JP4861737B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図2、図3において、1は直流回路の端子間に接続された直流電圧源としての電解コンデンサ、2、5は平行ブスバー、3、4はヒューズであって、それぞれ主ヒューズエレメント3a、3b、4a、4b、溶断検出用エレメント3c、4c、および溶断検出用接点3d、4dを備えている。
7は、自己消孤可能な電力半導体スイッチング素子IGBTと並列に接続されたフリーホイーリングダイオードを内蔵する半導体モジュールであり、両端は溶断検出器付きのヒューズ3、4を介して電解コンデンサ1の両端に接続されている。また、ヒューズ3、4が溶断した場合は溶断表示用接点3d、4dが動作し、補助電源(図示せず)を用いて溶断検出信号を発生する。6は回路の寄生インダクタンスにより発生する過電圧を抑制するためのスナバコンデンサである。
なお、図4は、例えば、米国特許第5,260,679号公報に記載された溶断検出器付きヒューズの構造の一例を示す概略断面図であり、30は主電極、40は消弧材、50は主ヒューズエレメント、60は溶断検出用エレメント、70はばね、90は溶断検出接点である。主ヒューズエレメント50に比べ溶断検出用エレメント60の抵抗値は高く設定されており、ヒューズが正常な場合は、溶断検出用エレメント60にはほとんど電流は流れない。主ヒューズエレメント50が事故の発生等で溶断した場合に、溶断検出用エレメント60に電流が流れ、溶断検出用エレメント60が溶断して、機構的に溶断検出接点90を動作させる。
しかしながら、上述のように、主回路配線のインダクタンスを低減させるために、電力変換装置の主回路にヒューズを近接して配置した場合、従来装置においては、スナバコンデンサと電解コンデンサとの共振等により高周波成分の電流が流れた場合に、溶断検出用エレメントにも近接効果が発生し、この近接効果により直流抵抗で決まる分流比以上の電流が溶断検出用エレメントに流れ、溶断検出用エレメントに電流が集中して、主ヒューズエレメントより先に溶断検出用エレメントが溶断し、溶断検出器が不要な動作をするという問題があった。
図1はこの発明の実施の形態1による電力変換装置の各部品の配置状態を示す概略図である。なお、図中、図2、図3との同一符号は、同一もしくは相当部分を示す。
図1において、1は直流回路の端子間に接続された直流電圧源としての電解コンデンサ、2、5は平行ブスバー、3は、第1の過電流保護素子であるヒューズであって、主ヒューズエレメント3aと、この主ヒューズエレメント3aに並列接続され且つ略平行に配置された溶断検出用エレメント3cがヒューズに内蔵された形で備えられている。4はヒューズ3と同様に構成された第2の過電流保護素子であるヒューズであって、主ヒューズエレメント4aと、この主ヒューズエレメント4aに並列接続され且つ略平行に配置された溶断検出用エレメント4cを備えている。6は電力変換装置主回路の寄生インダクタンスにより発生する過電圧を抑制するためのスナバコンデンサ、7は、例えば自己消孤可能な電力半導体スイッチング素子IGBTと並列に接続されたフリーホイーリングダイオードを内蔵する半導体モジュールであって電力変換装置の出力アームを構成し、両端はヒューズ3、4を介して直流電圧源としての電解コンデンサ1の両端に接続されている。
第1の過電流保護素子であるヒューズ3は、半導体モジュール7に直列接続された一方の電路である第1の電流路に配設され、第2の過電流保護素子であるヒューズ4は、半導体モジュール7に直列接続された他方の電路で、第1の電流路とは逆極性の電流が流れる第2の電流路に配設される。そしてヒューズ3とヒューズ4は、主回路の寄生インダクタンスを減少させるように、第1の電流路と第2の電流路に流れる電流によって互いのインダクタンスが相殺されるように主ヒューズエレメント3aと4aとを近接して対向配置する。
一方、溶断検出用エレメント3c、4cは、近接効果がでないように、主ヒューズエレメント3aと4aの外側で対向する主ヒューズエレメントから最も遠くなる位置、すなわち、
溶断検出用エレメント同士の間隔が最も大きくなるように配置するものである。
4b 主ヒューズエレメント 3c、4c 溶断検出用エレメント 3d、4d 溶
断検出用接点 6 スナバコンデンサ 7 半導体モジュール。
Claims (3)
- 主ヒューズエレメントと、この主ヒューズエレメントと並列接続され且つ略平行配置された溶断検出用エレメントとからなる第1の過電流保護素子および第2の過電流保護素子を有し、電力変換装置のアームと直列に接続された互いに逆極性の電流が流れる第1の電流路と第2の電流路の、一方の電流路に前記第1の過電流保護素子を、他方の電流路に前記第2の過電流保護素子を配設した電力変換装置であって、前記第1の過電流保護素子と第2の過電流保護素子は、前記第1の電流路と第2の電流路に流れる電流によって、互いのインダクタンスを打ち消し合うように主ヒューズエレメント同士を近接配置すると共に、前記溶断検出用エレメント同士は、近接効果が出にくいように、互いの間隔が主ヒューズエレメント同士の間隔よりも大きくなるように配置したことを特徴とする電力変換装置。
- 前記第1の過電流保護素子と第2の過電流保護素子の配置は、主ヒューズエレメント同士を対向させて近接配置すると共に、前記溶断検出用エレメント同士の位置が、主ヒューズエレメントの外側となるように配置したことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記第1の過電流保護素子と第2の過電流保護素子は、ヒューズエレメントと溶断検出用エレメントとが一体に内蔵されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力変換装置。
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