JPH0653648A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH0653648A JPH0653648A JP20235492A JP20235492A JPH0653648A JP H0653648 A JPH0653648 A JP H0653648A JP 20235492 A JP20235492 A JP 20235492A JP 20235492 A JP20235492 A JP 20235492A JP H0653648 A JPH0653648 A JP H0653648A
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- Japan
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- film
- circuit wiring
- connection pad
- insulating film
- wiring board
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Abstract
(57)【要約】
【目的】接続パッドの絶縁膜からの剥離を有効に防止
し、半導体素子等の電子部品を回路配線膜に確実、強固
に電気的接続することができる配線基板を提供すること
にある。 【構成】絶縁基体１上に高分子材料から成る絶縁膜２と
回路配線膜３とを交互に積層してなる配線基板であっ
て、前記回路配線膜３の一部に電子部品を接続するため
の接続パッド５を形成するとともに該接続パッド５の外
周端Ａを絶縁膜で被覆した。
し、半導体素子等の電子部品を回路配線膜に確実、強固
に電気的接続することができる配線基板を提供すること
にある。 【構成】絶縁基体１上に高分子材料から成る絶縁膜２と
回路配線膜３とを交互に積層してなる配線基板であっ
て、前記回路配線膜３の一部に電子部品を接続するため
の接続パッド５を形成するとともに該接続パッド５の外
周端Ａを絶縁膜で被覆した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置や半導
体素子収納用パッケージ等に使用される配線基板の改良
に関するものである。
体素子収納用パッケージ等に使用される配線基板の改良
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される配線基板はその回路配線
がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成されてい
る。
納用パッケージ等に使用される配線基板はその回路配線
がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成されてい
る。
【０００３】このＭｏーＭｎ法はタングステン、モリブ
デン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶媒を
添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを生もし
くは焼結セラミック体の外表面にスクリーン印刷により
所定パターンに印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気中で
焼成し、高融点金属粉末とセラミック体とを焼結一体化
させる方法である。
デン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶媒を
添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを生もし
くは焼結セラミック体の外表面にスクリーン印刷により
所定パターンに印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気中で
焼成し、高融点金属粉末とセラミック体とを焼結一体化
させる方法である。
【０００４】しかしながら、このＭｏーＭｎ法を用いて
回路配線を形成した場合、回路配線は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから配線の
微細化が困難で回路配線の高密度化ができないという欠
点を有していた。
回路配線を形成した場合、回路配線は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから配線の
微細化が困難で回路配線の高密度化ができないという欠
点を有していた。
【０００５】そこで上記欠点を解消するために回路配線
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて回路配線を形成した配線基板
が使用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて回路配線を形成した配線基板
が使用されるようになってきた。
【０００６】この回路配線を薄膜形成技術により形成し
た配線基板は図３に示すように、酸化アルミニウム質焼
