JP2002189304A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JP2002189304A JP2002189304A JP2000385463A JP2000385463A JP2002189304A JP 2002189304 A JP2002189304 A JP 2002189304A JP 2000385463 A JP2000385463 A JP 2000385463A JP 2000385463 A JP2000385463 A JP 2000385463A JP 2002189304 A JP2002189304 A JP 2002189304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- antireflection film
- pattern
- resist
- resist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 101100316860 Autographa californica nuclear polyhedrosis virus DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機化合物からなり大きい膜厚を有する反射
防止膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライ
エッチングを行なっても、レジストパターンの形状劣化
を低減できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１０の上に有機化合物からな
る反射防止膜１１を形成した後、該反射防止膜に対して
プラズマ処理を行なって、反射防止膜１１を脆弱化させ
る。次に、脆弱化した反射防止膜１１の上にレジスト膜
１３を形成した後、該レジスト膜１３に対してパターン
露光及び現像を行なってレジストパターンを形成する。
反射防止膜１１に対してレジストパターンをマスクにド
ライエッチングを行なって、反射防止膜をパターン化す
る。
防止膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライ
エッチングを行なっても、レジストパターンの形状劣化
を低減できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１０の上に有機化合物からな
る反射防止膜１１を形成した後、該反射防止膜に対して
プラズマ処理を行なって、反射防止膜１１を脆弱化させ
る。次に、脆弱化した反射防止膜１１の上にレジスト膜
１３を形成した後、該レジスト膜１３に対してパターン
露光及び現像を行なってレジストパターンを形成する。
反射防止膜１１に対してレジストパターンをマスクにド
ライエッチングを行なって、反射防止膜をパターン化す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物からな
る反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにエッ
チングを行なって、反射防止膜をパターン化させるパタ
ーン形成方法に関するものである。
る反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにエッ
チングを行なって、反射防止膜をパターン化させるパタ
ーン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置等の製造プロセスにお
いては、半導体素子の微細化に伴って、レジストパター
ンの精度向上のために、基板から反射してくる露光光を
低減することが重要になってきている。このため、被エ
ッチング膜とレジストパターンとの間に反射防止膜を形
成することが行なわれている。
いては、半導体素子の微細化に伴って、レジストパター
ンの精度向上のために、基板から反射してくる露光光を
低減することが重要になってきている。このため、被エ
ッチング膜とレジストパターンとの間に反射防止膜を形
成することが行なわれている。
【０００３】反射防止膜としては、有機化合物からなる
ものと無機化合物からなるものとがあるが、有機化合物
からなる反射防止膜はスピン塗布により形成することが
でき、レジスト膜と同じ装置で形成できるので、有機化
合物からなる反射防止膜が用いられることが多い。
ものと無機化合物からなるものとがあるが、有機化合物
からなる反射防止膜はスピン塗布により形成することが
でき、レジスト膜と同じ装置で形成できるので、有機化
合物からなる反射防止膜が用いられることが多い。
【０００４】以下、例えば、特開平８−１５３７０４号
公報又は特開２０００−７７３８６号公報に示されてい
る従来のパターン形成方法について、図３（ａ）〜
（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明す
る。
公報又は特開２０００−７７３８６号公報に示されてい
る従来のパターン形成方法について、図３（ａ）〜
（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明す
る。
【０００５】まず、図３（ａ）に示すように、半導体基
板１の上に有機化合物からなる反射防止膜２を形成した
後、図３（ｂ）に示すように、反射防止膜２の上に０．
４μｍの厚さを有するレジスト膜３を形成する。
板１の上に有機化合物からなる反射防止膜２を形成した
後、図３（ｂ）に示すように、反射防止膜２の上に０．
４μｍの厚さを有するレジスト膜３を形成する。
【０００６】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
膜３に対して、フォトマスク４を介してＡｒＦエキシマ
