JP2003224324A - 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接地リード端子の基体への接合性を向上させ
るとともに10〜100ＧＨｚ程度の高周波帯域の高周波信
号を低損失で入出力でき、その結果、光半導体素子の熱
を効率良く外部に放散し得るものとすること。 【解決手段】 接地リード端子５ｂは、基体１の下面か
ら他の側部の外面にかけて形成されているとともに幅が
接地リード端子５ｂの幅よりも大きく内面に第二のメタ
ライズ層１ｄが延出されている切欠き部Ａに、外側の面
が他の側部の外面よりも外側に出るように接合されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子を収
容するための光半導体素子収納用パッケージ、およびそ
の光半導体素子収納用パッケージを用いた光半導体装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光半導体素子収納用パッケージ
（以下、光半導体パッケージともいう）を図４に斜視図
で示す（特開2001−127371参照）。この光半導体パッケ
ージは、上面に凹部101ａを有する略直方体の絶縁材料
から成り、凹部101ａの底面に光半導体素子106を載置す
る載置部を有するとともに、一側部に貫通孔101ｂが形
成された基体101と、貫通孔101ｂに嵌着されるかまたは
基体101外面側開口の周囲に一端に接合された光ファイ
バ固定部材（以下、固定部材ともいう）102とを有す
る。

【０００３】また光半導体パッケージは、他の側部の外
面の下端に形成された信号リード端子接続用の第一のメ
タライズ層101ｃと、第一のメタライズ層101ｃの周りを
一定間隔で囲むように形成された接地リード端子接続用
の第二のメタライズ層101ｄと、第一のメタライズ層101
ｃ上に上端が接合された信号リード端子105ａと、信号
リード端子105ａと略平行で略同じ高さとなるように第
二のメタライズ層101ｄ上に上端が接合された接地リー
ド端子105ｂとを具備している。また、基体101の上面に
は、蓋体104をシーム溶接するための金属製のシールリ
ング103が接合されている。

【０００４】なお、第二のメタライズ層101ｄが第一の
メタライズ層101ｃの周りを一定間隔で囲んでいること
により、信号リード端子105ａに数10ＧＨｚ程度以上の
高周波信号を入出力させた場合、信号リード端子105ａ
の上方側および側方側への高周波信号の放射を有効に防
止することができる。即ち、高周波信号が高周波化する
ことによる透過損失の増大を防止することにより、光半
導体パッケージへの高周波信号の低損失な入出力を可能
とするものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、10〜10
0ＧＨｚ程度の高周波帯域の高周波信号を光半導体パッ
ケージに入出力させる場合に透過損失の増大を防止する
ために、即ち接地電位（グランド）をより強化するため
に、第二のメタライズ層101ｄを第一のメタライズ層101
ｃの周りにより大きな面積で設けることが考えられる
が、この場合、第二のメタライズ層101ｄと接地リード
端子105ｂとをロウ付けする際に、ロウ材が第二のメタ
ライズ層101ｄの表面で濡れ広がるという問題点があっ
た。

【０００６】即ち、図４の従来構成では、第二のメタラ
イズ層101ｄと接地リード端子105ｂとの間にロウ材のメ
ニスカスが形成されて、第二のメタライズ層101ｄと接
地リード端子105ｂとの接合が強固になっていたが、接
地電位をより強化しようとして第二のメタライズ層101
ｄの面積を大きくすると、ロウ材が第二のメタライズ層
101ｄの表面で濡れ広がり、メニスカスが形成されなく
なる。その結果、第二のメタライズ層101ｄと接地リー
ド端子105ｂとの接合力が低下するという問題があっ
た。

【０００７】また、一般にセラミックス等の絶縁材料か
ら成る基体101の有する熱伝導率は比較的低いため、光
半導体素子106が作動時に発する熱量が非常に大きい場
合には、その熱を外部に放散し難い。この場合、絶縁材
料を金属に代えて用いる場合もあるが、金属の場合は絶
縁材料のように凹部101aを有するような一体成形が困難
であり、また製造コストも高い。また、金属から成る部
品をロウ付けすることにより凹部101aを有する基体101
を作製することも可能だが、ロウ付け個所が多くなるた
め気密性が劣化する場合がある。即ち、ロウ付け部にク
ラック等が発生すれば経時変化により金属の部品同士が
剥がれて気密性が破れる。その結果、光半導体素子106
が酸化腐食等を起こし作動性が劣化する。

