JP2003283252A - 周波数変換回路 - Google Patents
周波数変換回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミキサ特性に大きく影響を与えるローカルア
ンプ出力レベルの調整が容易な周波数変換回路を得る。 【解決手段】 ローカルアンプ部２を、互いに並列接続
した複数のＥＣＬアンプとし、またこれ等ＥＣＬアンプ
の負荷をコイルＬ１，Ｌ２による負荷とする。これ等Ｅ
ＣＬアンプを使用周波数帯域に応じて選択制御すること
により、ゲイン周波数特性が調整でき、またコイル負荷
としたので、ＥＣＬアンプ入力バイアスＶ３，Ｖ４によ
るローカル信号レベル調整を行っても、ＤＣバイアス変
動が生じなくなり、ミキサ特性の調整が適切に可能とな
る。
ンプ出力レベルの調整が容易な周波数変換回路を得る。 【解決手段】 ローカルアンプ部２を、互いに並列接続
した複数のＥＣＬアンプとし、またこれ等ＥＣＬアンプ
の負荷をコイルＬ１，Ｌ２による負荷とする。これ等Ｅ
ＣＬアンプを使用周波数帯域に応じて選択制御すること
により、ゲイン周波数特性が調整でき、またコイル負荷
としたので、ＥＣＬアンプ入力バイアスＶ３，Ｖ４によ
るローカル信号レベル調整を行っても、ＤＣバイアス変
動が生じなくなり、ミキサ特性の調整が適切に可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は周波数変換回路に関
し、特にローカル信号を増幅してこの増幅出力と入力信
号とを混合して周波数変換する周波数変換回路に関する
ものである。
し、特にローカル信号を増幅してこの増幅出力と入力信
号とを混合して周波数変換する周波数変換回路に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】通信機器である、例えば携帯電話におい
ては、送受信部分において、高周波ミキサ回路( 周波数
変換回路) が用いられているが、特に携帯電話用のＲＦ
−ＬＳＩでは、高周波である１ＧＨｚ〜２ＧＨｚを動作
範囲とする送信及び受信ブロック内に、この高周波ミキ
サ回路が組込まれて構成されている。この様な携帯電話
用のＲＦ−ＬＳＩは、一般的に、送信系ＬＳＩと受信系
ＬＳＩとＰＬＬ系ＬＳＩという３つのチップにより構成
されるのが主流となってはいるが、近年では１チップ化
することが要求されている。
ては、送受信部分において、高周波ミキサ回路( 周波数
変換回路) が用いられているが、特に携帯電話用のＲＦ
−ＬＳＩでは、高周波である１ＧＨｚ〜２ＧＨｚを動作
範囲とする送信及び受信ブロック内に、この高周波ミキ
サ回路が組込まれて構成されている。この様な携帯電話
用のＲＦ−ＬＳＩは、一般的に、送信系ＬＳＩと受信系
ＬＳＩとＰＬＬ系ＬＳＩという３つのチップにより構成
されるのが主流となってはいるが、近年では１チップ化
することが要求されている。
【０００３】この様な高周波ミキサ回路の従来例とし
て、図３に示す構成のものがある。図３に示す如く、高
周波ミキサ回路は、基本的にミキサ部（周波数変換部）
１と、ローカルアンプ部２と、インピーダンスマッチン
グ部３とから構成される。
て、図３に示す構成のものがある。図３に示す如く、高
周波ミキサ回路は、基本的にミキサ部（周波数変換部）
１と、ローカルアンプ部２と、インピーダンスマッチン
グ部３とから構成される。
【０００４】ミキサ部１は周知のギルバートセルタイプ
構成であり、トランジスタＱ１〜Ｑ６、抵抗Ｒ１〜Ｒ３
からなり、高周波入力信号（ＲＦ−ＩＮ）がカップリン
グコンデンサＣ１，Ｃ２を介してトランジスタＱ５，Ｑ
６のベースへ供給されており、ローカルアンプ部２から
の増幅ローカル信号がトランジスタＱ１〜Ｑ４のベース
へ直接供給されている。高周波入力信号とローカル信号
とが周波数混合されることにより、両者の差または和の
周波数を有する信号がトランジスタＱ１〜Ｑ４の各コレ
クタより導出され（ＭＩＸ−ＯＵＴ）て、インピーダン
スマッチング部３を介して周波数変換出力となるのであ
る。
構成であり、トランジスタＱ１〜Ｑ６、抵抗Ｒ１〜Ｒ３
