JP2002185108A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2002185108A JP2002185108A JP2000376029A JP2000376029A JP2002185108A JP 2002185108 A JP2002185108 A JP 2002185108A JP 2000376029 A JP2000376029 A JP 2000376029A JP 2000376029 A JP2000376029 A JP 2000376029A JP 2002185108 A JP2002185108 A JP 2002185108A
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- layers
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- insulating substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板の接続パッド形成部にマイクロクラ
ック等が生じず、接続パッドの接続強度が十分な信頼性
の高い配線基板を提供すること。 【解決手段】 絶縁基板１上に密着金属層２ａ、Ｃｕ層
２ｂ、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２ｄが順次積層されて成
る接続パッド２が形成されている配線基板であって、Ｃ
ｕ層２ｂは密着金属層２ａおよびＮｉ層２ｃにより全面
が覆われており、かつ密着金属層２ａ、Ｎｉ層２ｃおよ
びＡｕ層２ｄの各端面が露出している。
ック等が生じず、接続パッドの接続強度が十分な信頼性
の高い配線基板を提供すること。 【解決手段】 絶縁基板１上に密着金属層２ａ、Ｃｕ層
２ｂ、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２ｄが順次積層されて成
る接続パッド２が形成されている配線基板であって、Ｃ
ｕ層２ｂは密着金属層２ａおよびＮｉ層２ｃにより全面
が覆われており、かつ密着金属層２ａ、Ｎｉ層２ｃおよ
びＡｕ層２ｄの各端面が露出している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主面に接続パッド
が形成された配線基板であって、接続パッドを介してＩ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体素子、半導体レーザ（ＬＤ），フ
ォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子、他の回路基
板等を接続、搭載するものに関する。
が形成された配線基板であって、接続パッドを介してＩ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体素子、半導体レーザ（ＬＤ），フ
ォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子、他の回路基
板等を接続、搭載するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子等を
搭載する配線基板は、半田等のろう材を介して半導体素
子の電極に接続するための接続パッドが設けられてお
り、この接続パッドは、配線基板の主面に主面側から密
着金属層、Ｃｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層が順次積層された多
層構造を有するものである。
搭載する配線基板は、半田等のろう材を介して半導体素
子の電極に接続するための接続パッドが設けられてお
り、この接続パッドは、配線基板の主面に主面側から密
着金属層、Ｃｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層が順次積層された多
層構造を有するものである。
【０００３】この多層構造を有する接続パッドの場合、
接続パッドの端面においてＣｕ層が露出していると、半
田による接続後にＣｕ層が半田中に拡散してしまい、電
気抵抗が大きくなったり、半田の接続強度が弱くなり接
続パッドが配線基板から剥離する等の問題点があった。
接続パッドの端面においてＣｕ層が露出していると、半
田による接続後にＣｕ層が半田中に拡散してしまい、電
気抵抗が大きくなったり、半田の接続強度が弱くなり接
続パッドが配線基板から剥離する等の問題点があった。
【０００４】このような問題点を解消するために、密着
金属層およびＣｕ層の端面をＮｉ層とＡｕ層にて覆った
構成の配線基板が提案されている（特許第２８８６３１
