JP2002222920A - 並列接続ｍｏｓｆｅｔの保護装置 - Google Patents
並列接続ｍｏｓｆｅｔの保護装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 並列接続した素子のうちどれか１つの素子の
ゲート制御信号の電位とドレイン電極の電位とを検出す
ることによって並列接続した素子のいずれかが故障した
とき、これを検出できる並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装
置を提供する。 【解決手段】 前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちど
れか１つの素子についてソース電位を基準としたドレイ
ン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子
異常検出装置を設けてなり、前記制御信号は、前記並列
接続したＭＯＳＦＥＴのうちどれか１つの素子のゲート
電極に印加される信号であり、前記素子異常検出装置の
検出電位が２つとも同時に高電位となったとき、素子異
常を報知することを特徴とする。
ゲート制御信号の電位とドレイン電極の電位とを検出す
ることによって並列接続した素子のいずれかが故障した
とき、これを検出できる並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装
置を提供する。 【解決手段】 前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちど
れか１つの素子についてソース電位を基準としたドレイ
ン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子
異常検出装置を設けてなり、前記制御信号は、前記並列
接続したＭＯＳＦＥＴのうちどれか１つの素子のゲート
電極に印加される信号であり、前記素子異常検出装置の
検出電位が２つとも同時に高電位となったとき、素子異
常を報知することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の素子を並
列接続して使用するＭＯＳＦＥＴの保護装置に関する。
列接続して使用するＭＯＳＦＥＴの保護装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】交流モータ駆動バッテリフォークリフト
の駆動系は、図６に示すような構成になっている。この
図において、バッテリ１の電力はＭＯＳＦＥＴやＩＧＢ
Ｔ（図ではＭＯＳＦＥＴ４〜９）を使った３相ブリッジ
インバータによって構成されたコントローラ２において
交流電力に変換され、交流モータ１０を駆動する。
の駆動系は、図６に示すような構成になっている。この
図において、バッテリ１の電力はＭＯＳＦＥＴやＩＧＢ
Ｔ（図ではＭＯＳＦＥＴ４〜９）を使った３相ブリッジ
インバータによって構成されたコントローラ２において
交流電力に変換され、交流モータ１０を駆動する。
【０００３】３相ブリッジインバータは、ＭＯＳＦＥＴ
やＩＧＢＴ（図ではＭＯＳＦＥＴ４〜９）によって構成
され、ゲートに与える信号の制御によって所定周波数、
所定電圧の交流電力を交流モータ１０に印加するように
なっている。ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴのうち、図に示し
たＭＯＳＦＥＴは１チップでは大電流をスイッチングで
きる素子が入手困難なため、実際には複数の素子を並列
接続して使用している。
やＩＧＢＴ（図ではＭＯＳＦＥＴ４〜９）によって構成
され、ゲートに与える信号の制御によって所定周波数、
所定電圧の交流電力を交流モータ１０に印加するように
なっている。ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴのうち、図に示し
たＭＯＳＦＥＴは１チップでは大電流をスイッチングで
きる素子が入手困難なため、実際には複数の素子を並列
接続して使用している。
【０００４】また、直流モータ駆動バッテリフォークリ
フトの駆動系は、図７のような構成になっている。この
図において、バッテリ１の電力はＭＯＳＦＥＴやＩＧＢ
Ｔ（図では）を使ったチョッパによって構成されたコン
トローラ１１において所定の直流電力に変換され、直流
モータ１２を駆動する。
フトの駆動系は、図７のような構成になっている。この
図において、バッテリ１の電力はＭＯＳＦＥＴやＩＧＢ
Ｔ（図では）を使ったチョッパによって構成されたコン
トローラ１１において所定の直流電力に変換され、直流
モータ１２を駆動する。
【０００５】チョッパは、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（図
ではＭＯＳＦＥＴ４、５）によって構成され、ゲートに
与える信号の制御によって所定電力を直流モータ１２に
印加するようになっている。図に示したＭＯＳＦＥＴは
１チップでは大電流をスイッチングできる素子が入手困
難なため、実際には複数の素子を並列接続して使用して
いる。
ではＭＯＳＦＥＴ４、５）によって構成され、ゲートに
与える信号の制御によって所定電力を直流モータ１２に
印加するようになっている。図に示したＭＯＳＦＥＴは
１チップでは大電流をスイッチングできる素子が入手困
難なため、実際には複数の素子を並列接続して使用して
いる。
【０００６】なお、バッテリフォークリフト等には、走
行用およびリフト用の２つの駆動系が搭載される。
行用およびリフト用の２つの駆動系が搭載される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＭＯＳＦＥＴを並列接
続して必要とする電流のスイッチングを行う方法では、
素子の保護または異常を検出する保護装置を設けるのが
一般的である。従来のＭＯＳＦＥＴの保護装置は、図８
に示すようにモジュール化されたチップを流れる電流を
分流して過電流を検出し、電流を制限するように個々の
素子に保護機能を内蔵する方法や個々の素子に個別に保
護装置を備える方法が採られていた。ところが、個々の
素子に保護回路を内蔵する方法は市販の３端子素子では
実現できず、また、個々の素子に保護装置を備える方法
は、コストが上昇してしまうという課題があった。
続して必要とする電流のスイッチングを行う方法では、
素子の保護または異常を検出する保護装置を設けるのが
一般的である。従来のＭＯＳＦＥＴの保護装置は、図８
に示すようにモジュール化されたチップを流れる電流を
