JP2002176047A5 - - Google Patents
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001429 stepping Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）一つ以上のプロセスガスを該チャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより一つ以上の該プロセスガス
からプラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板上に材料層を堆積させるステップと；
（ｅ）該プラズマ源電力を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）プラズマを停止する前に一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフ
ローを停止させるステップであって、少なくとも一つの該ガスフローが堆積される該材料
用の前駆ガスを含み、該前駆ガスがテトラエトキシシラン及びテトラメチルシクロテトラ
シロキサンの群より選ばれ、堆積した該材料が酸化物であり、且つ該プラズマ源電力を逓
減するステップが一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフローを停止させ
る該ステップと同時に行われる、前記ステップと；
（ｇ）プラズマを停止するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
一つ以上の該プロセスガスが酸素と不活性ガスを更に含んでいる、請求項１記載の方法
。
【請求項３】
プラズマ処理方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）一つ以上のプロセスガスを該チャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより一つ以上の該プロセスガス
からプラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板上に材料層を堆積させるステップと；
（ｅ）該プラズマ源電力を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）プラズマを停止する前に一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフ
ローを停止させるステップであって、少なくとも一つの該ガスフローが堆積される該材料
用の前駆ガスを含み、該前駆ガスがテトラエトキシシラン及びテトラメチルシクロテトラ
シロキサンの群より選ばれ、堆積した該材料が酸化物であり、且つ該プラズマ源電力を逓
減する該ステップが一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフローを停止さ
せる該ステップと連続して行われる、前記ステップと；
（ｇ）プラズマを停止するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項４】
一つ以上の該プロセスガスが酸素と不活性ガスを更に含んでいる、請求項３記載の方法
。
【請求項５】
酸化物堆積方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）テトラエトキシシランと、酸素と、ヘリウムとを含むプロセスガス混合気を該チ
ャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）高周波（ＲＦ）信号を第１電力レベルで加えることにより該プロセスガス混合気
から第１プラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板を該第１プラズマに曝露することにより該基板上に酸化物層を堆積させる
ステップと；
（ｅ）該ＲＦ信号を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）テトラエトキシシランのフローを停止させるステップと；
（ｇ）テトラエトキシシランのフローを停止させる該ステップの後に該ＲＦ信号をゼロ
に下げるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項６】
該ＲＦ信号を逓減するステップが、該ＲＦ信号を１つ以上の中間電力レベルまで低下さ
せるステップを含み、１つ以上の該中間電力レベルのそれぞれが約０．１〜約３０秒の時
間間隔の間維持されている、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該ＲＦ信号を逓減するステップが、該ＲＦ信号を連続方式で低下させるステップを含ん
でいる、請求項５記載の方法。
【請求項１】
プラズマ処理方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）一つ以上のプロセスガスを該チャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより一つ以上の該プロセスガス
からプラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板上に材料層を堆積させるステップと；
（ｅ）該プラズマ源電力を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）プラズマを停止する前に一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフ
ローを停止させるステップであって、少なくとも一つの該ガスフローが堆積される該材料
用の前駆ガスを含み、該前駆ガスがテトラエトキシシラン及びテトラメチルシクロテトラ
シロキサンの群より選ばれ、堆積した該材料が酸化物であり、且つ該プラズマ源電力を逓
減するステップが一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフローを停止させ
る該ステップと同時に行われる、前記ステップと；
（ｇ）プラズマを停止するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
一つ以上の該プロセスガスが酸素と不活性ガスを更に含んでいる、請求項１記載の方法
。
【請求項３】
プラズマ処理方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）一つ以上のプロセスガスを該チャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより一つ以上の該プロセスガス
からプラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板上に材料層を堆積させるステップと；
（ｅ）該プラズマ源電力を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）プラズマを停止する前に一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフ
ローを停止させるステップであって、少なくとも一つの該ガスフローが堆積される該材料
用の前駆ガスを含み、該前駆ガスがテトラエトキシシラン及びテトラメチルシクロテトラ
シロキサンの群より選ばれ、堆積した該材料が酸化物であり、且つ該プラズマ源電力を逓
減する該ステップが一つ以上の該プロセスガスから少なくとも一つのガスフローを停止さ
せる該ステップと連続して行われる、前記ステップと；
（ｇ）プラズマを停止するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項４】
一つ以上の該プロセスガスが酸素と不活性ガスを更に含んでいる、請求項３記載の方法
。
【請求項５】
酸化物堆積方法であって：
（ａ）基板をチャンバ内に配置するステップと；
（ｂ）テトラエトキシシランと、酸素と、ヘリウムとを含むプロセスガス混合気を該チ
ャンバ内に流入させるステップと；
（ｃ）高周波（ＲＦ）信号を第１電力レベルで加えることにより該プロセスガス混合気
から第１プラズマを生成するステップと；
（ｄ）該基板を該第１プラズマに曝露することにより該基板上に酸化物層を堆積させる
ステップと；
（ｅ）該ＲＦ信号を該第１電力レベル以下に逓減するステップと；
（ｆ）テトラエトキシシランのフローを停止させるステップと；
（ｇ）テトラエトキシシランのフローを停止させる該ステップの後に該ＲＦ信号をゼロ
に下げるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項６】
該ＲＦ信号を逓減するステップが、該ＲＦ信号を１つ以上の中間電力レベルまで低下さ
せるステップを含み、１つ以上の該中間電力レベルのそれぞれが約０．１〜約３０秒の時
間間隔の間維持されている、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該ＲＦ信号を逓減するステップが、該ＲＦ信号を連続方式で低下させるステップを含ん
でいる、請求項５記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/670,483 US6521302B1 (en) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | Method of reducing plasma-induced damage |
| US09/670483 | 2000-09-26 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012166114A Division JP5501413B2 (ja) | 2000-09-26 | 2012-07-26 | プラズマ誘発損傷を減少させる方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002176047A JP2002176047A (ja) | 2002-06-21 |
| JP2002176047A5 true JP2002176047A5 (ja) | 2011-09-08 |
| JP5084080B2 JP5084080B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=24690572
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001294403A Expired - Lifetime JP5084080B2 (ja) | 2000-09-26 | 2001-09-26 | プラズマ誘発損傷を減少させる方法 |
