JP2002224535A - フッ素含有化合物及びｃｏを含むガスの処理方法及び装置 - Google Patents
フッ素含有化合物及びｃｏを含むガスの処理方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば、半導体工業で、半導体製造装置の内
面等をドライクリーニングする工程や、酸化膜等の各種
成膜をエッチングする工程などで排出されるフッ素含有
化合物及びＣＯを含むガスを効率よく処理する方法及び
装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るガス処理方法は、フッ素含
有化合物及びＣＯを含むガスを処理する方法であって、
上記ガスを、850℃以上の温度で、Ｏ2及びＨ2Ｏと接触
させて、ＣＯをＣＯ2に酸化させ、次いで、上記ガス
を、600〜900℃の温度でγ−アルミナと接触させてフッ
素含有化合物を分解する、各工程を含むことを特徴とす
る。
面等をドライクリーニングする工程や、酸化膜等の各種
成膜をエッチングする工程などで排出されるフッ素含有
化合物及びＣＯを含むガスを効率よく処理する方法及び
装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るガス処理方法は、フッ素含
有化合物及びＣＯを含むガスを処理する方法であって、
上記ガスを、850℃以上の温度で、Ｏ2及びＨ2Ｏと接触
させて、ＣＯをＣＯ2に酸化させ、次いで、上記ガス
を、600〜900℃の温度でγ−アルミナと接触させてフッ
素含有化合物を分解する、各工程を含むことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素含有化合物
及びＣＯを含むガスの処理方法に関し、特に、半導体工
業で、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングす
る工程や、酸化膜等の各種成膜をエッチングする工程な
どで排出されるフッ素含有化合物及びＣＯを含む排ガス
を効率よく処理する方法及び装置に関する。
及びＣＯを含むガスの処理方法に関し、特に、半導体工
業で、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングす
る工程や、酸化膜等の各種成膜をエッチングする工程な
どで排出されるフッ素含有化合物及びＣＯを含む排ガス
を効率よく処理する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体工業においては、半導体製造工程
中に多種類の有害ガスが使用されており、環境中への排
気による環境汚染が懸念される。特に、半導体工業にお
けるエッチング工程やＣＶＤ工程などにおいては、ＣＨ
Ｆ3などのフッ化炭化水素や、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、
Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＳＦ6、ＮＦ3などのパーフルオロ化合
物（以下、「ＰＦＣ」と略す）などのフッ素含有化合物
が用いられており、これらのプロセスからの排ガス中に
含まれるフッ素含有化合物は、地球温暖化ガスとしてそ
の除去システムの確立が急務とされている。また、これ
らのプロセスからの排ガスには、プロセスガスとして使
用されるＣＯが含まれている場合があり、或いは、ＰＦ
ＣとＯ2との混合ガスをチャンバー内でプラズマに曝露
することによって発生するＣＯも含まれることが多い。
中に多種類の有害ガスが使用されており、環境中への排
気による環境汚染が懸念される。特に、半導体工業にお
けるエッチング工程やＣＶＤ工程などにおいては、ＣＨ
Ｆ3などのフッ化炭化水素や、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、
Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＳＦ6、ＮＦ3などのパーフルオロ化合
物（以下、「ＰＦＣ」と略す）などのフッ素含有化合物
が用いられており、これらのプロセスからの排ガス中に
含まれるフッ素含有化合物は、地球温暖化ガスとしてそ
の除去システムの確立が急務とされている。また、これ
らのプロセスからの排ガスには、プロセスガスとして使
用されるＣＯが含まれている場合があり、或いは、ＰＦ
ＣとＯ2との混合ガスをチャンバー内でプラズマに曝露
することによって発生するＣＯも含まれることが多い。
【０００３】ガス中のＰＦＣの除去方法としては、アル
ミナに種々の金属を含有させてなるアルミナ系触媒を用
いたガス処理方法；金属としてのＮａ量が0.1重量％以
下であるアルミナを用いたガス処理方法；アルミナの存
在下で分子状酸素とガスとを接触させるガス処理方法；
水蒸気の存在下で200〜800℃の温度でアルミニウムを含
む触媒を用いたガス処理方法；分子状酸素と水との存在
下で各種金属触媒を用いるガス処理方法；などが提案さ
れている。さらに、本発明者らの特願2000−110668号明
細書に記載されているように、特定の結晶構造（Ｘ線回
折装置で測定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜
±1゜、40゜±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度
で強度１００以上の回折線が出現する結晶構造）を有す
るγ−アルミナを触媒として用いるガス処理方法が提案
されている。
ミナに種々の金属を含有させてなるアルミナ系触媒を用
いたガス処理方法；金属としてのＮａ量が0.1重量％以
下であるアルミナを用いたガス処理方法；アルミナの存
在下で分子状酸素とガスとを接触させるガス処理方法；
水蒸気の存在下で200〜800℃の温度でアルミニウムを含
む触媒を用いたガス処理方法；分子状酸素と水との存在
下で各種金属触媒を用いるガス処理方法；などが提案さ
れている。さらに、本発明者らの特願2000−110668号明
細書に記載されているように、特定の結晶構造（Ｘ線回
折装置で測定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜
±1゜、40゜±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度
で強度１００以上の回折線が出現する結晶構造）を有す
るγ−アルミナを触媒として用いるガス処理方法が提案
されている。
【０００４】一方、ガス中のＣＯの除去方法としては、
ホプカライト酸化触媒（ＣｕやＭｎの複合酸化物、Ｎｉ
酸化物など）及びＯ2によりＣＯをＣＯ2に酸化して除去
する方法がある。しかし、フッ素含有化合物とＣＯとを
同時に処理する技術は未だ報告されていない。
ホプカライト酸化触媒（ＣｕやＭｎの複合酸化物、Ｎｉ
酸化物など）及びＯ2によりＣＯをＣＯ2に酸化して除去
