある。
囲にわたるリニア特性をもっているが、温度分解能が低
く、応答速度は遅くさらに価格が高価であるという難点
がある。一方、NTCサーミスタを用いて抵抗−温度特
性をリニアライズする一般的な方法としてサーミスタに
並列に抵抗を挿入した回路を用いる方法がある。
【0007】図9(a)において、NTCサーミスタ1
1に並列に抵抗12を挿入することによって、図9
(b)に示すように、曲線にて示すNTCサーミスタ
の抵抗−温度特性曲線が、の曲線のように、NTCサ
ーミスタ11と、抵抗12との合成抵抗が或る温度範囲
にわたってリニアとなる領域が形成される。
1に並列に抵抗12を挿入することによって、図9
(b)に示すように、曲線にて示すNTCサーミスタ
の抵抗−温度特性曲線が、の曲線のように、NTCサ
ーミスタ11と、抵抗12との合成抵抗が或る温度範囲
にわたってリニアとなる領域が形成される。
【0008】しかし、の曲線に形成されたリニア領域
の低温側および高温側には、ノンリニアとなる領域が形
成され、リニアとなる領域は狭い。このため、サーミス
タ11に抵抗12を並列に接続した回路を温度センサに
用いたときには、たとえば、測定温度範囲が0℃〜40
℃というように、かなり限定された狭い温度範囲にしか
センサとして利用することができない。
の低温側および高温側には、ノンリニアとなる領域が形
成され、リニアとなる領域は狭い。このため、サーミス
タ11に抵抗12を並列に接続した回路を温度センサに
用いたときには、たとえば、測定温度範囲が0℃〜40
℃というように、かなり限定された狭い温度範囲にしか
センサとして利用することができない。
【0009】もっとも、サーミスタと並列に接続する抵
抗の抵抗値によって、リニアとなる領域を低温側あるい
は高温側にシフトできるので、広範囲の温度測定には不
向きではあるものの、限られた狭い範囲の温度測定に用
いる温度センサとしては有効であるといえる。
抗の抵抗値によって、リニアとなる領域を低温側あるい
は高温側にシフトできるので、広範囲の温度測定には不
向きではあるものの、限られた狭い範囲の温度測定に用
いる温度センサとしては有効であるといえる。
【0010】このような抵抗とサーミスタとの組合せに
よる温度センサとして、例えば印刷サーミスタの裏面に
抵抗体を形成したものや、印刷基板にサーミスタと抵抗
体との並列回路のパターンを有するチップが知られてい
る(特開平03−276702号(先行例1))。先行
例1によれば、回路の構成上、抵抗チップを最低1個節
約できるが、サーミスタと並列に接続された抵抗が固定
されているので、リニアとなる温度領域が限定され、ひ
いては用途が制約されることになって,自由度が乏し
い。
よる温度センサとして、例えば印刷サーミスタの裏面に
抵抗体を形成したものや、印刷基板にサーミスタと抵抗
体との並列回路のパターンを有するチップが知られてい
る(特開平03−276702号(先行例1))。先行
例1によれば、回路の構成上、抵抗チップを最低1個節
約できるが、サーミスタと並列に接続された抵抗が固定
されているので、リニアとなる温度領域が限定され、ひ
いては用途が制約されることになって,自由度が乏し
い。
【0011】実用上からは、抵抗−温度特性曲線が、例
えば−40〜125℃のように広い範囲に渡ってリニア
となる領域を有する温度センサが期待されるが、以上の
べた従来技術では、抵抗−温度特性に、望むような広い
範囲に渡ってリニア特性を有する温度センサを期待する
のは難しい。
えば−40〜125℃のように広い範囲に渡ってリニア
となる領域を有する温度センサが期待されるが、以上の
べた従来技術では、抵抗−温度特性に、望むような広い
範囲に渡ってリニア特性を有する温度センサを期待する
のは難しい。
【0012】本発明の目的は、抵抗−温度特性に、広範
囲に渡るリニア特性を有するリニアライズドサーミスタ
を提供することにある。
囲に渡るリニア特性を有するリニアライズドサーミスタ
を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるリニアライズドサーミスタにおいて
は、互いに特性が異なる複数のサーミスタ材料を相互に
反応させないで一体化され、ある温度範囲にわたって、
温度係数が負で、なおかつ一定である。
め、本発明によるリニアライズドサーミスタにおいて
は、互いに特性が異なる複数のサーミスタ材料を相互に
反応させないで一体化され、ある温度範囲にわたって、
温度係数が負で、なおかつ一定である。
【0014】また、互いに特性の異なる第1のサーミス
タ材料と第2のサーミスタ材料との組合わせからなり、
等価的に第1のサーミスタと、第2のサーミスタとの並
列回路を構成しているものである。
タ材料と第2のサーミスタ材料との組合わせからなり、
等価的に第1のサーミスタと、第2のサーミスタとの並
列回路を構成しているものである。
【0015】また、第1のサーミスタのリニア特性の中
心温度における抵抗値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、第1のサーミスタ材料と第2のサーミスタ
材料との組合わせは、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・(1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすものである。
心温度における抵抗値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、第1のサーミスタ材料と第2のサーミスタ
材料との組合わせは、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・(1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすものである。
