JP2002162337A - 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ - Google Patents
集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ナノチューブ探針を固定し、切断し、しかも
他種類の原子の注入等でナノチューブ探針の材質改善を
行うことができる走査型顕微鏡用プローブを実現する。 【解決手段】 本発明に係る集束イオンビームによる走
査型顕微鏡用プローブは、カンチレバー４に固着したナ
ノチューブ探針１２の先端１４ａにより試料表面の物性
情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおいて、集束イオ
ンビーム装置２内でイオンビームＩにより有機ガスＧを
分解し、生成した分解成分の堆積物１８によりナノチュ
ーブ１２とカンチレバー４を固着することを特徴として
いる。また、集束イオンビームＩを用いて、ナノチュー
ブ先端部１４に付着した不要堆積物２４を除去したり、
ナノチューブの不要部分を切断して探針の長さ制御を行
ったり、ナノチューブ先端部１４にイオンを注入してそ
のナノチューブ探針の改質を行える走査型顕微鏡用プロ
ーブを提供する。
他種類の原子の注入等でナノチューブ探針の材質改善を
行うことができる走査型顕微鏡用プローブを実現する。 【解決手段】 本発明に係る集束イオンビームによる走
査型顕微鏡用プローブは、カンチレバー４に固着したナ
ノチューブ探針１２の先端１４ａにより試料表面の物性
情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおいて、集束イオ
ンビーム装置２内でイオンビームＩにより有機ガスＧを
分解し、生成した分解成分の堆積物１８によりナノチュ
ーブ１２とカンチレバー４を固着することを特徴として
いる。また、集束イオンビームＩを用いて、ナノチュー
ブ先端部１４に付着した不要堆積物２４を除去したり、
ナノチューブの不要部分を切断して探針の長さ制御を行
ったり、ナノチューブ先端部１４にイオンを注入してそ
のナノチューブ探針の改質を行える走査型顕微鏡用プロ
ーブを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブ、ＢＣＮ（炭窒化ホウ素）系ナノチューブ、ＢＮ
（窒化ホウ素）系ナノチューブ等のナノチューブを探針
として用いて試料表面の構造を撮像する走査型顕微鏡用
プローブに関し、更に詳細には、集束イオンビーム装置
を用いたナノチューブの固定化・清浄化・切断等の加工
により製造された集束イオンビーム加工による走査型顕
微鏡用プローブに関する。
ーブ、ＢＣＮ（炭窒化ホウ素）系ナノチューブ、ＢＮ
（窒化ホウ素）系ナノチューブ等のナノチューブを探針
として用いて試料表面の構造を撮像する走査型顕微鏡用
プローブに関し、更に詳細には、集束イオンビーム装置
を用いたナノチューブの固定化・清浄化・切断等の加工
により製造された集束イオンビーム加工による走査型顕
微鏡用プローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡＦＭで略称される原子間力顕微鏡によ
り試料表面の構造を撮像するには、試料表面に接触させ
て信号を取り出す探針が必要である。従来、この探針と
してはカンチレバー部の先端に突出部（ピラミッド部と
も呼ぶ）を形成したシリコン製又はシリコンナイトライ
ド製のカンチレバーが知られている。
り試料表面の構造を撮像するには、試料表面に接触させ
て信号を取り出す探針が必要である。従来、この探針と
してはカンチレバー部の先端に突出部（ピラミッド部と
も呼ぶ）を形成したシリコン製又はシリコンナイトライ
ド製のカンチレバーが知られている。
【０００３】従来のカンチレバーは、リソグラフィ、エ
ッチング等のマイクロファブリケーション技術を用いて
作成されている。このカンチレバーは、突出部の先端で
試料表面の原子間力を検出するから、先端の先鋭度によ
り撮像精度が決まってしまう。そこで、探針となる突出
部先端の先鋭加工には、半導体加工技術である酸化工程
と酸化膜のエッチング工程が利用されている。しかし、
現在の半導体加工技術にも微小化の限界があるため、前
記突出部先端の先鋭度にも物理的限界があった。
ッチング等のマイクロファブリケーション技術を用いて
作成されている。このカンチレバーは、突出部の先端で
試料表面の原子間力を検出するから、先端の先鋭度によ
り撮像精度が決まってしまう。そこで、探針となる突出
部先端の先鋭加工には、半導体加工技術である酸化工程
と酸化膜のエッチング工程が利用されている。しかし、
現在の半導体加工技術にも微小化の限界があるため、前
記突出部先端の先鋭度にも物理的限界があった。
【０００４】一方、新規な炭素構造としてカーボンナノ
チューブが発見された。このカーボンナノチューブは、
直径が約１ｎｍから数十ｎｍ、長さが数μｍであり、ア
スペクト比（長さ／直径）は１００〜１０００程度にな
る。現在の半導体技術では直径が１ｎｍの探針を作成す
ることは困難であり、この点から考えると、カーボンナ
ノチューブはＡＦＭ用探針として最高の条件を備えてい
る。
チューブが発見された。このカーボンナノチューブは、
直径が約１ｎｍから数十ｎｍ、長さが数μｍであり、ア
スペクト比（長さ／直径）は１００〜１０００程度にな
る。現在の半導体技術では直径が１ｎｍの探針を作成す
ることは困難であり、この点から考えると、カーボンナ
ノチューブはＡＦＭ用探針として最高の条件を備えてい
る。
【０００５】このような中で、Ｈ．Ｄａｉ等はＮＡＴＵ
ＲＥ（Ｖｏｌ．３８４，１４ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９
９６）においてカーボンナノチューブをカンチレバーの
突出部の先端に張り付けたＡＦＭ用プローブを報告し
た。彼らのプローブは画期的ではあったが、カーボンナ
ノチューブを突出部に付着させたものに過ぎないため、
試料表面を何回か走査している間にカーボンナノチュー
ブが突出部から脱落してしまう性質があった。
ＲＥ（Ｖｏｌ．３８４，１４ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９
９６）においてカーボンナノチューブをカンチレバーの
突出部の先端に張り付けたＡＦＭ用プローブを報告し
た。彼らのプローブは画期的ではあったが、カーボンナ
ノチューブを突出部に付着させたものに過ぎないため、
試料表面を何回か走査している間にカーボンナノチュー
ブが突出部から脱落してしまう性質があった。
【０００６】本発明者等はこの弱点を解決するために、
カーボンナノチューブをカンチレバーの突出部に強固に
固着させる固定方法を開発するに到った。この開発の成
果は特開２０００−２２７４３５号及び特開２０００−
２４９７１２号として既に公開されている。
カーボンナノチューブをカンチレバーの突出部に強固に
固着させる固定方法を開発するに到った。この開発の成
果は特開２０００−２２７４３５号及び特開２０００−
２４９７１２号として既に公開されている。
【０００７】前記第１の固定方法は、電子顕微鏡の中で
カーボンナノチューブの基端部に電子ビームを照射して
コーティング膜を形成し、このコーティング膜によりカ
ーボンナノチューブをカンチレバー突出部に被覆固定す
る方法である。第２の固定方法は、電子顕微鏡の中でカ
ーボンナノチューブの基端部に電子ビーム照射又は通電
して、カーボンナノチューブ基端部をカンチレバー突出
部に融着固定する方法である。
カーボンナノチューブの基端部に電子ビームを照射して
コーティング膜を形成し、このコーティング膜によりカ
ーボンナノチューブをカンチレバー突出部に被覆固定す
る方法である。第２の固定方法は、電子顕微鏡の中でカ
ーボンナノチューブの基端部に電子ビーム照射又は通電
して、カーボンナノチューブ基端部をカンチレバー突出
部に融着固定する方法である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】電子顕微鏡により対象
物を拡大しながら電子ビームによりナノチューブ基端部
を被覆又は融着して固定する方法は極めて巧妙な方法で
ある。しかし、電子顕微鏡の電子ビームのエネルギー強
度には限界があり、このことはコーティング被膜の被膜
強度や融着強度に限界をもたらす結果、一定以上の固着
強度を得ることは難しかった。
物を拡大しながら電子ビームによりナノチューブ基端部
を被覆又は融着して固定する方法は極めて巧妙な方法で
ある。しかし、電子顕微鏡の電子ビームのエネルギー強
度には限界があり、このことはコーティング被膜の被膜
強度や融着強度に限界をもたらす結果、一定以上の固着
強度を得ることは難しかった。
【０００９】また、アーク放電等で生成されるナノチュ
ーブの長さは種々雑多であり、最終的にナノチューブの
長さを揃えて、プローブ製品の特性の均一化を図る必要
がある。ところが、電子顕微鏡の制限から、ナノチュー
ブの切断加工には難点があり、ナノチューブの長さ制御
は十分に行えなかった。
ーブの長さは種々雑多であり、最終的にナノチューブの
長さを揃えて、プローブ製品の特性の均一化を図る必要
がある。ところが、電子顕微鏡の制限から、ナノチュー
ブの切断加工には難点があり、ナノチューブの長さ制御
は十分に行えなかった。
【００１０】更に、電子顕微鏡は電子ビームを扱う装置
であるから、電子ビーム照射はできるが、探針であるナ
ノチューブの中に他の物質原子を拡散させたりイオン注
入したりすることはできず、カーボンナノチューブ探針
自体の材質改善はなかなかできないという状況にあっ
た。
であるから、電子ビーム照射はできるが、探針であるナ
ノチューブの中に他の物質原子を拡散させたりイオン注
入したりすることはできず、カーボンナノチューブ探針
自体の材質改善はなかなかできないという状況にあっ
た。
【００１１】また、電子顕微鏡の本来の目的は、真空に
引かれた清浄な撮像室内で対象物を電子レンズにより拡
大撮像することである。しかし、この電子顕微鏡装置内