からなり、高周波入力信号（ＲＦ−ＩＮ）がカップリン
グコンデンサＣ１，Ｃ２を介してトランジスタＱ５，Ｑ
６のベースへ供給されており、ローカルアンプ部２から
の増幅ローカル信号がトランジスタＱ１〜Ｑ４のベース
へ直接供給されている。高周波入力信号とローカル信号
とが周波数混合されることにより、両者の差または和の
周波数を有する信号がトランジスタＱ１〜Ｑ４の各コレ
クタより導出され（ＭＩＸ−ＯＵＴ）て、インピーダン
スマッチング部３を介して周波数変換出力となるのであ
る。
【０００５】このインピーダンスマッチング部３はコン
デンサＣ１とコイルＬ３とからなっており、出力端子の
インピーダンスを５０Ωに整合するためのものである。
なお、Ｖ１はミキサ部３のトランジスタＱ５，Ｑ６のベ
ースバイアスを示している。
デンサＣ１とコイルＬ３とからなっており、出力端子の
インピーダンスを５０Ωに整合するためのものである。
なお、Ｖ１はミキサ部３のトランジスタＱ５，Ｑ６のベ
ースバイアスを示している。
【０００６】ローカルアンプ部２はＥＣＬ（エミッタカ
ップル論理回路）型となっており、トランジスタＱ７，
Ｑ８と、コレクタ負荷抵抗Ｒ７，Ｒ８と、トランジスタ
Ｑ７，Ｑ８のエミッタ共通点とアースとの間に接続され
た抵抗Ｒ４と、トランジスタＱ７，Ｑ８のベースバイア
Ｖ３，Ｖ４とからなっている。ローカル信号はカップリ
ングコンデンサＣ４，Ｃ５を介してトランジスタＱ７，
Ｑ８のベースへ供給されており、トランジスタＱ７，Ｑ
８による増幅出力がミキサ部１へ直接供給されている。
ップル論理回路）型となっており、トランジスタＱ７，
Ｑ８と、コレクタ負荷抵抗Ｒ７，Ｒ８と、トランジスタ
Ｑ７，Ｑ８のエミッタ共通点とアースとの間に接続され
た抵抗Ｒ４と、トランジスタＱ７，Ｑ８のベースバイア
Ｖ３，Ｖ４とからなっている。ローカル信号はカップリ
ングコンデンサＣ４，Ｃ５を介してトランジスタＱ７，
Ｑ８のベースへ供給されており、トランジスタＱ７，Ｑ
８による増幅出力がミキサ部１へ直接供給されている。
【０００７】ローカルアンプ部２のコレクタ負荷抵抗Ｒ
７，Ｒ８は、ローカルアンプ部２の出力レベルを定める
ためのものであって、ローカルアンプ出力レベル調整用
抵抗として機能する。抵抗Ｒ４はローカルアンプ部２の
動作電流を定めるためのものであって、ローカルアンプ
定電流調整用抵抗として機能する。
７，Ｒ８は、ローカルアンプ部２の出力レベルを定める
ためのものであって、ローカルアンプ出力レベル調整用
抵抗として機能する。抵抗Ｒ４はローカルアンプ部２の
動作電流を定めるためのものであって、ローカルアンプ
定電流調整用抵抗として機能する。
【０００８】この様な高周波ミキサ回路において、ＲＦ
入力信号とローカル信号との周波数差または周波数和を
有するミキサ（ＭＩＸ）出力信号の代表的な特性は、Ｍ
ＩＸ出力ゲインとＮＦ（雑音指数）であり、この両者は
ローカル信号レベルと密接な関係にある。すなわち、図
４に、ローカル信号レベルとＭＩＸ出力ゲイン及びＮＦ
との関係を示しており、ローカルアンプ部２の出力レベ
ルであるローカル信号レベルの増大に伴って、ＭＩＸ出
力ゲインは増大するが、ＮＦは逆に減少してお互いにト
レードオフの関係にある。
入力信号とローカル信号との周波数差または周波数和を
有するミキサ（ＭＩＸ）出力信号の代表的な特性は、Ｍ
ＩＸ出力ゲインとＮＦ（雑音指数）であり、この両者は
ローカル信号レベルと密接な関係にある。すなわち、図
４に、ローカル信号レベルとＭＩＸ出力ゲイン及びＮＦ
との関係を示しており、ローカルアンプ部２の出力レベ
ルであるローカル信号レベルの増大に伴って、ＭＩＸ出
力ゲインは増大するが、ＮＦは逆に減少してお互いにト
レードオフの関係にある。
【０００９】また、ローカル信号レベルが大きければ、
ＭＩＸ出力ゲイン及びＮＦは共に安定領域にあるが、大
きすぎると、図５に示す如く、Ｎｏｉｓｅ Ｆｌｏｏｒ
特性が増大してスプリアス等のノイズ源となってしまう
という問題がある。なお、図５はローカル信号レベルと
ＭＩＸパワー及びＮＯＩＳＥ ＦＬＯＯＲとの関係を示
したものである。