７号公報参照）。この配線基板の断面図を図２に示す。
同図において、１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス
等から成る絶縁基板、２は接続パッド、２ａは密着金属
層、２ｂはＣｕ層、２ｃはＮｉ層、２ｄはＡｕ層であ
る。
金属層およびＣｕ層の端面をＮｉ層とＡｕ層にて覆った
構成の配線基板が提案されている（特許第２８８６３１
７号公報参照）。この配線基板の断面図を図２に示す。
同図において、１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス
等から成る絶縁基板、２は接続パッド、２ａは密着金属
層、２ｂはＣｕ層、２ｃはＮｉ層、２ｄはＡｕ層であ
る。
【０００５】同図に示すように、密着金属層２ａおよび
Ｃｕ層２ｂの端面をＮｉ層２ｃとＡｕ層２ｄで覆った構
成であることから、Ｃｕ層２ｂが露出していないので、
半田接続後にＣｕ層２ｂが半田中に拡散して電気抵抗が
大きくなったり、半田の接続強度が弱くなり接続パッド
２が絶縁基板１から剥離する等の問題は生じにくくなっ
ている。
Ｃｕ層２ｂの端面をＮｉ層２ｃとＡｕ層２ｄで覆った構
成であることから、Ｃｕ層２ｂが露出していないので、
半田接続後にＣｕ層２ｂが半田中に拡散して電気抵抗が
大きくなったり、半田の接続強度が弱くなり接続パッド
２が絶縁基板１から剥離する等の問題は生じにくくなっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の配線基板においては、無電解Ｎｉメッキおよび無電
解Ａｕメッキによって、密着金属層２ａおよびＣｕ層２
ｂの端面を覆うようにＮｉ層２ｃとＡｕ層２ｄを被着さ
せているため、図２に示すＡ部付近、即ち密着金属層２
ａの端面の下端付近に応力が集中し、この応力によって
絶縁基板１にマイクロクラックが生じたり、絶縁基板１
と接続パッド２との接合強度が劣化するという問題があ
った。
来の配線基板においては、無電解Ｎｉメッキおよび無電
解Ａｕメッキによって、密着金属層２ａおよびＣｕ層２
ｂの端面を覆うようにＮｉ層２ｃとＡｕ層２ｄを被着さ
せているため、図２に示すＡ部付近、即ち密着金属層２
ａの端面の下端付近に応力が集中し、この応力によって
絶縁基板１にマイクロクラックが生じたり、絶縁基板１
と接続パッド２との接合強度が劣化するという問題があ
った。
【０００７】これは、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２ｄがセ
ラミックス等から成る絶縁基板１に対する被着性よりも
密着金属層２ａおよびＣｕ層２ｂに対する被着性が高い
ため、図２のＡ部のように、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２
ｄの下端は絶縁基板１に被着されておらず薄くなってお
り、さらに半田を接続パッド２上に載せて加熱溶融させ
ると、半田はＡｕ層２ｄの表面には濡れるが絶縁基板１
には濡れないため、半田の下端はＡｕ層２ｄの下端と同
様の形状となるからである。これにより、Ａ部に応力が
集中することとなる。
ラミックス等から成る絶縁基板１に対する被着性よりも
密着金属層２ａおよびＣｕ層２ｂに対する被着性が高い
ため、図２のＡ部のように、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２
ｄの下端は絶縁基板１に被着されておらず薄くなってお
り、さらに半田を接続パッド２上に載せて加熱溶融させ
ると、半田はＡｕ層２ｄの表面には濡れるが絶縁基板１
には濡れないため、半田の下端はＡｕ層２ｄの下端と同
様の形状となるからである。これにより、Ａ部に応力が
集中することとなる。
【０００８】さらに、先にパターン加工する密着金属層
２ａおよびＣｕ層２ｂの一部が、隣接した接続パッドと
の間に残留していた場合、その残留部分にも無電解Ｎｉ
メッキおよび無電解ＡｕメッキによってＮｉ層２ｃとＡ
ｕ層２ｄが被着されてしまい、隣り合う接続パッド２同
士がショートしてしまうことがあった。
２ａおよびＣｕ層２ｂの一部が、隣接した接続パッドと
の間に残留していた場合、その残留部分にも無電解Ｎｉ
メッキおよび無電解ＡｕメッキによってＮｉ層２ｃとＡ
ｕ層２ｄが被着されてしまい、隣り合う接続パッド２同
士がショートしてしまうことがあった。
【０００９】また、一般に無電解Ｎｉメッキおよび無電
解Ａｕメッキは、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキ
に比べて成膜速度が遅いため、生産性が悪いという問題
があり、またメッキ浴を安定させて膜質や膜厚のばらつ
きが小さいものを被着させるためには、メッキ浴の管理