する方法がある。しかし、フッ素含有化合物とＣＯとを
同時に処理する技術は未だ報告されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来技術
に従えば、ガス中のフッ素含有化合物及びＣＯの両方を
処理するためには、ＣＯ酸化触媒を前段に配置し、γ−
アルミナを後段に配置した２段階の触媒反応槽を形成
し、これにガスを通して、前段でＣＯを酸化し、後段で
フッ素含有化合物を分解するという方法を採ることが必
要であるが、この場合、前段の反応槽において、ガスに
含まれるフッ素含有化合物中のフッ素がＣＯ酸化触媒に
対する触媒毒となって、ＣＯの酸化力を著しく低下させ
てしまい、短時間でＣＯがＴＬＶ−ＴＷＡ値（Threshol
d Limit Value-Time Weighted Average Concentratio
n：時間荷重平均許容濃度）の25ppm以下に処理できなく
なる、という問題がある。
に従えば、ガス中のフッ素含有化合物及びＣＯの両方を
処理するためには、ＣＯ酸化触媒を前段に配置し、γ−
アルミナを後段に配置した２段階の触媒反応槽を形成
し、これにガスを通して、前段でＣＯを酸化し、後段で
フッ素含有化合物を分解するという方法を採ることが必
要であるが、この場合、前段の反応槽において、ガスに
含まれるフッ素含有化合物中のフッ素がＣＯ酸化触媒に
対する触媒毒となって、ＣＯの酸化力を著しく低下させ
てしまい、短時間でＣＯがＴＬＶ−ＴＷＡ値（Threshol
d Limit Value-Time Weighted Average Concentratio
n：時間荷重平均許容濃度）の25ppm以下に処理できなく
なる、という問題がある。
【０００６】更に、従来技術に従ってフッ素含有化合物
及びＣＯを含むガスを処理するためには、各々別個の触
媒で処理しなければならず、個別の触媒を充填する加熱
容器を必要とし、加熱容器ごとに処理温度を制御しなけ
ればならず、装置を設置するための広いスペースが必要
となり、温度制御が煩雑になる、という問題がある。ま
た、触媒ごとに寿命が異なるため、触媒の交換周期も異
なり、触媒管理が煩雑になる、という問題もある。さら
に、触媒の定期的な交換に要する費用などのランニング
コストが高くなる、という問題もある。
及びＣＯを含むガスを処理するためには、各々別個の触
媒で処理しなければならず、個別の触媒を充填する加熱
容器を必要とし、加熱容器ごとに処理温度を制御しなけ
ればならず、装置を設置するための広いスペースが必要
となり、温度制御が煩雑になる、という問題がある。ま
た、触媒ごとに寿命が異なるため、触媒の交換周期も異
なり、触媒管理が煩雑になる、という問題もある。さら
に、触媒の定期的な交換に要する費用などのランニング
コストが高くなる、という問題もある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上述のような従
来技術の問題点を解消し、フッ素含有化合物及びＣＯを
同時に且つ効率的に処理することができ、ランニングコ
ストが廉価で、簡便な管理が可能なフッ素含有化合物及
びＣＯを含むガスの処理方法及び処理装置を提供するこ
とにある。
来技術の問題点を解消し、フッ素含有化合物及びＣＯを
同時に且つ効率的に処理することができ、ランニングコ
ストが廉価で、簡便な管理が可能なフッ素含有化合物及
びＣＯを含むガスの処理方法及び処理装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、フッ素含有
化合物及びＣＯを含むガスを処理する際に、ＣＯ処理用
の触媒を用いず、ガスをまず、所定温度以上でＯ2及び
Ｈ2Ｏと反応させることによってＣＯをＣＯ2に酸化し、
次いで、γ−アルミナを触媒として接触させてフッ素含
有化合物を分解することで、上記目的を達成し得ること
を見出した。
めに、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、フッ素含有
化合物及びＣＯを含むガスを処理する際に、ＣＯ処理用
の触媒を用いず、ガスをまず、所定温度以上でＯ2及び
Ｈ2Ｏと反応させることによってＣＯをＣＯ2に酸化し、
次いで、γ−アルミナを触媒として接触させてフッ素含
有化合物を分解することで、上記目的を達成し得ること
を見出した。
【０００９】すなわち、本発明によれば、フッ素含有化
合物及びＣＯを含むガスを処理する方法であって、上記
ガスを、850℃以上の温度で、Ｏ2及びＨ2Ｏと接触させ
て、ＣＯをＣＯ2に酸化させ、次いで、上記ガスを、600
〜900℃に加熱されたγ−アルミナと接触させてフッ素
含有化合物を分解する、各工程を含むことを特徴とする
ガス処理方法が提供される。
合物及びＣＯを含むガスを処理する方法であって、上記
ガスを、850℃以上の温度で、Ｏ2及びＨ2Ｏと接触させ
て、ＣＯをＣＯ2に酸化させ、次いで、上記ガスを、600
〜900℃に加熱されたγ−アルミナと接触させてフッ素
含有化合物を分解する、各工程を含むことを特徴とする
ガス処理方法が提供される。
【００１０】本発明により処理することのできるフッ素
含有化合物及びＣＯを含むガスとしては、半導体工業で
半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程
や各種成膜をエッチングする工程で排出される排ガスな
どを挙げることができる。また、上記フッ素含有化合物
としては、ＣＨＦ3などのフッ化炭化水素や、ＣＦ4、Ｃ
2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＳＦ6、ＮＦ3などのパ
ーフルオロ化合物等を挙げることができる。
含有化合物及びＣＯを含むガスとしては、半導体工業で
半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程
や各種成膜をエッチングする工程で排出される排ガスな
どを挙げることができる。また、上記フッ素含有化合物
としては、ＣＨＦ3などのフッ化炭化水素や、ＣＦ4、Ｃ
2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＳＦ6、ＮＦ3などのパ
ーフルオロ化合物等を挙げることができる。
【００１１】本発明において、上記ガスをＯ2及びＨ2Ｏ
と接触させる際の温度は、850℃以上、好ましくは870℃
以上である。この温度が850℃よりも低いと、ガス中の
ＣＯが充分に酸化されずに残存するので好ましくない。
と接触させる際の温度は、850℃以上、好ましくは870℃
以上である。この温度が850℃よりも低いと、ガス中の
ＣＯが充分に酸化されずに残存するので好ましくない。
【００１２】本発明において、フッ素含有化合物及びＣ
Ｏを含むガス（以下、簡便化のために「ＰＦＣ排ガス」
という）を、まず上記の温度でＯ2及びＨ2Ｏと接触させ
ることにより、気相中で下記式のような反応が起こっ
て、ＣＯがＣＯ2に酸化する。