分流して過電流を検出し、電流を制限するように個々の
素子に保護機能を内蔵する方法や個々の素子に個別に保
護装置を備える方法が採られていた。ところが、個々の
素子に保護回路を内蔵する方法は市販の３端子素子では
実現できず、また、個々の素子に保護装置を備える方法
は、コストが上昇してしまうという課題があった。
【０００８】本発明はこのような背景の下になされたも
ので、並列接続する素子を１つの冷却片に直接取り付け
て熱的条件を均等にしたうえで、並列接続した素子を代
表してどれか１つの素子のゲート制御信号の電位とドレ
イン電極の電位とを検出することによって並列接続され
た素子のいずれかが故障したとき、これを検出できる並
列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を提供することを目的と
する。
ので、並列接続する素子を１つの冷却片に直接取り付け
て熱的条件を均等にしたうえで、並列接続した素子を代
表してどれか１つの素子のゲート制御信号の電位とドレ
イン電極の電位とを検出することによって並列接続され
た素子のいずれかが故障したとき、これを検出できる並
列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、２つ以上の素子を並列接続したＭＯＳＦＥＴの保護
装置であって、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちど
れか１つの素子についてソース電位を基準としたドレイ
ン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子
異常検出装置を設けてなる並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護
装置を提供する。この発明によれば、並列接続したＭＯ
ＳＦＥＴのうちどれか１つの素子の制御信号とドレイン
電極の電位を監視する１つの検出装置によって並列接続
したすべてのＭＯＳＦＥＴの監視を行い、素子の保護を
行うことができる。
は、２つ以上の素子を並列接続したＭＯＳＦＥＴの保護
装置であって、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちど
れか１つの素子についてソース電位を基準としたドレイ
ン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子
異常検出装置を設けてなる並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護
装置を提供する。この発明によれば、並列接続したＭＯ
ＳＦＥＴのうちどれか１つの素子の制御信号とドレイン
電極の電位を監視する１つの検出装置によって並列接続
したすべてのＭＯＳＦＥＴの監視を行い、素子の保護を
行うことができる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記制御信
号は、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちどれか１つ
の素子のゲート電極に印加される信号であり、前記素子
異常検出装置の検出電位が２つとも同時に高電位となっ
たとき、素子異常を報知することを特徴とする。この発
明によれば、ドレイン電極の電位と並列接続したＭＯＳ
ＦＥＴのうちどれか１つの素子のゲート電極の電位とを
検出することによって、並列接続された素子のいずれか
が素子異常となったことを検出することができ、素子を
保護することができる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記制御信
号は、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちどれか１つ
の素子のゲート電極に印加される信号であり、前記素子
異常検出装置の検出電位が２つとも同時に高電位となっ
たとき、素子異常を報知することを特徴とする。この発
明によれば、ドレイン電極の電位と並列接続したＭＯＳ
ＦＥＴのうちどれか１つの素子のゲート電極の電位とを
検出することによって、並列接続された素子のいずれか
が素子異常となったことを検出することができ、素子を
保護することができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１記載の
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記制御信
号は、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴに共通に与えられ
るゲート制御信号であり、前記素子異常検出装置の検出
電位が２つとも同時に高電位となったとき、素子異常を
報知することを特徴とする。この発明によれば、ドレイ
ン電極の電位と並列接続したＭＯＳＦＥＴに印加するゲ
ート制御信号の電位とを検出することによって、並列接
続された素子のいずれかが素子異常となったことを検出
することができ、素子を保護することができる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記制御信
号は、前記並列接続したＭＯＳＦＥＴに共通に与えられ
るゲート制御信号であり、前記素子異常検出装置の検出
電位が２つとも同時に高電位となったとき、素子異常を
報知することを特徴とする。この発明によれば、ドレイ
ン電極の電位と並列接続したＭＯＳＦＥＴに印加するゲ
ート制御信号の電位とを検出することによって、並列接
続された素子のいずれかが素子異常となったことを検出
することができ、素子を保護することができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１記載の
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記素子異
常検出装置は、前記ドレイン電極の電位と前記並列接続
したＭＯＳＦＥＴに与えるゲート制御信号の論理とを検
出し、該ゲート制御信号がＯＮ信号であり、かつ、前記
ドレイン電極の電位が通常動作時より高くなったとき、
素子異常を報知することを特徴とする。この発明によれ
ば、ドレイン電極の電位と並列接続したＭＯＳＦＥＴに
印加するゲート制御信号の論理とを検出し、ゲート制御
信号がＯＮ信号であるにもかかわらずドレイン電極の電
位が通常動作時のレベルまで下がらなかったとき、並列
接続された素子のいずれかが素子異常となったことを検
