JP2002223028A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】光情報システムにおける、発振波長が６００ｎ
ｍ以上、７００ｎｍ以下の高出力半導体レ−ザ装置、若
しくは光通信システムに於ける発振波長１．４７μｍ以
上、１．６２μｍ以下の半導体レ−ザ装置に好適な半導
体発光装置を提供する。 【解決手段】光共振器端面の少なくとも一方に、低屈折
率の第１の誘電体膜１４とこれより高い屈折率を有する
第２の誘電体膜１５の積層膜を有し、第２誘電体膜を含
窒素水素化硅素なる非晶質誘電体膜とする。
ｍ以上、７００ｎｍ以下の高出力半導体レ−ザ装置、若
しくは光通信システムに於ける発振波長１．４７μｍ以
上、１．６２μｍ以下の半導体レ−ザ装置に好適な半導
体発光装置を提供する。 【解決手段】光共振器端面の少なくとも一方に、低屈折
率の第１の誘電体膜１４とこれより高い屈折率を有する
第２の誘電体膜１５の積層膜を有し、第２誘電体膜を含
窒素水素化硅素なる非晶質誘電体膜とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体レ−ザ装
置に関するものである。本願発明は、特に、光情報シス
テムにおける、発振波長が６００ｎｍ以上、７００ｎｍ
以下の高出力半導体レ−ザ装置、若しくは光通信システ
ムに於ける発振波長１．４７μｍ以上、１．６２μｍ以
下の半導体レ−ザ装置に適用して極めて好適である。
置に関するものである。本願発明は、特に、光情報シス
テムにおける、発振波長が６００ｎｍ以上、７００ｎｍ
以下の高出力半導体レ−ザ装置、若しくは光通信システ
ムに於ける発振波長１．４７μｍ以上、１．６２μｍ以
下の半導体レ−ザ装置に適用して極めて好適である。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスクや光磁気ディスクの書
き込み用として、高出力高信頼半導体レ−ザが求められ
ている。これらの半導体レ−ザ装置には、長時間、安定
に基本モ−ドで動作することが要求される。これら半導
体レ−ザ装置の光出射面を形成する半導体表面上には、
絶縁膜からなるコ−ティング膜が形成されている。これ
は適正な反射率を得ることにより光取り出し効率を大き
くすると共に、閾値キャリア密度の増加による最大出力
の低下を防ぐ為である。このコ−ティング膜としては従
来、多くのレ−ザにおいて共振器面の一方に低反射率膜
として酸化硅素薄膜、他方に高反射率膜として酸化硅素
薄膜と水素化非晶質硅素薄膜からなる積層膜が用いられ
ている。こうしたコ−ティング膜に関しては、例えばア
プライド・フィジックス・レタ−ズ３４巻、６８５ペ−
ジ（Applied Physics Letters、Ｖｏｌ．３４、ｐ
ｐ．６８５）に記載のＴ． Ｕａｓａらによる報告等が
ある。
き込み用として、高出力高信頼半導体レ−ザが求められ
ている。これらの半導体レ−ザ装置には、長時間、安定
に基本モ−ドで動作することが要求される。これら半導
体レ−ザ装置の光出射面を形成する半導体表面上には、
絶縁膜からなるコ−ティング膜が形成されている。これ
は適正な反射率を得ることにより光取り出し効率を大き
くすると共に、閾値キャリア密度の増加による最大出力
の低下を防ぐ為である。このコ−ティング膜としては従
来、多くのレ−ザにおいて共振器面の一方に低反射率膜
として酸化硅素薄膜、他方に高反射率膜として酸化硅素
薄膜と水素化非晶質硅素薄膜からなる積層膜が用いられ
ている。こうしたコ−ティング膜に関しては、例えばア
プライド・フィジックス・レタ−ズ３４巻、６８５ペ−
ジ（Applied Physics Letters、Ｖｏｌ．３４、ｐ
ｐ．６８５）に記載のＴ． Ｕａｓａらによる報告等が
ある。
【０００３】また、光通信システムにおいては、更なる
大容量伝送に対応するために、波長多重光通信が実用化
されつつある。波長多重光通信では光変調器と光源であ
る半導体レ−ザ装置とをワンチップ化した変調器集積化
光源が用いられる。変調器集積化光源の光出射面には反
射防止膜がコ−ティングされる。こうしたコ−ティング
膜に関しては、例えばエレクトロニクス レタ−ズ ３
４巻、２０号、１９４６頁（Electronics Letters、Ｖ
ｏｌ．３４、ｎｏ．２０、ｐｐ．１９４６）に記載の
Ｋ．Ｋｕｄｏらによる報告などがある。
大容量伝送に対応するために、波長多重光通信が実用化
されつつある。波長多重光通信では光変調器と光源であ
る半導体レ−ザ装置とをワンチップ化した変調器集積化
光源が用いられる。変調器集積化光源の光出射面には反
射防止膜がコ−ティングされる。こうしたコ−ティング
膜に関しては、例えばエレクトロニクス レタ−ズ ３
４巻、２０号、１９４６頁（Electronics Letters、Ｖ
ｏｌ．３４、ｎｏ．２０、ｐｐ．１９４６）に記載の
Ｋ．Ｋｕｄｏらによる報告などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】多くの半導体レ−ザ装
置で従来用いられてきた高反射率コ−ティング膜は、酸
化硅素膜と水素化非晶質硅素薄膜からなる周期構造を有
する膜であり、反射率が所要の値となる様に設計されて
いる。ところが、出射光の密度が数MW／ｃｍ2と高い光
出力を有し、且つ発振波長１μｍ以下のレ−ザの場合、
このようなコ−ティング膜では定光出力連続駆動させる
と、動作時間に伴って急速に高反射率膜での光吸収が増
加し、定出力動作できなくなるという問題が生じた。
置で従来用いられてきた高反射率コ−ティング膜は、酸
化硅素膜と水素化非晶質硅素薄膜からなる周期構造を有
する膜であり、反射率が所要の値となる様に設計されて
いる。ところが、出射光の密度が数MW／ｃｍ2と高い光
出力を有し、且つ発振波長１μｍ以下のレ−ザの場合、
このようなコ−ティング膜では定光出力連続駆動させる
と、動作時間に伴って急速に高反射率膜での光吸収が増
加し、定出力動作できなくなるという問題が生じた。
【０００５】レ−ザ動作に伴う光の吸収により水素化非
晶質硅素膜が加熱され、膜中の水素原子が硅素原子との
結合から外れる。このため光学的バンドギャップが狭く
なり、非晶質硅素膜での光吸収が増大する。これにより
実効的な量子効率が低下し、動作電流が増加する。この
ため高出力レ−ザには不適であった。
晶質硅素膜が加熱され、膜中の水素原子が硅素原子との
結合から外れる。このため光学的バンドギャップが狭く
なり、非晶質硅素膜での光吸収が増大する。これにより
実効的な量子効率が低下し、動作電流が増加する。この
ため高出力レ−ザには不適であった。
【０００６】これ等の問題を解決するために窒化硅素薄
膜が用いられることもあるが、窒化硅素薄膜の屈折率
は、概ね１．９５以下であり、酸化硅素薄膜の屈折率と
の差は小さい。このため半導体レ−ザ装置の端面保護膜
に用いた時、５周期以上と２倍の層数を必要とする。こ
れに対して、これまでの水素化非晶質硅素薄膜を用いた
場合では、２周期より３周期の周期構造を有する膜で所
定の反射率が得られていた。また、窒化硅素薄膜の膜厚
のばらつきの許容度も±６％と極めて小さくなる。
膜が用いられることもあるが、窒化硅素薄膜の屈折率
は、概ね１．９５以下であり、酸化硅素薄膜の屈折率と
の差は小さい。このため半導体レ−ザ装置の端面保護膜
に用いた時、５周期以上と２倍の層数を必要とする。こ
れに対して、これまでの水素化非晶質硅素薄膜を用いた
場合では、２周期より３周期の周期構造を有する膜で所
定の反射率が得られていた。また、窒化硅素薄膜の膜厚
のばらつきの許容度も±６％と極めて小さくなる。
【０００７】本願発明の第１の目的は、発振波長６００
ｎｍ以上、１μｍ以下で出射光密度が数ＭＷ／ｃｍ2以
上の高出力発光に対しても、安定動作を長期間確保する
ことが出来る半導体発光装置を提供するものである。本
願発明によれば、作製が容易で長時間動作後にも動作電
流の増加が少ない。従って、本願発明は、長寿命で信頼
性の高い半導体発光を提供することが出来る。
ｎｍ以上、１μｍ以下で出射光密度が数ＭＷ／ｃｍ2以
上の高出力発光に対しても、安定動作を長期間確保する
ことが出来る半導体発光装置を提供するものである。本
願発明によれば、作製が容易で長時間動作後にも動作電
流の増加が少ない。従って、本願発明は、長寿命で信頼
性の高い半導体発光を提供することが出来る。
【０００８】更に、波長多重光通信に用いられる変調器
集積化光源では、その光出射面の反射防止膜の反射率は
通例０．１％以下が要求される。波長多重度が高くなり
波長範囲が広くなると全波長範囲で反射率０．１％以下
を満たす反射防止膜を満たすことは困難になる。
集積化光源では、その光出射面の反射防止膜の反射率は
通例０．１％以下が要求される。波長多重度が高くなり
波長範囲が広くなると全波長範囲で反射率０．１％以下
を満たす反射防止膜を満たすことは困難になる。
【０００９】本願発明は、更に、波長多重光通信に用い
られる発振波長１．４７μｍから１．６２μｍの波長範
囲において、反射率０．１％以下を満たす反射防止膜を
容易に提供することに有る。
られる発振波長１．４７μｍから１．６２μｍの波長範
囲において、反射率０．１％以下を満たす反射防止膜を
容易に提供することに有る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願発明の主な諸形態を
列挙すれば次の通りである。
列挙すれば次の通りである。
【００１１】本願発明の第１の形態は、光共振器端面の
少なくとも一方に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜が硅素と水素