に有機ガスを流して分解したりすると、清浄であるべき
鏡筒や撮像室が有機ガスや分解ガスで汚染されることに
なる。この汚染ガスが壁面に吸着され再放出されると、
清浄であるべきカンチレバー表面に吸着される事態とな
る。しかし、電子ビームによってこの汚染吸着物質を除
去することは困難であり、ナノチューブ探針の製造にお
ける電子顕微鏡装置の限界を示していた。
引かれた清浄な撮像室内で対象物を電子レンズにより拡
大撮像することである。しかし、この電子顕微鏡装置内
に有機ガスを流して分解したりすると、清浄であるべき
鏡筒や撮像室が有機ガスや分解ガスで汚染されることに
なる。この汚染ガスが壁面に吸着され再放出されると、
清浄であるべきカンチレバー表面に吸着される事態とな
る。しかし、電子ビームによってこの汚染吸着物質を除
去することは困難であり、ナノチューブ探針の製造にお
ける電子顕微鏡装置の限界を示していた。
【００１２】従って、本発明の目的は、ナノチューブを
カンチレバー突出部に固定する装置として電子顕微鏡以
外の装置を見出し、ナノチューブ探針を固定し、切断
し、しかも他種類の原子の注入等でナノチューブ探針の
材質改善を行うことができる走査型顕微鏡用プローブを
提供することである。
カンチレバー突出部に固定する装置として電子顕微鏡以
外の装置を見出し、ナノチューブ探針を固定し、切断
し、しかも他種類の原子の注入等でナノチューブ探針の
材質改善を行うことができる走査型顕微鏡用プローブを
提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、カン
チレバーに固着したナノチューブ探針の先端により試料
表面の物性情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおい
て、集束イオンビーム装置内でイオンビームにより有機
ガスを分解し、生成した分解成分の堆積物によりナノチ
ューブとカンチレバーを固着することを特徴とした集束
イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブであ
る。
チレバーに固着したナノチューブ探針の先端により試料
表面の物性情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおい
て、集束イオンビーム装置内でイオンビームにより有機
ガスを分解し、生成した分解成分の堆積物によりナノチ
ューブとカンチレバーを固着することを特徴とした集束
イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブであ
る。
【００１４】請求項２の発明は、前記有機ガスとして、
炭化水素系ガスを使用する請求項１に記載の走査型顕微
鏡用プローブである。
炭化水素系ガスを使用する請求項１に記載の走査型顕微
鏡用プローブである。
【００１５】請求項３の発明は、前記有機ガスとして、
有機金属ガスを使用する請求項１に記載の走査型顕微鏡
用プローブである。
有機金属ガスを使用する請求項１に記載の走査型顕微鏡
用プローブである。
【００１６】請求項４の発明は、前記カンチレバーとし
て、シリコンカンチレバー、シリコンナイトライドカン
チレバー又は導電性物質をコートしたカンチレバーを用
いる請求項１に記載の走査型顕微鏡用プローブである。
て、シリコンカンチレバー、シリコンナイトライドカン
チレバー又は導電性物質をコートしたカンチレバーを用
いる請求項１に記載の走査型顕微鏡用プローブである。
【００１７】請求項５の発明は、カンチレバーに固着し
たナノチューブ探針の所要領域にイオンビームを照射し
て、この所要領域にある不要物質を除去することを特徴
とする集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プロ
ーブである。
たナノチューブ探針の所要領域にイオンビームを照射し
て、この所要領域にある不要物質を除去することを特徴
とする集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プロ
ーブである。
【００１８】請求項６の発明は、前記不要物質がナノチ
ューブ探針の先端部に堆積した不要堆積物又はナノチュ
ーブ基端部付近に堆積した不要堆積物である請求項５に
記載の走査型顕微鏡用プローブである。
ューブ探針の先端部に堆積した不要堆積物又はナノチュ
ーブ基端部付近に堆積した不要堆積物である請求項５に
記載の走査型顕微鏡用プローブである。
【００１９】請求項７の発明は、カンチレバーに固着し
たナノチューブ探針の先端部にイオンビームを照射して
その不要部分を切断し、ナノチューブ探針の先端部長さ
を制御することを特徴とする集束イオンビーム加工によ
る走査型顕微鏡用プローブである。
たナノチューブ探針の先端部にイオンビームを照射して
その不要部分を切断し、ナノチューブ探針の先端部長さ
を制御することを特徴とする集束イオンビーム加工によ
る走査型顕微鏡用プローブである。
【００２０】請求項８の発明は、前記不要部分の切断で
は、ナノチューブを垂直又は斜め方向に切断する請求項
７に記載の走査型顕微鏡用プローブである。
は、ナノチューブを垂直又は斜め方向に切断する請求項
７に記載の走査型顕微鏡用プローブである。
【００２１】請求項９の発明は、カンチレバーに固着し
たナノチューブ探針の先端部の所要領域にイオンを打ち
込んで探針の物理的・化学的性質を変えることを特徴と
する集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プロー
ブである。
たナノチューブ探針の先端部の所要領域にイオンを打ち
込んで探針の物理的・化学的性質を変えることを特徴と
する集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プロー
ブである。
【００２２】請求項１０の発明は、前記イオン種がフッ
素、ボロン、ガリウム又はリンである請求項９に記載の
走査型顕微鏡用プローブである。
素、ボロン、ガリウム又はリンである請求項９に記載の
走査型顕微鏡用プローブである。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明者等は電子顕微鏡に代わる
装置について鋭意検討した結果、電子ビームに代えてイ
オンビームを用いることを着想し、特にイオンビームを
自在に集束して対象物を加工できる集束イオンビーム装
置（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ装置と
も略称する）を利用することを想到するに到った。
装置について鋭意検討した結果、電子ビームに代えてイ
オンビームを用いることを着想し、特にイオンビームを
自在に集束して対象物を加工できる集束イオンビーム装
置（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ装置と
も略称する）を利用することを想到するに到った。
【００２４】このＦＩＢ装置は、種々の原子をイオン化
し、そのイオンに電界を印加して加速させ、このイオン
ビームを電界レンズで集束させながらビーム断面を超微
小化して高エネルギー密度にし、この集束イオンビーム
をターゲットに照射してターゲットを加工する装置であ
る。従って、イオン源、加速装置、ビーム集束装置、ビ
ーム走査装置等の部分装置から構成される。
し、そのイオンに電界を印加して加速させ、このイオン
ビームを電界レンズで集束させながらビーム断面を超微
小化して高エネルギー密度にし、この集束イオンビーム
をターゲットに照射してターゲットを加工する装置であ
る。従って、イオン源、加速装置、ビーム集束装置、ビ
ーム走査装置等の部分装置から構成される。
【００２５】加速装置により印加電圧を自由に調整で
き、イオンビームのエネルギーを任意に設定できる。イ
オンビームのエネルギーを調整して、ナノチューブの各
種の加工ができる。本発明では、ＦＩＢ装置の反応室に
導入された有機ガスをイオンビームにより分解する。ナ
ノチューブの基端部をカンチレバーの突出部に付着させ
て反応室内に配置しておくと、この基端部上に前記分解
ガスが堆積し、この分解堆積物によりナノチューブがカ
ンチレバー突出部に強固に固着できる。このようにして
本発明に係る集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡
用プローブが作成される。
き、イオンビームのエネルギーを任意に設定できる。イ
オンビームのエネルギーを調整して、ナノチューブの各
種の加工ができる。本発明では、ＦＩＢ装置の反応室に
導入された有機ガスをイオンビームにより分解する。ナ
ノチューブの基端部をカンチレバーの突出部に付着させ
て反応室内に配置しておくと、この基端部上に前記分解
ガスが堆積し、この分解堆積物によりナノチューブがカ
ンチレバー突出部に強固に固着できる。このようにして
本発明に係る集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡
用プローブが作成される。
【００２６】有機ガスが炭化水素系ガスの場合には、前
記分解堆積物は炭素堆積物になり、この炭素堆積物によ
りナノチューブと突出部とが固定される。有機ガスが有
機金属ガスの場合には、前記分解堆積物は金属堆積物と
なり、この金属堆積物によりナノチューブと突出部とが
導通状態で固定される。
記分解堆積物は炭素堆積物になり、この炭素堆積物によ
りナノチューブと突出部とが固定される。有機ガスが有
機金属ガスの場合には、前記分解堆積物は金属堆積物と
なり、この金属堆積物によりナノチューブと突出部とが
導通状態で固定される。
【００２７】前記炭化水素系物質としては、メタン系炭
化水素、エチレン系炭化水素、アセチレン系炭化水素、
環状炭化水素などがあり、具体的にはエチレンやアセチ
レンなど比較的分子量の小さな炭化水素が好ましい。
化水素、エチレン系炭化水素、アセチレン系炭化水素、
環状炭化水素などがあり、具体的にはエチレンやアセチ
レンなど比較的分子量の小さな炭化水素が好ましい。