出することができ、素子を保護することができる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置において、前記素子異
常検出装置は、前記ドレイン電極の電位と前記並列接続
したＭＯＳＦＥＴに与えるゲート制御信号の論理とを検
出し、該ゲート制御信号がＯＮ信号であり、かつ、前記
ドレイン電極の電位が通常動作時より高くなったとき、
素子異常を報知することを特徴とする。この発明によれ
ば、ドレイン電極の電位と並列接続したＭＯＳＦＥＴに
印加するゲート制御信号の論理とを検出し、ゲート制御
信号がＯＮ信号であるにもかかわらずドレイン電極の電
位が通常動作時のレベルまで下がらなかったとき、並列
接続された素子のいずれかが素子異常となったことを検
出することができ、素子を保護することができる。
【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項１から４
のいずれか記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置にお
いて、記並列接続したＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に
前記ドレイン電極を直接取り付けて熱的条件および電流
条件をほぼ均一にするとともに回路のインダクタンスを
減少させて前記ドレイン電極電位の検出点を前記１つの
冷却片とし、並列接続したいずれかの素子の異常検出を
可能としたことを特徴とする。この発明によれば、並列
接続したＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に直接取り付け
ることにより、熱的条件および電流条件がほぼ均一にな
り、さらに回路のインダクタンスを減少させる効果を生
み、どれか１つの素子の監視によって並列接続したすべ
てのＭＯＳＦＥＴの保護を行うことができる。
のいずれか記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置にお
いて、記並列接続したＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に
前記ドレイン電極を直接取り付けて熱的条件および電流
条件をほぼ均一にするとともに回路のインダクタンスを
減少させて前記ドレイン電極電位の検出点を前記１つの
冷却片とし、並列接続したいずれかの素子の異常検出を
可能としたことを特徴とする。この発明によれば、並列
接続したＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に直接取り付け
ることにより、熱的条件および電流条件がほぼ均一にな
り、さらに回路のインダクタンスを減少させる効果を生
み、どれか１つの素子の監視によって並列接続したすべ
てのＭＯＳＦＥＴの保護を行うことができる。
【００１４】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
から５のいずれか記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装
置において、前記保護装置は、交流モータ駆動バッテリ
フォークリフトのコントローラを構成するインバータ、
または直流モータ駆動バッテリフォークリフトのコント
ローラを構成するチョッパに使用される２つ以上の素子
を並列接続したＭＯＳＦＥＴの保護を行うことを特徴と
する。この発明によれば、大電流を流すことが必要な交
流モータ駆動バッテリフォークリフトまたは直流モータ
駆動バッテリフォークリフトのコントローラを構成する
インバータまたはチョッパに使用される並列接続された
ＭＯＳＦＥＴの保護をすることができる。
から５のいずれか記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装
置において、前記保護装置は、交流モータ駆動バッテリ
フォークリフトのコントローラを構成するインバータ、
または直流モータ駆動バッテリフォークリフトのコント
ローラを構成するチョッパに使用される２つ以上の素子
を並列接続したＭＯＳＦＥＴの保護を行うことを特徴と
する。この発明によれば、大電流を流すことが必要な交
流モータ駆動バッテリフォークリフトまたは直流モータ
駆動バッテリフォークリフトのコントローラを構成する
インバータまたはチョッパに使用される並列接続された
ＭＯＳＦＥＴの保護をすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図を参照しながら説明する。図６は交流モータの駆
動系を示す図である。この図において、バッテリ１の電
力はＭＯＳＦＥＴ４〜９を使った３相ブリッジインバー
タによって構成されたコントローラ２において交流電力
に変換され、交流モータ１０を駆動する。ＭＯＳＦＥＴ
４〜９は大電流をスイッチングできる素子が入手困難な
ため、実際には複数の素子（通常１０ないし２０素子）
を並列接続して使用する。このため、並列接続した複数
のＭＯＳＦＥＴの素子異常を検出して保護する保護装置
を設けることが必要となる。
いて図を参照しながら説明する。図６は交流モータの駆
動系を示す図である。この図において、バッテリ１の電
力はＭＯＳＦＥＴ４〜９を使った３相ブリッジインバー
タによって構成されたコントローラ２において交流電力
に変換され、交流モータ１０を駆動する。ＭＯＳＦＥＴ
４〜９は大電流をスイッチングできる素子が入手困難な
ため、実際には複数の素子（通常１０ないし２０素子）
を並列接続して使用する。このため、並列接続した複数
のＭＯＳＦＥＴの素子異常を検出して保護する保護装置
を設けることが必要となる。
【００１６】図７は、チョッパによる直流モータ駆動系
を示す図である。この図において、ＭＯＳＦＥＴ４、５
によってチョッパが構成され、ゲートに与える信号の制
御によって所定電流を直流モータ１２に印加するように
なっている。ＭＯＳＦＥＴ４、５は大電流をスイッチン
グできる素子が入手困難なため、実際には複数の素子
（通常１０ないし２０素子）を並列接続して使用する。
このため、並列接続した複数のＭＯＳＦＥＴの素子異常
を検出して保護する保護装置を設けることが必要とな
る。
を示す図である。この図において、ＭＯＳＦＥＴ４、５
によってチョッパが構成され、ゲートに与える信号の制
御によって所定電流を直流モータ１２に印加するように
なっている。ＭＯＳＦＥＴ４、５は大電流をスイッチン
グできる素子が入手困難なため、実際には複数の素子
（通常１０ないし２０素子）を並列接続して使用する。
このため、並列接続した複数のＭＯＳＦＥＴの素子異常