【０００８】従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み
完成されたものであり、その目的は、接地リード端子の
基体への接合性を向上させるとともに、10〜100ＧＨｚ
程度の高周波帯域の高周波信号を低損失で入出力でき、
その結果光半導体素子が作動時に発する熱を効率良く外
部に放散し得る光半導体パッケージを提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、略直方体とされ、上面に形成された
凹部の底面に光半導体素子を載置する載置部が設けられ
ているとともに一側部に貫通孔が形成されている絶縁材
料から成る基体と、前記貫通孔に嵌着されるかまたは前
記貫通孔の基体外面側開口の周囲に一端が接合された筒
状の光ファイバ固定部材と、前記基体の他の側部の外面
の下端に形成された第一のメタライズ層と、該第一のメ
タライズ層の周りを一定間隔で囲むとともに前記他の側
部の外面の略全面に形成された第二のメタライズ層と、
前記第一のメタライズ層上に上端が接合され下端が下方
に延設された信号リード端子と、前記第二のメタライズ
層上に前記信号リード端子と略平行にかつ前記基体の下
面からの上端の高さが略同じになるように上端が接合さ
れた接地リード端子とを具備して成り、該接地リード端
子は、前記基体の下面から前記他の側部の外面にかけて
形成されているとともに幅が前記接地リード端子の幅よ
りも大きく内面に前記第二のメタライズ層が延出されて
いる切欠き部に、外側の面が前記他の側部の外面よりも
外側に出るように接合されていることを特徴とする。

【００１０】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
は、上記の構成により、外部への放熱を非常に良好とす
ることができ、また高周波信号の透過損失を小さくし、
さらに第二のメタライズ層と接地リード端子との接合性
が向上するものなる。従って、発熱量が非常に高く10〜
100ＧＨｚ程度の非常に高い周波数帯域で作動する光半
導体素子を問題なく収納することが可能となる。

【００１１】本発明の光半導体装置は、上記本発明の光
半導体パッケージと、前記載置部に載置固定されるとと
もに前記第一のメタライズ層および前記第二のメタライ
ズ層を介して前記信号リード端子および前記接地リード
端子に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の
上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。

【００１２】本発明の光半導体装置は、上記の構成によ
り、光半導体素子の熱を効率良く外部に放散できるとと
もに光半導体素子に非常に高い周波数帯域の高周波信号
を低損失で入出力でき、さらに接地リード端子の接合力
が向上した信頼性の高い高性能のものとなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の
光半導体パッケージについて実施の形態の例を示す斜視
図である。同図において、１は、上面に凹部１ａを有す
る略直方体の絶縁材料から成り、凹部１ａの底面に光半
導体素子６を載置する載置部を有するとともに、一側部
に凹部１ａから基体１の外側面にかけて貫通するように
形成された貫通孔１ｂを有する基体である。２は、貫通
孔１ｂの基体１外面側開口の周囲に一端が接合されるか
または貫通孔１ｂに嵌着された筒状の固定部材、３は、
基体１の上面に蓋体４をシーム溶接するための金属製の
シールリング、５ａ，５ｂは、基体１の他の側部で対向
する側部の外面にそれぞれ被着された第一のメタライズ
層１ｃ，第二のメタライズ層１ｄの延出部１ｅに接合さ
れた信号リード端子，接地リード端子である。これら基
体１、固定部材２、シールリング３、信号リード端子５
ａおよび接地リード端子５ｂで光半導体パッケージが主
に構成される。

【００１４】本発明の基体１の材料は、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）セラミックスや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラ
ミックス等のセラミックスから成る絶縁材料であり、そ
の誘電率や熱膨張係数等の特性と光半導体素子６の特性
に応じて適宜選定される。

【００１５】また、基体１の一側部に形成された貫通孔
１ｂは、光ファイバ（図示せず）から出力される光信号
または光ファイバに入力される光信号の伝達経路として
機能し、貫通孔１ｂに設けられる固定部材２の内周面に
は、光を集光するサファイア等から成るレンズ等の透光
性部材（図示せず）が接合される。貫通孔１ｂに嵌着さ
れるかまたは貫通孔１ｂの基体１外面側開口の周囲に一
端が接合される固定部材２は、基体１との熱膨張係数差
による熱歪みを有効に防止するものであり、光ファイバ
を樹脂等で接着固定した金属ホルダ（図示せず）をＹＡ
Ｇレーザ溶接する際に熱歪を小さくするために、基体１
の熱膨張係数に近似した金属から成る。その金属として
は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金やＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ（コバルト）合金等がよく、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工
法等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形
状に形成される。

