JP2002217762A - 信号処理用半導体集積回路および無線通信システム - Google Patents

信号処理用半導体集積回路および無線通信システム

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JP2002217762A JP2001005574A JP2001005574A JP2002217762A JP 2002217762 A JP2002217762 A JP 2002217762A JP 2001005574 A JP2001005574 A JP 2001005574A JP 2001005574 A JP2001005574 A JP 2001005574A JP 2002217762 A JP2002217762 A JP 2002217762A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイレクトコンバージョン方式の信号処理用
半導体集積回路において、受信モードに移行する際にお
ける可変利得アンプの出力の直流電圧変動を抑え、安定
した受信特性を再現し受信感度を向上させることができ
るようにする。 【解決手段】 ダイレクトコンバージョン方式の信号処
理用半導体集積回路において、アイドルモード等から受
信モードに移行する際に受信系回路(110)を構成す
るアンプ(PGA1,PGA2,PGA3等)の動作電
流を流す電流源の電流を規制する基準電圧を発生する基
準電圧発生回路(VRC,121,122,123)を
立ち上げて、発生される基準電圧が安定してからアンプ
の定電流源に電流を流すようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路技
術さらには多段接続されたアンプのDCオフセット低減
に適用して有効な技術に関し、例えば携帯電話器に用い
られ送受信信号を処理するダイレクトコンバージョン方
式の信号処理LSI(大規模半導体集積回路)に利用し
て有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、携帯電話器に用いられ送受信信号
を処理する無線通信用LSIには、スーパーヘテロダイ
ン方式と呼ばれる方式がある。スーパーヘテロダイン方
式における受信系回路は、例えば図10に示すように、
アンテナATより受信された信号から不要波を除去する
SAWフィルタからなる帯域制限フィルタ(FLT)1
11と、フィルタ111を通過した信号を増幅する低雑
音増幅回路(LNA)112と、増幅された受信信号と
発振系回路130からの局部発振信号とを合成すること
により中間周波数の信号にダウンコンバートするミクサ
(MIX)113と、受信信号と局部発振信号の周波数
差に相当する周波数の信号を通過させるバンドパスフィ
ルタ(BPF)114と、信号を所望のレベルに増幅す
る利得制御可能なプログラマブル・ゲイン・アンプ(P
GA)115と、所望の振幅に調整された信号を音声周
波数のベースバンド信号(I/Q)に復調する復調器
(DeMOD)116などから構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記スーパーヘテロダ
イン方式は受信信号を一旦中間周波数の信号にダウンコ
ンバートしてから復調処理を行なうため、回路規模が大
きいという問題点があった。そこで、本発明者らは、受
信信号を直接音声周波数のベースバンド信号(I/Q)
にダウンコンバートし復調するダイレクトコンバージョ
ン方式の信号処理LSIを開発した。しかしながら、ダ
イレクトコンバージョン方式においては、復調された信
号を増幅する可変利得アンプの出力の直流電圧が、回路
の立ち上げ後に時間とともに変動するという不具合があ
ることを見出した。そこで、その原因について検討した
結果、以下のような原因が明らかになった。
【0004】すなわち、図10に示されているようなス
ーパーヘテロダイン方式では、低雑音増幅回路(LN
A)から復調器116の前段までが、容量を介して受信
信号を伝達するAC結合である。そのため、各段のアン
プに動作電流を流す電流源に対する基準電圧を発生する
バンドギャップリファランス回路のような基準電圧発生
回路によって発生される電圧の変動により、アンプの出
力にDCオフセットがあっても、AC結合の場合には直
流成分は伝達されないため前段のDCオフセットは次段
の回路に影響を与えることがないので、最終段のアンプ
の出力の直流電圧変動は極めて小さいものとなる。
【0005】ところが、ダイレクトコンバージョン方式
の受信回路は、図10におけるバンドパスフィルタ(B
PF)114と復調器(DeMOD)116を省略した
ような構成を有しており、900MHzのような受信信
号をミクサ(113)でいっきに音声周波数(0〜70
kHZ)の信号までダウンコンバートしかつ復調する。
【0006】そのため、ミクサ113と可変利得アンプ
115とはDC結合とせざるを得ず、基準電圧発生回路
により発生される基準電圧の変動によりミクサ113の
出力にDCオフセットが生じると、そのDCオフセット
が可変利得アンプ115により増幅されてしまう。そし
て、この可変利得アンプ115のゲインはトータルで1
500倍を超えるため、DCオフセットも同じように大
きく増幅されてしまい、その結果、アンプの出力のDC
電圧が変動することが明らかとなった。なお、基準電圧
の変動によりミクサの出力にDCオフセットが生じるの
は、ミクサを構成する差動トランジスタにバラツキがあ
るからであり、そのDCオフセットはミクサの動作電流
が変動しているとそれ応じて変動すると考えられる。
【0007】この発明の目的は、ダイレクトコンバージ
ョン方式の信号処理用半導体集積回路において、受信モ
ードに移行する際における可変利得アンプの出力の直流
電圧変動を抑え、安定した受信特性を再現し受信感度を
向上させることができるようにすることにある。
【0008】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面
から明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
【0010】すなわち、受信信号を増幅する第1の増幅
回路と、増幅された信号と所定周波数の発振信号とを合
成して音声周波数のベースバンド信号に変換する周波数