条件の設定が複雑で難しいため、コスト高になってしま
うという問題があった。
解Ａｕメッキは、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキ
に比べて成膜速度が遅いため、生産性が悪いという問題
があり、またメッキ浴を安定させて膜質や膜厚のばらつ
きが小さいものを被着させるためには、メッキ浴の管理
条件の設定が複雑で難しいため、コスト高になってしま
うという問題があった。
【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、接続パッドと絶縁基板と
の間にマイクロクラック等が生じて絶縁基板と接続パッ
ドとの接合強度が低下せず、信頼性の高い配線基板を提
供することにある。
れたものであり、その目的は、接続パッドと絶縁基板と
の間にマイクロクラック等が生じて絶縁基板と接続パッ
ドとの接合強度が低下せず、信頼性の高い配線基板を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基板上に密着金属層、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層が
順次積層されて成る接続パッドが形成されている配線基
板であって、前記Ｃｕ層は前記密着金属層および前記Ｎ
ｉ層により全面が覆われており、かつ前記密着金属層、
前記Ｎｉ層および前記Ａｕ層の各端面が露出しているこ
とを特徴とする。
縁基板上に密着金属層、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層が
順次積層されて成る接続パッドが形成されている配線基
板であって、前記Ｃｕ層は前記密着金属層および前記Ｎ
ｉ層により全面が覆われており、かつ前記密着金属層、
前記Ｎｉ層および前記Ａｕ層の各端面が露出しているこ
とを特徴とする。
【００１２】本発明は、上記の構成により、接続パッド
の端面において酸化および半田溶食され易いＣｕ層が露
出しておらず、また密着金属層、Ｎｉ層およびＡｕ層の
各端面が露出していることから、接続パッドの端面の下
端に応力が集中することがなく、従って絶縁基板にマイ
クロクラック等が生じたり、接続パッドが容易に剥がれ
たりすることのない、信頼性の高い配線基板となる。
の端面において酸化および半田溶食され易いＣｕ層が露
出しておらず、また密着金属層、Ｎｉ層およびＡｕ層の
各端面が露出していることから、接続パッドの端面の下
端に応力が集中することがなく、従って絶縁基板にマイ
クロクラック等が生じたり、接続パッドが容易に剥がれ
たりすることのない、信頼性の高い配線基板となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の配線基板について以下に
説明する。図１は、本発明の配線基板の断面図である。
図２と同じ材質の層には同じ符号を付しており、１は絶
縁基板、２は接続パッド、２ａは密着金属層、２ｂはＣ
ｕ層、２ｃはＮｉ層、２ｄはＡｕ層である。
説明する。図１は、本発明の配線基板の断面図である。
図２と同じ材質の層には同じ符号を付しており、１は絶
縁基板、２は接続パッド、２ａは密着金属層、２ｂはＣ
ｕ層、２ｃはＮｉ層、２ｄはＡｕ層である。
【００１４】図１に示すように、Ｎｉ層２ｃとＡｕ層２
ｄの下端は、絶縁基板１の表面まで達しておらずそれら
の端面が露出していることから、接続パッド２の端面の
下端に応力が集中することが解消される。
ｄの下端は、絶縁基板１の表面まで達しておらずそれら
の端面が露出していることから、接続パッド２の端面の
下端に応力が集中することが解消される。
【００１５】本発明の絶縁基板１は、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結
体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、ガラスセラミックス
焼結体等のセラミック焼結体によって形成されている。
（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結
体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、ガラスセラミックス
焼結体等のセラミック焼結体によって形成されている。
【００１６】例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成
される場合以下のようにして作製される。酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原材料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となす。これをドクターブレード法等によってセラ
