JP2002164434A

JP2002164434A - 不要輻射解析方法および不要輻射解析装置

Info

Publication number: JP2002164434A
Application number: JP2000359630A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shimazaki; 健二島崎; Shozo Hirano; 将三平野; Tatsuo Ohashi; 達夫大橋; Taku Mizokawa; 卓溝川; Hiroyuki Tsujikawa; 洋行辻川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2000-11-27
Publication date: 2002-06-07
Anticipated expiration: 2020-11-27
Also published as: US20020075018A1; US6876210B2; JP3943326B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高速解析しつつも、電源及びグランドの抵
抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響
を電源電流計算に反映することで、シミュレーション上
においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価するこ
とのできる不要輻射解析方法および装置を提供する。【解決手段】ＬＳＩの不要輻射量を解析する方法であ
って、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れ
る等価電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出工
程と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情
報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情
報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のも
つ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御
情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を
反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり
工程と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従
い、解析を実行する総合情報解析工程とを含むことを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不要輻射（ＥＭ
Ｉ：Electromagnetic Interference）解析方法および不
要輻射解析装置に係り、特に、大規模でかつ高速駆動の
ＬＳＩ(大規模半導体集積回路)に対して高速かつ高精度
のＥＭＩ解析を行い、電磁輻射を解析する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩは、コンピュータはもちろんのこ
と、携帯電話等の通信機器、一般家庭製品や玩具、自動
車まで利用範囲が拡大している。しかし、その一方で、
これらの製品から生じる不要輻射がテレビ・ラジオ等の
受信装置の電波障害や他システムの誤動作の原因として
問題になっている。これらの問題に対して、フィルタリ
ングやシールディングといった製品全体としての対策も
施されているが、部品点数増大・コスト増大・製品上対
策の難しさ等の観点より、ＬＳＩパッケージとしてのノ
イズ抑制が強く要請されている。

【０００３】このような状況下、各製品においてＬＳＩ
はキーデバイスとして位置付けられおり、製品の競争力
確保のために、ＬＳＩの大規模化・高速化が要求されて
いる。製品サイクルが短くなる中で、これらの要求に答
えるためにはＬＳＩ設計の自動化が必須であり、現状の
設計自動化技術導入の条件として同期設計を採用する必
要が高まっている。基準クロックに同期して全回路が動
作し、大規模かつ高速駆動のＬＳＩの場合には、その瞬
時電流は非常に大きくなってしまうことになり、不要輻
射の増大を引起すことになる。

【０００４】本発明は、ＬＳＩの大規模化・高速化を維
持しつつも不要輻射を低減するために不可欠であるＥＭ
Ｉ評価が可能なＥＭＩ解析手法に関するものである。Ｌ
ＳＩが他へ被害を与えるノイズを大別すると、放射ノイ
ズと伝導ノイズがある。ＬＳＩからの直接的な放射ノイ
ズとしてＬＳＩの内部配線から放射されるノイズもある
が、内部配線はアンテナとしては大きくない。もちろ
ん、ＬＳＩの動作周波数向上に伴い、ＬＳＩから直接的
に放射されるノイズが将来的に問題となるとは思われる
が、現時点においてはＬＳＩ内部の放射ノイズは問題に
なるレベルではない。

【０００５】これに対して、伝導のノイズは、ＬＳＩ内
のワイヤ、リードフレーム、パッケージやプリント基板
上配線など直接的な接続を通じてプリント基板上の他の
デバイスへ影響を与えるとともに、これらの接続経路を
発信源すなわちアンテナとしてノイズを放射する。この
接続経路よりなるアンテナはＬＳＩ内部の配線と比べる
と非常に大きく、不要輻射を考える上で支配的な要素で
ある。

【０００６】ＬＳＩからの伝導ノイズの経路として、電
源と信号があるが、近傍の電磁界を考える場合、電源の
電流の変化が電源線をアンテナとして輻射されるノイズ
が支配的であると考えられる。また、信号においては信
号の変化時に生じるリンギング・オーバーシュートが問
題となる場合もあるが、ＬＳＩ内部電源レベルの変動が
信号波形として伝導することが問題となる場合が多い。
電源・信号どちらの経路を伝導し放射されるノイズも、
電源電流の変化と強く相関があると考えられる。そして
この電源に加え、パッケージも問題となることが多い。
また、近年ＬＳＩにおけるＥＭＩノイズが重要な問題と
なってきたため、IEC（国際電機標準委員会）において
ＬＳＩのＥＭＩノイズについて実測方法の標準化がなさ
れようとしており、マグネティックプローブ法やVDE法
といった解析方法が提案されている。

【０００７】これにより、ＬＳＩベンダは同一の土俵に
乗り、顧客に自社のＬＳＩのＥＭＩノイズ性能をアピー
ルすることができ、また顧客もＥＭＩノイズの観点での
絶対的なＬＳＩの比較が出来るようになる。また、この
標準実測方法が普及すれば、おのずとＬＳＩのＥＭＩノ
イズ基準が確定していくものと思われる。

【０００８】しかしながら、従来は測定系（測定装置お
よび測定するためのプリント基板）の考慮がなされてい
なかったため、ＬＳＩの開発段階において、前記の基準
を満たしているかどうかを判断することが出来なかっ
た。

【０００９】簡単なインバータ回路を用いてＣＭＯＳ回
路の電源電流を説明する。インバータ回路への入力電圧
が変化する場合に、ＣＭＯＳ回路の主な電源電流である
負荷容量充放電電流が流れる。そして、これに加え貫通
電流が加算して流れることになる。このようなＣＭＯＳ
回路を設計するにあたり、自動設計ツールを用いる上で
の制約により同期化しているが、同期化したことにより
ＬＳＩ全体の回路が同時に動作するため、基準クロック
に同期して電源のピーク電流が発生する。しかも、高速
化、すなわち周期を短縮するためには、短時間に充放電
できるようにトランジスタを大きくするが、その結果と
してピーク電流が増大する。当然、ＬＳＩが大規模化す
ることによってもＬＳＩ全体の電源電流は増大する。こ
のようにして、電源のピーク電流が増大し、電源電流が
急峻な変化をするようになってきているが、この急峻な
変化が高調波成分を増大させてしまい、不要輻射の増大
を招いている。

【００１０】不要輻射の主要因とも言える電源電流の変
化について高精度のシミュレーションを行うことが、Ｌ
ＳＩにおける不要輻射の評価として有効であると考えら
れる。ところで従来は、以下に示すようにトランジスタ
レベルで電流解析を行う電流シミュレーション手法が用
いられていた。

【００１１】図４６は、トランジスタレベルの電流解析
手法を用いた従来のＥＭＩ解析方法の処理フローを示し
た図である。この方法では、解析対象となるＬＳＩのレ
イアウト情報から、レイアウトパラメータ抽出（以下、
ＬＰＥとする）処理を行い、スイッチレベルネットリス
トについて回路シミュレーション、電流源モデリング処
理、電源配線ＬＰＥ処理、過渡解析シミュレーション、
ＦＦＴ処理の各ステップを行うように構成されている。

【００１２】以下、各ステップについて図４６を参照し
ながら説明する。ステップ４６０３ではＥＭＩ解析対象
となる半導体集積回路のレイアウトデータ４６０１と、
トランジスタ素子や各種配線寄生素子（抵抗、容量
等）、各素子のパラメータ値、及びそれら抽出結果の出
力形式を定義したＬＰＥルール４６０２が入力され、そ
のＬＰＥルール４６０２に基づきレイアウトデータ４６
０１における各素子のパラメータを算出し、ネットリス
ト４６０４が生成される。尚、本ステップでは電源（及
びグランド）配線の寄生素子については、抽出対象にし
ない。

【００１３】ステップ４６０６では前記ステップ４６０
３より生成されたネットリスト４６０４と解析対象回路
において所望の論理的動作を再現させるためのテストパ
ターン４６０５が入力され、内部回路の動作状態に応じ
た負荷容量充放電電流や貫通電流等を算出し、各トラン
ジスタ毎の電流波形情報４６０７が生成される。尚、本
ステップの最初の処理では電源（及びグランド）電位を
変動の無い理想電位と仮定して処理を行う。

【００１４】ステップ４６０８では前記ステップ４６０
６より生成されたトランジスタ毎の電流波形情報４６０
７が入力され、それぞれを以降のステップ４６１２で適
用できる形式にモデリングし、電流源素子モデル情報４
６０９が生成される。尚、以降のステップ４６１２の処
理負荷軽減のためにも、複数個のトランジスタで構成さ
れる機能回路ブロック毎に電流源素子としてモデリング
する手法が一般的である。

【００１５】ステップ４６１０は前記ステップ４６０３
に対して、抽出対象がＥＭＩ解析対象となるトランジス
タ素子や各種配線寄生素子から、電源及びグランド配線
の寄生素子（抵抗、デカップリング容量等）に代わる点
が異なるのみであるため説明を省略する。尚、本ステッ
プにより電源（及びグランド）配線ネットリスト４６１
１が生成される。

【００１６】ステップ４６１２では前記ステップ４６０
８より生成された電流源素子モデル情報４６０９と前記
ステップ４６１０より生成された電源（及びグランド）
配線ネットリスト４６１１とワイヤやリードフレームの
インピーダンス（抵抗、容量、インダクタンス）４６１
６が入力され、ＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュ
レータを使用した解析により、解析対象回路の電源電圧
変動を算出した電源電圧降下結果４６１７が生成され
る。