を検出して保護する保護装置を設けることが必要とな
る。
【００１７】なお、バッテリフォークリフト等には、走
行用およびリフト用の２つの駆動系が搭載される。
行用およびリフト用の２つの駆動系が搭載される。
【００１８】図１は、この発明の第１の実施形態による
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えた交流モータ駆
動用コントローラの構成を示す図である。この図におい
てコントローラ２のＭＯＳＦＥＴブロック４１、５１、
６１、７１、８１および９１は、それぞれ図６のＭＯＳ
ＦＥＴ４、５、６、７、８および９に相当し、３相ブリ
ッジインバータを形成して交流モータ１０を駆動する。
なお、ＭＯＳＦＥＴブロック６１、７１、８１および９
１については内部回路の図示を省略してある。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えた交流モータ駆
動用コントローラの構成を示す図である。この図におい
てコントローラ２のＭＯＳＦＥＴブロック４１、５１、
６１、７１、８１および９１は、それぞれ図６のＭＯＳ
ＦＥＴ４、５、６、７、８および９に相当し、３相ブリ
ッジインバータを形成して交流モータ１０を駆動する。
なお、ＭＯＳＦＥＴブロック６１、７１、８１および９
１については内部回路の図示を省略してある。
【００１９】ＭＯＳＦＥＴブロックを代表してＭＯＳＦ
ＥＴブロック４１について説明すると、ＭＯＳＦＥＴ４
２、４３、４４はドレイン電極およびソース電極が共通
に接続され、ゲート電極は抵抗４５、４６、４７を通し
て共通に接続され、１つのゲート制御信号に従って同一
の動作を行うようになっている。なお、素子の並列数は
任意であり、通常１０から２０素子が並列接続される。
素子異常検出装置４８は、共通のソースを基準としたＭ
ＯＳＦＥＴ４２のゲート電極電位と、ドレイン電位とを
検出し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であ
ると判定し、外部に報知する。
ＥＴブロック４１について説明すると、ＭＯＳＦＥＴ４
２、４３、４４はドレイン電極およびソース電極が共通
に接続され、ゲート電極は抵抗４５、４６、４７を通し
て共通に接続され、１つのゲート制御信号に従って同一
の動作を行うようになっている。なお、素子の並列数は
任意であり、通常１０から２０素子が並列接続される。
素子異常検出装置４８は、共通のソースを基準としたＭ
ＯＳＦＥＴ４２のゲート電極電位と、ドレイン電位とを
検出し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であ
ると判定し、外部に報知する。
【００２０】図２は、この発明の第１の実施形態による
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えた直流モータ駆
動用コントローラの構成を示す図である。この図におい
てコントローラ１１のＭＯＳＦＥＴブロック４１および
５１は、それぞれ図７のＭＯＳＦＥＴ４および５に相当
し、チョッパを形成して直流モータ１２を駆動する。な
お、ＭＯＳＦＥＴブロック４１および５１によるチョッ
パは、上述の交流モータ駆動用インバータの１アームを
共用することができる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えた直流モータ駆
動用コントローラの構成を示す図である。この図におい
てコントローラ１１のＭＯＳＦＥＴブロック４１および
５１は、それぞれ図７のＭＯＳＦＥＴ４および５に相当
し、チョッパを形成して直流モータ１２を駆動する。な
お、ＭＯＳＦＥＴブロック４１および５１によるチョッ
パは、上述の交流モータ駆動用インバータの１アームを
共用することができる。
【００２１】ＭＯＳＦＥＴブロックを代表してＭＯＳＦ
ＥＴブロック４１について説明すると、ＭＯＳＦＥＴ４
２、４３、４４はドレイン電極およびソース電極が共通
に接続され、ゲート電極は抵抗４５、４６、４７を通し
て共通に接続され、１つのゲート制御信号に従って同一
の動作を行うようになっている。なお、素子の並列数は
任意であり、通常１０から２０素子が並列接続される。
素子異常検出装置４８は、共通のソースを基準としたＭ
ＯＳＦＥＴ４２のゲート電極電位と、ドレイン電位とを
検出し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であ
ると判定し、外部に報知する。
ＥＴブロック４１について説明すると、ＭＯＳＦＥＴ４
２、４３、４４はドレイン電極およびソース電極が共通
に接続され、ゲート電極は抵抗４５、４６、４７を通し
て共通に接続され、１つのゲート制御信号に従って同一
の動作を行うようになっている。なお、素子の並列数は
任意であり、通常１０から２０素子が並列接続される。
素子異常検出装置４８は、共通のソースを基準としたＭ
ＯＳＦＥＴ４２のゲート電極電位と、ドレイン電位とを
検出し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であ
ると判定し、外部に報知する。
【００２２】次に、第２から第４の実施形態について説
明する。以下の実施形態に示すＭＯＳＦＥＴブロック
は、上述の第１の実施形態による交流モータ駆動用コン
トローラ、または直流モータ駆動用コントローラのＭＯ
ＳＦＥＴブロックに置き換えて実施できるものなので、
ＭＯＳＦＥＴブロック単体についてのみ説明する。
明する。以下の実施形態に示すＭＯＳＦＥＴブロック
は、上述の第１の実施形態による交流モータ駆動用コン
トローラ、または直流モータ駆動用コントローラのＭＯ
ＳＦＥＴブロックに置き換えて実施できるものなので、
ＭＯＳＦＥＴブロック単体についてのみ説明する。
【００２３】図３は、この発明の第２の実施形態による
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。この図において、素子
異常検出装置１４８は、共通のソースを基準としてＭＯ
ＳＦＥＴ４２、４３および４４に与えられるゲート信号
の電圧と、ＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電位とを検出
し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接続さ
れたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であると
