JP2002198454A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱膨張係数が入出力端子および金属枠体と異
なるロウ材溜まりを起点として、入出力端子や金属枠
体、基体に応力が加わり入出力端子にクラックが発生す
るおそれがあり、高周波信号の伝送特性や半導体パッケ
ージ内部の気密性が損なわれ、半導体素子を正常に作動
させることができないという問題があった。 【解決手段】 金属枠体２に設けた取付部６にロウ材で
嵌着接合される入出力端子３を具備した光半導体パッケ
ージ４において、取付部６は金属枠体２の側部に上面に
接しないように設けられているとともに、金属枠体２の
内面および／または外面の取付部６の下端の隅部７から
基体１の上面に向けて溝８が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信やマイクロ
波通信、ミリ波通信等の分野に用いられる高い周波数で
作動する各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パ
ッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光通信やマイクロ波通信、ミリ波
通信等の高い周波数で作動する各種半導体素子を気密封
止して収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、半
導体パッケージという）として、例えば光通信分野に用
いられる光半導体パッケージを図５に示す。

【０００３】同図に示すように、光半導体パッケージ
は、一般に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト
（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等
の金属材料から成り、上面の略中央部に半導体レーザ
（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子
等の半導体素子１１９が載置される載置部１０５を有
し、外部の実装基板（図示せず）にネジ止めされるネジ
止め孔１１２を設けた、略長方形の板状である基体１０
１を有する。

【０００４】また、この載置部１０５を囲繞するように
して基体１０１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合
されるとともに、基体１０１の長辺側の両側部には半導
体素子１１９と外部電気回路（図示せず）とを電気的に
接続する高周波信号入出力用の入出力端子１０３を嵌着
接合するための貫通孔または切欠部から成る取付部１０
６を有し、かつ基体１０１の短辺側の一側部に光ファイ
バ１１０の固定用の筒状の固定部材１０９が嵌着接合さ
れる貫通孔１１３が形成された、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
等の金属材料から成る金属枠体１０２を有する。

【０００５】更に、取付部１０６に取着された入出力端
子１０３と、金属枠体１０２の上面に取着された、半導
体素子１１９を気密に封止する蓋体１２０を具備する。

【０００６】入出力端子１０３は、図６に示すように上
面の１辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体
１１４を有する誘電体から成る平板部１１５と、平板部
１１５の上面に線路導体１１４を間に挟んで接合された
誘電体から成る立壁部１１６とから構成されている。

【０００７】また、入出力端子１０３の線路導体１１４
に略平行な側面の一部には、線路導体１１４を擬似同軸
状に囲み接地導体として機能するとともに、取付部１０
６の内周面に銀ロウ等のロウ材を介して接合させる接合
媒体として機能するメタライズ層１２１が形成されてい
る。

【０００８】この線路導体１１４の上面には、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成り、銀ロウ等のロウ材
で接合されるとともに、入出力端子１０３と外部電気回
路との電気的接続を行う機能を有するリード端子１１８
が設けられる。

【０００９】また、金属枠体１０２の光伝送路である貫
通孔１１３の外側周辺部には、金属枠体１０２の熱膨張
係数に近似するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金
等の金属材料から成る光ファイバ１１０固定用の筒状の
固定部材１０９が銀ロウ等のロウ材で接合される。

【００１０】また、シールリング１２２は、金属枠体１
０２の上面および入出力端子１０３の上面に銀ロウ等の
ロウ材を介して接合され、入出力端子１０３を挟持する
とともに上面に蓋体１２０をシーム溶接等により接合す
るための媒体として機能する。

【００１１】このような半導体パッケージは、基体１０
１の載置部１０５に半導体素子１１９を錫（Ｓｎ）−鉛
（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定させるととも
に、半導体素子１１９の電極をボンディングワイヤ（図
示せず）を介して入出力端子１０３の線路導体１１４に
電気的に接続し、更に光ファイバ１１０と半導体素子１
１９との光軸を調整する。