変換手段と、該周波数変換手段とDC結合され周波数変
換手段で周波数変換された信号を増幅する第2の増幅回
路とを含む受信系回路を備え、該受信系回路が活性化さ
れる第1の動作モードと非活性化される第2の動作モー
ドとを有する信号処理用半導体集積回路において、上記
第2の動作モードから第1の動作モードに移行する際
に、上記周波数変換手段および上記第2の増幅回路の動
作電流を流す電流源のバイアス電圧を生成する基準電圧
発生回路が活性化され、その後に上記周波数変換手段お
よび上記第2の増幅回路の電流源にバイアス電圧が伝達
されて当該周波数変換手段および第2の増幅回路が活性
化されるように構成した。
【0011】より具体的には、ダイレクトコンバージョ
ン方式の信号処理用半導体集積回路において、アイドル
モード等から受信モードに移行する際に受信系回路を構
成するアンプの動作電流を流す電流源の電流を規制する
基準電圧を発生する基準電圧発生回路を立ち上げて発生
される基準電圧が安定してからアンプの定電流源に電流
を流すようにしたものである。
【0012】上記した手段によれば、アイドルモードの
ような第1の動作モードから受信モードのような第2の
動作モードに移行する際に各アンプで生じるDCオフセ
ットが小さくなり、第2の動作モード(受信モード)に
移行する際における可変利得アンプの出力の直流電圧変
動を抑え、通信システムにおいては安定した受信特性を
再現し受信感度を向上させることができる。
【0013】また、望ましくは、上記周波数変換手段お
よび上記第2の増幅回路の電流源にバイアス電圧が伝達
された後に、上記第2の増幅回路において出力のDCオ
フセットを小さくするキャリブレーションが行なわれ、
しかる後に上記第1の増幅回路が活性化されるように構
成する。DCオフセットのキャリブレーションが行なわ
れることによって、通信システムにおいてはより安定し
た受信特性の再現が可能となる。
【0014】さらに、上記第2の増幅回路は複数の増幅
段から構成されている場合に、各増幅段において出力の
DCオフセットを小さくするキャリブレーションが行な
われるようにする。これによって、より精度の高いDC
オフセットのキャリブレーションが可能となる。
【0015】また、上記基準電圧発生回路は、上記第1
の増幅回路と周波数変換手段と第2の増幅回路のそれぞ
れに対応して複数個設ける。これによって、基準電流を
供給する配線の引き回しが少なくて済み、精度の高い基
準電流の供給が可能となる。
【0016】さらに、上記周波数変換手段の入力側には
上記第1の増幅回路と同一の回路構成を有するダミーの
増幅回路(ダミーLNA)が接続され、上記基準電圧発
生回路の出力電圧が安定した後に上記ダミーの増幅回路
および周波数変換手段並び上記第2の増幅回路の電流源
にバイアス電圧が伝達され、上記第2の増幅回路におい
て出力のDCオフセットを小さくするキャリブレーショ
ンが行なわれるようにする。これによって、通常動作時
に発振回路から第1の増幅回路を介して回り込むノイズ
の影響をキャリブレーションの際にダミーの増幅回路を
介して与えることができ、より正確なDCオフセットの
キャリブレーションが可能となる。
【0017】また、上記第2の増幅回路におけるキャリ
ブレーションが行なわれた後に上記ダミーの増幅回路の
電流源へのバイアス電圧の伝達が遮断され、上記第1の
増幅回路の電流源へのバイアス電圧の伝達が行なわれる
ようにする。これによって、キャリブレーションの終了
後に正規の増幅回路による増幅動作が開始され、通常動
作時にダミー増幅回路が動作して悪影響を与えるのを回
避することができる。
【0018】さらに、上記のような構成を有する受信系
回路と、送信信号を変調する変調回路と、変調された信
号と発振信号とを合成してより周波数の高い信号に変換
するアップコンバート用の周波数変換手段とを含む送信
系回路と、上記受信系回路および送信系回路を制御する
制御系回路と、上記受信系回路および送信系回路で合成
される発振信号もしくは発振制御信号を生成する発振系
回路とを1つの半導体基板上に形成して信号処理用半導
体集積回路を構成する。これによって、1チップの送受
信用LSIが実現され、通信システムの部品点数を減ら
し、実装密度を高めることができ、携帯電話器の小型化
が可能となる。
【0019】さらに、上記1チップの信号処理用半導体
集積回路と、受信ベースバンド信号から音声信号への変
換や音声信号からベースバンド信号への変換等の信号処
理および上記信号処理用半導体集積回路の制御を行なう
半導体集積回路化されたベースバンド回路とを備えた無
線通信システムにおいて、上記基準電圧発生回路を活性
化させる指令信号と、上記周波数変換手段および上記第
2の増幅回路を活性化させる指令信号は、上記ベースバ
ンド回路から上記信号処理用半導体集積回路へ供給され
るように構成する。これによって、ベースバンド回路と
は別個にシステム全体を制御するマイクロプロセッサの
ような制御用LSIを設ける必要がなくなり、通信シス
テムの部品点数を減らし、実装密度を高めることがで
き、携帯電話器の小型化が可能となる。
【0020】また、上記基準電圧発生回路を活性化させ
る指令信号と、上記周波数変換手段および上記第2の増
幅回路を活性化させる指令信号は、上記ベースバンド回
路から上記信号処理用半導体集積回路内の上記制御系回
路へ供給されるように構成するのが望ましい。これによ
り、ベースバンド回路は信号処理用半導体集積回路の制
御系回路にコマンドを与えるだけで良くベースバンド回
路から信号処理用半導体集積回路内部の回路に直接制御
信号を供給する必要がないので、ベースバンド回路と信
号処理用半導体集積回路との間の信号線の数を減らし、
各回路の外部端子数を減らすことができる。
【0021】さらに、本願の他の発明は、受信信号を増
幅する第1の増幅回路と、増幅された信号と所定周波数
の発振信号とを合成して音声周波数のベースバンド信号
に変換する周波数変換手段と、該周波数変換手段とDC
結合され周波数変換手段で周波数変換された信号を増幅
する第2の増幅回路とを含む受信系回路を備え、該受信
系回路が活性化される第1の動作モードと非活性化され
る第2の動作モードとを有する信号処理用半導体集積回
路において、上記第2の動作モードから第1の動作モー
ドに移行する際に、上記周波数変換手段および上記第2
の増幅回路の動作電流を流す電流源のバイアス電圧を生
