JP2000199026A - 電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高静電容量を持つ電解コンデンサ用電極箔を
得るための、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔
を提供する。 【解決手段】 このアルミニウム箔は、アルミニウム純
度が９９．９％以上であって、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びそ
の他の不可避不純物を含む。アルミニウム箔中のサブグ
レイン又はセルの平均粒径が１〜１０μｍである。ま
た、（１００）方位を有する結晶粒の平均粒径が５〜２
０μｍであり、且つその密度が４００個／ｍｍ2以上で
ある。このようなアルミニウム箔は、従来公知の圧延ア
ルミニウム箔の製造方法において、冷間圧延温度を７０
〜１２０℃とすることによって、好適に得ることができ
る。また、冷間圧延後に、温度１８０〜２５０℃で５〜
４０時間の中間焼鈍を施し、中間焼鈍後の仕上冷間圧延
の圧下率を１５〜５０％とすることによっても、好適に
得ることができる。
得るための、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔
を提供する。 【解決手段】 このアルミニウム箔は、アルミニウム純
度が９９．９％以上であって、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びそ
の他の不可避不純物を含む。アルミニウム箔中のサブグ
レイン又はセルの平均粒径が１〜１０μｍである。ま
た、（１００）方位を有する結晶粒の平均粒径が５〜２
０μｍであり、且つその密度が４００個／ｍｍ2以上で
ある。このようなアルミニウム箔は、従来公知の圧延ア
ルミニウム箔の製造方法において、冷間圧延温度を７０
〜１２０℃とすることによって、好適に得ることができ
る。また、冷間圧延後に、温度１８０〜２５０℃で５〜
４０時間の中間焼鈍を施し、中間焼鈍後の仕上冷間圧延
の圧下率を１５〜５０％とすることによっても、好適に
得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量の高い電
解コンデンサ用電極箔を得ることのできる電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法に関する
ものである。特に、交流エッチング法で静電容量の高い
電解コンデンサ低圧用陽極箔を得ることのできる電解コ
ンデンサ陽極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法に
関するものである。
解コンデンサ用電極箔を得ることのできる電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法に関する
ものである。特に、交流エッチング法で静電容量の高い
電解コンデンサ低圧用陽極箔を得ることのできる電解コ
ンデンサ陽極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電解コンデンサ用電極箔を製
造するためには、電解コンデンサ用アルミニウム箔にエ
ッチング処理を施し、箔表面に微細な孔を多数形成し
て、箔表面の表面積を拡大することが行なわれている。
特に、電解コンデンサ低圧用陽極箔を製造するには、電
解コンデンサ用アルミニウム箔に交流エッチング処理を
施し、箔表面に多数の微細な孔（いわゆる海綿状ピッ
ト）を形成して、箔表面の表面積を拡大することが行な
われている。この表面積の拡大は、電解コンデンサ低圧
用陽極箔の静電容量を高めるためには、最も有効な方法
である。
造するためには、電解コンデンサ用アルミニウム箔にエ
ッチング処理を施し、箔表面に微細な孔を多数形成し
て、箔表面の表面積を拡大することが行なわれている。
特に、電解コンデンサ低圧用陽極箔を製造するには、電
解コンデンサ用アルミニウム箔に交流エッチング処理を
施し、箔表面に多数の微細な孔（いわゆる海綿状ピッ
ト）を形成して、箔表面の表面積を拡大することが行な
われている。この表面積の拡大は、電解コンデンサ低圧
用陽極箔の静電容量を高めるためには、最も有効な方法
である。
【０００３】従来より、アルミニウム箔表面に、交流エ