【0016】また、サーミスタ材料は、サーミスタペー
ストであり、サーミスタペーストは、個別に焼成した第
1のサーミスタ酸化物粉末と、第2のサーミスタ酸化物
粉末とを混合して新たな混合酸化物とし、この混合酸化
物に有機ビヒクルを混ぜてペーストとし、この酸化物ペ
ーストに酸化ルテニウムペーストと、ガラスペーストと
を加えたものである。
ストであり、サーミスタペーストは、個別に焼成した第
1のサーミスタ酸化物粉末と、第2のサーミスタ酸化物
粉末とを混合して新たな混合酸化物とし、この混合酸化
物に有機ビヒクルを混ぜてペーストとし、この酸化物ペ
ーストに酸化ルテニウムペーストと、ガラスペーストと
を加えたものである。
【0017】また、サーミスタ材料は、サーミスタペー
ストであり、サーミスタペーストは、それぞれ第1のお
よび第2のサーミスタの酸化物粉末にそれぞれ有機ビヒ
クルを混ぜて2種類の酸化物ペーストを作成し、この酸
化物ペーストに酸化ルテニウムペースト、ガラスペース
トを加えて特性の異なる2種類のサーミスタのペースト
を作り、この2種類のサーミスタのペーストを混合した
ものである。
ストであり、サーミスタペーストは、それぞれ第1のお
よび第2のサーミスタの酸化物粉末にそれぞれ有機ビヒ
クルを混ぜて2種類の酸化物ペーストを作成し、この酸
化物ペーストに酸化ルテニウムペースト、ガラスペース
トを加えて特性の異なる2種類のサーミスタのペースト
を作り、この2種類のサーミスタのペーストを混合した
ものである。
【0018】また、サーミスタ材料は、サーミスタペー
ストであり、前記式(1)および(2)の条件を満たす
第1のサーミスタ特性を有するサーミスタペーストある
いは酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するサー
ミスタペーストあるいは酸化物粉末との配合割合は、5
0:50である。
ストであり、前記式(1)および(2)の条件を満たす
第1のサーミスタ特性を有するサーミスタペーストある
いは酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するサー
ミスタペーストあるいは酸化物粉末との配合割合は、5
0:50である。
【0019】また、サーミスタ材料は、サーミスタペー
ストであり、第1のサーミスタ特性を有するペーストあ
るいは酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するペ
ーストあるいは酸化物粉末とが、前記式(1)または
(2)の条件を満たさないときに、その配合割合は、等
価的に配合比を50:50に設定するサーミスタのペー
ストの配合と同じ特性になるように適宜配合比を変更し
て目的とするサーミスタ特性に調整されているものであ
る。
ストであり、第1のサーミスタ特性を有するペーストあ
るいは酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するペ
ーストあるいは酸化物粉末とが、前記式(1)または
(2)の条件を満たさないときに、その配合割合は、等
価的に配合比を50:50に設定するサーミスタのペー
ストの配合と同じ特性になるように適宜配合比を変更し
て目的とするサーミスタ特性に調整されているものであ
る。
【0020】また、第1のサーミスタ特性を有するサー
ミスタペーストあるいは酸化物粉末を母、第2のサーミ
スタ特性を有するサーミスタペーストあるいは酸化物粉
末を子としたときに、リニアライズドサーミスタの特性
の設定は、予め定められた第1のサーミスタの特性に応
じて第2のサーミスタの特性が選定されるものである。
ミスタペーストあるいは酸化物粉末を母、第2のサーミ
スタ特性を有するサーミスタペーストあるいは酸化物粉
末を子としたときに、リニアライズドサーミスタの特性
の設定は、予め定められた第1のサーミスタの特性に応
じて第2のサーミスタの特性が選定されるものである。
【0021】また、第1のサーミスタを母、第2のサー
ミスタを子としたときに、サーミスタペーストの配合比
の調整は、第2のサーミスタのペーストについて行われ
るものである。
ミスタを子としたときに、サーミスタペーストの配合比
の調整は、第2のサーミスタのペーストについて行われ
るものである。
【0022】また、サーミスタペーストは、基板に印刷
され、焼付されて厚膜印刷式サーミスタに加工されたも
のである。
され、焼付されて厚膜印刷式サーミスタに加工されたも
のである。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に本発明による温度センサの
実施の形態を説明する。先行例について示したように、
サーミスタに並列に抵抗を接続することによって、回路
的に抵抗−温度特性をある範囲にわたってリニアライズ
できることは、一般的な手法としてよく知られている。
実施の形態を説明する。先行例について示したように、
サーミスタに並列に抵抗を接続することによって、回路
的に抵抗−温度特性をある範囲にわたってリニアライズ
できることは、一般的な手法としてよく知られている。
【0024】しかし、この手法によるときには、サーミ
スタと並列に接続する抵抗に、どのような抵抗値を選択
したとしても、抵抗−温度特性がリニアとなる範囲は限
られたものである。本発明は、サーミスタに並列に接続
されていた抵抗の代わりに、特性が互いに異なるサーミ
スタに代えてみたところ、2つのサーミスタの並列回路
の出力側に得られる抵抗−温度特性が低温側から高温側
に至るまでの広い範囲でリニアとなることを発見した。
本発明は、この事実の発見に基づくものである。