成する基準電圧発生回路が活性化され、所定時間後に上
記周波数変換手段および上記第2の増幅回路の電流源に
バイアス電圧を伝達させて当該周波数変換手段および第
2の増幅回路を活性化させるようにした制御方法の発明
である。
【0022】かかる制御方法を採用することにより、受
信系回路が活性化される第1の動作モードと非活性化さ
れる第2の動作モードとを有する信号処理用半導体集積
回路において、アイドルモードのような第1の動作モー
ドから受信モードのような第2の動作モードに移行する
際に各アンプで生じるDCオフセットが小さくなり、第
2の動作モード(受信モード)に移行する際における可
変利得アンプの出力の直流電圧変動を抑え、通信システ
ムにおいては安定した受信特性を再現し受信感度を向上
させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
【0024】図1には、本発明を適用して好適な携帯電
話器の信号処理システムの構成例が示されている。
【0025】図1において、ATは信号電波の送受信用
アンテナ、110はアンテナATより受信された信号を
中間周波数を介さずに復調、増幅しベースバンド信号に
変換するダイレクトコンバージョン方式の受信系回路1
10、130はアンテナATより送信するベースバンド
信号を変調し周波数変換する送信系回路、140は上記
受信系回路110と送信系回路130における周波数変
換に必要とされる局部発振信号φlocalを発生する発振
系回路、150は受信ベースバンド信号から音声信号へ
の変換や音声信号からベースバンド信号への変換等の信
号処理および上記受信系回路110や送信系回路130
の制御を行なったりするベースバンド&システム制御部
である。該ベースバンド&システム制御部110から出
力された音声データは、D/Aコンバータ160でアナ
ログ変換されてスピーカ170に供給され音声が再生さ
れる。
【0026】上記受信系回路110は、アンテナATよ
り受信された信号を増幅する低雑音増幅回路(LNA)
112と、増幅された受信信号と該受信信号と同一周波
数に分周した局部発振信号とを合成することで直接音声
の周波数ベースバンド信号にダウンコンバートしかつ復
調するミクサ(MIX)113と、利得制御可能なプロ
グラマブル・ゲイン・アンプ(PGA)やローパス・フ
ィルタ(LPF)を複数段有し信号を所定のレベルに増
幅する高利得のPGA部115と、該PGA部115の
DCオフセット・キャリブレーションを行うオートキャ
リブレーション回路117と、上記ベースバンド&シス
テム制御部150からのコマンド等に基づき受信系回路
110および送信系回路130の動作制御を行うコント
ローラ118等から構成される。
【0027】上記ベースバンド&システム制御部150
と受信系のコントローラ118との間は3本の信号線か
らなるシリアルバスで接続されており、ベースバンド&
システム制御部150から受信系のコントローラ118
に対して、コマンドコードDATAと該コマンドのラッ
チタイミングを与えるクロックCLKとデータが有効で
あることを示すイネーブル信号ENが供給され、コント
ローラ118は供給されたコマンドに基づき受信系回路
110の動作制御を行う。
【0028】図1には示されていないが、低雑音増幅回
路(LNA)112の前段には、アンテナATより受信
された信号から不要波を除去するSAWフィルタが設け
られていている。特に制限されるものではないが、この
実施例では、上記受信系回路110と送信系回路130
と発振系回路140は、SAWフィルタやフィルタ容量
などを除き、例えば単結晶シリコンのような1つの半導
体基板上に半導体集積回路100として形成される。ま
た、ベースバンド&システム制御部150もそれ自身が
1つの半導体集積回路として構成されているが、ベース
バンド回路とシステム制御回路を別の半導体集積回路と
して構成しても良い。
【0029】図2には上記受信系回路110のより具体
的な構成を、また図3には受信系回路を構成する各段の
アンプに動作電流を与える基準電流発生回路の具体的な
回路構成例を示す。
【0030】この実施例においては、LNA部112に
本来の低雑音増幅回路112Aおよびこれと同一回路構
成を有するダミーLNA112Bが設けられている。ま
た、PGA部115には3個のプログラマブル・ゲイン
・アンプPGA1,PGA2,PGA3が設けられ、後
述のように各々フィルタを挟んで縦続接続されている。
そして、上記低雑音増幅回路112AおよびダミーLN
A112Bや、ミクサ113、プログラマブル・ゲイン
・アンプPGA1〜PGA3には、アンプに動作電流を
流すために必要な基準電流を発生する基準電流発生回路
121,122,123がそれぞれ設けられている。
【0031】基準電流発生回路121〜123は、図3
に示すように、バンドギャップリファランス回路のよう
な基準電圧発生回路VRCと、発生された基準電圧Vr
efをベースに受けるバイポーラトランジスタQ11
と、電源電圧Vccと該トランジスタQ11のコレクタ
との間に接続された抵抗R12並びにベースとコレクタ
が結合されたカレントミラー用トランジスタQ12と、
トランジスタQ11のエミッタと接地点との間に接続さ
れた抵抗R12とから構成されている。抵抗R11,R
12およびトランジスタQ11,Q12からなる回路
は、電圧−電流変換回路として働く。
【0032】そして、上記トランジスタQ12のベース
端子と前記各段のアンプに定電流源として設けられてい
るトランジスタQ21のベース端子とが接続されること
によりカレントミラー回路が構成され、これにより各段
のアンプの定電流源に基準電流発生回路121〜123
の基準電流Irと同一の電流が流されるようにされてい
る。
【0033】また、基準電流発生回路121,122,
123と各段のアンプに動作電流を流す電流源としての
トランジスタQ21との間には、電圧−電流変換回路の
トランジスタQ12のベース電圧を伝達するか否かを決
定するスイッチSW1が設けられており、このスイッチ
SW1はコントローラ118からの制御信号T2により
制御されるように構成されている。ただし、LNA部1
12においては、後に詳しく説明するように低雑音増幅
回路112AとダミーLNA112Bに対応する基準電
流発生回路121は、低雑音増幅回路112Aやダミー