ＭＩＸ出力ゲイン及びＮＦは共に安定領域にあるが、大
きすぎると、図５に示す如く、Ｎｏｉｓｅ Ｆｌｏｏｒ
特性が増大してスプリアス等のノイズ源となってしまう
という問題がある。なお、図５はローカル信号レベルと
ＭＩＸパワー及びＮＯＩＳＥ ＦＬＯＯＲとの関係を示
したものである。
【００１０】従って、ＭＩＸ特性を最大限に引出すため
には、上述したトレードオフやＮＯＩＳＥ ＦＬＯＯＲ
を考慮したローカルアンプの出力レベルの最適化を行う
ことが必要になる。
には、上述したトレードオフやＮＯＩＳＥ ＦＬＯＯＲ
を考慮したローカルアンプの出力レベルの最適化を行う
ことが必要になる。
【００１１】また、図３に示すような多段構成のシステ
ムでは、ミキサ回路の配置によってノイズ特性に大きく
影響する。入力信号に対してミキサ回路が前段配置であ
るときには、ＮＦに与える影響が大きくみえ、入力信号
に対してミキサ回路が後段配置であるときには、Ｎｏｉ
ｓｅ Ｆｌｏｏｒに与える影響が大きくみえる。ＮＦ
は、ローカルアンプに対してある一定以上の出力レベル
を加えることにより、図４，５に示した如く、ＭＩＸ出
力レベル（ゲインやパワーと同義）と同様に安定領域で
使用することができるが、先述した如く、ローカルアン
プレベルが大きすぎると、ＭＩＸパワーが低下しＮｏｉ
ｓｅ Ｆｌｏｏｒが悪化することになる。
ムでは、ミキサ回路の配置によってノイズ特性に大きく
影響する。入力信号に対してミキサ回路が前段配置であ
るときには、ＮＦに与える影響が大きくみえ、入力信号
に対してミキサ回路が後段配置であるときには、Ｎｏｉ
ｓｅ Ｆｌｏｏｒに与える影響が大きくみえる。ＮＦ
は、ローカルアンプに対してある一定以上の出力レベル
を加えることにより、図４，５に示した如く、ＭＩＸ出
力レベル（ゲインやパワーと同義）と同様に安定領域で
使用することができるが、先述した如く、ローカルアン
プレベルが大きすぎると、ＭＩＸパワーが低下しＮｏｉ
ｓｅ Ｆｌｏｏｒが悪化することになる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来回路におい
ては、ローカルアンプ部２の入力バイアス調整により、
すなわちトランジスタＱ７，Ｑ８のベースバイアスＶ
３，Ｖ４により、ローカルアンプ出力レベルの調整をす
ることが可能ではあるが、それに伴うローカルアンプ出
力のＤＣバイアス変動が問題となる。すなわち、ローカ
ルアンプ部２のトランジスタＱ７，Ｑ８のコレクタ負が
抵抗負荷となっており、かつこの負荷出力がミキサ部１
へ直接供給（ダイレクトカップリング）されているため
に、ローカルアンプ部のバイアス調整に起因してローカ
ルアンプ出力のＤＣバイアスが変動し、ひいてはミキサ
部１のＤＣバイアスも変動することになって、回路特性
に影響を与えることになる。
ては、ローカルアンプ部２の入力バイアス調整により、
すなわちトランジスタＱ７，Ｑ８のベースバイアスＶ
３，Ｖ４により、ローカルアンプ出力レベルの調整をす
ることが可能ではあるが、それに伴うローカルアンプ出
力のＤＣバイアス変動が問題となる。すなわち、ローカ
ルアンプ部２のトランジスタＱ７，Ｑ８のコレクタ負が
抵抗負荷となっており、かつこの負荷出力がミキサ部１
へ直接供給（ダイレクトカップリング）されているため
に、ローカルアンプ部のバイアス調整に起因してローカ
ルアンプ出力のＤＣバイアスが変動し、ひいてはミキサ
部１のＤＣバイアスも変動することになって、回路特性
に影響を与えることになる。
【００１３】また、ローカルアンプ部２の出力負荷抵抗
を可変とすることも考えられるが、これまた、バイアス
変動の問題が発生する。図３の例では、この出力負荷抵
抗が固定抵抗であって、ローカル出力ラインの高周波寄
生成分（レイアウト、パッケージ、基板）による出力レ
ベル損失の見込みが困難であることから、ローカル出力
レベルの最適化は、いわゆるカット＆トライ手法に頼ら
ざるを得ないのが現状である。
を可変とすることも考えられるが、これまた、バイアス
変動の問題が発生する。図３の例では、この出力負荷抵
抗が固定抵抗であって、ローカル出力ラインの高周波寄