判定し、外部に報知する。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。この図において、素子
異常検出装置１４８は、共通のソースを基準としてＭＯ
ＳＦＥＴ４２、４３および４４に与えられるゲート信号
の電圧と、ＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電位とを検出
し、両検出点が同時に高電位であったとき、並列接続さ
れたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素子が異常であると
判定し、外部に報知する。
【００２４】図４は、この発明の第３の実施形態による
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。この図において、素子
異常検出装置２４８は、ＭＯＳＦＥＴ４２、４３および
４４に与えられるゲート論理信号と、共通のソースを基
準としてＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電極の電位とを検
出し、前記ゲート論理信号がＭＯＳＦＥＴをＯＮさせる
信号であり、かつ、前記ドレイン電極が高電位であった
とき、並列接続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素
子が異常であると判定し、外部に報知する。前記ゲート
論理信号は、インターフェース回路４９においてＭＯＳ
ＦＥＴのゲート駆動に適する信号に変換され、抵抗を通
してＭＯＳＦＥＴのゲートに与えられる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。この図において、素子
異常検出装置２４８は、ＭＯＳＦＥＴ４２、４３および
４４に与えられるゲート論理信号と、共通のソースを基
準としてＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電極の電位とを検
出し、前記ゲート論理信号がＭＯＳＦＥＴをＯＮさせる
信号であり、かつ、前記ドレイン電極が高電位であった
とき、並列接続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどれかの素
子が異常であると判定し、外部に報知する。前記ゲート
論理信号は、インターフェース回路４９においてＭＯＳ
ＦＥＴのゲート駆動に適する信号に変換され、抵抗を通
してＭＯＳＦＥＴのゲートに与えられる。
【００２５】図５は、この発明の第４の実施形態による
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。図５は、上述の第１の
実施形態に類似するものとして描いてあるが、第２から
第４の実施形態についても同様に適用できる。
並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴ
ブロックの構成を示す図である。図５は、上述の第１の
実施形態に類似するものとして描いてあるが、第２から
第４の実施形態についても同様に適用できる。
【００２６】この実施形態が第１の実施形態と異なるの
は、素子異常検出装置の検出点のうち、ドレイン電位の
検出点がＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電極ではなく、Ｍ
ＯＳＦＥＴ４２、４３および４４の各ドレイン電極どう
しを１つの冷却片に直接取り付けて低インピーダンスで
結合して端子Ｄに集約した点を検出点としたことであ
る。各ＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に直接取り付ける
ことにより、素子どうしは熱的に密にカップリングさ
れ、ドレイン−ソース間の温度に対する影響を同一に
し、過熱や過電流時のドレイン−ソース間電圧の変化が
同一になるので、この検出点とすることによって並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどの素子が異常になって
も同一条件で検出を行うことができる。
は、素子異常検出装置の検出点のうち、ドレイン電位の
検出点がＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン電極ではなく、Ｍ
ＯＳＦＥＴ４２、４３および４４の各ドレイン電極どう
しを１つの冷却片に直接取り付けて低インピーダンスで
結合して端子Ｄに集約した点を検出点としたことであ
る。各ＭＯＳＦＥＴは、１つの冷却片に直接取り付ける
ことにより、素子どうしは熱的に密にカップリングさ
れ、ドレイン−ソース間の温度に対する影響を同一に
し、過熱や過電流時のドレイン−ソース間電圧の変化が
同一になるので、この検出点とすることによって並列接
続されたＭＯＳＦＥＴのうちのどの素子が異常になって
も同一条件で検出を行うことができる。
【００２７】並列接続されたＭＯＳＦＥＴの各ドレイン
電極が接続された接続点にはプラス電圧、各ソース電極
が接続された接続点にはマイナス電圧が与えられ、ゲー
ト電極から抵抗を介して接続された接続点に与えられる
信号によって並列接続されたＭＯＳＦＥＴは同一のスイ
ッチング動作を行う。ゲート端子の接続点に高電位の信
号が与えられると、ＭＯＳＦＥＴはＯＮし、ドレイン電
位は負荷分担して流れる電流に応じたＯＮ電圧まで低下
する。ＭＯＳＦＥＴは、ＯＮ時の特性が一定電圧ではな
く、ＯＮ抵抗で与えられるので、流れる電流に応じたＯ
Ｎ電圧となる。
電極が接続された接続点にはプラス電圧、各ソース電極
が接続された接続点にはマイナス電圧が与えられ、ゲー
ト電極から抵抗を介して接続された接続点に与えられる
信号によって並列接続されたＭＯＳＦＥＴは同一のスイ
ッチング動作を行う。ゲート端子の接続点に高電位の信
号が与えられると、ＭＯＳＦＥＴはＯＮし、ドレイン電
位は負荷分担して流れる電流に応じたＯＮ電圧まで低下
する。ＭＯＳＦＥＴは、ＯＮ時の特性が一定電圧ではな
く、ＯＮ抵抗で与えられるので、流れる電流に応じたＯ
Ｎ電圧となる。
【００２８】並列接続されたＭＯＳＦＥＴのうち、どれ
か１つの素子が断線状態になると、負荷分担が変わり、
正常動作している素子の電流が増加する。ＭＯＳＦＥＴ
は、ＯＮ時の飽和電圧特性が一定電圧ではなく、ＯＮ抵
抗で与えられるので、流れる電流に応じたＯＮ電圧とな
り、電流の増加に従ってＯＮ電圧が上昇するので、故障
検出装置３１によってこれを検出する。検出結果は図示
していない報知装置によって報知され、あるいは図示し
ていない制御機構によってインバータ停止等の動作を行