と窒素を有してなる非晶質誘電体膜なることを特徴とす
る半導体発光装置である。
少なくとも一方に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜が硅素と水素
と窒素を有してなる非晶質誘電体膜なることを特徴とす
る半導体発光装置である。
【００１２】本願発明の第２の形態は、光共振器端面の
少なくとも一方に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜は、硅素と水
素と窒素を有してなり、且つ当該半導体発光装置の発振
波長の光に対する屈折率が２．５以上の非晶質誘電体膜
なることを特徴とする半導体発光装置である。
少なくとも一方に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜は、硅素と水
素と窒素を有してなり、且つ当該半導体発光装置の発振
波長の光に対する屈折率が２．５以上の非晶質誘電体膜
なることを特徴とする半導体発光装置である。
【００１３】本願発明の第３の形態は、光共振器端面の
少なくとも一方に、屈折率の第１の誘電体膜とこれより
高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層膜
を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜は、硅素と水素
と窒素を有してなり、且つ当該半導体発光装置の発振波
長の光に対する屈折率が２．５以上、消衰係数が０．０
０５以下の非晶質誘電体膜なることを特徴とする半導体
発光装置である。
少なくとも一方に、屈折率の第１の誘電体膜とこれより
高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層膜
を有し、前記高屈折率の第２の誘電体膜は、硅素と水素
と窒素を有してなり、且つ当該半導体発光装置の発振波
長の光に対する屈折率が２．５以上、消衰係数が０．０
０５以下の非晶質誘電体膜なることを特徴とする半導体
発光装置である。
【００１４】このように、本願発明の係わる硅素と水素
と窒素を有してなる非晶質誘電体膜を、ＨＲ（Ｈｉｇｈ
−Ｒｅｆｅｒｅｃｔｉｏｎ）膜あるいはＡＲ（Ａｎｔｉ
−Ｒｅｆｒｅｃｔｉｏｎ）膜の構成部材として用いるも
のである。ＨＲ膜あるいはＡＲ膜としての設計法は通例
の方法に従って十分である。
と窒素を有してなる非晶質誘電体膜を、ＨＲ（Ｈｉｇｈ
−Ｒｅｆｅｒｅｃｔｉｏｎ）膜あるいはＡＲ（Ａｎｔｉ
−Ｒｅｆｒｅｃｔｉｏｎ）膜の構成部材として用いるも
のである。ＨＲ膜あるいはＡＲ膜としての設計法は通例
の方法に従って十分である。
【００１５】ＨＲ膜を形成する為、高い屈折率と低い屈
折率の膜を積層するが、本願発明に係わる非晶質誘電体
膜がより高屈折率を確保することが出来、極めて好まし
いのである。積層の周期は、反射率の要求及び光の吸収
の程度を勘案して設計される。実用的には、２周期より
５周期程度が多用され、その代表例は、例えば３周期で
ある。
折率の膜を積層するが、本願発明に係わる非晶質誘電体
膜がより高屈折率を確保することが出来、極めて好まし
いのである。積層の周期は、反射率の要求及び光の吸収
の程度を勘案して設計される。実用的には、２周期より
５周期程度が多用され、その代表例は、例えば３周期で
ある。
【００１６】ここで、本願発明の諸非晶質誘電体膜を用
いた積層被覆膜は、発振波長が６００ｎｍ以上の化合物
半導体発光装置に好適である。即ち、この積層被覆膜
は、６００ｎｍより６８０ｎｍ程度のいわゆる６５０ｎ
ｍ帯の短波長帯の半導体発光装置のＨＲ膜として好適で
ある。当該諸非晶質誘電体膜は、高反射率を維持しつ
つ、且つ当該半導体発光の発振波長の光に対する光吸収
が小さい。従って、半導体発光装置の定出力動作を可能
とする。
いた積層被覆膜は、発振波長が６００ｎｍ以上の化合物
半導体発光装置に好適である。即ち、この積層被覆膜
は、６００ｎｍより６８０ｎｍ程度のいわゆる６５０ｎ
ｍ帯の短波長帯の半導体発光装置のＨＲ膜として好適で
ある。当該諸非晶質誘電体膜は、高反射率を維持しつ
つ、且つ当該半導体発光の発振波長の光に対する光吸収
が小さい。従って、半導体発光装置の定出力動作を可能
とする。
【００１７】他方、１．３μｍより１．５５μｍにかけ
てのいわゆる長波長帯の半導体発光装置においては、当
該誘電体膜はＡＲ膜（いわゆる、無反射膜）としての膜
厚の制御が容易となる。即ち、このことは、誘電体膜の
膜厚の許容範囲が大きくなることである。
てのいわゆる長波長帯の半導体発光装置においては、当
該誘電体膜はＡＲ膜（いわゆる、無反射膜）としての膜
厚の制御が容易となる。即ち、このことは、誘電体膜の
膜厚の許容範囲が大きくなることである。
【００１８】又、前記非晶質誘電体膜が酸素非含有の非
晶質誘電体膜なることが、わけても好ましい。尚、当該
非晶質誘電体膜を形成する過程で、この非晶質誘電体膜
微量の酸素、例えば、０．１％程度が残留することもあ
る。この程度の酸素は、本願発明の実施に当っては問題
ない。しかし、出来る限り酸素の混入あるいは残存を避
けることが好ましい。それは、酸素の存在が、屈折率の
低下を招くからである。
晶質誘電体膜なることが、わけても好ましい。尚、当該
非晶質誘電体膜を形成する過程で、この非晶質誘電体膜
微量の酸素、例えば、０．１％程度が残留することもあ
る。この程度の酸素は、本願発明の実施に当っては問題
ない。しかし、出来る限り酸素の混入あるいは残存を避
けることが好ましい。それは、酸素の存在が、屈折率の
低下を招くからである。
【００１９】
【発明の実施の形態】本願発明の具体的な実施の形態を
説明するに先立って、本願発明の主な諸形態を列挙する
と共に、本願発明の基本的事項について説明する。
説明するに先立って、本願発明の主な諸形態を列挙する
と共に、本願発明の基本的事項について説明する。
【００２０】本願発明の代表的な形態は、前述した通
り、半導体基板の上部に形成された、半導体結晶を有し
てなる光共振器を有し、この共振器の少なくとも一方の
端面に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折
率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、
前記高屈折率の第２の誘電体膜が硅素と水素と窒素を有
してなる非晶質誘電体膜なることを特徴とする半導体発
光装置である。ここで、半導体発光装置は、半導体レー
ザ装置が典型的な形態である。しかし、後述するよう
に、レーザ発振部に対して、例えば、光変調器部などを
一つの基板に集積した光発光装置などに対しても、同様
に本願発明は有用である。
り、半導体基板の上部に形成された、半導体結晶を有し
てなる光共振器を有し、この共振器の少なくとも一方の
端面に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折
率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、
前記高屈折率の第２の誘電体膜が硅素と水素と窒素を有
してなる非晶質誘電体膜なることを特徴とする半導体発
光装置である。ここで、半導体発光装置は、半導体レー
ザ装置が典型的な形態である。しかし、後述するよう
に、レーザ発振部に対して、例えば、光変調器部などを
一つの基板に集積した光発光装置などに対しても、同様
に本願発明は有用である。
【００２１】又、前記低屈折率の第１の誘電体膜は、半
導体レーザ装置、半導体発光装置の分野で用いられる通
例の材料を用いて十分である。その代表的な例は、二酸
化硅素（ＳｉＯ2）である。その他の材料例として、例
えば、ＭｇＦ、Ａｌ2Ｏ3を挙げることが出来る。
導体レーザ装置、半導体発光装置の分野で用いられる通
例の材料を用いて十分である。その代表的な例は、二酸
化硅素（ＳｉＯ2）である。その他の材料例として、例
えば、ＭｇＦ、Ａｌ2Ｏ3を挙げることが出来る。
【００２２】上述の基本形態を踏まえて、本願の実施の
諸形態を以下に列挙する。
諸形態を以下に列挙する。
【００２３】本願の実施の形態の代表的な第１の形態
は、光出射面に所定の反射率を得るために、低屈折率膜
と高屈折率膜の積層から成るコ−ティング膜を用いる半
導体レ−ザ装置において、高屈折率膜として、少なくと
も硅素と水素と窒素からなり、且つ酸素を含まない非晶
質膜が用いられ、且つ発振波長の光に対する屈折率が
２．５以上、且つ消衰係数が０．００５以下であること
を特徴とする半導体レ−ザ装置である。
は、光出射面に所定の反射率を得るために、低屈折率膜
と高屈折率膜の積層から成るコ−ティング膜を用いる半
導体レ−ザ装置において、高屈折率膜として、少なくと
も硅素と水素と窒素からなり、且つ酸素を含まない非晶
質膜が用いられ、且つ発振波長の光に対する屈折率が
２．５以上、且つ消衰係数が０．００５以下であること
を特徴とする半導体レ−ザ装置である。
【００２４】本願の代表的な第２の形態は、前記高屈折
率膜として用いられる該非晶質膜が気相反応により形成
されている形態である。
率膜として用いられる該非晶質膜が気相反応により形成
されている形態である。
【００２５】本願の代表的な第３の形態は、前記各半導
体レ−ザ装置の発振波長が６００ｎｍ以上であり、光出
力が１×１０6Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする半
導体レ−ザ装置である。