スタと並列に接続する抵抗に、どのような抵抗値を選択
したとしても、抵抗−温度特性がリニアとなる範囲は限
られたものである。本発明は、サーミスタに並列に接続
されていた抵抗の代わりに、特性が互いに異なるサーミ
スタに代えてみたところ、2つのサーミスタの並列回路
の出力側に得られる抵抗−温度特性が低温側から高温側
に至るまでの広い範囲でリニアとなることを発見した。
本発明は、この事実の発見に基づくものである。
【0025】本発明によるリニアライズドサーミスタ
は、互いに特性が異なる複数のサーミスタ材料を相互に
反応させないで一体化され、広い温度範囲にわたって、
負の値が一定の温度係数を有している。
は、互いに特性が異なる複数のサーミスタ材料を相互に
反応させないで一体化され、広い温度範囲にわたって、
負の値が一定の温度係数を有している。
【0026】すなわち、本発明によるリニアライズドサ
ーミスタは、例えば、互いに特性の異なる第1のサーミ
スタ材料と第2のサーミスタ材料との組合わせからな
り、図1(a)に示すように、等価的に、第1のサーミ
スタ1と、第2のサーミスタ2との並列回路を構成して
いるものである。本発明においては、第1のサーミスタ
1の材料と、第2のサーミスタ2の材料とを相互に反応
させないで一体化されたものである。第1のサーミスタ
1の材料と、第2のサーミスタ2の材料とを一体化する
ことによって製造されたサーミスタの負の値が一定の温
度係数を有し、抵抗−温度特性がリニアになるために
は、一定の法則性があり、その条件は、以下のとおりで
ある。すなわち、
ーミスタは、例えば、互いに特性の異なる第1のサーミ
スタ材料と第2のサーミスタ材料との組合わせからな
り、図1(a)に示すように、等価的に、第1のサーミ
スタ1と、第2のサーミスタ2との並列回路を構成して
いるものである。本発明においては、第1のサーミスタ
1の材料と、第2のサーミスタ2の材料とを相互に反応
させないで一体化されたものである。第1のサーミスタ
1の材料と、第2のサーミスタ2の材料とを一体化する
ことによって製造されたサーミスタの負の値が一定の温
度係数を有し、抵抗−温度特性がリニアになるために
は、一定の法則性があり、その条件は、以下のとおりで
ある。すなわち、
【0027】第1のサーミスタのリニア特性の中心温度
における抵抗値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・(1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすことである。式、(1)と(2)とによ
り、次式、 Rc≒Rm/10・・・・(3) が成立する。
における抵抗値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・(1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすことである。式、(1)と(2)とによ
り、次式、 Rc≒Rm/10・・・・(3) が成立する。
【0028】これを具体的に示すと、例えば第1のサー
ミスタ1を母、第2のサーミスタを子に見立てて、母で
ある第1のサーミスタ1の特性を予め定めておき、第1
のサーミスタ1の特性に適合するように子である第2の
サーミスタが前述の式(1)、(2)を満たす条件を求
める。たとえば、第1のサーミスタ1(母)に、Rm=
100kΩ、a=3000Kのサーミスタ材料を用いる
場合には、第2のサーミスタ(子)2は、Rc=10k
Ω、c=300Kのサーミスタの材料を選定することに
なる。
ミスタ1を母、第2のサーミスタを子に見立てて、母で
ある第1のサーミスタ1の特性を予め定めておき、第1
のサーミスタ1の特性に適合するように子である第2の
サーミスタが前述の式(1)、(2)を満たす条件を求
める。たとえば、第1のサーミスタ1(母)に、Rm=
100kΩ、a=3000Kのサーミスタ材料を用いる
場合には、第2のサーミスタ(子)2は、Rc=10k
Ω、c=300Kのサーミスタの材料を選定することに
なる。
【0029】上記の条件で特性が互いに異なる2つのサ
ーミスタの材料を組合わせたときに、図1(b)に示す
ように、抵抗−温度特性がリニアとなる範囲が広く、し
たがって広い温度範囲の温度測定に適したリニアライズ
ドサーミスタが得られる。しかし、特性が互いに異なる
2つのサーミスタの材料を組合わせるに際し、サーミス
タのチップを2個組合わせる場合には、組合せられたサ
ーミスタのマッチング性のチェックなどの作業が必要と
なって、実用的ではない。
ーミスタの材料を組合わせたときに、図1(b)に示す
ように、抵抗−温度特性がリニアとなる範囲が広く、し
たがって広い温度範囲の温度測定に適したリニアライズ
ドサーミスタが得られる。しかし、特性が互いに異なる
2つのサーミスタの材料を組合わせるに際し、サーミス
タのチップを2個組合わせる場合には、組合せられたサ
ーミスタのマッチング性のチェックなどの作業が必要と
なって、実用的ではない。
【0030】一般に、2つのサーミスタの材料を簡単に
組合せる手法として、積層技術を用い、上記条件を満た
す第1のサーミスタのシートと、第2のサーミスタのシ
ートとを重ねることで並列回路を形成して一個のチップ
に構成する方法(積層法)が考えられる。
組合せる手法として、積層技術を用い、上記条件を満た
す第1のサーミスタのシートと、第2のサーミスタのシ
ートとを重ねることで並列回路を形成して一個のチップ
に構成する方法(積層法)が考えられる。
【0031】しかし、特性の異なる2つのサーミスタシ
ートは、それぞれ焼成時のシートの収縮率や、焼成温度
・条件が異なっているため,2つのサーミスタシートを
同時に焼成すると、シートにクラックが入ったり、特性