【００２８】また、前記有機金属ガスとしては、例えば
Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２（ｈｆａｃ：ｈｅｘ
ａ−ｆｌｕｏｒｏ−ａｃｅｔｙｌ−ａｃｅｔｏｎａｔ
ｅ）、（ＣＨ３）２ＡｌＨ、Ａｌ（ＣＨ２−ＣＨ）（Ｃ
Ｈ３）２、［（ＣＨ３）３Ａｌ］２、（Ｃ２Ｈ５）３Ａ
ｌ、（ＣＨ３）３Ａｌ、（ｉ−Ｃ４Ｈ９）３Ａｌ、（Ｃ
Ｈ３）３ＡｌＣＨ３、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）４、Ｃｒ［Ｃ６Ｈ５（ＣＨ３）２］、Ｍｏ（ＣＯ）
６、Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）４、Ｐｂ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２、
（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２、（Ｃ
Ｈ３）４Ｓｎ、（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｎ、Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（Ｃ１１
Ｈ１９Ｏ２）４、Ｌａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｓｒ
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ
（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｂａ（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）２、（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）
６、Ｐｂ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｚｒ（ＯｔＣ
４Ｈ９）４、Ｚｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）３、Ｔｉ（ＯｉＣ３Ｈ７）２（Ｃ１１Ｈ１９
Ｏ２）２、Ｂｉ（ＯｔＣ５Ｈ１１）３、Ｂｉ（Ｃ
６Ｈ５）３、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｔａ（ＯｉＣ３Ｈ
７）５、Ｎｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）５、Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ５）
４、Ｙ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｒｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ
２）３、Ｒｕ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）２、Ｉｒ（Ｃ５Ｈ４
Ｃ２Ｈ５）（Ｃ８Ｈ１２）、Ｐｔ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）
（ＣＨ３）３、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４、Ａｓ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｂ（ＯＣ
Ｈ３）３、Ｃａ（ＯＣＨ３）２、Ｃｅ（ＯＣ
２Ｈ５）３、Ｃｏ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｄｙ（ＯｉＣ３
Ｈ７）２、Ｅｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｅｕ（ＯｉＣ３Ｈ
７）２、Ｆｅ（ＯＣＨ３）３、Ｇａ（ＯＣＨ３）３、Ｇ
ｄ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｈｆ（ＯＣＨ３）４、Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ３）３、ＫＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ３、Ｍｇ（ＯＣＨ
３）２、Ｍｎ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、ＮａＯＣＨ３、Ｎｄ
（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｐｏ（ＯＣＨ３）３、Ｐｒ（Ｏｉ
Ｃ３Ｈ７）３、Ｓｂ（ＯＣＨ３）３、Ｓｃ（ＯｉＣ３Ｈ
７）３、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、ＶＯ（ＯＣＨ３）３、
Ｙｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｚｎ（ＯＣＨ３）２等があ
る。
Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２（ｈｆａｃ：ｈｅｘ
ａ−ｆｌｕｏｒｏ−ａｃｅｔｙｌ−ａｃｅｔｏｎａｔ
ｅ）、（ＣＨ３）２ＡｌＨ、Ａｌ（ＣＨ２−ＣＨ）（Ｃ
Ｈ３）２、［（ＣＨ３）３Ａｌ］２、（Ｃ２Ｈ５）３Ａ
ｌ、（ＣＨ３）３Ａｌ、（ｉ−Ｃ４Ｈ９）３Ａｌ、（Ｃ
Ｈ３）３ＡｌＣＨ３、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）４、Ｃｒ［Ｃ６Ｈ５（ＣＨ３）２］、Ｍｏ（ＣＯ）
６、Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）４、Ｐｂ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２、
（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２、（Ｃ
Ｈ３）４Ｓｎ、（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｎ、Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（Ｃ１１
Ｈ１９Ｏ２）４、Ｌａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｓｒ
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ
（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｂａ（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）２、（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）
６、Ｐｂ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｚｒ（ＯｔＣ
４Ｈ９）４、Ｚｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）３、Ｔｉ（ＯｉＣ３Ｈ７）２（Ｃ１１Ｈ１９
Ｏ２）２、Ｂｉ（ＯｔＣ５Ｈ１１）３、Ｂｉ（Ｃ
６Ｈ５）３、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｔａ（ＯｉＣ３Ｈ
７）５、Ｎｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）５、Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ５）
４、Ｙ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｒｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ
２）３、Ｒｕ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）２、Ｉｒ（Ｃ５Ｈ４
Ｃ２Ｈ５）（Ｃ８Ｈ１２）、Ｐｔ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）
（ＣＨ３）３、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４、Ａｓ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｂ（ＯＣ
Ｈ３）３、Ｃａ（ＯＣＨ３）２、Ｃｅ（ＯＣ
２Ｈ５）３、Ｃｏ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｄｙ（ＯｉＣ３
Ｈ７）２、Ｅｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｅｕ（ＯｉＣ３Ｈ
７）２、Ｆｅ（ＯＣＨ３）３、Ｇａ（ＯＣＨ３）３、Ｇ
ｄ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｈｆ（ＯＣＨ３）４、Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ３）３、ＫＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ３、Ｍｇ（ＯＣＨ
３）２、Ｍｎ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、ＮａＯＣＨ３、Ｎｄ
（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｐｏ（ＯＣＨ３）３、Ｐｒ（Ｏｉ
Ｃ３Ｈ７）３、Ｓｂ（ＯＣＨ３）３、Ｓｃ（ＯｉＣ３Ｈ
７）３、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、ＶＯ（ＯＣＨ３）３、
Ｙｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｚｎ（ＯＣＨ３）２等があ
る。
【００２９】ナノチューブには導電性のあるカーボンナ
ノチューブや絶縁性のＢＮ系ナノチューブ、ＢＣＮ系ナ
ノチューブなどがある。また、ＡＦＭ用のカンチレバー
には、半導体のシリコンカンチレバーや絶縁体のシリコ
ンナイトライドカンチレバーがある。しかし、突出部を
含むカンチレバーの表面に金属などの導電性被膜をコー
ティングすれば、導電性カンチレバーを作成できる。ま
た、同様にして絶縁性ナノチューブを導電性ナノチュー
ブに変換することもできる。
ノチューブや絶縁性のＢＮ系ナノチューブ、ＢＣＮ系ナ
ノチューブなどがある。また、ＡＦＭ用のカンチレバー
には、半導体のシリコンカンチレバーや絶縁体のシリコ
ンナイトライドカンチレバーがある。しかし、突出部を
含むカンチレバーの表面に金属などの導電性被膜をコー
ティングすれば、導電性カンチレバーを作成できる。ま
た、同様にして絶縁性ナノチューブを導電性ナノチュー
ブに変換することもできる。
【００３０】従って、金属堆積物のような導電性堆積物
により、導電性ナノチューブと導電性カンチレバーを導
通させて、導電性のイオン式走査型顕微鏡用プローブを
作成できる。導電性プローブであるから、ＡＦＭに用い
るだけでなく、トンネル電流を検出するＳＴＭ（トンネ
ル顕微鏡）にも用いることができる。しかし、カンチレ
バーとして半導体カンチレバー又は絶縁性カンチレバー
を用いれば、電導性がないから撓みを検出する通常のＡ
ＦＭ用プローブとして用いることができる。
により、導電性ナノチューブと導電性カンチレバーを導
通させて、導電性のイオン式走査型顕微鏡用プローブを
作成できる。導電性プローブであるから、ＡＦＭに用い
るだけでなく、トンネル電流を検出するＳＴＭ（トンネ
ル顕微鏡）にも用いることができる。しかし、カンチレ
バーとして半導体カンチレバー又は絶縁性カンチレバー
を用いれば、電導性がないから撓みを検出する通常のＡ
ＦＭ用プローブとして用いることができる。
【００３１】本発明に係る走査型顕微鏡用プローブは、
上記のＡＦＭやＳＴＭに限らず、表面の違いを摩擦力で
検出する水平力顕微鏡（ＬＦＭ）、磁気相互作用を検出
する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、電界力の勾配を検出する
電界力顕微鏡（ＥＦＭ）、化学官能基の表面分布を画像
化する化学力顕微鏡（ＣＦＭ）などがあり、試料表面の
物理的・化学的作用を探針で走査検出して、試料の原子
レベルでの表面情報を得るものである。
上記のＡＦＭやＳＴＭに限らず、表面の違いを摩擦力で
検出する水平力顕微鏡（ＬＦＭ）、磁気相互作用を検出
する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、電界力の勾配を検出する
電界力顕微鏡（ＥＦＭ）、化学官能基の表面分布を画像
化する化学力顕微鏡（ＣＦＭ）などがあり、試料表面の
物理的・化学的作用を探針で走査検出して、試料の原子
レベルでの表面情報を得るものである。
【００３２】ナノチューブの先端が検出用探針である
が、ナノチューブの先端部に不要な堆積物があると、こ
の部分が探針作用を発揮して、ナノチューブ先端の情報
に誤差を与え、画像をぼやけさせる。従って、ＦＩＢ装
置のイオンビームのエネルギーを更に上げ、ナノチュー
ブ先端部に付着している不要な堆積物を、イオンビーム
の照射により除去する。
が、ナノチューブの先端部に不要な堆積物があると、こ
の部分が探針作用を発揮して、ナノチューブ先端の情報
に誤差を与え、画像をぼやけさせる。従って、ＦＩＢ装
置のイオンビームのエネルギーを更に上げ、ナノチュー
ブ先端部に付着している不要な堆積物を、イオンビーム
の照射により除去する。
【００３３】前述したように、本発明ではナノチューブ
基端部をカンチレバーの突出部に分解堆積物によって固
着させている。この分解堆積物が不要な領域にまで形成
されている場合には、導電性被膜の形成などの２次加工
が困難になったりする。そこで、この基端部近辺の不要
な分解堆積物を集束イオンビームの照射により除去する
こともできる。
基端部をカンチレバーの突出部に分解堆積物によって固
着させている。この分解堆積物が不要な領域にまで形成
されている場合には、導電性被膜の形成などの２次加工
が困難になったりする。そこで、この基端部近辺の不要
な分解堆積物を集束イオンビームの照射により除去する
こともできる。
【００３４】一般に、製造されるナノチューブの長さは
千差万別である。しかし、プローブの性能を均一化する
には、ナノチューブ先端部の長さを揃える必要がある。
そこで、不要なナノチューブ部分をイオンビームにより
溶断して、ナノチューブの長さを制御する。このため
に、イオンビームのエネルギーを増大させたり、照射時
間を調整する。
千差万別である。しかし、プローブの性能を均一化する
には、ナノチューブ先端部の長さを揃える必要がある。
そこで、不要なナノチューブ部分をイオンビームにより
溶断して、ナノチューブの長さを制御する。このため
に、イオンビームのエネルギーを増大させたり、照射時
間を調整する。
【００３５】また、ナノチューブの先端部を改質するた
めに、ＦＩＢ装置を用いてイオンをナノチューブに打ち
込むことができる。高エネルギーで加速すると、イオン
をナノチューブの内部空間に打ち込むことができ、低エ
ネルギーではイオンをナノチューブの表面層に組み込ま
せたり、ナノチューブ表面にコーティングすることにな
る。特に、イオンをナノチューブ探針の先端に打ち込む
と、このイオン物質が試料表面に直接作用する。
めに、ＦＩＢ装置を用いてイオンをナノチューブに打ち
込むことができる。高エネルギーで加速すると、イオン
をナノチューブの内部空間に打ち込むことができ、低エ
ネルギーではイオンをナノチューブの表面層に組み込ま
せたり、ナノチューブ表面にコーティングすることにな
る。特に、イオンをナノチューブ探針の先端に打ち込む
と、このイオン物質が試料表面に直接作用する。
【００３６】イオン種として任意の元素を選択できる
が、例えばフッ素、ボロン、ガリウム、リン等が選ばれ
る。これらの原子はナノチューブ内の炭素原子と反応し
て、ＣＦ結合、ＣＢ結合、ＣＧａ結合又はＣＰ結合を形
成し、これらの結合に特有の性質を有するようになる。
が、例えばフッ素、ボロン、ガリウム、リン等が選ばれ
る。これらの原子はナノチューブ内の炭素原子と反応し
て、ＣＦ結合、ＣＢ結合、ＣＧａ結合又はＣＰ結合を形
成し、これらの結合に特有の性質を有するようになる。
【００３７】また、先端に打ち込まれるイオンがＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性原子である場合には、この走査
型顕微鏡用プローブはＭＦＭに利用できる。即ち、これ
らの強磁性原子が試料表面の磁性を原子レベルで検出で
き、試料物質の磁性構造を解明するなど、物性工学の進
歩に大きく寄与できる。
Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性原子である場合には、この走査
型顕微鏡用プローブはＭＦＭに利用できる。即ち、これ
らの強磁性原子が試料表面の磁性を原子レベルで検出で
き、試料物質の磁性構造を解明するなど、物性工学の進
歩に大きく寄与できる。
【００３８】以下に、本発明に係る集束イオンビームに
よる走査型顕微鏡用プローブの実施形態を添付の図面に
従って詳細に説明する。
よる走査型顕微鏡用プローブの実施形態を添付の図面に
従って詳細に説明する。
【００３９】図１は集束イオンビームを用いて走査型顕
微鏡用プローブを製造する概略装置図である。集束イオ
ンビーム装置２の中にはカンチレバー４が配置され、こ
のカンチレバー４はカンチレバー部６とピラミッド部と
呼ばれる突出部８から構成される。この突出部８の表面
１０にナノチューブ１２の基端部１６を付着させ、先端
部１４を突出状態に配置される。ナノチューブ１２の付
着は集束イオンビーム装置２内で行ってもよいし、図示
しない電子顕微鏡内で付着させた後、集束イオンビーム
装置２に配置してもよい。
微鏡用プローブを製造する概略装置図である。集束イオ
ンビーム装置２の中にはカンチレバー４が配置され、こ
のカンチレバー４はカンチレバー部６とピラミッド部と
呼ばれる突出部８から構成される。この突出部８の表面
１０にナノチューブ１２の基端部１６を付着させ、先端
部１４を突出状態に配置される。ナノチューブ１２の付
着は集束イオンビーム装置２内で行ってもよいし、図示
しない電子顕微鏡内で付着させた後、集束イオンビーム
装置２に配置してもよい。
【００４０】有機ガスＧを外部から集束イオンビーム装
置２内に導入し、矢印ａ方向にフローさせる。この有機
ガスＧはナノチューブ１２の近傍に吸着されて有機ガス
吸着物１８ａが形成される。この有機ガス吸着物１８ａ
に対し集束イオンビームＩを矢印ｂ方向に照射すると、
有機ガスＧは分解され、水素成分などの軽分子Ｄは点線
矢印方向に飛散する。一方、炭素成分や金属成分などの
分解成分はナノチューブ１２の基端部１６付近に堆積
し、分解堆積物１８を形成する。この分解堆積物１８に
よってカンチレバー６とナノチューブ１２が一体化して
走査型顕微鏡用プローブ２０（以後プローブ２０と言
う）が完成する。
置２内に導入し、矢印ａ方向にフローさせる。この有機
ガスＧはナノチューブ１２の近傍に吸着されて有機ガス
吸着物１８ａが形成される。この有機ガス吸着物１８ａ
に対し集束イオンビームＩを矢印ｂ方向に照射すると、
有機ガスＧは分解され、水素成分などの軽分子Ｄは点線
矢印方向に飛散する。一方、炭素成分や金属成分などの
分解成分はナノチューブ１２の基端部１６付近に堆積
し、分解堆積物１８を形成する。この分解堆積物１８に
よってカンチレバー６とナノチューブ１２が一体化して
走査型顕微鏡用プローブ２０（以後プローブ２０と言
う）が完成する。
【００４１】図２は完成した集束イオンビーム加工によ
る走査型顕微鏡用プローブの概略説明図である。ナノチ