体レ−ザ装置の発振波長が６００ｎｍ以上であり、光出
力が１×１０6Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする半
導体レ−ザ装置である。
【００２６】本願の代表的な第４の形態は、前記半導体
レ−ザ装置において、高屈折率膜として用いられる該非
晶質膜の水素と硅素の原子数比が１／５±１０％の範囲
に制御され、且つ、窒素と硅素の原子数比が１／８以下
に、より望ましくは１／１０以下に制御されていること
を特徴とする半導体レ−ザ装置である。水素の含有量
は、前記の範囲外では、光の吸収が増大する。一方、窒
素の含有量は、前記の範囲外では屈折率が減少する。
レ−ザ装置において、高屈折率膜として用いられる該非
晶質膜の水素と硅素の原子数比が１／５±１０％の範囲
に制御され、且つ、窒素と硅素の原子数比が１／８以下
に、より望ましくは１／１０以下に制御されていること
を特徴とする半導体レ−ザ装置である。水素の含有量
は、前記の範囲外では、光の吸収が増大する。一方、窒
素の含有量は、前記の範囲外では屈折率が減少する。
【００２７】尚、一般に当該非晶質シリコン膜には、原
子％で、窒素は４％より４０％程度、水素は１０％より
２０％程度含有している。
子％で、窒素は４％より４０％程度、水素は１０％より
２０％程度含有している。
【００２８】本願の代表的な第５の形態は、前記各半導
体レ−ザ装置において、発振波長が１．５５μｍ±８０
ｎｍであり、且つ高屈折率膜として用いられる該非晶質
膜の発振波長の光に対する屈折率の２乗の値が、低屈折
率膜の屈折率の２乗と半導体レ−ザの発光領域の実効屈
折率との積に等しく、高屈折率膜が半導体レ−ザの表面
に接し、低屈折率膜が大気に接し、且つ該高屈折率膜と
該低屈折率膜が何れも四分の一波長の光学長を有するこ
とを特徴とする半導体レ−ザ装置である。
体レ−ザ装置において、発振波長が１．５５μｍ±８０
ｎｍであり、且つ高屈折率膜として用いられる該非晶質
膜の発振波長の光に対する屈折率の２乗の値が、低屈折
率膜の屈折率の２乗と半導体レ−ザの発光領域の実効屈
折率との積に等しく、高屈折率膜が半導体レ−ザの表面
に接し、低屈折率膜が大気に接し、且つ該高屈折率膜と
該低屈折率膜が何れも四分の一波長の光学長を有するこ
とを特徴とする半導体レ−ザ装置である。
【００２９】本願の代表的な第６の形態は、前記第５の
形態において、前記低屈折率膜として二酸化硅素膜を用
い、且つ高屈折率膜として用いられる前記非晶質膜の発
振波長の光に対する屈折率が、２．５７５±０．０１で
あることを特徴とする半導体レ−ザ装置である。
形態において、前記低屈折率膜として二酸化硅素膜を用
い、且つ高屈折率膜として用いられる前記非晶質膜の発
振波長の光に対する屈折率が、２．５７５±０．０１で
あることを特徴とする半導体レ−ザ装置である。
【００３０】これまで、本願発明の代表的な諸形態を列
挙してきたが、以下に本願発明に係わる非晶質硅素薄膜
について説明する。
挙してきたが、以下に本願発明に係わる非晶質硅素薄膜
について説明する。
【００３１】本願発明の目的に対して、当該非晶質硅素
薄膜を、スパッタ法、蒸着法、或いは化学気相蒸着法等
を用いて形成する際に、少量の窒素分子、窒素原子、窒
素ラジカル、窒素イオン、或いは窒素を含み、且つ酸素
を含まない分子、ラジカル若しくはイオンを原料中に、
若しくは雰囲気中に添加することが肝要である。気相反
応を用いて水素化非晶質硅素膜を形成する際、一般に水
素濃度が高くなるほど光の吸収端波長が短くなる。しか
し一定濃度以上に水素濃度が高くなると、Ｓｉ−Ｈ
n（ｎ≧２）結合が増加し、Ｓｉ−Ｈ結合の密度は飽和
する。ところで、水素化非晶質硅素薄膜の光学的バンド
ギャップの大きさはＳｉ−Ｈ結合の密度に依存する。そ
のため吸収端波長は、概ね９００ｎｍで飽和する。非晶
質硅素膜の吸収端波長を短くするためには、非晶質硅素
膜の光学的バンドギャップを広げる効果を有する水素以
外の元素を添加することが必要である。この時、非晶質
硅素膜の屈折率が小さくならないように留意する必要が
ある。窒素を他の原料ガスと同時に供給すれば、Ｓｉ−
Ｈ結合と共にSｉ−Ｎ結合が生成し、屈折率の低下を抑
制しながら、光の吸収を減少させることが可能となる。
尚、本願発明の水素化非晶質硅素膜は、Ｓｉ−Ｓｉ結合
が主たる結合を形成し、この中にＨ原子およびＮ原子が
導入された形態を呈すると目される。
薄膜を、スパッタ法、蒸着法、或いは化学気相蒸着法等
を用いて形成する際に、少量の窒素分子、窒素原子、窒
素ラジカル、窒素イオン、或いは窒素を含み、且つ酸素
を含まない分子、ラジカル若しくはイオンを原料中に、
若しくは雰囲気中に添加することが肝要である。気相反
応を用いて水素化非晶質硅素膜を形成する際、一般に水
素濃度が高くなるほど光の吸収端波長が短くなる。しか
し一定濃度以上に水素濃度が高くなると、Ｓｉ−Ｈ
n（ｎ≧２）結合が増加し、Ｓｉ−Ｈ結合の密度は飽和
する。ところで、水素化非晶質硅素薄膜の光学的バンド
ギャップの大きさはＳｉ−Ｈ結合の密度に依存する。そ
のため吸収端波長は、概ね９００ｎｍで飽和する。非晶
質硅素膜の吸収端波長を短くするためには、非晶質硅素
膜の光学的バンドギャップを広げる効果を有する水素以
外の元素を添加することが必要である。この時、非晶質
硅素膜の屈折率が小さくならないように留意する必要が
ある。窒素を他の原料ガスと同時に供給すれば、Ｓｉ−
Ｈ結合と共にSｉ−Ｎ結合が生成し、屈折率の低下を抑
制しながら、光の吸収を減少させることが可能となる。
尚、本願発明の水素化非晶質硅素膜は、Ｓｉ−Ｓｉ結合
が主たる結合を形成し、この中にＨ原子およびＮ原子が
導入された形態を呈すると目される。
【００３２】図１に、波長６５０ｎｍの光に対する、窒
素を添加した非晶質水素化硅素膜の屈折率と消衰係数の
窒素供給量依存性の一例を示す。横軸は膜の形成時の雰
囲気への窒素の供給量、縦軸は当該誘電体膜の屈折率及
び消衰係数である。この例より、窒素の少量の添加によ
り、光の吸収が大幅に低減することが可能となることが
判る。即ち、屈折率の低下を抑えつつ、光の吸収が大幅
に低下するのである。このような事実を利用し、本願発
明によれば、例えば、波長０．６８μｍ、または０．６
５μｍのレーザ光を１MW／ｃｍ2以上の出力で発振する
光記録装置用レ−ザ素子のみならず、例えば波長０．９
８μｍの光を２ＭＷ／ｃｍ2以上の出力で発振するレ−
ザ素子においても、動作時間に伴い素子特性が劣化する
問題を解決することができる。同様に、水素化非晶質硅
素膜に窒素を添加することにより、屈折率を２から３の
範囲で任意に制御することが可能となり、広い波長範囲
で反射率を０．１％以下に制御することが可能となる。
前記反射率を０．１％以下に制御することで、光射出面
からＬＤ側へ反射された光により生ずる伝送信号の乱れ
を抑制することが出来る。即ち、前記反射率の範囲で、
実効的に信号の乱れを無視することが出来る。 ＜実施例１＞本願発明の第１の実施例を図２及び図３を
用いて説明する。本実施例は、光ディスクや光磁気ディ
スクの書き込み用として用いられる６８０ｎｍ帯高出力
半導体レ−ザ（ＬＤ）に適用したものである。図２は半
導体レ−ザ装置の光の進行方向に交差する面での断面図
である。図３は半導体レ−ザ装置の平面構造図である。
素を添加した非晶質水素化硅素膜の屈折率と消衰係数の
窒素供給量依存性の一例を示す。横軸は膜の形成時の雰
囲気への窒素の供給量、縦軸は当該誘電体膜の屈折率及
び消衰係数である。この例より、窒素の少量の添加によ
り、光の吸収が大幅に低減することが可能となることが
判る。即ち、屈折率の低下を抑えつつ、光の吸収が大幅
に低下するのである。このような事実を利用し、本願発
明によれば、例えば、波長０．６８μｍ、または０．６
５μｍのレーザ光を１MW／ｃｍ2以上の出力で発振する
光記録装置用レ−ザ素子のみならず、例えば波長０．９
８μｍの光を２ＭＷ／ｃｍ2以上の出力で発振するレ−
ザ素子においても、動作時間に伴い素子特性が劣化する
問題を解決することができる。同様に、水素化非晶質硅
素膜に窒素を添加することにより、屈折率を２から３の
範囲で任意に制御することが可能となり、広い波長範囲
で反射率を０．１％以下に制御することが可能となる。
前記反射率を０．１％以下に制御することで、光射出面
からＬＤ側へ反射された光により生ずる伝送信号の乱れ
を抑制することが出来る。即ち、前記反射率の範囲で、
実効的に信号の乱れを無視することが出来る。 ＜実施例１＞本願発明の第１の実施例を図２及び図３を
用いて説明する。本実施例は、光ディスクや光磁気ディ
スクの書き込み用として用いられる６８０ｎｍ帯高出力
半導体レ−ザ（ＬＤ）に適用したものである。図２は半
導体レ−ザ装置の光の進行方向に交差する面での断面図
である。図３は半導体レ−ザ装置の平面構造図である。
【００３３】素子作製手順に従って、本例の構造を説明
する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓバッファ層
２、ＧａＡｓに格子整合したｎ−（ＡｌxＧａ1-x）Ｉｎ
Ｐクラッド層（ｘ＝０．７）３、ＧａＡｓに格子整合し
た（ＡｌyＧａ1-y）ＩｎＰ障壁層（ｙ＝０．４５、障壁
層厚４ｎｍ）とＩｎzＧａ1-zＰ歪量子井戸層（ｚ＝０．
６、井戸層厚：８ｎｍ）、及び（ＡｌsＧａ1-s）ＩｎＰ
になるＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｍｅｎ
ｔｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層（ｓ＝０．