結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成る基体11上に
モリブデン、銅、クロム等から成る回路配線膜12とポリ
イミド樹脂等の有機高分子材料から成る絶縁膜13とを交
互に積層被着させた構造を有しており、最上層の回路配
線膜12には接続パッド12a が電気的に接続されており、
該接続パッド12a に半導体素子や抵抗器、コンザンサ等
の電子部品が接合されるようになっている。
た配線基板は図３に示すように、酸化アルミニウム質焼
結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成る基体11上に
モリブデン、銅、クロム等から成る回路配線膜12とポリ
イミド樹脂等の有機高分子材料から成る絶縁膜13とを交
互に積層被着させた構造を有しており、最上層の回路配
線膜12には接続パッド12a が電気的に接続されており、
該接続パッド12a に半導体素子や抵抗器、コンザンサ等
の電子部品が接合されるようになっている。
【０００７】尚、前記接続パッド12a は図４に示す如
く、最上層の絶縁膜13表面にその一部を最上層の回路配
線膜12に電気的接続させた状態で被着形成されており、
且つ表面はニッケル及び金から成るメッキ金属層14で被
着され、半導体素子や抵抗器、コンザンサ等の電子部品
が接続パッド12a に強固に接合されるようになってい
る。
く、最上層の絶縁膜13表面にその一部を最上層の回路配
線膜12に電気的接続させた状態で被着形成されており、
且つ表面はニッケル及び金から成るメッキ金属層14で被
着され、半導体素子や抵抗器、コンザンサ等の電子部品
が接続パッド12a に強固に接合されるようになってい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、接続パッド12a の表面に半導
体素子や抵抗器等の電子部品を強固に接合させるために
ニッケル等から成るメッキ金属層14が被着されており、
該メッキ金属層14を被着させる際に発生する応力が接続
パッド12a の外周端に集中して内在している。そのため
この接続パッド12a に半導体素子や抵抗器等の電子部品
を半田等のロウ材を介してロウ付け接合させた場合、ロ
ウ付け時の外力が接続パッド12a に印加されると該外力
は接続パッド12a 中に内在している内部応力と相俊って
大きくなり、その結果、接続パッド12a が前記外力によ
って絶縁膜13より剥離し、電子部品を回路配線膜に確
実、且つ強固に電気的接続させることができないという
欠点を誘発した。
来の配線基板においては、接続パッド12a の表面に半導
体素子や抵抗器等の電子部品を強固に接合させるために
ニッケル等から成るメッキ金属層14が被着されており、
該メッキ金属層14を被着させる際に発生する応力が接続
パッド12a の外周端に集中して内在している。そのため
この接続パッド12a に半導体素子や抵抗器等の電子部品
を半田等のロウ材を介してロウ付け接合させた場合、ロ
ウ付け時の外力が接続パッド12a に印加されると該外力
は接続パッド12a 中に内在している内部応力と相俊って
大きくなり、その結果、接続パッド12a が前記外力によ
って絶縁膜13より剥離し、電子部品を回路配線膜に確
実、且つ強固に電気的接続させることができないという
欠点を誘発した。
【０００９】
【発明の効果】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は接続パッドの絶縁膜からの剥離を有効
に防止し、半導体素子等の電子部品を回路配線膜に確
実、強固に電気的接続することができる配線基板を提供
することにある。
ので、その目的は接続パッドの絶縁膜からの剥離を有効
に防止し、半導体素子等の電子部品を回路配線膜に確
実、強固に電気的接続することができる配線基板を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基体上に高
分子材料から成る絶縁膜と回路配線膜とを交互に積層し
てなる配線基板であって、前記回路配線膜の一部に電子
部品を接続するための接続パッドを形成するとともに該
接続パッドの外周端を絶縁膜で被覆したことを特徴とす
るものである。
分子材料から成る絶縁膜と回路配線膜とを交互に積層し
てなる配線基板であって、前記回路配線膜の一部に電子
部品を接続するための接続パッドを形成するとともに該
接続パッドの外周端を絶縁膜で被覆したことを特徴とす
るものである。
【００１１】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1 及び図2 は本発明の配線基板の一実施例を示
し、1 は絶縁基体、2 は絶縁膜、3 は回路配線膜であ
る。
る。図1 及び図2 は本発明の配線基板の一実施例を示
し、1 は絶縁基体、2 は絶縁膜、3 は回路配線膜であ
る。
【００１２】前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、アルミナ(Al
2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、マグネシア(MgO) 、カルシ