ューブ１２の基端部１６は分解堆積物１８により突出部
表面１０に強固に固着されている。プローブ２０の耐久
性はコーティング被膜である分解堆積物１８の固着強度
に依存する。分解堆積物１８の固着強度は、分解堆積物
１８の緻密性と、分解堆積物１８と突出部表面１０との
馴染性（結合度）によって決まる。
る走査型顕微鏡用プローブの概略説明図である。ナノチ
ューブ１２の基端部１６は分解堆積物１８により突出部
表面１０に強固に固着されている。プローブ２０の耐久
性はコーティング被膜である分解堆積物１８の固着強度
に依存する。分解堆積物１８の固着強度は、分解堆積物
１８の緻密性と、分解堆積物１８と突出部表面１０との
馴染性（結合度）によって決まる。
【００４２】有機ガスとして、エチレン、アセチレン、
メタン等の炭化水素系ガスを用いると、分解堆積物は炭
素膜から形成される。この炭素膜はアモルファスカーボ
ンからなり、膜厚が極薄の場合には導電性を有する。従
って、炭素膜の膜厚を薄くすることによってナノチュー
ブ１２とカンチレバー４をこの炭素膜により導通状態に
設定することができる。
メタン等の炭化水素系ガスを用いると、分解堆積物は炭
素膜から形成される。この炭素膜はアモルファスカーボ
ンからなり、膜厚が極薄の場合には導電性を有する。従
って、炭素膜の膜厚を薄くすることによってナノチュー
ブ１２とカンチレバー４をこの炭素膜により導通状態に
設定することができる。
【００４３】また、有機ガスとして有機金属ガスを用い
れば、イオンビームとの衝突分解反応で分解成分として
金属成分が形成され、この金属がナノチューブ基端部１
６付近に堆積して金属膜を形成し、この金属膜が分解堆
積物を構成する。前述した炭素膜と同様、この金属膜に
よりナノチューブ１２とカンチレバー４が導通状態に設
定される。有機金属ガスとしては、前述したように、例
えばＷ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２（ｈｆａｃ：ｈ
ｅｘａ−ｆｌｕｏｒｏ−ａｃｅｔｙｌ−ａｃｅｔｏｎａ
ｔｅ）、（ＣＨ３）２ＡｌＨ、Ａｌ（ＣＨ２−ＣＨ）
（ＣＨ３）２、［（ＣＨ３）３Ａｌ］２、（Ｃ２Ｈ５）
３Ａｌ、（ＣＨ３）３Ａｌ、（ｉ−Ｃ４Ｈ９）３Ａｌ、
（ＣＨ３）３ＡｌＣＨ３、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）４、Ｃｒ［Ｃ６Ｈ５（ＣＨ３）２］、Ｍｏ（ＣＯ）
６、Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）４、Ｐｂ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２、
（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２、（Ｃ
Ｈ３）４Ｓｎ、（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｎ、Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（Ｃ１１
Ｈ１９Ｏ２）４、Ｌａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｓｒ
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ
（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｂａ（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）２、（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）
６、Ｐｂ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｚｒ（ＯｔＣ
４Ｈ９）４、Ｚｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）３、Ｔｉ（ＯｉＣ３Ｈ７）２（Ｃ１１Ｈ１９
Ｏ２）２、Ｂｉ（ＯｔＣ５Ｈ１１）３、Ｂｉ（Ｃ
６Ｈ５）３、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｔａ（ＯｉＣ３Ｈ
７）５、Ｎｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）５、Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ５）
４、Ｙ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｒｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ
２）３、Ｒｕ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）２、Ｉｒ（Ｃ５Ｈ４
Ｃ２Ｈ５）（Ｃ８Ｈ１２）、Ｐｔ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）
（ＣＨ３）３、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４、Ａｓ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｂ（ＯＣ
Ｈ３）３、Ｃａ（ＯＣＨ３）２、Ｃｅ（ＯＣ
２Ｈ５）３、Ｃｏ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｄｙ（ＯｉＣ３
Ｈ７）２、Ｅｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｅｕ（ＯｉＣ３Ｈ
７）２、Ｆｅ（ＯＣＨ３）３、Ｇａ（ＯＣＨ３）３、Ｇ
ｄ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｈｆ（ＯＣＨ３）４、Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ３）３、ＫＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ３、Ｍｇ（ＯＣＨ
３）２、Ｍｎ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、ＮａＯＣＨ３、Ｎｄ
（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｐｏ（ＯＣＨ３）３、Ｐｒ（Ｏｉ
Ｃ３Ｈ７）３、Ｓｂ（ＯＣＨ３）３、Ｓｃ（ＯｉＣ３Ｈ
７）３、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、ＶＯ（ＯＣＨ３）３、
Ｙｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｚｎ（ＯＣＨ３）２等が利用
できる。
れば、イオンビームとの衝突分解反応で分解成分として
金属成分が形成され、この金属がナノチューブ基端部１
６付近に堆積して金属膜を形成し、この金属膜が分解堆
積物を構成する。前述した炭素膜と同様、この金属膜に
よりナノチューブ１２とカンチレバー４が導通状態に設
定される。有機金属ガスとしては、前述したように、例
えばＷ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２（ｈｆａｃ：ｈ
ｅｘａ−ｆｌｕｏｒｏ−ａｃｅｔｙｌ−ａｃｅｔｏｎａ
ｔｅ）、（ＣＨ３）２ＡｌＨ、Ａｌ（ＣＨ２−ＣＨ）
（ＣＨ３）２、［（ＣＨ３）３Ａｌ］２、（Ｃ２Ｈ５）
３Ａｌ、（ＣＨ３）３Ａｌ、（ｉ−Ｃ４Ｈ９）３Ａｌ、
（ＣＨ３）３ＡｌＣＨ３、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）４、Ｃｒ［Ｃ６Ｈ５（ＣＨ３）２］、Ｍｏ（ＣＯ）
６、Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）４、Ｐｂ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２、
（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２、（Ｃ
Ｈ３）４Ｓｎ、（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｎ、Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（Ｃ１１
Ｈ１９Ｏ２）４、Ｌａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｓｒ
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２、Ｓｒ
（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｂａ（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）２、（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）
６、Ｐｂ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２、Ｚｒ（ＯｔＣ
４Ｈ９）４、Ｚｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）（Ｃ１１Ｈ
１９Ｏ２）３、Ｔｉ（ＯｉＣ３Ｈ７）２（Ｃ１１Ｈ１９
Ｏ２）２、Ｂｉ（ＯｔＣ５Ｈ１１）３、Ｂｉ（Ｃ
６Ｈ５）３、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｔａ（ＯｉＣ３Ｈ
７）５、Ｎｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）５、Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ５）