【００１２】その後、固定部材１０９の外側端面に光フ
ァイバ１１０を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１
１１を金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材で接合
するとともに、金属枠体１０２の上面に蓋体１２０をシ
ーム溶接等により接合して基体１０１と金属枠体１０２
と蓋体１２０とから成る容器内部に半導体素子１１９を
気密に収容することにより、製品としての光半導体装置
となる。

【００１３】このような光半導体装置は、実装基板上に
ネジ止めされた後、半導体素子１１９を外部電気回路か
ら供給される駆動用の高周波信号によって光励起させ、
励起したレーザ光等の光を光ファイバ１１０に授受させ
光ファイバ１１０内を伝送させることにより、大容量の
情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能し、光
通信分野等に多用されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体パッケージにおいては、半導体パッケージの
小型化と入出力端子１０３の長尺化が進む中、金属枠体
１０２の取付部１０６における入出力端子１０３の側面
と金属枠体１０２内面との間隙が狭くなる傾向にある。

【００１５】そのため、図６に示すように入出力端子１
０３のメタライズ層１２１を取付部１０６の内周面にロ
ウ材を介して接合した際に、少しでもロウ材が多いと各
々の接合にとって過剰なロウ材が、入出力端子１０３の
側面と金属枠体１０２の内面との隙間に溜まり、所謂ロ
ウ材溜まり１２３が形成されていた。

【００１６】そして、熱膨張係数が入出力端子１０３お
よび金属枠体１０２と異なるロウ材溜まり１２３を起点
として、入出力端子１０３や金属枠体１０２、ひいては
基体１０１に応力が加わることになり、その結果、この
応力によって金属枠体１０２より弾性の低い入出力端子
１０３にクラックが発生する場合があった。従って、高
周波信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性が
損なわれ、半導体素子１１９を正常に作動させることが
できないという問題点を有していた。

【００１７】一方、上記問題点を解決する手段として、
入出力端子１０３の平板部１１５や立壁部１１６の厚さ
を厚くすることにより強度を大きくすることも考えられ
るが、この場合、誘電体の表面積や体積が大きくなるこ
とによる浮遊容量の発生により、高周波信号の伝送特性
が損なわれる。

【００１８】更に、入出力端子１０３にクラックが発生
しないまでも、基体１０１まで加わった応力により基体
１０１が反り変形することになり、このような半導体パ
ッケージを実装基板にネジ止めした際、基体１０１の反
り変形が矯正され、反った状態で光軸が調整されていた
ため、光ファイバ１１０と半導体素子１１９との光軸が
ずれて光結合効率が損なわれ、半導体素子１１９の光信
号による作動性を良好なものにできないという問題点も
あった。

【００１９】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたもので、その目的は、入出力端子の側面と金属枠体
の内面との間隙にロウ材溜まりを発生させないようにす
ることにより、入出力端子のクラックを防止して高周波
信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性、更に
は光結合効率を良好なものとし、その結果、半導体素子
を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体パッ
ケージを提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケー
ジは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基
体と、前記上面に前記載置部を囲繞するように取着され
るとともに側部に切欠部または貫通孔から成る入出力端
子の取付部が形成された金属枠体と、前記取付部に嵌着
接合されて前記半導体素子と外部電気回路とを電気的に
接続する入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッ
ケージにおいて、前記取付部は前記金属枠体の側部に前
記上面に接しないように設けられているとともに、前記
金属枠体の内面および／または外面の前記取付部の下端
の隅部から前記上面に向けて溝が形成されていることを
特徴とする。

【００２１】本発明は、上記の構成により、入出力端子
を取付部に銀ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、高周
波信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性、光
結合効率を損なわせるような大きなロウ材溜まりを、入
出力端子の側面と金属枠体の内面との間隙に形成するこ
とがなくなる。

【００２２】即ち、金属枠体の内面および／または外面
の取付部の下端の隅部から基体の上面に向けて形成され
た溝は、過剰なロウ材のほとんどをその内部に引き込み
溜めて、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間に応
力によるクラックや変形等の影響を与えるロウ材溜まり
を発生させない。