ア(CaO) 等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート( セラミック生シート) を
形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、アルミナ(Al
2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、マグネシア(MgO) 、カルシ
ア(CaO) 等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート( セラミック生シート) を
形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
【００１３】前記絶縁基体1 は後述する絶縁膜2 と回路
配線膜3 とから成る多層配線4 を支持する作用を為し、
上面には絶縁膜2 と回路配線膜3 とが交互に被着積層さ
れる。
配線膜3 とから成る多層配線4 を支持する作用を為し、
上面には絶縁膜2 と回路配線膜3 とが交互に被着積層さ
れる。
【００１４】また前記絶縁基体1 はその内部及び表面に
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成るメタライズ配線層1aが形成されており、該メ
タライズ配線層1aは多層配線4 の回路配線膜3 を外部電
気回路に接続する作用を為し、メタライズ配線層1aの絶
縁基体1 上面に露出する部位には回路配線膜3 の一部が
電気的に接続され、また絶縁基体1 の下面に露出する部
位は外部電気回路基板の配線導体に半田等のロウ材を介
して接合される。
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成るメタライズ配線層1aが形成されており、該メ
タライズ配線層1aは多層配線4 の回路配線膜3 を外部電
気回路に接続する作用を為し、メタライズ配線層1aの絶
縁基体1 上面に露出する部位には回路配線膜3 の一部が
電気的に接続され、また絶縁基体1 の下面に露出する部
位は外部電気回路基板の配線導体に半田等のロウ材を介
して接合される。
【００１５】尚、前記メタライズ配線層1aはタングステ
ン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミック
グリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法によ
り所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基
体1 の所定位置に所定パターンに形成される。
ン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミック
グリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法によ
り所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基
体1 の所定位置に所定パターンに形成される。
【００１６】前記メタライズ配線層1aを有する絶縁基体
1 はまたその上面に絶縁膜2 と回路配線膜3 とを交互に
積層して形成される多層配線4 が被着されており、該多
層配線4 を構成する絶縁膜2 は上下に位置する回路配線
膜3 の電気的絶縁を図る作用を為し、また回路配線膜3
は電気信号を伝達するための伝達路として作用を為す。
1 はまたその上面に絶縁膜2 と回路配線膜3 とを交互に
積層して形成される多層配線4 が被着されており、該多
層配線4 を構成する絶縁膜2 は上下に位置する回路配線
膜3 の電気的絶縁を図る作用を為し、また回路配線膜3
は電気信号を伝達するための伝達路として作用を為す。
【００１７】前記絶縁膜2 はポリイミド樹脂等の高分子
材料から成り、例えば4,4'ージアミノジフェニルエーテ
ル50モル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,
3',4,4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成
るポリマ溶液を絶縁基体1 上面にスピンコーティング法
により塗布し、しかる後、400 ℃の熱を加えてポリマ溶
液を熱架橋させることによって絶縁基体1 上に多層に形
成される。尚、前記絶縁膜2 はその厚みを2.0 μm 未満
にすると上下に位置する回路配線膜3 が電気的に短絡す
る危険性があり、また50.0μm を越えると絶縁膜2 を形
成する際の応力によって絶縁膜2 と絶縁基体1 との間及
び絶縁膜2 と回路配線膜3との間が剥離してしまう危険
性がある。また配線基板に熱が印加されると絶縁膜2 の
熱応力によって上下の回路配線膜3 の電気的接続の信頼
性が低下する。従って、前記絶縁膜2 はその厚みを2.0
乃至50.0μm の範囲としておくことが好ましい。
材料から成り、例えば4,4'ージアミノジフェニルエーテ