LNA112Bに設けられているスイッチの切換えによ
り、何れかの一方の回路に基準電流を伝達するように構
成されている。
【0034】さらに、上記基準電流発生回路121〜1
23の基準電圧発生回路VRCは、例えばシステムがア
イドルモードになって受信系回路110の動作が停止さ
れるときなどに消費電流を低減するため、コントローラ
118からの制御信号T1により上記基準電圧発生回路
VRCをアクティブ状態または非アクティブ状態に切換
え可能に構成されている。
【0035】この実施例の受信系回路においては、制御
信号T1により先ず基準電圧発生回路VRCを活性化さ
せ、その基準電圧が安定してからスイッチSW1をオン
させて各段のアンプの電流源に電流を流すことによって
DCオフセットの変動を防止するようにされている。な
お、LNA部112に関しては、低雑音増幅回路112
Aとミクサ113とは容量を介してAC結合されるの
で、基準電圧の変動に伴なう低雑音増幅回路112Aの
DCオフセットの変動はミクサ113には伝わらない。
従って、低雑音増幅回路112Aに対応した基準電流発
生回路121の出力側のスイッチSW1は省略するよう
にしてもよい。
【0036】一方、受信系回路110のコントローラ1
18は、ベースバンド&システム制御部150からのコ
マンドコード等が格納されるレジスタ119や、該レジ
スタ119の値に基づき内部回路に制御信号を出力する
デコーダ回路、ベースバンド&システム制御部150か
ら供給されたコマンドやオートキャリブレーション回路
117から出力されたキャリブレーション終了通知の信
号に基づき所定のタイミングの制御信号を生成するロジ
ック回路などから構成される。
【0037】そして、コントローラ118は、供給され
たコマンドに基づいて上記低雑音増幅回路112A、後
述のダミーLNA112B、ミクサ113、PGA部1
15の基準電圧発生回路VRCをアクティブにする制御
信号T1や、各基準電流発生回路121〜123で発生
された基準電流を対応するアンプに供給させる制御信号
T2、ダミーLNA112Bをアクティブにしてオート
キャリブレーションを実行可能にするためのオートキャ
リブレーション制御信号T21、低雑音増幅回路112
Aをアクティブにして信号の受信を行うための受信制御
信号T3を、所定条件および所定タイミングで生成して
出力する。
【0038】図4には、受信系回路110のより詳細な
構成を示す。
【0039】図4に示されているように、PGA部11
5は、高周波ノイズをカットするローパスフィルタLP
F1〜LPF3と利得制御可能なプログラマブル・ゲイ
ン・アンプPGA1〜PGA3とを交互に縦続接続して
構成されている。ローパスフィルタLPF1〜LPF3
は、初段よりも2段目、2段目よりも3段目の方がそれ
ぞれカットオフ周波数近傍での利得特性曲線の傾きが急
峻になるようにそれぞれ設計されている。
【0040】なお、初段のローパスフィルタLPF1は
ミクサ113の出力側の負荷と外付けの容量素子C1と
から構成されている。容量素子C1は比較的容量が大き
い(例えば2200pF)ため外付け素子とされてい
る。2段目のローパスフィルタLPF2は2次のフィル
タ、3段目のローパスフィルタLPF3は3次のフィル
タとされ、それらのフィルタを構成する容量素子は比較
的容量値が小さいためアンプを構成する素子と共に半導
体基板上に形成される。
【0041】上記プログラマブル・ゲイン・アンプPG
A1〜PGA3は、3段で例えば1600倍のような高
利得が得られるように設計される。ダイレクトコンバー
ジョン方式では、ミクサ113より後の信号は0Hz〜
70kHzのベースバンド帯の信号となるため、ローパ
スフィルタLPF1〜LPF3やプログラマブル・ゲイ
ン・アンプPGA1〜PGA3などミクサ113より後
の回路は容量結合することが出来ず、DC結合とされて
いる。
【0042】オートキャリブレーション回路117は、
各プログラマブル・ゲイン・アンプPGA1〜PGA3
のそれぞれに対応して設けられており、各プログラマブ
ル・ゲイン・アンプPGA1〜PGA3の出力電位差を
デジタル信号に変換するADコンバータ124A〜12
4Cと、該ADコンバータ124A〜124Cによる比
較結果に基づき対応するプログラマブル・ゲイン・アン
プPGA1〜PGA3の差動入力に出力のDCオフセッ
トが「0」とするような入力オフセットを与えるDAコ
ンバータ125A〜125Cと、各ADコンバータ12
5A〜125Cに動作タイミングを与えるカウンタ12
6などから構成される。
【0043】オートキャリブレーション回路117は、
コントローラ118からの指令によりキャリブレーショ
ンを開始すると、先ず、初段目のプログラマブル・ゲイ
ン・アンプPGA1のDCオフセットキャリブレーショ
ンを行い、初段目が完了したら次に2段目、2段目が完
了したら次に3段目と、1段ずつ順番にキャリブレーシ
ョンを行う。
【0044】また、特に制限されないが、各段のDCオ
フセットキャリブレーションは、ADコンバータ124
A〜124Cによるアンプの差動出力の比較とDAコン
バータ125A〜125Cによるアンプへの電圧印加と
を逐次繰り返して行う逐次比較方式を採用している。D
Aコンバータ125A〜125Cは、例えば電流値が
i,2i,4i,8i……のような関係にあるn種類
(nは正の整数で、例えば6のような値とされる)の重
み電流をnビットの入力信号に応じて合成し電圧に変換
することで、2n段階の電圧値の中から1つを選択して
出力することが可能となっている。
【0045】そして、カウンタ126からのタイミング
信号によりADコンバータ124A〜124Cにおける
アンプ出力と基準電圧との比較と、そのAD変換結果に
応じたDAコンバータ125A〜125Cによる差動ア
ンプ入力への電圧印加とを、例えば6回繰り返し行うこ
とで、各段のプログラマブル・ゲイン・アンプPGA1
〜PGA3のキャリブレーションがそれぞれ実行され
る。そして、キャリブレーションが完了したら、上記D
Aコンバータ125A〜125Cに設けられたレジスタ
REGに各アンプのDCオフセットを「0」にさせるの
に必要な最終DA入力値を記憶させ、次のキャリブレー
ション時或いは受信モードを終えるまでその状態を保持
するように制御される。
【0046】上記キャリブレーション動作は、カウンタ
126がコントローラ118からの制御信号に基づきシ