ッチング処理を施して、海綿状ピットを効率的に形成さ
せるためには、不純物の少ないアルミニウム箔を用いる
ことが有効であると言われていた。そのため、特に、ア
ルミニウム箔中の結晶組織の状態に関しては、考慮が払
われていなかった。
ッチング処理を施して、海綿状ピットを効率的に形成さ
せるためには、不純物の少ないアルミニウム箔を用いる
ことが有効であると言われていた。そのため、特に、ア
ルミニウム箔中の結晶組織の状態に関しては、考慮が払
われていなかった。
【０００４】しかるに、海綿状ピットを効率的に形成さ
せるには、結晶組織の状態も重要であるとして、特開平
４−３３３５４１号公報に記載されたような技術が提案
されている。この技術は、結晶方位を規制したものであ
って、圧延方位（１１０）面に対する立方体方位（１０
０）面の比〔（１００）／（１１０）〕を、一定値以下
に規制したものである。これは、（１００）面の結晶粒
が、エッチング処理によって溶解しやすいため、過溶解
して海綿状ピットが合体・脱落し、表面積の拡大が図れ
なくなるのを防止しようというものである。
せるには、結晶組織の状態も重要であるとして、特開平
４−３３３５４１号公報に記載されたような技術が提案
されている。この技術は、結晶方位を規制したものであ
って、圧延方位（１１０）面に対する立方体方位（１０
０）面の比〔（１００）／（１１０）〕を、一定値以下
に規制したものである。これは、（１００）面の結晶粒
が、エッチング処理によって溶解しやすいため、過溶解
して海綿状ピットが合体・脱落し、表面積の拡大が図れ
なくなるのを防止しようというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等も、特開平
４−３３３５４１号公報記載の技術と同様に、アルミニ
ウム箔中の結晶組織の状態が、海綿状ピットの形成に、
どのような影響を及ぼすか検討していたところ、（１０
０）面の割合を一定値以下に規制しても、必ずしも、効
率的に海綿状ピットが形成されるとは限らないことが判
明した。即ち、（１００）面の割合を一定値以下に規制
すると、エッチング処理により溶解しにくくなって、海
綿状ピット自体が生成しにくくなることもあった。
４−３３３５４１号公報記載の技術と同様に、アルミニ
ウム箔中の結晶組織の状態が、海綿状ピットの形成に、
どのような影響を及ぼすか検討していたところ、（１０
０）面の割合を一定値以下に規制しても、必ずしも、効
率的に海綿状ピットが形成されるとは限らないことが判
明した。即ち、（１００）面の割合を一定値以下に規制
すると、エッチング処理により溶解しにくくなって、海
綿状ピット自体が生成しにくくなることもあった。
【０００６】そこで、本発明者等が更に研究を進めた結
果、海綿状ピット生成の核となるのは、結晶粒中のサブ
グレイン又はセルの粒界であることが分かり、サブグレ
イン又はセルの粒界が多くなればなるほど海綿状ピット
が形成されやすいことが分かった。また、一旦形成され
た海綿状ピットの合体・脱落を防止するためには、立方
体方位（１００）面を有する結晶粒の大きさが関係して
いることが分かった。つまり、立方体方位を有する結晶
粒の大きさが大きいほど、形成された海綿状ピットが合
体・脱落しやすくなることが分かった。本発明は、これ
らの知見に基づいてなされたものである。
果、海綿状ピット生成の核となるのは、結晶粒中のサブ
グレイン又はセルの粒界であることが分かり、サブグレ
イン又はセルの粒界が多くなればなるほど海綿状ピット
が形成されやすいことが分かった。また、一旦形成され
た海綿状ピットの合体・脱落を防止するためには、立方
体方位（１００）面を有する結晶粒の大きさが関係して
いることが分かった。つまり、立方体方位を有する結晶
粒の大きさが大きいほど、形成された海綿状ピットが合
体・脱落しやすくなることが分かった。本発明は、これ
らの知見に基づいてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、Ｆｅ，
Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不純物を含み、アルミニ
ウム純度が９９．９％以上のアルミニウム箔であって、
サブグレイン又はセルの平均粒径が１〜１０μｍである
と共に、（１００）方位を有する結晶粒の平均粒径が５
〜２０μｍであり、且つその密度が４００個／ｍｍ2以