レーザ５を照射してパターン露光を行なった後、図４
（ａ）に示すように、半導体基板１を例えば１０５℃の
温度下で９０秒間加熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行な
う。
膜３に対して、フォトマスク４を介してＡｒＦエキシマ
レーザ５を照射してパターン露光を行なった後、図４
（ａ）に示すように、半導体基板１を例えば１０５℃の
温度下で９０秒間加熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行な
う。
【０００７】次に、図４（ｂ）に示すように、ＰＥＢが
行なわれたレジスト膜３をアルカリ現像液により現像し
て、０．１５μｍのライン・アンド・スペースのレジス
トパターン３Ａを形成する。
行なわれたレジスト膜３をアルカリ現像液により現像し
て、０．１５μｍのライン・アンド・スペースのレジス
トパターン３Ａを形成する。
【０００８】次に、図４（ｃ）に示すように、反射防止
膜２に対してレジストパターン３Ａをマスクにドライエ
ッチングを行なって、反射防止膜２からなる反射防止膜
パターン２Ａを形成する。
膜２に対してレジストパターン３Ａをマスクにドライエ
ッチングを行なって、反射防止膜２からなる反射防止膜
パターン２Ａを形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、露光光の短
波長化に伴って、反射防止膜２の反射防止機能を強化す
る必要が生じ、これに伴って、最近では、反射防止膜２
の厚さとしては０．１μｍ程度に厚くすることが必要に
なってきた。
波長化に伴って、反射防止膜２の反射防止機能を強化す
る必要が生じ、これに伴って、最近では、反射防止膜２
の厚さとしては０．１μｍ程度に厚くすることが必要に
なってきた。
【００１０】このため、反射防止膜２に対してレジスト
パターン３Ａをマスクにドライエッチングを行なって反
射防止膜パターン２Ａを形成する工程において、レジス
トパターン３Ａが受けるダメージが増大するので、図４
（ｃ）に示すように、反射防止膜２をドライエッチング
によりパターン化した後には、レジストパターン３Ａの
形状が劣化していることが多い。
パターン３Ａをマスクにドライエッチングを行なって反
射防止膜パターン２Ａを形成する工程において、レジス
トパターン３Ａが受けるダメージが増大するので、図４
（ｃ）に示すように、反射防止膜２をドライエッチング
によりパターン化した後には、レジストパターン３Ａの
形状が劣化していることが多い。
【００１１】半導体基板１の上に形成されている被エッ
チング膜に対して、形状が劣化したレジストパターン３
Ａをマスクにエッチングを行なうと、被エッチング膜か
らなるパターンの形状も劣化してしまうという問題があ
る。
チング膜に対して、形状が劣化したレジストパターン３
Ａをマスクにエッチングを行なうと、被エッチング膜か
らなるパターンの形状も劣化してしまうという問題があ
る。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、有機化合物からな
り大きい膜厚を有する反射防止膜に対してレジストパタ
ーンをマスクにしてドライエッチングを行なっても、レ
ジストパターンの形状劣化を低減できるようにすること
を目的とする。
り大きい膜厚を有する反射防止膜に対してレジストパタ
ーンをマスクにしてドライエッチングを行なっても、レ
ジストパターンの形状劣化を低減できるようにすること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るパターン形成方法は、基板上に有機化
合物からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜
に対してプラズマ処理を行なって反射防止膜を脆弱化さ
せる工程と、脆弱化した反射防止膜の上にレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜に対してパターン露光及び
現像を行なって、レジスト膜からなるレジストパターン
を形成する工程と、反射防止膜に対してレジストパター
ンをマスクにエッチングを行なって、反射防止膜をパタ
ーン化する工程とを備えている。
め、本発明に係るパターン形成方法は、基板上に有機化
合物からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜
に対してプラズマ処理を行なって反射防止膜を脆弱化さ
せる工程と、脆弱化した反射防止膜の上にレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜に対してパターン露光及び
現像を行なって、レジスト膜からなるレジストパターン
を形成する工程と、反射防止膜に対してレジストパター
ンをマスクにエッチングを行なって、反射防止膜をパタ
ーン化する工程とを備えている。
【００１４】本発明に係るパターン形成方法によると、
反射防止膜に対してプラズマ処理を行なって反射防止膜
を脆弱化させておいてからレジスト膜を形成し、その
後、反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにド
ライエッチングを行なうため、反射防止膜をパターン化
する工程においては、反射防止膜は脆弱化している。こ
のため、反射防止膜は容易にドライエッチングされるの
で、レジストパターンの形状劣化を低減することがで
き、これによって、被エッチング膜に対して良好な形状
を持つレジストパターンをマスクにエッチングを行なう
ことができる。
反射防止膜に対してプラズマ処理を行なって反射防止膜
を脆弱化させておいてからレジスト膜を形成し、その
後、反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにド
ライエッチングを行なうため、反射防止膜をパターン化
する工程においては、反射防止膜は脆弱化している。こ
のため、反射防止膜は容易にドライエッチングされるの
で、レジストパターンの形状劣化を低減することがで
き、これによって、被エッチング膜に対して良好な形状
を持つレジストパターンをマスクにエッチングを行なう
ことができる。
【００１５】本発明に係るパターン形成方法において、
プラズマ処理は、酸素又はフッ素を含むプラズマ種を用
いて行なうことが好ましい。
プラズマ処理は、酸素又はフッ素を含むプラズマ種を用
いて行なうことが好ましい。
【００１６】このようにすると、反射防止膜を確実に脆
弱化させることができる。
弱化させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
パターン形成方法について、図１（ａ）〜（ｄ）及び図
２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
パターン形成方法について、図１（ａ）〜（ｄ）及び図
２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００１８】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１０の上に有機化合物からなり例えば１００ｎｍ
（０．１μｍ）の厚さを有する反射防止膜（例えば、シ
プレイファーイースト社製：ＡＲ１９）１１を形成す
る。
板１０の上に有機化合物からなり例えば１００ｎｍ
（０．１μｍ）の厚さを有する反射防止膜（例えば、シ
プレイファーイースト社製：ＡＲ１９）１１を形成す
る。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、反射防止
膜１１に対して、酸素又はフッ素を含むガスからなるプ
ラズマ１２を照射する。このようにすると、反射防止膜
１１は緻密性が低下して脆弱化する。
膜１１に対して、酸素又はフッ素を含むガスからなるプ
ラズマ１２を照射する。このようにすると、反射防止膜
１１は緻密性が低下して脆弱化する。
【００２０】プラズマ処理の第１の条件として、１．３
３Ｐａの真空度の保持された真空チャンバー内に、酸素
ガスを標準状態における１分間当たりの体積流量で１５
ｍｌ導入すると共に、真空チャンバー内に１０Ｗのパワ
ーで高周波電力を印加して、酸素からなるプラズマ種を
有するプラズマ１２を約５秒間に亘って反射防止膜１１
に照射する。このようにすると、反射防止膜１１の膜厚
は約８．５ｎｍ低減すると共に、反射防止膜１１は確実
に脆弱化する。
３Ｐａの真空度の保持された真空チャンバー内に、酸素
ガスを標準状態における１分間当たりの体積流量で１５
ｍｌ導入すると共に、真空チャンバー内に１０Ｗのパワ
ーで高周波電力を印加して、酸素からなるプラズマ種を
有するプラズマ１２を約５秒間に亘って反射防止膜１１
に照射する。このようにすると、反射防止膜１１の膜厚
は約８．５ｎｍ低減すると共に、反射防止膜１１は確実
に脆弱化する。
【００２１】プラズマ処理の第２の条件として、１．３
３Ｐａの真空度の保持された真空チャンバー内に、ＣＨ
Ｆ3 ガスを標準状態における１分間当たりの体積流量で
２０ｍｌ導入すると共に、真空チャンバー内に５０Ｗの
パワーで高周波電力を印加して、フッ素からなるプラズ
マ種を有するプラズマ１２を約１５秒間に亘って反射防
止膜１１に照射する。このようにすると、反射防止膜１
１の膜厚は約６．５ｎｍ低減すると共に、反射防止膜１
１は確実に脆弱化する。
３Ｐａの真空度の保持された真空チャンバー内に、ＣＨ
Ｆ3 ガスを標準状態における１分間当たりの体積流量で
２０ｍｌ導入すると共に、真空チャンバー内に５０Ｗの
パワーで高周波電力を印加して、フッ素からなるプラズ
マ種を有するプラズマ１２を約１５秒間に亘って反射防
止膜１１に照射する。このようにすると、反射防止膜１
１の膜厚は約６．５ｎｍ低減すると共に、反射防止膜１
１は確実に脆弱化する。
【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、プラズマ
処理により脆弱化した反射防止膜１１の上に０．４μｍ
の厚さを有するレジスト膜（例えば、住友化学社製：Ｐ
ＡＲ−１０１）膜１３を形成する。
処理により脆弱化した反射防止膜１１の上に０．４μｍ
の厚さを有するレジスト膜（例えば、住友化学社製：Ｐ
ＡＲ−１０１）膜１３を形成する。
【００２３】次に、図１（ｄ）に示すように、レジスト
膜１３に対して、フォトマスク１４を介してＡｒＦエキ
シマレーザ１５を０．６０の開口率（ＮＡ）で照射して
パターン露光を行なった後、図２（ａ）に示すように、
半導体基板１０を例えば１０５℃の温度下で９０秒間加
熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。
膜１３に対して、フォトマスク１４を介してＡｒＦエキ
シマレーザ１５を０．６０の開口率（ＮＡ）で照射して
パターン露光を行なった後、図２（ａ）に示すように、
半導体基板１０を例えば１０５℃の温度下で９０秒間加
熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、ＰＥＢが
行なわれたレジスト膜１３をアルカリ現像液により現像
して、０．１５μｍのライン・アンド・スペースのレジ
ストパターン１３Ａを形成する。
行なわれたレジスト膜１３をアルカリ現像液により現像
して、０．１５μｍのライン・アンド・スペースのレジ
ストパターン１３Ａを形成する。
【００２５】次に、図２（ｃ）に示すように、脆弱化し
た反射防止膜１１に対してレジストパターン１３Ａをマ
スクにドライエッチングを行なって、反射防止膜１１か
らなる反射防止膜パターン１１Ａを形成する。
た反射防止膜１１に対してレジストパターン１３Ａをマ
スクにドライエッチングを行なって、反射防止膜１１か