ステムクロックφsをカウントして、初段のADコンバ
ータ124Aから2段目、3段目のADコンバータ12
4B,124Cに対するタイミング信号を順次生成し出
力することで、各段のアンプのDCオフセットキャリブ
レーションを順番に行なわせる。また、DCオフセット
キャリブレーションが完了すると、完了を知らせる信号
がカウンタ126からコントローラ118に出力される
ようになっている。
【0047】なお、この実施例では、特に制限されるも
のでないが、2段目のアンプPGA2と3段目のアンプ
PGA3に関しては、入力端子に抵抗を付けて入力オフ
セットを調整可能な構成にしておいて出力電圧を見てD
Cオフセットが「0」になるように入力オフセットを変
化させるようにしているのに対し、初段のアンプPGA
1に関しては出力電圧を見てDCオフセットが「0」に
なるように出力を調整するように構成されている。
【0048】図5には、上記ミクサ回路113の回路例
を示す。この実施例のミクサ回路113は、互いにエミ
ッタ共通接続され差動の局部発振信号φlocal,/φloc
alがベースに入力されるとともに一方のコレクタが交差
結合された2組の差動入力トランジスタQ1,Q2;Q
3,Q4と、Q1のコレクタおよびQ4のコレクタと電
源電圧Vccとの間に各々接続された抵抗R1,R2
と、Q1,Q2の共通エミッタと接地点との間に接続さ
れた定電流用トランジスタQ5およびそのエミッタ抵抗
R3と、Q3,Q4の共通エミッタと接地点との間に接
続された定電流用トランジスタQ6およびそのエミッタ
抵抗R4とにより構成されている。そして、定電流用ト
ランジスタQ5,Q6のエミッタと抵抗R3,R4との
接続ノードに容量C1,C2を介してそれぞれ差動の受
信信号RF,/RFが入力され、差動入力トランジスタ
Q1,Q4のコレクタからφlocal,/φlocalとRF,
/RFの合成周波数信号が差動で出力される。
【0049】図6には、受信系回路110の入力部に設
けられる上記低雑音増幅回路112AとダミーLNA1
12Bの回路例を示す。ダミーLNA112Bは、前述
したように、低雑音増幅回路112Aと同一特性の素子
を用いて同一回路に構成された回路である。
【0050】低雑音増幅回路112Aは、図6に示すよ
うに、電源電圧Vccと接地点との間に抵抗R11とバ
イポーラトランジスタQ11とを直列接続してなるエミ
ッタ接地型の増幅回路と、トランジスタQ11とベース
が共通接続されカレントミラー回路を構成するトランジ
スタQ12およびこれと直列に接続された定電流源I1
とを含みトランジスタQ11にバイアス電流を流すバイ
アス回路80とから構成されている。そして、該バイア
ス回路80には定電流源I1とトランジスタQ12との
間に定電流源I1からの電流を遮断可能なスイッチSW
2が設けられている。
【0051】また、バイアス回路80は、トランジスタ
Q11のベースに抵抗R12,R13を介してトランジ
スタQ2のベース端子が接続され、且つこれらの抵抗R
12,R13の接続ノードn1にトランジスタQ12の
コレクタが接続されて、Q11とQ12がカレントミラ
ーを構成しているとともに、トランジスタQ11のベー
ス端子がアンテナATにより受信された受信信号が入力
される外部入力端子RFINに接続されている。
【0052】このように構成された低雑音増幅回路11
2Aにおいては、バイアス回路80によりトランジスタ
Q11にコレクタ電流が流された状態で、入力端子RF
INよりQ11のベース端子に受信信号が入力されると
その信号を増幅した信号がQ11と抵抗R11との接続
ノードn0に現われ、これがミクサ113に供給され
る。そして、スイッチSW2が前述のコントローラ11
8からの制御信号T3によりオフされ電流が遮断される
と、トランジスタQ11のコレクタ電流も流れなくなり
ベース電位は接地電位に低下するため、微少な受信信号
ではトランジスタQ11を駆動することができず、低雑
音増幅回路112Aは非アクティブな状態になる。
【0053】ダミーLNA112Bは、上記低雑音増幅
回路112Aと同一の素子を用いて同一の回路に構成さ
れている。具体的には、抵抗R11が共通負荷となるよ
うにトランジスタQ11と並列に設けられたダミー入力
トランジスタQ21と、該トランジスタQ21とカレン
トミラー接続されたトランジスタQ22、Q21−Q2
2のベース間の抵抗R22,R23、Q22のコレクタ
側に接続されたスイッチSW3、定電流源I2を含み低
雑音増幅回路112A側のバイアス回路80と同一構成
のバイアス回路90とによりダミーLNA112Bが構
成されている。ただし、このダミーLNA112Bに設
けられているスイッチSW3は、キャリブレーション実
行時にコントローラ118からの制御信号T21により
正規の低雑音増幅回路112AのスイッチSW2とは相
補的に、つまりSW2がオフのときにオン、SW2がオ
ンのときはオフとなるように制御される。
【0054】また、低雑音増幅回路112Aの入力端子
RFINに対応したダミーLNA112Bのノードn2
には、トランジスタQ21のベースに接続されるインピ
ーダンスがトランジスタQ11のベースに接続されてい
るインピーダンスと等しくなるように、入力端子RFI
Nに外付けされているインダクタや容量からなる回路の
インピーダンスZ0とほぼ等価なインピーダンスZ1を
有するマッチング回路91が接続されている。なお、半
導体基板上にインダクタを形成するのは難しいことか
ら、等価インピーダンスZ1は、抵抗と容量の組み合わ
せにより、入力端子RFINに受信して内部回路に取り
込む信号の周波数ωinに対してほぼ等価なインピーダ
ンスZ1が得られるように設計される。
【0055】さらに、低雑音増幅回路112Aは、局部
発振器の漏洩ノイズが入力され難いようにするため、半
導体基板上において発振系回路140やミクサ113か
ら離れた領域に形成されるのが一般的であるが、ダミー
LNA112Bも同様な領域に形成すると良い。
【0056】なお、低雑音増幅回路112AやダミーL
NA112Bの構成およびその周辺回路の構成は、図6
に示されているような構成に限られるものではなく、例
えば、低雑音増幅回路112Aとミクサ113との間
に、利得を2段階に切換え可能な利得可変アンプAMP
1(図4参照)を設け、受信信号の振幅が大きい場合に
はベースバンド&システム制御部150の制御によりこ