う。流れる電流が低電流のときは、断線状態の素子以外
の素子による負荷分担で正常動作を継続する。
か１つの素子が断線状態になると、負荷分担が変わり、
正常動作している素子の電流が増加する。ＭＯＳＦＥＴ
は、ＯＮ時の飽和電圧特性が一定電圧ではなく、ＯＮ抵
抗で与えられるので、流れる電流に応じたＯＮ電圧とな
り、電流の増加に従ってＯＮ電圧が上昇するので、故障
検出装置３１によってこれを検出する。検出結果は図示
していない報知装置によって報知され、あるいは図示し
ていない制御機構によってインバータ停止等の動作を行
う。流れる電流が低電流のときは、断線状態の素子以外
の素子による負荷分担で正常動作を継続する。
【００２９】並列接続されたＭＯＳＦＥＴのうち、どれ
か１つの素子がスイッチ機能を失い、常時ＯＮ状態にな
ると、電流集中によって過大な電流が流れることによっ
てＭＯＳＦＥＴのボンディングワイヤが過熱状態となり
溶断して断線状態となり、獅子異常検出装置によってこ
れを検出する。検出結果は図示していない報知装置によ
って報知され、あるいは図示していない制御機構によっ
てインバータ停止等の動作を行う。
か１つの素子がスイッチ機能を失い、常時ＯＮ状態にな
ると、電流集中によって過大な電流が流れることによっ
てＭＯＳＦＥＴのボンディングワイヤが過熱状態となり
溶断して断線状態となり、獅子異常検出装置によってこ
れを検出する。検出結果は図示していない報知装置によ
って報知され、あるいは図示していない制御機構によっ
てインバータ停止等の動作を行う。
【００３０】上述のように、並列接続されたＭＯＳＦＥ
Ｔのうち、どれか１つの素子が過電流または過熱等の動
作異常になったとき、１つの素子異常検出装置の配設に
よってＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン間電圧の上昇と
ドライブ信号とを検出して素子の保護を行うことがで
き、高速かつ安価な保護装置を提供することができる。
Ｔのうち、どれか１つの素子が過電流または過熱等の動
作異常になったとき、１つの素子異常検出装置の配設に
よってＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン間電圧の上昇と
ドライブ信号とを検出して素子の保護を行うことがで
き、高速かつ安価な保護装置を提供することができる。
【００３１】以上、本発明の一実施形態の動作を図面を
参照して詳述してきたが、本発明はこの実施形態に限ら
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設
計変更等があっても本発明に含まれる。例えば、半導体
素子はＭＯＳＦＥＴに限られるものではなく、素子の飽
和時の電圧が流れる電流の大きさによって変動するもの
であれば、どのような素子であっても適用することがで
きる。
参照して詳述してきたが、本発明はこの実施形態に限ら
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設
計変更等があっても本発明に含まれる。例えば、半導体
素子はＭＯＳＦＥＴに限られるものではなく、素子の飽
和時の電圧が流れる電流の大きさによって変動するもの
であれば、どのような素子であっても適用することがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】これまでに説明したように、この発明に
よれば、並列接続したＭＯＳＦＥＴのそれぞれの素子の
ソース電極どうしを負荷分担が同一になるように均等に
配線パターンを与えて互いに接続して端子Ｓに集約し、
それぞれの素子のドレイン電極どうしを１つの冷却片に
直接取り付けて低インピーダンスで接続し、それぞれの
素子のゲート電極は、それぞれ抵抗を介して接続され、
全体として１つのＭＯＳＦＥＴとして動作するようにし
たので、それぞれの素子は熱的に密にカップリングさ
れ、ドレイン−ソース間の温度に対する影響が同一にな
り、過熱や過電流時のドレイン−ソース間電圧の変化が
同一になり、ドレイン電圧とゲートドライブ信号の電位
を検出する１つの故障検出装置を配設することによって
並列接続したすべての素子の保護を行うことができ、高
速かつ安価な保護装置を提供することができるという効
果が得られる。
よれば、並列接続したＭＯＳＦＥＴのそれぞれの素子の
ソース電極どうしを負荷分担が同一になるように均等に
配線パターンを与えて互いに接続して端子Ｓに集約し、
それぞれの素子のドレイン電極どうしを１つの冷却片に
直接取り付けて低インピーダンスで接続し、それぞれの
素子のゲート電極は、それぞれ抵抗を介して接続され、
全体として１つのＭＯＳＦＥＴとして動作するようにし
たので、それぞれの素子は熱的に密にカップリングさ
れ、ドレイン−ソース間の温度に対する影響が同一にな
り、過熱や過電流時のドレイン−ソース間電圧の変化が
同一になり、ドレイン電圧とゲートドライブ信号の電位
を検出する１つの故障検出装置を配設することによって
並列接続したすべての素子の保護を行うことができ、高
速かつ安価な保護装置を提供することができるという効
果が得られる。
【図１】 本発明の第１の実施形態による並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置を備えた交流モータコントローラの
構成を示す図。
ＳＦＥＴの保護装置を備えた交流モータコントローラの
構成を示す図。
【図２】 本発明の第１の実施形態による並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置を備えた直流モータコントローラの
構成を示す図。
ＳＦＥＴの保護装置を備えた直流モータコントローラの
構成を示す図。
【図３】 本発明の第２の実施形態による並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
【図４】 本発明の第３の実施形態による並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
【図５】 本発明の第４の実施形態による並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
ＳＦＥＴの保護装置を備えたＭＯＳＦＥＴブロックの構
成を示す図。
【図６】 交流モータの駆動系を示す図。
【図７】 直流モータの駆動系を示す図。
【図８】 従来の技術によるＭＯＳＦＥＴに内蔵された
保護装置の構成を示す図。
保護装置の構成を示す図。
１…バッテリ ２、１１…コントローラ ３…コンデンサ ４〜９…ＭＯＳＦＥＴ １０…交流モータ ４１、５１、６１、７１、８１、９１…ＭＯＳＦＥＴブ
