JP2002223564A - 電圧変換回路及びこれを備えた半導体集積回路装置 - Google Patents

電圧変換回路及びこれを備えた半導体集積回路装置

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JP2002223564A JP2001016941A JP2001016941A JP2002223564A JP 2002223564 A JP2002223564 A JP 2002223564A JP 2001016941 A JP2001016941 A JP 2001016941A JP 2001016941 A JP2001016941 A JP 2001016941A JP 2002223564 A JP2002223564 A JP 2002223564A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】パルス幅可変方式を採用した従来の電圧変換回
路は、制御回路として高速なカウンタ回路等を必要とす
るので自身の消費電力が大きく、低電圧駆動が可能な集
積回路に対して電源電圧を供給する電圧変換回路として
不適当である。 【解決手段】本発明に係る電圧変換回路は、パルス幅一
定の基準パルス信号を生成する基準パルス信号生成回路
201と、前記基準パルス信号を所定時間だけ遅らせる
第1遅延回路202と、第1遅延回路202の出力信号
を任意時間だけ遅らせる第2遅延回路210とから成る
出力パルス信号生成回路200を有しており、この出力
パルス信号生成回路200で生成されるパルス周期可変
の出力パルス信号Doutのパルス周期に応じて、その出
力電圧を変化させる構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路に駆動電
圧を供給する電圧変換回路、及びこれを備えた半導体集
積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、動作クロックに従って演算処理
等を実行する集積回路には、製造プロセスのばらつきや
電源変動、或いは温度変化等が生じても常に正常な動作
を行えるように、大きな設計マージンが設けられてい
る。つまり、上記した各種変動等によって回路の遅延時
間が増大した場合であっても、前記集積回路全体の動作
が前記動作クロックの1クロック内に収まるように設計
されている。また、上記した全ての条件が最悪の状態と
なっても正常な動作を行えるように、前記集積回路には
十分高い電源電圧が印加されている。
【0003】これらの大きな設計マージンや高い電源電
圧の印加は、集積回路の高速化や低消費電力化の妨げと
なる。そこで、集積回路の動作状況を検知して集積回路
の動作に必要最低限の駆動電圧を与えられるように電源
電圧の制御を行う電圧変換回路の開発が進められてい
る。
【0004】図24は従来の電圧変換回路の一例を示す
概略構成図である。なお、本図に示す電圧変換回路は特
開平10−242831号公報に開示されている従来技
術である。本図に示すように、この電圧変換回路はデュ
ーティ比制御回路901、バッファ回路902、フィル
タ回路903、クリティカルパス回路904、遅延回路
905、正否判定回路906、及び加算器907を有し
ている。
【0005】デューティ比制御回路901はバッファ回
路902における出力電圧の可変動作を制御する回路で
あり、カウンタ901aと比較回路901bとを有して
いる。カウンタ901aは0〜2n−1(例えば、n=
6の場合は0〜63)までの数を、供給されたクロック
信号(図示せず)の周期毎に1ずつカウントアップし、
そのカウント数をnビットの信号NAとして比較回路9
01bに送出する。なお、カウント数2n−1の次は0
となる。また、比較回路901bには信号NAの他に、
加算器907からnビットの信号NBが入力されてい
る。
【0006】比較回路901bはバッファ回路902を
構成するPMOSトランジスタM1及びNMOSトラン
ジスタM2のオン/オフ制御を行う回路であり、各トラ
ンジスタM1、M2のゲートには比較回路901bから
制御信号X1、X2がそれぞれ供給されている。なお、
比較回路901bは信号NAが0となったときに制御信
号X1、X2の電圧レベルをLレベルとし、信号NAが
信号NBと一致したときに制御信号X1、X2の電圧レ
ベルをHレベルとする。
【0007】バッファ回路902を構成するPMOSト
ランジスタM1のソースには第1電源電圧が印加されて
おり、NMOSトランジスタM2のソースには第2電源
電圧(ここでは接地電圧)が印加されている。また、両
トランジスタのドレインは互いに接続されており、その
接続ノードはバッファ回路902の出力端とされてい
る。
【0008】従って、制御信号X1、X2がLレベルで
ある場合、PMOSトランジスタM1はオンとなり、N
MOSトランジスタM2はオフとなるので、バッファ回
路902の出力電圧は第1電源電圧に等しくなる。一
方、制御信号X1、X2がHレベルである場合、PMO
SトランジスタM1はオフとなり、NMOSトランジス
タM2はオンとなるので、バッファ回路902の出力電
圧は第2電源電圧(接地電圧)に等しくなる。すなわ
ち、バッファ回路902の出力電圧は信号NAが0のと
きに立ち上がり、信号NAが信号NBに等しくなったと
きに立ち下がるパルス状の電圧信号Yとなる。
【0009】この電圧信号Yは、インダクタンスL1及
びキャパシタC1から成るフィルタ回路903によって
平滑化されて出力電圧Zとなる。この出力電圧Zは同一
基板上に形成された内部回路(図示せず)に対して供給
され、前記内部回路の駆動電圧として利用される。ま
た、出力電圧Zはクリティカルパス回路904の電源電
圧としても利用される。
【0010】上記したバッファ回路902を構成するP
MOSトランジスタM1がオンとなり、NMOSトラン
ジスタM2がオフとなる時間(すなわち、制御信号X
1、X2がLレベルである時間)をオン時間T1とし、
PMOSトランジスタM1がオフとなり、NMOSトラ
ンジスタM2がオンとなる時間(すなわち、制御信号X
1、X2がHレベルである時間)をオフ時間T2とする
と、フィルタ回路903の出力電圧Zは一般に、次の
(1)式によって求めることができる。
【数1】
【0011】ここで、上式中のオン時間T1(右辺分
子)は電圧信号Yのパルス幅を表しており、オン時間T
1とオフ時間T2との和T1+T2(右辺分母)は電圧
信号Yのパルス周期を表している。すなわち、出力電圧
Zを制御するためには、電圧信号Yにおけるパルス幅と
パルス周期との比(以下、デューティ比と呼ぶ)を制御
すればよいことが分かる。
【0012】上記構成から成る電圧変換回路では、加算
回路907から比較回路901bに入力される信号NB
の値を変えることによってオン時間T1(パルス幅)を
変化させ、バッファ回路902から出力される電圧信号
Yのデューティ比を制御している。これにより、前記内
部回路に供給する駆動電圧(出力電圧Z)を制御するこ
とができる。(以下では、このようなデューティ比制御
方式をパルス幅可変方式と呼ぶ。)また、信号NBを最
適値に設定する手段としては、クリティカルパス回路9
04の動作速度を検出する方法が採用されている。
【0013】クリティカルパス回路904は、出力電圧
Zが供給される内部回路の中でも信号の遅延が最も大き
いと考えられるパス回路を複製した回路である。前述し
た通り、このクリティカルパス回路904の電源電圧と
してはフィルタ回路903の出力電圧Zが印加されてい
る。すなわち、電源供給の対象となる内部回路の駆動電
圧がクリティカルパス回路904によってモニタされる
ことになる。なお、ここでは、クリティカルパス回路9
04の動作可能電圧が前記内部回路の動作可能電圧であ
ると仮定している。
【0014】フィルタ回路903の出力電圧Zによって
クリティカルパス回路904が動作可能である場合、ク
リティカルパス回路904は正否判定回路906に対し
て所定のデータを送出する。このとき、正否判定回路9
06にはクリティカルパス回路904から送出された前
記データが直接入力されるだけでなく、遅延回路905
によって前記データを所定時間だけ遅延させた遅延デー
タも入力される。
【0015】正否判定回路906に対してクリティカル
パス回路904から直接データが入力されない場合、正
否判定回路906は対象としている内部回路が正常に動
作していない、すなわち前記内部回路の駆動電圧(フィ
ルタ回路903の出力電圧Z)が低過ぎると判断し、駆
動電圧を上げるために信号NBの値を1だけ増加する信
号S1を加算器907に送出する。
【0016】また、正否判定回路906に対して遅延回
路905を介した遅延データが入力された場合、正否判
定回路906は対象としている内部回路に遅延を与えて
も正常に動作している、すなわち前記内部回路の駆動電
圧は高過ぎると判断し、駆動電圧を下げるために信号N
Bの値を1だけ減少させる信号S2を加算器907に送
出する。
【0017】また、正否判定回路906に対してクリテ
ィカルパス回路904から直接データは入力されるが、
遅延回路905を介した遅延データは入力されない場
合、正否判定回路906は対象としている内部回路には
最適な駆動電圧が供給されていると判断して、加算器9
07には信号S1、S2を送出しない。
【0018】正否判定回路906から信号S1が送出さ
れた場合、加算器907は信号NBの現在値に1を加え
た値をデューティ比制御回路901に供給する。一方、
正否判定回路906から信号S2が送出された場合、加
算器907は信号NBの現在値に−1を加えた値をデュ
ーティ比制御回路901に供給する。
【0019】このように、上記構成から成る電圧変換回
路においては、クリティカルパス回路904、遅延回路
905、及び正否判定回路906によって電源供給の対
象としている内部回路の動作速度を検出し、検出した動
作速度が速過ぎる場合には前記内部回路の駆動電圧(出
力電圧Z)を下げるように、逆に検出した動作速度が遅
過ぎる場合には前記内部回路の駆動電圧(出力電圧Z)
を上げるように、電圧信号Yのデューティ比を制御して
いる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】たしかに、上記構成か
ら成る電圧変換回路であれば、集積回路を構成する内部
回路の動作状況を検知して該内部回路の動作に必要最低
限の駆動電圧を供給できるので、前記集積回路の低消費
電力化に貢献することができる。また、出力電圧Zの可
変範囲も広いため、一般的な集積回路の降圧回路として
有益であることが分かる。
【0021】ところで、前記内部回路のさらなる低消費
電力化を図るためには、前記内部回路を構成するデバイ
ス自体の電源電圧を低減することが極めて有効である。
例えば、電源電圧0.5Vで駆動するデバイスを用いた
内部回路の消費電力は、電源電圧3Vで駆動するデバイ
スを用いた内部回路の消費電力に比べて1/36とな
る。このように、前記内部回路の電源電圧や負荷電流を
低減することによって、さらなる低消費電力化を実現す
ることができる。
【0022】一方、前記内部回路の消費電力低減に伴っ
て、集積回路全体の消費電力に占める前記電圧変換回路
の消費電力比率は相対的に増大する。そのため、集積回
路全体のさらなる低消費電力化を実現するためには、前
記電圧変換回路自体の消費電力も低減する必要がある。
【0023】ここで、上記構成から成る電圧変換回路自
体の消費電力を低減する手段としては、出力電圧Zの可
変範囲を制限することで制御の簡略化を図り、デューテ
ィ比制御回路901や加算器907等の規模を縮小する
ことが考えられる。
【0024】例えば、3V程度の外部電源電圧が供給さ
れる電圧変換回路から0.5V駆動の内部回路に対して
電源供給を行う場合、前記入力電圧に近い高電圧を前記
内部回路に対して出力する必要はない。また、前記内部
回路を構成するデバイスには最適な動作電圧が存在し、
プロセスばらつきや動作環境の変化に対応するとして
も、前記出力電圧の可変範囲は前記動作電圧の近傍に制
限することができる。このように、出力電圧Zの可変範
囲を制限すれば電圧変換回路の回路規模を縮小して消費
電力の低減を図ることができる。
【0025】しかしながら、加算回路907から比較回
路901bに入力される信号NBの値を変えることによ
ってオン時間T1(パルス幅)を変化させ、バッファ回
路902から出力される電圧信号Yのデューティ比を制
御するパルス幅可変方式の電圧変換回路では、たとえ出
力電圧Zの可変範囲を制限したとしても、高速で動作す
るカウンタ回路901aを設ける必要がある。
【0026】例えば、上記した従来構成の電圧変換回路
において、カウンタ回路901aは電圧信号Yの2n
(n=6の場合は64倍)の周波数で動作する。このよ
うに高速で動作するカウンタ回路901aは電圧変換回
路自体の消費電力増加を招いてしまうが、出力電圧Zを
高精度に変化させるためにはカウンタ回路901aの動
作速度を高速に維持せざるを得ない。
【0027】従って、従来構成から成るパルス幅可変方
式の電圧変換回路では、低電圧駆動が可能な内部回路に
対する出力電圧Zの可変範囲を制限したとしても、カウ
ンタ回路901aの動作速度は高速に維持する必要があ
るため、電圧変換回路自体の消費電力を十分に低減する
ことができない。
【0028】本発明は上記の問題点に鑑み、出力電圧の
低電圧化に適した電圧変換回路、及びこれを備えた半導
体集積回路装置を提供することを目的とする。
【0029】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る電圧変換回路においては、パルス幅が
一定で、パルス周期が可変である出力パルス信号を生成
する出力パルス信号生成回路と、前記出力パルス信号か
ら第1制御信号及び第2制御信号を生成するスイッチタ
イミング回路と、ソースに第1電源電圧が印加され、ゲ
ートに第1制御信号が印加されるPMOSトランジスタ
と、ソースに第2電源電圧が印加され、ゲートに第2制
御信号が印加されるNMOSトランジスタとを有し、両
トランジスタの各ドレインを共通接続した接続ノードか
ら電圧を出力するスイッチ回路と、前記スイッチ回路か
ら入力される電圧を平滑化して出力電圧を得るフィルタ
回路と、を具備し、前記PMOSトランジスタ及び前記
NMOSトランジスタのオン/オフ制御を行うことによ
って、前記出力電圧の大きさを変化させる電圧変換回路
において、前記出力パルス信号生成回路は、パルス幅一
定の基準パルス信号を生成する基準パルス信号生成回路
と、入力されるパルス信号を所定の単位時間だけ遅らせ
る遅延素子を複数個直列接続して成る遅延回路部と、該
遅延回路部を構成する各遅延素子からそれぞれ送出され
る出力信号のいずれか一つを選択出力する選択回路部と
から成り、その入力端が前記基準パルス信号生成回路の
出力端に接続された第1遅延回路と、入力されるパルス
信号と、該パルス信号を所定時間だけ遅らせた遅延パル
ス信号のいずれか一方を選択出力する任意遅延回路部を
複数段直列接続して成り、その入力端が第1遅延回路の
出力端に接続された第2遅延回路と、第1、第2遅延回
路における出力選択動作を制御する遅延時間制御回路
と、を有し、第2遅延回路の出力信号を前記出力パルス
信号として前記スイッチタイミング制御回路に送出する
構成としている。
【0030】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、第1遅延回路の遅延回路部を構成する各遅延素
子、及び第2遅延回路の任意遅延回路部を構成する各遅
延素子はいずれもフリップフロップ回路であり、第2遅
延回路の各遅延素子を駆動するクロック周波数或いは位
相は、第1遅延回路の各遅延素子を駆動するクロック周
波数或いは位相と異なる構成にするとよい。
【0031】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記スイッチタイミング制御回路は、前記スイッ
チ回路を構成するPMOSトランジスタ及びNMOSト
ランジスタのオン/オフ制御に際して、一方のMOSト
ランジスタをオフさせてから所定時間経過後に他方のM
OSトランジスタをオンさせるように、第1制御信号及
び第2制御信号の電圧レベルを制御する構成にするとよ
い。
【0032】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記遅延時間制御回路は、前記電圧変換回路の出
力電圧によって駆動される内部回路の動作状態を、該内
部回路を駆動するクロック信号に同期して検出するレプ
リカ回路と、前記レプリカ回路によって検出された前記
内部回路の動作状態に応じて、第1、第2遅延回路にお
ける出力選択動作を制御するための選択信号を生成する
選択信号生成回路と、を有する構成にするとよい。
【0033】なお、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記レプリカ回路には、前半遅延段と後半遅延段
とを直列接続することで構成され、入力信号に対して前
記内部回路の最大遅延パスと同等の遅延を行うクリティ
カルパス回路を設け、前記前半遅延段における遅延時間
を第1動作時間、前記クリティカルパス回路全体におけ
る遅延時間を第2動作時間とし、前記第1動作時間及び
第2動作時間と、第1所定動作時間及び第1所定動作時
間より長い第2所定動作時間とをそれぞれ比較して、第
2動作時間が第1所定動作時間より短い場合は前記内部
回路の動作速度が速過ぎると判断し、前記選択信号生成
回路に対して第1、第2遅延回路における遅延時間を長