上であることを特徴とする電解コンデンサ電極用硬質ア
ルミニウム箔及びその製造方法に関するものである。
Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不純物を含み、アルミニ
ウム純度が９９．９％以上のアルミニウム箔であって、
サブグレイン又はセルの平均粒径が１〜１０μｍである
と共に、（１００）方位を有する結晶粒の平均粒径が５
〜２０μｍであり、且つその密度が４００個／ｍｍ2以
上であることを特徴とする電解コンデンサ電極用硬質ア
ルミニウム箔及びその製造方法に関するものである。
【０００８】まず、本発明に係るアルミニウム箔は、ア
ルミニウム純度が９９．９％以上のものである。アルミ
ニウム純度が９９．９％未満であると、アルミニウム箔
中に含まれている不純物であるＦｅ，Ｓｉ及びＣｕの含
有量が相対的に多くなり、エッチング処理によって過溶
解が生じ、海綿状ピットが合体・脱落するので、好まし
くない。なお、不純物であるＦｅ，Ｓｉ及びＣｕは、そ
の含有量が多すぎなければ、ある程度含有されている方
が良い。これらの不純物によって、得られるアルミニウ
ム箔の引張強度を高くすることができ、また、海綿状ピ
ットも形成されやすくなる場合があるからである。ま
た、本発明に係るアルミニウム箔においては、Ｆｅ，Ｓ
ｉ及びＣｕの他に、不可避不純物が含有されている場合
があることは、言うまでもない。
ルミニウム純度が９９．９％以上のものである。アルミ
ニウム純度が９９．９％未満であると、アルミニウム箔
中に含まれている不純物であるＦｅ，Ｓｉ及びＣｕの含
有量が相対的に多くなり、エッチング処理によって過溶
解が生じ、海綿状ピットが合体・脱落するので、好まし
くない。なお、不純物であるＦｅ，Ｓｉ及びＣｕは、そ
の含有量が多すぎなければ、ある程度含有されている方
が良い。これらの不純物によって、得られるアルミニウ
ム箔の引張強度を高くすることができ、また、海綿状ピ
ットも形成されやすくなる場合があるからである。ま
た、本発明に係るアルミニウム箔においては、Ｆｅ，Ｓ
ｉ及びＣｕの他に、不可避不純物が含有されている場合
があることは、言うまでもない。
【０００９】本発明に係るアルミニウム箔は、平均粒径
が１〜１０μｍのサブグレイン又はセルを有している。
サブグレイン又はセルの平均粒径が１０μｍを超える
と、サブグレイン又はセルの粒界が少なくなるので、好
ましくない。即ち、この粒界は、海綿状ピット生成の核
となるものであるから、この粒界が少ないと微細な海綿
状ピットが生成しにくくなり、表面積が拡大しにくくな
るので、好ましくない。また、サブグレイン又はセルの
平均粒径を１μｍ未満とすることは、工業的に困難であ
る。
が１〜１０μｍのサブグレイン又はセルを有している。
サブグレイン又はセルの平均粒径が１０μｍを超える
と、サブグレイン又はセルの粒界が少なくなるので、好
ましくない。即ち、この粒界は、海綿状ピット生成の核
となるものであるから、この粒界が少ないと微細な海綿
状ピットが生成しにくくなり、表面積が拡大しにくくな
るので、好ましくない。また、サブグレイン又はセルの
平均粒径を１μｍ未満とすることは、工業的に困難であ
る。
【００１０】ここで、サブグレイン又はセルの平均粒径
の測定方法について説明する。まず、本発明に係るアル
ミニウム箔を、硝酸：メタノール＝１：２の容積比を持
つ溶液中（液温−２０℃）で電解研磨して薄膜を作製す
る。この薄膜を、１００ｋＶの加速電圧で２０００倍に
拡大してＴＥＭ観察する。観察したサブグレイン又はセ
ルの面積を測定し、この面積を持つ仮想円の直径を、サ
ブグレイン又はセルの粒径とする。そして、２０視野を
ＴＥＭ観察し、各々のサブグレイン又はセルの粒径の平
均値を平均粒径とする。
の測定方法について説明する。まず、本発明に係るアル
ミニウム箔を、硝酸：メタノール＝１：２の容積比を持
つ溶液中（液温−２０℃）で電解研磨して薄膜を作製す
る。この薄膜を、１００ｋＶの加速電圧で２０００倍に
拡大してＴＥＭ観察する。観察したサブグレイン又はセ
ルの面積を測定し、この面積を持つ仮想円の直径を、サ
ブグレイン又はセルの粒径とする。そして、２０視野を
ＴＥＭ観察し、各々のサブグレイン又はセルの粒径の平
均値を平均粒径とする。
【００１１】また、本発明に係るアルミニウム箔中にお
いて、（１００）方位を有する結晶粒（以下、「（１０