生成分（レイアウト、パッケージ、基板）による出力レ
ベル損失の見込みが困難であることから、ローカル出力
レベルの最適化は、いわゆるカット＆トライ手法に頼ら
ざるを得ないのが現状である。
【００１４】また、使用周波数帯域が単一の場合には、
図３の回路で良いが、システムによって使用周波数帯が
変わると、ローカルアンプ部２の周波数特性のために、
充分なゲインが得られず、よってミキサ特性の適正化が
図れないという問題もある。
図３の回路で良いが、システムによって使用周波数帯が
変わると、ローカルアンプ部２の周波数特性のために、
充分なゲインが得られず、よってミキサ特性の適正化が
図れないという問題もある。
【００１５】本発明の目的は、ミキサ特性に大きく影響
を与えるローカルアンプ出力レベルの調整を容易とする
と共に使用周波数帯によってもミキサ特性の最適化が図
れるようにした周波数変換回路を提供することである。
を与えるローカルアンプ出力レベルの調整を容易とする
と共に使用周波数帯によってもミキサ特性の最適化が図
れるようにした周波数変換回路を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による周波数変換
回路は、ローカル信号を増幅してこの増幅出力と入力信
号とを混合して周波数変換する周波数変換回路であっ
て、並列に設けられ各々がコイル負荷を有する複数のア
ンプからなるローカルアンプ部と、これ等複数のアンプ
をローカル周波数に応じて選択的に活性制御をなす制御
手段と、この制御手段により活性制御された前記アンプ
の並列出力と前記入力信号とを周波数混合する周波数混
合部とを含むことを特徴とする。
回路は、ローカル信号を増幅してこの増幅出力と入力信
号とを混合して周波数変換する周波数変換回路であっ
て、並列に設けられ各々がコイル負荷を有する複数のア
ンプからなるローカルアンプ部と、これ等複数のアンプ
をローカル周波数に応じて選択的に活性制御をなす制御
手段と、この制御手段により活性制御された前記アンプ
の並列出力と前記入力信号とを周波数混合する周波数混
合部とを含むことを特徴とする。
【００１７】本発明による他の周波数変換回路は、ロー
カル信号を増幅してこの増幅出力と入力信号とを混合し
て周波数変換する周波数変換回路であって、並列に設け
られ各々が抵抗負荷を有する複数のアンプからなるロー
カルアンプ部と、これ等複数のアンプをローカル周波数
に応じて選択的に活性制御をなす制御手段と、この制御
手段により活性制御された前記アンプの並列出力と前記
入力信号とを周波数混合する周波数混合部とを含むこと
を特徴とする。
カル信号を増幅してこの増幅出力と入力信号とを混合し
て周波数変換する周波数変換回路であって、並列に設け
られ各々が抵抗負荷を有する複数のアンプからなるロー
カルアンプ部と、これ等複数のアンプをローカル周波数
に応じて選択的に活性制御をなす制御手段と、この制御
手段により活性制御された前記アンプの並列出力と前記
入力信号とを周波数混合する周波数混合部とを含むこと
を特徴とする。
【００１８】本発明の作用を述べる。ローカルアンプ部
を、互いに並列接続した複数のＥＣＬアンプにより構成
して、ローカル信号の周波数に応じてこれ等ＥＣＬアン
プを選択的に活性制御して使用するよう構成することに
より、ローカルアンプ部の周波数特性が調整できる。す
なわち、ローカル周波数が高くなれば、ローカルアンプ
部のゲインが低下する傾向があり、図４，５にて説明し
たローカル信号レベルが適切に得られず、よってＭＩＸ
特性が劣化するので、これを補償するために、ＥＣＬの
並列接続段数を増やして、ローカルアンプ部のゲインを
増大させ、ローカル信号レベル低下を補償する構成とす
るのである。
を、互いに並列接続した複数のＥＣＬアンプにより構成
して、ローカル信号の周波数に応じてこれ等ＥＣＬアン
プを選択的に活性制御して使用するよう構成することに
より、ローカルアンプ部の周波数特性が調整できる。す
なわち、ローカル周波数が高くなれば、ローカルアンプ
部のゲインが低下する傾向があり、図４，５にて説明し
たローカル信号レベルが適切に得られず、よってＭＩＸ
