JP2002161322A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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Abstract
とができる、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を提
供する。 【解決手段】 この電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔は、以下のような元素組成を持つ。即ち、Si:10
〜40ppm、Fe:10〜40ppm、Cu:10〜
60ppm、Mn:0.3〜5.2ppm、Ga:1.
1〜10ppm、Zn:1.5〜7.7ppm、Cr:
0.2〜1.3ppm、B:0.2〜3.3ppm、
V:0.4〜1.7ppm、Ti:1ppm以下、M
g:0.3〜0.5ppm、Ni:0.1〜0.2pp
m、Sn:0.1〜0.2ppm、Pb:1ppm以
下、Al:99.985質量%以上である。この電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔は、前記した元素組成の
アルミニウム鋳塊に、均質化処理を施し、その後、熱間
圧延及び冷間圧延を施して得ることができる。
Description
解コンデンサ用電極箔(特に、陽極箔)を得ることので
きる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に関するもの
である。
には、電解コンデンサ用アルミニウム箔にエッチング処
理を施し、箔表面に微細な孔を多数形成して、箔表面の
表面積を拡大することが行なわれている。特に、電解コ
ンデンサ用陽極箔を製造するには、電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔に直流エッチング処理を施し、箔表面に多
数の厚み方向に進行する微細な孔(いわゆるトンネルピ
ット)を形成して、箔表面の表面積を拡大することが行
なわれている。この表面積の拡大は、電解コンデンサ用
陽極箔の静電容量を高めるためには、最も有効な方法で
ある。
陽極箔を得るためには、どのような電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔が適しているかに関して、種々検討されて
いる。一般的に、アルミニウム純度が99.99〜9
9.999質量%程度が適しており、また、Si,F
e,Cuを適当量含有しているものが良いとされてい
る。一方、Si,Fe,Cu以外のその他の元素につい
ては、単に不可避不純物として扱われており、その種類
や量に関して、深い考察はされていない。
によっても、得られる電解コンデンサ用陽極箔の静電容
量が変化することが知られてきている。例えば、特開平
4−124806号公報には、Si,Fe,Cu以外
に、Mn:5〜25質量ppm(以下、「質量ppm」
のことを単に「ppm」という。)、B:5〜25pp
m、Ga:5〜30ppm、Zn:5〜25ppmを含
有する電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔に、エッチ
ング処理を施せば、高静電容量の陽極箔が得られること
が開示されている。また、特開平7−150280号公
報には、Mg,Pb,Bi,In,Sn,Sb,B,N
i及びCrを、各々0.1〜5.0ppmの範囲で含有
する電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔に、エッチン
グ処理を施せば、高静電容量の陽極箔が得られることが
開示されている。
高静電容量の陽極箔が得られる電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔を得るため、Si,Fe,Cu以外の元素
として、種々のものを種々の量で含有するアルミニウム
箔を作成し、研究を重ねた。その結果、前記した特開平
4−124806号公報や特開平7−150280号公
報に記載された組成とは、異なる元素組成のアルミニウ
ム箔が、高静電容量の陽極箔を得るための材料として適
していることが判明した。また、この場合、アルミニウ
ム純度が99.99質量%(以下、単に「%」ともい
う。)以下のアルミニウム箔であっても、高静電容量の
陽極箔が得られることも判明した。本発明は、このよう
な知見に基づいてなされたものである。
10〜40ppm、Fe:10〜40ppm、Cu:1
0〜60ppm、Mn:0.3〜5.2ppm、Ga:
1.1〜10ppm、Zn:1.5〜7.7ppm、C