【００２３】その結果、ロウ材溜まりを起点として入出
力端子や金属枠体ひいては基体に不要な応力を加えるこ
とが無くなり、高周波信号の伝送特性や光半導体パッケ
ージ内部の気密性、更に光結合効率が良好に保持され
る。

【００２４】本発明において、好ましくは、金属枠体の
厚さをＴとした場合、溝部の金属枠体の厚さｔは０．３
ｍｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝の幅Ｗは０．１〜
０．６ｍｍであることを特徴とする。

【００２５】本発明は、上記構成により、ロウ材溜まり
を発生させないことは勿論のこと、金属枠体に設けた溝
に過剰なロウ材が引き込まれ易くなり、その結果入出力
端子に応力が加わるのを更に抑制し、上記本発明の効果
をより有効なものとすることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージについ
て光半導体パッケージを一例として図面に基づき以下に
詳細に説明する。図１は、本発明の光半導体パッケージ
の要部を示す分解斜視図、図２は本発明の光半導体パッ
ケージの金属枠体の取付部の溝部を拡大した部分拡大斜
視図である。これらの図において、１は基体、２は金属
枠体、３は入出力端子、９は光ファイバ１０が取着され
た金属ホルダ１１を固定する筒状の固定部材であり、こ
れらから光半導体パッケージ４は主に構成されている。

【００２７】本発明の光半導体パッケージ４において、
基体１は、その上面にＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を載
置する載置部５を有するとともに、外部の実装基板にネ
ジ止めするためのネジ止め孔１２が形成されており、光
半導体素子を支持する支持部材として機能するとともに
光半導体素子の作動時に発する熱を外部に効率良く放散
する機能を有する。

【００２８】一方、基体１と金属枠体２と蓋体（図示せ
ず）とで内部に光半導体素子を収容するための容器が構
成される。

【００２９】また、基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や
Ｃｕ−Ｗ合金等の金属材料から成り、例えば、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ合金から成る場合、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のイ
ンゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来
周知の金属加工法を施すことにより製作される。

【００３０】尚、基体１は、その外表面に耐食性に優
れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚
さ０．５〜９μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐食するのを有効に防止することができ、基体１
の上面に光半導体素子を強固に接着固定させることがで
きる。

【００３１】また、この基体１の上面には、載置部５を
囲繞するように金属枠体２が接合されており、長辺の両
側部に光半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続す
る入出力端子３を嵌着接合するための切欠部または貫通
孔から成る取付部６が形成され、更に短辺の一側部に光
半導体素子と光結合するための光伝送路である貫通孔１
３が形成されており、この金属枠体２の内側に光半導体
素子を収容するための空所が形成される。

【００３２】この金属枠体２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成り、例えば、Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）をプレス加工によ
り枠状とすることにより形成され、基体１への取着は基
体１上面と金属枠体２の下面とを銀ロウ材を介して銀ロ
ウ付けすることにより行われる。

【００３３】本発明において、金属枠体２は、図２〜図
４に示すように、取付部６は基体１の上面に接しないよ
うに（達しないように）設けられており、取付部６の下
端と基体１の上面との間には金属枠体２による側壁が存
在する。そして、金属枠体２の内面および／または外面
の取付部６の下端の隅部７から基体１の上面に向けて溝
８が形成されている。この溝８は、入出力端子を取付部
６に銀ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、過剰なロウ
材が金属枠体２の内部の気密性や高周波信号の伝送特
性、光結合効率を損なう程度の大きなロウ材溜まりを入
出力端子の側面と金属枠体２の内面との間隙に生じるこ
とが無いように機能する。

【００３４】即ち、溝８は、入出力端子を取付部６に嵌
着接合させる際の過剰なロウ材のほとんどを引き込み溜
める機能を有するため、図６のようなロウ材溜まりを起
点として、金属枠体２や入出力端子、ひいては基体１に
不要な応力が加わることは無い。