特性が劣化するので、これを補償するために、ＥＣＬの
並列接続段数を増やして、ローカルアンプ部のゲインを
増大させ、ローカル信号レベル低下を補償する構成とす
るのである。
【００１９】また、ＥＣＬアンプのコレクタ負荷を抵抗
負荷に代えてコイル負荷とすることで、ＥＣＬアンプの
トランジスタのベースバイアス調整を行っても、ＤＣバ
イアス変動が生じないようにしている。なお、コイル負
荷とせずに抵抗負荷としたままでも、ローカルアンプ部
を複数の並列接続アンプとすることで、各ＥＣＬに流れ
るＤＣバイアス電流を小とすることができ、よって、ト
ランジスタのベースバイアス調整を行っても、ＤＣバイ
アス変動は小に抑圧することができる。
負荷に代えてコイル負荷とすることで、ＥＣＬアンプの
トランジスタのベースバイアス調整を行っても、ＤＣバ
イアス変動が生じないようにしている。なお、コイル負
荷とせずに抵抗負荷としたままでも、ローカルアンプ部
を複数の並列接続アンプとすることで、各ＥＣＬに流れ
るＤＣバイアス電流を小とすることができ、よって、ト
ランジスタのベースバイアス調整を行っても、ＤＣバイ
アス変動は小に抑圧することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明の第一の実施
例の回路図であり、図３と同等部分は同一符号により示
している。図３の回路と相違する部分について述べる
と、ローカルアンプ部２が単一のＥＣＬアンプではな
く、複数（本例では３つ）の並列接続されたＥＣＬアン
プからなっていることである。これ等各ＥＣＬアンプの
ゲインは互いに相違するものでも良く、同じであっても
良いが、システムに応じて適宜選定される。
施の形態について説明する。図１は本発明の第一の実施
例の回路図であり、図３と同等部分は同一符号により示
している。図３の回路と相違する部分について述べる
と、ローカルアンプ部２が単一のＥＣＬアンプではな
く、複数（本例では３つ）の並列接続されたＥＣＬアン
プからなっていることである。これ等各ＥＣＬアンプの
ゲインは互いに相違するものでも良く、同じであっても
良いが、システムに応じて適宜選定される。
【００２１】第一のＥＣＬアンプはトランジスタＱ７，
Ｑ８と抵抗Ｒ４からなり、第二のＥＣＬアンプはトラン
ジスタＱ９，Ｑ１０と抵抗Ｒ５からなり、第三のＥＣＬ
アンプはトランジスタＱ１１，Ｑ１２と抵抗Ｒ６からな
る。これ等のＥＣＬアンプの入出力が互いに並列接続さ
れており、出力はミキサ部１へ供給されている。また、
これ等ＥＣＬアンプのコレクタ負荷はコイルＬ１，Ｌ２
によるコイル負荷となっている。
Ｑ８と抵抗Ｒ４からなり、第二のＥＣＬアンプはトラン
ジスタＱ９，Ｑ１０と抵抗Ｒ５からなり、第三のＥＣＬ
アンプはトランジスタＱ１１，Ｑ１２と抵抗Ｒ６からな
る。これ等のＥＣＬアンプの入出力が互いに並列接続さ
れており、出力はミキサ部１へ供給されている。また、
これ等ＥＣＬアンプのコレクタ負荷はコイルＬ１，Ｌ２
によるコイル負荷となっている。
【００２２】更に、各ＥＣＬアンプの活性制御を行うた
めに、低電源（本例では、アース）側とエミッタ抵抗Ｒ
４〜Ｒ６の各々との間に、ＮチャンネルＭＯＳトランジ
スタＭ１〜Ｍ３からなるスイッチが設けられている。こ
れ等スイッチは図示せぬ制御回路から供給される周波数
データに応じてオンオフ制御されるようになっており、
ローカル信号の周波数に従ってＥＣＬアンプの活性制御
を行うものである。他の構成については、図３の従来回
路と同じであり、その説明は省略するものとする。
めに、低電源（本例では、アース）側とエミッタ抵抗Ｒ
４〜Ｒ６の各々との間に、ＮチャンネルＭＯＳトランジ
スタＭ１〜Ｍ３からなるスイッチが設けられている。こ
れ等スイッチは図示せぬ制御回路から供給される周波数
データに応じてオンオフ制御されるようになっており、
ローカル信号の周波数に従ってＥＣＬアンプの活性制御
を行うものである。他の構成については、図３の従来回
路と同じであり、その説明は省略するものとする。
【００２３】この様に構成することにより、本高周波ミ
キサ回路は、従来例と同様に、ＲＦ入力信号とローカル