Ｏを含むガス（以下、簡便化のために「ＰＦＣ排ガス」
という）を、まず上記の温度でＯ2及びＨ2Ｏと接触させ
ることにより、気相中で下記式のような反応が起こっ
て、ＣＯがＣＯ2に酸化する。
【００１３】
【化１】
【００１４】次いで、ガスをγ−アルミナ触媒と600〜9
00℃の温度で接触させる。これによって、ガス中のフッ
素含有化合物が分解される。例えば、ＰＦＣとしてＣＦ
4を含む場合には、下記式のような反応によって、ＣＦ4
がＣＯ2とＨＦとに分解する。
00℃の温度で接触させる。これによって、ガス中のフッ
素含有化合物が分解される。例えば、ＰＦＣとしてＣＦ
4を含む場合には、下記式のような反応によって、ＣＦ4
がＣＯ2とＨＦとに分解する。
【００１５】
【化２】
【００１６】本発明において、ＰＦＣ排ガスと接触させ
るＯ2及びＨ2Ｏの量は、処理しようとするＰＦＣ排ガス
中のＣＯ及びフッ素含有化合物をすべてＣＯ2及びＨＦ
などに分解することができるのに十分な量であることが
望ましい。好ましい実施形態においては、ＰＦＣ排ガス
に加えるＯ2の量は、ＰＦＣ排ガスに含まれるフッ素含
有化合物中のＣ原子とＣＯのＣ原子がＣＯ2になるのに
必要なモル数（最小モル数）以上とするのが好ましく、
より好ましくは最小モル数に１モルを加えたモル数以上
の量である。また、ＰＦＣ排ガスに加えるＨ2Ｏの量
は、フッ素含有化合物中のＦ原子がＨＦになるのに必要
なモル数（最小モル数）以上とすることが好ましく、よ
り好ましくはフッ素含有化合物１モルに対して６倍〜２
０倍のモル数に相当する量である。このとき、Ｈ2Ｏ
は、気体状態で導入することが好ましく、例えば、Ｈ2
Ｏタンクから気化器にポンプで送り、100℃以上に加熱
して全量を水蒸気化させて、さらにＮ2などの不活性ガ
スで圧送するなどして導入することが好ましい。
るＯ2及びＨ2Ｏの量は、処理しようとするＰＦＣ排ガス
中のＣＯ及びフッ素含有化合物をすべてＣＯ2及びＨＦ
などに分解することができるのに十分な量であることが
望ましい。好ましい実施形態においては、ＰＦＣ排ガス
に加えるＯ2の量は、ＰＦＣ排ガスに含まれるフッ素含
有化合物中のＣ原子とＣＯのＣ原子がＣＯ2になるのに
必要なモル数（最小モル数）以上とするのが好ましく、
より好ましくは最小モル数に１モルを加えたモル数以上
の量である。また、ＰＦＣ排ガスに加えるＨ2Ｏの量
は、フッ素含有化合物中のＦ原子がＨＦになるのに必要
なモル数（最小モル数）以上とすることが好ましく、よ
り好ましくはフッ素含有化合物１モルに対して６倍〜２
０倍のモル数に相当する量である。このとき、Ｈ2Ｏ
は、気体状態で導入することが好ましく、例えば、Ｈ2
Ｏタンクから気化器にポンプで送り、100℃以上に加熱
して全量を水蒸気化させて、さらにＮ2などの不活性ガ
スで圧送するなどして導入することが好ましい。
【００１７】本発明において、ＰＦＣ排ガスと接触させ
るγ−アルミナは、フッ素含有化合物を分解するための
触媒として作用する。本発明においては、ＰＦＣ排ガス
とγ−アルミナとの接触は、600〜900℃、好ましくは65
0〜850℃、より好ましくは750℃の温度で行うことが好
ましい。ＰＦＣ排ガスとγ−アルミナとの接触温度が60
0℃未満であると、触媒としての活性が低くなり、ＰＦ
Ｃの分解率が低いので好ましくなく、逆に900℃を超え
ると結晶転移が起ってガラス化してしまうおそれがある
ので好ましくない。好適には、γ−アルミナ触媒を加熱
手段によって上記の温度に加熱する。
るγ−アルミナは、フッ素含有化合物を分解するための
触媒として作用する。本発明においては、ＰＦＣ排ガス
とγ−アルミナとの接触は、600〜900℃、好ましくは65
0〜850℃、より好ましくは750℃の温度で行うことが好
ましい。ＰＦＣ排ガスとγ−アルミナとの接触温度が60
0℃未満であると、触媒としての活性が低くなり、ＰＦ
Ｃの分解率が低いので好ましくなく、逆に900℃を超え
ると結晶転移が起ってガラス化してしまうおそれがある
ので好ましくない。好適には、γ−アルミナ触媒を加熱
手段によって上記の温度に加熱する。
【００１８】本発明に用いるγ−アルミナとしては、特
願2000-110668で提案されているようなＸ線回折装置で
測定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40
゜±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１
００以上の回折線が出現する結晶構造を有するγ−アル
ミナを好ましく用いることができ、フッ素含有化合物の
分解性能を考慮するとＮａ2Ｏの含有量がγ−アルミナ
全体量中0.02wt%以下であることが好ましい。このよう
な結晶構造を有するγ−アルミナは、例えば、アルミナ
ゾルを、球状アルミナヒドロゲル（Ａｌ(ＯＨ)y・ｎＨ2
Ｏ）として焼成することにより得ることができる。本発
明で使用されるγ−アルミナは、上記結晶構造を持つも
のであればその形状は特に限定されないが、取り扱い
上、球状であることが好ましい。また、γ−アルミナの
粒度は、処理すべきガスの通気時に、通気抵抗が上昇し
ない範囲であればよいが、処理すべきガス成分との接触
面積を大きくするために細かい方が好ましく、0.8mm〜
2.6mmの範囲が好ましい。
願2000-110668で提案されているようなＸ線回折装置で
測定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40
゜±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１
００以上の回折線が出現する結晶構造を有するγ−アル
ミナを好ましく用いることができ、フッ素含有化合物の
分解性能を考慮するとＮａ2Ｏの含有量がγ−アルミナ
全体量中0.02wt%以下であることが好ましい。このよう
な結晶構造を有するγ−アルミナは、例えば、アルミナ
ゾルを、球状アルミナヒドロゲル（Ａｌ(ＯＨ)y・ｎＨ2
Ｏ）として焼成することにより得ることができる。本発
明で使用されるγ−アルミナは、上記結晶構造を持つも
のであればその形状は特に限定されないが、取り扱い
上、球状であることが好ましい。また、γ−アルミナの
粒度は、処理すべきガスの通気時に、通気抵抗が上昇し
ない範囲であればよいが、処理すべきガス成分との接触
面積を大きくするために細かい方が好ましく、0.8mm〜
2.6mmの範囲が好ましい。
【００１９】また、本発明によれば、フッ素含有化合物
及びＣＯを含むガスを処理するための装置が提供され
る。かかる装置は、フッ素含有化合物及びＣＯを含むガ
スを処理する装置であって、上記ガスを通気可能とする
中空内部、上記中空内部のガスの温度を850℃以上に加
熱可能な加熱手段、ガス導入口、Ｏ2導入口及びＨ2Ｏ導
入口を備える加熱酸化槽と、上記加熱酸化槽と流体連通
状態に配置されていて、γ−アルミナが充填されている
触媒反応槽と、を備えることを特徴とする。
及びＣＯを含むガスを処理するための装置が提供され