のずれなどの不具合が発生するという問題がある。しか
し、これらの問題がクリアされれば、積層法を適用する
ことが可能となる。
ートは、それぞれ焼成時のシートの収縮率や、焼成温度
・条件が異なっているため,2つのサーミスタシートを
同時に焼成すると、シートにクラックが入ったり、特性
のずれなどの不具合が発生するという問題がある。しか
し、これらの問題がクリアされれば、積層法を適用する
ことが可能となる。
【0032】この点、サーミスタ材料にペーストを用い
れば、従来より知られたいわゆる酸化物ブレンド法ある
いはサーミスタペーストブレンド法を用いて実現でき
る。サーミスタペーストは、以下の3成分で構成されて
いる。すなわち、 サーミスタ酸化物粉末 45% 酸化ルテニウム 5% ガラス 50%(比率は代表例を示
す) である。
れば、従来より知られたいわゆる酸化物ブレンド法ある
いはサーミスタペーストブレンド法を用いて実現でき
る。サーミスタペーストは、以下の3成分で構成されて
いる。すなわち、 サーミスタ酸化物粉末 45% 酸化ルテニウム 5% ガラス 50%(比率は代表例を示
す) である。
【0033】酸化物ペーストブレンド法を用いて本発明
によるサーミスタを製造するときには、まず、互いに特
性が異なる2種類のサーミスタ酸化物粉末(第1のサー
ミスタ特性を有する酸化物粉末と第2のサーミスタ特性
を有する酸化物粉末)を個々に作成し、それらの酸化物
粉末を個別に焼成し、これを粉砕して得られたサーミス
タ酸化物粉末をある比率で混合して新たな混合酸化物と
し、この混合酸化物に、有機ビヒクルを混ぜて酸化物ペ
ーストとし、この酸化物ペーストに酸化ルテニウムペー
スト、ガラスペーストを加えて混合ペースト(サーミス
タペースト)を成形する。図1(c)において、作成し
た混合ペーストをアルミナ基板4に印刷し、焼付け処理
をしてサーミスタ膜3を形成すると、温度係数が負の一
定の値となり、目的とする広範囲領域でリニアな温度特
性を有する厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5が
得られる。図中6は内部電極、7は端子電極、8は裏面
電極を示している。
によるサーミスタを製造するときには、まず、互いに特
性が異なる2種類のサーミスタ酸化物粉末(第1のサー
ミスタ特性を有する酸化物粉末と第2のサーミスタ特性
を有する酸化物粉末)を個々に作成し、それらの酸化物
粉末を個別に焼成し、これを粉砕して得られたサーミス
タ酸化物粉末をある比率で混合して新たな混合酸化物と
し、この混合酸化物に、有機ビヒクルを混ぜて酸化物ペ
ーストとし、この酸化物ペーストに酸化ルテニウムペー
スト、ガラスペーストを加えて混合ペースト(サーミス
タペースト)を成形する。図1(c)において、作成し
た混合ペーストをアルミナ基板4に印刷し、焼付け処理
をしてサーミスタ膜3を形成すると、温度係数が負の一
定の値となり、目的とする広範囲領域でリニアな温度特
性を有する厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5が
得られる。図中6は内部電極、7は端子電極、8は裏面
電極を示している。
【0034】サーミスタブレンド法によるときには、第
1および第2のサーミスタ特性を有する材料として酸化
粉末を個別に焼成し、これを粉砕して得られたサーミス
タ酸化物粉末に有機ビヒクルを混ぜて2種類の酸化物ペ
ーストとし、この酸化物ペーストに、酸化ルテニウムペ
ースト、ガラスペーストをそれぞれ加えて特性の異なる
2種類のサーミスタ特性を有するペースト(第1のサー
ミスタ特性を有するペーストと第2のサーミスタ特性を
有するペースト)をつくり、この2種類のサーミスタの
ペーストを混合して1つの混合ペーストとし、この混合
ペーストをアルミナ基板に印刷し、焼付け処理をするこ
とによって、目的とする広い範囲の領域でリニアな温度
特性を有する厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5
が得られる。本発明において、酸化物ブレンド法あるい
はサーミスタペーストブレンド法のいずれの方法を用い
ても結果として得られるリニアライズドサーミスタの特
性は同じである。
1および第2のサーミスタ特性を有する材料として酸化
粉末を個別に焼成し、これを粉砕して得られたサーミス
タ酸化物粉末に有機ビヒクルを混ぜて2種類の酸化物ペ
ーストとし、この酸化物ペーストに、酸化ルテニウムペ
ースト、ガラスペーストをそれぞれ加えて特性の異なる
2種類のサーミスタ特性を有するペースト(第1のサー
ミスタ特性を有するペーストと第2のサーミスタ特性を
有するペースト)をつくり、この2種類のサーミスタの
ペーストを混合して1つの混合ペーストとし、この混合
ペーストをアルミナ基板に印刷し、焼付け処理をするこ
とによって、目的とする広い範囲の領域でリニアな温度
特性を有する厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5
が得られる。本発明において、酸化物ブレンド法あるい
はサーミスタペーストブレンド法のいずれの方法を用い
ても結果として得られるリニアライズドサーミスタの特
性は同じである。
【0035】周知のように、2個のサーミスタ素子をも
って、並列回路を組むことと、サーミスタ特性を有する
材料(ペーストあるいは酸化物粉末)を混ぜることとは
回路的には等価である。もっとも、見方によっては、こ
れを直列回路として見ることができないわけではない
が、本発明においては、この分野の技術常識に従って、
並列回路と等価であるとして扱う。前述の式(1)、
(2)の条件を満足させるペーストの配合比率は、5
0:50である。
って、並列回路を組むことと、サーミスタ特性を有する