信号との周波数差または周波数和を出力することに加え
て、コイル負荷としたことによって、ローカルアンプ部
２の入力バイアス調整（Ｖ３，Ｖ４）によっても、ＤＣ
バイアスが変動することなく、ローカルアンプ出力レベ
ル制御を可能とする。更には、周波数データに応じて稼
動するＥＣＬアンプ段数を制御することにより、ローカ
ルアンプ部２の周波数特性が切り替えられることにな
り、従来の固有の周波数帯（システム）から複数の周波
数帯（システム）での使用が可能となる。
キサ回路は、従来例と同様に、ＲＦ入力信号とローカル
信号との周波数差または周波数和を出力することに加え
て、コイル負荷としたことによって、ローカルアンプ部
２の入力バイアス調整（Ｖ３，Ｖ４）によっても、ＤＣ
バイアスが変動することなく、ローカルアンプ出力レベ
ル制御を可能とする。更には、周波数データに応じて稼
動するＥＣＬアンプ段数を制御することにより、ローカ
ルアンプ部２の周波数特性が切り替えられることにな
り、従来の固有の周波数帯（システム）から複数の周波
数帯（システム）での使用が可能となる。
【００２４】高周波ミキサ回路を動作させる手順とし
て、先ず第一に周波数帯の設定と同時に、使用周波数に
合せたＥＣＬアンプ段数を有するローカルアンプ部とし
て、周波数特性を合せる。第二に、ローカルアンプ部の
入力バイアス（Ｖ３，Ｖ４）によるローカルアンプ電源
電流調整により、ミキサのゲインとＮＦとのトレードオ
フを考慮したローカル信号レベルの最適化調整後、ＲＦ
入力信号とローカル信号との供給を行って、ミキシング
動作を行うことになる。
て、先ず第一に周波数帯の設定と同時に、使用周波数に
合せたＥＣＬアンプ段数を有するローカルアンプ部とし
て、周波数特性を合せる。第二に、ローカルアンプ部の
入力バイアス（Ｖ３，Ｖ４）によるローカルアンプ電源
電流調整により、ミキサのゲインとＮＦとのトレードオ
フを考慮したローカル信号レベルの最適化調整後、ＲＦ
入力信号とローカル信号との供給を行って、ミキシング
動作を行うことになる。
【００２５】図２は本発明の第二の実施例を示す回路図
であり、図１と同等部分は同一符号により示している。
図２の回路が図１の回路と相違する部分は、ローカルア
ンプ部２のＥＣＬコレクタ負荷として、従来例と同様に
抵抗負荷（Ｒ７〜Ｒ１８）を用いており、また、スイッ
チを低電源側のみならず、高電源（Ｖcc）側にも設けた
点である。
であり、図１と同等部分は同一符号により示している。
図２の回路が図１の回路と相違する部分は、ローカルア
ンプ部２のＥＣＬコレクタ負荷として、従来例と同様に
抵抗負荷（Ｒ７〜Ｒ１８）を用いており、また、スイッ
チを低電源側のみならず、高電源（Ｖcc）側にも設けた
点である。
【００２６】高電源側のスイッチはＰチャンネルＭＯＳ
トランジスタＭ４〜Ｍ６からなり、制御データをインバ
ータＩ１〜Ｉ３により反転したデータによりオンオフ制
御されるようになっている。
トランジスタＭ４〜Ｍ６からなり、制御データをインバ
ータＩ１〜Ｉ３により反転したデータによりオンオフ制
御されるようになっている。
【００２７】本例でも、使用周波数帯（システム）によ
って並列ＥＣＬアンプ段数を切替えて用いることによ
り、ローカルアンプ部２のゲイン周波数特性が補償でき
る。また、ＥＣＬアンプのコレクタ負荷が抵抗負荷であ
っても、ローカル信号レベル調整のために、Ｖ３，Ｖ４
による入力バイアスを調整した場合、各ＥＣＬアンプの
コレクタ負荷に流れるバイアス電流は、従来の単一ＥＣ
Ｌの場合よりも小となるので、ＤＣバイアス変動はより
小に抑えることができる。
って並列ＥＣＬアンプ段数を切替えて用いることによ
り、ローカルアンプ部２のゲイン周波数特性が補償でき
る。また、ＥＣＬアンプのコレクタ負荷が抵抗負荷であ
っても、ローカル信号レベル調整のために、Ｖ３，Ｖ４
による入力バイアスを調整した場合、各ＥＣＬアンプの
コレクタ負荷に流れるバイアス電流は、従来の単一ＥＣ
Ｌの場合よりも小となるので、ＤＣバイアス変動はより
小に抑えることができる。
【００２８】尚、本実施例において、低電源側のみなら