ロック ４２、４３、４４、５２、５３、５４…ＭＯＳＦＥＴ ４５、４６、４７、５５、５６、５７…抵抗 ４８、５８、１４８、２４８…素子異常検出装置 ４９…インターフェース回路
ロック ４２、４３、４４、５２、５３、５４…ＭＯＳＦＥＴ ４５、４６、４７、５５、５６、５７…抵抗 ４８、５８、１４８、２４８…素子異常検出装置 ４９…インターフェース回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｈ ５Ｊ０５５ Ｈ０２Ｍ 1/00 27/08 １０２Ｆ 7/48 29/78 ３０１Ｋ 7/5387 Ｈ０３Ｋ 17/687 Ｂ Ｈ０３Ｋ 17/08 17/695 (72)発明者 中野 浩児 愛知県名古屋市中村区岩塚町字高道１番地 三菱重工業株式会社産業機器事業部内 (72)発明者 森本 雅之 愛知県名古屋市中村区岩塚町字高道１番地 三菱重工業株式会社産業機器事業部内 Ｆターム(参考） 5F038 AV06 BH01 BH16 BH20 DF01 DT04 DT08 DT19 EZ20 5F040 DA25 DA26 DB01 DB10 5F048 AA02 AB10 AC01 BA01 CC01 CC09 CC15 CC18 5H007 AA05 BB06 CA02 CB04 CB05 CB17 CC03 DC05 FA06 FA08 FA13 GA08 5H740 AA10 BA12 BB02 BB05 BB09 BB10 MM02 5J055 AX15 AX32 AX41 AX64 BX16 CX13 CX20 DX13 DX22 DX73 EY01 EY10 EZ57 FX05 GX01
Claims (6)
- 【請求項１】 ２つ以上の素子を並列接続したＭＯＳＦ
ＥＴの保護装置であって、 前記並列接続したＭＯＳＦＥＴのうちどれか１つの素子
についてソース電位を基準としたドレイン電位と制御信
号とを検出して素子異常を報知する素子異常検出装置を
設けてなる並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置。 - 【請求項２】 前記制御信号は、前記並列接続したＭＯ
ＳＦＥＴのうちどれか１つの素子のゲート電極に印加さ
れる信号であり、 前記素子異常検出装置の検出電位が２つとも同時に高電
位となったとき、素子異常を報知することを特徴とする
請求項１記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置。 - 【請求項３】 前記制御信号は、前記並列接続したＭＯ
ＳＦＥＴに共通に与えられるゲート制御信号であり、 前記素子異常検出装置の検出電位が２つとも同時に高電
位となったとき、素子異常を報知することを特徴とする
請求項１記載の並列接続ＭＯＳＦＥＴの保護装置。 - 【請求項４】 前記素子異常検出装置は、前記ドレイン
電極の電位と前記並列接続したＭＯＳＦＥＴに与えるゲ
ート制御信号の論理とを検出し、 該ゲート制御信号がＯＮ信号であり、かつ、前記ドレイ
ン電極の電位が通常動作時より高くなったとき、素子異
常を報知することを特徴とする請求項１記載の並列接続
ＭＯＳＦＥＴの保護装置。 - 【請求項５】 前記並列接続したＭＯＳＦＥＴは、１つ
の冷却片に前記ドレイン電極を直接取り付けて熱的条件
および電流条件をほぼ均一にするとともに回路のインダ
クタンスを減少させて前記ドレイン電極電位の検出点を
前記１つの冷却片とし、 並列接続したいずれかの素子の異常検出を可能としたこ
とを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の並列接
続ＭＯＳＦＥＴの保護装置。 - 【請求項６】 前記保護装置は、交流モータ駆動バッテ
リフォークリフトのコントローラを構成するインバー
タ、または直流モータ駆動バッテリフォークリフトのコ
ントローラを構成するチョッパに使用される２つ以上の
素子を並列接続したＭＯＳＦＥＴの保護を行うことを特
徴とする請求項１から５のいずれか記載の並列接続ＭＯ
ＳＦＥＴの保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015865A JP2002222920A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 並列接続ｍｏｓｆｅｔの保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015865A JP2002222920A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 並列接続ｍｏｓｆｅｔの保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222920A true JP2002222920A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18882338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001015865A Withdrawn JP2002222920A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 並列接続ｍｏｓｆｅｔの保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222920A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006042563A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電力スイッチング回路、電力変換装置、開放故障検出方法及びモジュール型半導体スイッチング素子の駆動方法 |
| US7675763B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor power converter apparatus |
| JP2012138831A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Denso Corp | 電気負荷駆動装置 |
| JP2012138832A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Denso Corp | 電気負荷駆動装置 |