５５、障壁層厚：４ｎｍ）とから構成される歪量子井戸
活性層４、ＧａＡｓに格子整合したｐ−（ＡｌtＧ
ａ1-t）ＩｎＰクラッド層（ｔ＝０．７）５、ＧａＡｓ
に格子整合したｐ−ＩｎＧａＰになるエッチストップ層
６、ＧａＡｓに格子整合したｐ−（ＡｌuＧａ1-u）Ｉｎ
Ｐクラッド層（ｕ＝０．７）７、ｐ−Ａｌ vＧａ1-vＡｓ
キャップ層（ｖ＝０．７）８を順次形成する。半導体膜
の形成は、ＭＯＶＰＥ法、ＣＢＥ法、またはＭＢＥ法に
よる。
する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓバッファ層
２、ＧａＡｓに格子整合したｎ−（ＡｌxＧａ1-x）Ｉｎ
Ｐクラッド層（ｘ＝０．７）３、ＧａＡｓに格子整合し
た（ＡｌyＧａ1-y）ＩｎＰ障壁層（ｙ＝０．４５、障壁
層厚４ｎｍ）とＩｎzＧａ1-zＰ歪量子井戸層（ｚ＝０．
６、井戸層厚：８ｎｍ）、及び（ＡｌsＧａ1-s）ＩｎＰ
になるＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｍｅｎ
ｔｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層（ｓ＝０．
５５、障壁層厚：４ｎｍ）とから構成される歪量子井戸
活性層４、ＧａＡｓに格子整合したｐ−（ＡｌtＧ
ａ1-t）ＩｎＰクラッド層（ｔ＝０．７）５、ＧａＡｓ
に格子整合したｐ−ＩｎＧａＰになるエッチストップ層
６、ＧａＡｓに格子整合したｐ−（ＡｌuＧａ1-u）Ｉｎ
Ｐクラッド層（ｕ＝０．７）７、ｐ−Ａｌ vＧａ1-vＡｓ
キャップ層（ｖ＝０．７）８を順次形成する。半導体膜
の形成は、ＭＯＶＰＥ法、ＣＢＥ法、またはＭＢＥ法に
よる。
【００３４】次に、酸化膜をマスク領域として、通例の
エッチング工程により、図２の符号７及び８に示される
ようなリッジ形状を形成する。このときのエッチングは
湿式法、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオンミリング等、方法を
問わない。エッチングはｐ−ＩｎＧａＰになるエッチス
トップ層６で止め、歪量子井戸活性層４に達しないよう
にする。
エッチング工程により、図２の符号７及び８に示される
ようなリッジ形状を形成する。このときのエッチングは
湿式法、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、イオンミリング等、方法を
問わない。エッチングはｐ−ＩｎＧａＰになるエッチス
トップ層６で止め、歪量子井戸活性層４に達しないよう
にする。
【００３５】次に、エッチングマスクとして用いた酸化
膜を選択成長用のマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄
層９をＭＯＶＰＥ法により選択成長する。ｎ−ＧａＡｓ
電流狭窄層９は図２に示される。その後、成長炉からウ
エハを取りだし、選択成長用マスクとして用いた酸化膜
を、エッチングにより除去する。その後、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１０をＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法により
形成する。
膜を選択成長用のマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄
層９をＭＯＶＰＥ法により選択成長する。ｎ−ＧａＡｓ
電流狭窄層９は図２に示される。その後、成長炉からウ
エハを取りだし、選択成長用マスクとして用いた酸化膜
を、エッチングにより除去する。その後、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１０をＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法により
形成する。
【００３６】更に、ｐ側オ−ミック電極１１、ｎ側オ−
ミック電極１２を形成した後、劈開法により共振器長約
６００μｍのレ−ザ素子の基本構造を得た。
ミック電極１２を形成した後、劈開法により共振器長約
６００μｍのレ−ザ素子の基本構造を得た。
【００３７】この後、反応性スパッタ法を用いて、こう
して準備したレーザ素子の前面に、厚さλ／４（λ：発
振波長）の光学長を有する酸化アルミニウム（Ａｌ
2O3）膜を順次形成して低反射率（ＡＲ）膜１３を形成
した。この膜形成の位置は、光の出力面より共振器長に
向かってｚ軸をとると、ｚ＝０の位置に相当する。この
座標軸は図３に示される。
して準備したレーザ素子の前面に、厚さλ／４（λ：発
振波長）の光学長を有する酸化アルミニウム（Ａｌ
2O3）膜を順次形成して低反射率（ＡＲ）膜１３を形成
した。この膜形成の位置は、光の出力面より共振器長に
向かってｚ軸をとると、ｚ＝０の位置に相当する。この
座標軸は図３に示される。
【００３８】一方、レーザ素子の後面（座標は、ｚ＝Ｌ
に相当する）に、厚さλ／４の光学長の酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ2）膜１４と本発明による厚さλ／４の光学長の窒素
添加水素化非晶質硅素（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）と略
記する）膜１５の６層膜とからなる高反射率（ＨＲ）膜
１６を形成した。
に相当する）に、厚さλ／４の光学長の酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ2）膜１４と本発明による厚さλ／４の光学長の窒素
添加水素化非晶質硅素（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）と略
記する）膜１５の６層膜とからなる高反射率（ＨＲ）膜
１６を形成した。
【００３９】a−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）膜はＥＣＲスパッタ法
により成膜した。この方法は、通例の製膜装置内に、Ａ
ｒガスを２０ｓｃｃｍ、水素ガスを６ｓｃｃｍ、及び窒
素ガスを０．５ｓｃｃｍ導入し、電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）出力５００Wでプラズマを発生させ、Ｓｉ
タ−ゲットに５００Wの高周波（ＲＦ）出力を印加する
ものである。これにより波長０．６８μｍの光に対する
屈折率が２．５で吸収のない膜が形成できた。窒素と水
素と硅素の原子数比は１／２／１０であった。その後、
素子を接合面を上にして、ヒ−トシンク上にボンディン
グした。試作した素子は、しきい値電流約１４ｍＡで室
温連続発振し、その発振波長は約０．６８μｍであっ
た。また、素子は１５０ｍＷまで安定に横単一モ−ド発
振した。また、最大光出力として３００ｍＷ以上の光出
力を得た。また、３０個の素子について環境温度摂氏８
０度の条件下で５０ｍＷの定光出力連続駆動させたとこ
ろ、初期駆動電流は約２００ｍＡであり、全ての素子
で、ＨＲ膜の劣化なしに５万時間以上安定に動作した。
により成膜した。この方法は、通例の製膜装置内に、Ａ
ｒガスを２０ｓｃｃｍ、水素ガスを６ｓｃｃｍ、及び窒
素ガスを０．５ｓｃｃｍ導入し、電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）出力５００Wでプラズマを発生させ、Ｓｉ
タ−ゲットに５００Wの高周波（ＲＦ）出力を印加する
ものである。これにより波長０．６８μｍの光に対する
屈折率が２．５で吸収のない膜が形成できた。窒素と水
素と硅素の原子数比は１／２／１０であった。その後、
素子を接合面を上にして、ヒ−トシンク上にボンディン
グした。試作した素子は、しきい値電流約１４ｍＡで室
温連続発振し、その発振波長は約０．６８μｍであっ
た。また、素子は１５０ｍＷまで安定に横単一モ−ド発
振した。また、最大光出力として３００ｍＷ以上の光出
力を得た。また、３０個の素子について環境温度摂氏８
０度の条件下で５０ｍＷの定光出力連続駆動させたとこ
ろ、初期駆動電流は約２００ｍＡであり、全ての素子
で、ＨＲ膜の劣化なしに５万時間以上安定に動作した。
【００４０】本実施例では薄膜形成法としてＥＣＲスパ
ッタリング法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラ
ズマ支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（Ｅ
Ｂ）蒸着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波
プラズマ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、
マグネトロンスパッタ法等を用いてもよい。窒素源とし
て窒素ガスを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分
子、例えば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ
2H4）、アジ化水素（HＮ3）等を用いても良い。また、
窒素を水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、Ｅ
ＣＲプラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或