【００１６】また、基体１の他の側部で対向する側部の
外面には、第一のメタライズ層１ｃと、第一のメタライ
ズ層１ｃの周りを一定間隔で囲むように第二のメタライ
ズ層１ｄとが被着されており、第一のメタライズ層１ｃ
上には信号リード端子５ａの上端が銀（Ａｇ）ロウ等の
ロウ材で接合される。そして、図２（ａ）に部分拡大斜
視図を示すように接地リード端子５ｂの上端は、接地リ
ード端子５ｂの幅よりも大きく内面に第二のメタライズ
層１ｄの延出部１ｅが形成された切欠き部Ａの底面に接
合されている。接地リード端子５ｂは延出部１ｅを介し
て第二のメタライズ層１ｄに電気的に接続される。

【００１７】切欠き部Ａは、基体１となるセラミックグ
リーンシートを打ち抜き加工した後、セラミックグリー
ンシートを多層積層し焼成することによって形成され
る。

【００１８】接地リード端子５ｂが接合される部位に、
その内面に延出部１ｅを形成した切欠き部Ａを設けるこ
とにより、従来よりも第二のメタライズ層１ｄの面積が
大きくなるとともに、基体１に接地リード端子５ｂを接
合したときにロウ材が広がるのが切欠き部Ａで阻止さ
れ、接地リード端子５ｂの接合部の全周囲（接合部の左
右ならびに上方）にロウ材の良好なメニスカスが形成さ
れる。そのため、接地リード端子５ｂの接合強度が向上
するとともに、隣接する端子同士がロウ材によって接続
されるのを防止できる。また、延出部１ｅは第二のメタ
ライズ層１ｄと電気的に接続されているため、光半導体
装置全体の接地電位部（グランド部）の面積を拡大で
き、グランドの機能を強化し得る。

【００１９】切欠き部Ａの幅は、図２（ｂ）に示すよう
に、接地リード端子５ｂの左右にそれぞれＸ＝0.3〜0.7
ｍｍの隙間Ｘが形成されて、接地リード端子５ｂの幅よ
りも大きくなっているのがよい。これにより、接地リー
ド端子５ｂの左右に良好なロウ材のメニスカスを形成で
きるとともに光半導体素子６の熱を効率良く外部に放散
し得る。Ｘが上記の範囲を外れると、接地リード端子５
ｂの左右において切欠き部Ａの側面までの距離が近くな
りすぎるかまたは遠くなりすぎて、接地リード端子５ｂ
の左右に良好なロウ材のメニスカスを形成できない。ま
た、光半導体素子６の熱を接地リード端子５ｂを介して
効率良く外部に放散するためには、Ｘ≧0.3ｍｍが良
く、Ｘ＜0.3ｍｍの場合は隙間Ｘが狭すぎるため接地リ
ード端子５ｂに伝わってきた熱が切欠き部Ａに滞留し外
部に放散し難くなり、また切欠き部Ａの内面の面積が小
さくなりすぎて放熱効果が劣化する。即ち、切欠き部Ａ
の内面を放熱部として機能させ難くなる。

【００２０】また切欠き部Ａは、図２（ｂ）に示すよう
に、接地リード端子５ｂの上端と切欠き部Ａの上端の内
面との隙間ＹがＹ＝0.3〜１ｍｍとなっているのがよ
く、これにより接地リード端子５ｂの上方に良好なロウ
材のメニスカスを形成できるとともに光半導体素子６の
熱を効率良く外部に放散し得る。隙間ＹがＹ＝0.1〜１
ｍｍの範囲を外れると、接地リード端子５ｂの上端と切
欠き部Ａの上端の内面までの距離が近くなりすぎるかま
たは遠くなりすぎて、接地リード端子５ｂの上方に良好
なロウ材のメニスカスが形成されない。また、光半導体
素子６の熱を接地リード端子５ｂを介して効率良く外部
に放散するには、Ｙ≧0.3ｍｍが良く、Ｙ＜0.3ｍｍの場
合は隙間Ｙが狭すぎるため接地リード端子５ｂに伝わっ
てきた熱が切欠き部Ａに滞留し外部に放散し難くなり、
また切欠き部Ａの内面の面積が小さくなりすぎて放熱効
果が劣化する。即ち、切欠き部Ａの内面を放熱部として
機能させ難くなる。