る。かかる装置は、フッ素含有化合物及びＣＯを含むガ
スを処理する装置であって、上記ガスを通気可能とする
中空内部、上記中空内部のガスの温度を850℃以上に加
熱可能な加熱手段、ガス導入口、Ｏ2導入口及びＨ2Ｏ導
入口を備える加熱酸化槽と、上記加熱酸化槽と流体連通
状態に配置されていて、γ−アルミナが充填されている
触媒反応槽と、を備えることを特徴とする。
【００２０】本発明のＰＦＣ排ガス処理装置において
は、加熱酸化槽と触媒反応槽とは流体連通状態に配置さ
れていればよく、これらは一体に形成されていてもある
いは別体として形成されていてもよい。また、加熱酸化
槽及び触媒反応槽の材質は、特に限定されるものではな
いが、高温雰囲気下で安定で、処理すべきガス成分と不
活性で且つ熱伝導性に優れた材料から形成されているこ
とが好ましく、特にステンレススチール製であることが
好ましい。
は、加熱酸化槽と触媒反応槽とは流体連通状態に配置さ
れていればよく、これらは一体に形成されていてもある
いは別体として形成されていてもよい。また、加熱酸化
槽及び触媒反応槽の材質は、特に限定されるものではな
いが、高温雰囲気下で安定で、処理すべきガス成分と不
活性で且つ熱伝導性に優れた材料から形成されているこ
とが好ましく、特にステンレススチール製であることが
好ましい。
【００２１】本発明のＰＦＣガス処理装置において、加
熱酸化槽の加熱手段としては、加熱酸化槽中空内部に形
成される気相部を850℃以上、好ましくは870℃以上に加
熱できるものであれば特に限定されるものではないが、
例えばセラミック電気管状炉などのセラミックヒーター
を加熱酸化槽の外部に配置することが好ましい。
熱酸化槽の加熱手段としては、加熱酸化槽中空内部に形
成される気相部を850℃以上、好ましくは870℃以上に加
熱できるものであれば特に限定されるものではないが、
例えばセラミック電気管状炉などのセラミックヒーター
を加熱酸化槽の外部に配置することが好ましい。
【００２２】本発明のＰＦＣ排ガス処理装置の加熱酸化
槽には、少なくともＰＦＣ排ガス導入口、Ｏ2導入口及
びＨ2Ｏ導入口が設けられている。これら導入口は、加
熱酸化槽頂部に設けられていることが好ましく、それぞ
れ、半導体製造装置からの排ガス系等のＰＦＣ排ガス発
生源、Ｏ2供給源及びＨ2Ｏ供給源に、配管を介して連結
されている。Ｈ2Ｏは気体状態で導入されることが好ま
しく、このため、好ましい実施形態においては、Ｈ2Ｏ
導入口に接続されるＨ2Ｏ供給系は、Ｈ2Ｏ供給源である
Ｈ2Ｏ（液体）タンクと、Ｈ2Ｏタンクから供給される液
体Ｈ2Ｏを気化させる気化器と、タンク及び気化器を連
結する配管及び該配管に設けられた揚水ポンプと、気化
されたＨ2Ｏを加熱酸化槽のＨ2Ｏ導入口まで圧送するＮ
2などの不活性ガス供給源とから構成され、Ｈ2Ｏ導入口
に連結されている配管にはバンドヒーター等の加熱手段
が付設されている。
槽には、少なくともＰＦＣ排ガス導入口、Ｏ2導入口及
びＨ2Ｏ導入口が設けられている。これら導入口は、加
熱酸化槽頂部に設けられていることが好ましく、それぞ
れ、半導体製造装置からの排ガス系等のＰＦＣ排ガス発
生源、Ｏ2供給源及びＨ2Ｏ供給源に、配管を介して連結
されている。Ｈ2Ｏは気体状態で導入されることが好ま
しく、このため、好ましい実施形態においては、Ｈ2Ｏ
導入口に接続されるＨ2Ｏ供給系は、Ｈ2Ｏ供給源である
Ｈ2Ｏ（液体）タンクと、Ｈ2Ｏタンクから供給される液
体Ｈ2Ｏを気化させる気化器と、タンク及び気化器を連
結する配管及び該配管に設けられた揚水ポンプと、気化
されたＨ2Ｏを加熱酸化槽のＨ2Ｏ導入口まで圧送するＮ
2などの不活性ガス供給源とから構成され、Ｈ2Ｏ導入口
に連結されている配管にはバンドヒーター等の加熱手段
が付設されている。
【００２３】また、加熱酸化槽内部には、ガス中のＣＯ
とＯ2及びＨ2Ｏとの接触効率を高めるための接触補助手
段が設けられていることが好ましい。接触補助手段とし
ては、加熱酸化槽中空内部に形成される気相部に乱流を
生じさせることができるものであれば特に制限されず、
例えば複数の板やフィンなどを加熱酸化槽内壁にらせん
状又は半径方向に対向するように交互に配置した迂流
板、圧損の小さい充填剤、などを好ましく挙げることが
できる。接触補助手段として迂流板を用いる場合には、
ガス中のＣＯの酸化を促進するために、迂流板の表面を
Ｎｉ等の金属でコーティングしてもよい。
とＯ2及びＨ2Ｏとの接触効率を高めるための接触補助手
段が設けられていることが好ましい。接触補助手段とし
ては、加熱酸化槽中空内部に形成される気相部に乱流を
生じさせることができるものであれば特に制限されず、
例えば複数の板やフィンなどを加熱酸化槽内壁にらせん
状又は半径方向に対向するように交互に配置した迂流
板、圧損の小さい充填剤、などを好ましく挙げることが
できる。接触補助手段として迂流板を用いる場合には、
ガス中のＣＯの酸化を促進するために、迂流板の表面を
Ｎｉ等の金属でコーティングしてもよい。
【００２４】本発明のＰＦＣ排ガス処理装置の触媒反応
槽には、γ−アルミナが充填されている。触媒反応槽の
容積は、γ−アルミナを充填できる容積であれば特に制
限されない。触媒反応槽に充填されるγ−アルミナとし
ては、上述の所定結晶構造を有するγ−アルミナを好ま
しく用いることができる。
槽には、γ−アルミナが充填されている。触媒反応槽の
容積は、γ−アルミナを充填できる容積であれば特に制
限されない。触媒反応槽に充填されるγ−アルミナとし
ては、上述の所定結晶構造を有するγ−アルミナを好ま
しく用いることができる。
【００２５】また好ましい態様においては、触媒反応槽
には、γ−アルミナを600〜900℃、好ましくは650〜850
℃、より好ましくは750℃に加熱するための加熱手段が
設けられている。この加熱手段としては、特に制限され
るものではないが、加熱酸化槽に設けられている加熱手
段と同じ加熱手段を用いることができ、加熱酸化槽に関
して上述した加熱手段を好ましく挙げることができる。
には、γ−アルミナを600〜900℃、好ましくは650〜850
℃、より好ましくは750℃に加熱するための加熱手段が
設けられている。この加熱手段としては、特に制限され
るものではないが、加熱酸化槽に設けられている加熱手
段と同じ加熱手段を用いることができ、加熱酸化槽に関
して上述した加熱手段を好ましく挙げることができる。
【００２６】さらに、本発明のＰＦＣ排ガス処理装置に
は、必要に応じて、ガス中に含まれているかもしれない
固形物を分離するための水スプレイ塔などの固形物分離
装置や、本発明のＰＦＣ排ガス処理後に得られるＨＦな
どの酸性ガスを除去するための水スプレイ塔などの酸性
ガス除去装置などを組み合わせてもよい。
は、必要に応じて、ガス中に含まれているかもしれない
固形物を分離するための水スプレイ塔などの固形物分離
装置や、本発明のＰＦＣ排ガス処理後に得られるＨＦな
どの酸性ガスを除去するための水スプレイ塔などの酸性
ガス除去装置などを組み合わせてもよい。
【００２７】
【好ましい実施形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明のＰＦＣ排ガス処理装置をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下に
おいては、説明を簡略にするために、フッ素含有化合物
をＣＦ4などのパーフルオロ化合物と想定して、単に
「ＰＦＣ」と略記して説明する。
本発明のＰＦＣ排ガス処理装置をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下に
おいては、説明を簡略にするために、フッ素含有化合物
をＣＦ4などのパーフルオロ化合物と想定して、単に
「ＰＦＣ」と略記して説明する。
【００２８】図１は、本発明のＰＦＣ排ガス処理装置の
好ましい一実施形態を示す概略図である。本発明のＰＦ
Ｃ排ガス処理装置10は、ＰＦＣ排ガスを850℃以上の温
度でＯ2及びＨ2Ｏと接触させてガス中のＣＯを酸化処理
する加熱酸化槽20と、酸化処理後のガスを600〜900℃の
温度でγ−アルミナと接触させてガス中のＰＦＣを分解
する触媒反応槽30とを備える。加熱酸化槽20及び触媒反
応槽30は、加熱酸化槽20から触媒反応槽30にＰＦＣ排ガ
スが流下する流体連通状態になるように、上段に加熱酸
化槽20が配置され、下段に触媒反応槽30が配置されてい
る。本実施形態においては、加熱酸化槽20及び触媒反応
槽30として、同一寸法の円筒状ステンレス製ミニカラム
を用いている。
好ましい一実施形態を示す概略図である。本発明のＰＦ
Ｃ排ガス処理装置10は、ＰＦＣ排ガスを850℃以上の温
度でＯ2及びＨ2Ｏと接触させてガス中のＣＯを酸化処理
する加熱酸化槽20と、酸化処理後のガスを600〜900℃の
温度でγ−アルミナと接触させてガス中のＰＦＣを分解
する触媒反応槽30とを備える。加熱酸化槽20及び触媒反
応槽30は、加熱酸化槽20から触媒反応槽30にＰＦＣ排ガ
スが流下する流体連通状態になるように、上段に加熱酸
化槽20が配置され、下段に触媒反応槽30が配置されてい
る。本実施形態においては、加熱酸化槽20及び触媒反応
槽30として、同一寸法の円筒状ステンレス製ミニカラム
を用いている。
【００２９】加熱酸化槽20の頂部20aには、ガス導入口2
1、Ｏ2導入口22及びＨ2Ｏ導入口23が設けられている。
ガス導入口21は、配管を介して半導体製造装置の排ガス
系などのＰＦＣ排ガス供給源（図示せず）に連結されて
いる。Ｏ2導入口22は、配管を介してＯ2供給源（図示せ
ず）に連結されている。Ｈ2Ｏ導入口23は、バンドヒー
ターが巻回されている配管24を介して気化器25に連結さ
れ、気化器25は、揚水ポンプ27が配設されている配管を
介してＨ2Ｏ（液体）タンク26に連結されている。気化
器25は、さらに、配管を介して不活性ガス（Ｎ2）供給
源に連結されている。
1、Ｏ2導入口22及びＨ2Ｏ導入口23が設けられている。
ガス導入口21は、配管を介して半導体製造装置の排ガス
系などのＰＦＣ排ガス供給源（図示せず）に連結されて
いる。Ｏ2導入口22は、配管を介してＯ2供給源（図示せ
ず）に連結されている。Ｈ2Ｏ導入口23は、バンドヒー
ターが巻回されている配管24を介して気化器25に連結さ
れ、気化器25は、揚水ポンプ27が配設されている配管を
介してＨ2Ｏ（液体）タンク26に連結されている。気化
器25は、さらに、配管を介して不活性ガス（Ｎ2）供給
源に連結されている。
【００３０】加熱酸化槽20は内部が中空とされていて、
該中空内部には、ＰＦＣ排ガス、Ｏ 2及びＨ2Ｏが導入さ
れてＣＯの酸化反応が進行する酸化反応領域20bが設け
られている。酸化反応領域20bには、ＰＦＣ排ガス中の
ＣＯとＯ2及びＨ2Ｏとの接触効率を高めるための接触補
助手段として、複数の迂流板29が設けられている。迂流
板29は、加熱酸化槽20の内部半径よりもわずかに長い寸
法の板またはフィンであり、加熱酸化槽20内壁にらせん
状に配置されているか又は半径方向に対向するように交
互に配置されている。加熱酸化槽20の外周には、酸化反
応領域20bの温度を850℃以上に加熱可能な加熱手段とし
て、セラミック電気管状炉28が設けられている。なお、
酸化反応領域の温度を測定するために、加熱酸化槽中空
内部中心部に熱電対（図示せず）が設けられている。
該中空内部には、ＰＦＣ排ガス、Ｏ 2及びＨ2Ｏが導入さ
れてＣＯの酸化反応が進行する酸化反応領域20bが設け
られている。酸化反応領域20bには、ＰＦＣ排ガス中の
ＣＯとＯ2及びＨ2Ｏとの接触効率を高めるための接触補
助手段として、複数の迂流板29が設けられている。迂流
板29は、加熱酸化槽20の内部半径よりもわずかに長い寸
法の板またはフィンであり、加熱酸化槽20内壁にらせん
状に配置されているか又は半径方向に対向するように交
互に配置されている。加熱酸化槽20の外周には、酸化反
応領域20bの温度を850℃以上に加熱可能な加熱手段とし
て、セラミック電気管状炉28が設けられている。なお、
酸化反応領域の温度を測定するために、加熱酸化槽中空
内部中心部に熱電対（図示せず）が設けられている。
【００３１】加熱酸化槽20の下流側には、触媒反応槽30
が、加熱酸化槽20と流体連通状態に設けられている。触
媒反応槽30の内部には、γ−アルミナが充填されてい
る。γ−アルミナとしては、上述の特定の結晶構造を有
するγ−アルミナを好ましく用いることができる。
が、加熱酸化槽20と流体連通状態に設けられている。触
媒反応槽30の内部には、γ−アルミナが充填されてい
る。γ−アルミナとしては、上述の特定の結晶構造を有
するγ−アルミナを好ましく用いることができる。
【００３２】さらに、触媒反応槽30の外周には、γ−ア
ルミナを600〜900℃に加熱可能な加熱手段として、セラ
ミック電気管状炉32が設けることが好ましい。このセラ
ミック電気管状炉32は、加熱酸化槽20に設けられている
セラミック電気管状炉28と一体であっても別体であって
もよい。なお、触媒反応槽30内部の温度を測定するため
に、触媒反応槽30内部に熱電対（図示せず）が設けられ
ている。
ルミナを600〜900℃に加熱可能な加熱手段として、セラ
ミック電気管状炉32が設けることが好ましい。このセラ
ミック電気管状炉32は、加熱酸化槽20に設けられている
セラミック電気管状炉28と一体であっても別体であって
もよい。なお、触媒反応槽30内部の温度を測定するため
に、触媒反応槽30内部に熱電対（図示せず）が設けられ
ている。
【００３３】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明をより具体
的に説明する。 実施例１ 無触媒でのガス中のＣＯの処理特性として、加熱酸化槽
の気相部の温度とＣＯ除去率との関係を観察した。
的に説明する。 実施例１ 無触媒でのガス中のＣＯの処理特性として、加熱酸化槽
の気相部の温度とＣＯ除去率との関係を観察した。
【００３４】加熱酸化槽として、セラミック電気管状炉
に装着した内径27mm、高さ500mmのステンレス製ミニカ
ラムを用いた。加熱酸化槽中空内部の気相部の温度を測
定するため、加熱酸化槽中空内部のほぼ中心部に設置し
た熱電対で気相部の温度をモニターしながら500℃〜900
℃まで段階的に温度を変化させた。
に装着した内径27mm、高さ500mmのステンレス製ミニカ
ラムを用いた。加熱酸化槽中空内部の気相部の温度を測
定するため、加熱酸化槽中空内部のほぼ中心部に設置し
た熱電対で気相部の温度をモニターしながら500℃〜900
℃まで段階的に温度を変化させた。
【００３５】疑似排ガスとしてＮ2で希釈したＣＯを用
い、Ｏ2及びＨ2Ｏが等モル以上になるようにして、総ガ
ス流量を410sccmとして加熱酸化槽中空内部に導入し
た。このとき、ＣＯの流入濃度を1.22〜1.33％、Ｏ2の
流入濃度を3.7〜3.9％とし、Ｈ2Ｏを0.079mL/minの流速
とした。処理時間は、30分間とした。
い、Ｏ2及びＨ2Ｏが等モル以上になるようにして、総ガ
ス流量を410sccmとして加熱酸化槽中空内部に導入し
た。このとき、ＣＯの流入濃度を1.22〜1.33％、Ｏ2の
流入濃度を3.7〜3.9％とし、Ｈ2Ｏを0.079mL/minの流速
とした。処理時間は、30分間とした。
【００３６】加熱酸化槽での処理性能を観察するため、
カラム出口ガス中のＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2を質量検
出器付ガスクロマトグラフ装置（アネルバ製AGS-7000
U）を用いて分析した。結果を表１に示す。
カラム出口ガス中のＣＯ、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2を質量検
出器付ガスクロマトグラフ装置（アネルバ製AGS-7000
U）を用いて分析した。結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１からわかるように、加熱酸化槽の気相
部の温度が850℃でＣＯは許容濃度（25ppm）未満の12pp
mまで減少し（除去率99.9％）、870℃では検出限界（2p
pm）以下まで減少した。このとき、出口ガス中のＣＯ2
（11000ppm）は、ＣＯの流入濃度とほぼ同じであり、Ｈ
2は不検出であったことから、ＣＯはすべてＣＯ2に酸化
したと判断される。
部の温度が850℃でＣＯは許容濃度（25ppm）未満の12pp
mまで減少し（除去率99.9％）、870℃では検出限界（2p
pm）以下まで減少した。このとき、出口ガス中のＣＯ2
（11000ppm）は、ＣＯの流入濃度とほぼ同じであり、Ｈ
2は不検出であったことから、ＣＯはすべてＣＯ2に酸化
したと判断される。
【００３９】比較例１Ａ 実施例１の装置を用いて、総ガス流量410sccm、ＣＯの
流入濃度を1.33％とし、Ｈ2Ｏを0.079mL/minの流速で加
熱酸化槽内部に導入し、Ｏ2を添加せずに、加熱酸化槽
気相部の温度を870℃、処理時間30分として、実施例１
と同様に実験を行った。測定結果を表２に示す。
流入濃度を1.33％とし、Ｈ2Ｏを0.079mL/minの流速で加
熱酸化槽内部に導入し、Ｏ2を添加せずに、加熱酸化槽
気相部の温度を870℃、処理時間30分として、実施例１
と同様に実験を行った。測定結果を表２に示す。
【００４０】表２からわかるように、気相部の温度が87
0℃であっても、Ｈ2Ｏのみの添加では、ＣＯの除去率は
38％に過ぎず、ＣＯの処理性能は低い。 比較例１Ｂ 実施例１の装置を用いて、総ガス流量410sccm、ＣＯの
流入濃度を1.24％とし、Ｏ2の流入濃度を3.8％として、
Ｈ2Ｏを添加せずに、加熱酸化槽気相部の温度を870℃、
処理時間30分として、実施例１と同様に実験を行った。
測定結果を表２に示す。
0℃であっても、Ｈ2Ｏのみの添加では、ＣＯの除去率は
38％に過ぎず、ＣＯの処理性能は低い。 比較例１Ｂ 実施例１の装置を用いて、総ガス流量410sccm、ＣＯの
流入濃度を1.24％とし、Ｏ2の流入濃度を3.8％として、
Ｈ2Ｏを添加せずに、加熱酸化槽気相部の温度を870℃、
処理時間30分として、実施例１と同様に実験を行った。
測定結果を表２に示す。
【００４１】表２からわかるように、気相部の温度が87
0℃であっても、Ｏ2のみの添加では、ＣＯは完全には除
去されず、出口ガス中で許容濃度（25ppm）を大きく越
える200ppmが検出された。
0℃であっても、Ｏ2のみの添加では、ＣＯは完全には除
去されず、出口ガス中で許容濃度（25ppm）を大きく越
える200ppmが検出された。
【００４２】
【表２】
【００４３】実施例２ 本発明に係るＰＦＣ排ガス処理装置の処理性能を観察し
た。ＰＦＣ排ガス処理装置としては、図１に示す構造の
装置10を用い、加熱酸化槽20及び触媒反応槽30として、
内径27mm、高さ500mmのステンレス製ミニカラムを用い
た。触媒反応槽30には、γ−アルミナとして、回折角２
θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40゜±1゜、46゜±1
゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１００以上の回折線
が出現する結晶構造を有する粒径0.8mmの「ネオビードG
B-08」（水澤化学製、Na2O含有量0.01wt%以下）を高さ1
00mm（充填量57mL）となるように充填した。加熱酸化槽
20及び触媒反応槽30の加熱手段として、セラミック電気
管状炉28、32を用いて、該炉内に加熱酸化槽20及び触媒
反応槽30を設置した。加熱酸化槽20の酸化反応領域20ｂ
及び触媒反応槽30内部の温度は、中心部に設置した熱電
対（図示せず）で測定した。
た。ＰＦＣ排ガス処理装置としては、図１に示す構造の
装置10を用い、加熱酸化槽20及び触媒反応槽30として、
内径27mm、高さ500mmのステンレス製ミニカラムを用い
た。触媒反応槽30には、γ−アルミナとして、回折角２
θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40゜±1゜、46゜±1
゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１００以上の回折線
が出現する結晶構造を有する粒径0.8mmの「ネオビードG
B-08」（水澤化学製、Na2O含有量0.01wt%以下）を高さ1
00mm（充填量57mL）となるように充填した。加熱酸化槽
20及び触媒反応槽30の加熱手段として、セラミック電気
管状炉28、32を用いて、該炉内に加熱酸化槽20及び触媒
反応槽30を設置した。加熱酸化槽20の酸化反応領域20ｂ
及び触媒反応槽30内部の温度は、中心部に設置した熱電
対（図示せず）で測定した。
【００４４】加熱酸化槽20の酸化反応領域20ｂの温度を
870℃、触媒反応槽30内のγ−アルミナの温度を750℃ま
で加熱し、加熱酸化槽20に、疑似ＰＦＣ排ガスとしてN2
で希釈したＣＯ及びＣＦ4と、等モル以上のＣＯ2及びＯ
2を総ガス流量410sccmで導入した。流入濃度は、ＣＯ：
1.24％、ＣＦ4：1.61％、Ｏ2：5.6％とし、Ｈ2Ｏの流速
は0.079mL/minとした。
870℃、触媒反応槽30内のγ−アルミナの温度を750℃ま
で加熱し、加熱酸化槽20に、疑似ＰＦＣ排ガスとしてN2
で希釈したＣＯ及びＣＦ4と、等モル以上のＣＯ2及びＯ
2を総ガス流量410sccmで導入した。流入濃度は、ＣＯ：
1.24％、ＣＦ4：1.61％、Ｏ2：5.6％とし、Ｈ2Ｏの流速
は0.079mL/minとした。
【００４５】本装置の処理性能を確認するため、加熱酸
化槽出口及び触媒反応槽出口でのガス中のＣＯ、Ｃ
Ｆ4、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2を質量検出器付ガスクロマトグ
ラフ装置（アネルバ製AGS-7000U）で分析した。結果を
表３に示す。
化槽出口及び触媒反応槽出口でのガス中のＣＯ、Ｃ
Ｆ4、ＣＯ2、Ｏ2及びＨ2を質量検出器付ガスクロマトグ
ラフ装置（アネルバ製AGS-7000U）で分析した。結果を
表３に示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】表３から明らかなように、加熱酸化槽出口
において、ＣＯは検出限界（2ppm）以下まで処理された
が、ＣＦ4は除去されなかった。触媒反応槽出口におい
て、ＣＦ4及びＣＯはいずれも検出限界（ＣＦ4は1ppm、
ＣＯは2ppm）以下まで処理された。したがって、加熱酸
化槽と触媒反応槽とを組み合わせた本装置によれば、Ｃ
Ｏ及びＣＦ4いずれも良好に処理できることが確認され
た。
において、ＣＯは検出限界（2ppm）以下まで処理された
が、ＣＦ4は除去されなかった。触媒反応槽出口におい
て、ＣＦ4及びＣＯはいずれも検出限界（ＣＦ4は1ppm、
ＣＯは2ppm）以下まで処理された。したがって、加熱酸
化槽と触媒反応槽とを組み合わせた本装置によれば、Ｃ
Ｏ及びＣＦ4いずれも良好に処理できることが確認され
た。
【００４８】比較例２ ＰＦＣ排ガスを加熱酸化槽に通過させなかった場合のＣ
Ｏの処理効果を観察するため、加熱酸化槽を除いて実施
例２と同様の条件下で、疑似排ガス並びにＯ2及びＨ2Ｏ
を直接触媒反応槽に通過させて、比較実験を行った。結
果を表４に示す。
Ｏの処理効果を観察するため、加熱酸化槽を除いて実施
例２と同様の条件下で、疑似排ガス並びにＯ2及びＨ2Ｏ
を直接触媒反応槽に通過させて、比較実験を行った。結
果を表４に示す。
【００４９】
【表４】
【００５０】表４から明らかなように、触媒反応槽だけ
でもＣＦ4の処理は可能であるが、ＣＯの除去率は70％
と低く、許容濃度以下まで処理することはできなかっ
た。上述の実施例及び比較例から、加熱酸化槽とγ−ア
ルミナを充填してなる触媒反応槽とを有する本発明に係
るガス処理装置を用いて、本発明に係るガス処理方法を
実施すれば、ＣＯ及びフッ素含有化合物を含むガスを効
率よく処理することができることがわかった。
でもＣＦ4の処理は可能であるが、ＣＯの除去率は70％
と低く、許容濃度以下まで処理することはできなかっ
た。上述の実施例及び比較例から、加熱酸化槽とγ−ア
ルミナを充填してなる触媒反応槽とを有する本発明に係
るガス処理装置を用いて、本発明に係るガス処理方法を
実施すれば、ＣＯ及びフッ素含有化合物を含むガスを効
率よく処理することができることがわかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、フッ素含有化合物及び
ＣＯを含むガスを処理して、ＣＯの酸化とフッ素含有化
合物の分解とを同時に効率的に行うことができ、ランニ
ングコストが廉価で、有効な処理が可能である。
ＣＯを含むガスを処理して、ＣＯの酸化とフッ素含有化
合物の分解とを同時に効率的に行うことができ、ランニ
ングコストが廉価で、有効な処理が可能である。
【００５２】本発明によれば、フッ素含有化合物及びＣ
Ｏを含むガスを処理するに際して、各々別個の触媒での
処理、個別の触媒を充填する加熱容器、加熱容器ごとの
処理温度の制御、及び装置を設置するための広いスペー
スの必要がなくなり、温度制御が容易になる。
Ｏを含むガスを処理するに際して、各々別個の触媒での
処理、個別の触媒を充填する加熱容器、加熱容器ごとの
処理温度の制御、及び装置を設置するための広いスペー
スの必要がなくなり、温度制御が容易になる。
【００５３】また、寿命が異なる別個の触媒を使用する
必要がないため、触媒管理が容易になる。さらに、ＣＯ
用の特別の触媒を必要としないので、定期的な交換に要
する費用などのランニングコストを抑えることができ
る。
必要がないため、触媒管理が容易になる。さらに、ＣＯ
用の特別の触媒を必要としないので、定期的な交換に要
する費用などのランニングコストを抑えることができ
る。
【図１】図１は、本発明のフッ素含有化合物及びＣＯを
含むガスの処理装置の好ましい一実施形態を示す概略斜
視図である。
含むガスの処理装置の好ましい一実施形態を示す概略斜
視図である。
１：ＰＦＣ排ガス処理装置 ２０：加熱酸化槽 ２０ｂ：酸化反応領域 ２１：ＰＦＣ排ガス導入口 ２２：Ｏ2導入口 ２３：Ｈ2Ｏ導入口 ２８：セラミックヒーター ２９：迂流板 ３０：触媒反応槽 ３１：γ−アルミナ ３２：セラミックヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 19/08 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｚ Ｆターム(参考） 4D048 AA11 AA13 AB03 AC06 BA03X BA13X BA41X BB01 CC23 CC38 CC52 CC53 DA03 DA06 DA13 4G069 AA02 BA01A BA01B CA10 CA14 CA19 DA06 EA02Y EB18Y EC22X EC22Y EC25 4H006 AA05 AC13 AC26 BA09 BA30 BC51 BE30
Claims (6)
- 【請求項１】 フッ素含有化合物及びＣＯを含むガスを
処理する方法であって、 上記ガスを、850℃以上の温度で、Ｏ2及びＨ2Ｏと接触
させて、ＣＯをＣＯ2に酸化させ、 次いで、上記ガスを、600〜900℃の温度でγ−アルミナ
と接触させてフッ素含有化合物を分解する、各工程を含
むことを特徴とするガス処理方法。 - 【請求項２】 前記γ−アルミナは、Ｘ線回折装置で測
定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40゜
±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１０