いは熱励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて
活性ラジカル線或いはイオン線、原子線として供給して
も良い事はいう迄もない。
ッタリング法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラ
ズマ支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（Ｅ
Ｂ）蒸着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波
プラズマ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、
マグネトロンスパッタ法等を用いてもよい。窒素源とし
て窒素ガスを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分
子、例えば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ
2H4）、アジ化水素（HＮ3）等を用いても良い。また、
窒素を水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、Ｅ
ＣＲプラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或
いは熱励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて
活性ラジカル線或いはイオン線、原子線として供給して
も良い事はいう迄もない。
【００４１】図７に、６５０ｎｍ帯の本願発明の半導体
レーザ装置における、窒素含有非晶質水素化シリコン膜
と二酸化シリコン膜の積層膜の反射率の特性例を示す。
前記積層膜は前記２つの膜の３周期の積層の例である。
合わせて、ＳｉＮ／ＳｉＯ2積層の３周期の積層膜の反
射率の特性を例示する。横軸は波長、縦軸は反射率
（％）である。曲線１が本願発明に係わる窒素含有非晶
質水素化シリコン膜を用いた積層膜、曲線２がＳｉＮ／
ＳｉＯ2積層膜の例である。この比較によって、本願発
明に係わる積層膜はより広い波長範囲で、より高い反射
率を得ることが出来る旨が理解されるであろう。 ＜実施例２＞本願発明の第２の実施例を図４及び図５を
用いて説明する。本実施例は、本願発明を光伝送システ
ムで中継器あるいは受信器に用いられる希土類添加光フ
ァイバ増幅器励起用０．９８μｍ帯高出力半導体レ−ザ
に適用したものである。図４は半導体レーザ装置の光の
進行方向に交差する面での断面を示す断面図、図５はフ
ァブリ・ペロ−型共振器を有する半導体レ−ザの平面図
である。
レーザ装置における、窒素含有非晶質水素化シリコン膜
と二酸化シリコン膜の積層膜の反射率の特性例を示す。
前記積層膜は前記２つの膜の３周期の積層の例である。
合わせて、ＳｉＮ／ＳｉＯ2積層の３周期の積層膜の反
射率の特性を例示する。横軸は波長、縦軸は反射率
（％）である。曲線１が本願発明に係わる窒素含有非晶
質水素化シリコン膜を用いた積層膜、曲線２がＳｉＮ／
ＳｉＯ2積層膜の例である。この比較によって、本願発
明に係わる積層膜はより広い波長範囲で、より高い反射
率を得ることが出来る旨が理解されるであろう。 ＜実施例２＞本願発明の第２の実施例を図４及び図５を
用いて説明する。本実施例は、本願発明を光伝送システ
ムで中継器あるいは受信器に用いられる希土類添加光フ
ァイバ増幅器励起用０．９８μｍ帯高出力半導体レ−ザ
に適用したものである。図４は半導体レーザ装置の光の
進行方向に交差する面での断面を示す断面図、図５はフ
ァブリ・ペロ−型共振器を有する半導体レ−ザの平面図
である。
【００４２】次に、素子作製の手順に従って、本例の構
造を説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッフ
ァ層２、ＧａＡｓに格子整合したｎ−ＩｎＧａＰクラッ
ド層１７、Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y障壁層（ｘ＝０．８
２、ｙ＝０．６３、障壁層厚３５ｎｍ）とＩｎzＧａ1-z
Ａｓ歪量子井戸層（ｚ＝０．１６、井戸層厚７ｎｍ）か
ら構成される歪量子井戸活性層１８、ＧａＡｓ基板に格
子整合したｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１９、ｐ−ＧａＡ
ｓ光導波路層２０、ＧａＡｓに格子整合したｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層２１、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２２を順
次形成する。その形成方法は、例えば、MOVＰE法、また
はガスソ−スＭＢＥ法、またはＣＢＥ法などによる。
造を説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッフ
ァ層２、ＧａＡｓに格子整合したｎ−ＩｎＧａＰクラッ
ド層１７、Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y障壁層（ｘ＝０．８
２、ｙ＝０．６３、障壁層厚３５ｎｍ）とＩｎzＧａ1-z
Ａｓ歪量子井戸層（ｚ＝０．１６、井戸層厚７ｎｍ）か
ら構成される歪量子井戸活性層１８、ＧａＡｓ基板に格
子整合したｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１９、ｐ−ＧａＡ
ｓ光導波路層２０、ＧａＡｓに格子整合したｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層２１、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２２を順
次形成する。その形成方法は、例えば、MOVＰE法、また
はガスソ−スＭＢＥ法、またはＣＢＥ法などによる。
【００４３】次に、酸化膜をマスク領域に、通例のホト
エッチング工程により図４に示すようなリッジ２１を形
成する。このときのエッチングは湿式法、ＲＩＥ、ＲＩ
ＢＥ、イオンミリング等、方法を問わない。エッチング
はＰ−ＧａＡｓ光導波路層２２を完全に除去し、且つ歪
量子井戸活性層１８に達しないようにｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層１９の途中で止まるようにする。
エッチング工程により図４に示すようなリッジ２１を形
成する。このときのエッチングは湿式法、ＲＩＥ、ＲＩ
ＢＥ、イオンミリング等、方法を問わない。エッチング
はＰ−ＧａＡｓ光導波路層２２を完全に除去し、且つ歪
量子井戸活性層１８に達しないようにｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層１９の途中で止まるようにする。
【００４４】次に、エッチングマスクとして用いた酸化
膜を選択成長のマスクとして、図４に示すようにｎ−Ｉ
ｎＧａＰ電流狭窄層２３をＭＯＶＰＥ法により選択成長
する。その後、成長炉からウエハを取り出し、選択成長
マスクとして用いた酸化膜をエッチングにより除去す
る。その後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０をＭＯＶＰ
Ｅ法またはＭＢＥ法により形成する。ｐ側オ−ミック電
極１１、ｎ側オ−ミック電極１２を形成した後、劈開法
により共振器長約９００μｍのレ−ザ素子を得る。
膜を選択成長のマスクとして、図４に示すようにｎ−Ｉ
ｎＧａＰ電流狭窄層２３をＭＯＶＰＥ法により選択成長
する。その後、成長炉からウエハを取り出し、選択成長
マスクとして用いた酸化膜をエッチングにより除去す
る。その後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０をＭＯＶＰ
Ｅ法またはＭＢＥ法により形成する。ｐ側オ−ミック電
極１１、ｎ側オ−ミック電極１２を形成した後、劈開法
により共振器長約９００μｍのレ−ザ素子を得る。
【００４５】この後、素子の前面（先に、説明した座標
軸を取ると、ｚ＝０の位置である）にＥＣＲスパッタリ
ング法により、厚さλ／４（λ：発振波長）の光学長を
有するＡｌ2O3薄膜からなるＡＲ膜２４を、素子の後面
（ｚ＝L）に厚さλ／４の光学長のＳｉＯ2薄膜２５と厚
さλ／４の光学長の窒素を導入したa−Ｓｉ：Ｈ薄膜
（以下、a−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）と略記する）２６とからな
る６層膜による高反射（ＨＲ）膜２７を形成した。
軸を取ると、ｚ＝０の位置である）にＥＣＲスパッタリ
ング法により、厚さλ／４（λ：発振波長）の光学長を
有するＡｌ2O3薄膜からなるＡＲ膜２４を、素子の後面
（ｚ＝L）に厚さλ／４の光学長のＳｉＯ2薄膜２５と厚
さλ／４の光学長の窒素を導入したa−Ｓｉ：Ｈ薄膜
（以下、a−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）と略記する）２６とからな
る６層膜による高反射（ＨＲ）膜２７を形成した。
【００４６】a−Ｓｉ：H（Ｎ）薄膜は、Ａｒ流量２０ｓ
ｃｃｍ、ＥＣＲ出力５００W、ＲＦ出力５００Wでプラズ
マを発生し、プラズマ中にＥＣＲ出力５００W、水素流
量６ｓｃｃｍ、窒素流量０．２ｓｃｃｍのラジカル線を
導入して成膜した。これにより波長０．９８μｍの光に
対する屈折率３．０、吸収のない膜が得られた。その
後、素子を接合面を下にして、ヒ−トシンク上にボンデ
