JP4487635B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図2は本発明に係る半導体装置の断面構造を示す模式図、図3は図2に示した半導体装置の回路構成を示す模式図である。図に示すように、リレー素子105に電気的に並列にヒューズ回路106が接続され、ヒューズ回路106はリレー素子105に対して着脱可能な形態にて電気的および機械的に接続されている。また、ヒューズ回路106の基板107上に配設された第1の電極109上にダイオード(半導体素子)110が電流方向に対して順方向になるように実装され、ダイオード110の表面電極と、基板107上に配設された第2の電極108とが1本あるいは複数本の純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミ配線111により接続されている。また、リレー素子105に流れる電流が所定の値より大きいか否かを検出する電流検出手段(図示せず)が設けられ、リレー素子105に流れる電流の値がこの所定の値を超えたとき、電流検出手段がリレー素子105のリレー接点を開放して、リレー素子105をオフにする。
図4は本発明に係る他の半導体装置の断面構造を示す模式図、図5は図4に示した半導体装置の回路構成を示す模式図である。図に示すように、ダイオード110の代わりにトランジスタ200が接続されている。また、リレー素子105に流れる電流が所定の値を超えたかを検出する電流検出手段が、リレー素子105に流れる電流の値を検出する電流検出回路(図示せず)を有するとともに、電流が所定の値を超えたときに、リレー素子105をオフならしめ、かつトランジスタ200をオンならしめる出力を発する制御回路201を有している。この他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図6は本発明に係る他の半導体装置の回路構成を示す模式図である。図に示すように、半導体素子として逆並列接続された複数のダイオード300を接続する。この他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図7は本発明に係る他の半導体装置の断面構造を示す模式図である。図に示すように、ダイオード110の表面電極を、絶縁材料(固体絶縁物)400で蔽う構成としている。この他の構成は第1の実施の形態と同様である。
102…インバータ装置 103…半導体装置
104…電源 105…リレー素子
106…ヒューズ回路 107…基板
108…第2の電極 109…第1の電極
110…ダイオード 111…アルミ配線
200…トランジスタ 201…制御回路
300…ダイオード 400…絶縁材料
Claims (7)
- 電源と電動機を駆動制御する駆動回路との間に設けられた半導体装置において、
リレー素子とヒューズ回路とからなる並列回路を有し、
上記ヒューズ回路の基板上に配設された第1の電極上に半導体素子を実装し、
上記半導体素子の表面電極と上記基板上に配設された第2の電極とを1本あるいは複数本のアルミ配線で接続し、
上記リレー素子に流れる電流が所定の値より大きいか否かを検出する電流検出手段を設け、
上記リレー素子に流れる電流の値が上記所定の値を超えたとき上記電流検出手段が上記リレー素子をオフにする
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
上記ヒューズ回路が着脱可能に電気的および機械的に上記リレー素子に接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
上記半導体素子が順方向接続されたダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
上記半導体素子がトランジスタであり、
上記電流検出手段が、上記リレー素子に流れる電流の値を検出する回路を有するとともに、上記電流が上記所定の値を超えたとき、上記リレー素子をオフにし、かつ上記トランジスタをオンにする出力を発する制御回路を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
上記制御回路が上記半導体装置の内部または上記駆動回路の内部に配置されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
上記半導体素子が逆並列接続された複数のダイオードまたはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置において、
上記半導体素子の表面電極、上記第2の電極の少なくとも一方を絶縁材料で蔽ったことを特徴とする半導体装置。
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