【００２１】さらに、Ｙ＞Ｘとすることがよく、この場
合接地リード端子５ｂを接合するためのロウ材は接地リ
ード端子５ｂの接合部から上方に広がり易くなり、接地
リード端子５ｂの接合部から上方に大きなロウ材のメニ
スカスを形成することができる。従って、接地リード端
子５ｂの自由端側（下端側）の主面に垂直な外力が加わ
ることが多いが、その場合接地リード端子５ｂが基体１
から剥がれるのを有効に防止することができる。

【００２２】また切欠き部Ａの深さＺは、図２（ｃ）に
示すように、Ｚ＝0.1〜0.3ｍｍであるのがよい。Ｚ＜0.
1ｍｍである場合、切欠き部Ａが浅すぎるため、ロウ材
が切欠き部Ａから第二のメタライズ層１ｄに流れ出易く
なり、接地リード端子５ｂの全周囲に良好なロウ材のメ
ニスカスを形成するのが困難になる。また、光半導体素
子６の熱を接地リード端子５ｂを介して効率良く外部に
放散するためには、Ｚ＝0.1〜0.3ｍｍがよく、Ｚ＜0.1
ｍｍの場合、切欠き部Ａの深さＺが浅すぎる、即ち切欠
き部Ａ周辺部の基体１の厚さが厚いため、熱を放散し難
い。Ｚ＞0.3ｍｍの場合、切欠き部Ａの深さＺが深すぎ
る、即ち切欠き部Ａ周辺部の基体１の厚さが薄いため、
基体１の剛性が低下し基体１にクラック等の破損が発生
し易くなる。

【００２３】さらに、図２（ｃ）に示すように、接地リ
ード端子５ｂの外側の面は、他の側部の外面よりも外側
に飛び出して接合されており、これにより接地リード端
子５ｂの熱を良好に放熱できる。接地リード端子５ｂの
外側の面は他の側部の外面よりも外側に0.05ｍｍ以上飛
び出しているのが好ましく、光半導体素子６から接地リ
ード端子５ｂに伝わってきた熱を切欠き部Ａに滞留させ
ること無く、外部に効率良く放散し得る。

【００２４】このような構造の切欠き部Ａによって、10
〜100ＧＨｚ程度の非常に高い周波数帯域で作動すると
ともに高い発熱量を有する光半導体素子６であっても、
光半導体素子６の熱を効率よく放熱でき、延出部１ｅと
接地リード端子５ｂとの接合性が向上し、また高周波信
号の透過損失を小さくすることができる。また、切欠き
部Ａの底面に接合される接地リード端子５ｂは、好まし
くは、その外側の面が他の側部の外面よりも外側に出た
状態で接合されることにより、光半導体素子６の放熱性
が良好になる。

【００２５】本発明の第二のメタライズ層１ｄは、接地
電位強化をするとともに10〜100ＧＨｚ程度の高周波信
号を光半導体パッケージに低損失で入出力させるため
に、第一のメタライズ層１ｃの周りに一定間隔が設けら
れた部位よりも、基体１の他の側部の上方側に延設され
る。即ち、第二のメタライズ層１ｄは他の側部の外面の
略全面に形成される。その結果、10〜100ＧＨｚ程度の
高周波信号が伝送された場合にその伝送特性が良好にな
る。

【００２６】なお、第二のメタライズ層１ｄと第一のメ
タライズ層１ｃとの間隔は0.03〜２ｍｍ程度がよく、0.
03ｍｍ未満では、第二のメタライズ層１ｄと第一のメタ
ライズ層１ｃとが短絡し易くなる。２ｍｍを超えると、
第二のメタライズ層１ｄの接地電位による高周波信号の
漏洩抑制の効果が小さくなる。従って、この間隔を設け
ることにより、信号リード端子５ａからの高周波信号の
放射による漏洩を防ぎ、高周波信号の損失が小さく透過
特性が向上するという効果がある。