の利得可変アンプAMP1の利得を低い方に切り替え、
受信信号の振幅が小さい場合にはベースバンド&システ
ム制御部150の制御により利得可変アンプAMP1の
利得を高い方に切り替えるようにしても良い。
【0057】また、低雑音増幅回路112Aを差動型に
構成して、アンテナATで受信された受信信号を差動信
号に変換して低雑音増幅回路に入力するような構成にす
ることも出来る。図7には、そのような実施例に適用可
能な差動型の低雑音増幅回路112AとダミーLNA1
12Bの構成例が示されている。なお、図7の回路は図
6の回路を差動型としたもので、基本的な構成および動
作は図6の回路と同一であるので詳しい説明は省略す
る。また、図7の実施例では、特に制限されるものでな
いが、低雑音増幅回路112Aの入力トランジスタQ1
1,Q11’のエミッタは外部端子として設けられたグ
ランドピンにそれぞれ接続されている。これにより、グ
ランドライン廻りのノイズを低減することができる。一
方、ダミーLNA112Bの入力トランジスタQ21,
Q21’のエミッタはチップ内部のグランドラインにそ
れぞれ接続されている。
【0058】次に、上記ダミーLNA112Bを利用し
たオフセットのキャリブレーション動作について説明す
る。図8には、アイドルモード(待機モード)から受信
モードへの切換り処理のフローチャートを、図9にはア
イドルモードから受信モードへ切換る際の動作タイムチ
ャートを示す。
【0059】アイドルモードから受信モードへの切換え
は、例えば、携帯電話が待ち受け状態にあるときに携帯
電話がどの基地局の無線ゾーンにあるかを確認するため
に、基地局からの信号を所定間隔毎に受信する間歇受信
の際に発生するものであり、予め設定されている所定間
隔毎にベースバンド回路によりアイドルモードから受信
モードへのモード切換え処理が開始される。
【0060】所定のタイミングがきてベースバンド回路
150で受信モードへのモード切換え処理が開始される
と、まず、ベースバンド回路150からコントローラ1
18へ、発振系回路140の発振動作開始と受信系回路
110の各部の基準電流発生回路の基準電圧発生回路V
RCをアクティブにさせるコマンドコード(ウォームア
ップ・コマンド)が出力される。
【0061】このベースバンド回路150からのコマン
ド制御により、発振系回路140の局部発振器が発振動
作を開始する一方、受信系回路110ではコントローラ
118からの制御信号T1がハイレベルに変化されて、
受信系回路110の各部の基準電流発生回路の基準電圧
発生回路VRCがアクティブにされる。このとき、基準
電流発生回路は立上りから電流が安定するまでにトラン
ジスタの素子特性に応じた所定時間を要する。具体的に
は、図9に示すように、基準電流発生回路の立上り直後
は定常時の電流よりも大きな電流が出力され、その後次
第に所定の定常電流に近づいていく。
【0062】ベースバンド回路150では、上記基準電
流回路の基準電圧発生回路VRCをアクティブにするコ
マンドコードを出力したら、次に内部のカウンタ等によ
り所定期間を計時したタイミングで受信系回路110の
コントローラ118へ、ミクサ113とPGA部115
をアクティブにしてPGA部115におけるDCオフセ
ットキャリブレーションを実行させるコマンドコードを
送信する。
【0063】このコマンドコードが受信系回路110の
コントローラ118へ送られると、受信系回路110の
コントローラ118では、このコマンドコードをデコー
ドして、ミクサ113とPGA部115をアクティブに
する制御信号T2と、オートキャリブレーションモード
信号T21とをほぼ同時に出力する。制御信号T2は、
ミクサ113とPGA部115にそれぞれ設けられてい
る前記基準電流発生回路の出力側のスイッチSW1に供
給され、該スイッチSW1がオン状態にされることで、
先の制御信号T1で生成された基準電流と同一の電流が
カレントミラー回路の動作でミクサ113とPGA部1
15の電流源にそれぞれ流され、ミクサ113とPGA
部115がアクティブにされる。
【0064】一方、オートキャリブレーションモード信
号T21は、ダミーLNA112Bに動作電流を供給す
るパスに設けられたスイッチSW3に供給されて該スイ
ッチSW3がオン状態にされ、ダミーLNA112Bが
アクティブにされる。そして、これと同時に、オートキ
ャリブレーションモード信号T21がオートキャリブレ
ーション回路117に入力され、該回路内部のカウンタ
126が動作してオートキャリブレーション処理が開始
され、ダミーLNA112Bがアクティブな状態でPG
A部115におけるオートキャリブレーションが行なわ
れる。
【0065】ダミーLNA112Bが設けられていない
図12のような低雑音増幅回路におけるミクサ113の
入力側のインピーダンスは、抵抗R11とミクサの入力
端子側の寄生容量Csの並列接続とみなすことができ
る。局部発振信号の漏洩ノイズは、ミクサの入力端子側
のインピーダンスを通して混入すると考えられる。そし
て、この入力端子側のインピーダンスのうち抵抗R11
は低雑音増幅回路112Aのオン、オフ状態で変化しな
いが、寄生容量Csはオン、オフ状態でその充放電電流
が極端に相違するためインピーダンスが大きく変化す
る。
【0066】そのため、アンテナからの妨害波の影響を
なくすためスイッチSW2をオフして低雑音増幅回路1
12Aの電流を遮断している状態では、ミクサ113の
入力側のインピーダンスは小さいので局部発振信号の漏
洩ノイズの影響は小さく、図9に実線で示されているよ
うに、ミクサ113の出力はDCオフセットがほぼ
「0」に近い値となり、オートキャリブレーションによ
るDCオフセットの校正の量も僅かである。そして、そ
の後、低雑音増幅回路112Aがオンされると、ミクサ
の入力端子側の寄生容量Csが大きくなって局部発振信
号の漏洩ノイズが混入し易くなり、その影響でミクサ1
13の出力のDCオフセットが急激に拡大する。従っ
て、ダミーLNA112Bが設けられていない場合ある
いはダミーLNAがあってもそれがオフされている場合
には、キャリブレーションを行なってもこのDCオフセ
ットを校正することができない。
【0067】しかるに、この実施例においては、ダミー
LNA112Bをオンさせた状態でオートキャリブレー
ションを行なうため、ダミーLNA112Bをオンさせ