| JP2012166114A Expired - Lifetime JP5501413B2 (ja) | 2000-09-26 | 2012-07-26 | プラズマ誘発損傷を減少させる方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012166114A Expired - Lifetime JP5501413B2 (ja) | 2000-09-26 | 2012-07-26 | プラズマ誘発損傷を減少させる方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6521302B1 (ja) |
| EP (1) | EP1191569A3 (ja) |
| JP (2) | JP5084080B2 (ja) |
| KR (1) | KR100885350B1 (ja) |
| TW (1) | TW497368B (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040010319A1 (en) * | 1998-04-14 | 2004-01-15 | Osteoimplant Technology Inc. | Intrinsic stability in a total hip stem |
| US6911403B2 (en) | 2003-08-20 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing plasma-induced damage for advanced plasma CVD dielectrics |
| US20050106888A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Method of in-situ damage removal - post O2 dry process |
| US7030041B2 (en) * | 2004-03-15 | 2006-04-18 | Applied Materials Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics |
| US7115508B2 (en) * | 2004-04-02 | 2006-10-03 | Applied-Materials, Inc. | Oxide-like seasoning for dielectric low k films |
| US7112541B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ oxide capping after CVD low k deposition |
| US7404986B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-07-29 | United Technologies Corporation | Multi-component deposition |
| US20070286965A1 (en) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Martin Jay Seamons | Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with cvd of amorphous carbon |
| US7094442B2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with CVD of amorphous carbon |
| US7259111B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-08-21 | Applied Materials, Inc. | Interface engineering to improve adhesion between low k stacks |
| US7189658B2 (en) * | 2005-05-04 | 2007-03-13 | Applied Materials, Inc. | Strengthening the interface between dielectric layers and barrier layers with an oxide layer of varying composition profile |
| US7273823B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Situ oxide cap layer development |
| JP4678688B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-04-27 | 次世代半導体材料技術研究組合 | プラズマ処理終了方法 |
| US7297376B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers |
| US20080008842A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma processing |
| US20080254233A1 (en) * | 2007-04-10 | 2008-10-16 | Kwangduk Douglas Lee | Plasma-induced charge damage control for plasma enhanced chemical vapor deposition processes |
| US20080302652A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Mks Instruments, Inc. | Particle Reduction Through Gas and Plasma Source Control |
| US7951695B2 (en) * | 2008-05-22 | 2011-05-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for reducing plasma discharge damage during processing |
| US8815329B2 (en) * | 2008-12-05 | 2014-08-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Delivered energy compensation during plasma processing |
| KR101049971B1 (ko) * | 2010-04-08 | 2011-07-15 | 강원대학교산학협력단 | 살균 및 세정능을 갖춘 대기압 플라즈마 표면처리장치 |
| US8329575B2 (en) * | 2010-12-22 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers |
| US20140049162A1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | George Thomas | Defect reduction in plasma processing |
| US20140367043A1 (en) * | 2013-06-17 | 2014-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method for fast and repeatable plasma ignition and tuning in plasma chambers |
| US10199388B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-02-05 | Applied Mateerials, Inc. | VNAND tensile thick TEOS oxide |
| CN113748482A (zh) * | 2019-02-13 | 2021-12-03 | 朗姆研究公司 | 半导体处理中的异常等离子体事件的检测和缓解 |
| JP6993765B2 (ja) | 2019-12-23 | 2022-02-07 | 第一三共株式会社 | 滑らかな表面を有するフィルムコーティング錠 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102318A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JP2890494B2 (ja) * | 1989-07-11 | 1999-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマ薄膜の製造方法 |
| JP3118913B2 (ja) * | 1991-10-30 | 2000-12-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3211391B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-09-25 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5271972A (en) * | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
| JPH06326058A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH1027792A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| JP3235095B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | シリコン酸化膜の成膜方法 |
-
2000
- 2000-09-26 US US09/670,483 patent/US6521302B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-09 EP EP01119259A patent/EP1191569A3/en not_active Withdrawn
- 2001-08-09 TW TW090119559A patent/TW497368B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-21 KR KR1020010058633A patent/KR100885350B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-26 JP JP2001294403A patent/JP5084080B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012166114A patent/JP5501413B2/ja not_active Expired - Lifetime
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