JP2013172129A - パワーデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワーデバイスは、複数の出力セル4と、前記複数の出力セルに対応して設けられた、複数のボンディングワイヤ5と、制御端子駆動回路2とを具備する。前記複数の出力セルは、それぞれ、出力トランジスタ3を有している。前記複数の出力トランジスタの高電位側端子電極は、第1電源に共通に接続されている。前記複数の出力トランジスタの各々の低電位側端子電極は、前記対応するボンディングワイヤを介して、出力端子に接続されている。前記制御端子駆動回路は、前記複数の出力トランジスタの制御端子に駆動信号を供給することにより、前記複数の出力トランジスタを制御する。前記各ボンディングワイヤは、対応する前記出力セルに含まれる前記出力トランジスタが故障によりショートした場合に溶断されるように、設計されている。
【選択図】図2
Description
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
図1は、本実施形態に係るパワーデバイス1が設けられた電力制御ユニット31を示すブロック図である。まず、図1を参照して、本実施形態の概要を説明する。
本実施形態によれば、複数の出力トランジスタに対して共通に設けられたドレイン電極を第1電源に接続し、それぞれの出力セルに対してそれぞれソース電極を形成し、それぞれのソース電極に対してそれぞれ対応するボンディングワイヤを介して出力端子を接続する。このような構成により、ショートによる故障が発生したとしても、ショートしたセルのみを切り離すことができるので、パワーデバイス1の機能を維持することが可能になる。
続いて、第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態に対して、制御回路2の構成が工夫されている。その他の点については、第1の実施形態と同様の構成及び動作を採用することができるので、詳細な説明は省略する。
続いて、第3の実施形態について説明する。図13は、本実施形態に係るパワーデバイス1を示す概略図である。既述の実施形態では、図2に示したように、複数の出力セル4のそれぞれに、1つの出力トランジスタ3が設けられる。これに対し、本実施形態では、それぞれの出力セル4に、2つの出力トランジスタ3(第1出力トランジスタ3A及び第2出力トランジスタ3B)が設けられている。すなわち、出力セル4−1には、第1出力トランジスタ3A−1及び第2出力トランジスタ3B−1が設けられている。出力セル4−2には、第1出力トランジスタ3A−2及び第2出力トランジスタ3B−2が設けられている。また、ゲート(制御端子)駆動回路17は、第1ゲート(制御端子)駆動回路17A及び第2ゲート(制御端子)駆動回路17Bを有している。更に、ゲート(制御端子)電荷放電回路20は、第1ゲート電荷放電回路20A及び第2ゲート電荷放電回路20Bを有している。その他の点については、第2の実施形態と同様の構成を採用することができる。
続いて、第4の実施形態について説明する。第1の実施形態では、図1に示したように、パワーデバイス1が、上流側ユニット若しくはバッテリーと、負荷との間に設けられる場合について説明した。これに対し、本実施形態では、パワーデバイス1が異なる部分に用いられる場合について説明する。
なお、下流側ユニット36のパワーデバイス1aは、必ずしもヒューズ機能を搭載している必要は無く、一般的なIPDやパワーMOSFET、IGBTなどを用いても良い。
2 制御回路
3 出力トランジスタ
4 出力セル
5 ボンディングワイヤ
6 リードフレーム
7 半導体チップ
8 ソース電極
9 裏面電極
10 ドレイン領域
11 ベース領域
12 ダミートレンチ
13 ゲート電極
14 ゲート酸化膜
15 ソース
16 バックゲートコンタクト領域
17 ゲート駆動回路
18 ゲート分離回路
19 ワイヤ溶断検出回路
20 ゲート電荷放電回路
21 抵抗素子
22 ダイオード
23 トランジスタ
24 トランジスタ
25 トランジスタ
26 第2電源
27 トランジスタ
28 抵抗素子
29 トランジスタ
30 第3電源
31 電力制御ユニット
32 マイクロコンピュータ
33 下位ユニット
34 上流側ユニット
35 絶縁層
36 下流側ユニット
Claims (9)
- 複数の出力セルと、
前記複数の出力セルに対応して設けられた、複数のボンディングワイヤと、
制御端子駆動回路と、
を具備し、
前記複数の出力セルは、それぞれ、出力トランジスタを有しており、
前記複数の出力トランジスタの高電位側端子電極は、第1電源端子に共通に接続されており、