【００３５】このような溝８は、金属枠体２の厚さをＴ
とした場合、溝８部の金属枠体２の厚さｔは０．３ｍｍ
〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝８の幅Ｗは０．１〜
０．６ｍｍであることがよく、この場合応力によるクラ
ックや変形等の影響を及ぼすロウ材溜まりを発生させな
いことは勿論、金属枠体２に設けた溝８部でロウ材溜ま
りを起点とする応力が有効に吸収されて緩和される応力
緩衝作用により、入出力端子３に不要な応力が加わるの
を更に抑制し、上記本発明の効果をより有効なものとす
ることができる。

【００３６】即ち、金属枠体２の厚さは、一般的に０．
５〜１．８ｍｍ程度のものが多用されていることから、
溝８部の金属枠体２の厚さｔが０．３ｍｍ未満と薄い場
合、溝８の深さが深くなって金属枠体２の剛性が損なわ
れ、外部からの応力に対して溝８部の金属枠体２が変形
または破損したり、入出力端子３と金属枠体２との接合
時における応力により、溝８部の金属枠体２にクラック
が発生し易くなる。一方、その厚さｔがＴ−０．３ｍｍ
を越えると、溝８の深さが浅くなり過剰なロウ材を溝８
に効果的に引き込み溜めることが困難となる。

【００３７】また、溝８の幅Ｗが０．１ｍｍ未満の場
合、幅が狭いことから過剰なロウ材が効果的に流れず、
溝８部に溜めることが困難であり、一方、溝８の幅が
０．６ｍｍを越えると、金属枠体２と入出力端子３との
接合用のロウ材が必要以上に流れ出し、接合部のロウ材
が不足して接合部で気密不良を生じるおそれがある。さ
らに、金属枠体２の剛性が損なわれ、外部からの応力に
よって金属枠体２に変形や破損が生じたり、また接合時
に発生する応力により、溝８部の金属枠体２にクラック
を生じる等の問題が起こり易くなる。

【００３８】なお、溝８は、取付部６の下端の隅部７か
ら基体１に向けて、取付部６の基体１上面からの高さと
同程度の長さで形成される。溝８は、基体１の上面に達
していても達していなくても良く、入出力端子３と金属
枠体２との接合強度を維持するうえでその長さは１０ｍ
ｍ以下が好ましい。

【００３９】更に、溝８の平面視における断面形状は、
図示した凹形状以外にＵ形状やＶ形状等、種々の形状と
し得る。また、過剰なロウ材が溝８内に引き込まれ易い
ように、取付部６の下端の隅部７から遠ざかるにつれ、
過剰なロウ材が溝８から漏れるのを防止すべくその深さ
を徐々に深くなるよう傾斜面としても良い。

【００４０】そして、溝８の形状について他の実施の形
態を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。（ａ）は、溝８が基体
１の上面に達しないように溝８を形成したものであり、
基体１の上面に余計なロウ材が付着することによる、付
着部での局所的な応力でクラック等が発生するのを防止
し、また溝８が長いことによる金属枠体２の強度低下を
防ぐことができる。

【００４１】（ｂ）は、溝８が基体１の上面に達しない
ように溝８を形成するとともに、溝８の下方の幅が段状
に広くなっている形状である。この場合、溝８内にロウ
材が溜まり易くなり、また基体１の上面に余計なロウ材
が付着することによる、付着部での局所的な応力でクラ
ック等が発生するのを防止し、さらに溝８が長いことに
よる金属枠体２の強度低下を防ぐことができる。

【００４２】（ｃ）は、溝８が基体１の上面に達しない
ように溝８を形成するとともに、溝８の下方の幅が漸次
に広くなっている形状である。この場合、溝８内にロウ
材が溜まり易くなり、また基体１の上面に余計なロウ材
が付着することによる、付着部での局所的な応力でクラ
ック等が発生するのを防止し、さらに溝８が長いことに
よる金属枠体２の強度低下を防ぐことができる。

【００４３】また、入出力端子３と接合される金属枠体
２の取付部６の表面から溝８の内面にかけてＮｉ層を被
着形成しておくと、ロウ材を溝８に流して引き込み溜め
ることが容易となる。

【００４４】なお、金属枠体２の基体１への接合は、基
体１の上面と金属枠体２の下面とを、基体１上面に載置
したプリフォーム状の銀ロウ等のロウ材を介して接合さ
れるが、金属枠体２の表面には、基体１と同様に０．５
〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金
属層をメッキ法により被着させておくと良い。

【００４５】また、金属枠体２の側部に形成された取付
部６には入出力端子３が銀ロウ等のロウ材により嵌着接
合されており、金属枠体２の一部となって内外を気密に
仕切るとともに金属枠体２の内外を導通させる導電路を
構成する。

【００４６】この入出力端子３は、図１に示すように、
略四角形の誘電体板から成り、上面に１辺から対向する
他辺にかけて形成された線路導体１４を有する平板部１
５と、その上面に線路導体１４を間に挟んで接合された
誘電体からなる略直方体の立壁部１６とから構成されて
いる。

【００４７】この平板部１５は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃
・２ＳｉＯ₂）等のセラミックス等の誘電体から成り、
その下面には全面に線路導体１４と同様の金属層が形成
され、線路導体１４と平行となる側面にも同様のメタラ
イズ層１７が形成される。

【００４８】このような線路導体１４やメタライズ層１
７等は、例えば、Ｗ等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストを、平板部１５用のセラミ
ックグリーンシートに周知のスクリーン印刷法等により
所定のパターンに印刷塗布しておき、焼成することによ
り形成される。

【００４９】また、立壁部１６は、平板部１５と同様の
誘電体から成り、その上面全面に線路導体１４と同様の
メタライズ層が形成されるとともに、取付部６の内周面
に接合される面にもメタライズ層が形成されている。

【００５０】このようなメタライズ層は、線路導体１４
等と同様の方法により金属ペーストを所定パターンに印
刷塗布し焼成することにより形成される。

【００５１】更に、入出力端子３の線路導体１４が金属
枠体２の外部に導出される部位には、外部電気回路と入
出力端子３との高周波信号の入出力を行なうための、Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成るリード端子１
８が、銀ロウ等のロウ材で接合される。

【００５２】また、金属枠体２の短辺側の一側部には貫
通孔１３が形成されており、一端面が貫通孔１３の開口
を囲むように銀ロウ等のロウ材で接合され、かつ他方の
端面には光ファイバ１０を樹脂等の接着剤で取着した金
属ホルダ１１がＡｕ−Ｓｕ等の低融点ロウ材で接合され
る固定部材９が設けられる。

【００５３】この固定部材９は、基体１や金属枠体２と
同様の材料を同様の加工法で、円筒状等の所望の筒状に
加工されるとともに、その表面に０．５〜９μｍのＮｉ
層や０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法によ
り被着させておくと良い。

【００５４】一方、入出力端子３および固定部材９が取
着される金属枠体２上面にはシールリング（図示せず）
が銀ロウ等のロウ材で接合され、シールリングは金属枠
体２上面に同様のロウ材で接合されて入出力端子３を挟
持するとともに、その上面に光半導体素子を封止するた
めの蓋体をシーム溶接等により接合するための接合媒体
として機能する。

【００５５】このような光半導体パッケージに、光半導
体素子等の半導体素子を載置部５にＳｎ−Ｐｂ半田等の
低融点ロウ材で載置固定するとともに、固定部材９に光
ファイバ１０を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１
１をＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した後、シール
リング上面に蓋体をシーム溶接等により接合することに
より、製品としての光半導体装置となる。

【００５６】かくして、本発明は、金属枠体２と入出力
端子３とをロウ材で接合した際に、入出力端子３にクラ
ックが発生することによる高周波信号の伝送効率や金属
枠体２の内部の気密性が損なわれることを有効に防止で
き、更に、光半導体パッケージ４を実装基板上にネジ止
めした際、基体１の反り変形が矯正されて光ファイバ１
０と光半導体素子との光結合効率が損なわれることを有
効に防止でき、その結果、光半導体素子を長期間にわた
り、正常かつ安定に作動させ得る。