ミックグリーンシートを形成する。セラミックグリーン
シートに貫通導体等用の適当な打ち抜き加工を施す。タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の融点の高い
金属よりなる金属ペーストにより、内部導体層をスクリ
ーン印刷によって形成する。いくつかのセラミックグリ
ーンシートを重ね合わせ、所定の形状となすとともに高
温で焼成することによって製作される。
される場合以下のようにして作製される。酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原材料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となす。これをドクターブレード法等によってセラ
ミックグリーンシートを形成する。セラミックグリーン
シートに貫通導体等用の適当な打ち抜き加工を施す。タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の融点の高い
金属よりなる金属ペーストにより、内部導体層をスクリ
ーン印刷によって形成する。いくつかのセラミックグリ
ーンシートを重ね合わせ、所定の形状となすとともに高
温で焼成することによって製作される。
【００１７】この絶縁基板１の上面に、蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法およびメッキ法等
の薄膜形成法によって、接続パッド２が被着される。接
続パッド２は、密着金属層２ａ、Ｃｕ層２ｂ、Ｎｉ層２
ｃおよびＡｕ層２ｄを順次積層して成る。
タリング法、イオンプレーティング法およびメッキ法等
の薄膜形成法によって、接続パッド２が被着される。接
続パッド２は、密着金属層２ａ、Ｃｕ層２ｂ、Ｎｉ層２
ｃおよびＡｕ層２ｄを順次積層して成る。
【００１８】密着金属層２ａは、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｔａ2ＮまたはＮｉ−Ｃｒ合金等のうち少な
くとも１種より成るのがよく、その厚さは０．０１〜
０．２μｍ程度が良い。０．０１μｍ未満では、強固に
接続することが困難となり、０．２μｍを超えると、成
膜時の内部応力によって剥離が生じ易くなる。
ａ、Ｎｂ、Ｔａ2ＮまたはＮｉ−Ｃｒ合金等のうち少な
くとも１種より成るのがよく、その厚さは０．０１〜
０．２μｍ程度が良い。０．０１μｍ未満では、強固に
接続することが困難となり、０．２μｍを超えると、成
膜時の内部応力によって剥離が生じ易くなる。
【００１９】Ｃｕ層２ｂの厚みは０．１〜５μｍ程度が
よい。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大きくなる傾向
にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力により剥離
を生じ易くなる。
よい。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大きくなる傾向
にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力により剥離
を生じ易くなる。
【００２０】Ｎｉ層２ｃの厚みは０．１〜５μｍ程度が
よい。０．１μｍ未満では、半田によって半導体素子等
と接続した場合、Ｃｕ層２ｂが半田中に拡散するのを十
分に防ぐことができず、５μｍを超えると成膜時の内部
応力により剥離を生じ易くなる。
よい。０．１μｍ未満では、半田によって半導体素子等
と接続した場合、Ｃｕ層２ｂが半田中に拡散するのを十
分に防ぐことができず、５μｍを超えると成膜時の内部
応力により剥離を生じ易くなる。
【００２１】Ａｕ層２ｄの厚みは０．０１〜５μｍ程度
がよい。０．０１μｍ未満では、下層のＮｉ層２ｃが酸
化するのを防ぐのに十分でなく、５μｍを超えると成膜
時の内部応力により剥離を生じ易くなる。また、Ａｕは
貴金属で高価であるため、一般的には、できるだけ厚く
ならないように配慮される。
がよい。０．０１μｍ未満では、下層のＮｉ層２ｃが酸
化するのを防ぐのに十分でなく、５μｍを超えると成膜
時の内部応力により剥離を生じ易くなる。また、Ａｕは
貴金属で高価であるため、一般的には、できるだけ厚く
ならないように配慮される。
【００２２】Ｃｕ層２ｂの端面は、接続パッド２の端面
から内部方向に１〜３０μｍ程度の位置にあるのがよ
い。１μｍ未満では、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２ｄが薄