くする要求を行い、第1動作時間が第1所定動作時間よ
り短く、第2動作時間が第1所定動作時間よりも長いが
第2所定動作時間よりも短い場合は前記内部回路の動作
速度が適切であると判断し、前記選択信号生成回路に対
して第1、第2遅延回路における遅延時間を維持する要
求を行い、第1動作時間が第1所定動作時間よりも長い
が、第2動作時間が第2所定動作時間よりも短い場合、
或いは第2動作時間が第2所定動作時間よりも長い場合
は前記内部回路の動作速度に余裕がない、或いは該動作
速度が遅過ぎると判断し、前記選択信号生成回路に対し
て第1、第2遅延回路における遅延時間を短くする要求
を行う構成にするとよい。
【0034】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記レプリカ回路は、前記クリティカルパス回路
を構成する前半遅延段の出力信号を第1所定動作時間で
ラッチする第1ラッチ回路と、前記クリティカルパス回
路を構成する後半遅延段の出力信号を第1所定動作時間
でラッチする第2ラッチ回路と、前記クリティカルパス
回路を構成する後半遅延段の出力信号を第2所定動作時
間でラッチする第3ラッチ回路とを有し、各ラッチ回路
の出力信号に基づいて前記内部回路の動作状態を検出す
る構成にするとよい。
【0035】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記選択信号生成回路は、前記レプリカ回路によ
って前記内部回路の動作速度が適切であると判断された
場合であっても、第1、第2遅延回路の遅延時間をさら
に長くすることができるか否かを判断する手段を有する
構成にするとよい。
【0036】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記出力パルス信号生成回路及び前記スイッチタ
イミング制御回路の電源電圧として前記フィルタ回路の
出力電圧を供給するとともに、前記スイッチタイミング
制御回路から送出される第1、第2制御信号をそれぞれ
昇圧して前記スイッチ回路を構成するPMOSトランジ
スタ及びNMOSトランジスタの各ゲートに送出する昇
圧レベルシフタを設けた構成とするとよい。
【0037】また、上記構成から成る電圧変換回路は、
半導体集積回路装置の駆動電圧を生成する降圧回路とし
て用いるとよい。
【0038】
【発明の実施の形態】本発明に係る電圧変換回路とし
て、ここでは半導体集積回路装置を構成する内部回路に
対して駆動電圧を供給する電圧変換回路(降圧回路)を
例に挙げて説明を行う。図1は本発明に係る電圧変換回
路の第1実施形態を示す概略構成図である。本図に示す
ように、この電圧変換回路は出力パルス信号生成回路1
00、スイッチタイミング制御回路104、スイッチ回
路105、及びフィルタ回路106を有している。
【0039】出力パルス信号生成回路100はパルス幅
が一定で、パルス周期が可変である出力パルス信号D
outを生成し、その出力パルス信号Doutをスイッチタイ
ミング制御回路104に送出する回路である。なお、出
力パルス信号生成回路100の内部構成及び動作につい
ては、後ほど詳細な説明を行う。
【0040】スイッチタイミング制御回路104は、入
力された出力パルス信号Doutから第1、第2制御信号
φ1、φ2を生成し、その第1、第2制御信号φ1、φ
2をスイッチ回路105を構成するPMOSトランジス
タM1及びNMOSトランジスタM2の各ゲートに送出
する回路である。これにより、PMOSトランジスタM
1及びNMOSトランジスタM2のオン/オフ制御が行
われる。なお、スイッチタイミング制御回路104の内
部構成及び動作についても、後ほど詳細な説明を行う。
【0041】スイッチ回路105を構成するPMOSト
ランジスタM1のソースには第1電源電圧(外部電源電
圧VDD)が印加されており、NMOSトランジスタM2
のソースには第2電源電圧(接地電圧GND)が印加さ
れている。また、両トランジスタのドレインは互いに接
続されており、その接続ノードはスイッチ回路105の
出力端とされている。従って、PMOSトランジスタM
1及びNMOSトランジスタM2のオン/オフ制御を行
うことにより、スイッチ回路105の出力端からはパル
ス状の電圧信号が送出される。
【0042】フィルタ回路106はインダクタンスL1
とキャパシタC1から成る低域通過フィルタである。イ
ンダクタンスL1の一端はスイッチ回路105の出力端
に接続されており、他端はキャパシタC1を介してグラ
ンドに接続されている。また、インダクタンスL1とキ
ャパシタC1との接続ノードはフィルタ回路106の出
力端として、同一基板上に形成された内部回路(図示せ
ず)などに接続されている。
【0043】スイッチ回路105から送出されるパルス
状の電圧信号はフィルタ回路106で平滑化されて出力
電圧Vintとなる。この出力電圧Vintは前記内部回路
(図示せず)に対して供給され、前記内部回路の駆動電
圧として利用される。なお、本図ではフィルタ回路10
6としてLC回路を用いた例を挙げたが、RC回路等ど
のような構成としてもよい。
【0044】ここで、出力電圧Vintの大きさはスイッ
チ回路105から送出されるパルス状電圧信号のデュー
ティ比(パルス幅/パルス周期)、すなわち第1、第2
制御信号φ1、φ2のデューティ比を変化させることに
より制御することができる。
【0045】本実施形態の電圧変換回路では、出力パル
ス信号生成回路100によってパルス幅が一定で、パル
ス周期が可変である出力パルス信号Doutを生成し、そ
の出力パルス信号Doutのパルス周期を適宜変化させる
ことで、第1、第2制御信号φ1、φ2のデューティ比
を制御している。これにより、前記内部回路に供給する
駆動電圧(出力電圧Vint)を制御することができる。
(以下では、このようなデューティ比制御方式をパルス
周期可変方式と呼ぶ。)
【0046】続いて、上記した出力パルス信号生成回路
100の内部構成及び動作について詳細に説明する。本
図に示すように、出力パルス信号生成回路100は基準
パルス信号生成回路101、第1遅延回路102、及び
遅延時間制御回路103から構成されている。
【0047】基準パルス信号生成回路101はパルス幅
一定の基準パルス信号を生成して第1遅延回路102に
送出する回路である。第1遅延回路102は前記基準パ
ルス信号を所定時間だけ遅らせた遅延パルス信号を生成
する回路であり、基本遅延回路部107、追加遅延回路
部108、及び選択回路部109から成る。遅延時間制
御回路103は選択回路部109に対して選択信号を送
出し、所望の出力電圧Vintが得られるように第1遅延
回路102における遅延時間を設定する回路である。な
お、遅延時間制御回路103の内部構成及び動作につい
ては、後ほど詳細な説明を行う。
【0048】図2は基準パルス信号生成回路101及び
第1遅延回路102の一構成例を示す概略構成図であ
る。まず、第1遅延回路102の内部構成について説明
する。第1遅延回路102を構成する基本遅延回路部1
07は、基準パルス信号生成回路101から入力される
前記基準パルス信号に対して所定単位時間のN倍の遅延
を与える回路である。また、追加遅延回路部108は基
本遅延回路部107の最終出力信号D0に対して所定単
位時間のM倍の遅延を与える回路である。
【0049】なお、本実施形態では基本遅延回路部10
7及び追加遅延回路部108を構成する単位時間遅延素
子として、内部クロック信号ICLKのポジティブエッ
ジをトリガとするDフリップフロップ回路を用いてい
る。このように、基本遅延回路部107及び追加遅延回
路部108をフリップフロップ回路によって構成するこ
とにより、第1遅延回路102を容易に構成することが
できる。もちろん、前記単位時間遅延素子はDフリップ
フロップ回路に限らず、どのようなフリップフロップ回
路或いは遅延素子を用いても構わない。
【0050】基本遅延回路部107は5つのDフリップ
フロップ回路107a〜107e(以下、FF107a
〜107eと呼ぶ)が直列接続されたシフトレジスタ構
造(遅延段数N=5)から成っている。従って、FF1
07a〜107eの各出力端子からは、前記基準パルス
信号に対して所定単位時間の1倍〜5倍の遅延が与えら
れた出力信号DM4〜DM1及びD0がそれぞれ送出さ
れる。なお、遅延段数Nは1以上であればよい。
【0051】また、追加遅延回路部108も5つのDフ
リップフロップ回路108a〜108e(以下、FF1
08a〜108eと呼ぶ)が直列接続されたシフトレジ
スタ構造(遅延段数M=5)から成っている。従って、
FF108a〜108eの各出力端子からは、出力信号
D0に対して所定単位時間の1倍〜5倍の遅延が与えら
れた出力信号D1〜D5がそれぞれ送出される。なお、
遅延段数Mは1以上であればよい。
【0052】FF107a〜107e及びFF108a
〜108eの各クロック端子には、いずれも同一の内部
クロック信号ICLKが入力されているが、この内部ク
ロック信号ICLKとしては、集積回路の外部から供給
された外部クロック信号や、前記外部クロック信号を分
周することによって生成したクロック信号、或いは集積
回路の内部に発振回路を設けることで生成したクロック
信号など、どのような手段で生成されたクロック信号を
用いても構わない。
【0053】選択回路部109は遅延時間制御回路10
3から与えられる選択信号に基づいて、基本遅延回路部
107の最終出力信号D0と追加遅延回路部108の各
出力信号D1〜D5のうち、いずれか1つの出力信号を
遅延パルス信号として選択出力する回路である。
【0054】図3は選択回路部109の一構成例を示す
概略構成図である。本図に示すように、選択回路部10
9は二入力端子を有するAND回路109a〜109f
と、多入力端子を有するOR回路109gから構成され
ている。
【0055】AND回路109a〜109fの一入力端
子には、基本遅延回路部107の最終出力信号D0と追
加遅延回路部108の各出力信号D1〜D5がそれぞれ
入力されている。また、AND回路109a〜109f
の他入力端子には、遅延時間制御回路103から与えら
れる選択信号S0〜S5がそれぞれ入力されている。
【0056】例えば、出力信号D0を遅延パルス信号と
して選択する場合には、選択信号S0をHレベルとし、
その他の選択信号S1〜S5を全てLレベルとすればよ
い。なお、追加遅延回路部108にパルス信号が流れて
いる時間帯には、選択信号S0〜S5が変化しないよう
に制御されている。
【0057】一方、OR回路109gの入力端子にはA
ND回路109a〜109fの各出力信号がそれぞれ入
力されており、それらの論理和が選択回路部109によ
って選択された前記遅延パルス信号となる。なお、前記
遅延パルス信号は出力パルス信号Doutとしてスイッチ
タイミング制御回路104に送出される一方で、基準パ
ルス信号生成回路101にも送出されている。
【0058】続いて、図2に戻って基準パルス信号生成
回路101の内部構成についての説明を行う。基準パル
ス信号生成回路101は多入力端子を有するNOR回路
101aと、二入力端子を有するOR回路101bから
構成されている。NOR回路101aの各入力端子には
遅延回路102の各出力信号DM4〜DM1及びD0〜
D5がそれぞれ入力されており、電圧変換回路の起動時
に前記基準パルス信号の初期パルスを立ち上げる機能を
有している。
【0059】また、OR回路101bの一入力端子には
NOR回路101aの出力信号が入力されており、他入
力端子には選択回路部109によって選択された前記遅
延パルス信号が入力されている。なお、OR回路101
bの出力信号は前記基準パルス信号として第1遅延回路
102に送出される。
【0060】続いて、上記構成から成る出力パルス生成
回路100の動作について説明する。電圧変換回路の起
動時、第1遅延回路102を構成するFF107a〜1
07e及びFF108a〜108eはリセット信号(図
示せず)によって一旦リセットされるので、それらの出
力信号DM4〜DM1及びD0〜D5は全てLレベルと
なり、出力信号DM4〜DM1及びD0〜D5の論理和
否定であるNOR回路101aの出力信号はHレベルと
なる。
【0061】これにより、NOR回路101aの出力信
号と、選択回路部109から送出される前記遅延パルス
信号の論理和であるOR回路101bの出力信号もHレ
ベルとなるため、第1遅延回路102に入力される前記
基準パルス信号の初期パルスが立ち上がる。
【0062】一方、電圧変換回路の動作時には、NOR
回路101aの多入力端子に入力される出力信号DM4
〜DM1及びD0〜D5のいずれかがHレベルとなるた
め、NOR回路101aの出力信号は常にLレベルとな
る。従って、OR回路101bは選択回路部109から
戻ってくる前記遅延パルス信号をそのまま前記基準パル
ス信号として第1遅延回路102に送出することにな
る。
【0063】上記動作により、基準パルス信号生成回路
101では、第1遅延回路102に供給すべきパルス幅
一定の基準パルス信号が生成される。なお、前記基準パ
ルス信号と同等のパルス信号が生成可能であれば、基準
パルス信号生成回路101をどのような回路構成として
も構わない。
【0064】次に、第1遅延回路102における遅延動
作について説明する。図4は第1遅延回路102におけ
る遅延動作例を示す信号波形図である。図中の(a)〜
(d)には第1遅延回路102から送出される出力パル
ス信号Doutの一例を示している。なお、ここでは出力
パルス信号Doutのパルス幅を1単位時間とし、FF1
07a〜107e及びFF108a〜108eにおける
単位遅延時間も前記パルス幅に合わせて1単位時間とし
ている。
【0065】まず、図中(a)には、基本遅延回路部1
07の出力信号D0を遅延パルス信号、すなわち出力パ
ルス信号Doutとして選択した場合の信号波形図が示さ
れている。この場合、第1遅延回路102に入力される
前記基準パルス信号の初期パルスP0には、基本遅延回
路部107を構成する5つのFF107a〜107eに
よって5単位時間の遅延が与えられる。従って、出力パ
ルス信号Doutのパルスとしては、初期パルスP0に対
して5単位時間の遅延が与えられたパルスP1が現れ
る。
【0066】このパルスP1は再び基準パルス信号生成
回路101に送出され、前記基準パルス信号として第1
遅延回路102に再入力される。以後同様に、第1遅延
回路102に入力されるパルスには5単位時間の遅延が
与えられ、パルスP2、P3が順々に立ち上がる。従っ
て、出力パルス信号Doutのパルス周期は5単位時間と
なる。ここで、出力パルス信号Doutの各パルス幅は1
単位時間であるので、出力パルス信号Doutのデューテ
ィ比は1/5となる。
【0067】また、図中(b)には、追加遅延回路部1
08の出力信号D1を出力パルス信号Doutとして選択
した場合の信号波形図が示されている。この場合、第1
遅延回路102に入力される前記基準パルス信号の初期
パルスP0には、基本遅延回路部107を構成する5つ
のFF107a〜107eによって5単位時間の遅延が
与えられた後に、追加遅延回路部108を構成する初段
のFF108aによって1単位時間の遅延が与えられ
る。従って、出力パルス信号Doutのパルスとしては、
初期パルスP0に対して(5+1)単位時間の遅延が与
えられたパルスP1が現れる。
【0068】このパルスP1は再び基準パルス信号生成
回路101に送出され、前記基準パルス信号として第1
遅延回路102に再入力される。以後同様に、第1遅延
回路102に入力されるパルスには(5+1)単位時間
の遅延が与えられ、パルスP2、P3が順々に立ち上が
る。従って、出力パルス信号Doutのパルス周期は6単
位時間となる。ここで、出力パルス信号Doutの各パル
ス幅は1単位時間であるので、出力パルス信号Dout
デューティ比は1/6となる。
【0069】また、図中(c)には、追加遅延回路部1
08の出力信号D2を出力パルス信号Doutとして選択
した場合の信号波形図が示されている。この場合、出力
パルス信号Doutのパルス周期は7となるので、出力パ
ルス信号Doutのデューティ比は1/7となる。同様
に、出力パルス信号Doutとして追加遅延回路部108
の出力信号D3、D4、D5をそれぞれ選択した場合、
各出力パルス信号Doutのデューティ比はそれぞれ1/
8、1/9、1/10となる。
【0070】より一般的な例として、図中(d)には、
基本遅延回路部107の遅延段数をN段とし、追加遅延
回路部108におけるM段目の出力信号を出力パルス信
号D outとして選択した場合の信号波形図が示されてい
る。この場合、出力パルス信号Doutのパルス周期は
(N+M)単位時間となるので、出力パルス信号Dout
のデューティ比は1/(N+M)となる。
【0071】このとき、スイッチタイミング制御回路1
04において生成される第1、第2制御信号φ1、φ2
が、基本的に出力パルス信号Doutを論理否定したパル
ス信号である場合、電圧変換回路から送出される出力電
圧Vintの大きさは、次の(2)式によって求めること
ができる。
【数2】
【0072】上記した(2)式より、本実施形態の電圧
変換回路に供給される外部電源電圧VDDを3Vとする
と、出力パルス信号Doutとして基本遅延回路部107
の出力信号D0が選択された場合の出力電圧Vint
0.6Vと算出することができる。同様に、出力パルス
信号Doutとして追加遅延回路部108の各出力信号D
1〜D5が選択された場合の出力電圧Vintは、順に
0.5V、0.43V、0.38V、0.33V、0.