ィングした。試作した素子は、しきい値電流約１０ｍＡ
で室温連続発振し、その発振波長は約０．９８μｍであ
った。また、素子は５８０ｍＷまで安定に横単一モ−ド
発振した。また、光出力を増加させても端面劣化は起こ
らず、最大光出力８００ｍＷは熱飽和により制限され
た。また、３０個の素子について環境温度が、摂氏８０
度の条件下で２００ｍＷの定光出力にて連続駆動させた
ところ、初期の駆動電流は約２５０ｍＡであり、全ての
素子で端面劣化することなく、１０万時間以上安定に動
作した。
ｃｃｍ、ＥＣＲ出力５００W、ＲＦ出力５００Wでプラズ
マを発生し、プラズマ中にＥＣＲ出力５００W、水素流
量６ｓｃｃｍ、窒素流量０．２ｓｃｃｍのラジカル線を
導入して成膜した。これにより波長０．９８μｍの光に
対する屈折率３．０、吸収のない膜が得られた。その
後、素子を接合面を下にして、ヒ−トシンク上にボンデ
ィングした。試作した素子は、しきい値電流約１０ｍＡ
で室温連続発振し、その発振波長は約０．９８μｍであ
った。また、素子は５８０ｍＷまで安定に横単一モ−ド
発振した。また、光出力を増加させても端面劣化は起こ
らず、最大光出力８００ｍＷは熱飽和により制限され
た。また、３０個の素子について環境温度が、摂氏８０
度の条件下で２００ｍＷの定光出力にて連続駆動させた
ところ、初期の駆動電流は約２５０ｍＡであり、全ての
素子で端面劣化することなく、１０万時間以上安定に動
作した。
【００４７】本実施例では保護膜形成法として、ＥＣＲ
スパッタ法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラズ
マ支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（ＥＢ）
蒸着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波プラ
ズマ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、マグ
ネトロンスパッタ法を用いてもよい。窒素源として窒素
ガスを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分子、例
えば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ
2H4）、アジ化水素（HＮ3）等を用いても良い。また、
窒素を水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、Ｅ
ＣＲプラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或
いは熱励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて
活性ラジカル線或いはイオン線、原子線として供給して
も良い事はいう迄もない。
スパッタ法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラズ
マ支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（ＥＢ）
蒸着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波プラ
ズマ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、マグ
ネトロンスパッタ法を用いてもよい。窒素源として窒素
ガスを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分子、例
えば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ
2H4）、アジ化水素（HＮ3）等を用いても良い。また、
窒素を水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、Ｅ
ＣＲプラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或
いは熱励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて
活性ラジカル線或いはイオン線、原子線として供給して
も良い事はいう迄もない。
【００４８】なお、上述した実施例の活性層をＳＣＨ層
の組成を段階的に変化させたＧＲＩＮ−ＳＣＨ（Graded
Index−Separate Confinement Hetero-structure）
活性層としてもよい。また、本発明は導波路構造によら
ないので、たとえば、上述した実施例のほかに導波路構
造としてＢＨ（Buried Hetero-structure）構造を用い
ても良く、面発光レ−ザに適用しても良い。
の組成を段階的に変化させたＧＲＩＮ−ＳＣＨ（Graded
Index−Separate Confinement Hetero-structure）
活性層としてもよい。また、本発明は導波路構造によら
ないので、たとえば、上述した実施例のほかに導波路構
造としてＢＨ（Buried Hetero-structure）構造を用い
ても良く、面発光レ−ザに適用しても良い。
【００４９】また、本発明は材料系にもよらない。即
ち、上述したＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系、Ｇａ
Ａｓ基板上のＡｌＧａＡｓ系のみでなく、ＩｎＰ基板上
のＡｌＩｎＧａＡｓＰ系、ＧａＡｓ基板上のＩｎＡｌＧ
ａＰ系、ＧａＡｓ基板或いはＺｎＳｅ基板上のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体レ−ザ等にも適用できる。さらに、発
振波長として上述した０．９８μｍ帯、０．６８μｍ帯
のほか、１．５５μｍ帯、１．４８μｍ帯、０．６５μ
ｍ帯、０．６３μｍ帯の半導体レ−ザに適用できること
は言うまでもない。 ＜実施例３＞本発明の第３の実施例を図６を用いて説明
する。本例は光集積回路装置に関するものである。図６
はレーザ部と光変調器とを集積した光集積回路装置の、
光の進行方向と平行な面での断面図である。
ち、上述したＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系、Ｇａ
Ａｓ基板上のＡｌＧａＡｓ系のみでなく、ＩｎＰ基板上
のＡｌＩｎＧａＡｓＰ系、ＧａＡｓ基板上のＩｎＡｌＧ
ａＰ系、ＧａＡｓ基板或いはＺｎＳｅ基板上のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体レ−ザ等にも適用できる。さらに、発
振波長として上述した０．９８μｍ帯、０．６８μｍ帯
のほか、１．５５μｍ帯、１．４８μｍ帯、０．６５μ
ｍ帯、０．６３μｍ帯の半導体レ−ザに適用できること
は言うまでもない。 ＜実施例３＞本発明の第３の実施例を図６を用いて説明
する。本例は光集積回路装置に関するものである。図６
はレーザ部と光変調器とを集積した光集積回路装置の、
光の進行方向と平行な面での断面図である。
【００５０】ｎ型ＩｎＰ基板２８上に、分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）半導体レ−ザ部２９と電界吸収型（ＥＡ）光変調
器３０を集積した電界吸収型の光変調器を集積した分布
帰還型半導体レ−ザ（以下、光変調器集積分布帰還型半
導体レ−ザと略称する）を形成する。分布帰還型半導体
レ−ザの発振波長が１５３７ｎｍから１５６２ｎｍの範
囲で０．８ｎｍ間隔に３２チャンネルが得られるよう
に、１枚のウェハ−上に３２種類の回折格子が形成され
る。また、電界吸収型光変調器の前面（ｚ＝０）にはＩ
ｎＰからなる端面窓部３１が形成される。光変調器の前
面の位置は、図６に示した座標によれば、ｚ＝０の位置
である。
ＦＢ）半導体レ−ザ部２９と電界吸収型（ＥＡ）光変調
器３０を集積した電界吸収型の光変調器を集積した分布
帰還型半導体レ−ザ（以下、光変調器集積分布帰還型半
導体レ−ザと略称する）を形成する。分布帰還型半導体
レ−ザの発振波長が１５３７ｎｍから１５６２ｎｍの範
囲で０．８ｎｍ間隔に３２チャンネルが得られるよう
に、１枚のウェハ−上に３２種類の回折格子が形成され
る。また、電界吸収型光変調器の前面（ｚ＝０）にはＩ
ｎＰからなる端面窓部３１が形成される。光変調器の前
面の位置は、図６に示した座標によれば、ｚ＝０の位置
である。
【００５１】反応性スパッタ法により分布帰還型半導体
レ−ザの端面に、酸化硅素（ＳｉＯ 2）膜から成る低屈
折率膜３２と水素化非晶質硅素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜から
なる高屈折率膜３３の２周期膜からなる高反射率（Ｈ
Ｒ）膜３４を作製し、光出射面である電界吸収型（Ｅ
Ａ）光変調器３０の端面に、本発明による窒素添加水素
化非晶質硅素（ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ））膜３５と二酸化硅
素（ＳｉＯ2）膜３２からなる反射防止（ＡＲ）膜３６
を形成する。それぞれの膜は波長１．５５μｍの光に対
し、４分の１波長の光学長を有する。
レ−ザの端面に、酸化硅素（ＳｉＯ 2）膜から成る低屈
折率膜３２と水素化非晶質硅素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜から
なる高屈折率膜３３の２周期膜からなる高反射率（Ｈ