材料(ペーストあるいは酸化物粉末)を混ぜることとは
回路的には等価である。もっとも、見方によっては、こ
れを直列回路として見ることができないわけではない
が、本発明においては、この分野の技術常識に従って、
並列回路と等価であるとして扱う。前述の式(1)、
(2)の条件を満足させるペーストの配合比率は、5
0:50である。
【0036】つまり、第1のサーミスタ特性を有するサ
ーミスタのペースト(あるいは酸化物粉末)と第2のサ
ーミスタのサーミスタ特性を有するペースト(あるいは
酸化物粉末)とを50:50の割合で混合したときに、
広い範囲のリニア特性が得られる。しかし、第1のサー
ミスタの特性と、第2のサーミスタの特性とが前述の式
(1)、(2)の条件を満たさない場合であっても、両
サーミスタ特性を有するペースト(あるいは酸化物粉
末)の配合割合を変えることによって、相対的に法則性
を満足させて目的とするリニア特性を実現することが可
能である。
ーミスタのペースト(あるいは酸化物粉末)と第2のサ
ーミスタのサーミスタ特性を有するペースト(あるいは
酸化物粉末)とを50:50の割合で混合したときに、
広い範囲のリニア特性が得られる。しかし、第1のサー
ミスタの特性と、第2のサーミスタの特性とが前述の式
(1)、(2)の条件を満たさない場合であっても、両
サーミスタ特性を有するペースト(あるいは酸化物粉
末)の配合割合を変えることによって、相対的に法則性
を満足させて目的とするリニア特性を実現することが可
能である。
【0037】たとえば、第1のサーミスタ特性を有する
ペースト(あるいは酸化物粉末)(母)のRm=100
kΩ、 a=3000K、第2のサーミスタ特性を有す
るペースト(あるいは酸化物粉末)(子)のRc=50
kΩ、c=300Kであるときには、c=a/10では
あるが、第2のサーミスタ特性を有するペースト(ある
いは酸化物粉末)(子)のRcが規定の値を下回り、R
m・c≒Rc・aの条件を満たさない。
ペースト(あるいは酸化物粉末)(母)のRm=100
kΩ、 a=3000K、第2のサーミスタ特性を有す
るペースト(あるいは酸化物粉末)(子)のRc=50
kΩ、c=300Kであるときには、c=a/10では
あるが、第2のサーミスタ特性を有するペースト(ある
いは酸化物粉末)(子)のRcが規定の値を下回り、R
m・c≒Rc・aの条件を満たさない。
【0038】この場合には、両サーミスタ特性を有する
ペースト(あるいは酸化物粉末)の配合割合を50:5
0に設定したのでは、リニア特性が得られないが、図2
において、第1と第2のサーミスタ特性を有するペース
ト(あるいは酸化物粉末)の配合割合を80:20に設
定すると、結果的に第2サーミスタとしてRc=10k
Ω、c=300Kの特性のものを選定して混合した場合
と同じとなり、前記式(1)の条件をも満足し、得られ
たリニアライズド複合サーミスタには目的とするリニア
特性が実現される。
ペースト(あるいは酸化物粉末)の配合割合を50:5
0に設定したのでは、リニア特性が得られないが、図2
において、第1と第2のサーミスタ特性を有するペース
ト(あるいは酸化物粉末)の配合割合を80:20に設
定すると、結果的に第2サーミスタとしてRc=10k
Ω、c=300Kの特性のものを選定して混合した場合
と同じとなり、前記式(1)の条件をも満足し、得られ
たリニアライズド複合サーミスタには目的とするリニア
特性が実現される。
【0039】第2サーミスタのB定数が規定の値を上回
って前述の式(1)、(2)の条件を満たさないときで
も同じである。たとえば、第1のサーミスタ(母)のR
m=100kΩ、a=3000K、第2のサーミスタ
(子)のRc=10kΩ、c=500Kであるときに
は、 Rm・c≠Rc・a、c≠a/10であり、いず
れの条件をも満たさない。
って前述の式(1)、(2)の条件を満たさないときで
も同じである。たとえば、第1のサーミスタ(母)のR
m=100kΩ、a=3000K、第2のサーミスタ
(子)のRc=10kΩ、c=500Kであるときに
は、 Rm・c≠Rc・a、c≠a/10であり、いず
れの条件をも満たさない。
【0040】この場合には,図3において、配合割合を
80:20に設定すると、第2のサーミスタにRc=1
0kΩ、c=300Kの特性のものを選んだ場合と同じ
になる。このように、2個のサーミスタの特性が前述の
式(1)、(2)の条件を満たさなくても両サーミスタ
ペースト(あるいは酸化物粉末)の配合比率を変えるこ
とによって、温度係数が、負の値の一定値であって、低
温側から高温側にいたるまでの広い範囲にわたりリニア
の抵抗−温度特性を有するリニアライズドサーミスタを
得ることができる。
80:20に設定すると、第2のサーミスタにRc=1
0kΩ、c=300Kの特性のものを選んだ場合と同じ
になる。このように、2個のサーミスタの特性が前述の
式(1)、(2)の条件を満たさなくても両サーミスタ
ペースト(あるいは酸化物粉末)の配合比率を変えるこ
とによって、温度係数が、負の値の一定値であって、低
温側から高温側にいたるまでの広い範囲にわたりリニア
の抵抗−温度特性を有するリニアライズドサーミスタを
得ることができる。
【0041】本発明において、サーミスタ酸化粉末と
は、Mn、Coなどの酸化粉末を用い、これらの酸化物
粉末をある比率に混合し、それを酸化物粉末のまま、約
1000〜1300℃の温度で焼成したものを微粉砕し
た酸化物粉末である。Mn、Coなどの酸化粉末を焼成
すると少し固まるので、その塊を粉砕して微粉砕に加工
したものである。
は、Mn、Coなどの酸化粉末を用い、これらの酸化物
粉末をある比率に混合し、それを酸化物粉末のまま、約
1000〜1300℃の温度で焼成したものを微粉砕し
た酸化物粉末である。Mn、Coなどの酸化粉末を焼成