| WO2013005419A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 住友重機械工業株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2013115870A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電力変換装置 |
| JP2013119270A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Omron Automotive Electronics Co Ltd | 信号出力回路 |
| JP2013172129A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Renesas Electronics Corp | パワーデバイス |
| JP2015081848A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット |
| JP6359213B1 (ja) * | 2017-06-27 | 2018-07-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2019030081A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社ダイヘン | 電力変換装置および故障診断方法 |
| JP2019103064A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体素子の制御装置 |
| JP2020047777A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| CN110957896A (zh) * | 2019-08-07 | 2020-04-03 | 郑州嘉晨电器有限公司 | 一种便于检测的多个mosfet管并联电路 |
-
2001
- 2001-01-24 JP JP2001015865A patent/JP2002222920A/ja not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006042563A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電力スイッチング回路、電力変換装置、開放故障検出方法及びモジュール型半導体スイッチング素子の駆動方法 |
| JP4599926B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-12-15 | 東京電力株式会社 | 電力スイッチング回路、電力変換装置、開放故障検出方法及びモジュール型半導体スイッチング素子の駆動方法 |
| US7675763B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor power converter apparatus |
| JP2012138831A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Denso Corp | 電気負荷駆動装置 |
| JP2012138832A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Denso Corp | 電気負荷駆動装置 |
| WO2013005419A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 住友重機械工業株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2013115870A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電力変換装置 |
| JP2013119270A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Omron Automotive Electronics Co Ltd | 信号出力回路 |
| JP2013172129A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Renesas Electronics Corp | パワーデバイス |
| JP2015081848A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット |
| WO2015059867A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット |
| JP6359213B1 (ja) * | 2017-06-27 | 2018-07-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| US10992219B2 (en) | 2017-06-27 | 2021-04-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Power conversion device |
| JP2019030081A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社ダイヘン | 電力変換装置および故障診断方法 |
| JP2019103064A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体素子の制御装置 |
| JP2020047777A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP7023205B2 (ja) | 2018-09-19 | 2022-02-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| CN110957896A (zh) * | 2019-08-07 | 2020-04-03 | 郑州嘉晨电器有限公司 | 一种便于检测的多个mosfet管并联电路 |
| CN110957896B (zh) * | 2019-08-07 | 2022-03-29 | 河南嘉晨智能控制股份有限公司 | 一种便于检测的多个mosfet管并联电路 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |