JP2001127371A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】信号用リード端子からの高周波信号の放射によ
る漏洩を防ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い通
過特性が得られるようにすること。 【解決手段】絶縁材料から成り、上面の開口に金属蓋体
２が接合されて内部に光半導体素子３を収容する略直方
体の容器を構成する容器本体１と、容器本体１の第１の
側壁に設けた貫通孔に接合された筒状の光ファイバ固定
部材８と、容器本体１の第２の側壁に設けた複数のメタ
ライズ層５ａ〜５ｃにそれぞれ壁面に沿って下方に延び
るように接合された信号用リード端子６ａおよびその両
側の接地用リード端子６ｂ，６ｂとを具備し、接地用リ
ード端子６ｂ，６ｂが接合されたメタライズ層５ｂは信
号用リード端子６ａが接合されたメタライズ層５ａを囲
むように形成してある。
る漏洩を防ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い通
過特性が得られるようにすること。 【解決手段】絶縁材料から成り、上面の開口に金属蓋体
２が接合されて内部に光半導体素子３を収容する略直方
体の容器を構成する容器本体１と、容器本体１の第１の
側壁に設けた貫通孔に接合された筒状の光ファイバ固定
部材８と、容器本体１の第２の側壁に設けた複数のメタ
ライズ層５ａ〜５ｃにそれぞれ壁面に沿って下方に延び
るように接合された信号用リード端子６ａおよびその両
側の接地用リード端子６ｂ，６ｂとを具備し、接地用リ
ード端子６ｂ，６ｂが接合されたメタライズ層５ｂは信
号用リード端子６ａが接合されたメタライズ層５ａを囲
むように形成してある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ，フ
ォトダイオード等の光半導体素子を収納するための光半
導体素子収納用パッケージに関する。
ォトダイオード等の光半導体素子を収納するための光半
導体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光半導体素子収納用パッケージ
（以下、光パッケージと略す）を図４，図５に示す。こ
れらの図において、１は上面の開口に金属蓋体２が接合
されて内部に光半導体素子３を収容する略直方体の容器
を構成する容器本体、２は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金（コバール）等からなる金
属蓋体、３は半導体レーザ，フォトダイオード等の光半
導体素子、４はシリコン等からなる基板、５は容器本体
の側壁に形成されリード端子を接合するためのメタライ
ズ層、６はコバール等の金属からなる信号用リード端
子，接地用リード端子、７は光半導体素子３の電極と容
器本体１内の側壁に設けられた信号入力用，接地用のメ
タライズ層１１とを接続するボンディングワイヤ、８は
容器本体１の一側壁に設けられ光ファイバを固定するた
めの円筒状の光ファイバ固定部材、１０はコバール等か
らなり金属蓋体２を容器本体１の上面にシーム溶接する
ための金属枠体（シールリング）である。
（以下、光パッケージと略す）を図４，図５に示す。こ
れらの図において、１は上面の開口に金属蓋体２が接合
されて内部に光半導体素子３を収容する略直方体の容器
を構成する容器本体、２は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金（コバール）等からなる金
属蓋体、３は半導体レーザ，フォトダイオード等の光半
導体素子、４はシリコン等からなる基板、５は容器本体
の側壁に形成されリード端子を接合するためのメタライ
ズ層、６はコバール等の金属からなる信号用リード端
子，接地用リード端子、７は光半導体素子３の電極と容
器本体１内の側壁に設けられた信号入力用，接地用のメ
タライズ層１１とを接続するボンディングワイヤ、８は
容器本体１の一側壁に設けられ光ファイバを固定するた
めの円筒状の光ファイバ固定部材、１０はコバール等か
らなり金属蓋体２を容器本体１の上面にシーム溶接する
ための金属枠体（シールリング）である。
【０００３】このような光パッケージにおいて、その容
器本体１は一般にセラミック等の絶縁材料からなり、容
器本体１の内部底面の略中央部には光半導体素子３が搭
載される搭載部１ａが設けられ、搭載部１ａ周囲にはボ
ンディングワイヤと接続されるメタライズ層１１が形成
配置され、このメタライズ層１１は容器本体１の側壁外
部に延在してリード端子６に接合される。そして、図４
に示すように、容器本体１の側壁外部に沿って下方に延
びるようにリード端子６が設けられたタイプが、光信号
の短距離伝送用として使用されている。また、図５に示
すように、容器本体１の一側壁には光ファイバ９を挿通
固定させるための貫通孔１ｂが形成され、円筒状の光フ
ァイバ固定部材８は貫通孔１ｂの外周縁部の接合部１ｃ
にメタライズ層を介して接合される、または光ファイバ
固定部材８は貫通孔１ｂを通して容器本体１内部に挿入
接合される。
器本体１は一般にセラミック等の絶縁材料からなり、容
器本体１の内部底面の略中央部には光半導体素子３が搭
載される搭載部１ａが設けられ、搭載部１ａ周囲にはボ
ンディングワイヤと接続されるメタライズ層１１が形成
配置され、このメタライズ層１１は容器本体１の側壁外
部に延在してリード端子６に接合される。そして、図４
に示すように、容器本体１の側壁外部に沿って下方に延
びるようにリード端子６が設けられたタイプが、光信号
の短距離伝送用として使用されている。また、図５に示
すように、容器本体１の一側壁には光ファイバ９を挿通
固定させるための貫通孔１ｂが形成され、円筒状の光フ
ァイバ固定部材８は貫通孔１ｂの外周縁部の接合部１ｃ
にメタライズ層を介して接合される、または光ファイバ
固定部材８は貫通孔１ｂを通して容器本体１内部に挿入
接合される。
【０００４】また、容器本体１の上面には金属枠体１０
がメタライズ層を介して接合され、金属枠体１０表面に
はＮｉメッキ膜，Ａｕメッキ膜等の金属メッキ被膜が被
着されることから、金属枠体１０部は容器本体１の接地
電極（ケースグランド）と接続される。この金属枠体１
０は光パッケージを気密封止する目的で設置されるもの
であり、金属蓋体２とシーム溶接等により溶接接合され
る。
がメタライズ層を介して接合され、金属枠体１０表面に
はＮｉメッキ膜，Ａｕメッキ膜等の金属メッキ被膜が被
着されることから、金属枠体１０部は容器本体１の接地
電極（ケースグランド）と接続される。この金属枠体１
０は光パッケージを気密封止する目的で設置されるもの
であり、金属蓋体２とシーム溶接等により溶接接合され
る。
【０００５】そして、上記光パッケージを用い、搭載部
１ａに光半導体素子３を搭載固定するとともに、光半導
体素子３の各電極と容器本体１内のメタライズ層１１と
をボンディングワイヤ７を介して接続し、しかる後容器
本体１の上面に金属蓋体２を接合して気密封止し、さら
に光ファイバ固定部材８内に光ファイバ９を挿入し、そ
の光入出射端を光半導体素子３の受発光部に光学的に結
合させた状態で固定することによって、製品としての光
半導体装置となる。
１ａに光半導体素子３を搭載固定するとともに、光半導
体素子３の各電極と容器本体１内のメタライズ層１１と
をボンディングワイヤ７を介して接続し、しかる後容器
本体１の上面に金属蓋体２を接合して気密封止し、さら
に光ファイバ固定部材８内に光ファイバ９を挿入し、そ
の光入出射端を光半導体素子３の受発光部に光学的に結
合させた状態で固定することによって、製品としての光
半導体装置となる。
【０００６】かかる光半導体装置は、例えば外部の駆動
回路，制御回路等から送信された電気信号を光半導体素
子３により光信号に変換し、発振された光信号を光ファ
イバ９で授受して外部に伝送し、光通信用の光電変換装
置として機能する。
回路，制御回路等から送信された電気信号を光半導体素
子３により光信号に変換し、発振された光信号を光ファ
イバ９で授受して外部に伝送し、光通信用の光電変換装
置として機能する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示したような上記光パッケージのリード端子６およびメ
タライズ５の構成では、数１０ＧＨｚ程度以上のより高
周波の信号を入出力させた場合、信号用リード端子６の
両側に接地用リード端子６を配置すれば信号用リード端
子６の両側への信号の漏れを防ぐことはできるが、信号
用リード端子６の上方側および側方側（光パッケージの
側壁の面に略垂直な方向側）への放射を防ぐことはでき
ない。信号が高周波になればこのような放射成分が大き
くなり、損失が増大し効率良く伝送することができなく
なるといった問題があった。
示したような上記光パッケージのリード端子６およびメ
タライズ５の構成では、数１０ＧＨｚ程度以上のより高
周波の信号を入出力させた場合、信号用リード端子６の
両側に接地用リード端子６を配置すれば信号用リード端
子６の両側への信号の漏れを防ぐことはできるが、信号
用リード端子６の上方側および側方側（光パッケージの
側壁の面に略垂直な方向側）への放射を防ぐことはでき
ない。信号が高周波になればこのような放射成分が大き
くなり、損失が増大し効率良く伝送することができなく
なるといった問題があった。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、リード端子を通じて入出
力される高周波信号の外部への漏洩を防ぎ、高周波信号
の損失が小さく効率の良い透過特性が得られるものとす
ることにある。
れたものであり、その目的は、リード端子を通じて入出
力される高周波信号の外部への漏洩を防ぎ、高周波信号
の損失が小さく効率の良い透過特性が得られるものとす
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、絶縁材料から成り、上面の開口に金
属蓋体が接合されて内部に光半導体素子を収容する略直
方体の容器を構成する容器本体と、該容器本体の第１の
側壁に設けた貫通孔に接合された筒状の光ファイバ固定
部材と、前記容器本体の第２の側壁に設けた複数のメタ
ライズ層にそれぞれ壁面に沿って下方に延びるように接
合された信号用リード端子およびその両側の接地用リー
ド端子とを具備した光半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記接地用リード端子が接合されたメタライズ層
は前記信号用リード端子が接合されたメタライズ層を囲
むように形成してあることを特徴とする。
納用パッケージは、絶縁材料から成り、上面の開口に金
属蓋体が接合されて内部に光半導体素子を収容する略直
方体の容器を構成する容器本体と、該容器本体の第１の
側壁に設けた貫通孔に接合された筒状の光ファイバ固定
部材と、前記容器本体の第２の側壁に設けた複数のメタ
ライズ層にそれぞれ壁面に沿って下方に延びるように接
合された信号用リード端子およびその両側の接地用リー
ド端子とを具備した光半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記接地用リード端子が接合されたメタライズ層
は前記信号用リード端子が接合されたメタライズ層を囲
むように形成してあることを特徴とする。
【００１０】本発明は、上記構成により、信号用リード
端子を通じて入出力される高周波信号の外部への漏洩を
防ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い透過特性が
得られるという作用効果を有する。
端子を通じて入出力される高周波信号の外部への漏洩を
防ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い透過特性が
得られるという作用効果を有する。
【００１１】また本発明において、好ましくは、前記信
号用リード端子の両側の前記接地用リード端子を、前記
第２の側壁の側方側で前記信号用リード端子の接合部を
覆うように一体化したことを特徴とする。これにより、
信号用リード端子の接合部から側方側空間に放射される
信号成分の漏洩を防ぐことができ、さらに高周波信号の
損失が小さくなる。
号用リード端子の両側の前記接地用リード端子を、前記
第２の側壁の側方側で前記信号用リード端子の接合部を
覆うように一体化したことを特徴とする。これにより、
信号用リード端子の接合部から側方側空間に放射される
信号成分の漏洩を防ぐことができ、さらに高周波信号の
損失が小さくなる。
【００１２】また好ましくは、前記信号用リード端子の
両側の前記接地用リード端子を、前記第２の側壁の側方
側および上方側で前記信号用リード端子の接合部を覆う
ように一体化したことを特徴とする。このような構成に
より、信号用リード端子の接合部から側方側空間および
上方側空間に放射される信号成分の漏洩を防ぐことがで
き、さらに高周波信号の損失が小さくなる。
両側の前記接地用リード端子を、前記第２の側壁の側方
側および上方側で前記信号用リード端子の接合部を覆う
ように一体化したことを特徴とする。このような構成に
より、信号用リード端子の接合部から側方側空間および
上方側空間に放射される信号成分の漏洩を防ぐことがで
き、さらに高周波信号の損失が小さくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の光パッケージについて以
下に説明する。図１〜図３は本発明の光パッケージの各
種実施形態を示し、図１において、１はアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）セラミック等のセラミック，プラスチック等の絶
縁材料からなり、上面の開口に金属蓋体２（図示せず）
が接合されて内部に光半導体素子３を収容する略直方体
の容器を構成する容器本体、３は半導体レーザ，フォト
ダイオード等の光半導体素子、４はシリコン等からなる
基板、５ａ，５ｂ，５ｃは容器本体１の第２の側壁に形
成されリード端子６ａ，６ｂ，６ｃを接合するためのメ
タライズ層、６ａ，６ｂ，６ｃはコバール等の金属から
なる信号用リード端子，接地用リード端子であり、６ａ
は信号用リード端子、６ｂ，６ｃは接地用リード端子で
ある。これらの信号用リード端子６ａおよび接地用リー
ド端子６ｂ，６ｃは、容器本体１の第２の側壁に壁面に
沿って下方に延びるようにメタライズ層５ａ，５ｂ，５
ｃを介して、それぞれ接合されている。
下に説明する。図１〜図３は本発明の光パッケージの各
種実施形態を示し、図１において、１はアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）セラミック等のセラミック，プラスチック等の絶
縁材料からなり、上面の開口に金属蓋体２（図示せず）
が接合されて内部に光半導体素子３を収容する略直方体
の容器を構成する容器本体、３は半導体レーザ，フォト
ダイオード等の光半導体素子、４はシリコン等からなる
基板、５ａ，５ｂ，５ｃは容器本体１の第２の側壁に形
成されリード端子６ａ，６ｂ，６ｃを接合するためのメ
タライズ層、６ａ，６ｂ，６ｃはコバール等の金属から
なる信号用リード端子，接地用リード端子であり、６ａ
は信号用リード端子、６ｂ，６ｃは接地用リード端子で
ある。これらの信号用リード端子６ａおよび接地用リー
ド端子６ｂ，６ｃは、容器本体１の第２の側壁に壁面に
沿って下方に延びるようにメタライズ層５ａ，５ｂ，５
ｃを介して、それぞれ接合されている。
【００１４】また、７は光半導体素子３の電極と容器本
体１内の側壁に設けられた信号用，接地用のメタライズ
層１１とを接続するボンディングワイヤ、８は容器本体
１の第１の側壁に設けた貫通孔に接合され光ファイバを
固定するための円筒状の光ファイバ固定部材であり、他
の部材については図４，図５のものと同様でありその説
明は省略する。
体１内の側壁に設けられた信号用，接地用のメタライズ
層１１とを接続するボンディングワイヤ、８は容器本体
１の第１の側壁に設けた貫通孔に接合され光ファイバを
固定するための円筒状の光ファイバ固定部材であり、他
の部材については図４，図５のものと同様でありその説
明は省略する。
【００１５】本発明において、接地用リード端子６ｂが
接合されたメタライズ層５ｂは、信号用リード端子６ａ
が接合されたメタライズ層５ａを囲むように形成する。
即ち、図１に示すように、第２の側壁の壁面におけるメ
タライズ層５ａの上方でメタライズ層５ｂを接続させた
構成とする。図１では、メタライズ層５ｂはメタライズ
層５ａの３方を囲むように形成されているが、メタライ
ズ層５ａの４方を囲むように形成しても構わない。
接合されたメタライズ層５ｂは、信号用リード端子６ａ
が接合されたメタライズ層５ａを囲むように形成する。
即ち、図１に示すように、第２の側壁の壁面におけるメ
タライズ層５ａの上方でメタライズ層５ｂを接続させた
構成とする。図１では、メタライズ層５ｂはメタライズ
層５ａの３方を囲むように形成されているが、メタライ
ズ層５ａの４方を囲むように形成しても構わない。
【００１６】このメタライズ層５ａの上方のメタライズ
層５ｂの接続部の上下方向の幅は、０．０３〜２．０ｍ
ｍが良く、０．０３ｍｍ未満ではメタライズ層５ａとメ
タライズ層５ｂが短絡し易くなり絶縁性を保持するのが
困難となり、２．０ｍｍを超えると、メタライズ層５ｂ
の接続部の接地電位による信号の漏洩抑制の効果が小さ
くなる。
層５ｂの接続部の上下方向の幅は、０．０３〜２．０ｍ
ｍが良く、０．０３ｍｍ未満ではメタライズ層５ａとメ
タライズ層５ｂが短絡し易くなり絶縁性を保持するのが
困難となり、２．０ｍｍを超えると、メタライズ層５ｂ
の接続部の接地電位による信号の漏洩抑制の効果が小さ
くなる。
【００１７】また本発明において、図２に示すように、
信号用リード端子６ａ両側の接地用リード端子６ｂ，６
ｂを、第２の側壁の側方側で信号用リード端子６ａの第
２の側壁への接合部を覆うように一体化することによ
り、その接合部を遮蔽することが好ましい。前記接合部
を遮蔽する接地用リード端子６ｂ，６ｂの結合部の上下
方向での幅は、前記接合部を全て遮蔽するように設ける
必要はなく、前記接合部の上下方向幅の６０％以上を覆
うようにすればよく、６０％未満では電磁遮蔽効果が小
さくなり、損失が増大する。
信号用リード端子６ａ両側の接地用リード端子６ｂ，６
ｂを、第２の側壁の側方側で信号用リード端子６ａの第
２の側壁への接合部を覆うように一体化することによ
り、その接合部を遮蔽することが好ましい。前記接合部
を遮蔽する接地用リード端子６ｂ，６ｂの結合部の上下
方向での幅は、前記接合部を全て遮蔽するように設ける
必要はなく、前記接合部の上下方向幅の６０％以上を覆
うようにすればよく、６０％未満では電磁遮蔽効果が小
さくなり、損失が増大する。
【００１８】また、接地用リード端子６ｂ，６ｂの結合
部と信号用リード端子６ａ表面との間隔は０．０５〜
０．５ｍｍが良く、０．０５ｍｍ未満では前記結合部と
信号用リード端子６ａとが短絡し易くなり、０．５ｍｍ
を超えると高周波信号の遮蔽効果（シールド効果）が小
さくなり損失が増大する。
部と信号用リード端子６ａ表面との間隔は０．０５〜
０．５ｍｍが良く、０．０５ｍｍ未満では前記結合部と
信号用リード端子６ａとが短絡し易くなり、０．５ｍｍ
を超えると高周波信号の遮蔽効果（シールド効果）が小
さくなり損失が増大する。
【００１９】さらに、図３に示すように、信号用リード
端子６ａ両側の接地用リード端子６ｂ，６ｂを、第２の
側壁の側方側および上方側で信号用リード端子６ａの接
合部を覆うように一体化することにより、前記接合部を
遮蔽することが好ましく、この構成は、図２のものにお
いて信号用リード端子６ａの接合部の上方側空間をさら
に遮蔽したものであり、他の構成は図２のタイプと同様
である。
端子６ａ両側の接地用リード端子６ｂ，６ｂを、第２の
側壁の側方側および上方側で信号用リード端子６ａの接
合部を覆うように一体化することにより、前記接合部を
遮蔽することが好ましく、この構成は、図２のものにお
いて信号用リード端子６ａの接合部の上方側空間をさら
に遮蔽したものであり、他の構成は図２のタイプと同様
である。
【００２０】ここで、本発明の光パッケージの構成につ
いて以下に詳細に説明する。容器本体１は光半導体素子
３を支持し搭載するための支持部材として機能し、その
内部底面の略中央部には光半導体素子３の搭載部１ａを
有し、搭載部１ａに光半導体素子３がＳｉ等からなる基
板４を介してＡｕ−Ｓｎ合金半田等の半田材により接着
固定される。また、容器本体１はアルミナセラミック等
のセラミックからなる場合、グリーンシートを積層させ
た成形体を焼結させる公知のセラミック加工法により作
製することができる。なお、搭載部１ａにＷ，Ｍｏ，Ｍ
ｎ等のメタライズ層を被着させ、そのメタライズ層上に
耐食性に優れた金属メッキ膜、例えば厚さ２〜６μｍの
Ｎｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次形成してお
くと、メタライズ層が酸化腐食するのを有効に防止し得
るとともに、搭載部１ａに基板４を強固に接着すること
ができる。
いて以下に詳細に説明する。容器本体１は光半導体素子
３を支持し搭載するための支持部材として機能し、その
内部底面の略中央部には光半導体素子３の搭載部１ａを
有し、搭載部１ａに光半導体素子３がＳｉ等からなる基
板４を介してＡｕ−Ｓｎ合金半田等の半田材により接着
固定される。また、容器本体１はアルミナセラミック等
のセラミックからなる場合、グリーンシートを積層させ
た成形体を焼結させる公知のセラミック加工法により作
製することができる。なお、搭載部１ａにＷ，Ｍｏ，Ｍ
ｎ等のメタライズ層を被着させ、そのメタライズ層上に
耐食性に優れた金属メッキ膜、例えば厚さ２〜６μｍの
Ｎｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次形成してお
くと、メタライズ層が酸化腐食するのを有効に防止し得
るとともに、搭載部１ａに基板４を強固に接着すること
ができる。
【００２１】また、容器本体１内部の搭載部１ａの周囲
には、光半導体素子３の電極にボンディングワイヤ７を
介して接合されるメタライズ層１１が形成されており、
このメタライズ層１１は、セラミック多層体を成す容器
本体１の内部を貫通して第２の側壁外部に延在し、メタ
ライズ層５ａ，５ｂ，５ｃに連続している。これらのメ
タライズ層５ａ，５ｂ，５ｃ上には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等から成るリード端子６ａ，６
ｂ，６ｂ，６ｃの一端側がＡｇロウ材等により接合さ
れ、それらの他端側は外部の駆動回路等に半田等で接続
される。なお、リード端子６ａ，６ｂ，６ｂ，６ｃの表
面に、耐食性に優れかつ金属ロウ材および半田材と濡れ
性の良好なＮｉメッキ層，Ａｕメッキ層等を１．０〜２
０μｍの厚さで被着させておくと、リード端子６ａ，６
ｂ，６ｂ，６ｃの酸化腐食が有効に防止されるととも
に、メタライズ層５ａ，５ｂ，５ｃとの接合を強固なも
のとすることができる。
には、光半導体素子３の電極にボンディングワイヤ７を
介して接合されるメタライズ層１１が形成されており、
このメタライズ層１１は、セラミック多層体を成す容器
本体１の内部を貫通して第２の側壁外部に延在し、メタ
ライズ層５ａ，５ｂ，５ｃに連続している。これらのメ
タライズ層５ａ，５ｂ，５ｃ上には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等から成るリード端子６ａ，６
ｂ，６ｂ，６ｃの一端側がＡｇロウ材等により接合さ
れ、それらの他端側は外部の駆動回路等に半田等で接続
される。なお、リード端子６ａ，６ｂ，６ｂ，６ｃの表
面に、耐食性に優れかつ金属ロウ材および半田材と濡れ
性の良好なＮｉメッキ層，Ａｕメッキ層等を１．０〜２
０μｍの厚さで被着させておくと、リード端子６ａ，６
ｂ，６ｂ，６ｃの酸化腐食が有効に防止されるととも
に、メタライズ層５ａ，５ｂ，５ｃとの接合を強固なも
のとすることができる。
【００２２】本発明において、信号用リード端子６ａの
両側の接地用リード端子６ｂ，６ｂの結合部は、信号用
リード端子６ａの第２の側壁に対する接合部を少なくと
も遮蔽すればよく、前記接合部および信号用リード端子
６ａ下方の非接合部まで遮蔽しても構わない。また、図
２および図３のものにおいて、接地用リード端子６ｂ，
６ｂの結合部を、容器本体１上面の金属蓋体２による封
止部にまで延長し接続させることで、接地電位空間を強
固に設定することができ、その結果シールド効果をより
高めることができる。
両側の接地用リード端子６ｂ，６ｂの結合部は、信号用
リード端子６ａの第２の側壁に対する接合部を少なくと
も遮蔽すればよく、前記接合部および信号用リード端子
６ａ下方の非接合部まで遮蔽しても構わない。また、図
２および図３のものにおいて、接地用リード端子６ｂ，
６ｂの結合部を、容器本体１上面の金属蓋体２による封
止部にまで延長し接続させることで、接地電位空間を強
固に設定することができ、その結果シールド効果をより
高めることができる。
【００２３】また、図１〜図３においては、４本のリー
ド端子６ａ，６ｂ，６ｂ，６ｃについて示したが、リー
ド端子６ａ，６ｂ，６ｂの３本でもよく、また５本以上
有していてもよい。
ド端子６ａ，６ｂ，６ｂ，６ｃについて示したが、リー
ド端子６ａ，６ｂ，６ｂの３本でもよく、また５本以上
有していてもよい。
【００２４】本発明で使用される好適な高周波信号の周
波数は、１０〜１００ＧＨｚ程度の高周波帯域およびミ
リ波帯域である。
波数は、１０〜１００ＧＨｚ程度の高周波帯域およびミ
リ波帯域である。
【００２５】かくして、本発明は、信号用リード端子を
通じて入出力される高周波信号の放射による漏洩を防
ぎ、従って高周波信号の損失が小さく効率の良い通過特
性が得られるという作用効果を有する。
通じて入出力される高周波信号の放射による漏洩を防
ぎ、従って高周波信号の損失が小さく効率の良い通過特
性が得られるという作用効果を有する。
【００２６】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、接地用リード端子が接合され
たメタライズ層は前記信号用リード端子が接合されたメ
タライズ層を囲むように形成してあることにより、信号
用リード端子からの高周波信号の放射による漏洩を防
ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い通過特性が得
られるという作用効果を有する。
たメタライズ層は前記信号用リード端子が接合されたメ
タライズ層を囲むように形成してあることにより、信号
用リード端子からの高周波信号の放射による漏洩を防
ぎ、高周波信号の損失が小さく効率の良い通過特性が得
られるという作用効果を有する。
【００２８】また好ましくは、信号用リード端子の両側
の前記接地用リード端子を、第２の側壁の側方側で信号
用リード端子の接合部を覆うように一体化したことによ
り、信号用リード端子の接合部を遮蔽したことで、信号
用リード端子の接合部から側方側空間に放射される信号
成分の漏洩を防ぐことができ、さらに高周波信号の損失
が小さくなる。
の前記接地用リード端子を、第２の側壁の側方側で信号
用リード端子の接合部を覆うように一体化したことによ
り、信号用リード端子の接合部を遮蔽したことで、信号
用リード端子の接合部から側方側空間に放射される信号
成分の漏洩を防ぐことができ、さらに高周波信号の損失
が小さくなる。
【００２９】さらに好ましくは、信号用リード端子の両
側の前記接地用リード端子を、第２の側壁の側方側およ
び上方側で信号用リード端子の接合部を覆うように一体
化したことにより、信号用リード端子の接合部を遮蔽し
たことで、信号用リード端子の接合部から側方側空間お
よび上方側空間に放射される信号成分の漏洩を防ぐこと
ができ、さらに高周波信号の損失が小さくなる。
側の前記接地用リード端子を、第２の側壁の側方側およ
び上方側で信号用リード端子の接合部を覆うように一体
化したことにより、信号用リード端子の接合部を遮蔽し
たことで、信号用リード端子の接合部から側方側空間お
よび上方側空間に放射される信号成分の漏洩を防ぐこと
ができ、さらに高周波信号の損失が小さくなる。
【図１】本発明の光パッケージの蓋体を除いたものの斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明の他の実施形態を示し、光パッケージの
蓋体を除いたものの斜視図である。
蓋体を除いたものの斜視図である。
【図３】本発明の他の実施形態を示し、光パッケージの
蓋体を除いたものの斜視図である。
蓋体を除いたものの斜視図である。
【図４】従来の光パッケージの分解斜視図である。
【図５】図４の光パッケージの断面図である。
１：容器本体 ２：蓋体 ３：光半導体素子 ５ａ，５ｂ，５ｃ：メタライズ層 ６ａ：信号用リード端子 ６ｂ，６ｃ：接地用リード端子 ８：光ファイバ固定部材 １１：メタライズ層
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁材料から成り、上面の開口に金属蓋体
が接合されて内部に光半導体素子を収容する略直方体の
容器を構成する容器本体と、該容器本体の第１の側壁に
設けた貫通孔に接合された筒状の光ファイバ固定部材
と、前記容器本体の第２の側壁に設けた複数のメタライ
ズ層にそれぞれ壁面に沿って下方に延びるように接合さ
れた信号用リード端子およびその両側の接地用リード端
子とを具備した光半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記接地用リード端子が接合されたメタライズ層は
前記信号用リード端子が接合されたメタライズ層を囲む
ように形成してあることを特徴とする光半導体素子収納
用パッケージ。 - 【請求項２】前記信号用リード端子の両側の前記接地用
リード端子を、前記第２の側壁の側方側で前記信号用リ
ード端子の接合部を覆うように一体化したことを特徴と
する請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項３】前記信号用リード端子の両側の前記接地用
リード端子を、前記第２の側壁の側方側および上方側で
前記信号用リード端子の接合部を覆うように一体化した
ことを特徴とする請求項１記載の光半導体素子収納用パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30168499A JP3716140B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30168499A JP3716140B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127371A true JP2001127371A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3716140B2 JP3716140B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=17899904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30168499A Expired - Fee Related JP3716140B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3716140B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6715937B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30168499A patent/JP3716140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6715937B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JP4550386B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子用パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3716140B2 (ja) | 2005-11-16 |
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