Ｒ）膜３４を作製し、光出射面である電界吸収型（Ｅ
Ａ）光変調器３０の端面に、本発明による窒素添加水素
化非晶質硅素（ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ））膜３５と二酸化硅
素（ＳｉＯ2）膜３２からなる反射防止（ＡＲ）膜３６
を形成する。それぞれの膜は波長１．５５μｍの光に対
し、４分の１波長の光学長を有する。
【００５２】以下に反射防止膜３６の作成方法について
述べる。初めにスパッタ装置内にＡｒガスを２０ｓｃｃ
ｍ、水素ガスを６ｓｃｃｍ、窒素ガスを０．４ｓｃｃｍ
導入し、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）出力５００
Wでプラズマを発生させ、Ｓｉタ−ゲットに５００Wの高
周波（ＲＦ）出力を印加して厚さ１５０．２ｎｍの窒素
添加水素化非晶質硅素膜３５を形成する。波長１．５５
μｍの光に対する窒素添加水素化非晶質硅素膜３５の屈
折率は２．５８となった。引き続いて、Ａｒガスを２０
ｓｃｃｍ、酸素ガスを７．７ｓｃｃｍ導入し、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）出力５００Wでプラズマを発
生させ、Ｓｉタ−ゲットに５００Wの高周波（ＲＦ）出
力を印加して、厚さ２６７．２ｎｍの二酸化硅素膜３２
を形成する。二酸化硅素膜３２の屈折率は波長１．５５
μｍの光に対し、１．４５であった。これにより、全波
長範囲に対し、反射率０．０１％以下の反射防止（Ａ
Ｒ）膜３６が得られた。この反射防止膜３６は波長１．
４７μｍから１．６２μｍの全範囲において、実用的の
有用な反射率０．１％以下を満たした。
述べる。初めにスパッタ装置内にＡｒガスを２０ｓｃｃ
ｍ、水素ガスを６ｓｃｃｍ、窒素ガスを０．４ｓｃｃｍ
導入し、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）出力５００
Wでプラズマを発生させ、Ｓｉタ−ゲットに５００Wの高
周波（ＲＦ）出力を印加して厚さ１５０．２ｎｍの窒素
添加水素化非晶質硅素膜３５を形成する。波長１．５５
μｍの光に対する窒素添加水素化非晶質硅素膜３５の屈
折率は２．５８となった。引き続いて、Ａｒガスを２０
ｓｃｃｍ、酸素ガスを７．７ｓｃｃｍ導入し、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）出力５００Wでプラズマを発
生させ、Ｓｉタ−ゲットに５００Wの高周波（ＲＦ）出
力を印加して、厚さ２６７．２ｎｍの二酸化硅素膜３２
を形成する。二酸化硅素膜３２の屈折率は波長１．５５
μｍの光に対し、１．４５であった。これにより、全波
長範囲に対し、反射率０．０１％以下の反射防止（Ａ
Ｒ）膜３６が得られた。この反射防止膜３６は波長１．
４７μｍから１．６２μｍの全範囲において、実用的の
有用な反射率０．１％以下を満たした。
【００５３】本実施例では保護膜形成法としてＥＣＲス
パッタ法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラズマ
支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（ＥＢ）蒸
着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波プラズ
マ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、マグネ
トロンスパッタ法を用いてもよい。窒素源として窒素ガ
スを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分子、例え
ば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ2H4）、
アジ化水素（ＨＮ3）等を用いても良い。また、窒素を
水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、ＥＣＲプ
ラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或いは熱
励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて活性ラ
ジカル線或いはイオン線、原子線として供給しても良い
事はいうまでもない。
パッタ法を用いたが、他の薄膜形成法、例えばプラズマ
支援化学気相蒸着（ｐ−ＣＶＤ）法、電子線（ＥＢ）蒸
着法、イオンビ−ム（ＩＢ）蒸着法、ヘリコン波プラズ
マ励起反応性蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法、マグネ
トロンスパッタ法を用いてもよい。窒素源として窒素ガ
スを用いたが、窒素を含み、酸素を含まない分子、例え
ば、アンモニア（ＮH3）、無水ヒドラジン（Ｎ2H4）、
アジ化水素（ＨＮ3）等を用いても良い。また、窒素を
水素、アルゴンと共にガスとして供給したが、ＥＣＲプ
ラズマ、ＲＦプラズマ、ヘリコン波プラズマ、或いは熱
励起法や電子線励起法、グロ−放電法等を用いて活性ラ
ジカル線或いはイオン線、原子線として供給しても良い
事はいうまでもない。
【００５４】本願発明により、高出力半導体レ−ザにお
いて端面保護膜の高信頼化を容易な方法で実現し、歩留
まり向上、低コスト化を実現した。また、波長多重光通
信に対応する光変調器集積化光源用反射防止膜も容易な
方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。
いて端面保護膜の高信頼化を容易な方法で実現し、歩留
まり向上、低コスト化を実現した。また、波長多重光通
信に対応する光変調器集積化光源用反射防止膜も容易な
方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。
【００５５】
【発明の効果】本願発明は、高出力且つ安定動作を長期
間確保することが出来る半導体レーザ装置を提供するこ
とが出来る。例えば、本願発明によれば、発振波長６０
０ｎｍ以上、１μｍ以下で出射光密度が数ＭＷ／ｃｍ2
以上の高出力レ−ザに対しても、安定動作を長期間確保
することが出来る半導体レーザ装置を提供する。
間確保することが出来る半導体レーザ装置を提供するこ
とが出来る。例えば、本願発明によれば、発振波長６０
０ｎｍ以上、１μｍ以下で出射光密度が数ＭＷ／ｃｍ2
以上の高出力レ−ザに対しても、安定動作を長期間確保
することが出来る半導体レーザ装置を提供する。
【００５６】更に、本願発明は、発振波長１．４７μｍ
から１．６２μｍの波長範囲において、良好な反射防止
膜を有する半導体レーザ装置を容易に提供することが出
来る。
から１．６２μｍの波長範囲において、良好な反射防止
膜を有する半導体レーザ装置を容易に提供することが出
来る。
【図１】図１は、本願発明の窒素添加水素化非晶質硅素
膜における、屈折率と消衰係数の窒素供給量依存性の例
を示した図である。
膜における、屈折率と消衰係数の窒素供給量依存性の例
を示した図である。
【図２】図２は、本願発明による第１の実施例によるレ
ーザ装置の光の進行方向と交差する面での断面図であ
る。
ーザ装置の光の進行方向と交差する面での断面図であ
る。
【図３】図３は、本願発明による第１の実施例によるレ
ーザ装置の平面構造を示した図である。
ーザ装置の平面構造を示した図である。
【図４】図４は、本願発明による第２の実施例によるレ
ーザ装置の光の進行方向と交差する面での断面図であ
る。
ーザ装置の光の進行方向と交差する面での断面図であ
る。
【図５】図５は、本願発明による第２の実施例によるレ
ーザ装置の平面構造を示した図である。
ーザ装置の平面構造を示した図である。
【図６】図６は、本発明による第３の実施例になる光装
置の光の進行方向と平行な面での断面図である。
置の光の進行方向と平行な面での断面図である。
【図７】図７は、各種積層膜の反射率特性を比較する図
である。
である。
１：半導体基板、２：バッファ層、３：半導体基板に格
子整合したクラッド層、４：歪量子井戸活性層領域、
５：半導体基板に格子整合したクラッド層、６：ＧａＡ
ｓに格子整合したエッチストップ層、７：半導体基板に
格子整合したクラッド層、８：キャップ層、９：電流狭
窄層、１０：コンタクト層、１１：ｐ側オ−ミック電
極、１２：ｎ側オ−ミック電極、１３：低反射率（Ａ
Ｒ）膜、１４：低屈折率膜、１５：本発明に係わる高屈
折率膜、１６：高反射率（ＨＲ）膜、１７：半導体基板
に格子整合したクラッド層、１８：歪量子井戸活性層領
域、１９：半導体基板に格子整合したクラッド層、２
０：光導波路層、２１：半導体基板に格子整合したクラ
ッド層、２２：キャップ層、２３：電流狭窄層、２４：
ＡＲ膜、２５：誘電体薄膜、２６：ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）
薄膜、２７：高反射（ＨＲ）膜、２８：半導体基板、２
９：分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レ−ザ、３０：電界吸
収型（ＥＡ）光変調器、３１：端面窓部、３２：低屈折
率膜、３３：水素化非晶質硅素膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ
（Ｎ））、３４：高反射率（ＨＲ）膜、３５：窒素添加
水素化非晶質硅素膜、３６：反射防止（ＡＲ）膜。
子整合したクラッド層、４：歪量子井戸活性層領域、
５：半導体基板に格子整合したクラッド層、６：ＧａＡ