ず、高電源側にもスイッチを挿入しているのは、非活性
状態のＥＣＬアンプが高電源側からみた場合にコレクタ
負荷抵抗を介して直流経路が存在するために、これを切
断することが必要だからである。
ず、高電源側にもスイッチを挿入しているのは、非活性
状態のＥＣＬアンプが高電源側からみた場合にコレクタ
負荷抵抗を介して直流経路が存在するために、これを切
断することが必要だからである。
【００２９】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、ＤＣ
バイアス変動に伴うミキサ特性の劣化を気にすることな
く、ローカル出力レベルの変化制御が可能になるので、
ミキサ出力ゲインとＮＦとのトレードオフを考慮したロ
ーカル出力レベルの最適化が容易となり、よってミキサ
特性最適化手法において、従来必要としていたＩＣ製造
までのバックアノテーションを簡略化でき、ＩＣ製造で
必要としていた時間とコストを短縮することができると
いう効果がある。
バイアス変動に伴うミキサ特性の劣化を気にすることな
く、ローカル出力レベルの変化制御が可能になるので、
ミキサ出力ゲインとＮＦとのトレードオフを考慮したロ
ーカル出力レベルの最適化が容易となり、よってミキサ
特性最適化手法において、従来必要としていたＩＣ製造
までのバックアノテーションを簡略化でき、ＩＣ製造で
必要としていた時間とコストを短縮することができると
いう効果がある。
【００３０】また、周波数データに応じたローカルアン
プの周波数特性を切替えることができるので、単一の周
波数帯（システム）での使用から複数の周波数帯（シス
テム）での使用が可能となるという効果もある。
プの周波数特性を切替えることができるので、単一の周
波数帯（システム）での使用から複数の周波数帯（シス
テム）での使用が可能となるという効果もある。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】本発明の他の実施例の回路図である。
【図３】従来のミキサ回路を示す図である。
【図４】ミキサ回路における、ローカル信号レベルとＭ
ＩＸゲイン及びＮＦとの関係を示す図である。
ＩＸゲイン及びＮＦとの関係を示す図である。
【図５】ミキサ回路におけるローカル信号レベルとＭＩ
Ｘパワー及びＮｏｉｓｅ Ｆｌｏｏｒとの関係を示す図
である。
Ｘパワー及びＮｏｉｓｅ Ｆｌｏｏｒとの関係を示す図
である。
１ ミキサ部
２ ローカルアンプ部
３ マッチング部
Ｌ１，Ｌ２ コレクタ負荷コイル
Ｒ７〜Ｒ１２ コレクタ負荷抵抗
Ｑ７〜Ｑ１２ ＥＣＬトランジスタ
Ｍ１〜Ｍ３ ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
Ｍ４〜Ｍ６ ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
Ｉ１〜Ｉ３ インバータ
Ｖ３，Ｖ４ 入力バイアス
Claims (6)
- 【請求項１】 ローカル信号を増幅してこの増幅出力と
入力信号とを混合して周波数変換する周波数変換回路で
あって、 並列に設けられ各々がコイル負荷を有する複数のアンプ
からなるローカルアンプ部と、 これ等複数のアンプをローカル周波数に応じて選択的に
活性制御をなす制御手段と、 この制御手段により活性制御された前記アンプの並列出
力と前記入力信号とを周波数混合する周波数混合部と、
を含むことを特徴とする周波数変換回路。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記複数のアンプの各
々の低電源側に設けられて前記ローカル周波数に応じた
制御信号により前記低電源のオンオフ制御をなすスイッ
チ素子を有することを特徴とする請求項１記載の周波数
変換回路。 - 【請求項３】 ローカル信号を増幅してこの増幅出力と
入力信号とを混合して周波数変換する周波数変換回路で
あって、 並列に設けられ各々が抵抗負荷を有する複数のアンプか
らなるローカルアンプ部と、 これ等複数のアンプをローカル周波数に応じて選択的に
活性制御をなす制御手段と、 この制御手段により活性制御された前記アンプの並列出