すると少し固まるので、その塊を粉砕して微粉砕に加工
したものである。
【0042】また、サーミスタペーストは、サーミスタ
酸化物粉末、酸化ルテニウム粉末、ガラス粉末をそれぞ
れ個別に有機ビヒクルと混合して酸化物ペーストとし、
この酸化物ペーストに、酸化ルテニウムペースト、ガラ
スペーストをある配合比率で混ぜたものである。各々の
サーミスタの特性は、前記条件のすべてを厳密に満足す
る必要はない。実質的には、B定数が前述の条件に近け
れば所要のリニア特性が得られる。
酸化物粉末、酸化ルテニウム粉末、ガラス粉末をそれぞ
れ個別に有機ビヒクルと混合して酸化物ペーストとし、
この酸化物ペーストに、酸化ルテニウムペースト、ガラ
スペーストをある配合比率で混ぜたものである。各々の
サーミスタの特性は、前記条件のすべてを厳密に満足す
る必要はない。実質的には、B定数が前述の条件に近け
れば所要のリニア特性が得られる。
【0043】サーミスタペーストの印刷に関しては、一
般の厚膜印刷式サーミスタの印刷処理にしたがって行
う。すなわち、まず、縦横に切り込みが付されたアルミ
ナ基板に印刷によって電極を形成する。つぎに、アルミ
ナ基板にサーミスタの混合ペーストを印刷し、これを焼
付ける。
般の厚膜印刷式サーミスタの印刷処理にしたがって行
う。すなわち、まず、縦横に切り込みが付されたアルミ
ナ基板に印刷によって電極を形成する。つぎに、アルミ
ナ基板にサーミスタの混合ペーストを印刷し、これを焼
付ける。
【0044】混合ペースト3を焼付けた後、常法に従
い、アルミナ基板を短冊状に分割し、端子電極の塗布、
チップ状に分割、端子電極のめっき加工を施して図1
(c)に示す厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5
を完成する。得られたリニアライズドサーミスタは、第
1及び第2のサーミスタ材料の特性が適正な範囲に選ば
れているかぎり、抵抗−温度特性として広範囲にわたる
リニア特性を有し、しかも温度分解能が高いリニアライ
ズドサーミスタとなる。
い、アルミナ基板を短冊状に分割し、端子電極の塗布、
チップ状に分割、端子電極のめっき加工を施して図1
(c)に示す厚膜印刷式のリニアライズドサーミスタ5
を完成する。得られたリニアライズドサーミスタは、第
1及び第2のサーミスタ材料の特性が適正な範囲に選ば
れているかぎり、抵抗−温度特性として広範囲にわたる
リニア特性を有し、しかも温度分解能が高いリニアライ
ズドサーミスタとなる。
【0045】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。 (実施例1)図4は、2つのサーミスタの材料を並列に
組合わせた場合であって,第1のサーミスタの特性を一
定(Rm=500kΩ、B(a)=3000K)に保
ち、第2のサーミスタ(Rc=50kΩ)のB定数を、
500K(曲線A)、250K(曲線B)、125K
(曲線C)の順に変えたときのリニア特性の違いを示す
図である。
組合わせた場合であって,第1のサーミスタの特性を一
定(Rm=500kΩ、B(a)=3000K)に保
ち、第2のサーミスタ(Rc=50kΩ)のB定数を、
500K(曲線A)、250K(曲線B)、125K
(曲線C)の順に変えたときのリニア特性の違いを示す
図である。
【0046】図に明らかなように、第1のサーミスタの
特性(Rm=500kΩ、B=3000K)に対してリ
ニア特性は、第2のサーミスタ特性に左右され、第2の
サーミスタB定数は、高すぎても低すぎても、得られる
リニアとなる領域は低下し、明らかに適正な値(範囲)
があること、この例では、第2のサーミスタ(Rc=5
0k)のB定数は250Kが適正であることを示してい
る。
特性(Rm=500kΩ、B=3000K)に対してリ
ニア特性は、第2のサーミスタ特性に左右され、第2の
サーミスタB定数は、高すぎても低すぎても、得られる
リニアとなる領域は低下し、明らかに適正な値(範囲)
があること、この例では、第2のサーミスタ(Rc=5
0k)のB定数は250Kが適正であることを示してい
る。
【0047】(実施例2)図5は、2つのサーミスタの
材料を並列に組合わせた場合であって,第1のサーミス
タの特性を一定(Rm=500kΩ、B=3000K)
に保ち、第2のサーミスタ(B=250K)のRcを、
100kΩ(曲線D)、50kΩ(曲線E)、25K
(曲線F)の順に変えたときのリニア特性の違いを示す
図である。
材料を並列に組合わせた場合であって,第1のサーミス
タの特性を一定(Rm=500kΩ、B=3000K)
に保ち、第2のサーミスタ(B=250K)のRcを、
100kΩ(曲線D)、50kΩ(曲線E)、25K
(曲線F)の順に変えたときのリニア特性の違いを示す
図である。
【0048】図に明らかなように、第1のサーミスタの
特性(Rm=500kΩ、B=3000K)に対してリ
ニア特性は、第2のサーミスタ特性に左右され、第2の
サーミスタのR25は、高すぎても低すぎても得られる
リニア領域が低下し、明らかに適正な値(範囲)がある
こと、この例では、第2のサーミスタ(B定数=250
K)のRcは50kΩが適正であることを示している。
特性(Rm=500kΩ、B=3000K)に対してリ
ニア特性は、第2のサーミスタ特性に左右され、第2の
サーミスタのR25は、高すぎても低すぎても得られる
リニア領域が低下し、明らかに適正な値(範囲)がある
こと、この例では、第2のサーミスタ(B定数=250
K)のRcは50kΩが適正であることを示している。
【0049】(比較例1)図6は、実施例2(図3)に
おいて、第1のサーミスタのB定数を5000Kに高く
した場合である。ただし、第1のサーミスタのリニア特
性の中心温度における抵抗は、500kΩとした。この