らなる反射防止膜パターン１１Ａを形成する。
【００２６】このように、プラズマ処理により脆弱化し
た反射防止膜１１に対してレジストパターン１３Ａをマ
スクにドライエッチングを行なうため、反射防止膜１１
は、レジストパターン１３Ａと同様に有機化合物からな
り且つ大きい膜厚を有しているが、容易にドライエッチ
ングされてパターン化される。このため、半導体基板１
０の上に形成されている被エッチング膜に対して良好な
形状を持つレジストパターン１３Ａをマスクにエッチン
グを行なうことができるので、被エッチング膜からなり
良好なパターン形状を持つパターンを形成することがで
きる。
た反射防止膜１１に対してレジストパターン１３Ａをマ
スクにドライエッチングを行なうため、反射防止膜１１
は、レジストパターン１３Ａと同様に有機化合物からな
り且つ大きい膜厚を有しているが、容易にドライエッチ
ングされてパターン化される。このため、半導体基板１
０の上に形成されている被エッチング膜に対して良好な
形状を持つレジストパターン１３Ａをマスクにエッチン
グを行なうことができるので、被エッチング膜からなり
良好なパターン形状を持つパターンを形成することがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係るパターン形成方法による
と、プラズマ処理により脆弱化した反射防止膜に対して
レジストパターンをマスクにドライエッチングを行なう
ため、反射防止膜は容易にドライエッチングされるの
で、レジストパターンの形状劣化を低減することがで
き、これによって、被エッチング膜からなり良好な形状
を持つパターンを形成することができる。
と、プラズマ処理により脆弱化した反射防止膜に対して
レジストパターンをマスクにドライエッチングを行なう
ため、反射防止膜は容易にドライエッチングされるの
で、レジストパターンの形状劣化を低減することがで
き、これによって、被エッチング膜からなり良好な形状
を持つパターンを形成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、従来のパターン形成方法の
各工程を示す断面図である。
各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来のパターン形成方法の
各工程を示す断面図である。
各工程を示す断面図である。
１０ 半導体基板 １１ 反射防止膜 １１Ａ 反射防止膜パターン １２ プラズマ １３ レジスト膜 １３Ａ レジストパターン １４ フォトマスク １５ ＡｒＦエキシマレーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA01 CA05 DA10 HA23 HA24 5F004 AA16 DA16 DB00 DB23 EA22 FA08 5F046 PA07 PA19
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に有機化合物からなる反射防止膜
を形成する工程と、前記反射防止膜に対してプラズマ処
理を行なって、前記反射防止膜を脆弱化させる工程と、 脆弱化した前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成する
工程と、 前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像を行なっ
て、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成す
る工程と、 前記反射防止膜に対して前記レジストパターンをマスク
にドライエッチングを行なって、前記反射防止膜をパタ
ーン化する工程とを備えていることを特徴とするパター
ン形成方法。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理は、酸素又はフッ素を
含むプラズマ種を用いて行なうことを特徴とする請求項
１に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385463A JP2002189304A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成方法 |
| US09/924,092 US6429143B1 (en) | 2000-12-19 | 2001-08-08 | Pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385463A JP2002189304A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002189304A true JP2002189304A (ja) | 2002-07-05 |
Family
ID=18852723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000385463A Pending JP2002189304A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6429143B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002189304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628248B1 (ko) | 2005-09-13 | 2006-09-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744281A (en) * | 1993-09-14 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive |
| JP3326644B2 (ja) * | 1993-11-16 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | シリコン系材料層の加工方法 |
| JPH07201700A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3441011B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2003-08-25 | 富士通株式会社 | アモルファスカーボンを用いた半導体装置製造方法 |
| JPH08153704A (ja) | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3253604B2 (ja) | 1998-11-13 | 2002-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000231197A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレジストパターン形成装置及びホットプレート |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385463A patent/JP2002189304A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-08 US US09/924,092 patent/US6429143B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628248B1 (ko) | 2005-09-13 | 2006-09-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6429143B1 (en) | 2002-08-06 |
| US20020076937A1 (en) | 2002-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060281320A1 (en) | Method for forming an anti-etching shielding layer of resist patterns in semiconductor fabrication | |
| JPH05241348A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH0471222A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2005109146A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2003234279A (ja) | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置 | |
| JPH05127369A (ja) | レジスト材料 | |
| JP2565119B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US7662542B2 (en) | Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method | |
| JP4818524B2 (ja) | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 | |
| JP2002189304A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH08339950A (ja) | フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置 | |
| KR100819647B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPH1083087A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR100451508B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPS60110124A (ja) | 微細パタ−ン加工方法 | |
| JP2003303761A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH07199483A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0822946A (ja) | 半導体素子製造方法 | |
| JP2000241990A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JP3035535B1 (ja) | パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 | |
| JPS63215040A (ja) | レジストのハ−ドニング方法 | |
| JPH0795507B2 (ja) | レジスト膜パタ−ン形成方法 | |
| JP2002190469A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPH04221959A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH06349697A (ja) | 微小円形パターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051122 |