ることにより低雑音増幅回路112Aがオフされていて
も、図9に破線で示すようにミクサ113の出力にはD
Cオフセットが低雑音増幅回路112Aがオンされてい
る通常受信動作時と同じ大きさで現われる。そして、こ
のDCオフセットを校正するようにオートキャリブレー
ションが行なわれるため、ダミーLNA112Bが設け
られていない場合に比べて大幅にDCオフセットを校正
させることができる。なお、PGA部115が図4の実
施例のように3段で構成されている場合、局部発振信号
の漏洩ノイズの影響によるDCオフセットの校正は主と
して初段の利得可変アンプPGA1で行なわれ、後段の
利得可変アンプPGA2,PGA3では専らそれらのア
ンプ自身の素子バラツキによるDCオフセットを校正す
るオートキャリブレーションが行なわれる。
【0068】上記のようにしてオートキャリブレーショ
ン回路117によるキャリブレーション動作が完了する
と、PGA部115のDAコンバータ125A〜125
Cに設けられたレジスタREGに各アンプのDCオフセ
ットを「0」にさせるのに必要な最終DA入力値が保持
され、オートキャリブレーション回路117からコント
ローラ118へキャリブレーション処理の完了を示す応
答信号が出力される。
【0069】コントローラ118はキャリブレーション
処理の完了が知らされると、オートキャリブレーション
モード信号T21をローレベルに立ち下げ、同時に受信
モード信号T3を立ち上げて低雑音増幅回路112Aを
アクティブにして受信モードに移行させる。そして、そ
れによりアンテナからの信号受信が可能となり、受信信
号が低雑音増幅回路112A、ミクサ113およびPG
A部115を通ることでベースバンド信号に復調・増幅
されてベースバンド&システム制御部150に入力され
る。
【0070】そして、上記一連の受信処理が終わると、
ベースバンド&システム制御部150から受信系回路1
10のコントローラ118にアイドルモード(スリープ
モード)への移行コマンドが出力される。このコマンド
に基づいて受信系回路110のコントローラ118は、
制御信号T1,T2と受信モード信号T3をローレベル
に変化させて、受信系回路110のアンプの電流源に流
れていた動作電流を遮断させ、アイドルモード(待受け
状態)へ移行する。
【0071】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前
記実施例の受信系回路においては、ミクサ113の前段
にも利得可変アンプAMP1を設けているが、このアン
プは省略することができる。また、ミクサ113の後段
の利得可変アンプ115は3段で構成されているが、2
段あるいは4段以上であっても良い。
【0072】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である携帯電
話器に用いられるダイレクトコンバージョン方式の信号
処理用半導体集積回路に適用した場合を説明したが、本
発明はそれに限定されるものでなく、複数のアンプがD
C結合で多段に接続されているアナログ回路を内蔵した
半導体集積回路に広く利用することができる。
【0073】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である携帯電
話器に用いられるダイレクトコンバージョン方式の信号
処理用半導体集積回路に適用した場合を説明したが、本
発明はそれに限定されるものでなく、複数のアンプが多
段接続されている構成を有するアナログ回路およびそれ
を内蔵した半導体集積回路に利用することができる。
【0074】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
【0075】すなわち、ダイレクトコンバージョン方式
の信号処理用半導体集積回路において、受信モードに移
行する際における可変利得アンプの出力の直流電圧変動
を抑え、安定した受信特性を再現し受信感度を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用して好適な携帯電話の信号処理シ
ステムの実施例を示す構成図である。
【図2】受信系回路110における信号受信部の駆動方
式の詳細例を示すブロック図である。
【図3】図2の基準電流発生回路の一例を示す構成図で
ある。
【図4】オートキャリブレーション回路117を含めた
信号受信部の詳細例を示すブロック図である。
【図5】ミクサ回路113の回路例を示す回路図であ
る。
【図6】LNA回路112AとダミーLNA112Bの
詳細例を示す回路図である。
【図7】差動型のLNA回路112AとダミーLNA1
12Bの一例を示す回路図である。
【図8】信号受信部のアイドルモードと受信モードとの
切換り時の処理手順を示すフローチャートである。
【図9】信号受信部のアイドルモードと受信モードとの
切換り時の動作波形を示すタイムチャートである。
【図10】従来の携帯電話器に用いられているスーパー
ヘテロダイン方式の受信系回路の構成例を示すブロック
図である。
【図11】ダイレクトコンバージョン方式の受信系回路
における局所発振信号の漏洩ノイズによるセルフミキシ
ング作用を説明する参考図である。
【図12】従来の低雑音増幅回路(LNA)の一例を示
す回路図である。
【符号の説明】
AT 送受信用アンテナ 100 信号処理用半導体集積回路 110 受信系回路 111 SAWフィルタ 112 LNA部 112A 低雑音増幅回路(LNA) 112B ダミーLNA 113 ミクサ(MIX) 115 PGA部 117 オートキャリブレーション回路 118 コントローラ 121〜123 基準電流発生回路 130 送信系回路 140 発振系回路 150 ベースバンド&システム制御部 160 D/Aコンバータ 170 スピーカ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大澤 弘孝 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5J092 AA01 CA11 CA13 FA02 FA13 FR14 HA08 HA25 HA29 HA38 KA00 KA05 KA06 KA09 KA11 KA29 KA32 KA34 KA41 KA42 KA44 KA53 KA62 MA08 SA13 TA01 TA06 TA07 5K061 AA01 BB12 CC36