ル50モル% 、ジアミノジフェニルスルホン50モル% 、3,
3',4,4' ービフェニルテトラカルボン酸二無水物から成
るポリマ溶液を絶縁基体1 上面にスピンコーティング法
により塗布し、しかる後、400 ℃の熱を加えてポリマ溶
液を熱架橋させることによって絶縁基体1 上に多層に形
成される。尚、前記絶縁膜2 はその厚みを2.0 μm 未満
にすると上下に位置する回路配線膜3 が電気的に短絡す
る危険性があり、また50.0μm を越えると絶縁膜2 を形
成する際の応力によって絶縁膜2 と絶縁基体1 との間及
び絶縁膜2 と回路配線膜3との間が剥離してしまう危険
性がある。また配線基板に熱が印加されると絶縁膜2 の
熱応力によって上下の回路配線膜3 の電気的接続の信頼
性が低下する。従って、前記絶縁膜2 はその厚みを2.0
乃至50.0μm の範囲としておくことが好ましい。
【００１８】また前記絶縁膜2 の間に配される回路配線
膜3 は銅の上下にクロムもしくはモリブデンを配した 3
層構造を有しており、その一部は絶縁基体1 に設けたメ
タライズ配線層1aに電気的に導通し、また最上層の回路
配線膜3 には接続パッド3aを介して半導体素子や抵抗
器、コンデンサ等の電子部品が接合される。
膜3 は銅の上下にクロムもしくはモリブデンを配した 3
層構造を有しており、その一部は絶縁基体1 に設けたメ
タライズ配線層1aに電気的に導通し、また最上層の回路
配線膜3 には接続パッド3aを介して半導体素子や抵抗
器、コンデンサ等の電子部品が接合される。
【００１９】前記回路配線膜3 は銅及びクロムもしくは
モリブデンを絶縁膜2 上に3 層にスパッタリング法やイ
オンプレーティング法等により被着するとともにこれを
フォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工す
ることによって形成され、該スパッタリング法やフォト
リソグラフィー技術により形成され回路配線膜3 はその
線幅、厚みが極めて細く、薄いものとなり、その結果、
回路配線膜3 の微細化が可能となって回路配線膜3 の高
密度化が可能となる。
モリブデンを絶縁膜2 上に3 層にスパッタリング法やイ
オンプレーティング法等により被着するとともにこれを
フォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工す
ることによって形成され、該スパッタリング法やフォト
リソグラフィー技術により形成され回路配線膜3 はその
線幅、厚みが極めて細く、薄いものとなり、その結果、
回路配線膜3 の微細化が可能となって回路配線膜3 の高
密度化が可能となる。
【００２０】尚、前記回路配線3 を構成する銅は電気信
号を伝達させる際の主導体層を形成し、また上下のクロ
ムもしくはモリブデンは銅から成る主導体層を絶縁膜2
に強固に被着させる密着層として作用する。
号を伝達させる際の主導体層を形成し、また上下のクロ
ムもしくはモリブデンは銅から成る主導体層を絶縁膜2
に強固に被着させる密着層として作用する。
【００２１】また前記回路配線膜3 はその全体の厚みが
1.0 μm 未満となると回路配線膜3を形成する際に断線
等を発生し易くなるとともに電気抵抗値が高く成って回
路配線として適さなくなる傾向にあり、また15.0μm を
越えると回路配線膜3 を形成する際の応力によって回路
配線膜3 と絶縁膜2 との間に剥離を発生させる危険性が
ある。従って、前記回路配線膜3 はその全体の厚みを1.
0 乃至15.0μm の厚みとしておくことが好ましい。
1.0 μm 未満となると回路配線膜3を形成する際に断線
等を発生し易くなるとともに電気抵抗値が高く成って回
路配線として適さなくなる傾向にあり、また15.0μm を
越えると回路配線膜3 を形成する際の応力によって回路
配線膜3 と絶縁膜2 との間に剥離を発生させる危険性が
ある。従って、前記回路配線膜3 はその全体の厚みを1.
0 乃至15.0μm の厚みとしておくことが好ましい。
【００２２】更に前記回路配線膜3 を構成する銅から成
る主導体層はその厚みを1.0 乃至15.0μm の範囲に、ク
ロムもしくはモリブデンから成る密着層の厚みを0.025
乃至0.4 μm の範囲としておくと回路配線膜3 における
電気信号の伝達を良好として、且つ絶縁膜2 と回路配線
膜3 との被着強度を強固となすことができる。従って、
前記回路配線膜3 を構成する銅から成る主導体層はその
厚みを1.0 乃至15.0μm の範囲に、クロムもしくはモリ
ブデンから成る密着層はその厚みを0.025 乃至0.4 μm
の範囲としておくことが好ましい。
る主導体層はその厚みを1.0 乃至15.0μm の範囲に、ク
ロムもしくはモリブデンから成る密着層の厚みを0.025
乃至0.4 μm の範囲としておくと回路配線膜3 における
電気信号の伝達を良好として、且つ絶縁膜2 と回路配線
膜3 との被着強度を強固となすことができる。従って、
前記回路配線膜3 を構成する銅から成る主導体層はその
厚みを1.0 乃至15.0μm の範囲に、クロムもしくはモリ
ブデンから成る密着層はその厚みを0.025 乃至0.4 μm
の範囲としておくことが好ましい。
【００２３】前記回路配線膜3 はまたその最上層のもの
に接続パッド5 が電気的に接続されており、該接続パッ
ド5 には半導体素子や抵抗器、コンザンサ等の電子部品
が接合されるようになっている。
に接続パッド5 が電気的に接続されており、該接続パッ
ド5 には半導体素子や抵抗器、コンザンサ等の電子部品
が接合されるようになっている。
【００２４】前記接続パッド5 は回路配線膜3 と電子部
品とを接続する作用を為し、回路配線膜3 と基本的に同
一材料から成り、回路配線膜3 と同様の方法によって最
上層の絶縁膜2 表面に一部を回路配線膜3 に電気的に接
続させた状態で被着される。
品とを接続する作用を為し、回路配線膜3 と基本的に同
一材料から成り、回路配線膜3 と同様の方法によって最
上層の絶縁膜2 表面に一部を回路配線膜3 に電気的に接
続させた状態で被着される。
【００２５】前記接続パッド5 はまたその表面に図2 に
示す如く、ニッケル及び金から成るメッキ金属層6 が層
着されている。
示す如く、ニッケル及び金から成るメッキ金属層6 が層
着されている。
【００２６】前記メッキ金属層6 は接続パッド5 と半導
体素子や抵抗器等の電子部品を半田等のロウ材を介して
ロウ付け接合する際、その接合を強固なものとする作用
を為し、従来周知の電解メッキ法、無電解メッキ法を採
用することによって接続パッド5 の露出表面に層着され
る。
体素子や抵抗器等の電子部品を半田等のロウ材を介して
ロウ付け接合する際、その接合を強固なものとする作用
を為し、従来周知の電解メッキ法、無電解メッキ法を採
用することによって接続パッド5 の露出表面に層着され
る。
【００２７】尚、前記メッキ金属層6 はその厚みが0.5
μm 未満であると接続パッド5 に電子部品をロウ材を介
して強固に接合させることができなくなり、また5.0 μ
m を越えるとメッキ金属層6 を被着させる際の応力よっ
て接続パッド5 を該接続パッド5 が電気的に接続されて
いる回路配線膜3 とともに絶縁膜2 より剥離させてしま
う危険性がある。従って、前記メッキ金属層6 はその厚
みを0.5 乃至5.0 μmの範囲としておくことが好まし
い。
μm 未満であると接続パッド5 に電子部品をロウ材を介
して強固に接合させることができなくなり、また5.0 μ
m を越えるとメッキ金属層6 を被着させる際の応力よっ
て接続パッド5 を該接続パッド5 が電気的に接続されて
いる回路配線膜3 とともに絶縁膜2 より剥離させてしま
う危険性がある。従って、前記メッキ金属層6 はその厚
みを0.5 乃至5.0 μmの範囲としておくことが好まし
い。
【００２８】また前記接続パッド5 は更にその外周端Ａ
が絶縁膜2 で被覆されている。そのためこの接続パッド
5 に半導体素子等の電子部品を半田等のロウ材を介して
接合させる際、接続パッド5 に外力が印加され、これが
接続パッド5 の外周端に内在している内部応力と相俊っ
て大きくなったとしても、接続パッド5 の外周端Ａは絶
縁膜2 で挟持押圧されているため接続パッド5 は前記応
力によって絶縁膜2 より剥離することは一切なく、その
結果、電子部品を回路配線膜3 に接続パッド5を介して
確実、且つ強固に電気的接続することが可能となる。
が絶縁膜2 で被覆されている。そのためこの接続パッド
5 に半導体素子等の電子部品を半田等のロウ材を介して
接合させる際、接続パッド5 に外力が印加され、これが
接続パッド5 の外周端に内在している内部応力と相俊っ
て大きくなったとしても、接続パッド5 の外周端Ａは絶
縁膜2 で挟持押圧されているため接続パッド5 は前記応
力によって絶縁膜2 より剥離することは一切なく、その
結果、電子部品を回路配線膜3 に接続パッド5を介して
確実、且つ強固に電気的接続することが可能となる。
【００２９】前記接続パッド5 の絶縁膜2 による被覆は
接続パッド5 の外周端Ａを接続パッド5 の直径の 5％程
度の幅で被覆しておくと接続パッド5 の剥離を有効に阻
止することができる。従って、前記接続パッド5 の絶縁
膜2 による被覆は接続パッド5 の外周端Ａを接続パッド
5 の直結の5 ％程度被覆しておくことが好ましい。
接続パッド5 の外周端Ａを接続パッド5 の直径の 5％程
度の幅で被覆しておくと接続パッド5 の剥離を有効に阻
止することができる。従って、前記接続パッド5 の絶縁
膜2 による被覆は接続パッド5 の外周端Ａを接続パッド
5 の直結の5 ％程度被覆しておくことが好ましい。
【００３０】かくして本発明の配線基板によれば接続パ
ッド5 に半導体素子や抵抗器、コンデンサ等の電子部品
を半田等のロウ材を介して接合させ、電子部品を接続パ
ット5 を介し回路配線膜3 に接続することによって回路
基板やパッケージとして機能する。
ッド5 に半導体素子や抵抗器、コンデンサ等の電子部品
を半田等のロウ材を介して接合させ、電子部品を接続パ
ット5 を介し回路配線膜3 に接続することによって回路
基板やパッケージとして機能する。
【００３１】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、回路配線の