４、Ｙ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｒｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ
２）３、Ｒｕ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）２、Ｉｒ（Ｃ５Ｈ４
Ｃ２Ｈ５）（Ｃ８Ｈ１２）、Ｐｔ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）
（ＣＨ３）３、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４、Ａｓ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｂ（ＯＣ
Ｈ３）３、Ｃａ（ＯＣＨ３）２、Ｃｅ（ＯＣ
２Ｈ５）３、Ｃｏ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｄｙ（ＯｉＣ３
Ｈ７）２、Ｅｒ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、Ｅｕ（ＯｉＣ３Ｈ
７）２、Ｆｅ（ＯＣＨ３）３、Ｇａ（ＯＣＨ３）３、Ｇ
ｄ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｈｆ（ＯＣＨ３）４、Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ３）３、ＫＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ３、Ｍｇ（ＯＣＨ
３）２、Ｍｎ（ＯｉＣ３Ｈ７）２、ＮａＯＣＨ３、Ｎｄ
（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｐｏ（ＯＣＨ３）３、Ｐｒ（Ｏｉ
Ｃ３Ｈ７）３、Ｓｂ（ＯＣＨ３）３、Ｓｃ（ＯｉＣ３Ｈ
７）３、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、ＶＯ（ＯＣＨ３）３、
Ｙｂ（ＯｉＣ３Ｈ７）３、Ｚｎ（ＯＣＨ３）２等が利用
できる。
【００４４】堆積物１８としては、前述した炭素膜や金
属膜などの導電性堆積物に限られず、絶縁性堆積物や半
導体堆積物も含まれる。炭化水素系ガスや有機金属ガス
が半分解状態で堆積した場合には絶縁性堆積物となりや
すく、またシリコン膜などの場合には膜の結晶性により
半導体堆積物から絶縁性堆積物に様々な物性を持ちやす
い。
属膜などの導電性堆積物に限られず、絶縁性堆積物や半
導体堆積物も含まれる。炭化水素系ガスや有機金属ガス
が半分解状態で堆積した場合には絶縁性堆積物となりや
すく、またシリコン膜などの場合には膜の結晶性により
半導体堆積物から絶縁性堆積物に様々な物性を持ちやす
い。
【００４５】図３は導電性カンチレバーを用いた走査型
顕微鏡用プローブの概略説明図である。カンチレバー４
の表面に電極膜２２を形成することによって導電性カン
チレバーを構成する。ナノチューブ１２として導電性の
カーボンナノチューブを用いると、導電性の堆積物１８
により、ナノチューブ１２とカンチレバー４とが導通
し、図示しない外部電源を通して試料とナノチューブ１
２の間に電圧を印加することができる。
顕微鏡用プローブの概略説明図である。カンチレバー４
の表面に電極膜２２を形成することによって導電性カン
チレバーを構成する。ナノチューブ１２として導電性の
カーボンナノチューブを用いると、導電性の堆積物１８
により、ナノチューブ１２とカンチレバー４とが導通
し、図示しない外部電源を通して試料とナノチューブ１
２の間に電圧を印加することができる。
【００４６】詳しく説明すると、ナノチューブ１２に
は、例えば導電性のカーボンナノチューブと、絶縁性の
ＢＮ系ナノチューブ、ＢＣＮ系ナノチューブなどがあ
る。また、カンチレバー４にも、導電性カンチレバー
と、半導体性のシリコンカンチレバーと、絶縁性のシリ
コンナイトライドカンチレバーなどがある。更に、堆積
物１８にも導電性堆積物、半導体性堆積物及び絶縁性堆
積物がある。
は、例えば導電性のカーボンナノチューブと、絶縁性の
ＢＮ系ナノチューブ、ＢＣＮ系ナノチューブなどがあ
る。また、カンチレバー４にも、導電性カンチレバー
と、半導体性のシリコンカンチレバーと、絶縁性のシリ
コンナイトライドカンチレバーなどがある。更に、堆積
物１８にも導電性堆積物、半導体性堆積物及び絶縁性堆
積物がある。
【００４７】ナノチューブ１２とカンチレバー４の突出
部表面１０とは接触していると考えられるが、その接触
抵抗の大きさや介在物の存在により、両者が導通してい
るとは限らない。そこで、両者を接続する堆積物１８の
電気的性質が重要になってくる。従って、ナノチューブ
１２、堆積物１８及びカンチレバー４の組み合わせによ
り、ナノチューブ１２とカンチレバー４との導通、非導
通が確実に保証される。
部表面１０とは接触していると考えられるが、その接触
抵抗の大きさや介在物の存在により、両者が導通してい
るとは限らない。そこで、両者を接続する堆積物１８の
電気的性質が重要になってくる。従って、ナノチューブ
１２、堆積物１８及びカンチレバー４の組み合わせによ
り、ナノチューブ１２とカンチレバー４との導通、非導
通が確実に保証される。
【００４８】図４は集束イオンビームを用いた不要堆積
物の除去方法の概略説明図である。有機ガスの分解ガス
はナノチューブを固着させる堆積物１８を形成するだけ
でなく、ナノチューブ１２の先端部１４に付着して不要
堆積物２４を形成することもある。このように、ナノチ
ューブ１２の先端部１４に付着した不要堆積物２４は、
ナノチューブ１２の撮像性能を低下させる要因になる。
物の除去方法の概略説明図である。有機ガスの分解ガス
はナノチューブを固着させる堆積物１８を形成するだけ
でなく、ナノチューブ１２の先端部１４に付着して不要
堆積物２４を形成することもある。このように、ナノチ
ューブ１２の先端部１４に付着した不要堆積物２４は、
ナノチューブ１２の撮像性能を低下させる要因になる。
【００４９】そこで、この不要堆積物２４に対し矢印ｃ
方向に集束イオンビームＩを照射して、不要堆積物２４
を点線矢印に示すごとく飛散させる。ナノチューブ１２
の探針点は先端１４ａだけとなり、その撮像性能が回復
できる。このように、集束イオンビームＩを用いて、ナ
ノチューブ１２やカンチレバー４上の不要堆積物を除去
することができる。
方向に集束イオンビームＩを照射して、不要堆積物２４
を点線矢印に示すごとく飛散させる。ナノチューブ１２
の探針点は先端１４ａだけとなり、その撮像性能が回復
できる。このように、集束イオンビームＩを用いて、ナ
ノチューブ１２やカンチレバー４上の不要堆積物を除去
することができる。
【００５０】図５は集束イオンビームによるナノチュー
ブの長さ制御方法の概賂説明図である。ナノチューブ１
２の長さはナノオーダーからミクロンオーダーまで広い
範囲に分布している。ナノチューブ１２の先端部が長い
場合には、先端部が振動したりして鮮明な試料表面像を
撮像できない。従って、プローブ２０の探針性能を均一
化し、しかも高効率化するために、ナノチューブ先端部
１４の長さを均一にすることが必要がある。そこで、ナ
ノチューブ先端部１４の長さを制御するために、不要部
分を切断することが要請される。
ブの長さ制御方法の概賂説明図である。ナノチューブ１
２の長さはナノオーダーからミクロンオーダーまで広い
範囲に分布している。ナノチューブ１２の先端部が長い
場合には、先端部が振動したりして鮮明な試料表面像を
撮像できない。従って、プローブ２０の探針性能を均一
化し、しかも高効率化するために、ナノチューブ先端部
１４の長さを均一にすることが必要がある。そこで、ナ
ノチューブ先端部１４の長さを制御するために、不要部
分を切断することが要請される。
【００５１】この切断のために、集束イオンビームの溶
断力を使用する。集束イオンビームＩの加速エネルギー
や集束度を上げることによってイオンビームのエネルギ
ー密度を制御できるから、ナノチューブを溶断するだけ
のエネルギー密度を集束イオンビームＩに付与する。こ
の集束イオンビームを切断領域Ｐに対し矢印ｄ方向に照
射すると、切断領域Ｐが融解して先端部が切断片１４ｂ
として切断される。切断面が新たな先端１４ａになる。
この例では、切断面はナノチューブ１２の軸方向に垂直
である。
断力を使用する。集束イオンビームＩの加速エネルギー
や集束度を上げることによってイオンビームのエネルギ
ー密度を制御できるから、ナノチューブを溶断するだけ
のエネルギー密度を集束イオンビームＩに付与する。こ
の集束イオンビームを切断領域Ｐに対し矢印ｄ方向に照
射すると、切断領域Ｐが融解して先端部が切断片１４ｂ
として切断される。切断面が新たな先端１４ａになる。
この例では、切断面はナノチューブ１２の軸方向に垂直
である。
【００５２】図６はナノチューブを斜め切断する場合の
概要説明図である。ナノチューブ１２に対し、集束イオ
ンビームＩを斜め方向（矢印ｅ方向）に照射する。この
斜め切断により、ナノチューブ１２の先端１４ａは極め
てシャープな先端になり、図５の垂直切断よりも高性能
のプローブ２０を提供できる。その理由は、先端１４ａ
がシャープであるほど分解能の高い試料表面像が得られ
るからである。
概要説明図である。ナノチューブ１２に対し、集束イオ
ンビームＩを斜め方向（矢印ｅ方向）に照射する。この
斜め切断により、ナノチューブ１２の先端１４ａは極め
てシャープな先端になり、図５の垂直切断よりも高性能
のプローブ２０を提供できる。その理由は、先端１４ａ
がシャープであるほど分解能の高い試料表面像が得られ
るからである。
【００５３】図７はナノチューブの先端部を改質する場
合の概略説明図である。集束イオンビームＩをナノチュ
ーブ１２の先端部１４の先端領域１４ｃに照射し、イオ
ンを先端領域１４ｃに打ち込む。集束イオンビームＩの
加速電圧により、先端領域１４ｃの表面にイオン被覆膜
を形成する場合、ナノチューブの構成原子と置換したり
空孔に固溶する場合、また先端領域１４ｃの内部空間に