【００１７】この後、前記ステップ４６０６の再処理を
行う。その際に、前記ステップ４６０６の最初の処理で
は電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮
定したのに対して、ここでは前記ステップ４６１２より
生成された電源電圧降下結果４６１７が入力され、電源
電圧変動を考慮に入れた各トランジスタ毎の電流波形情
報４６０７が再度生成される。同様に前記ステップ４６
０８、４６１２の再処理が行われる。

【００１８】この前記ステップ４６０６、４６０８、４
６１２のループ処理を複数回繰り返すことで、電源電圧
変動をより高精度に再現させた電流波形結果４６１３が
生成される。ステップ４６１４では前記ステップ４６１
２より生成された電流波形結果４６１３が入力され、高
速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとする）を施すことによ
り、周波数スペクトラム解析を行なうことが可能とな
り、ＥＭＩ解析結果４６１５を得ることが出来る。

【００１９】この従来例では、ＬＰＥ処理４６０３、電
源配線ＬＰＥ処理４６１０及び電流源モデリング処理４
６０８の合わせ込みによって検証精度は大きく左右する
ものの、一定レベルの解析精度が期待できる。しかし、
このようなトランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣ
Ｅに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、
ＥＭＩ解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大と
なる。半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、ト
ランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能
なＥＭＩ解析方法の確立が望まれている。

【００２０】そこで、高速化の可能なＥＭＩ電流解析方
法として、ゲートレベルのＥＭＩ電流解析方法が提案さ
れている。たとえばその１つとして、アイ・エス・ピー
・デー＆９９第１６ページ乃至第２１ページ（ＥＭＩ−
ＮＯＩＳＥＡＮＡＬＹＳＩＳＵＮＤＥＲＡＳＩＣ
ＤＥＳＩＧＮＳＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ’ＩＳＰＤ
＆９９）に掲載されたエイシック（ＡＳＩＣ）デザイン
環境におけるＥＭＩ−ノイズ解析がある。この技術で
は、テストベクタを用いたゲートレベルシミュレーショ
ン結果からイベントを取得、電流波形推定を行いＦＦＴ
を行って周波数解析を行うようにしている。すなわち、
図４７に示すようにベリログネットリスト（Ｖｅｒｉｌ
ｏｇＮｅｔｌｉｓｔ）４７０１と、テストベクタ４７
０２とから論理シミュレーション４７０３を行い、これ
によって算出されたイベントデータ４７０４と、トグル
時の波形情報４７０６とから、波形推定ステップ４７０
５を実行し、この波形推定ステップから得られた推定電
流波形４７０７を、ＦＦＴ処理し周波数特性を得るよう
にしている。この方法では従来のトランジスタレベルの
ＥＭＩ解析に比べて、高速化をはかることができる。

【００２１】しかしながら一般的には論理シミュレータ
においては電源・グランドを変動の無い理想電位として
扱うため、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタ
ンスによるデカップリングの影響を電源電流計算に反映
することができない。もし、デカップリングの影響を考
慮するならば、抵抗、容量、インダクタンスといった寄
生素子を含む電源及びグランドのネットワークと論理シ
ミュレーションにより求めた各素子の電流値を過渡解析
する必要があり、処理に要する時間が激増する。

【００２２】しかも、チップの大規模化と素子数の増加
により電源線のネットワークが大規模化しており、処理
時間増大は不要輻射解析上大きな障害となりつつある。
処理時間短縮のため、これら電源線の抵抗・容量に対す
るリダクション手段も提案もされているが、電源線が格
子構造となるようなゲートアレイに限定される。

【００２３】また、電源電流値をＦＦＴすることでＥＭ
Ｉ解析したとしても、ＦＦＴ特性を設計者が判断するも
のとなっている。この手段では原因個所の特定に非常に
時間がかかってしまうか、または不可能であり、また解
析情報として、それを直接修正に反映させるものとして
は、不充分であるという問題もある。

【００２４】また、パッケージや測定系についても、イ
ンダクタンスを含むため、処理時間増大を招き、不要輻
射解析上無視し得ない問題となっている。

【００２５】このように、従来のＬＳＩの不要輻射解析
方法は、電源及びグランドひいては測定系の抵抗、容
量、インダクタンスの考慮と高速処理の両立という観
点、不要輻射解析結果の設計への迅速な反映という観点
において十分とは言えないものであった。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】このように、トランジ
スタレベルの電流解析手法を用いた従来例では、一定レ
ベルの解析精度が期待できるものの、トランジスタレベ
ルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シミ
ュレータを使用するため、解析対象回路規模に制限があ
り処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化が
進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高
く、高速解析が可能であるゲートレベルの電流解析手法
を利用したＥＭＩ解析方法の確立が望まれる。

【００２７】一方、ゲートレベル電流解析手法も提案さ
れているが、電源及びグランド、さらには測定系を変動
の無い理想電位で扱えばデカップリング効果を考慮でき
ず、またデカップリングを考慮するために寄生素子を含
む電源及びグランドネットワークを過渡解析すれば解析
時間が増大するという問題があった。特にこの測定装置
および測定するためのプリント基板を含めた測定系の問
題は、従来は考慮がなされていなかったため、LSIの開
発段階において、前記の基準を満たしているかどうかを
判断することが出来ないという問題があった。

【００２８】また、ＥＭＩ解析したとしても、その主た
る原因がどの回路にあるのかが不明であり、ＥＭＩ改善
のためにどの回路を修正することが有効であるのかが分
からないという問題もある。

【００２９】そこで、高速解析しつつも、電源及びグラ
ンドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリン
グの影響を電源電流計算に反映することで、シミュレー
ション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評
価することのできる不要輻射解析方法および装置を提供
すべく、本発明者らは、周波数帯毎に、ＦＦＴ解析離散
幅を割り当て、モデル化する工程と、前記モデル化する
工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変
換処理する工程とを含む不要輻射解析方法を提案してい
る（特許願２０００−６３７８３）。また、ディジタル
シミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形
を、底辺をトランジション時間の関数で表現した三角波
とし、高速処理を図る方法も提案されている（特願平１
１−１９６１９０）。この方法では、デカップリング容
量のＦＦＴ結果への影響を表現することができず、表現
するとすれば、三角形の底辺を広げるしかないため、そ
れでは正確に表現することができず、その効果を出すこ
とができないという問題があった。

【００３０】また、ディジタルシミュレーションに同期
してアナログ部の解析を行うミックスシミュレーション
方式も提案されている（特願平４−５４２１５）。この
方法ではアナログ部への反映を考慮しているが、電源ネ
ットリストの影響を考慮していないためＥＭＩノイズ解
析という観点からは正確さにかけるという問題があっ
た。また、同期計算であるため、ディジタル部の論理変
化に伴う電流変化は本来論理変化以前から発生している
にもかかわらず、論理変化以降に電流を計算する必要が
あり、正確に電源電流を反映することができないという
問題があった。また、前述したように、ＬＳＩチップの
回路情報のみならず、パッケージに起因するＥＭＩも無
視することができない程度に大きく、さらには測定系に
よるＥＭＩを考慮しないと実測値と異なるという問題が
あった。本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高
速解析しつつも、電源及びグランドの抵抗、容量、イン
ダクタンスによるデカップリングの影響を電源電流計算
に反映することで、シミュレーション上においてＬＳＩ
の不要輻射を現実的な時間で評価することのできる不要
輻射解析方法および装置を提供することを目的とする。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明の第１では、ＬＳ
Ｉの不要輻射量を解析する方法において、当該ＬＳＩチ
ップの回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報
を算出する工程と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する
電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつ
パッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定す
る測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情
報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解
析制御情報を反省させた総合情報を等価回路として見積
もる見積もり工程と、前記見積もり工程で見積もられた
総合情報に従い、解析を実行する総合情報解析工程とを
含むことを特徴とする。

【００３２】上記構成によれば、電源、パッケージに起
因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度に解析
し、また測定系をモデル化することで、標準化されよう
としている測定装置を用いたＬＳＩの測定結果と、相関
を取ることが可能となる。

【００３３】本発明の第２では、請求項1に記載の不要
輻射解析方法において、前記見積もり工程は、前記回路
情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンスを
算出し、これを総合情報として総合情報解析工程に出力
する工程であることを特徴とする。

【００３４】本発明の第３では、請求項1または２に記
載の不要輻射解析方法において、前記解析制御情報は、
前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報と、
前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報お
よび前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測
定系情報のうちの少なくとも１つとを含むことを特徴と
する。

【００３５】本発明の第４では、請求項1または２に記
載の不要輻射解析方法において、前記解析制御情報は、
前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報と、
前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報
と、前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測
定系情報とを含むことを特徴とする。

【００３６】本発明の第５では、１乃至４のいずれかに
記載の不要輻射解析方法において、前記総合情報解析工
程は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加して
シミュレーションするシミュレーション工程であること
を特徴とする。

【００３７】本発明の第６では、請求項1乃至５のいず
れかに記載の不要輻射解析方法において、前記総合情報
解析工程は、前記総合情報を反映して前記等価電源電流
情報を補正した補正等価電源電流情報を求める工程とそ
の周波数スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工
程を含むことを特徴とする。

【００３８】本発明の第７では、請求項1乃至６のいず
れかに記載の不要輻射解析方法において、前記等価電源
電流情報算出工程は、周波数スペクトルを計算する周波
数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする。

【００３９】本発明の第８では、請求項1乃至４および
７のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記
総合情報解析工程は、前記総合情報から前記等価電源電
流情報を補正すべき補正関数を求め、前記等価電源電流
情報をこの補正関数で演算する工程であることを特徴と
する。

【００４０】本発明の第９では、請求項1乃至８のいず
れかに記載の不要輻射解析方法において、前記等価電源
電流情報算出工程は、信号変化の発生時に生成され、発
生対象である前記ＬＳＩチップの各セルのインスタンス
名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント
情報と、前記見積もり工程で見積もられた前記総合情報
を考慮して瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間
的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル
化するモデル化工程とを含むことを特徴とする。

【００４１】本発明の第１０では、請求項９に記載の不
要輻射解析方法において、前記モデル化工程は、将棋型
の電流波形を累積する工程であることを特徴とする。

【００４２】本発明の第１１では、請求項５に記載の不
要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程
は、等価電源電流情報算出工程と同期する工程を含むこ
とを特徴とする。

【００４３】本発明の第１２では、請求項５に記載の不
要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程
は、等価電源電流情報への情報追加タイミングに同期し
て繰り返し実行する工程を含むことを特徴とする。

【００４４】本発明の第１３では、請求項５に記載の不
要輻射解析方法において、前記シミュレーション工程
は、等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で読み込
む工程を含むことを特徴とする。

【００４５】本発明の第１４では、請求項６に記載の不
要輻射解析方法において、前記周波数スペクトル計算工
程は、補正等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で
畳み込む畳込み工程を含むことを特徴とする。

【００４６】本発明の１５は、請求項１３に記載の不要
輻射解析方法において、前記畳込み工程は、あらかじめ
定めた間隔ごとの補正等価電源電流情報を時系列で平均
化もしくは最大化することを特徴とする。

【００４７】本発明の１６は、請求項１乃至１５のいず
れかに記載の不要輻射解析方法において、前記等価電源
電流情報算出工程は、あらかじめ算出された前記回路情
報の各部分の等価電源電流情報であるライブラリ情報の
累積を計算するライブラリ累積工程であることを特徴と
する。

【００４８】本発明の１７は、請求項１６に記載の不要
輻射解析方法において、前記ライブラリ情報は、前記回
路情報の各部分の入力信号情報もしくは出力信号情報も
しくは出力容量のいずれかの関数もしくはテーブルであ
ることを特徴とする。

【００４９】本発明の１８は、請求項１６に記載の不要
輻射解析方法において、前記ライブラリ情報は前記回路
情報をクロックに同期するクロック同期部とクロックに
同期しないクロック非同期部に１つ以上分割した部分の
情報であることを特徴とする。

【００５０】本発明の１９は、請求項１７に記載の不要
輻射解析方法において、前記クロック同期部はフリップ
フロップもしくはクロックバッファもしくは同期メモリ
であることを特徴とする。

【００５１】本発明の２０は、請求項１６に記載の不要
輻射解析方法において、前記ライブラリ累積工程は前記
回路情報より回路情報のどの部分がライブラリに対応し
ているかを類推する工程を含むことを特徴とする。

【００５２】本発明の２１は、請求項１乃至１６のいず
れかに記載の不要輻射解析方法において、前記等価電源
電流情報算出工程は、前記回路情報の部分回路情報に基
づき、高速な等価電源電流情報算出方法と高精度な等価
電源電流情報算出方法を選択する算出方法決定工程を含
むことを特徴とする。

【００５３】本発明の２２は、請求項１乃至１６、２１
のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記等
価電源電流情報算出工程は、既に解析された等価電源電
流情報との前記回路情報の差分に基づき前記差分のみの
電源電流情報を算出する差分電源電流算出工程を含むこ
とを特徴とする。

【００５４】本発明の２３は、請求項1乃至１６、２１
または２２のいずれかに記載の不要輻射解析方法におい
て、更に前記総合情報解析工程で得られた結果を解析情
報として表示する解析情報表示工程とを具備したことを
特徴とする。

【００５５】本発明の２４は、請求項1乃至１６、２１
乃至２３のいずれかに記載の不要輻射解析方法におい
て、更に前記総合情報解析工程で得られた結果に基づい
て、不要輻射を低減するように回路情報を最適化する最
適化工程とを含むことを特徴とする。

【００５６】本発明の２５は、請求項２４に記載の不要
輻射解析方法において、更に前記最適化工程で得られた
回路情報を最適化情報として表示する最適化情報表示工
程とを含むことを特徴とする。

【００５７】本発明の第２６は、ＬＳＩの不要輻射量を
解析する不要輻射解析装置であって、当該ＬＳＩチップ
の回路情報から電源電流に流れる等価電源電流情報を算
出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップ
に電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップの
パッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チッ
プの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少
なくとも１つの情報を解析制御情報として考慮し、前記
回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等
価回路として見積もる見積もり手段と、前記見積もり手
段で見積もられた総合情報に従い、解析を実行する総合
情報解析手段とを含むことを特徴とする。

【００５８】本発明の第２７は、請求項２６に記載の不
要輻射解析装置において、前記見積もり手段は、前記回
路情報に前記解析制御情報を付加して総インピーダンス
を算出し、これを総合情報として総合情報解析手段に出
力するように構成されていることを特徴とする。

【００５９】本発明の第２８は、請求項２６または２７
に記載の不要輻射解析装置において、前記総合情報解析
手段は、前記総合情報に前記等価電源電流情報を付加し
てシミュレーションするシミュレーション手段であるこ
とを特徴とする。

【００６０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る不要輻射解析
方法の実施形態について説明する。実施形態１図１は、本発明に係る不要輻射解析方法を実施するため
の不要輻射解析装置の全体構成を示す概念図である。こ
の不要輻射解析装置は、当該ＬＳＩチップの回路情報１
０１に、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源
情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ
情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系の
もつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制
御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報
を加えた総合情報を等価回路としておおまかに見積も
り、これを考慮したシミュレーションを行うようにした
ことを特徴とするものである。

【００６１】ここでは、さらにディジタルシミュレーシ
ョンにおける論理変化ごとの推定電流波形を、底辺をト
ランジション時間の関数、側面をデカップリング容量の
関数で表現し、シミュレーションを行うようにしたもの
で、高精度で信頼性の高い不要輻射解析を高速で実行す
ることが可能となる。

【００６２】この不要輻射解析装置は、当該ＬＳＩチッ
プの回路情報１０１に、前記ＬＳＩチップに電流を供給
する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージの
もつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測
定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つ
の情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前
記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積
もる、解析制御入力部１０２と、前記解析制御入力部で
見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行
する不要輻射シミュレーション部１０３と、前記不要輻
射シミュレーション部１０３で得られた解析情報を表示
する解析情報表示部１０４と、前記不要輻射シミュレー
ション部１０３で得られた解析情報と、最適化制御入力
部１０５からの最適化基準に基づいて不要輻射を最適化
する不要輻射最適化部１０６と、不要輻射最適化部１０
６の情報に基づいて、最適化情報を表示する最適化情報
表示部１０７とを具備したことを特徴とする。

【００６３】またこの解析制御入力部１０２は、図２に
示すように、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の
電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケ
ージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定
系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの情報を解
析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御
情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる等価回
路見積もり手段１０２１と、前記等価回路見積もり手段
１０２１で、電源／パッケージ／測定系に起因する総合
情報の等価回路情報として電源／パッケージ／測定系Ｒ
ＬＣ情報１０２２を得、この電源／パッケージ／測定系
ＲＬＣ情報１０２２と、回路情報を備えたネットリスト
１０２３と、電流推定モデル１０２４とから、電源／パ
ッケージ／測定系を考慮した電源電流の計算を行うとと
もにそのＦＦＴ処理を行い、電源電流を起因とするＥＭ
Ｉノイズの周波数スペクトルの推定結果を算出する電源
／パッケージ／測定系考慮電流ＦＦＴ結果推定手段１０
２５とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮
したＦＦＴ結果としての周波数スペクトルである電源／
パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ結果１０２６を出力する
ように構成されている。

【００６４】このネットリストの一例を図３に示す。こ
れはインバータ回路を示すもので、このネットリスト情
報は、１つ以上の回路素子と配線と外部端子の接続情報
と各回路素子が駆動した時の電流の情報から構成されて
いる。この例では、立ち上がり時４ｍＡ、立下り時６ｍ
Ａ流れるバッファＢＵＦ１、ＢＵＦ２、ＢＵＦ３、ＢＵ
Ｆ４、ＢＵＦ５と、外部入力端子Ａ、外部出力端子Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３とそれぞれを接続する配線から構成され
ている。図３は図１０に示すような電源／パッケージ／
測定系非考慮電流を計算するために用いる電源を理想電
源としたときのＬＳＩチップの回路情報であり、図４は
電源／パッケージ／測定系非考慮電流を等価電源電流
に、前記回路情報と電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情
報を等価インピーダンスにモデル化した結果を示す。

【００６５】また、ここでシミュレーションを行おうと
しているＬＳＩ装置のパッケージおよび測定系を含めた
等価回路は図４に示すように、パッケージ部Ｐと、電源
回路部Ｓと測定系Ｍとから構成されている。なおこの等
価回路ではパッケージ部、電源回路部、測定系は独立し
て形成されているが、必ずしもパッケージ部、電源回路
部、測定系が独立している必要は無い。

【００６６】このように測定系をモデル化することで、
標準化されようとしているＬＳＩの測定系（測定装置）
の測定結果と相関をとることができる。

【００６７】本発明により最終的に得られるＦＦＴ結果
である周波数スペクトルを図５に示す。縦軸はノイズ
（ｄＢｍＡ）横軸は周波数（Ｈｚ）である。

【００６８】そして図７はディジタルシミュレーション
における論理変化ごとの推定電流波形を図７（ａ）〜
（ｄ）に示すように台付き三角形状の将棋型波として、
表現したもので、デカップリング容量が小さいときの推
定電源電流は図７（ｃ）に示すように鋭角となり、デカ
ップリング容量が大きいときの推定電源電流は図７
（ｄ）に示すように鈍角となる。

【００６９】これに対し、図６（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに三角形波として、表現する方法がある。この場合電
流量を三角形の底辺をトランジション時間の関数で表現
しているため、デカップリング容量を考慮するためには
底辺を調整するしかないが、底辺を広げると、本来デカ
ップリング容量で低減される周波数の高い領域のノイズ
だけでなく、周波数の低域のノイズまで低減される結果
となってしまい、実測と合わないということになる。

【００７０】これに対して、図７は、電源／パッケージ
／測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用
いて実現する際に最適なモデリングであり、これを用い
ることにより、等価電源電流回路を実際に近い形で実現
することができる。

【００７１】この方法では、底辺をトランジション時間
の関数、側面をデカップリング容量の関数として表現す
ることができ、デカップリング容量の周波数スペクトル
（ＦＦＴ結果）への影響を正確に表現することが可能と
なる。

【００７２】このようなモデルを使用して、電源／パッ
ケージ／測定装置非考慮電流推定手段により算出された
電源／パッケージ／測定装置非考慮の電流情報を図８に
示す。この電流情報は各時刻と電源電流値の情報からな
り、図１０で示すような電源電流をデータで持たせた場
合の情報である。この電源電流情報を等価電源電流に変
換する方法の一例を図９に示す。ＬＳＩチップの端子に
Ｄ／Ａコンバータ９０１を接続し、前記電源／パッケー
ジ／測定装置非考慮電流推定手段をディジタル電流算出
回路９０１としてＤ／Ａコンバータ９０１に接続するこ
とで等価電源電流を得ることができる。図８で示すよう
な情報がディジタル電流値算出回路（すなわち論理シミ
ュレータで構成された電源／パッケージ／測定装置非考
慮電流推定手段）で計算された後、それを等価電源電流
に変換する際に、図９に示したようなＤ／Ａコンバータ
を使うことにより、図９に示す回路をトランジスタレベ
ルシミュレータでスムーズにシミュレーションを行うこ
とができる。

【００７３】また、等価電源電流回路とインピーダンス
回路を組み合わせてトランジスタレベルシミュレーショ
ンを行えば、電源／パッケージ／測定装置非考慮電流推
定手段で計算された電源電流を補正して、電源／パッケ
ージ／測定装置考慮の電流を推定することができ、それ
をＦＦＴすることで、図５に示すような周波数スペクト
ルを得ることができる。

【００７４】次に、図１１に示した等価回路と図１２に
示したブロック図とを用いて、解析制御入力部１０２を
実施する場合について説明する。ここでは、電源／パッ
ケージ／測定系非考慮電流推定手段としてゲートレベル
で電流計算を行う工程と、その結果を反映して電源／パ
ッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段としてトランジス
タレベルの計算を行う工程を同期させて実行する。すな
わち、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流
をゲートレベルで計算しつつ、その計算と同期しながら
この計算値を電源ネットと組み合わせてシミュレーショ
ンすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計
算結果を得るようにしたものである。

【００７５】図１に示した解析制御入力部１０２は、図
１１に等価回路、図１２にブロック図を示すように、同
期読み出しにより、電源／パッケージ／測定系非考慮電
流推定手段１０１１から得られた電源／パッケージ／測
定系非考慮電流結果１０１２と、前述の前記ＬＳＩチッ
プに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップ
のパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チ
ップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの
少なくとも１つの情報を解析制御情報として付加し、前
記回路情報に前記解析制御情報を加えた電源／パッケー
ジ／測定系ＲＬＣ情報１０２２を等価回路として見積も
る等価回路見積もり手段１０２１と、前記等価回路見積
もり手段１０２１で得られた等価回路に基づいて、電源
／パッケージ／測定系に起因する電源／パッケージ／測
定系ＲＬＣ情報１０２２としての総合インピーダンスと
ネットリスト１０２３とから、ＦＦＴ処理などの方法で
周波数解析を行い推定結果を算出する電源／パッケージ
／測定系考慮ＦＦＴ推定手段１０２５とを具備し、電
源、パッケージおよび測定系を考慮したＦＦＴ結果１０
２６を出力するように構成されている。

【００７６】次にこの電源／パッケージ／測定系非考慮
電流推定手段および電源／パッケージ／測定系考慮電流
推定手段の動作を示すフローチャートを図１３および図
１４に示す。

【００７７】まず、電源／パッケージ／測定系非考慮電
流推定手段１０１１における電流推定は、図１３に示す
ように、ネットリスト１０２３および回路入力情報１０
１０を入力するステップ１３０１と、この入力された情
報を読み込むステップ１３０２と、読み込まれた回路
入力情報を１行づつ取り出すステップ１３０３と、電源
／パッケージ／測定系考慮電流推定手段からフラグが送
られてきたかどうかを判断するためにフラグをみるステ
ップ１３０４と、フラグがあるかどうかを判断するステ
ップ１３０５で、フラグが送られてきている場合もしく
は取り出された回路入力情報が最初の行である場合は、
ネットリストに取り出された回路入力情報を与えた際の
電源電流を計算し、ファイル書き込みを行うステップ１
３０６とからなり、全ての回路入力情報について処理終
了しているか否かを判断し（ステップ１３０７）、終了
している場合は終了とする。

【００７８】ここで、回路入力情報とは、ネットリスト
の外部入力端子に印加する入力値を時系列に示したもの
で、シミュレーション時刻とその際の各外部入力端子に
印加する論理信号値を１行に収め、それをシミュレーシ
ョン終了時刻まで記載したものである。

【００７９】判断ステップ１３０７で回路入力情報の全
ての行を処理終了していない場合は再び回路入力情報取
り出しステップ１３０３に戻り、同様のステップを繰り
返す。

【００８０】更にまた電源／パッケージ／測定系考慮電
流推定手段からフラグが送られてきていない場合は、再
びフラグが送られてきたかどうかをみる。

【００８１】また、電源／パッケージ／測定系考慮電流
推定手段における電流推定は、図１４に示すように、電
源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段における推
定結果の情報追加を監視するステップ１４０１と、監視
ステップで情報追加があったか否かを判断し（ステップ
１４０２）、追加があったと判断された場合は、追加電
流情報を読み込む（ステップ１４０３）。

【００８２】そして、電源／パッケージ／測定系のＲＬ
Ｃから定まる回路の追加電流情報のシミュレーション時
刻までの電流シミュレーションを行い、追加電流情報の
電流を印加する（ステップ１４０４）とともに、電源／
パッケージ／測定系考慮電流推定手段１０１１にフラグ
を送る（ステップ１４０５）。

【００８３】そしてフラグの送付が終了したかどうかを
判断し（ステップ１４０６）、終了した場合は、電流情
報をＦＦＴ処理し（ステップ１４０７）、出力情報を書
き出す（ステップ１４０８）。

【００８４】そしてフラグの送付が終了していない場合
は、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段にお
ける推定結果の情報追加を監視する監視ステップ１４０
１に戻り、再度後続ステップを繰り返す。

【００８５】実施形態２次に本発明の第２の実施形態について説明する。ここで
は、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段とし
てのゲートレベルの電流計算結果を後処理でトランジス
タレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セ
ル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲート
レベルで計算した後で、この計算値を電源ネットと組み
合わせてシミュレーションすることにより、電源ネット
の影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたもので
ある。

【００８６】図１５にゲートレベルの電流計算結果を後
処理でトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式
について説明する。ここでは図１２で説明した同期読み
出し動作における同期のために必要であった、電源／パ
ッケージ／測定系考慮電流推定手段から電源／パッケー
ジ／測定系非考慮電流推定手段へのフラグ伝播というス
テップをなくしただけで、他については図１２のステッ
プと同様である。

【００８７】ここで電源／パッケージ／測定系非考慮電
流推定手段１０１１の推定動作を図１６に示す。ここで
は回路入力情報１０１０を入力情報として読み込み（ス
テップ１６０１）、該当する回路入力情報を１行づつ取
り出し（ステップ１６０２）、この取り出した回路入力
情報をネットリスト１０２３に付加し、この時の電源電
流を計算しファイル書き込みを行う（ステップ１６０
３）。そして全ての回路入力情報について処理終了した
か否かを判断し（判断ステップ１６０４）、終了してい
ると判断されると推定動作を終了する。

【００８８】一方判断ステップ１６０４で終了していな
いと判断されると、再び回路入力情報を１行づつ取り出
すステップ１６０２に戻り、再び上記動作を繰り返す。
次に電源／パッケージ／測定系考慮電流推定手段１０２
５の推定動作を図１７に示す。まずシミュレーション時
刻を初期化し（ステップ１７０１）、回路入力情報１０
１０を入力情報として読み込み（ステップ１７０２）、
該当する回路入力情報を、電源／パッケージ／測定系の
ＲＬＣ情報に加えて電流情報を計算し（ステップ１７０
３）、前記電流情報をＦＦＴ処理する（ステップ１７０
４）。そしてこのようにして得られたＦＦＴ結果を出力
情報として書き出し（ステップ１７０５）、表示装置に
出力する。

【００８９】かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ
結果への影響を時系列的にも正確に表現することができ
る。またこのような非同期読み出しの場合は同期読み出
しに比べ、フラグを送らないため、フラグを送るという
処理をカットすることができ、これにより高速処理が可
能となる。

【００９０】実施形態３次に本発明の第３の実施形態について説明する。ここで
は、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段とし
てのゲートレベルの電流計算結果を非同期でトランジス
タレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セ
ル、ブロックあるいはＬＳＩに関する信号変化を記憶
し、この信号変化を固定間隔で読み込み、推定電流をＤ
／Ａ変換などにより電流源として表すと共に、電源ネッ
トと組み合わせてシミュレーションすることで電源ネッ
トの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたもの
である。

【００９１】図１５にゲートレベルの電流計算結果を非
同期で読み出す非同期読み出し動作を示すが、これは前
記実施形態２において説明した後処理でトランジスタレ
ベルの計算に反映させる動作方式と全く同様である。ま
た、ここで電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手
段１０１１の推定動作についても実施形態２で説明した
図１６に示す動作とまったく同様である。

【００９２】次に電源／パッケージ／測定系考慮電流推
定手段１０２５の推定動作を図１８に示す。まずシミュ
レーション時刻を０に初期化し（ステップ１８０１）、
当該シミュレーション時刻における回路入力情報１０１
１を入力情報として読み込み（ステップ１８０２：なお
ここでは回路情報がシミュレーション時刻と一致してい
なければ読み飛ばす）、該当する回路入力情報を、電源
／パッケージ／測定系のＲＬＣ情報に加える（ステップ
１８０３）。

【００９３】そしてシミュレーション単位時間の電流シ
ミュレーションを行い、電流値を得た後、シミュレーシ
ョン時刻を１進める（ステップ１８０４）。シミュレー
ション対象期間が終了したか否かを判断し（ステップ１
８０５）、終了した場合は、電流情報をＦＦＴ処理し
（ステップ１８０６）。そしてこのようにして得られた
ＦＦＴ結果を出力情報として書き出し（ステップ１８０
７）、表示装置に出力する。

【００９４】判断ステップ１８０５で終了していない場
合は、再度シミュレーション時刻の電流情報読み込みス
テップ１８０２に戻り、再度以下のフローの実行を繰り
返す。

【００９５】かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ
結果への影響を正確に表現することができる。またこの
ように工程間隔で読み込むことで電源／パッケージ／測
定系考慮ＦＦＴ推定手段としてのアナログ部の処理速度
に律速されることなく、電源／パッケージ／測定系非考
慮電流推定手段としてのディジタル部を計算することが
可能となる。

【００９６】実施形態４次に本発明の第４の実施形態について説明する。ここで
は、ゲートレベルの平均あるいは最大電流計算結果をト
ランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すな
わち、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段と
して、セル、ブロックあるいはＬＳＩに関する推定電流
をゲートレベルで計算し、この計算値を各サイクルごと
に平均化あるいは最大値計算したものを電流源として電
源ネットと組み合わせてシミュレーションすることによ
り、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るよ
うにしたものである。

【００９７】図１９に電源／パッケージ／測定系非考慮
電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を後
処理で電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ推定手段と
してのトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式
について説明する。ここでは実施形態１において図１２
で説明したものと同様であるが、図１９にブロック図を
示すように、電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定
手段（図示せず）から得られた測定系非考慮電源電流結
果１９０２の各サイクルごとの電流値を１サイクルに畳
込むように平均化あるいは最大値計算したものを等価電
流源とし、前記回路情報に前述の前記ＬＳＩチップに電
流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッ
ケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの
特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なく
とも１つの情報を解析制御情報として付加したＲＬＣ情
報１９０１を前記等価電流源に付加してシミュレーショ
ンするとともに、ＦＦＴ処理を行い推定結果を算出する
情報推定手段とを具備し、電源、パッケージおよび測定
系を考慮したＦＦＴ結果１９０４を出力するように構成
されている。

【００９８】ここで電源／パッケージ／測定系考慮電流
推定手段１９０３の推定動作を図２０に示す。ここでは
電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果と電源／パッ
ケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情報として読み込み
（ステップ２００１）、この入力電流情報を図２１に一
例を示すように、あらかじめ定められた時間間隔で分割
し（ステップ２００２）、分割した時間を基準にした相
対時間で全分割電流情報の平均値又は最大値を計算する
（ステップ２００３）。図２２は図２１に示す電流情報
を平均化した平均化電流を示す。図２１および図２２は
縦軸を電流値、横軸を時間とした。そしてこのようにし
て計算のなされた電流情報に前記電源／パッケージ／測
定系ＲＬＣ情報を反映させた補正電流情報をＦＦＴ処理
し（ステップ２００４）、計算されたＦＦＴ結果を出力
情報として書き出しを行う（ステップ２００５）。

【００９９】かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ
結果への影響を正確に表現することができる。また一定
間隔ごとの平均化又は最大値処理を行うことにより、高
速にノイズの影響を見積もることができる。

【０１００】実施形態５次に本発明の第５の実施形態について説明する。ここで
は、ゲートレベルの電流計算結果から対象周波数帯以外
の変化を除去し、トランジスタレベルの計算に反映させ
る方式をとる。すなわち、電源／パッケージ／測定系非
考慮電流推定手段として、セル、ブロックあるいはＬＳ
Ｉに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算
値をＦＦＴし、その結果から対象外の周波数帯を除外し
た後逆ＦＦＴしたものを電流源として電源ネットと組み
合わせてシミュレーションすることにより、電源ネット
の影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたもので
ある。

【０１０１】本発明は実施形態４のブロック図１９と同
じ構成を用いる。電源／パッケージ／測定系非考慮電流
推定手段（図示せず）から得られた測定系非考慮電源電
流結果１９０２をＦＦＴし、その結果から対象外の周波
数帯を除外した後逆ＦＦＴしたものを等価電流源とし、
前記回路情報に前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給す
る電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのも
つパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定
する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つの
情報を解析制御情報として付加したＲＬＣ情報１９０１
を前記等価電流源に付加してシミュレーションするとと
もに、ＦＦＴ処理を行い推定結果を算出する情報推定手
段とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮し
たＦＦＴ結果１９０４を出力するように構成されてい
る。

【０１０２】ここで電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦ
Ｔ電流推定手段１９０３の推定動作を図２４に示す。こ
こでは電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段
（図示せず）から得られた推定電流を入力するとともに
ＦＦＴ処理し（ステップ２４０１）、この入力情報か
ら、対象外の周波数帯を除外し（ステップ２４０２）、
あらかじめ定められた時間範囲の周波数帯域成分以外を
除外する処理を行い、これを逆ＦＦＴ処理し、電流波形
を算出する（ステップ２４０３）。

【０１０３】この後、電源／パッケージ／測定系のＲＬ
Ｃ回路にこの電流波形をもつ電流を与えた際の測定装置
における周波数応答を計算し（ステップ２４０４）、電
源、パッケージおよび測定系を考慮した電流値を出力情
報として出力する（ステップ２４０５）。

【０１０４】かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ
結果への影響を正確に表現することができる。またＦＦ
Ｔおよび逆ＦＦＴを行うことにより、電流源の情報を削
減しトランジスタレベルシミュレーションを短時間で終
わらせることが出来る。またイベントドリブンタイプで
あって効果的である。さらにブロックあるいは複数のＦ
ＦＴ結果からの解析も可能である。

【０１０５】なお、ステップ２４０２は省略してもよ
く、省略した場合にも逆ＦＦＴにより推定電流の情報を
圧縮できるという効果は残る。

【０１０６】実施形態６次に本発明の第６の実施形態について説明する。前記第
１乃至第５の実施形態では、回路情報から等価電源電流
情報を求め、解析制御情報および回路情報の総インピー
ダンスと組み合わせてシミュレーションを行なうように
したが、この方法では、電源、パッケージおよび測定系
の等価回路から総インピーダンスを算出し、この総イン
ピーダンスによって前記等価電源電流情報を補正すべき
関数を求め、前記等価電源電流情報の周波数スペクトル
をこの関数で演算し補正することにより、電源、パッケ
ージおよび測定系を考慮した電源電流情報の周波数スペ
クトルを求めるようにしたことを特徴とする。

【０１０７】ここでは、電源／パッケージ／測定系非考
慮電流推定手段としてのゲートレベルのＦＦＴ計算結果
を、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報から得られた
関数で演算させる方式をとる。すなわち、セル、ブロッ
クあるいはＬＳＩに関する推定電流をゲートレベルで計
算し、この計算値をＦＦＴし、電源／パッケージ／測定
系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を
電源／パッケージ／測定系非考慮電流結果に乗算処理す
ることで電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得
るようにしたものである。

【０１０８】図２３に電源／パッケージ／測定系非考慮
電流推定手段としてのゲートレベルのＦＦＴ計算結果
を、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報から得られた
関数で演算させる動作方式について説明する。ここでは
実施形態１において図１２で説明したものと同様である
が、図２３にブロック図を示すように、電源／パッケー
ジ／測定系非考慮電流ＦＦＴ結果２３０２として、電源
／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図示せず）
から得られた推定電流をＦＦＴ処理したものを用意す
る。そしてこれと前述の前記ＬＳＩチップに電流を供給
する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージの
もつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測
定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも１つ
の情報からなる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報２
３０１とから、電源、パッケージおよび測定系を考慮し
たＦＦＴ結果２３０４を出力するように構成されてい
る。

【０１０９】この電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ
電流推定手段２３０３の推定動作を図２６に示す。ここ
では電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図
示せず）から得られた推定電流をＦＦＴ処理したもの
と、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情報と
して（ステップ２６０１）、この電源／パッケージ／測
定系ＲＬＣ情報から、電源／パッケージ／測定系部分に
おける周波数応答を計算し（ステップ２６０２）、前記
電源／パッケージ／測定系非考慮電流のＦＦＴ結果に上
記周波数応答結果を乗算し（ステップ２６０３）、この
電流値を出力情報として出力する（ステップ２６０
４）。

【０１１０】この時の周波数応答結果を図２７に示す。
かかる構成によれば、電源／パッケージ／測定系の影響
を周波数スペクトルに反映させることができ、高速かつ
高精度の計算が可能となる。このように、ＦＦＴ電源ネ
ットのＦＦＴ結果への影響を正確に表現することができ
る。また周波数ごとの応答結果を乗算処理しているた
め、より高速処理が可能であり、またメモリ容量が少な
くてもよいという特徴を持つ。

【０１１１】実施形態７この例では実施形態６における電源／パッケージ／測定
系考慮ＦＦＴ電流推定手段２３０３の推定動作の変形例
を示す。前記実施形態６では電源／パッケージ／測定系
の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を電
源／パッケージ／測定系非考慮電流結果に乗算処理した
が、この例では、電源／パッケージ／測定系非考慮電流
結果のＦＦＴ結果について各周波数ごとの電源／パッケ
ージ／測定系の測定装置における周波数応答を計算し、
応答結果を累積処理することを特徴とするものである。

【０１１２】この電源／パッケージ／測定系考慮ＦＦＴ
電流推定手段２３０３の推定動作を図２５に示す。ここ
では電源／パッケージ／測定系非考慮電流推定手段（図
示せず）から得られた推定電流をＦＦＴ処理したＦＦＴ
結果と、電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を入力情
報として（ステップ２５０１）、このＦＦＴ結果から、
各周波数ごとの電流値（ノイズレベル）を選択し（ステ
ップ２５０２）、電源／パッケージ／測定系のＲＬＣ回
路に前記周波数をもつ電流値の振幅をもつ電流を与えた
際の測定装置における周波数周波数応答を計算し（ステ
ップ２５０３）、応答結果を累積処理する処理（ステッ
プ２５０４）を行い、全ての周波数について処理終了で
あるか否かを判断し（ステップ２５０５）、終了である
場合は、周波数応答の累積結果である電源、パッケージ
および測定系を考慮した周波数スペクトラムを出力情報
として出力する（ステップ２５０６）。

【０１１３】かかる構成によれば、電源ネットのＦＦＴ
結果への影響を正確に表現することができる。また周波
数ごとの応答結果を累積処理しているため、より高精度
に表現することが可能となる。

【０１１４】実施形態８この例は、解析処理方法に特徴を有するものである。す
なわち電源波形結果をライブラリとしてもち、回路全体
のＦＦＴ特性を算出するものである。

【０１１５】この装置は、あらかじめ、入出力条件、周
波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセル
もしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納した
ＦＦＴライブラリを具備したことを特徴とするものであ
る。

【０１１６】図２８に本発明の一実施形態に関わる不要
輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す
不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、
スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロック
の電流解析を行いこの結果を格納した電流波形ライブラ
リ２８０１と、ネットリスト２８０２と、回路入力情報
２８０３と、電流ＦＦＴ推定手段２８０４とからなり、
ＦＦＴ結果２８０５を出力するようにしたものである。

【０１１７】電流ＦＦＴ推定手段２８０４は、図２９に
示すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ス
テップ２９０１でネットリスト３００２に記憶されたネ
ットリスト情報と、回路入力情報３００３とを読みこ
む。

【０１１８】ついで、ステップ２９０２で各セルに対応
するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なま
り、回路入力情報を推定する。そしてさらにステップ２
９０３で各セルに対応するライブラリより、回路規模、
負荷容量、波形なまり、回路入力情報に対応した各電流
波形を呼び出し、これらを足しあわせて、電源電流結果
を計算する。

【０１１９】こののち、ステップ２９０４で、ＦＦＴを
行い、ステップ２９０５で出力情報の書き出しを行う。

【０１２０】すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦ
Ｔ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析
結果を計算するのではなく、ＦＦＴライブラリから各電
流波形を足しあわせることで、演算量を大幅に削減しな
がら、ＦＦＴ結果を得ることが出来る。

【０１２１】以上の方法により、ライブラリから対応す
る電源電流波形を取り出しＦＦＴ推定を行うことによ
り、電流計算やＦＦＴを省略することができ、高速化を
はかることができる。この方法は第１乃至第７の実施の
形態と組み合わせることで、さらに高速かつ少メモリで
ＦＦＴ結果を得、高速でＬＳＩ全体のノイズを影響を見
積もることが可能となる。

【０１２２】実施形態９この例は、ＦＦＴ結果をライブラリに持ち、回路全体の
ＦＦＴ特性を算出するものである。

【０１２３】すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波
数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルも
しくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したＦ
ＦＴライブラリを具備したことを特徴とするものであ
る。

【０１２４】図３０に本発明の一実施形態に関わる不要
輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す
不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、
スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロック
の電流解析を行いこの結果を格納したＦＦＴライブラリ
３００１と、ネットリスト３００２と、回路入力情報３
００３と、電流ＦＦＴ推定手段３００４とからなり、Ｆ
ＦＴ結果３００５を出力するようにしたものである。

【０１２５】電流ＦＦＴ推定手段３００４は、図３１に
示すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ス
テップ３１０１でネットリスト３１０２に記憶されたネ
ットリスト情報と、回路入力情報３１０３とを読みこ
む。

【０１２６】ついで、ステップ３１０２で各セルに対応
するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なま
り、回路入力情報を推定する。そしてさらにステップ３
1０３で各セルに対応するライブラリより、回路規模、
負荷容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT
結果を計算し、積算する。こののち、ステップ３１０４
で、出力情報の書き出しを行う。

【０１２７】すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦ
Ｔ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析
結果を計算するのではなく、ＦＦＴライブラリから各周
波数の電流成分を足しあわせることで、演算量を大幅に
削減しながら、ＦＦＴ結果を得ることが出来る。

【０１２８】以上の方法により、ライブラリから取り出
しＦＦＴ推定を行うことにより、電流計算やＦＦＴを省
略することができ、高速化をはかることができる。この
方法は第１乃至第７の実施の形態と組み合わせること
で、さらに高速かつ少メモリでＦＦＴ結果を得、高速で
ＬＳＩ全体のノイズを影響を見積もることが可能とな
る。

【０１２９】なお、この方法においては、あらかじめ入
出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメー
タとするセルもしくはブロックのＦＦＴ解析結果をライ
ブラリとしてもつようにしたが、静的解析あるいは動的
解析でＦＦＴデータを作成するようにしてもよい。（特
願平１１−１９６１９０、特願平１１−２００８４７）

【０１３０】またさらに推定しようとする範囲のＦＦＴ
結果に絞ることでデータ量を削減することも可能であ
る。

【０１３１】実施形態１０この例は、機能レベルの解析方法に関するものである。
すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容
量、スリュー、構成などをパラメータとしたクロックバ
ッファ、メモリ、ＦＦ，ＩＯのＦＦＴ解析結果をライブ
ラリとしてもち、機能記述から主要構成部分のみ仮に論
理合成し、ＦＦＴ結果を推定するようにしたことを特徴
とするものである。

【０１３２】図３２にこの不要輻射解析方法に用いられ
る装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入
出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成などをパ
ラメータとしたクロックバッファ、メモリ、ＦＦ，ＩＯ
のＦＦＴ解析結果を格納した機能記述用ライブラリ３２
０１と、機能記述３２０２を具備した機能記述部と、回
路入力情報３２０３と、機能記述ＦＦＴ推定手段３２０
４とからなり、機能記述ＦＦＴ結果３２０５を出力する
ようにしたものである。

【０１３３】機能記述ＦＦＴ推定手段３２０４は、図３
３に示すようなフローチャートで解析を実行する。ま
ず、ステップ３３０１で機能記述部に記憶された機能記
述３２０２と、回路入力情報３２０３とを読みこむ。

【０１３４】ついで、ステップ３３０２で機能記述から
図３４に示すようなクロックツリーメモリ、フリップフ
ロップ、入出力バッファなどの機能的グループ分けを行
う。そしてステップ３３０３で各グループに対応するラ
イブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路
入力情報を推定する。そしてさらにステップ３３０４で
各グループに対応するライブラリより、回路規模、負荷
容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT結果
を計算し、積算する。こののち、ステップ３３０５で、
出力情報の書き出しを行う。

【０１３５】すなわち、この例では、ＬＳＩ全体のＦＦ
Ｔ解析結果を計算する際には、全ての素子のＦＦＴ解析
結果を計算するのではなく、機能レベルでグループ分け
し、推定することにより、高速でＬＳＩ全体のノイズの
影響を見積もることが出来る。

【０１３６】実施形態１１この例は、ダイナミック解析とスタティック解析とのよ
い点を利用したハイブリッド解析方法に関するものであ
る。すなわち、あらかじめ推定手法を選択し、最適なＦ
ＦＴ結果推定を行うようにしたものである。図３５にこ
の不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図
に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線
容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネ
ットリスト３５０１から推定手法を選択する推定手法選
択手段３５０２と、選択された推定方法を組み合わせ
て、ＦＦＴ結果を推定する電源電流ＦＦＴ結果推定手段
３５０３とからなり、ＦＦＴ結果３５０４を出力するよ
うにしたものである。

【０１３７】推定手法選択手段３５０２は、図３６に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ３６０１で入力情報を読みこむ。

【０１３８】ついで、ステップ３６０２で各インスタン
スの消費電力を推定する。そしてステップ３６０３で消
費電力の高いインスタンスに高精度推定手法を用い、そ
れ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法
を選択する。

【０１３９】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１４０】実施形態１2 最初のステップで概略解析した後、ピークの大きい部分
をダイナミック解析を用いて詳細に解析するようにする
ことにより、高速でＬＳＩ全体のノイズの影響を見積も
ることが出来る。（図３７）

【０１４１】推定手法選択手段３５０２は、図３７に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ３７０１で入力情報を読みこむ。

【０１４２】ついで、ステップ３７０２で各インスタン
スのピーク電流を推定する。そしてステップ３７０３で
ピークの高いインスタンスに高精度推定手法を用い、そ
れ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法
を選択する。

【０１４３】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１４４】実施形態１３なお、最初のステップで消費電力量、ＦＦ／ＣＬＫ集中
から各ブロック毎に解析方法を選択するという方法をと
るようにしてもよい。（図３８）

【０１４５】推定手法選択手段３５０２は、図３８に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ３８０１で入力情報を読みこむ。

【０１４６】ついで、ステップ３８０２で各インスタン
スの消費電力を推定する。そしてステップ３８０３で各
ブロックグループ毎に消費電力の総和を計算し、ステッ
プ３８０４にピークの高いグループに高精度推定手法を
用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、
推定手法を選択する。

【０１４７】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。実施形態１４また、グループ毎のピーク電流の総和を計算し、ピーク
の高いグループに高精度推定手法を、それ以外に高速推
定手法を適用する手法をとるようにしてもよい。（図３
９）

【０１４８】推定手法選択手段３５０２は、図３９に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ３９０１で入力情報を読みこむ。

【０１４９】ついで、ステップ３９０２で各インスタン
スのピーク電流を推定する。そしてステップ３９０３で
各グループ毎にピーク電流の総和を計算し、ステップ３
９０４にピークの高いグループに高精度推定手法を用
い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推
定手法を選択する。

【０１５０】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１５１】実施形態１５グループ毎のフリップフロック・クロックバッファの個
数を計算し、個数の多いグループに高精度推定手法を、
それ以外に高速推定手法を適用する手法をとるようにし
てもよい。

【０１５２】推定手法選択手段３５０２は、図４０に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ４００１で入力情報を読みこむ。

【０１５３】ついで、ステップ４００２で、グループ毎
のフリップフロック・クロックバッファの個数を計算
し、各インスタンスの消費電力を推定する。そしてステ
ップ４００３で個数の多いグループに高精度推定手法を
用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、
推定手法を選択する。

【０１５４】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１５５】実施形態１６この例も、ダイナミック解析とスタティック解析とのよ
い点を利用したハイブリッド解析方法に関するものであ
る。すなわち、解析精度に応じて判断することにより、
あらかじめ推定手法を選択し、最適なＦＦＴ結果推定を
行うようにしたものである。図４１にこの不要輻射解析
方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射
解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュ
ー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト４
１０１と回路入力情報４１０２とから推定手法を選択す
る推定手法選択手段４１０３と、選択された推定方法を
組み合わせて、ＦＦＴ結果を推定する電源電流ＦＦＴ結
果推定手段４１０４とからなり、ＦＦＴ結果４１０５を
出力するようにしたものである。

【０１５６】推定手法選択手段４１０２は、図４２に示
すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ステ
ップ４２０１で入力情報を読みこむ。

【０１５７】ついで、ステップ４２０２で各インスタン
スの消費電力またはピーク電流を推定する。そしてステ
ップ４２０３で各インスタンスの変化回数を推定する。
そしてステップ４２０４で消費電力またはピーク電流と
変化回数とを積算し、この積算値の高いインスタンスに
高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用
するようにして、推定手法を選択する。

【０１５８】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１５９】実施形態１７また、高速推定手法で周波数スペクトルを計算し、ピー
クの高い個所に高精度推定手法を再適用するようにして
もよい。すなわち図４３にそのフローチャートを示すよ
うに、推定手法選択手段４１０２は、解析を実行する。
まず、ステップ４３０１で入力情報を読みこむ。

【０１６０】ついで、ステップ４３０２で高速推定手法
で周波数スペクトル（ＦＦＴ結果）を計算する。そして
ステップ４３０３でピークの高い個所に高精度推定手法
を再適用し、推定手法を選択する。

【０１６１】このようにして、高速かつ高精度処理を行
うことが可能となる。

【０１６２】実施形態１８次にインクリメント計算を用いた不要輻射解析方法につ
いて説明する。修正時には再計算が必要であり、非常に
時間がかかるという問題があり、本実施形態では、これ
を解決するためになされたもので差分のみを演算するこ
とにより、高速化を図るようにしたことを特徴とする。
図４４にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を
示す。同図に示す不要輻射解析装置は、電源／パッケー
ジ／測定系のＲＬＣ情報４４０１と電源パッケージ非考
慮のＦＦＴにより得られた周波数スペクトル４４０５
と、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、
必要とする精度などに応じてネットリスト４４０２およ
び変更点を示す変更点情報４４０３とを、電源パッケー
ジ考慮ＦＦＴ再推定手段４４０４で、ＦＦＴ結果を推定
し、ＦＦＴ結果４４０６を出力するようにしたものであ
る。

【０１６３】再推定手法選択手段４４０４は、図４５に
示すようなフローチャートで解析を実行する。まず、ス
テップ４５０１で入力情報を読みこむ。

【０１６４】ついで、ステップ４５０２で変更箇所が電
源であるかどうかを判断し、電源である場合は、電源考
慮ＦＦＴ解析を実行する（ステップ４５０４）。電源で
ない場合は、変更箇所のみ電源非考慮ＦＦＴ解析により
置き換え（ステップ４５０３）、ついで電源考慮ＦＦＴ
解析を実行する（ステップ４５０４）。

【０１６５】このようにして、高速処理を行うことが可
能となる。

【０１６６】

【発明の効果】本発明は、不要輻射の主要因とも言える
電源電流の解析において、当該ＬＳＩチップの回路情報
から理想電源において電源電流に流れる等価電源電流情
報を算出する工程と、前記等価電源電流情報に、前記Ｌ
ＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導
体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記
半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報
のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報として考
慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させたた
総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程と、前
記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、シミュ
レーションを実行するシミュレーション工程とを含むこ
とを特徴とする。

【０１６７】上記構成によれば、電源／パッケージ／測
定系に起因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度
に解析することが出来る。

【０１６８】そして電源及びグランドの抵抗、容量、イ
ンダクタンスによるデカップリングの影響を、ハイブリ
ッド解析を、電源電流計算に反映することにより高速性
と高精度化を両立させ、シミュレーション上においてＬ
ＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価することを可能に
する。さらには、ＥＭＩ発生個所の特定を支援すること
による効率的なＥＭＩ対策をも可能にするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における不要輻射解
析方法を実現するための構成を示すブロック図

【図２】本発明の第１の実施の形態における不要輻射解
析方法を実現するためのフローチャート図

【図３】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で
用いられるネットリストの一例を示す図

【図４】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で
用いられる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を示す
等価回路図

【図５】第１の実施の形態における不要輻射解析方法で
得られた周波数スペクトルの一例

【図６】推定電源電流モデルの波形モデルを示す図

【図７】本発明の第1の実施形態の電源／パッケージ／
測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用い
て実現する際に用いられる最適なモデリングです波形モ
デルを示す図

【図８】本発明の第1の実施形態でもちいられるデータ
の一例を示す図

【図９】本発明の第1の実施形態で等価電源電流の算出
方法を示す説明図

【図１０】本発明の第1の実施形態でもちいられるズ8の
データに対応した周波数スペクトルデータの一例を示す
図

【図１１】第１の実施の形態における不要輻射解析方法
で用いられる電源／パッケージ／測定系ＲＬＣ情報を示
す等価回路図

【図１２】本発明の第１の実施の形態における詳細周波
数記憶手段のデータ例を示す図

【図１３】本発明の第１の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフロ
ーチャート図

【図１４】本発明の第１の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図１５】本発明の第２の実施の形態における同期読み
出し方法を示すフローチャート図

【図１６】本発明の第２の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフロ
ーチャート図

【図１７】本発明の第２の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図１８】本発明の第３の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図１９】本発明の第４の実施の形態におけるＦＦＴ解
析のフローチャート図

【図２０】本発明の第４の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図２１】本発明の第４の実施の形態における電流情報
を示す図

【図２２】本発明の第４の実施の形態における平均化電
流情報を示す図

【図２３】本発明の第５の実施の形態におけるＦＦＴ解
析のフローチャート図

【図２４】本発明の第５の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図２５】本発明の第７の実施の形態における周波数応
答結果を示す図

【図２６】本発明の第６の実施の形態における電源／パ
ッケージ／測定系考慮推定手段の推定方法を示すフロー
チャート図

【図２７】本発明の第６の実施の形態における周波数応
答結果を示す図

【図２８】本発明の第８の実施の形態における不要輻射
解析方法を実現するための構成を示すブロック図

【図２９】本発明の第８の実施の形態におけるＦＦＴ推
定手段の推定方法を示すフローチャート図

【図３０】本発明の第９の実施の形態における不要輻射
解析方法を実現するための構成を示すブロック図

【図３１】本発明の第９の実施の形態におけるＦＦＴ推
定手段の推定方法を示すフローチャート図

【図３２】本発明の第１０の実施の形態における不要輻
射解析方法を実現するための構成を示すブロック図

【図３３】本発明の第１０の実施の形態におけるＦＦＴ
推定手段の推定方法を示すフローチャート図

【図３４】本発明の第１０の実施の形態における機能記
述の一例を示す図

【図３５】本発明の第１１の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すブロック図

【図３６】本発明の第１１の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図３７】本発明の第１２の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図３８】本発明の第１３の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図３９】本発明の第１４の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図４０】本発明の第１５の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図４１】本発明の第１６の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を実行するための装置ブロ
ック図

【図４２】本発明の第１６の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図４３】本発明の第１７の実施の形態におけるハイブ
リッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図

【図４４】本発明の第１８の実施の形態におけるインク
リメンタル解析を用いた推定方法を実行するための装置
を示すブロック図

【図４５】本発明の第１８の実施の形態におけるインク
リメンタル解析を用いた推定方法を示すフローチャート
図

【図４６】従来例の不要輻射解析方法を実現するための
概念構成を示すブロック図

【図４７】従来例のトランジスタレベルの不要輻射解析
方法を実現するための概念構成を示すブロック図

【符号の説明】

１０１回路情報１０２解析制御入力部１０３不要輻射シミュレーション部１０４解析情報表示部１０５最適化制御入力部１０６不要輻射最適化部１０７最適化情報表示部

【手続補正書】

【提出日】平成１３年７月３１日（２００１．７．３
１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】本発明の１５は、請求項１４に記載の不要
輻射解析方法において、前記畳込み工程は、あらかじめ
定めた間隔ごとの補正等価電源電流情報を時系列で平均
化もしくは最大化することを特徴とする。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５０】本発明の１９は、請求項１８に記載の不要
輻射解析方法において、前記クロック同期部はフリップ
フロップもしくはクロックバッファもしくは同期メモリ
であることを特徴とする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大橋達夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社 (72)発明者溝川卓大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社 (72)発明者辻川洋行大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社Ｆターム(参考） 2G032 AA00 AB20 AC08 AD01 AD03 AD04 AE07 AE08 AE09 AE10 AL00 5B046 AA08 BA04 JA10 KA06 5F064 BB07 BB12 BB19 BB26 EE43 EE45 EE52 EE54 HH09 HH10 HH12 HH13 HH14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＬＳＩの不要輻射量を解析する方法であっ
て、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価
電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出工程と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前
記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報およ
び前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定
系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報と
して考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映さ
せた総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程
と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、解析
を実行する総合情報解析工程とを含むことを特徴とする
不要輻射解析方法。
【請求項２】前記見積もり工程は、前記回路情報に前記
解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、こ
れを総合情報として総合情報解析工程に出力する工程で
あることを特徴とする請求項1に記載の不要輻射解析方
法。
【請求項３】前記解析制御情報は、前記ＬＳＩチップに
電流を供給する電源の電源情報と、前記半導体チップの
パッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チッ
プの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少
なくとも１つとを含むことを特徴とする請求項１または
２に記載の不要輻射解析方法。
【請求項４】前記解析制御情報は、前記ＬＳＩチップに
電流を供給する電源の電源情報と、前記半導体チップの
パッケージのもつパッケージ情報と、前記半導体チップ
の特性を測定する測定系のもつ測定系情報とを含むこと
を特徴とする請求項１または２に記載の不要輻射解析方
法。
【請求項５】前記総合情報解析工程は、前記総合情報に
前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションする
シミュレーション工程であることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
【請求項６】前記総合情報解析工程は、前記総合情報を
反映して前記等価電源電流情報を補正した補正等価電源
電流情報を求める工程とその周波数スペクトルを計算す
る周波数スペクトル計算工程を含むことを特徴とする請
求項１乃至５のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
【請求項７】前記等価電源電流情報算出工程は、周波数
スペクトルを計算する周波数スペクトル計算工程を含む
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の不
要輻射解析方法
【請求項８】前記総合情報解析工程は、前記総合情報か
ら前記等価電源電流情報を補正すべき補正関数を求め、
前記等価電源電流情報をこの補正関数で演算する工程で
あることを特徴とする請求項1乃至４および７のいずれ
かに記載の不要輻射解析方法。
【請求項９】前記等価電源電流情報算出工程は、信号変化の発生時に生成され、発生対象である前記ＬＳ
Ｉチップの各セルのインスタンス名、その信号名、発生
時刻、遷移情報を含む各イベント情報と、前記見積もり
工程で見積もられた前記総合情報を考慮して瞬間的な電
流量を算出する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従っ
てモデル化するモデル化工程とを含むことを特徴とする
請求項1乃至８のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
【請求項１０】前記モデル化工程は、将棋型の電流波形
を累積する工程であることを特徴とする請求項９に記載
の不要輻射解析方法。
【請求項１１】前記シミュレーション工程は、等価電源
電流情報算出工程と同期する工程を含むことを特徴とす
る請求項５に記載の不要輻射解析方法。
【請求項１２】前記シミュレーション工程は、等価電源
電流情報への情報追加タイミングに同期して繰り返し実
行する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の不
要輻射解析方法。
【請求項１３】前記シミュレーション工程は、等価電源
電流情報をあらかじめ定めた間隔で読み込む工程を含む
ことを特徴とする請求項５に記載の不要輻射解析方法。
【請求項１４】前記周波数スペクトル計算工程は、補正
等価電源電流情報をあらかじめ定めた間隔で畳み込む畳
込み工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の不要
輻射解析方法。
【請求項１５】前記畳込み工程は、あらかじめ定めた間
隔ごとの補正等価電源電流情報を時系列で平均化もしく
は最大化することを特徴とする請求項１３に記載の不要
輻射解析方法。
【請求項１６】前記等価電源電流情報算出工程は、あら
かじめ算出された前記回路情報の各部分の等価電源電流
情報であるライブラリ情報の累積を計算するライブラリ
累積工程であることを特徴とする請求項１乃至１５のい
ずれかに記載の不要輻射解析方法
【請求項１７】前記ライブラリ情報は、前記回路情報の
各部分の入力信号情報もしくは出力信号情報もしくは出
力容量のいずれかの関数もしくはテーブルであることを
特徴とする請求項１６に記載の不要輻射解析方法
【請求項１８】前記ライブラリ情報は前記回路情報をク
ロックに同期するクロック同期部とクロックに同期しな
いクロック非同期部に１つ以上分割した部分の情報であ
ることを特徴とする請求項１６に記載の不要輻射解析方
法
【請求項１９】前記クロック同期部はフリップフロップ
もしくはクロックバッファもしくは同期メモリであるこ
とを特徴とする請求項１７に記載の不要輻射解析方法
【請求項２０】前記ライブラリ累積工程は前記回路情報
より回路情報のどの部分がライブラリに対応しているか
を類推する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記
載の不要輻射解析方法
【請求項２１】前記等価電源電流情報算出工程は、前記
回路情報の部分回路情報に基づき、高速な等価電源電流
情報算出方法と高精度な等価電源電流情報算出方法を選
択する算出方法決定工程を含むことを特徴とする請求項
１乃至１６に記載の不要輻射解析方法
【請求項２２】前記等価電源電流情報算出工程は、既に
解析された等価電源電流情報との前記回路情報の差分に
基づき前記差分のみの電源電流情報を算出する差分電源
電流算出工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１
６、２１のいずれかに記載の不要輻射解析方法
【請求項２３】更に前記総合情報解析工程で得られた結
果を解析情報として表示する解析情報表示工程とを具備
したことを特徴とする請求項1乃至１６、２１または２
２のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
【請求項２４】更に前記総合情報解析工程で得られた結
果に基づいて、不要輻射を低減するように回路情報を最
適化する最適化工程とを含むことを特徴とする請求項1
乃至１６、２１乃至２３のいずれかに記載の不要輻射解
析方法。
【請求項２５】更に前記最適化工程で得られた回路情報
を最適化情報として表示する最適化情報表示工程とを含
むことを特徴とする請求項２４に記載の不要輻射解析方
法。
【請求項２６】ＬＳＩの不要輻射量を解析する不要輻射
解析装置であって、当該ＬＳＩチップの回路情報から電源電流に流れる等価
電源電流情報を算出する等価電源電流情報算出手段と、前記ＬＳＩチップに電流を供給する電源の電源情報、前
記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報およ
び前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定
系情報のうちの少なくとも１つの情報を解析制御情報と
して考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映さ
せた総合情報を等価回路として見積もる見積もり手段
と、前記見積もり手段で見積もられた総合情報に従い、解析
を実行する総合情報解析手段とを含むことを特徴とする
不要輻射解析装置。
【請求項２７】前記見積もり手段は、前記回路情報に前
記解析制御情報を付加して総インピーダンスを算出し、
これを総合情報として総合情報解析手段に出力するよう
に構成されていることを特徴とする請求項２６に記載の
不要輻射解析装置。
【請求項２８】前記総合情報解析手段は、前記総合情報
に前記等価電源電流情報を付加してシミュレーションす
るシミュレーション手段であることを特徴とする請求項
２６または２７に記載の不要輻射解析装置。