r:0.2〜1.3ppm、B:0.2〜3.3pp
m、V:0.4〜1.7ppm、Ti:1ppm以下、
Mg:0.3〜0.5ppm、Ni:0.1〜0.2p
pm、Sn:0.1〜0.2ppm、Pb1ppm以
下、Al:99.985質量%以上含有することを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に関するも
のである。
アルミニウム箔は、アルミニウム純度が99.985%
以上である。アルミニウム純度が99.985%未満に
なると、本発明で採用した元素組成であっても、エッチ
ング時に過溶解が生じ、高静電容量の電極箔が得られな
いため、好ましくない。なお、アルミニウム純度が9
9.985%という場合、小数点以下四桁目は切り捨て
てある。本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔には、アルミニウム以外に、Si,Fe,Cu,M
n,Ga,Zn,Cr,B,V,Ti,Mg,Ni,S
n及びPbが含有されている。
Feは10〜40ppmであり、Cuは10〜60pp
mである。この範囲外であると、例えば含有量が多すぎ
る場合にはエッチング時に過溶解を起こしたり、また含
有量が少なすぎる場合にはエッチング自体が進行しにく
くなる恐れがあり、高静電容量の電極箔が得られないた
め、好ましくない。
り、Gaは1.1〜10ppmであり、Znは1.5〜
7.7ppmであり、Crは0.2〜1.3ppmであ
り、Bは0.2〜3.3ppmであり、Vは0.4〜
1.7ppmであり、Mgは0.3〜0.5ppmであ
り、Niは0.1〜0.2ppmであり、Snは0.1
〜0.2ppmである。各元素がこの範囲外であると、
例えば含有量が多すぎる場合にはエッチング時に過溶解
を起こし、高静電容量の電極箔が得られないため、好ま
しくない。また、例えば含有量が少なすぎる場合にも、
その理由は定かではないが、高静電容量の電極箔が得ら
れにくくなる。
り、Pbは1ppm以下である。この場合、Ti及びP
bは、この範囲以下で含有されているという意味であ
る。各元素がこの範囲を超えると、エッチング時に過溶
解を起こし、高静電容量の電極箔が得られないため、好
ましくない。
ニウム箔は、従来公知の方法で製造される。即ち、所定
の元素組成のアルミニウム鋳塊を準備し、この鋳塊を常
法で均質化処理し、続いて、熱間圧延を行う。そして、
常法で、冷間圧延及び所望により中間焼鈍を挿入して、
所定厚さ(一般的には50〜300μm程度の厚さ)の
アルミニウム箔を得る。最後に、必要であれば、常法に
より最終焼鈍を施して、電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔を得る。
サ電極用アルミニウム箔には、従来公知のエッチング処
理及び化成処理が施され、電解コンデンサ用電極箔(特
に、陽極箔)として用いられる。
が、本発明は実施例に限定されるものではない。本発明
は、特定の元素組成を持つ電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔を用いれば、高静電容量を持つ電解コンデンサ
用電極箔(特に、陽極箔)が得られるとの知見に基づく
ものとして、解釈されるべきである。
ミニウム鋳塊(厚さ500mm)を準備した。そして、
このアルミニウム鋳塊に、560℃の温度で5時間の条
件で、均質化処理を施した。この後、熱間圧延を施して
4mm厚の板とした後、1パスの圧下率は50%前後に
て冷間圧延を繰り返し、厚さ90μmのアルミニウム箔
を得た。そして、その後、このアルミニウム箔にアルカ
リ洗浄を行い、最後に、非酸化性雰囲気中で、320℃
にて16時間の条件で最終焼鈍を施して、厚さ90μm
の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
ウム箔に、以下の条件でエッチング処理及び化成処理を
施して、以下に示す条件で静電容量(μF/cm2)を
測定した。その結果を表1に示した。なお、静電容量
は、比較例1の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を
エッチングして得られた箔の静電容量を100%とした
ときの相対比較で表した。 〔エッチング処理〕:0.1質量%水酸化ナトリウム水
溶液(液温40℃)中、各電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔を30秒間浸漬して前処理した。次いで、前処
理を終えた各電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を浸
漬し、8.7質量%塩酸+0.1質量%硫酸+6.4質