場合には、図に明らかなように、第1のサーミスタのB
定数を高くすると、リニア特性の中心温度における抵抗
Rcが50kΩの第2のサーミスタについて、そのB定
数を1000K(曲線G)、500K(曲線H)、25
0K(曲線I)に設定したときに、温度分解能が高くな
るものの、逆にリニアとなる領域が極端にせまくなるこ
とがわかる。
おいて、第1のサーミスタのB定数を5000Kに高く
した場合である。ただし、第1のサーミスタのリニア特
性の中心温度における抵抗は、500kΩとした。この
場合には、図に明らかなように、第1のサーミスタのB
定数を高くすると、リニア特性の中心温度における抵抗
Rcが50kΩの第2のサーミスタについて、そのB定
数を1000K(曲線G)、500K(曲線H)、25
0K(曲線I)に設定したときに、温度分解能が高くな
るものの、逆にリニアとなる領域が極端にせまくなるこ
とがわかる。
【0050】(比較例2)図7は、実施例2(図3)に
おいて、リニア特性の中心温度における抵抗Rmが50
0kΩの第1のサーミスタのB定数を1500Kに低く
した場合である。図に明らかなように、第1のサーミス
タのB定数を低くすると、B定数が25Kの第2のサー
ミスタのリニア特性の中心温度における抵抗Rcが20
kΩ(曲線J)、10kΩ(曲線K)、5kΩ(曲線
L)のいずれにおいてもリニアとなる領域が大幅に広く
なるが、逆に温度分解能が極端に狭くなることがわか
る。
おいて、リニア特性の中心温度における抵抗Rmが50
0kΩの第1のサーミスタのB定数を1500Kに低く
した場合である。図に明らかなように、第1のサーミス
タのB定数を低くすると、B定数が25Kの第2のサー
ミスタのリニア特性の中心温度における抵抗Rcが20
kΩ(曲線J)、10kΩ(曲線K)、5kΩ(曲線
L)のいずれにおいてもリニアとなる領域が大幅に広く
なるが、逆に温度分解能が極端に狭くなることがわか
る。
【0051】(比較例3)図8は、サーミスタと並列に
固定抵抗を組合わせた場合において、固定抵抗の抵抗値
の変えたときに、抵抗−温度特性がどのように変化する
かを示す図である。なお、サーミスタのリニア特性の中
心温度における抵抗は、10kΩ、B定数は4000K
である。曲線Mは、サーミスタだけのときの抵抗−温度
特性、曲線Nは,固定抵抗の抵抗値20kΩ、曲線O
は,固定抵抗の抵抗値10kΩ、曲線Pは,固定抵抗の
抵抗値5kΩである。図に明らかなように、固定抵抗の
抵抗値を小さくするにしたがって、曲線N,O,Pの順
に、リニアとなる抵抗−温度特性の範囲が広がる傾向が
みられる反面、リニアのラインの傾きが緩やかになると
いう現象が見られる。
固定抵抗を組合わせた場合において、固定抵抗の抵抗値
の変えたときに、抵抗−温度特性がどのように変化する
かを示す図である。なお、サーミスタのリニア特性の中
心温度における抵抗は、10kΩ、B定数は4000K
である。曲線Mは、サーミスタだけのときの抵抗−温度
特性、曲線Nは,固定抵抗の抵抗値20kΩ、曲線O
は,固定抵抗の抵抗値10kΩ、曲線Pは,固定抵抗の
抵抗値5kΩである。図に明らかなように、固定抵抗の
抵抗値を小さくするにしたがって、曲線N,O,Pの順
に、リニアとなる抵抗−温度特性の範囲が広がる傾向が
みられる反面、リニアのラインの傾きが緩やかになると
いう現象が見られる。
【0052】ラインの傾きは、「温度に対する出力の変
化量」つまり、温度分解能であるから、サーミスタでい
えばB定数に相当する。したがって、このケースでは、
リニア領域の長さと、温度分解能とは反比例の関係にな
るのでリニア特性か、B定数のいずれを重要視するかに
よって固定抵抗の抵抗値が選定されることになる。
化量」つまり、温度分解能であるから、サーミスタでい
えばB定数に相当する。したがって、このケースでは、
リニア領域の長さと、温度分解能とは反比例の関係にな
るのでリニア特性か、B定数のいずれを重要視するかに
よって固定抵抗の抵抗値が選定されることになる。
【0053】
【発明の効果】以上のように本発明によるときには、−
40℃から125℃に至る広い温度範囲にわたって、リ
ニアの抵抗−温度特性が一個のサーミスタの使用によっ
て実現でき、したがって、抵抗値を温度の値に変換する
ためのリニアライズ回路や演算処理回路が不要であり、
熱応答が速く、ひいては温度測定回路の小形化、軽量化
を図り、高信頼性の温度測定装置を提供できる効果を有
する。
40℃から125℃に至る広い温度範囲にわたって、リ
ニアの抵抗−温度特性が一個のサーミスタの使用によっ
て実現でき、したがって、抵抗値を温度の値に変換する
ためのリニアライズ回路や演算処理回路が不要であり、
熱応答が速く、ひいては温度測定回路の小形化、軽量化
を図り、高信頼性の温度測定装置を提供できる効果を有
する。
【図1】(a)は、本発明によるリニアライズドサーミ
スタの基本概念を示す図、(b)は、本発明によるリニ
アライズドサーミスタの抵抗−温度特性を示す図、
(c)は、本発明を適用した厚膜印刷式サーミスタの断
面図である。
スタの基本概念を示す図、(b)は、本発明によるリニ
アライズドサーミスタの抵抗−温度特性を示す図、
(c)は、本発明を適用した厚膜印刷式サーミスタの断
面図である。
【図2】第1のサーミスタと第2のサーミスタとの特性
(リニア特性の中心温度における抵抗)が法則性を満た
さないときの両サーミスタの配合を調整する要領を示す
図である。
(リニア特性の中心温度における抵抗)が法則性を満た
さないときの両サーミスタの配合を調整する要領を示す
図である。
【図3】第1のサーミスタと第2のサーミスタとの特性
(B定数)が法則性を満たさないときの両サーミスタの
配合を調整する要領を示す図である。
(B定数)が法則性を満たさないときの両サーミスタの