力と前記入力信号とを周波数混合する周波数混合部と、
を含むことを特徴とする周波数変換回路。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記複数のアンプの各
々における高電源側と低電源側とに設けられ、前記ロー
カル周波数に応じた制御信号により前記高電源及び前記
低電源のオンオフ制御をなすスイッチ素子を有すること
を特徴とする請求項３記載の周波数変換回路。 - 【請求項５】 前記ローカルアンプ部の出力レベルを調
整するレベル調整手段を、更に含むことを特徴とする請
求項１〜４いずれか記載の周波数変換回路。 - 【請求項６】 前記レベル調整手段は、前記アンプを構
成するエミッタカップルトランジスタのベースバイアス
を調整するようにしたことを特徴とする請求項５記載の
周波数変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002087327A JP2003283252A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 周波数変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002087327A JP2003283252A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 周波数変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283252A true JP2003283252A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29233560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002087327A Pending JP2003283252A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 周波数変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283252A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042704A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | New Japan Radio Co Ltd | ミキサ回路 |
| JP2014007606A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Fujitsu Semiconductor Ltd | ミキサ回路及び混合装置 |
| WO2021229385A1 (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002087327A patent/JP2003283252A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042704A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | New Japan Radio Co Ltd | ミキサ回路 |
| JP2014007606A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Fujitsu Semiconductor Ltd | ミキサ回路及び混合装置 |
| WO2021229385A1 (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US12081171B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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