量%塩化アルミニウム6水和物水溶液(液温40℃±1
℃)中に、各電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を浸
漬し、20Hzの矩形波交流にて、0.7A/50cm
2の電流密度で、270秒間電解エッチングを施した。 〔化成処理〕:上記のエッチング処理を施した後の各電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔を、EIAJ法に則
って、対向電極をSUS304として、化成処理を20
vf.で合計12分間行った。 〔静電容量〕:化成処理した各箔(大きさ:巾10mm
×長さ50mm)1枚を、13質量%アジピン酸アンモ
ニウム水溶液中に浸漬し、対向電極を、静電容量が40
000μF以上のエッチドアルミラニウム箔として、1
20Hzの直列等価回路でLCRメーターを用いて、静
電容量(μF/cm2)を測定した。
〜4に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を用い
れば、比較例1〜7に係るものを用いた場合に比べ、高
静電容量の電極箔が得られることが分かる。
ミニウム鋳塊(厚さ500mm)を準備した。そして、
このアルミニウム鋳塊に、560℃の温度で5時間の条
件で、均質化処理を施した。この後、熱間圧延及び冷間
圧延を施して、厚さ135μmのアルミニウム薄板を得
た後、230℃の温度で10時間中間焼鈍を施した。続
いて、仕上冷間圧延を施し、アルカリ洗浄液で洗浄後、
アルゴンガス雰囲気下において550℃の温度条件で1
0時間保持して最終焼鈍を行い、厚さ110μmの電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
ウム箔に、以下の条件でエッチング処理及び化成処理を
施して、以下に示す条件で静電容量(μF/cm2)を
測定した。その結果を表2に示した。なお、静電容量
は、比較例8の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を
エッチングして得られた箔の静電容量を100%とした
ときの相対比較で表した。 〔エッチング処理〕:0.1質量%水酸化ナトリウム水
溶液(液温50℃)中に、各電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔を60秒間浸漬して前処理した。次いで、1
モル/リットル塩酸+3モル/リットル硫酸水溶液(液
温75℃)中、前処理を終えた各電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を浸漬し、DC0.2A/cm2の電流
密度で240秒間電解エッチングを行った。更にその
後、前記と同様の水溶液中に600秒間浸漬しエッチン
グ処理を終了し、水洗,乾燥した。 〔化成処理〕:上記のエッチング処理を施した後の各電
解コンデンサ電極用アルミニウムを、EIAJ法に則っ
て、対向電極をSUS 304として、化成処理を37
5Vf.で行った。 〔静電容量〕:化成処理した各箔(大きさ:巾10mm
×長さ50mm)1枚を、13質量%五硼酸アンモニウ
ム水溶液中に浸漬し、対向電極を、静電容量が4000
0μF以上のエッチドアルミニウム箔として、120H
zの直列等価回路でLCRメーターを用いて、静電容量
(μF/cm2)を測定した。
〜7に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を用い
れば、比較例8〜12に係るものを用いた場合に比べ、
高静電容量の電極箔が得られることが分かる。また、こ
の電極箔は、特に陽極高圧用箔として好適であった。
持つ本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
を用い、これをエッチング処理すれば、高静電容量の電
極箔が得られるという効果を奏するものである。
Claims (1)
- 【請求項1】 Si:10〜40質量ppm、Fe:1
0〜40質量ppm、Cu:10〜60質量ppm、M
n:0.3〜5.2質量ppm、Ga:1.1〜10質
量ppm、Zn:1.5〜7.7質量ppm、Cr:
0.2〜1.3質量ppm、B:0.2〜3.3質量p
pm、V:0.4〜1.7質量ppm、Ti:1質量p
pm以下、Mg:0.3〜0.5質量ppm、Ni:
0.1〜0.2質量ppm、Sn:0.1〜0.2質量
ppm、Pb:1質量ppm以下、Al:99.985
質量%以上含有することを特徴とする電解コンデンサ電
極用アルミニウム箔。
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