ｓに格子整合したエッチストップ層、７：半導体基板に
格子整合したクラッド層、８：キャップ層、９：電流狭
窄層、１０：コンタクト層、１１：ｐ側オ−ミック電
極、１２：ｎ側オ−ミック電極、１３：低反射率（Ａ
Ｒ）膜、１４：低屈折率膜、１５：本発明に係わる高屈
折率膜、１６：高反射率（ＨＲ）膜、１７：半導体基板
に格子整合したクラッド層、１８：歪量子井戸活性層領
域、１９：半導体基板に格子整合したクラッド層、２
０：光導波路層、２１：半導体基板に格子整合したクラ
ッド層、２２：キャップ層、２３：電流狭窄層、２４：
ＡＲ膜、２５：誘電体薄膜、２６：ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ）
薄膜、２７：高反射（ＨＲ）膜、２８：半導体基板、２
９：分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レ−ザ、３０：電界吸
収型（ＥＡ）光変調器、３１：端面窓部、３２：低屈折
率膜、３３：水素化非晶質硅素膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ
（Ｎ））、３４：高反射率（ＨＲ）膜、３５：窒素添加
水素化非晶質硅素膜、３６：反射防止（ＡＲ）膜。
Claims (9)
- 【請求項１】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜が含窒素水素化硅素なる非晶質誘電体
膜なることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜は、含窒素水素化硅素なる非晶質誘電
体膜を有してなり、且つ当該半導体レーザ装置の発振波
長の光に対する屈折率が２．５以上の非晶質誘電体膜な
ることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜は、含窒素水素化硅素なる非晶質誘電
体膜を有してなり、且つ当該半導体レーザ装置の発振波
長の光に対する屈折率が２．５以上、消衰係数が０．０
０５以下の非晶質誘電体膜なることを特徴とする半導体
発光装置。 - 【請求項４】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜が含窒素水素化硅素硅素なる非晶質誘
電体膜であり、且つ発振波長が６００ｎｍ以上なること
を特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項５】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜は、含窒素水素化硅素硅素であり、且
つ当該半導体発光装置の発振波長の光に対する屈折率が
２．５以上の非晶質誘電体膜であり、且つ発振波長が６
００ｎｍ以上なることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項６】 光共振器端面の少なくとも一方に、低屈
折率の第１の誘電体膜とこれより高い屈折率を有する高
屈折率の第２の誘電体膜の積層膜を有し、前記高屈折率
の第２の誘電体膜は、含窒素水素化硅素であり、且つ当
該半導体発光装置の発振波長の光に対する屈折率が２．
５以上、消衰係数が０．００５以下の非晶質誘電体膜で
あり、且つ発振波長が６００ｎｍ以上なることを特徴と
する半導体発光装置。 - 【請求項７】 前記非晶質誘電体膜は酸素非含有の非晶
質誘電体膜なることを特徴とする請求項１より請求項６
のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 【請求項８】 半導体基板の上部に形成された、半導体
結晶を有してなる光共振器を有し、この共振器の少なく
とも一方の端面に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有する高反射膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電
体膜が含窒素水素化硅素硅素なる非晶質誘電体膜であ
り、且つ前記共振器の他方の端面に前記高反射膜と比較
し低い反射率を有する誘電体膜を有することを特徴とす
る半導体発光装置。 - 【請求項９】 半導体基板の上部に形成された、半導体
結晶を有してなる光共振器を有し、この共振器の少なく
とも一方の端面に、低屈折率の第１の誘電体膜とこれよ
り高い屈折率を有する高屈折率の第２の誘電体膜の積層
膜を有する低反射膜を有し、前記高屈折率の第２の誘電
体膜が含窒素水素化硅素硅素硅素なる非晶質誘電体膜で
あり、且つ前記共振器の他方の端面に前記低反射膜と比
較し高い反射率を有する誘電体膜を有することを特徴と
する半導体発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015410A JP3887174B2 (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 半導体発光装置 |
| US09/931,894 US6455876B1 (en) | 2001-01-24 | 2001-08-20 | Semiconductor radiative device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015410A JP3887174B2 (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002223028A true JP2002223028A (ja) | 2002-08-09 |
| JP3887174B2 JP3887174B2 (ja) | 2007-02-28 |
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ID=18881967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001015410A Expired - Fee Related JP3887174B2 (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6455876B1 (ja) |
| JP (1) | JP3887174B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018506076A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-03-01 | マテリオン コーポレイション | 改良された透過率を有する近赤外線光学干渉フィルタ |
| JP2020149071A (ja) * | 2015-01-23 | 2020-09-17 | マテリオン コーポレイション | 改良された透過率を有する近赤外線光学干渉フィルタ |
| JP7498220B2 (ja) | 2015-01-23 | 2024-06-11 | マテリオン コーポレイション | 改良された透過率を有する近赤外線光学干渉フィルタ |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20030064537A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity |
| US7173953B2 (en) * | 2001-11-06 | 2007-02-06 | Bookham Technology Plc | Anti-reflection coatings for semiconductor lasers |
| JP4236840B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2003243764A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP3856300B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2006-12-13 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2004053784A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2005026688A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
| DE102004029412A1 (de) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
| US8008676B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-08-30 | Cree, Inc. | Solid state light emitting device and method of making same |
| WO2008103188A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Alfalight, Inc | High efficiency partial distributed feedback (p-dfb) laser |
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