配合を調整する要領を示す図である。
【図4】実施例1の抵抗−温度特性を示す図である。
【図5】実施例2の抵抗−温度特性を示す図である。
【図6】比較例1の抵抗−温度特性を示す図である。
【図7】比較例2の抵抗−温度特性を示す図である。
【図8】比較例3の抵抗−温度特性を示す図である。
【図9】(a)は、サーミスタと抵抗との組合せ回路に
よる従来の温度センサの基本構成を示す図、(b)は、
サーミスタと、(a)に示す従来の温度センサの抵抗温
度特性を示す図である。
よる従来の温度センサの基本構成を示す図、(b)は、
サーミスタと、(a)に示す従来の温度センサの抵抗温
度特性を示す図である。
1 第1のサーミスタ 2 第2のサーミスタ 3 サーミスタ膜 4 アルミナ基板 5 厚膜印刷式リニアライズドサーミスタ 6 内部電極 7 端子電極 8 裏面電極
Claims (10)
- 【請求項1】 互いに特性が異なる複数のサーミスタ材
料を相互に反応させないで一体化され、ある温度範囲に
わたって、温度係数が負で、なおかつ一定であることを
特徴とするリニアライズドサーミスタ。 - 【請求項2】 互いに特性の異なる第1のサーミスタ材
料と第2のサーミスタ材料との組合わせからなり、等価
的に第1のサーミスタと、第2のサーミスタとの並列回
路を構成していることを特徴とする請求項1に記載のリ
ニアライズドサーミスタ。 - 【請求項3】 第1のサーミスタのリニア特性の中心温
度における抵抗値:Rm、B定数:a、 第2のサーミスタのリニア特性の中心温度における抵抗
値:Rc、B定数:c としたとき、第1のサーミスタ材料と第2のサーミスタ
材料との組合わせは、式(1)、(2) Rm・c≒Rc・a ・・・(1) c≒a/10 ・・・(2) の条件を満たすことを特徴とする請求項2に記載のリニ
アライズドサーミスタ。 - 【請求項4】 サーミスタ材料は、サーミスタペースト
であり、 サーミスタペーストは、個別に焼成した第1のサーミス
タ酸化物粉末と、第2のサーミスタ酸化物粉末とを混合
して新たな混合酸化物とし、この混合酸化物に有機ビヒ
クルを混ぜてペーストとし、この酸化物ペーストに酸化
ルテニウムペーストと、ガラスペーストとを加えたもの
であることを特徴とする請求項2に記載のリニアライズ
ドサーミスタ。 - 【請求項5】 サーミスタ材料は、サーミスタペースト
であり、 サーミスタペーストは、それぞれ第1のおよび第2のサ
ーミスタの酸化物粉末にそれぞれ有機ビヒクルを混ぜて
2種類の酸化物ペーストを作成し、この酸化物ペースト
に酸化ルテニウムペースト、ガラスペーストを加えて特
性の異なる2種類のサーミスタのペーストを作り、この
2種類のサーミスタのペーストを混合したものであるこ
とを特徴とする請求項2に記載のリニアライズドサーミ
スタ。 - 【請求項6】 サーミスタ材料は、サーミスタペースト
であり、前記式(1)および(2)の条件を満たす第1
のサーミスタ特性を有するサーミスタペーストあるいは
酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するサーミス
タペーストあるいは酸化物粉末との配合割合は、50:
50であることを特徴とする請求項3に記載のリニアラ
イズドサーミスタ。 - 【請求項7】 サーミスタ材料は、サーミスタペースト
であり、第1のサーミスタ特性を有するペーストあるい
は酸化物粉末と、第2のサーミスタ特性を有するペース
トあるいは酸化物粉末とが、前記式(1)または(2)
の条件を満たさないときに、その配合割合は、等価的に
配合比を50:50に設定するサーミスタのペーストの
配合と同じ特性になるように適宜配合比を変更して目的
とするサーミスタ特性に調整されていることを特徴とす
る請求項3に記載のリニアライズドサーミスタ。 - 【請求項8】 第1のサーミスタ特性を有するサーミス
タペーストあるいは酸化物粉末を母、第2のサーミスタ
特性を有するサーミスタペーストあるいは酸化物粉末を
子としたときに、リニアライズドサーミスタの特性の設
定は、予め定められた第1のサーミスタの特性に応じて
第2のサーミスタの特性が選定されるものであることを
特徴とする請求項3に記載のリニアライズドサーミス
タ。 - 【請求項9】 第1のサーミスタを母、第2のサーミス
タを子としたときに、サーミスタペーストの配合比の調
整は、第2のサーミスタのペーストについて行われるも
のであることを特徴とする請求項7に記載のリニアライ
ズドサーミスタ。 - 【請求項10】 サーミスタペーストは、基板に印刷さ
れ、焼付されて厚膜印刷式サーミスタに加工されたもの
であることを特徴とする請求項5または6に記載のリニ
アライズドサーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001023946A JP2002231508A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | リニアライズドサーミスタ |
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---|---|---|---|
JP2001023946A JP2002231508A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | リニアライズドサーミスタ |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=18889156
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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