くなってＣｕ層２ｂのＣｕが半田に拡散し易くなる。３
０μｍを超えると、Ｃｕ層２ｂの断面積が小さくなり低
抵抗化の作用が小さくなり、接続パッド２の電気抵抗が
大きくなる。
から内部方向に１〜３０μｍ程度の位置にあるのがよ
い。１μｍ未満では、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２ｄが薄
くなってＣｕ層２ｂのＣｕが半田に拡散し易くなる。３
０μｍを超えると、Ｃｕ層２ｂの断面積が小さくなり低
抵抗化の作用が小さくなり、接続パッド２の電気抵抗が
大きくなる。
【００２３】密着金属層２ａとＣｕ層２ｂの間に、例え
ばＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金また
はＴｉ−Ｗ合金等のうち少なくとも１種より成る拡散防
止層を設けると、密着金属層２ａとＣｕ層２ｂとの相互
拡散を防止できるため、より信頼性の高い配線基板とな
る。
ばＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金また
はＴｉ−Ｗ合金等のうち少なくとも１種より成る拡散防
止層を設けると、密着金属層２ａとＣｕ層２ｂとの相互
拡散を防止できるため、より信頼性の高い配線基板とな
る。
【００２４】また、Ｃｕ層２ｂは、まず気相成長法や無
電解メッキ法により密着金属層２ａと薄い下地Ｃｕ層２
ｂを電解メッキの導通膜を兼ねて形成した後電解メッキ
法でＣｕ層２ｂをパターン形成するセミアディテブ法
や、無電解メッキ法により絶縁基板１上に密着金属層２
ａとＣｕ層２ｂを直接パターン形成するフルアディテブ
法等によって形成してもよい。
電解メッキ法により密着金属層２ａと薄い下地Ｃｕ層２
ｂを電解メッキの導通膜を兼ねて形成した後電解メッキ
法でＣｕ層２ｂをパターン形成するセミアディテブ法
や、無電解メッキ法により絶縁基板１上に密着金属層２
ａとＣｕ層２ｂを直接パターン形成するフルアディテブ
法等によって形成してもよい。
【００２５】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００２６】（実施例）本発明の配線基板を以下の工程
［１］〜［５］により作製した。
［１］〜［５］により作製した。
【００２７】［１］酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化
マグネシウム、酸化カルシウム等の原材料粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となし、これをド
クターブレード法によってセラミックグリーンシートを
形成し、セラミックグリーンシートに上下間の配線の導
通をとる貫通導体用の貫通孔を打ち抜き法で形成し、こ
のセラミックグリーンシートの貫通孔や配線パターン部
にタングステンペーストを印刷塗布した。このセラミッ
クグリーンシートを配線パターンが電気的に接続される
ように積層し、約１５００℃の温度で焼成し、アルミナ
セラミックスから成る絶縁基板１を得た。
マグネシウム、酸化カルシウム等の原材料粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となし、これをド
クターブレード法によってセラミックグリーンシートを
形成し、セラミックグリーンシートに上下間の配線の導
通をとる貫通導体用の貫通孔を打ち抜き法で形成し、こ
のセラミックグリーンシートの貫通孔や配線パターン部
にタングステンペーストを印刷塗布した。このセラミッ
クグリーンシートを配線パターンが電気的に接続される
ように積層し、約１５００℃の温度で焼成し、アルミナ
セラミックスから成る絶縁基板１を得た。
【００２８】［２］この絶縁基板１の表面をアルミナの
砥粒を用いて、表面粗さが所定の値になるまで表面を研
磨した。
砥粒を用いて、表面粗さが所定の値になるまで表面を研
磨した。
【００２９】［３］研磨面に、スパッタリング法によっ
て、厚さ０．１μｍのＴｉよりなる密着金属層２ａ、厚
さ３μｍのＣｕ層２ｂを成膜し、フォトリソグラフィ法
およびエッチング法により、Ｃｕ層２ａのみパターン加
工した。例えば、１つのＣｕ層２ａの大きさは直径３５
μｍの円形とした。
て、厚さ０．１μｍのＴｉよりなる密着金属層２ａ、厚
さ３μｍのＣｕ層２ｂを成膜し、フォトリソグラフィ法
およびエッチング法により、Ｃｕ層２ａのみパターン加
工した。例えば、１つのＣｕ層２ａの大きさは直径３５
μｍの円形とした。
【００３０】［４］フォトリソグラフィ法により、接続
パッド２が形成される部分以外にレジスト膜を形成し
た。直経３５μｍのＣｕ層２ａに対しては、直経４０μ
ｍの同心円の開口部をもつレジストパターンを形成し
た。