前記複数の出力トランジスタの各々の低電位側端子電極は、前記対応するボンディングワイヤを介して、出力端子に接続されており、
前記制御端子駆動回路は、前記複数の出力トランジスタの制御端子に駆動信号を供給することにより、前記複数の出力トランジスタを制御し、
前記各ボンディングワイヤは、対応する前記出力セルに含まれる前記出力トランジスタが故障によりショートした場合に溶断されるように、設計されている
パワーデバイス。 - 請求項1に記載されたパワーデバイスであって、
更に、
前記複数の出力セルのいずれかにおいて前記出力トランジスタがショートにより故障した場合に、前記故障した出力トランジスタの制御端子電圧が前記他の出力トランジスタの制御端子電圧に与える影響を抑制する、制御端子分離回路、
を具備する
パワーデバイス。 - 請求項2に記載されたパワーデバイスであって、
前記制御端子分離回路は、
前記複数の出力トランジスタに対応して設けられた、複数のダイオード及び複数の抵抗素子を有しており、
前記複数のダイオードの各々、及び前記複数の抵抗素子の各々は、前記制御端子駆動回路の出力端と前記対応する出力トランジスタの制御端子との間に設けられている
パワーデバイス。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載されたパワーデバイスであって、
更に、
前記複数のボンディングワイヤのいずれかが溶断された場合に、前記複数のボンディングワイヤのいずれかが溶断されたことを検出し、ワイヤ溶断検出信号を生成する、ワイヤ溶断検出回路、
を具備する
パワーデバイス。 - 請求項4に記載されたパワーデバイスであって、
前記ワイヤ溶断検出回路は、
前記高電位側端子と、第1ノードとの間に設けられた、第1スイッチ回路と、
前記複数の出力トランジスタに対応して設けられた、複数の第2スイッチ回路とを備え、
前記複数の第2スイッチ回路の各々は、前記第1ノードと、前記第1電源の電圧よりも低い第2の電源電圧が供給される第2電源電圧配線とを接続するように設けられており、
前記各第2スイッチ回路は、前記対応する出力トランジスタの低電位側端子電圧がハイレベルである場合にオン状態となり、前記対応する出力トランジスタの低電位側端子電圧がローレベルである場合にオフ状態となるように構成されており、
前記第1スイッチ回路は、前記各出力トランジスタがオン状態であるときにオフ状態になり、前記各出力トランジスタがオン状態からオフ状態に切替えられてから予め定められた時間が経過した後にオフ状態からオン状態に切り替わるように、制御される
パワーデバイス。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載されたパワーデバイスであって、
更に、
前記複数の出力トランジスタがオフ状態であるときに、前記複数の出力トランジスタの制御端子電荷を放電させる、制御端子電荷放電回路、
を具備する
パワーデバイス。 - 請求項1に記載されたパワーデバイスであって、
前記制御端子駆動回路は、
第1制御端子駆動回路と、
第2制御端子駆動回路とを備え、
前記複数の出力セルは、それぞれ、第1トランジスタ、及び第2トランジスタを有しており、
前記第1トランジスタの高電位側端子電極及び前記第2トランジスタの高電位側端子電極は、共通であり、
前記第1トランジスタの低電位側端子電極及び前記第2トランジスタの低電位側端子電極は、各々対応するボンディングワイヤに接続されており、
前記第1制御端子駆動回路は、前記複数の出力セルにおける前記第1トランジスタの制御端子を駆動し、
前記第2制御端子駆動回路は、前記複数の出力セルにおける前記第2トランジスタの制御端子を駆動する
パワーデバイス。 - 請求項7に記載されたパワーデバイスであって、
前記第1制御端子駆動回路及び前記第2制御端子駆動回路は、前記各出力セルにおいて、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのうちの一方がショートにより故障した場合に、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのうちの他方がオフ状態になるように、前記第1トランジスタ又は前記第2トランジスタの制御端子を駆動する
パワーデバイス。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載されたパワーデバイスであって、
前記出力トランジスタは、MOSFETを含む
パワーデバイス。
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