3Vと算出することができる。従って、本実施形態の電
圧変換回路における出力電圧Vintの可変範囲は0.3
V〜0.6Vであり、その単位可変幅は平均60mVで
あることが分かる。
【0073】なお、出力電圧Vintの可変上限値は基本
遅延回路部107の遅延時間(第1遅延回路102の最
短遅延時間)によって設定することができる。また、出
力電圧Vintの可変下限値は追加遅延回路部108の最
終段遅延時間(第1遅延回路102の最長遅延時間)に
よって設定することができる。一方、出力電圧Vint
単位可変幅は追加遅延回路部108を構成するFF10
8a〜108eの各単位遅延時間によって設定すること
ができる。
【0074】このように、パルス周期可変方式を採用し
た本実施形態の電圧変換回路であれば、従来のパルス幅
可変方式を採用した電圧変換回路のように高速で動作す
るカウンタ回路等の制御回路を用いることなく、出力電
圧Vintの制御を行うことが可能である。よって、従来
に比べて電圧変換回路の回路規模縮小や動作周波数低減
を図ることができるので、電圧変換回路自体の消費電力
を大幅に低減することが可能となり、集積回路全体の低
消費電力化に貢献することができる。
【0075】また、本実施形態の電圧変換回路は、自身
の出力電圧Vintをその可変範囲内において離散的に制
御する構成である。このような構成とすることにより、
電圧変換回路の制御回路(本実施形態の場合、遅延時間
制御回路103や選択回路部109等)における制御状
態数(すなわち、選択可能な出力電圧値)が削減される
ため、制御回路の回路規模を縮小して消費電力の低減を
図ることができる。
【0076】なお、上記に説明した本実施形態の電圧変
換回路においては、3Vの外部電源電圧VDDから0.5
V駆動の内部回路に対する出力電圧Vintを生成するこ
とを想定した構成例が示されている。
【0077】前述した通り、前記内部回路を構成するデ
バイスには最適な動作電圧(この場合は0.5V)が存
在し、プロセスばらつきや動作環境の変化に対応すると
しても、0.5V駆動の内部回路に対して外部電源電圧
DDに近い高電圧(3V付近)を出力する必要が生じる
ことはない。従って、電圧変換を構成する制御回路の回
路規模縮小の観点から、出力電圧Vintの可変上限値は
できるだけ低く抑えるように構成することが望ましい。
【0078】例えば、出力電圧Vintの可変上限値を外
部電源電圧VDDの1/2以下に設定すれば、電圧変換回
路の制御回路(本実施形態の場合、遅延時間制御回路1
03や選択回路部109等)における制御状態数を従来
の半分以下に削減することが可能である。このように、
出力電圧Vintの可変上限値を低く抑えることにより、
制御回路の回路規模を縮小して消費電力の低減を図るこ
とができる。
【0079】また、0.5V駆動の内部回路において
は、入力される電源電圧が0.4V以下になると動作速
度の劣化が大きくなる一方で、該電源電圧が0.6V以
上になると動作速度の飽和が生じる。このことから、前
記内部回路に対して供給される出力電圧Vintの可変範
囲は、プロセスばらつきや動作環境の変化に対応すると
しても、最適動作電圧(出力電圧Vintの可変中心値)
の±20%程度に制限すればよいことが分かる。
【0080】上記の例では出力電圧Vintの可変範囲が
0.2Vとなり、外部電源電圧VDDの7%弱となる。こ
のように、出力電圧Vintの可変幅を狭く制限すること
により、制御回路の回路規模を縮小して消費電力の低減
を図ることができる。
【0081】また、出力電圧Vintの可変上限値を低く
抑えること、或いは可変幅を狭く制限することは、電圧
変換回路自体の消費電力低減に貢献するだけでなく、パ
ルス周期可変方式のデメリットである出力電圧Vint
変動(リップル)を低減する効果も有している。
【0082】一般に、出力電圧Vintに生じる電圧変動
をリップルと呼ぶが、ここでは便宜的に出力電圧Vint
に生じる電圧変動のピーク・トゥ・ピーク値をリップル
電圧ΔVと呼ぶことにする。平滑化手段としてLCフィ
ルタ回路を用いた場合のリップル電圧ΔVは、次の
(3)式によって求めることができる。
【数3】
【0083】なお、上記した(3)式中では、前記LC
フィルタ回路に入力されるパルス状電圧信号のデューテ
ィ比をD、パルス周期をTとしている。また、前記LC
フィルタ回路のインダクタンスをL、キャパシタをCと
している。
【0084】上式より、リップル電圧ΔVの大きさは、
前記LCフィルタ回路に入力されるパルス状電圧信号の
パルス周期Tの2乗に比例することが分かる。ここで、
パルス幅可変方式を採用した電圧変換回路ではパルス周
期Tが一定であるため、出力電圧Vintに生じるリップ
ル電圧ΔVはデューティ比Dのみに依存する。一方、パ
ルス周期可変方式を採用した電圧変換回路ではパルス周
期Tが可変であるため、出力電圧Vintに生じるリップ
ル電圧ΔVはデューティ比D及びパルス周期Tに依存す
る。
【0085】上記したように、リップル電圧ΔVはパル
ス周期Tの2乗に比例するため、パルス周期Tが長くな
るとリップル電圧ΔVは急激に大きくなる傾向を示す。
しかし、パルス周期可変方式では出力電圧Vintを下げ
るためにパルス周期Tを長くする必要があるため、低い
出力電圧Vintを得ようとした場合にリップル電圧ΔV
が大きくなってしまう。
【0086】また、パルス周期可変方式を採用した電圧
変換回路において、出力電圧Vintの可変範囲を不必要
に広く設定すると、出力電圧Vintを可変上限値とした
時のパルス周期と、可変下限値とした時のパルス周期と
の間に大きな差が生じてしまう。そのため、出力電圧V
intを変化させる際に生じるリップル電圧ΔVの変動が
大きくなり、出力電圧Vintを精度良く制御することが
できなくなる。
【0087】それに対して、本実施形態の電圧変換回路
は、出力電圧Vintの可変上限値を低く抑えて可変幅を
狭く制限した上で、パルス周期可変方式を用いる構成で
ある。このような構成とすることにより、出力電圧V
intを可変上限値とした時のパルス周期と、可変下限値
とした時のパルス周期との差を小さく抑えることができ
るので、リップル電圧ΔVの変動を実用上問題のないレ
ベルに抑えることが可能となる。また、このような構成
とすることにより、パルス周期Tの可変範囲全体をより
周期が短くなる方向にシフトできるので、低い出力電圧
intを得ようとした場合のリップル電圧ΔVを小さく
抑えることが可能となる。
【0088】次に、本発明に係る電圧変換回路の第2実
施形態について説明する。図5は本発明に係る電圧変換
回路の第2実施形態を示す概略構成図である。本図に示
すように、本実施形態の電圧変換回路は、基本的に第1
実施形態の電圧変換回路と同様の構成(図1参照)から
成る。そこで、第1実施形態と同様の構成及び動作を有
する部分については図1と同一の符号を付すことで説明
を省略し、以下では本実施形態の特徴部分である出力パ
ルス信号生成回路200について重点を置いた説明を行
うことにする。
【0089】出力パルス信号生成回路200はパルス幅
が一定で、パルス周期が可変である出力パルス信号D
outを生成し、その出力パルス信号Doutをスイッチタイ
ミング制御回路104に送出する回路である。本実施形
態における出力パルス信号生成回路200は、基準パル
ス信号生成回路201、第1遅延回路202、遅延時間
制御回路203に加えて、第2遅延回路210を有して
いる。
【0090】基準パルス信号生成回路201は、パルス
幅一定の基準パルス信号を生成して第1遅延回路202
に送出する回路である。第1遅延回路202は、前記基
準パルス信号を所定時間だけ遅らせた遅延パルス信号を
生成する回路であり、基本遅延回路部207、追加遅延
回路部208、及び選択回路部209から成る。
【0091】第2遅延回路210は、入力されるパルス
信号と、該パルス信号を所定時間だけ遅らせた遅延パル
ス信号のいずれか一方を選択出力する任意遅延回路部を
複数段直列接続して成り、第1遅延回路202の出力信
号をさらに所定時間だけ遅らせた遅延パルス信号を生成
する回路である。なお、本図では複数段設けられた前記
任意遅延回路部のうち、初段(1段目)の任意遅延回路
部211と最終段(n段目)の任意遅延回路部212の
みを示している。初段の任意遅延回路部211は第1遅
延素子213と第1選択部214から成り、最終段の任
意遅延回路部212は第n遅延素子215と第n選択部
216から成る。
【0092】遅延時間制御回路203は、第1遅延回路
202の選択回路部209、及び第2遅延回路210の
第1〜第n選択部214、・・・、216に対してそれ
ぞれ選択信号を送出し、所望の出力電圧Vintが得られ
るように第1、第2遅延回路202、210における遅
延時間の設定を行う回路である。なお、遅延時間制御回
路203の内部構成及び動作については、後ほど詳細な
説明を行う。
【0093】図6は基準パルス信号生成回路201、第
1遅延回路202、及び第2遅延回路210の一構成例
を示す概略構成図である。本図に示すように、基準パル
ス信号生成回路201は多入力端子を有するNOR回路
201aと、二入力端子を有するOR回路201bから
構成されており、その構成及び動作は前述の第1実施形
態(図2参照)と同様である。そこで、以下では基準パ
ルス信号生成回路201についての説明を省略し、第1
遅延回路202及び第2遅延回路210について重点を
置いた説明を行う。
【0094】まず、第1遅延回路202について説明す
る。第1遅延回路202を構成する基本遅延回路部20
7は、基準パルス信号生成回路201から入力される前
記基準パルス信号に対して所定単位時間のN倍の遅延を
与える回路である。また、追加遅延回路部208は基本
遅延回路部207の最終出力信号D0に対して所定単位
時間のM倍の遅延を与える回路である。
【0095】なお、本実施形態では基本遅延回路部20
7及び追加遅延回路部208を構成する単位時間遅延素
子として、内部クロック信号ICLKのポジティブエッ
ジをトリガとするDフリップフロップ回路を用いてい
る。このように、基本遅延回路部207及び追加遅延回
路部208をフリップフロップ回路によって構成するこ
とにより、第1遅延回路202を容易に構成することが
できる。もちろん、前記単位時間遅延素子はDフリップ
フロップ回路に限らず、どのようなフリップフロップ回
路或いは遅延素子を用いても構わない。
【0096】基本遅延回路部207は5つのDフリップ
フロップ回路207a〜207e(以下、FF207a
〜207eと呼ぶ)が直列接続されたシフトレジスタ構
造(遅延段数N=5)から成っている。従って、FF2
07a〜207eの各出力端子からは、前記基準パルス
信号に対して所定単位時間の1倍〜5倍の遅延が与えら
れた出力信号DM4〜DM1及びD0がそれぞれ送出さ
れる。なお、遅延段数Nは1以上であればよい。
【0097】また、追加遅延回路部208は2つのDフ
リップフロップ回路208a、208b(以下、FF2
08a、208bと呼ぶ)が直列接続されたシフトレジ
スタ構造(遅延段数M=2)から成っている。従って、
FF208a、208bの各出力端子からは、出力信号
D0に対して所定単位時間の1倍或いは2倍の遅延が与
えられた出力信号D1、D2がそれぞれ送出される。な
お、遅延段数Mは1以上であればよい。
【0098】選択回路部209は、遅延時間制御回路2
03から与えられる第1選択信号S0、S1、S2に基
づいて、基本遅延回路部207の最終出力信号D0と追
加遅延回路部208の各出力信号D1、D2のうち、い
ずれか1つの出力信号を遅延パルス信号として選択出力
する回路である。なお、選択回路部209によって選択
された前記遅延パルス信号は、第2遅延回路210と基
準パルス信号生成回路201にそれぞれ送出される。
【0099】次に、第2遅延回路210について説明す
る。前述した通り、第2遅延回路210は、n段(本図
ではn=2)の任意遅延回路部211、212が直列接
続されて成り、その入力端は第1遅延回路202の出力
端(すなわち、選択回路部209の出力端)に接続され
ている。また、初段(1段目)の任意遅延回路部211
は第1遅延素子213と第1選択部214から成り、最
終段(2段目)の任意遅延回路部212は第2遅延素子
215と第2選択部216から成る。
【0100】初段の任意遅延回路部211を構成する第
1遅延素子213は、第1遅延回路202から出力され
る遅延パルス信号に対して、さらに所定時間の遅延を与
える回路である。なお、第1遅延素子213の遅延時間
は、外部からの制御信号によって設定してもよいし、内
部で予め設定しておいてもよい。
【0101】本実施形態の電圧変換回路では、第1遅延
素子213として内部クロック信号ICLKのネガティ
ブエッジをトリガとするDNフリップフロップ回路を用
いている。従って、第1遅延素子213からは、選択回
路部209によって選択された出力信号D0、D1、D
2のいずれかに対して、内部クロック信号ICLKの半
周期分(所定単位時間の0.5倍)の遅延が与えられた
出力信号D01/2、D11/2、D21/2のいずれかが第1
選択部214に送出される。
【0102】初段の任意遅延回路部211を構成する第
1選択部214は、遅延時間制御回路203から与えら
れる第2選択信号SHに基づいて、選択回路部209の
出力信号と第1遅延素子213の出力信号のうち、いず
れか一方を選択出力する回路である。従って、第1選択
部214からは、出力信号D0、D01/2、D1、D1
1/2、D2、D21/2のいずれかが次段の任意遅延回路部
212に送出される。
【0103】なお、FF207a〜207e、FF20
8a〜208b、及び第1遅延素子213の各クロック
端子には、いずれも同一の内部クロック信号ICLKが
入力されているが、この内部クロック信号ICLKとし
ては、集積回路の外部から供給された外部クロック信号
や、前記外部クロック信号を分周することによって生成
したクロック信号、或いは集積回路の内部に発振回路を
設けることで生成したクロック信号など、どのような手
段で生成されたクロック信号を用いても構わない。ま
た、第1遅延素子213はDNフリップフロップ回路に
限らず、どのようなフリップフロップ回路或いは遅延素
子を用いても構わない。
【0104】一方、2段目の任意遅延回路部212を構
成する第2遅延素子215は、初段の任意遅延回路部2
11から出力される遅延パルス信号に対して、さらに所
定時間の遅延を与える回路である。なお、第2遅延素子
215の遅延時間は、外部からの制御信号によって設定
してもよいし、内部で予め設定しておいてもよい。
【0105】本実施形態の電圧変換回路では、第2遅延
素子215として内部クロック信号ICLK2のポジテ
ィブエッジをトリガとするDフリップフロップ回路を用
いている。なお、内部クロック信号ICLK2は、前述
した内部クロック信号ICLKの倍速クロック信号であ
り、その周波数は内部クロック信号ICLKの2倍であ
る。従って、第2遅延素子215からは、第1選択部2
14によって選択された出力信号D0、D01/2、D
1、D11/2、D2、D21/2のいずれかに対し、内部ク
ロック信号ICLKの1/4周期分(所定単位時間の
0.25倍)の遅延が与えられた出力信号D01/4、D
3/4、D11/4、D13/4、D21/4、D23/4のいずれ
かが第2選択部216に送出される。
【0106】2段目の任意遅延回路部212を構成する
第2選択部216は、遅延時間制御回路203から与え
られる第2選択信号SQに基づいて、第1選択部214
の出力信号と第2遅延素子215の出力信号のうち、い
ずれか一方を選択出力する回路である。従って、第2選
択部213からは、出力信号D0、D01/4、D01/2
D03/4、D1、D11/4、D11/2、D13/4、D2、D
1/4、D21/2、D2 3/4のいずれかが、出力パルス信
号Doutとして次段のスイッチタイミング制御回路10
4に送出される。
【0107】図7は選択回路部209、第1選択部21
4、及び第2選択部216の一構成例を示す概略構成図
である。本図に示すように、選択回路部209は二入力
端子を有するAND回路209a〜209cと、多入力
端子を有するOR回路209dから構成されている。一
方、第1選択部214は二入力端子を有するAND回路
214a、214bと、二入力端子を有するOR回路2
14cから構成されている。同様に、第2選択部216
は二入力端子を有するAND回路216a、216b
と、二入力端子を有するOR回路216cから構成され
ている。
【0108】まず、選択回路部209の構成について説
明する。AND回路209a〜209cの一入力端子に
は、基本遅延回路部207の最終出力信号D0と追加遅
延回路部208の各出力信号D1、D2がそれぞれ入力
されている。また、AND回路209a〜209cの他
入力端子には、遅延時間制御回路203から与えられる
第1選択信号S0、S1、S2がそれぞれ入力されてい
る。なお、追加遅延回路部208にパルス信号が流れて
いる時間帯には、第1選択信号S0、S1、S2が変化
しないように制御されている。一方、OR回路209d
の入力端子にはAND回路209a〜209cの各出力
信号がそれぞれ入力されており、それらの論理和が選択
選択部209で選択された遅延パルス信号となる。
【0109】次に、第1選択部214の構成について説
明する。AND回路214a、214bの一入力端子に
は、それぞれ選択回路部209の出力信号と第1遅延素
子213の出力信号が入力されている。また、AND回
路214a、214bの他入力端子には、遅延時間制御
回路203から与えられる第2選択信号SHがそれぞれ
入力されている。ただし、AND回路214aには第2
選択信号SHが反転入力されている。また、追加遅延回
路部208にパルス信号が流れている時間帯には、第2
選択信号SHが変化しないように制御されている。一
方、OR回路214cの入力端子にはAND回路214
a、214bの各出力信号がそれぞれ入力されており、
それらの論理和が第1選択部214で選択された遅延パ
ルス信号となる。
【0110】続いて、第2選択部216の構成について
説明する。AND回路216a、216bの一入力端子
には、それぞれ第1選択部214の出力信号と第2遅延
素子215の出力信号が入力されている。また、AND
回路216a、216bの他入力端子には、遅延時間制
御回路203から与えられる第2選択信号SQがそれぞ
れ入力されている。ただし、AND回路216aには第
2選択信号SQが反転入力されている。また、追加遅延
回路部208にパルス信号が流れている時間帯には、第
2選択信号SQが変化しないように制御されている。一
方、OR回路216cの入力端子にはAND回路216
a、216bの各出力信号がそれぞれ入力されており、
それらの論理和が第2選択部216で選択された出力パ
ルス信号Doutとなる。
【0111】例えば、出力信号D0を出力パルス信号D
outとして選択する場合には、選択回路部209で出力
信号D0を選択するとともに、第1、第2選択部21
4、216で選択回路部209から直接入力される遅延
パルス信号を選択すればよい。そのためには、第1選択
信号S0をHレベル、その他の第1選択信号S1、S2
をLレベルとし、第2選択信号SH、SQをともにLレ
ベルとすればよい。
【0112】出力信号D0から内部クロック信号ICL
Kの1/4周期分(所定単位時間の0.25倍)だけ遅
れた出力信号D01/4を出力パルス信号Doutとして選択
する場合には、選択回路部209で出力信号D0を選択
するとともに、第1選択部214で選択回路部209か
ら直接入力される出力信号を選択し、第2選択部216
で第2遅延素子215から入力される出力信号を選択す
ればよい。そのためには、第1選択信号S0をHレベ
ル、その他の第1選択信号S1、S2をLレベルとし、
第2選択信号SH、SQをそれぞれLレベル、Hレベル
とすればよい。
【0113】出力信号D0から内部クロック信号ICL
Kの半周期分(所定単位時間の0.5倍)だけ遅れた出
力信号D01/2を出力パルス信号Doutとして選択する場
合には、選択回路部209で出力信号D0を選択すると
ともに、第1選択部214で第1遅延素子213から入
力される出力信号を選択し、第2選択部216で第1選
択部214から直接入力される出力信号を選択すればよ
い。そのためには、第1選択信号S0をHレベル、その
他の第1選択信号S1、S2をLレベルとし、第2選択
信号SH、SQをそれぞれHレベル、Lレベルとすれば
よい。
【0114】出力信号D0から内部クロック信号ICL
Kの3/4周期分(所定単位時間の0.75倍)だけ遅
れた出力信号D03/4を出力パルス信号Doutとして選択
する場合には、選択回路部209で出力信号D0を選択
するとともに、第1選択部214で第1遅延素子213
から入力される出力信号を選択し、第2選択部216で
第2遅延素子215から入力される出力信号を選択すれ
ばよい。そのためには、第1選択信号S0をHレベル、
その他の第1選択信号S1、S2をLレベルとし、第2
選択信号SH、SQをともにHレベルとすればよい。
【0115】上記と同様に、第1選択信号S0、S1、
S2、及び第2選択信号SH、SQを制御することによ
って、本実施形態の電圧変換回路では出力パルス信号D
outとして12通りの出力信号D0、D01/4、D
1/2、D03/4、D1、D11/4、D11/2、D13/4
D2、D21/4、D21/2、D23/4を選択出力すること
ができる。すなわち、出力パルス信号Doutのデューテ
ィ比を1/5〜1/7.75の間で任意に変化させるこ
とが可能である。
【0116】本実施形態の電圧変換回路に供給される外
部電源電圧VDDを3Vとすると、前出の(2)式より、
出力パルス信号Doutとして基本遅延回路部207の出
力信号D0が選択された場合の出力電圧Vintは0.6
Vと算出することができる。同様に、出力パルス信号D
outとして各出力信号D01/4〜D23/4が選択された場
合の出力電圧Vintは0.55V〜0.39Vと算出す
ることができる。従って、本実施形態の電圧変換回路に
おける出力電圧Vintの可変範囲は0.39V〜0.6
Vであり、その単位可変幅は平均19mVであることが
分かる。
【0117】以上に説明した通り、本実施形態の電圧変
換回路では、第2遅延回路210の付加という僅かな回
路変更により、追加遅延回路部208を構成する遅延素
子の個数増大を招くことなく、出力パルス信号Dout
選択候補数を増大させ、出力電圧Vintの単位可変幅を
小さくすることができる。これにより、出力電圧Vint
の可変精度を大幅に向上することが可能となる。また、
追加遅延回路部208を構成する遅延素子の個数を削減
したことにより、基準パルス信号生成回路201を構成
するNOR回路201aの入力端子数も削減されるの
で、ここでも回路規模の縮小を図ることができる。
【0118】なお、本実施形態の電圧変換回路を採用す
ることにより、従来に比べて回路規模の縮小や消費電力
の低減を実現できることは言うまでもなく、また第1実
施形態の電圧変換回路に比べてこれらの利点が損なわれ
ることもない。
【0119】続いて、上記した各実施形態の電圧変換回
路に設けられるスイッチタイミング制御回路104の内
部構成及び動作について説明を行う。図8はスイッチタ
イミング制御回路104の一構成例を示す概略構成図で
ある。本図に示すように、スイッチタイミング制御回路
104は、遅延回路104a、104bと、インバータ
回路104cと、二入力端子を有するNOR回路104
dとを有している。なお、遅延回路104a、104b
における各遅延時間DTは同一とされている。
【0120】出力パルス信号生成回路100(もしくは
200)の出力端は、遅延回路104aの入力端とNO
R回路104dの一入力端子にそれぞれ接続されてい
る。遅延回路104aの出力端は、遅延回路104bの
入力端とインバータ回路104cの入力端子にそれぞれ
接続されている。遅延回路104bの出力端はNOR回
路104dの他入力端子に接続されている。インバータ
回路104cの出力端子はスイッチ回路105を構成す
るPMOSトランジスタM1のゲートに接続されてお
り、NOR回路104dの出力端子はスイッチ回路10
5を構成するNMOSトランジスタM2のゲートに接続
されている。
【0121】上記構成から成るスイッチタイミング制御
回路104では、出力パルス信号D outを遅延回路10
4aで所定時間DTだけ遅らせた出力信号Daをインバ
ータ回路104cで論理否定することにより、第1制御
信号φ1が生成されている。また、遅延回路104aの
出力信号Daをさらに遅延回路104bで所定時間DT
だけ遅らせた出力信号Dbと、出力パルス信号生成回路
100(もしくは200)から直接入力される出力パル
ス信号DoutとをNOR回路104dで論理和否定する
ことにより、第2制御信号φ2が生成されている。
【0122】図9はスイッチタイミング制御回路104
における各信号波形を示すタイミングチャートである。
本図からも分かるように、上記構成から成るスイッチタ
イミング制御回路104では、第1制御信号φ1をLレ
ベルに立ち下げるタイミング(PMOSトランジスタM
1をオンさせるタイミング)が、第2制御信号φ2をL
レベルに立ち下げるタイミング(NMOSトランジスタ
M2をオフさせるタイミング)よりも意図的に遅らされ
ている。また、第2制御信号φ2をHレベルに立ち上げ
るタイミング(NMOSトランジスタM2をオンさせる
タイミング)が、第1制御信号φ1をHレベルに立ち上
げるタイミング(PMOSトランジスタM1をオフさせ
るタイミング)よりも意図的に遅らされている。
【0123】より具体的に言うと、PMOSトランジス
タM1がオンとなるのは期間S2のみであり、その他の
期間はオフとなる。一方、NMOSトランジスタM2が
オンとなるのは期間S0、S0’のみであり、その他の
期間はオフとなる。すなわち、期間S1、S1’におい
てはPMOSトランジスタM1とNMOSトランジスタ
M2がいずれもオフとなっており、PMOSトランジス
タM1とNMOSトランジスタM2が同時にオンする期
間は存在しない。
【0124】このように、PMOSトランジスタM1と
NMOSトランジスタM2のオン/オフ制御に際して、
一方のMOSトランジスタがオフしてから所定時間経過
後に他方のMOSトランジスタをオンさせる構成とする
ことにより、第1、第2制御信号φ1、φ2を生成する
過程でいずれかの制御信号に意図しない遅延が少々生じ
たとしても、PMOSトランジスタM1とNMOSトラ
ンジスタM2が同時にオンすることはない。従って、ス
イッチ回路105に貫通電流が流れることを防止するこ
とができるので、余分な電力消費を抑えることが可能と
なる。
【0125】次に、上記したスイッチタイミング制御回
路104の遅延回路104a、104bをDフリップフ
ロップ回路で構成した場合について説明する。図10は
スイッチタイミング制御回路104の別構成例を示す概
略構成図である。本図に示すスイッチタイミング制御回
路104では、遅延回路104a、104bとしてDフ
リップフロップ回路104a、104b(以下、FF1
04a、FF104bと呼ぶ)が採用されている。
【0126】FF104a、104bの各クロック端子
には、それぞれ内部クロック信号ICLK2が入力され
ている。内部クロック信号ICLK2は、出力パルス信
号生成回路100(もしくは200)を駆動する内部ク
ロック信号ICLKの倍速クロック信号であり、その周
波数は内部クロック信号ICLKの2倍である。
【0127】上記構成から成るスイッチタイミング制御
回路104では、内部クロック信号ICLKに同期した
出力パルス信号DoutをFF104aで内部クロック信
号ICLK2の1周期分だけ遅延させ、その出力信号を
インバータ回路104cで論理否定することにより、第
1制御信号φ1が生成されている。また、FF104a
の出力信号をさらにFF104bで内部クロック信号I
CLK2の1周期分だけ遅延させた出力信号と、出力パ
ルス信号生成回路100(もしくは200)から直接入
力される出力パルス信号DoutとをNOR回路104d
で論理和否定することにより、第2制御信号φ2が生成
されている。
【0128】図11はスイッチタイミング制御回路10
4における各信号波形を示すタイミングチャートであ
る。なお、図中(a)は出力パルス信号Doutが内部ク
ロック信号ICLKのポジティブエッジに同期している
場合を示している。また、図中(b)は出力パルス信号
outが内部クロック信号ICLKのネガティブエッジ
に同期している場合を示している。
【0129】本図からも分かるように、上記構成から成
るスイッチタイミング制御回路104では、先程と同
様、第1制御信号φ1をLレベルに立ち下げるタイミン
グが、第2制御信号φ2をLレベルに立ち下げるタイミ
ングよりも意図的に遅らされている。また、第2制御信
号φ2をHレベルに立ち上げるタイミングが、第1制御
信号φ1をHレベルに立ち上げるタイミングよりも意図
的に遅らされている。従って、PMOSトランジスタM
1とNMOSトランジスタM2が同時にオンすることは
なく、スイッチ回路105の余分な電力消費を抑えるこ
とが可能となる。
【0130】また、FF104a、104bを、内部ク
ロック信号ICLKの倍速クロック信号である内部クロ
ック信号ICLK2によって駆動することにより、出力
パルス信号Doutが内部クロック信号ICLKのポジテ
ィブエッジ或いはネガティブエッジのいずれに同期して
いる場合であっても、FF104a、104bにおける
遅延時間を内部クロック信号ICLKの半周期分、すな
わち内部クロック信号ICLK2の1周期分とすること
ができる。
【0131】なお、上記の実施形態では出力パルス信号
outに遅延を与える遅延回路104a、104bとし
てDフリップフロップ回路を用いた例を挙げて説明を行
ったが、遅延回路104a、104bとしてはDフリッ
プフロップ回路に限らず、どのようなフリップフロップ
回路或いは遅延素子を用いてもよい。
【0132】続いて、上記した各実施形態の電圧変換回
路に設けられる遅延時間制御回路103、203の内部
構成及び動作について説明を行う。なお、遅延時間制御
回路103、203の基本構成は全く同一であるため、
ここでは第2実施形態の遅延時間制御回路203を例に
挙げて説明を行うことにする。図12は遅延時間制御回
路203の一構成例を示す概略構成図である。
【0133】前述した通り、遅延時間制御回路203
は、出力パルス信号生成回路200を構成する第1遅延
回路202の選択回路部209、及び第2遅延回路21
0の第1〜第n選択部214、・・・、216に対して
それぞれ選択信号を送出し、所望の出力電圧Vintが得
られるように第1、第2遅延回路202、210におけ
る遅延時間の設定を行う回路である。本図に示すよう
に、遅延時間制御回路203はレプリカ回路501と選
択信号生成回路502とを有している。
【0134】まず、レプリカ回路501について説明す
る。レプリカ回路501は出力電圧Vintによって動作
する内部回路の動作状態を示す動作状態信号を生成する
回路であり、動作状態検出パルス生成回路511、クリ
ティカルパス回路512、及びラッチ回路513から構
成されている。
【0135】動作状態検出パルス生成回路511は、出
力電圧Vintによって動作する内部回路の動作クロック
信号ECLKに同期した動作状態検出パルス信号RPL
を生成する回路であり、その動作状態検出パルス信号R
PLは次段のクリティカルパス回路512に送出され
る。
【0136】クリティカルパス回路512は、前記内部
回路のクリティカルパス、すなわち信号の遅延が最も大
きいと考えられるパス回路と同等の遅延を行う回路であ
り、プロセスばらつきや動作環境変化に対応するため
に、前記内部回路と同一のプロセス技術を用いて作成さ
れる。また、クリティカルパス回路512には電源電圧
としてフィルタ回路106の出力電圧Vintが印加され
ている。すなわち、電源供給の対象となる内部回路の駆
動電圧がクリティカルパス回路512によってモニタさ
れることになる。
【0137】ラッチ回路513は、クリティカルパス回
路512から出力されたパルス信号を一旦保持する回路
であり、その出力信号はレプリカ回路501の動作状態
信号として次段の選択信号生成回路502に送出され
る。
【0138】続いて、レプリカ回路501の具体的構成
及びその動作について説明する。図13はレプリカ回路
501の一構成例を示す概略構成図である。まず、動作
状態検出パルス生成回路511の内部構成及び動作につ
いて説明を行う。本図に示すように、動作状態検出パル
ス生成回路511は、フリップフロップ回路511a、
511b、511c(以下、FF511a、FF511
b、511cと呼ぶ)と、二入力端子を有するAND回
路511d、511eから構成されている。
【0139】なお、出力電圧Vintが供給される前記内
部回路の動作状態は、出力パルス信号生成回路200を
構成する第1、第2遅延回路202、210における出
力選択動作の直前に検出すればよい。そこで、本実施形
態における動作状態検出パルス生成回路511は、レプ
リカ回路501の外部から与えられるイネーブル信号E
nableがオン(Hレベル)のときに動作するように
構成されている。すなわち、上記したFF511a、F
F511b、511cはいずれもイネーブル信号Ena
bleがオン(Hレベル)のときに動作する。
【0140】FF511aは動作クロック信号ECLK
のポジティブエッジをトリガとして動作するDフリップ
フロップ回路であり、そのデータ入力端子には信号RE
が入力されている。従って、FF511aから出力され
る動作状態検出パルス信号RPLは、信号REを動作ク
ロック信号ECLKの1周期分だけ遅延した信号とな
る。これにより、動作状態検出パルス信号RPLは動作
クロック信号ECLKに同期するため、前記内部回路の
動作状態検出動作を高精度に行うことができる。なお、
FF511aに入力される信号REは、イネーブル信号
Enableがオン(Hレベル)のときに所定期間だけ
オン(Hレベル)となる信号である。この信号REにつ
いては後ほど詳細に説明する。
【0141】FF511aの出力端子はクリティカルパ
ス回路512の入力端、FF511b、511cの各デ
ータ入力端子、及びAND回路511d、511eの各
一入力端子にそれぞれ接続されている。
【0142】FF511bは動作クロック信号ECLK
のネガティブエッジをトリガとして動作するDNフリッ
プフロップ回路であり、その出力信号N1はFF511
aの出力信号RPLを動作クロック信号ECLKの半周
期分だけ遅延して反転した信号となる。なお、FF51
1bの出力信号N1はAND回路511dの他入力端子
に対して送出される。
【0143】FF511cは動作クロック信号ECLK
のポジティブエッジをトリガとして動作するDフリップ
フロップ回路であり、その出力信号N2はFF511a
の出力信号RPLを動作クロック信号ECLKの1周期
分だけ遅延して反転した信号となる。なお、FF511
cの出力信号N2はAND回路511eの他入力端子に
対して送出される。
【0144】AND回路511dは、出力信号N1と動
作状態検出パルス信号RPLとの論理積演算を行うこと
で評価パルス信号EV1を生成する回路である。また、
AND回路511eは、出力信号N2と動作状態検出パ
ルス信号RPLとの論理積演算を行うことで評価パルス
信号EV2を生成する回路である。これらの評価パルス
信号EV1、EV2はそれぞれ後段のラッチ回路513
の動作を制御するトリガ信号として用いられる。
【0145】次に、上記構成から成る動作状態検出パル
ス生成回路511の動作について説明する。図14は動
作状態検出パルス生成回路511における各信号波形を
示すタイミングチャートである。ここでは、イネーブル
信号Enableが前記内部回路の動作クロック信号E
CLKの16周期分だけオン(Hレベル)となる例を挙
げて説明を行う。
【0146】本図に示すように、本実施形態の信号RE
はイネーブル信号Enableの1/8分周信号に相当
するパルス信号であり、FF511aから出力される動
作状態検出パルス信号RPLは、該信号REをイネーブ
ル信号Enableの1周期分だけ遅らせたパルス信号
である。このような動作状態検出パルス信号RPLから
評価パルス信号EV1、EV2を生成することにより、
イネーブル信号Enableがオンしている期間に生成
される評価パルス信号EV1、EV2をそれぞれ1つに
限定でき、レプリカ回路501の不要な動作を抑えるこ
とができる。
【0147】また、前述した通り、FF511bの出力
信号N1は動作状態検出パルス信号RPLを動作クロッ
ク信号ECLKの半周期分だけ遅延して反転したパルス
信号であり、FF511cの出力信号N2は動作状態検
出パルス信号RPLを動作クロック信号ECLKの1周
期分だけ遅延して反転したパルス信号である。従って、
AND回路511dによって生成される評価パルス信号
EV1のパルス幅は動作クロック信号ECLKの半周期
分に相当し、AND回路511eによって生成される評
価パルス信号EV2のパルス幅は動作クロック信号EC
LKの1周期分に相当する。
【0148】続いて、図13に戻ってクリティカルパス
回路512の内部構成及び動作について説明を行う。前
述した通り、クリティカルパス回路512はフィルタ回
路106から送出される出力電圧Vintによって駆動さ
れる回路であり、その内部信号のHレベルは出力電圧V
intとなる。そこで、電源電圧VDDによって駆動される
動作状態検出パルス生成回路511やラッチ回路513
との間で入出力信号の電圧レベルを一致させるために、
クリティカルパス回路512の入力段には降圧レベルシ
フタ514が設けられており、出力段には昇圧レベルシ
フタ515a、515bが設けられている。
【0149】ここで、本図に示すレプリカ回路501
は、自身を構成するクリティカルパス回路512が所定
時間内(前記内部回路を駆動させる動作クロック信号E
CLKの1周期分以内)にパルス信号を出力できるか否
かをモニタし、そのモニタ結果に応じて前記内部回路の
動作状態が「速度超過状態(以下、動作状態Fastと
呼ぶ)」、「動作可能状態(以下、動作状態OKと呼
ぶ)」、「危険状態(以下、動作状態Warnと呼
ぶ)」、「動作不可状態(以下、動作状態NGと呼
ぶ)」のいずれであるかを判断する回路である。
【0150】上記した4つの動作状態を検出するため
に、クリティカルパス回路512は前半クリティカルパ
ス回路516と後半クリティカルパス回路517の2つ
に分割されている。ここで、前半クリティカルパス回路
516と後半クリティカルパス回路517の各遅延時間
は、クリティカルパス回路512全体の遅延時間を1と
して、それぞれ0.5+α、0.5−αとされている。
つまり、前半クリティカルパス回路516の遅延時間が
後半クリティカルパス回路517の遅延時間よりも若干
長くなるように分割されている。
【0151】なお、クリティカルパス回路512を構成
する回路としては、複数個のインバータ回路が直列接続
されたインバータチェーンが好適であるが、インバータ
回路の代わりにNAND回路やNOR回路を用いてもよ
い。
【0152】動作状態検出パルス生成回路511から送
出される動作状態検出パルス信号RPLは、降圧レベル
シフタ514を介して前半クリティカルパス回路516
に入力される。前半クリティカルパス回路516の出力
信号は後半クリティカルパス回路517に送出される一
方で、昇圧レベルシフタ515aを介して出力信号RA
とされ、ラッチ回路513に送出される。また、後半ク
リティカルパス回路517の出力信号は昇圧レベルシフ
タ515bを介して出力信号RBとされ、ラッチ回路5
13に送出される。
【0153】続いて、ラッチ回路513の内部構成及び
動作について説明を行う。ラッチ回路513は、動作状
態検出パルス生成回路511から送出される評価パルス
信号EV1のネガティブエッジをトリガとするDNフリ
ップフロップ回路513a、513b(以下、FF51
3a、FF513bと呼ぶ)と、評価パルス信号EV2
のネガティブエッジをトリガとするDNフリップフロッ
プ回路513c(以下、FF513cと呼ぶ)とを有し
ている。なお、FF513aのデータ入力端子には昇圧
レベルシフタ515aからの出力信号RAが入力されて
おり、FF513b、FF513cの各データ入力端子
には昇圧レベルシフタ515bからの出力信号RBが入
力されている。
【0154】従って、ラッチ回路513aによって出力
信号RAを評価パルス信号EV1のネガティブエッジで
ラッチした信号LA、ラッチ回路513bによって出力
信号RBを評価パルス信号EV1のネガティブエッジで
ラッチした信号LB、及びラッチ回路513cによって
信号RBをパルス信号EV2のネガティブエッジでラッ
チした信号LCが、最終的にレプリカ回路501から次
段の選択信号生成回路502に送出される動作状態信号
LA、LB、LCとなる。
【0155】なお、出力電圧Vintが供給される前記内
部回路の動作状態は、出力パルス信号生成回路200を
構成する第1、第2遅延回路202、210における出
力選択動作の直前に検出すればよい。そこで、本実施形
態におけるラッチ回路513は、レプリカ回路501の
外部から与えられるイネーブル信号Enableがオン
(Hレベル)のときに動作するように構成されている。
すなわち、上記したFF513a、FF513b、51
3cはいずれもイネーブル信号Enableがオン(H
レベル)のときに動作する。
【0156】上記構成から成るレプリカ回路501の動
作について説明する。図15はレプリカ回路501にお
ける各信号波形を示すタイミングチャートである。な
お、以下では評価パルス信号EV1のパルス幅(動作ク
ロック信号ECLKの半周期分)を第1所定動作時間t
1、パルス信号EV2のパルス幅(動作クロック信号E
CLKの1周期分)を第2所定動作時間t2とし、また
前半クリティカルパス回路516の遅延時間を第1動作
時間d1、クリティカルパス回路512全体の遅延時間
を第2動作時間d2として説明を行うことにする。
【0157】図中のパターンAは、出力信号RAがラッ
チ回路513aでHレベルにラッチされ、出力信号RB
がラッチ回路513b、513cでそれぞれHレベルに
ラッチされた場合を示している。すなわち、第2動作時
間d2が第1所定動作時間t1よりも短い場合を示してい
る。この場合、クリティカルパス回路512全体は動作
クロック信号ECLKの半周期分以内の遅延時間で動作
しており、出力電圧V intによって駆動する内部回路は
充分過ぎるほど高速に動作している状態であると考えら
れる。従って、レプリカ回路501の動作状態信号L
A、LB、LCが全てHレベルとなる場合を動作状態F
astと判断する。
【0158】図中のパターンBは、出力信号RAがラッ
チ回路513aでHレベルにラッチされ、出力信号RB
がラッチ回路513b、513cでそれぞれLレベル、
Hレベルにラッチされた場合を示している。すなわち、
第1動作時間d1は第1所定動作時間t1よりも短く、第
2動作時間d2は第1所定動作時間t1よりも長いが第2
所定動作時間t2よりも短い場合を示している。この場
合、前半クリティカルパス回路516は動作クロック信
号ECLKの半周期分以内の遅延時間で動作しており、
クリティカルパス回路512全体は動作クロック信号E
CLKの半周期分より長いが1周期分より短い遅延時間
で動作している。この状態は出力電圧Vintによって駆
動する内部回路が適正速度で動作している状態であると
考えられる。従って、レプリカ回路501の動作状態信
号LA、LB、LCがそれぞれHレベル、Lレベル、H
レベルとなる場合を動作状態OKと判断する。
【0159】図中のパターンCは、出力信号RAがラッ
チ回路513aでLレベルにラッチされ、出力信号RB
がラッチ回路513b、513cでそれぞれLレベル、
Hレベルにラッチされた場合を示している。すなわち、
第1動作時間d1は第1所定動作時間t1よりも長いが、
第2動作時間d2は第2所定動作時間t2よりも短い場合
を示している。この場合、前半クリティカルパス回路5
16の遅延時間は動作クロック信号ECLKの半周期分
以内に収まらないが、クリティカルパス回路512全体
としては動作クロック信号ECLKの1周期分より短い
遅延時間で動作している。この状態は出力電圧Vint
よって駆動する内部回路の動作速度に余裕がない状態で
あり、わずかな環境変化等により動作しなくなる可能性
が高い状態であると考えられる。従って、レプリカ回路
501の動作状態信号LA、LB、LCがそれぞれLレ
ベル、Lレベル、Hレベルとなる場合を動作状態War
nと判断する。
【0160】図中のパターンDは、出力信号RAがラッ
チ回路513aでLレベルにラッチされ、出力信号RB
がラッチ回路513b、513cでそれぞれLレベルに
ラッチされた場合を示している。すなわち、第2動作時
間d2が第2所定動作時間t2よりも長い場合を示してい
る。この場合、クリティカルパス回路512全体の遅延
時間が動作クロック信号ECLKの1周期分を越えるの
で、出力電圧Vintによって駆動する内部回路は動作し
ない可能性が極めて高い状態であると考えられる。従っ
て、レプリカ回路501の動作状態信号LA、LB、L
Cが全てLレベルとなる場合を動作状態NGと判断す
る。
【0161】以上のように、レプリカ回路501の動作
状態信号LA、LB、LCの組み合わせにより4つの動
作状態を表すことができる。図16はレプリカ回路50
1における動作状態信号LA、LB、LCと内部回路の
動作状態との関係を示す表である。このように、クリテ
ィカルパス回路512の動作状態を4つ(Fast、O
K、Warn、NG)に分類することによって、出力電
圧Vintによって駆動する内部回路の動作状態をきめ細
かく検知することが可能となる。従って、いかなるプロ
セスばらつきや環境変化にも適切に対応でき、最適な出
力電圧Vintの供給を行うことで集積回路全体の低消費
電力化に貢献することができる。
【0162】なお、図15で示されていない動作状態信
号LA、LB、LCの組み合わせ(例えば、動作状態信
号LA、LB、LCがそれぞれLレベル、Hレベル、L
レベル)となる場合は、クリティカルパス回路512自
体が適切に動作していない可能性が極めて高い状態であ
ると考えられる。従って、動作状態信号LA、LB、L
Cの組み合わせが図15で示されていない組み合わせと
なる場合を動作状態(NG)と判断する。このような動
作状態検出を行うことにより、前記内部回路をより安定
して動作させることが可能となる。また、レプリカ回路
501の故障等を早期に発見できるので、迅速な善後処
置を施すことが可能となる。
【0163】次に、選択信号生成回路502について説
明を行う。選択信号生成回路502は、レプリカ回路5
01から入力される動作状態信号LA、LB、LCに基
づいて、出力パルス信号生成回路200を構成する第1
遅延回路202の選択回路部209、及び第2遅延回路
210の第1〜第n選択部214、・・・、216に対
する選択信号を生成する回路である。
【0164】例えば、動作状態信号LA、LB、LCが
動作状態Fastを示す場合、選択信号生成回路502
は出力電圧Vintを現在値から1段階下げる、すなわち
第1、第2遅延回路202、210における遅延時間を
現在値から1段階長くするような選択信号を生成する。
また、動作状態信号LA、LB、LCが動作状態OKを
示す場合、選択信号生成回路502は出力電圧Vint
現在値に維持する、すなわち前記遅延時間を現在値に維
持するような選択信号を生成する。一方、動作状態信号
LA、LB、LCが動作状態Warnもしくは動作状態
NGを示す場合、選択信号生成回路502は出力電圧V
intを現在値から1段階上げる、すなわち前記遅延時間
を現在値から1段階短くするような選択信号を生成す
る。
【0165】上記に説明した各実施形態の電圧変換回路
では、第1遅延回路202或いは第2遅延回路210に
おける遅延時間を増減することで出力電圧Vintを変化
させている。このとき、出力電圧Vintの可変幅(すな
わち、前記遅延時間の可変幅)が大きいと、前記遅延時
間を1段階上下しただけで動作状態OKや動作状態Wa
rnの範囲を飛び越えてしまう可能性がある。そのた
め、出力電圧Vintの可変幅はできるだけ小さいことが
望ましい。
【0166】一方、出力電圧Vintの可変幅が十分小さ
い場合、動作状態OKや動作状態Warnの範囲内には
選択可能な出力電圧Vintが複数存在する可能性があ
る。このような場合、出力電圧Vintによって駆動され
る内部回路を安定動作させつつその消費電力を最小とす
るためには、動作状態OKとなる複数の出力電圧Vint
のうち、最も低い出力電圧Vintを選択すればよい。
【0167】そこで、本実施形態の選択信号生成回路5
02は、レプリカ回路501から送出される動作状態信
号LA、LB、LCが動作状態OKを示す場合であって
も、さらに出力電圧Vintを下げ得るか否か、すなわち
前記遅延時間をさらに長くできるか否かの判定を行い、
動作状態OKとなる最小の出力電圧Vintを求める構成
となっている。
【0168】以上の検討に基づいた選択信号生成回路5
02の具体的な構成例を図17に示す。図17は選択信
号生成回路502の一構成例を示す概略構成図である。
本図に示すように、選択信号生成回路502は係数生成
回路601と、4ビット加算器602と、4ビットレジ
スタ603と、デコーダ回路604と、2ビットレジス
タ605と、カウンタ回路606とを備えている。
【0169】係数生成回路601は、レプリカ回路50
1から入力される動作状態信号LA、LB、LCと、第
2選択信号SH、SQと、第2選択信号SH、SQを所
定時間だけ遅らせた遅延信号SHD、SQDに基づい
て、4ビット信号COEFを生成する回路である。ま
た、係数生成回路601には上記信号の他にも、出力パ
ルス信号生成回路200から送出される信号REPEN
Bや、カウンタ回路606から送出される信号REがそ
れぞれ入力されている。
【0170】なお、上記した信号REPENBは出力パ
ルス信号生成回路200を構成する第1、第2遅延回路
202、210における出力選択動作の直前に立ち上が
る周期信号であり、例えば第1遅延回路202を構成す
る基本遅延回路部207の出力信号DM1(図6参照)
を用いればよい。また、信号REは信号REPENBの
分周信号に相当する。
【0171】4ビット加算器602は、係数生成回路6
01で生成された4ビット信号COEFと、前回の選択
信号を示す数値を記憶した4ビットレジスタ603の出
力信号CNTとに基づいて、新しい選択信号を示す数値
を計算する回路である。
【0172】4ビットレジスタ603は、4ビット加算
器602の出力信号を一旦保持する回路であり、信号R
EPENBのネガティブエッジをトリガとして動作する
4個のDNフリップフロップ回路(図示せず)から構成
されている。
【0173】なお、本実施形態における電圧変換回路の
起動時、4ビットレジスタ603を構成するDNフリッ
プフロップ回路はいずれもリセット信号(図示せず)に
よって一旦Lレベルにリセットされる。このとき、デコ
ーダ回路604から送出される第1選択信号S0はHレ
ベルとなり、それ以外の第1選択信号S1、S2はとも
にLレベルとなる。また、第2選択信号SH、SQもと
もにLレベルとなる。
【0174】つまり、本実施形態における電圧変換回路
の起動時には、出力パルス信号生成回路200の出力パ
ルス信号Doutとして、第1、第2遅延回路202、2
10における遅延時間を最短とする出力信号D0が選択
される。その結果、出力電圧Vintは可変上限値となる
ので、出力電圧Vintが供給される内部回路は前記電圧
変換回路の起動時にも確実に動作することができる。
【0175】デコーダ回路604は、4ビットレジスタ
603の出力信号CNTの上位2ビット(CNT[3:
2])をデコードすることで第1選択信号S0、S1、
S2を生成し、出力パルス信号生成回路200の選択回
路部209に対して送出する回路である。このとき、デ
コーダ回路604は4ビットレジスタ603が保持する
10進表記で「0」〜「2」を示す2ビット信号(「0
0」〜「10」)を、第1選択信号S0、S1、S2に
それぞれ対応する3ビット信号(「100」〜「00
1」)に変換する。
【0176】一方、第2選択信号SHとしては4ビット
レジスタの出力信号CNTの下から2ビット目(CNT
[1])をそのまま用いることができ、第2選択信号S
Qとしては出力信号CNTの最下位ビット(CNT
[0])をそのまま用いることができる。これらの第2
選択信号SH、SQは、出力パルス信号生成回路200
の第2遅延回路210を構成する第1、第2選択部21
4、216にそれぞれ送出される一方で、係数生成回路
601や2ビットレジスタ605にも送出される。
【0177】2ビットレジスタ605は、第2選択信号
SH、SQを一旦保持する回路であり、信号REPEN
Bのネガティブエッジをトリガとして動作する2個のD
Nフリップフロップ回路605a、605b(以下、F
F605a、FF605bと呼ぶ)から構成されてい
る。なお、FF605a、605bは第2選択信号S
H、SQの遅延信号SHD、SQDをそれぞれ係数生成
回路601に送出する。
【0178】カウンタ回路606は、信号REPENB
をカウントすることにより、信号REPENBの分周信
号に相当する信号REを生成し、その信号REをレプリ
カ回路501及び係数生成回路601に対して送出す
る。
【0179】続いて、係数生成回路601の内部構成及
びその動作について説明する。図18は係数生成回路6
01の一構成例を示す概略構成図である。本図に示すよ
うに、係数生成回路601はフラグ信号生成回路607
と、係数選択信号生成回路608と、4ビット減算器6
09と、インクリメンタ610と、デクリメンタ611
と、セレクタ612とを備えている。
【0180】フラグ信号生成回路607は、レプリカ回
路501から入力される動作状態信号LA、LB、LC
に基づいてフラグ信号WFを生成する回路である。フラ
グ信号生成回路607は、動作状態信号LA、LB、L
Cが動作状態Warnを示す場合にフラグ信号WFをE
nable(Hレベル)とし、動作状態信号LA、L
B、LCが動作状態Fastを示す場合にフラグ信号W
FをDisable(Lレベル)とする。また、動作状
態信号LA、LB、LCが動作状態Warn及び動作状
態Fast以外を示す場合にはフラグ信号WFを現在値
に維持する。なお、フラグ信号WFは出力パルス信号生
成回路200から入力される信号REPENBに同期し
て決定すればよい。
【0181】図19はフラグ信号生成回路607に実装
される論理回路の真理値表である。本図に示す真理値表
を論理回路としてフラグ信号生成回路607に実装する
ことにより、上記したフラグ信号WFの生成動作を実現
することができる。なお、図中のWF0とは、1周期前
に決定されたフラグ信号WFの値であり、フラグ信号W
Fを現在値に維持することを示している。
【0182】係数選択信号生成回路608は、レプリカ
回路501から入力される動作状態信号LA、LB、L
Cと、フラグ信号生成回路607から入力されるフラグ
信号WFに基づいて、セレクタ612における係数選択
動作を制御するための係数選択信号SCを生成する回路
である。なお、係数選択信号SCはカウンタ回路606
から入力される信号REに同期して決定すればよい。
【0183】セレクタ612は上記した係数選択信号S
Cに基づいて、出力電圧Vintを現在値に維持するため
の係数COMP、出力電圧Vintを現在値より1段下げ
るための係数COMPD、及び出力電圧Vintを現在値
より1段上げるための係数COMPUのいずれか1つを
選択し、4ビット信号COEFとして4ビット加算器6
02に送出する。
【0184】係数COMPが4ビット信号COEFとし
て選択された場合、出力パルス信号生成回路200を構
成する第1、第2遅延回路202、210の遅延時間が
現在値に維持されるため、出力電圧Vintも現在値に維
持される。係数COMPDが4ビット信号COEFとし
て選択された場合、前記遅延時間が現在値より1段長く
なるため、出力電圧Vintは現在値より1段下がる。係
数COMPUが4ビット信号COEFとして選択された
場合、前記遅延時間が現在値より1段短くなるため、出
力電圧Vintは現在値より1段上がる。
【0185】係数選択信号生成回路608及びセレクタ
612の動作について、さらに詳細に説明する。レプリ
カ回路501から入力される動作状態信号LA、LB、
LCが動作状態Warn、NG、(NG)のいずれかを
示す場合、係数選択信号生成回路608はフラグ信号W
Fの値に関わらず、出力電圧Vintを現在値より1段上
げるための係数選択信号SCを生成する。セレクタ61
2はこの係数選択信号SCに基づいて係数COMPUを
選択する。
【0186】動作状態信号LA、LB、LCが動作状態
OKを示し、かつフラグ信号WFがDisable(L
レベル)である場合、係数選択信号生成回路608は出
力電圧Vintを現在値より1段下げるための係数選択信
号SCを生成する。セレクタ612はこの係数選択信号
SCに基づいて係数COMPDを選択する。
【0187】動作状態信号LA、LB、LCが動作状態
OKを示し、かつフラグ信号WFがEnable(Hレ
ベル)である場合、係数選択信号生成回路608は出力
電圧Vintを現在値に維持するための係数選択信号SC
を生成する。セレクタ612はこの係数選択信号SCに
基づいて係数COMPを選択する。
【0188】動作状態信号LA、LB、LCが動作状態
Fastを示す場合、係数選択信号生成回路608はフ
ラグ信号WFの値に関わらず、出力電圧Vintを現在値
より1段下げるための係数選択信号SCを生成する。セ
レクタ612はこの係数選択信号SCに基づいて係数C
OMPDを選択する。
【0189】図20は係数選択信号生成回路608に実
装される論理回路の真理値表である。本図に示す真理値
表を論理回路として係数選択信号生成回路608に実装
することにより、上記した係数選択信号SCの生成動作
を実現することができる。
【0190】続いて、フラグ信号生成回路607及び係
数選択信号生成回路608による出力電圧Vintの具体
的な制御動作について説明する。
【0191】今、電源電圧回路の出力電圧Vintが低す
ぎることにより、レプリカ回路501が動作状態NGを
示している場合を考える。この場合、係数選択信号生成
回路608はフラグ信号WFの値に関わらず、出力電圧
intを現在値より1段上げるための係数選択信号SC
を生成する。これにより出力電圧Vintは徐々に上昇さ
れるため、レプリカ回路501が示す動作状態はNGか
らWarnを経てOKへと変遷する。ここで、動作状態
OKとなった時点でのフラグ信号WFは、動作状態Wa
rnを経ているためにEnable(Hレベル)となっ
ている。従って、動作状態OKとなった時点で係数選択
信号生成回路608は出力電圧Vintを現在値に維持す
るための係数選択信号SCを生成するので、それ以上不
必要に出力電圧Vintが上げられることはない。
【0192】一方、電源電圧回路の出力電圧Vintが高
すぎることにより、レプリカ回路501が動作状態Fa
stを示している場合を考える。このとき、フラグ信号
WFはDisable(Lレベル)となる。この場合、
係数選択信号生成回路608はフラグ信号WFの値に関
わらず、出力電圧Vintを現在値より1段下げるための
係数選択信号SCを生成する。これにより出力電圧V
intは徐々に下げられていくため、レプリカ回路501
が示す動作状態はFastからOKへと変遷する。ここ
で、動作状態OKとなった時点でのフラグ信号WFは、
動作状態Warnを経ていないためにDisable
(Lレベル)のままである。従って、出力電圧Vint
さらに引き下げられ、動作状態はOKからWarnへと
変遷する。
【0193】前述した通り、動作状態がWarnとなっ
た時点で、係数選択信号生成回路608は出力電圧V
intを現在値より1段上げるための係数選択信号SCを
生成する。これによりレプリカ回路501が示す動作状
態は再びOKとなる。ここで、動作状態OKとなった時
点でのフラグ信号WFは、動作状態Warnを経ている
ためにEnable(Hレベル)となっている。従っ
て、動作状態OKとなった時点で係数選択信号生成回路
608は出力電圧Vintを現在値に維持するための係数
選択信号SCを生成するので、それ以上不必要に出力電
圧Vintが上げられることはない。
【0194】このような出力電圧Vintの制御を行うこ
とにより、動作状態OKとなる複数の出力電圧Vint
うち、最も低い出力電圧Vintを選択することができる
ため、出力電圧Vintによって駆動される内部回路を安
定動作させつつ、その消費電力を最小とすることが可能
となる。
【0195】なお、上記したフラグ信号WFによる判定
を行うことなく、動作状態OKでは常に出力電圧Vint
を下げようとする構成とした場合には、レプリカ回路5
01によって示される動作状態がWarnとOKとの間
で交互に繰り返されることになる。このような構成では
出力電圧Vintが上下してしまうため、内部回路の動作
が不安定となるおそれがある。
【0196】次に、4ビット減算器609、インクリメ
ンタ610、及びデクリメンタ611にて生成される係
数COMP、COMPD、COMPUについて説明す
る。前述した通り、これらの係数COMP、COMP
D、COMPUは、出力パルス信号生成回路200を構
成する第1、第2遅延回路202、210の遅延時間を
現在値に維持したり、現在値から1段階ずつ上下させた
りするために用いられる。
【0197】インクリメンタ610は4ビット減算器6
09から送出される係数COMPの値に1を加えること
で係数COMPDを生成し、デクリメンタ611は4ビ
ット減算器609から送出される係数COMPの値から
1を減じることで係数COMPUを生成する。前述した
通り、出力電圧Vintを現在値より1段下げるためには
係数COMPDが4ビット信号COEFとして選択さ
れ、出力電圧Vintを現在値より1段上げるためには係
数COMPUが4ビット信号COEFとして選択され
る。
【0198】一方、出力パルス信号生成回路200を構
成する第1、第2遅延回路202、210の遅延時間を
現在値に維持する場合には、4ビット減算器609から
送出される係数COMPがセレクタ612によって選択
される。ただし、出力パルス信号生成回路200から送
出される出力パルス信号Doutのパルス周期を一定に保
つためには、係数COMPに対して所定の補正を施す必
要がある。
【0199】図21は係数COMPに対する補正動作の
一例を示す図である。図中(a)は内部クロック信号I
CLK、ICLK2と、第1、第2遅延回路202、2
10の各出力パルス信号を示したタイミングチャートで
ある。なお、本図では第2遅延回路210から出力され
る出力パルス信号Doutのパルス周期を内部クロック信
号ICLKの5.25clk相当に維持する場合を例に
挙げて説明を行う。
【0200】また、図中(b)は4ビット信号COEF
(すなわち係数COMP)の算出動作を示しており、4
ビット信号COEF、信号CNT、及び信号CNT0
それぞれ2進数表現(例えば(0000)b)で記述し
ている。なお、図中の信号CNT0とは、1周期前に決
定された信号CNTの値である。
【0201】まず、図中の状態(1)について説明す
る。本図に示した状態(1)よりも1周期前の出力パル
ス信号Doutとして、第1遅延回路202の出力信号D
0(図示せず)がそのまま選択されていたと仮定する
と、状態(1)における信号CNT0は(0000)b
である。このとき、1周期前の出力パルス信号D
out(D0)と、これから出力しようとする出力パルス
信号Doutとの間に内部クロック信号ICLKの5.2
5clkに相当する遅延を挿入するには、第1遅延回路
202の出力信号D0を0.25clkだけ遅らせた遅
延パルス信号D01/4を出力パルス信号Doutとして選択
すればよい。つまり、4ビット信号COEFを(000
1)bとすることで4ビット加算器602から送出され
る信号CNTを(0001)bとすればよい。
【0202】次に、図中の状態(2)について説明す
る。状態(1)では出力パルス信号D outとして遅延パ
ルス信号D01/4が選択されていることから、状態
(2)における信号CNT0は(0001)bである。
このとき、1周期前の出力パルス信号Dout(D01/4
と、これから出力しようとする出力パルス信号Dout
の間に内部クロック信号ICLKの5.25clkに相
当する遅延を挿入するには、第1遅延回路202の出力
信号D0を0.5clkだけ遅らせた遅延パルス信号D
1/2を出力パルス信号Doutとして選択すればよい。こ
の場合、信号CNTの期待値は(0010)bであるた
め、4ビット信号COEFとして選択される係数COM
Pを(0001)b、つまり+1にすればよい。
【0203】次に、図中の状態(3)について説明す
る。状態(2)では出力パルス信号D outとして遅延パ
ルス信号D01/2が選択されていることから、状態
(3)における信号CNT0は(0010)bである。
このとき、1周期前の出力パルス信号Dout(D01/2
と、これから出力しようとする出力パルス信号Dout
の間に内部クロック信号ICLKの5.25clkに相
当する遅延を挿入するには、第1遅延回路202の出力
信号D0を0.75clkだけ遅らせた遅延パルス信号
D03/4を出力パルス信号Doutとして選択すればよい。
この場合、信号CNTの期待値は(0011)bである
ため、4ビット信号COEFとして選択される係数CO
MPを(0001)b、つまり+1にすればよい。
【0204】次に、図中の状態(4)について説明す
る。状態(3)では出力パルス信号D outとして遅延パ
ルス信号D03/4が選択されていることから、状態
(4)における信号CNT0は(0011)bである。
このとき、1周期前の出力パルス信号Dout(D03/4
と、これから出力しようとする出力パルス信号Dout
の間に内部クロック信号ICLKの5.25clkに相
当する遅延を挿入するには、第1遅延回路202の出力
信号D0を1clkだけ遅らせた遅延パルス信号D1を
出力パルス信号Doutとして選択すればよい。この場
合、信号CNTの期待値は(0100)bであるため、
4ビット信号COEFとして選択される係数COMPを
(0001)b、つまり+1にすればよい。
【0205】次に、図中の状態(5)について説明す
る。状態(4)では出力パルス信号D outとして遅延パ
ルス信号D1が選択されていることから、状態(5)に
おける信号CNT0は(0100)bである。このと
き、1周期前の出力パルス信号Do ut(D1)と、これ
から出力しようとする出力パルス信号Doutとの間に内
部クロック信号ICLKの5.25clkに相当する遅
延を挿入するには、第1遅延回路202の出力信号D0
を0.25clkだけ遅らせた遅延パルス信号D01/ 4
を出力パルス信号Doutとして選択すればよい。この場
合、信号CNTの期待値は(0001)bであるため、
4ビット信号COEFとして選択される係数COMPを
(1101)b、つまり−3にすればよい。
【0206】このように、4ビット信号COEFとして
選択される係数COMPを補正することにより、信号C
NTの実際値を期待値と一致させることができ、出力パ
ルス信号生成回路200から送出される出力パルス信号
outのパルス周期を一定に保つことが可能となる。
【0207】続いて、上記動作における係数COMPの
生成について述べる。図中(b)に示される通り、ある
状態における係数CNT、CNT0の下位2ビットを取
り出してそれぞれ4ビットに拡張し、その拡張された係
数CNTから係数CNT0を減じることによって、次の
状態における4ビット信号COEF(すなわち係数CO
MP)を算出することができる。
【0208】ここで、上記した係数CNTの下位2ビッ
トとは、4ビットレジスタ603から送出される第2選
択信号SH、SQに相当する。また、係数CNT0の下
位2ビットとは、2ビットレジスタ605によって第2
選択信号SH、SQを所定時間だけ遅らせた遅延信号S
HD、SQDに相当する。
【0209】従って、係数生成回路601を構成する4
ビット減算器609は、上位2ビットに”00”を付加
することで4ビットに拡張された第2選択信号SH、S
Qから、同じく上位2ビットに”00”を付加すること
で4ビットに拡張された遅延信号SHD、SQDを減ず
ることにより、次の状態における4ビット信号COEF
(すなわち係数COMP)を生成する。図22は第2選
択信号SH、SQと、遅延信号SHD、SQDと、係数
COMPとの関係を示した表である。
【0210】なお、上記では第2実施形態の電圧変換回
路に設けられる遅延時間制御回路203を例に挙げて説
明を行ったが、第1実施形態の電圧変換回路でも上記と
同様の構成から成る遅延時間制御回路103によって、
第1選択信号S0〜S5を生成することができる。
【0211】次に、本発明に係る電圧変換回路の第3実
施形態について説明する。図23は本発明に係る電圧変
換回路の第3実施形態を示す概略構成図である。本図に
示すように、本実施形態の電圧変換回路は、基本的に前
述した第1、第2実施形態の電圧変換回路と同様の構成
(図1、図5参照)から成るが、出力パルス信号生成回
路及びスイッチタイミング制御回路の電源電圧として出
力電圧Vintを供給することを特徴としている。そこ
で、第1、第2実施形態と同様の構成及び動作を有する
部分については図1と同一の符号を付すことで説明を省
略する。
【0212】本図に示すように、本実施形態の電圧変換
回路は出力パルス信号生成回路300とスイッチタイミ
ング制御回路304とを有しており、出力パルス信号生
成回路300は基準パルス信号生成回路301、第1、
第2遅延回路302、310、及び遅延時間制御回路3
03から構成されている。
【0213】上記した基準パルス信号生成回路301、
第1、第2遅延回路302、310、及び遅延時間制御
回路303としては、前述した第1、第2実施形態の電
圧変換回路に設けられる基準パルス信号生成回路101
(201)、第1遅延回路102(202)、第2遅延
回路210、及び遅延時間制御回路103(203)の
いずれの構成を採用してもよい。また、スイッチタイミ
ング制御回路304は、前述した第1、第2実施形態の
電圧変換回路に設けられるスイッチタイミング制御回路
104と同様の構成から成る。
【0214】ここで、本実施形態における基準パルス信
号生成回路301、第1、第2遅延回路302、31
0、遅延時間制御回路303、及びスイッチタイミング
制御回路304には、外部電源電圧VDDではなく、フィ
ルタ回路106の出力電圧Vin tが電源電圧として供給
されている。
【0215】ただし、スイッチタイミング制御回路30
4をフィルタ回路106から送出される出力電圧Vint
によって駆動すると、第1、第2制御信号φ1、φ2の
Hレベルが出力電圧Vintとなってしまい、スイッチ回
路105を構成するPMOSトランジスタM1及びNM
OSトランジスタM2のオン/オフ制御に不具合を生じ
る恐れがある。そこで、第1、第2制御信号φ1、φ2
の電圧レベルを必要レベルまで上げるために、スイッチ
タイミング制御回路304の出力段には昇圧レベルシフ
タ320a、320bが設けられている。
【0216】このようにスイッチ回路105及びフィル
タ回路106を除く全ての回路部分を、外部電源電圧V
DDよりも小さい出力電圧Vintで駆動することにより、
電圧変換回路自体の消費電力を大幅に削減でき、集積回
路全体の低消費電力化に貢献することができる。
【0217】
【発明の効果】上記したように、本発明に係る電圧変換
回路では、パルス幅が一定で、パルス周期が可変である
出力パルス信号を生成する出力パルス信号生成回路と、
前記出力パルス信号から第1制御信号及び第2制御信号
を生成するスイッチタイミング回路と、ソースに第1電
源電圧が印加され、ゲートに第1制御信号が印加される
PMOSトランジスタと、ソースに第2電源電圧が印加
され、ゲートに第2制御信号が印加されるNMOSトラ
ンジスタとを有し、両トランジスタの各ドレインを共通
接続した接続ノードから電圧を出力するスイッチ回路
と、前記スイッチ回路から入力される電圧を平滑化して
出力電圧を得るフィルタ回路と、を具備し、前記PMO
Sトランジスタ及び前記NMOSトランジスタのオン/
オフ制御を行うことによって、前記出力電圧の大きさを
変化させる電圧変換回路において、前記出力パルス信号
生成回路は、パルス幅一定の基準パルス信号を生成する
基準パルス信号生成回路と、入力されるパルス信号を所
定の単位時間だけ遅らせる遅延素子を複数個直列接続し
て成る遅延回路部と、該遅延回路部を構成する各遅延素
子からそれぞれ送出される出力信号のいずれか一つを選
択出力する選択回路部とから成り、その入力端が前記基
準パルス信号生成回路の出力端に接続された第1遅延回
路と、入力されるパルス信号と、該パルス信号を所定時
間だけ遅らせた遅延パルス信号のいずれか一方を選択出
力する任意遅延回路部を複数段直列接続して成り、その
入力端が第1遅延回路の出力端に接続された第2遅延回
路と、第1、第2遅延回路における出力選択動作を制御
する遅延時間制御回路と、を有し、第2遅延回路の出力
信号を前記出力パルス信号として出力する構成としてい
る。
【0218】このように、前記出力パルス信号のパルス
周期を適宜変化させることで、スイッチタイミング制御
回路から送出される第1、第2制御信号のデューティ比
(パルス幅/パルス周期)を制御し、そのデューティ比
に応じて前記出力電圧の大きさを制御する電圧変換回路
であれば、パルス幅可変方式を採用した従来の電圧変換
回路のように高速で動作するカウンタ回路等の制御回路
を用いることなく、前記出力電圧の制御を行うことが可
能である。よって、従来に比べて電圧変換回路の回路規
模縮小や動作周波数低減を図ることができるので、電圧
変換回路自体の消費電力を大幅に低減することが可能と
なり、集積回路全体の低消費電力化に貢献することがで
きる。
【0219】特に、前記出力パルス信号生成回路に上記
構成から成る第2遅延回路を付加したことにより、第1
遅延回路を構成する遅延素子の個数増大を招くことな
く、前記出力パルス信号の選択候補数を増大させること
ができる。
【0220】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、第1遅延回路の遅延回路部を構成する各遅延素
子、及び第2遅延回路の任意遅延回路部を構成する各遅
延素子はいずれもフリップフロップ回路であり、第2遅
延回路の各遅延素子を駆動するクロック周波数或いは位
相は、第1遅延回路の各遅延素子を駆動するクロック周
波数或いは位相と異なる構成にするとよい。このような
構成とすることにより、前記出力電圧の可変精度を大幅
に向上することが可能となる。
【0221】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記スイッチタイミング制御回路は、前記スイッ
チ回路を構成するPMOSトランジスタ及びNMOSト
ランジスタのオン/オフ制御に際して、一方のMOSト
ランジスタをオフさせてから所定時間経過後に他方のM
OSトランジスタをオンさせるように、第1制御信号及
び第2制御信号の電圧レベルを制御する構成にするとよ
い。
【0222】このような構成とすることにより、第1、
第2制御信号を生成する過程でいずれかの制御信号に意
図しない遅延が少々生じたとしても、前記PMOSトラ
ンジスタと前記NMOSトランジスタが同時にオンする
ことはない。従って、前記スイッチ回路に貫通電流が流
れることを防止することができるので、余分な電力消費
を抑えることが可能となる。
【0223】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記遅延時間制御回路は、前記電圧変換回路の出
力電圧によって駆動される内部回路の動作状態を、該内
部回路を駆動するクロック信号に同期して検出するレプ
リカ回路と、前記レプリカ回路によって検出された前記
内部回路の動作状態に応じて、第1、第2遅延回路にお
ける出力選択動作を制御するための選択信号を生成する
選択信号生成回路と、を有する構成にするとよい。
【0224】このような構成とすることにより、集積回
路を構成する内部回路の動作状態を検知して該内部回路
の動作に必要最低限の駆動電圧を供給できるので、前記
集積回路の低消費電力化に貢献することができる。
【0225】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記レプリカ回路には、前半遅延段と後半遅延段
とを直列接続することで構成され、入力信号に対して前
記内部回路の最大遅延パスと同等の遅延を行うクリティ
カルパス回路を設け、前記前半遅延段における遅延時間
を第1動作時間、前記クリティカルパス回路全体におけ
る遅延時間を第2動作時間とし、前記第1動作時間及び
第2動作時間と、第1所定動作時間及び第1所定動作時
間より長い第2所定動作時間とをそれぞれ比較すること
で前記内部回路の動作状態を判断し、その判断に基づい
て前記選択信号生成回路を制御する構成にするとよい。
【0226】このような構成とすることにより、前記ク
リティカルパス回路の動作状態を4つに分類することが
できるので、前記内部回路の動作状態をきめ細かく検知
することが可能となる。従って、いかなるプロセスばら
つきや環境変化にも適切に対応でき、最適な出力電圧の
供給を行うことで集積回路全体の低消費電力化に貢献す
ることができる。
【0227】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記レプリカ回路は、前記クリティカルパス回路
を構成する前半遅延段の出力信号を第1所定動作時間で
ラッチする第1ラッチ回路と、前記クリティカルパス回
路を構成する後半遅延段の出力信号を第1所定動作時間
でラッチする第2ラッチ回路と、前記クリティカルパス
回路を構成する後半遅延段の出力信号を第2所定動作時
間でラッチする第3ラッチ回路とを有し、各ラッチ回路
の出力信号に基づいて前記内部回路の動作状態を検出す
る構成にするとよい。
【0228】このような構成とすることにより、前記ク
リティカルパス回路自体が適切に動作していない状態も
検出することができるので、前記内部回路をより安定し
て動作させることが可能となる。また、前記レプリカ回
路の故障等を早期に発見できるので、迅速な善後処置を
施すことが可能となる。
【0229】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記選択信号生成回路は、前記レプリカ回路によ
って前記内部回路の動作速度が適切であると判断された
場合であっても、第1、第2遅延回路の遅延時間をさら
に長くすることができるか否かを判断する手段を有する
構成にするとよい。
【0230】このような構成とすることにより、前記内
部回路の動作速度が適切であると判断される複数の出力
電圧のうち、最も低い出力電圧を選択することができる
ため、該出力電圧によって駆動される内部回路を安定動
作させつつ、その消費電力を最小とすることが可能とな
る。
【0231】また、上記構成から成る電圧変換回路にお
いて、前記出力パルス信号生成回路及び前記スイッチタ
イミング制御回路の電源電圧として前記フィルタ回路の
出力電圧を供給するとともに、前記スイッチタイミング
制御回路から送出される第1、第2制御信号をそれぞれ
昇圧して前記スイッチ回路を構成するPMOSトランジ
スタ及びNMOSトランジスタの各ゲートに送出する昇
圧レベルシフタを設けた構成としてもよい。
【0232】このように前記スイッチ回路及び前記フィ
ルタ回路を除く全ての回路部分を、外部電源電圧よりも
小さい前記フィルタ回路の出力電圧で駆動することによ
り、電圧変換回路自体の消費電力を大幅に削減でき、集
積回路全体の低消費電力化に貢献することができる。
【0233】また、上記構成から成る電圧変換回路は、
外部電源電圧から半導体集積回路装置の駆動電圧を生成
する降圧回路として用いるとよい。近年、前記半導体集
積回路装置を構成する内部回路の消費電力低減に伴っ
て、集積回路全体の消費電力に占める前記降圧回路の消
費電力比率が相対的に増大している。そこで、本発明に
係る電圧変換回路を前記降圧回路として採用することに
より、前記降圧回路自体の消費電力を低減できるので、
前記内部回路の低消費電力性を損なうことがなく、前記
半導体集積回路装置全体の低消費電力化に貢献すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電圧変換回路の第1実施形態を示
す概略構成図である。
【図2】基準パルス信号生成回路101及び第1遅延回
路102の一構成例を示す概略構成図である。
【図3】選択回路部109の一構成例を示す概略構成図
である。
【図4】第1遅延回路102における遅延動作例を示す
信号波形図である。
【図5】本発明に係る電圧変換回路の第2実施形態を示
す概略構成図である。
【図6】基準パルス信号生成回路201、第1遅延回路
202、及び第2遅延回路210の一構成例を示す概略
構成図である。
【図7】選択回路部209、第1選択部214、及び第
2選択部216の一構成例を示す概略構成図である。
【図8】スイッチタイミング制御回路104の一構成例
を示す概略構成図である。
【図9】スイッチタイミング制御回路104における各
信号波形を示すタイミングチャートである。
【図10】スイッチタイミング制御回路104の別構成
例を示す概略構成図である。
【図11】スイッチタイミング制御回路104における
各信号波形を示すタイミングチャートである。
【図12】遅延時間制御回路203の一構成例を示す概
略構成図である。
【図13】レプリカ回路501の一構成例を示す概略構
成図である。
【図14】動作状態検出パルス生成回路511における
各信号波形を示すタイミングチャートである。
【図15】レプリカ回路501における各信号波形を示
すタイミングチャートである。
【図16】レプリカ回路501における動作状態信号L
A、LB、LCと内部回路の動作状態との関係を示す表
である。
【図17】選択信号生成回路502の一構成例を示す概
略構成図である。
【図18】係数生成回路601の一構成例を示す概略構
成図である。
【図19】フラグ信号生成回路607に実装する論理回
路の真理値表である。
【図20】係数選択信号生成回路608に実装される論
理回路の真理値表である。
【図21】係数COMPに対する補正動作の一例を示す
図である。
【図22】第2選択信号SH、SQと、遅延信号SH
D、SQDと、係数COMPとの関係を示した表であ
る。
【図23】本発明の電圧変換回路の第3実施形態を示す
概略構成図である。
【図24】従来の電圧変換回路の一例を示す概略構成図
である。
【符号の説明】
100、200、300 出力パルス信号生成回路 101、201、301 基準パルス信号生成回路 102、202、302 第1遅延回路 103、203、303 遅延時間制御回路 104、304 スイッチタイミング制御回路 105 スイッチ回路 106 フィルタ回路 107、207 基本遅延回路部 107a〜e、207a〜e フリップフロップ回路 108、208 追加遅延回路部 108a〜e、208a〜b フリップフロップ回路 109、209 選択回路部 210、310 第2遅延回路 211、212 任意遅延回路部 213 第1遅延素子 214 第1選択部 215 第n遅延素子(第2遅延素子) 216 第n選択部(第2選択部) 320a、320b 昇圧レベルシフタ 501 レプリカ回路 502 選択信号生成回路 511 動作状態検出パルス生成回路 512 クリティカルパス回路 513 ラッチ回路 514 降圧レベルシフタ 515a、515b 昇圧レベルシフタ 516 前半クリティカルパス回路 517 後半クリティカルパス回路 601 係数生成回路 602 4ビット加算器 603 4ビットレジスタ 604 デコーダ回路 605 2ビットレジスタ 606 カウンタ回路 607 フラグ信号生成回路 608 係数選択信号生成回路 609 4ビット減算器 610 インクリメンタ 611 デクリメンタ 612 セレクタ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】パルス幅が一定で、パルス周期が可変であ
    る出力パルス信号を生成する出力パルス信号生成回路
    と、 前記出力パルス信号から第1制御信号及び第2制御信号
    を生成するスイッチタイミング回路と、 ソースに第1電源電圧が印加され、ゲートに第1制御信
    号が印加されるPMOSトランジスタと、ソースに第2
    電源電圧が印加され、ゲートに第2制御信号が印加され
    るNMOSトランジスタとを有し、両トランジスタの各
    ドレインを共通接続した接続ノードから電圧を出力する
    スイッチ回路と、 前記スイッチ回路から入力される電圧を平滑化して出力
    電圧を得るフィルタ回路と、 を具備し、前記PMOSトランジスタ及び前記NMOS
    トランジスタのオン/オフ制御を行うことによって、前
    記出力電圧の大きさを変化させる電圧変換回路におい
    て、 前記出力パルス信号生成回路は、 パルス幅一定の基準パルス信号を生成する基準パルス信
    号生成回路と、 入力されるパルス信号を所定の単位時間だけ遅らせる遅
    延素子を複数個直列接続して成る遅延回路部と、該遅延
    回路部を構成する各遅延素子からそれぞれ送出される出
    力信号のいずれか一つを選択出力する選択回路部とから
    成り、その入力端が前記基準パルス信号生成回路の出力
    端に接続された第1遅延回路と、 入力されるパルス信号と、該パルス信号を所定時間だけ
    遅らせた遅延パルス信号のいずれか一方を選択出力する
    任意遅延回路部を複数段直列接続して成り、その入力端
    が第1遅延回路の出力端に接続された第2遅延回路と、 第1、第2遅延回路における出力選択動作を制御する遅
    延時間制御回路と、 を有し、第2遅延回路の出力信号を前記出力パルス信号
    として前記スイッチタイミング制御回路に送出すること
    を特徴とする電圧変換回路。
  2. 【請求項2】第1遅延回路の遅延回路部を構成する各遅
    延素子、及び第2遅延回路の任意遅延回路部を構成する
    各遅延素子はいずれもフリップフロップ回路であり、第
    2遅延回路の各遅延素子を駆動するクロック周波数或い
    は位相は、第1遅延回路の各遅延素子を駆動するクロッ
    ク周波数或いは位相と異なることを特徴とする請求項1
    に記載の電圧変換回路。
  3. 【請求項3】前記スイッチタイミング制御回路は、前記
    スイッチ回路を構成するPMOSトランジスタ及びNM
    OSトランジスタのオン/オフ制御に際して、一方のM
    OSトランジスタをオフさせてから所定時間経過後に他
    方のMOSトランジスタをオンさせるように、第1制御
    信号及び第2制御信号の電圧レベルを制御することを特
    徴とする請求項1または請求項2に記載の電圧変換回
    路。
  4. 【請求項4】前記遅延時間制御回路は、前記電圧変換回
    路の出力電圧によって駆動される内部回路の動作状態
    を、該内部回路を駆動するクロック信号に同期して検出
    するレプリカ回路と、前記レプリカ回路によって検出さ
    れた前記内部回路の動作状態に応じて、第1、第2遅延
    回路における出力選択動作を制御するための選択信号を
    生成する選択信号生成回路と、を有することを特徴とす
    る請求項1〜請求項3のいずれかに記載の電圧変換回
    路。
  5. 【請求項5】前記レプリカ回路には、前半遅延段と後半
    遅延段とを直列接続することで構成され、入力信号に対
    して前記内部回路の最大遅延パスと同等の遅延を行うク
    リティカルパス回路が設けられており、 前記前半遅延段における遅延時間を第1動作時間、前記
    クリティカルパス回路全体における遅延時間を第2動作
    時間とし、 前記第1動作時間及び第2動作時間と、第1所定動作時
    間及び第1所定動作時間より長い第2所定動作時間とを
    それぞれ比較して、 第2動作時間が第1所定動作時間より短い場合は前記内
    部回路の動作速度が速過ぎると判断し、前記選択信号生
    成回路に対して第1、第2遅延回路における遅延時間を
    長くする要求を行い、 第1動作時間が第1所定動作時間より短く、第2動作時
    間が第1所定動作時間よりも長いが第2所定動作時間よ
    りも短い場合は前記内部回路の動作速度が適切であると
    判断し、前記選択信号生成回路に対して第1、第2遅延
    回路における遅延時間を維持する要求を行い、 第1動作時間が第1所定動作時間よりも長いが、第2動
    作時間が第2所定動作時間よりも短い場合、或いは第2
    動作時間が第2所定動作時間よりも長い場合は前記内部
    回路の動作速度に余裕がない、或いは該動作速度が遅過
    ぎると判断し、前記選択信号生成回路に対して第1、第
    2遅延回路における遅延時間を短くする要求を行うこと
    を特徴とする請求項4に記載の電圧変換回路。
  6. 【請求項6】前記レプリカ回路は、 前記クリティカルパス回路を構成する前半遅延段の出力
    信号を第1所定動作時間でラッチする第1ラッチ回路
    と、 前記クリティカルパス回路を構成する後半遅延段の出力
    信号を第1所定動作時間でラッチする第2ラッチ回路
    と、 前記クリティカルパス回路を構成する後半遅延段の出力
    信号を第2所定動作時間でラッチする第3ラッチ回路
    と、 を有しており、各ラッチ回路の出力信号に基づいて前記
    内部回路の動作状態を検出することを特徴とする請求項
    5に記載の電圧変換回路。
  7. 【請求項7】前記選択信号生成回路は、前記レプリカ回
    路によって前記内部回路の動作速度が適切であると判断
    された場合であっても、第1、第2遅延回路の遅延時間
    をさらに長くすることができるか否かを判断する手段を
    有することを特徴とする請求項5または請求項6に記載
    の電圧変換回路。
  8. 【請求項8】前記出力パルス信号生成回路及び前記スイ
    ッチタイミング制御回路の電源電圧として前記フィルタ
    回路の出力電圧を供給するとともに、前記スイッチタイ
    ミング制御回路から送出される第1、第2制御信号をそ
    れぞれ昇圧して前記スイッチ回路を構成するPMOSト
    ランジスタ及びNMOSトランジスタの各ゲートに送出
    する昇圧レベルシフタを設けたことを特徴とする請求項
    1〜請求項7のいずれかに記載の電圧変換回路。
  9. 【請求項9】請求項1〜請求項8のいずれかに記載の電
    圧変換回路を備えた半導体集積回路装置。
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