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受信信号を増幅する第1の増幅回路と、
    増幅された信号と所定周波数の発振信号とを合成して音
    声周波数のベースバンド信号に変換する周波数変換手段
    と、該周波数変換手段とDC結合され周波数変換手段で
    周波数変換された信号を増幅する第2の増幅回路とを含
    む受信系回路を備え、該受信系回路が活性化される第1
    の動作モードと非活性化される第2の動作モードとを有
    する信号処理用半導体集積回路であって、 上記第2の動作モードから第1の動作モードに移行する
    際に、上記周波数変換手段および上記第2の増幅回路の
    動作電流を流す電流源のバイアス電圧を生成する基準電
    圧発生回路が活性化され、その後に上記周波数変換手段
    および上記第2の増幅回路の電流源にバイアス電圧が伝
    達されて当該周波数変換手段および第2の増幅回路が活
    性化されるように構成されてなることを特徴とする信号
    処理用半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 上記周波数変換手段および上記第2の増
    幅回路の電流源にバイアス電圧が伝達された後に、上記
    第2の増幅回路において出力のDCオフセットを小さく
    するキャリブレーションが行なわれ、しかる後に上記第
    1の増幅回路が活性化されるように構成されてなること
    を特徴とする請求項1に記載の信号処理用半導体集積回
    路。
  3. 【請求項3】 上記第2の増幅回路は複数の増幅段から
    構成されており、各増幅段において出力のDCオフセッ
    トを小さくするキャリブレーションが行なわれることを
    特徴とする請求項2に記載の信号処理用半導体集積回
    路。
  4. 【請求項4】 上記基準電圧発生回路は、上記第1の増
    幅回路と周波数変換手段と第2の増幅回路のそれぞれに
    対応して複数個設けられていることを特徴とする請求項
    1〜3のいずれかに記載の信号処理用半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 上記周波数変換手段の入力側には上記第
    1の増幅回路と同一の回路構成を有するダミーの増幅回
    路が接続され、上記基準電圧発生回路の出力電圧が安定
    した後に上記ダミーの増幅回路および周波数変換手段並
    び上記第2の増幅回路の電流源にバイアス電圧が伝達さ
    れ、上記第2の増幅回路において出力のDCオフセット
    を小さくするキャリブレーションが行なわれることを特
    徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の信号処理用半
    導体集積回路。
  6. 【請求項6】 上記第2の増幅回路におけるキャリブレ
    ーションが行なわれた後に上記ダミーの増幅回路の電流
    源へのバイアス電圧の伝達が遮断され、上記第1の増幅
    回路の電流源へのバイアス電圧の伝達が行なわれること
    を特徴とする請求項5に記載の信号処理用半導体集積回
    路。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の受信系
    回路と、 送信信号を変調する変調回路と、変調された信号と発振
    信号とを合成してより周波数の高い信号に変換するアッ
    プコンバート用の周波数変換手段とを含む送信系回路
    と、 上記受信系回路および送信系回路を制御する制御系回路
    と、 上記受信系回路および送信系回路で合成される発振信号
    もしくは発振制御信号を生成する発振系回路と、が1つ
    の半導体基板上に形成されてなることを特徴とする信号
    処理用半導体集積回路。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の信号処理用半導体集積
    回路と、 受信ベースバンド信号から音声信号への変換や音声信号
    からベースバンド信号への変換等の信号処理および上記
    信号処理用半導体集積回路の制御を行なう半導体集積回
    路化されたベースバンド回路とを備えた無線通信システ
    ムであって、 上記基準電圧発生回路を活性化させる指令信号と、上記
    周波数変換手段および上記第2の増幅回路を活性化させ
    る指令信号は、上記ベースバンド回路から上記信号処理
    用半導体集積回路へ供給されるように構成されているこ
    とを特徴とする無線通信システム。
  9. 【請求項9】 上記基準電圧発生回路を活性化させる
    指令信号と、上記周波数変換手段および上記第2の増幅
    回路を活性化させる指令信号は、上記ベースバンド回路
    から上記信号処理用半導体集積回路内の上記制御系回路
    へ供給されるように構成されていることを特徴とする請
    求項8に記載の無線通信システム。
  10. 【請求項10】 受信信号を増幅する第1の増幅回路
    と、増幅された信号と所定周波数の発振信号とを合成し
    て音声周波数のベースバンド信号に変換する周波数変換
    手段と、該周波数変換手段とDC結合され周波数変換手
    段で周波数変換された信号を増幅する第2の増幅回路と
    を含む受信系回路を備え、該受信系回路が活性化される
    第1の動作モードと非活性化される第2の動作モードと
    を有する信号処理用半導体集積回路における制御方法で
    あって、 上記第2の動作モードから第1の動作モードに移行する
    際に、上記周波数変換手段および上記第2の増幅回路の
    動作電流を流す電流源のバイアス電圧を生成する基準電
    圧発生回路が活性化され、所定時間後に上記周波数変換
    手段および上記第2の増幅回路の電流源にバイアス電圧
    を伝達させて当該周波数変換手段および第2の増幅回路
    を活性化させることを特徴とする信号処理用半導体集積
    回路おける制御方法。
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