一部に電子部品を接続するための接続パッドを形成する
とともに該接続パッドの外周端を絶縁膜で被覆したこと
から接続パッドに半導体素子等の電子部品を半田等のロ
ウ材を介して接合させる際、接続パッドに外力が印加さ
れ、これが接続パッドの外周端に内在している内部応力
と相俊って大きくなったとしても、接続パッドの外周端
は絶縁膜で挟持押圧されているため接続パッドは前記応
力によって絶縁膜より剥離することは一切なく、その結
果、電子部品を回路配線膜に接続パッドを介して確実、
且つ強固に電気的接続することが可能となる。
一部に電子部品を接続するための接続パッドを形成する
とともに該接続パッドの外周端を絶縁膜で被覆したこと
から接続パッドに半導体素子等の電子部品を半田等のロ
ウ材を介して接合させる際、接続パッドに外力が印加さ
れ、これが接続パッドの外周端に内在している内部応力
と相俊って大きくなったとしても、接続パッドの外周端
は絶縁膜で挟持押圧されているため接続パッドは前記応
力によって絶縁膜より剥離することは一切なく、その結
果、電子部品を回路配線膜に接続パッドを介して確実、
且つ強固に電気的接続することが可能となる。
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】従来の配線基板の断面図である。
【図４】従来の配線基板の一部拡大断面図である。
１・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・絶縁膜 ３・・・・・・・回路配線膜 ５・・・・・・・接続パッド ６・・・・・・・メッキ金属層 Ａ・・・・・・・接続パッドの外周端
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体上に高分子材料から成る絶縁膜と
回路配線膜とを交互に積層してなる配線基板であって、
前記回路配線膜の一部に電子部品を接続するための接続
パッドを形成するとともに該接続パッドの外周端を絶縁
膜で被覆したことを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20235492A JPH0653648A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20235492A JPH0653648A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653648A true JPH0653648A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16456130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20235492A Pending JPH0653648A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653648A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756688B2 (en) | 1999-02-26 | 2004-06-29 | Hitachi, Ltd. | Wiring board and its production method, semiconductor device and its production method, and electronic apparatus |
| US7442001B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-10-28 | Kubota Corporation | Boom assembly |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20235492A patent/JPH0653648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756688B2 (en) | 1999-02-26 | 2004-06-29 | Hitachi, Ltd. | Wiring board and its production method, semiconductor device and its production method, and electronic apparatus |
| US6998713B2 (en) | 1999-02-26 | 2006-02-14 | Hitachi, Ltd. | Wiring board and method for producing same |
| US7442001B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-10-28 | Kubota Corporation | Boom assembly |
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