０以上の回折線が出現する結晶構造を有することを特徴
とする請求項１に記載のガス処理方法。 - 【請求項３】 フッ素含有化合物及びＣＯを含むガスを
処理する装置であって、 上記ガスを通気可能とする中空内部、上記中空内部のガ
スの温度を850℃以上に加熱可能な加熱手段、ガス導入
口、Ｏ2導入口及びＨ2Ｏ導入口を備える加熱酸化槽と、 上記加熱酸化槽と流体連通状態に配置されていて、γ−
アルミナが充填されている触媒反応槽と、を備えること
を特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 前記触媒反応槽は、さらに、γ−アルミ
ナを600〜900℃に加熱可能な加熱手段を備えることを特
徴とする請求項３に記載の処理装置。 - 【請求項５】 前記γ−アルミナは、Ｘ線回折装置で測
定した回折角２θのうち、33゜±1゜、37゜±1゜、40゜
±1゜、46゜±1゜、67゜±1゜の５つの角度で強度１０
０以上の回折線が出現する結晶構造を有することを特徴
とする請求項３に記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記加熱酸化槽は、さらに、ガス中のＣ
ＯとＯ2及びＨ2Ｏとの接触効率を高めるための接触補助
手段を備えることを特徴とする請求項３〜５の何れか１
項に記載の処理装置。
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| JP2001026750A JP3889932B2 (ja) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | フッ素含有化合物及びｃｏを含むガスの処理方法及び装置 |
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| WO2010078160A2 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry cleaning of silicon surface for solar cell applications |
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| JP3976459B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | フッ素含有化合物を含む排ガスの処理方法及び装置 |
| US20050175524A1 (en) * | 2003-04-01 | 2005-08-11 | Yoichi Mori | Method and apparatus for treating exhaust gas |
| US8128902B2 (en) * | 2011-04-12 | 2012-03-06 | Midwest Refrigerants, Llc | Method for the synthesis of anhydrous hydrogen halide and anhydrous carbon dioxide |
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| US8834830B2 (en) | 2012-09-07 | 2014-09-16 | Midwest Inorganics LLC | Method for the preparation of anhydrous hydrogen halides, inorganic substances and/or inorganic hydrides by using as reactants inorganic halides and reducing agents |
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| JPH0663357A (ja) | 1990-10-26 | 1994-03-08 | Tosoh Corp | 有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理装置 |
| DE4318444C2 (de) * | 1993-06-03 | 1997-01-23 | Bfi Entsorgungstech | Verfahren zur Hochtemperatur-Konvertierung |
| JP3977887B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2007-09-19 | 株式会社日立製作所 | フッ素化合物含有ガスの処理方法 |
| US20010001652A1 (en) * | 1997-01-14 | 2001-05-24 | Shuichi Kanno | Process for treating flourine compound-containing gas |
| JPH10286434A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Ube Ind Ltd | フッ素含有化合物の分解方法 |
| JPH10286432A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Japan Pionics Co Ltd | 有害ガスの浄化方法 |
| JP3902670B2 (ja) * | 1997-04-16 | 2007-04-11 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス中の窒素酸化物の除去方法 |
| JP3269456B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2002-03-25 | 株式会社日立製作所 | フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置 |
| DE69841726D1 (de) | 1997-06-20 | 2010-07-29 | Hitachi Ltd | Verfahren, Katalysator und Vorrichtung zur Zersetzung fluorierter Verbindungen |
| JP3217034B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 過弗化物の処理方法及びその処理装置 |
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-
2004
- 2004-05-28 US US10/855,428 patent/US20040219086A1/en not_active Abandoned
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