【００２７】この第二のメタライズ層１ｄは、図３に示
すように、基体１の他の側部のみに限らず、一側部や基
体１の下面に延長されていても良い。図３のように基体
１の側部全面に被着すれば、光半導体パッケージ全体を
グランドとして機能させることができ、接地電位強化の
点で好ましい。また、図３の構成では、第二のメタライ
ズ層１ｄは金属製のシールリング３に電気的に接続され
るため、蓋体４が金属から成る場合光半導体装置自体を
グランドとして機能させ得る。

【００２８】第一のメタライズ層１ｃ，第二のメタライ
ズ層１ｄは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍ
ｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダ、溶剤等を添加混合して得た金属ペースト
を、基体１となるセラミックグリーンシートの多層積層
体に、従来周知のスクリーン印刷法により所定パターン
で印刷塗布し、その後焼成することによって、基体１に
被着形成される。または、基体１となるセラミックグリ
ーンシートの多層積層体を焼成した後に、その焼成体に
金属ペーストを所定パターンで印刷塗布し金属ペースト
を焼成することによって、基体１に被着形成される。ま
た、金属ペーストを印刷塗布する際に、スクリーンの切
欠き部Ａのパターンと基体１の切欠き部Ａとを位置合わ
せすることにより、基体１の所定位置に第一のメタライ
ズ層１ｃ，第二のメタライズ層１ｄを精度良く印刷塗布
できる。

【００２９】延出部１ｅは、Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点
金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤等を添加混合して
得た金属ペーストを、セラミックグリーンシートを打ち
抜き加工して形成した切欠き部Ａの内面に予め塗布し、
セラミックグリーンシートを多層積層し焼成することに
よって形成する。または、セラミックグリーンシートを
打ち抜き加工して切欠き部Ａを形成し、セラミックグリ
ーンシートを多層積層し焼成した後、切欠き部Ａの内面
に金属ペーストを塗布し焼成することによって形成す
る。

【００３０】第一のメタライズ層１ｃ，延出部１ｅに接
合される信号リード端子５ａ，接地リード端子５ｂは、
基体１との熱膨張係数差による熱歪みを有効に防止する
とともに高周波信号の伝送を可能とするために、基体１
の熱膨張係数に近似した金属から成るのがよい。その金
属としては、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等
がよく、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット
（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等の従来周知の金
属加工法を施すことによって所定形状に形成される。

【００３１】また、基体１の上面には、基体１との熱膨
張係数差による熱歪みを有効に防止するとともに基体１
の上面に接合されて蓋体４のシーム溶接を可能とする金
属製のシールリング３が、Ａｇロウ等のロウ材を介して
接合される。その金属としてはＦｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金等がよく、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等の
従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形
成される。

【００３２】かくして、本発明の光半導体パッケージ
は、略直方体とされ、上面に形成された凹部１ａの底面
に光半導体素子６を載置する載置部が設けられていると
ともに一側部に貫通孔１ｂが形成されている絶縁材料か
ら成る基体１と、貫通孔１ｂに嵌着されるかまたは貫通
孔１ｂの基体１外面側開口の周囲に一端が接合された筒
状の固定部材２と、基体１の他の側部の外面の下端に形
成された第一のメタライズ層１ｃと、第一のメタライズ
層１ｃの周りを一定間隔で囲むとともに他の側部の外面
の略全面に形成された第二のメタライズ層１ｄと、第一
のメタライズ層１ｃ上に上端が接合され下端が下方に延
設された信号リード端子５ａと、第二のメタライズ層１
ｄ上に信号リード端子５ａと略平行にかつ基体１の下面
からの上端の高さが略同じになるように上端が接合され
た接地リード端子５ｂとを具備して成り、接地リード端
子５ｂは、基体１の下面から他の側部の外面にかけて形
成されているとともに幅が接地リード端子５ｂの幅より
も大きく内面に第二のメタライズ層１ｄが延出されてい
る切欠き部Ａに、外側の面が他の側部の外面よりも外側
に出るように接合されている。

【００３３】本発明の光半導体装置は、本発明の光半導
体パッケージと、載置部に載置固定されるとともに第一
のメタライズ層１ｃおよび第二のメタライズ層１ｄを介
して信号リード端子５ａおよび接地リード端子５ｂに電
気的に接続された光半導体素子６と、基体１の上面に接
合された蓋体４とを具備している。