パッド２が形成される部分以外にレジスト膜を形成し
た。直経３５μｍのＣｕ層２ａに対しては、直経４０μ
ｍの同心円の開口部をもつレジストパターンを形成し
た。
【００３１】［５］絶縁基板１全体に電流が流れるよう
に密着金属層２ａの端部を電解メッキ装置の端子に電気
的に接続し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキによ
ってＮｉ層２ｃ、Ａｕ層２ｄをセミアディテブ法で形成
した。
に密着金属層２ａの端部を電解メッキ装置の端子に電気
的に接続し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキによ
ってＮｉ層２ｃ、Ａｕ層２ｄをセミアディテブ法で形成
した。
【００３２】［６］レジスト膜を剥離後、不要な密着金
属層２ａをエッチング法によって除去し、Ｃｕ層２ｂは
密着金属層２ａおよびＮｉ層２ｃにより全面が覆われて
おり、かつ密着金属層２ａ、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２
ｄの各端面が露出している接続パッド２を絶縁基板１上
に形成した配線基板を作製した。
属層２ａをエッチング法によって除去し、Ｃｕ層２ｂは
密着金属層２ａおよびＮｉ層２ｃにより全面が覆われて
おり、かつ密着金属層２ａ、Ｎｉ層２ｃおよびＡｕ層２
ｄの各端面が露出している接続パッド２を絶縁基板１上
に形成した配線基板を作製した。
【００３３】作製された配線基板は、接続パッド２の端
面の下端付近の絶縁基板１面にマイクロクラック等が発
生せず、接続パッド２の接続強度も十分なものとなっ
た。
面の下端付近の絶縁基板１面にマイクロクラック等が発
生せず、接続パッド２の接続強度も十分なものとなっ
た。
【００３４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々の変更を行うことは何等差し支えない。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々の変更を行うことは何等差し支えない。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、絶縁基板上に密着金属層、Ｃ
ｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層が順次積層されて成る接続パ
ッドが形成されている配線基板であって、Ｃｕ層は密着
金属層およびＮｉ層により全面が覆われており、かつ密
着金属層、Ｎｉ層およびＡｕ層の各端面が露出している
ことにより、接続パッドの端面において酸化および半田
溶食され易いＣｕ層が露出しておらず、また密着金属
層、Ｎｉ層およびＡｕ層の各端面が露出していることか
ら、接続パッドの端面の下端に応力が集中することがな
く、従って絶縁基板にマイクロクラック等が生じたり、
接続パッドが容易に剥がれたりすることのない、信頼性
の高い配線基板となる。
ｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層が順次積層されて成る接続パ
ッドが形成されている配線基板であって、Ｃｕ層は密着
金属層およびＮｉ層により全面が覆われており、かつ密
着金属層、Ｎｉ層およびＡｕ層の各端面が露出している
ことにより、接続パッドの端面において酸化および半田
溶食され易いＣｕ層が露出しておらず、また密着金属
層、Ｎｉ層およびＡｕ層の各端面が露出していることか
ら、接続パッドの端面の下端に応力が集中することがな
く、従って絶縁基板にマイクロクラック等が生じたり、
接続パッドが容易に剥がれたりすることのない、信頼性
の高い配線基板となる。
【図１】本発明の配線基板の断面図である。
【図２】従来の配線基板の断面図である。
１：絶縁基板 ２：接続パッド ２ａ：密着金属層 ２ｂ：Ｃｕ層 ２ｃ：Ｎｉ層 ２ｄ：Ａｕ層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に密着金属層、Ｃｕ層、Ｎｉ層
およびＡｕ層が順次積層されて成る接続パッドが形成さ
れている配線基板であって、前記Ｃｕ層は前記密着金属
層および前記Ｎｉ層により全面が覆われており、かつ前
記密着金属層、前記Ｎｉ層および前記Ａｕ層の各端面が
露出していることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000376029A JP4683715B2 (ja) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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