イオン注入する場合がある。
合の概略説明図である。集束イオンビームＩをナノチュ
ーブ１２の先端部１４の先端領域１４ｃに照射し、イオ
ンを先端領域１４ｃに打ち込む。集束イオンビームＩの
加速電圧により、先端領域１４ｃの表面にイオン被覆膜
を形成する場合、ナノチューブの構成原子と置換したり
空孔に固溶する場合、また先端領域１４ｃの内部空間に
イオン注入する場合がある。
【００５４】イオン種として、例えばフッ素、ボロン、
ガリウム、リン等を選んだ場合には、これらの原子がナ
ノチューブ内の炭素原子と反応して、ＣＦ結合、ＣＢ結
合、ＣＧａ結合又はＣＰ結合を形成し、これらの結合に
特有の性質を有するようになる。また、イオンがＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性原子である場合には、試料表面
の磁性を原子レベルで検出できる。
ガリウム、リン等を選んだ場合には、これらの原子がナ
ノチューブ内の炭素原子と反応して、ＣＦ結合、ＣＢ結
合、ＣＧａ結合又はＣＰ結合を形成し、これらの結合に
特有の性質を有するようになる。また、イオンがＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性原子である場合には、試料表面
の磁性を原子レベルで検出できる。
【００５５】更に、絶縁性のＢＮ系ナノチューブやＢＣ
Ｎ系ナノチューブに金属イオンを打ち込んで導電性を付
与する場合や、逆に導電性のカーボンナノチューブに絶
縁性物質を打ち込んで絶縁性を付与する場合も、ナノチ
ューブの改質に含まれる。
Ｎ系ナノチューブに金属イオンを打ち込んで導電性を付
与する場合や、逆に導電性のカーボンナノチューブに絶
縁性物質を打ち込んで絶縁性を付与する場合も、ナノチ
ューブの改質に含まれる。
【００５６】本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種
々の変形例や設計変更なども本発明の技術的範囲内に包
含されることは言うまでもない。
なく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種
々の変形例や設計変更なども本発明の技術的範囲内に包
含されることは言うまでもない。
【００５７】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、集束イオンビ
ームにより有機ガスを分解し、生成した分解成分の堆積
物によりナノチューブとカンチレバーを固着しているか
ら、固着強度が極めて強く、多数回の使用に際してもナ
ノチューブがカンチレバーから脱落することがない走査
型顕微鏡用プローブを提供できる。
ームにより有機ガスを分解し、生成した分解成分の堆積
物によりナノチューブとカンチレバーを固着しているか
ら、固着強度が極めて強く、多数回の使用に際してもナ
ノチューブがカンチレバーから脱落することがない走査
型顕微鏡用プローブを提供できる。
【００５８】請求項２の発明によれば、有機ガスとして
炭化水素系ガスを使用するから、分解堆積物を極薄の炭
素膜にして導電性を付与すれば、この導電性炭素膜によ
ってナノチューブとカンチレバを導通状態に設定でき、
走査型顕微鏡用プローブに電圧を印加したり、通電を可
能にする。
炭化水素系ガスを使用するから、分解堆積物を極薄の炭
素膜にして導電性を付与すれば、この導電性炭素膜によ
ってナノチューブとカンチレバを導通状態に設定でき、
走査型顕微鏡用プローブに電圧を印加したり、通電を可
能にする。
【００５９】請求項３の発明によれば、有機ガスとして
有機金属ガスを使用するから、ナノチューブを固着する
分解堆積物を導電性の金属膜にでき、この強固な導電性
金属膜によってナノチューブとカンチレバを確実に導通
状態に保持でき、走査型顕微鏡用プローブに電圧を印加
したり、通電を可能にする。
有機金属ガスを使用するから、ナノチューブを固着する
分解堆積物を導電性の金属膜にでき、この強固な導電性
金属膜によってナノチューブとカンチレバを確実に導通
状態に保持でき、走査型顕微鏡用プローブに電圧を印加
したり、通電を可能にする。
【００６０】請求項４の発明によれば、半導体性のシリ
コンカンチレバー、絶縁性のシリコンナイトライドカン
チレバー又は導電性物質をコートしたカンチレバーを用
いるから、各種の電気的性質を有するナノチューブと組
み合わせながらプローブを構成することによって、絶縁
性プローブ、半導体性プローブ、また導電性プローブな
ど多様な走査型顕微鏡用プローブを提供できる。
コンカンチレバー、絶縁性のシリコンナイトライドカン
チレバー又は導電性物質をコートしたカンチレバーを用
いるから、各種の電気的性質を有するナノチューブと組
み合わせながらプローブを構成することによって、絶縁
性プローブ、半導体性プローブ、また導電性プローブな
ど多様な走査型顕微鏡用プローブを提供できる。
【００６１】請求項５の発明によれば、イオンビームを
照射してナノチューブ探針に堆積した不要堆積物を除去
するから、設計通りの性能を発揮する清浄な走査型顕微
鏡用プローブを提供できる。
照射してナノチューブ探針に堆積した不要堆積物を除去
するから、設計通りの性能を発揮する清浄な走査型顕微
鏡用プローブを提供できる。
【００６２】請求項６の発明によれば、ナノチューブ探
針の先端部の不要堆積物を除去することにより、不要堆
積物が原因となる誤差信号を除去でき、また基端部近傍
の不要堆積物を除去することにより、導電膜形成などの
２次加工を容易にする走査型顕微鏡用プローブを提供で
きる。
針の先端部の不要堆積物を除去することにより、不要堆
積物が原因となる誤差信号を除去でき、また基端部近傍
の不要堆積物を除去することにより、導電膜形成などの
２次加工を容易にする走査型顕微鏡用プローブを提供で
きる。
【００６３】請求項７の発明によれば、イオンビームを
照射してナノチューブの不要部分を切断するから、ナノ
チューブ探針の先端部の振動がなくなり、試料表面像の
分解能が向上する。従って、走査型顕微鏡用プローブの
検出効率の均一化と高効率化を達成できる。
照射してナノチューブの不要部分を切断するから、ナノ
チューブ探針の先端部の振動がなくなり、試料表面像の
分解能が向上する。従って、走査型顕微鏡用プローブの
検出効率の均一化と高効率化を達成できる。
【００６４】請求項８の発明によれば、ナノチューブを
垂直した場合には最小断面で切断するから切断面が秀麗
に形成でき、又は斜め方向に切断する場合には断面の先
端が極めてシャープに形成でき、試料表面の凹凸に十分
追随してその検出分解能が向上する。
垂直した場合には最小断面で切断するから切断面が秀麗
に形成でき、又は斜め方向に切断する場合には断面の先
端が極めてシャープに形成でき、試料表面の凹凸に十分
追随してその検出分解能が向上する。
【００６５】請求項９の発明によれば、ナノチューブ探
針の先端部の少なくとも先端に所望のイオンを打ち込む
から、ナノチューブ先端部の物理的・化学的性質を所望
通りに変えるできる。これによって、試料面の磁気力を
検出したり、化学官能基を検出したりする等、試料の特
定の物理的・化学的作用に効果的に反応する走査型顕微
鏡用プローブを提供できる。例えば、先端にＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の強磁性原子を打ち込むことにより、試料の
磁性を効果的に検出できる。
針の先端部の少なくとも先端に所望のイオンを打ち込む
から、ナノチューブ先端部の物理的・化学的性質を所望
通りに変えるできる。これによって、試料面の磁気力を
検出したり、化学官能基を検出したりする等、試料の特
定の物理的・化学的作用に効果的に反応する走査型顕微
鏡用プローブを提供できる。例えば、先端にＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の強磁性原子を打ち込むことにより、試料の
磁性を効果的に検出できる。
【００６６】請求項１０の発明によれば、フッ素、ボロ
ン、ガリウム又はリンを注入することにより、ナノチュ
ーブの構成原子と注入原子とが結合して、その結合に特
有の性質をナノチューブ探針に発現させることができ
る。請求項５から請求項１０の発明は、電子顕微鏡装置
や集束イオンビーム装置などの各種装置により製作した
ナノチューブ付着カンチレバーに適用できることは云う
までもない。
ン、ガリウム又はリンを注入することにより、ナノチュ
ーブの構成原子と注入原子とが結合して、その結合に特
有の性質をナノチューブ探針に発現させることができ
る。請求項５から請求項１０の発明は、電子顕微鏡装置
や集束イオンビーム装置などの各種装置により製作した
ナノチューブ付着カンチレバーに適用できることは云う
までもない。
【図１】集束イオンビームを用いて走査型顕微鏡用プロ
ーブを製造する概略装置図である。
ーブを製造する概略装置図である。
【図２】完成したイオン式走査型顕微鏡用プローブの概
略説明図である。
略説明図である。
【図３】導電性カンチレバーを用いたイオン式走査型顕
微鏡用プローブの概略説明図である。
微鏡用プローブの概略説明図である。
【図４】集束イオンビームを用いた不要堆積物の除去方
法の概略説明図である。
法の概略説明図である。
【図５】集束イオンビームによるナノチューブの長さ制
御方法の概略説明図である。
御方法の概略説明図である。
【図６】ナノチューブを斜め切断する場合の概要説明図
である。
である。
【図７】ナノチューブの先端部を改質する場合の概略説
明図である。
明図である。