【００５７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変
更を行うことは何等支障ない。例えば、図３に示すよう
に、溝８を金属枠体２の外面において取付部６の下端の
隅部７に形成してもよく、あるいは図４に示すように、
金属枠体２の内外面において溝８を取付部６の隅部７に
形成しても良い。特に、金属枠体２の内外面に形成した
場合には、自重によって垂れた過剰のロウ材のほとんど
全てを溝８の溜めることができ、ロウ材溜まりによる応
力の発生を皆無にすることが可能となる。また、金属枠
体２の内面および／または外面に、溝８は取付部６の下
端の少なくとも一つの隅部７に設ければよいが、勿論内
面または外面において取付部６の下端の２つの隅部７に
設けてもよい。さらに、金属枠体２の内外面に、最大限
取付部６の下端の４つの隅部７に設けることができるこ
とは言うまでもない。

【００５８】

【発明の効果】本発明は、金属枠体に設けた取付部にロ
ウ材で嵌着接合される入出力端子を具備した半導体パッ
ケージにおいて、取付部は金属枠体の側部に上面に接し
ないように設けられているとともに、金属枠体の内面お
よび／または外面の取付部の下端の隅部から上面に向け
て溝が形成されていることから、金属枠体の取付部に入
出力端子をロウ材で接合した際、過剰なロウ材を引き込
んで溝内に溜めることができ、入出力端子の側面と金属
枠体の内面との間にロウ材溜まりを生じるのを有効に防
止でき、その結果、金属枠体内部の気密性や高周波信号
の伝送特性、更には光結合効率を良好なものとし、半導
体素子を長期にわたり、正常かつ安定に作動させ得る。

【００５９】また本発明は、好ましくは、金属枠体の厚
さをＴとした場合、溝部の金属枠体の厚さｔは０．３ｍ
ｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝の幅Ｗは０．１〜
０．６ｍｍであることにより、入出力端子の側面と金属
枠体の内面との間隙にロウ材溜まりを発生させないこと
は勿論、金属枠体に設けた溝部でロウ材溜まりを起点と
する応力が有効に吸収されて緩和される応力緩衝作用に
より、入出力端子に応力が加わるのを更に抑制し、上記
本発明の効果をより有効なものとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージを示す分解斜視図で
ある。

【図２】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の一例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図である。

【図３】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図であ
る。

【図４】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図であ
る。

【図５】従来の半導体パッケージを示す分解斜視図であ
る。

【図６】従来の半導体パッケージについて入出力端子の
側面と金属枠体の内面にロウ材溜まりが形成された様子
を示す部分拡大斜視図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体パッケージの
溝の各種形状について実施の形態をそれぞれ示す部分側
面図である。

【符号の説明】

１：基体 ２：金属枠体 ３：入出力端子 ４：光半導体パッケージ ５：載置部 ６：取付部 ７：隅部 ８：溝

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面に半導体素子が載置される載置部を
   有する基体と、前記上面に前記載置部を囲繞するように
   取着されるとともに側部に切欠部または貫通孔から成る
   入出力端子の取付部が形成された金属枠体と、前記取付
   部に嵌着接合されて前記半導体素子と外部電気回路とを
   電気的に接続する入出力端子とを具備した半導体素子収
   納用パッケージにおいて、前記取付部は前記金属枠体の
   側部に前記上面に接しないように設けられているととも
   に、前記金属枠体の内面および／または外面の前記取付
   部の下端の隅部から前記上面に向けて溝が形成されてい
   ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 前記金属枠体の厚さをＴとした場合、前
   記溝部の前記金属枠体の厚さｔは０．３ｍｍ〜Ｔ−０．
   ３ｍｍであり、かつ前記溝の幅Ｗは０．１〜０．６ｍｍ
   であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納
   用パッケージ。