【００３４】具体的には、基体１の載置部に光半導体素
子６をガラス，樹脂，ロウ材等の接着剤を介して接着固
定するとともに、光半導体素子６の各電極をボンディン
グワイヤを介して光半導体パッケージ内部の所定のメタ
ライズ配線層１ｆ（図１）に接続し、しかる後、基体１
上面にシールリング３を介して蓋体４をシーム溶接等に
より接合して封止することにより、光半導体素子６を内
部に気密に封止した光半導体装置となる。光半導体パッ
ケージ内部のメタライズ配線層１ｆは、セラミック層等
を多層積層して成る基体１の側部を貫通して形成される
ことにより、基体１外面の第一のメタライズ層１ｃおよ
び延出部１ｅに電気的に接続されている。そして、光半
導体素子６と外部電気回路基板とは、信号リード端子５
ａ，接地リード端子５ｂを介して電気的に接続されるこ
とになる。

【００３５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更を施すことは何等差し支えない。

【００３６】

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
は、接地リード端子は、基体の下面から他の側部の外面
にかけて形成されているとともに幅が接地リード端子の
幅よりも大きく内面に第二のメタライズ層が延出されて
いる切欠き部に、外側の面が他の側部の外面よりも外側
に出るように接合されていることにより、接地リード端
子の接合性を向上させるとともに高周波信号の透過損失
を小さくし、また放熱性を良好とできるため、10〜100
ＧＨｚ程度の非常に高い周波数帯域で作動するとともに
高い発熱量を有する光半導体素子を問題なく収納するこ
とが可能となる。

【００３７】本発明の光半導体装置は、本発明の光半導
体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されると
ともに第一のメタライズ層および第二のメタライズ層を
介して信号リード端子および接地リード端子に電気的に
接続された光半導体素子と、基体の上面に接合された蓋
体とを具備したことにより、光半導体素子に非常に高い
周波数帯域の高周波信号を低損失で入出力できるととも
に、接地リード端子の接合力が向上した信頼性の高い高
性能の光半導体装置となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージについ
て実施の形態の例を示す斜視図である。

【図２】（ａ）は図１の光半導体素子収納用パッケージ
の要部拡大斜視図、（ｂ）は図１の光半導体素子収納用
パッケージの要部拡大側面図、（ｃ）は図１の光半導体
素子収納用パッケージの要部拡大断面図である。

【図３】本発明の光半導体素子収納用パッケージについ
て実施の形態の他の例を示す斜視図である。

【図４】従来の光半導体素子収納用パッケージの斜視図
である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：凹部 １ｂ：貫通孔 １ｃ：第一のメタライズ層 １ｄ：第二のメタライズ層 １ｅ：延出部 ２：光ファイバ固定部材 ５ａ：信号リード端子 ５ｂ：接地リード端子 ６：光半導体素子 Ａ：切欠き部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略直方体とされ、上面に形成された凹部
   の底面に光半導体素子を載置する載置部が設けられてい
   るとともに一側部に貫通孔が形成されている絶縁材料か
   ら成る基体と、前記貫通孔に嵌着されるかまたは前記貫
   通孔の基体外面側開口の周囲に一端が接合された筒状の
   光ファイバ固定部材と、前記基体の他の側部の外面の下
   端に形成された第一のメタライズ層と、該第一のメタラ
   イズ層の周りを一定間隔で囲むとともに前記他の側部の
   外面の略全面に形成された第二のメタライズ層と、前記
   第一のメタライズ層上に上端が接合され下端が下方に延
   設された信号リード端子と、前記第二のメタライズ層上
   に前記信号リード端子と略平行にかつ前記基体の下面か
   らの上端の高さが略同じになるように上端が接合された
   接地リード端子とを具備して成り、該接地リード端子
   は、前記基体の下面から前記他の側部の外面にかけて形
   成されているとともに幅が前記接地リード端子の幅より
   も大きく内面に前記第二のメタライズ層が延出されてい
   る切欠き部に、外側の面が前記他の側部の外面よりも外
   側に出るように接合されていることを特徴とする光半導
   体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光半導体素子収納用パッ
   ケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記第
   一のメタライズ層および前記第二のメタライズ層を介し
   て前記信号リード端子および前記接地リード端子に電気
   的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面に接合
   された蓋体とを具備したことを特徴とする光半導体装
   置。