２・・・集束イオンビーム装置 ４・・・カンチレバー ６・・・カンチレバー部 ８・・・突出部 １０・・・突出部表面 １２・・・ナノチューブ １４・・・先端部 １４ａ・・先端 １４ｂ・・切断片 １４ｃ・・先端領域 １６・・・基端部 １８・・・堆積物（分解堆積物） １８ａ・・有機ガス吸着物 ２０・・・走査型顕微鏡用プローブ ２２・・・電極膜 ２４・・・不要堆積物 Ｇ・・・有機ガス Ｉ・・・集束イオンビーム Ｐ・・・切断領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 喜萬 大阪府枚方市香里ヶ丘１丁目14番地の２、 ９−404 (72)発明者 秋田 成司 大阪府和泉市池田下町1248番地の４ (72)発明者 原田 昭雄 大阪府大阪市城東区放出西２丁目７番19号 大研化学工業株式会社内 (72)発明者 大川 隆 大阪府大阪市城東区放出西２丁目７番19号 大研化学工業株式会社内 (72)発明者 高野 雄一 大阪府大阪市城東区放出西２丁目７番19号 大研化学工業株式会社内 (72)発明者 安武 正敏 静岡県駿東郡小山町竹之下36−１ セイコ ーインスツルメンツ株式会社小山工場内 (72)発明者 白川部 喜治 静岡県駿東郡小山町竹之下36−１ セイコ ーインスツルメンツ株式会社小山工場内
Claims (10)
- 【請求項１】 カンチレバー４に固着したナノチューブ
探針１２の先端１４ａにより試料表面の物性情報を得る
走査型顕微鏡用プローブにおいて、集束イオンビーム装
置２内でイオンビームＩにより有機ガスＧを分解し、生
成した分解成分の堆積物１８によりナノチューブ１２と
カンチレバー４を固着することを特徴とした集束イオン
ビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項２】 前記有機ガスＧとして、炭化水素系ガス
を使用する請求項１に記載の走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項３】 前記有機ガスＧとして、有機金属ガスを
使用する請求項１に記載の走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項４】 カンチレバー４として、シリコンカンチ
レバー、シリコンナイトライドカンチレバー又は導電性
物質をコートしたカンチレバーを用いる請求項１に記載
の走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項５】 カンチレバー４に固着したナノチューブ
探針１２の所要領域にイオンビームＩを照射して、この
所要領域にある不要物質を除去することを特徴とする集
束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項６】 前記不要物質がナノチューブ探針１２の
先端部に堆積した不要堆積物２４又はナノチューブ基端
部付近に堆積した不要堆積物である請求項５に記載の走
査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項７】 カンチレバー４に固着したナノチューブ
探針１２の先端部１４にイオンビームＩを照射してその
不要部分を切断し、ナノチューブ探針１２の先端部長さ
を制御することを特徴とする集束イオンビーム加工によ
る走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項８】 前記不要部分の切断では、ナノチューブ
１２を垂直又は斜め方向に切断する請求項７に記載の走
査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項９】 カンチレバー４に固着したナノチューブ
探針１２の先端部１４の所要領域にイオンを打ち込んで
探針の物理的・化学的性質を変えることを特徴とする集
束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ。 - 【請求項１０】 前記イオン種がフッ素、ボロン、ガリ
ウム又はリンである請求項９に記載の走査型顕微鏡用プ
ローブ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000403560A JP2002162337A (ja) | 2000-11-26 | 2000-11-26 | 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ |
| PCT/JP2001/008614 WO2002042743A1 (en) | 2000-11-26 | 2001-09-28 | Probe for scanning microscope produced by focused ion beam machining |
| EP01970309A EP1278056A4 (en) | 2000-11-26 | 2001-09-28 | PROBE FOR A SCANNING MICROSCOPE MADE BY MACHINING WITH FOCUSED ION BEAM |
| KR10-2002-7009162A KR100501506B1 (ko) | 2000-11-26 | 2001-09-28 | 집속 이온빔 가공에 의한 주사형 현미경용 프로브 |
| US10/182,330 US6759653B2 (en) | 2000-11-26 | 2001-09-28 | Probe for scanning microscope produced by focused ion beam machining |
| CNB018041051A CN1250958C (zh) | 2000-11-26 | 2001-09-28 | 根据聚焦离子束加工制作的扫描型显微镜用探针 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000403560A JP2002162337A (ja) | 2000-11-26 | 2000-11-26 | 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005150091A Division JP2005319581A (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | ナノチューブ切断方法及び走査型顕微鏡用プローブ |
| JP2005150141A Division JP2005330179A (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | ナノチューブの改質方法及び走査型顕微鏡用プローブ |
| JP2005150032A Division JP2005342884A (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | ナノチューブ不要物質除去方法及び走査型顕微鏡用プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162337A true JP2002162337A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18867659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000403560A Pending JP2002162337A (ja) | 2000-11-26 | 2000-11-26 | 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1278056A4 (ja) |
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| KR (1) | KR100501506B1 (ja) |
| CN (1) | CN1250958C (ja) |
| WO (1) | WO2002042743A1 (ja) |
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| KR100697323B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-03-20 | 한국기계연구원 | 나노 팁 및 이의 제조방법 |
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| JP2008508512A (ja) * | 2004-07-29 | 2008-03-21 | コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・スタンダーズ・アンド・サイエンス | イオンビームを用いたｓｐｍナノニードル探針と、ｃｄ−ｓｐｍナノニードル探針の製造方法及び、その方法によって製造されるｓｐｍナノニードル探針並びに、ｃｄ−ｓｐｍナノニードル探針 |
| JP2010530971A (ja) * | 2007-11-14 | 2010-09-16 | コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 高速大面積の精密測定装置及び方法 |
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| RU2321084C2 (ru) * | 2003-08-11 | 2008-03-27 | Джапан Сайенс Энд Текнолоджи Эйдженси | Зонд для зондового микроскопа с использованием прозрачной подложки, способ изготовления зонда и устройство зондового микроскопа |
| WO2006011714A1 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Korea Research Institute Of Standards And Science | A method for fabricating spm and cd-spm nanoneedle probe using ion beam and spm and cd-spm nanoneedle probe thereby |
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