０）方位粒」と言う。）の平均粒径は５〜２０μｍであ
る。（１００）方位粒の平均粒径が２０μｍを超える
と、エッチング処理によって、海綿状ピットが合体・脱
落しやすくなり、表面積の拡大が図れないので、好まし
くない。また、（１００）方位粒の平均粒径を５μｍ未
満とすると、全体として、（１００）方位粒が少なくな
る傾向が生じ、エッチング処理による溶解性が低くな
り、表面積の拡大が図れなくなる傾向が生じる。
いて、（１００）方位を有する結晶粒（以下、「（１０
０）方位粒」と言う。）の平均粒径は５〜２０μｍであ
る。（１００）方位粒の平均粒径が２０μｍを超える
と、エッチング処理によって、海綿状ピットが合体・脱
落しやすくなり、表面積の拡大が図れないので、好まし
くない。また、（１００）方位粒の平均粒径を５μｍ未
満とすると、全体として、（１００）方位粒が少なくな
る傾向が生じ、エッチング処理による溶解性が低くな
り、表面積の拡大が図れなくなる傾向が生じる。
【００１２】（１００）方位粒の密度は、４００個／ｍ
ｍ2以上であり、好ましくは４００〜１０００個／ｍｍ
2 であるのが良い。（１００）方位粒の密度が４００
個／ｍｍ2未満であると、エッチング処理による溶解性
が低くなり、表面積の拡大が図れなくなる傾向が生じ
る。
ｍ2以上であり、好ましくは４００〜１０００個／ｍｍ
2 であるのが良い。（１００）方位粒の密度が４００
個／ｍｍ2未満であると、エッチング処理による溶解性
が低くなり、表面積の拡大が図れなくなる傾向が生じ
る。
【００１３】（１００）方位粒の平均粒径及び密度は、
以下の方法により測定する。まず、本発明に係るアルミ
ニウム箔を、硝酸：メタノール＝１：２の容積比を持つ
溶液中（液温−２０℃）で電解研磨して薄膜を作製す
る。この薄膜を、１００ｋＶの加速電圧で２０００倍に
拡大してＴＥＭ観察する。観察した（１００）方位粒
（制限視野電子線回折により方位確認）の面積を測定
し、この面積を持つ仮想円の直径を、（１００）方位粒
の粒径とする。そして、２０視野をＴＥＭ観察し、各々
の（１００）方位粒の粒径の平均値を平均粒径とする。
また、（１００）方位粒の密度は、同様にＴＥＭ観察し
て、（１００）方位粒の個数を数え、〔（１００）方位
粒の数／全視野面積（ｍｍ2）〕なる式で算出した。
以下の方法により測定する。まず、本発明に係るアルミ
ニウム箔を、硝酸：メタノール＝１：２の容積比を持つ
溶液中（液温−２０℃）で電解研磨して薄膜を作製す
る。この薄膜を、１００ｋＶの加速電圧で２０００倍に
拡大してＴＥＭ観察する。観察した（１００）方位粒
（制限視野電子線回折により方位確認）の面積を測定
し、この面積を持つ仮想円の直径を、（１００）方位粒
の粒径とする。そして、２０視野をＴＥＭ観察し、各々
の（１００）方位粒の粒径の平均値を平均粒径とする。
また、（１００）方位粒の密度は、同様にＴＥＭ観察し
て、（１００）方位粒の個数を数え、〔（１００）方位
粒の数／全視野面積（ｍｍ2）〕なる式で算出した。
【００１４】本発明に係るアルミニウム箔は、当然に、
その表面に自然酸化皮膜を有するものであるが、この自
然酸化皮膜の成長速度を、１．３×１０-7 ｎｍ／ｓｅ
ｃ．以下とするのが好ましい。成長速度がこれより速い
と、３ケ月経過すると酸化皮膜の厚さが１．０１ｎｍ以
上となり、エッチング処理時に、初期ピットが生成しに
くくなる傾向が生じる。従って、本発明に係るアルミニ
ウム箔であっても、エッチング処理によって、十分な表
面積の拡大を図れなくなる場合がある。このような自然
酸化皮膜の成長速度を抑制する方法としては、本発明に
係るアルミニウム箔を製造する際に用いる圧延油の組
成、圧延後の洗浄の種類，方法及び条件、洗浄後の後処
理等を工夫することによって行なう。具体的には、アル
カリ洗浄後、硝酸等の酸化性酸によって後処理したり、
キレート剤でアルミニウム箔表面を防錆すれば良い。
その表面に自然酸化皮膜を有するものであるが、この自
然酸化皮膜の成長速度を、１．３×１０-7 ｎｍ／ｓｅ
ｃ．以下とするのが好ましい。成長速度がこれより速い
と、３ケ月経過すると酸化皮膜の厚さが１．０１ｎｍ以
上となり、エッチング処理時に、初期ピットが生成しに
くくなる傾向が生じる。従って、本発明に係るアルミニ
ウム箔であっても、エッチング処理によって、十分な表
面積の拡大を図れなくなる場合がある。このような自然
酸化皮膜の成長速度を抑制する方法としては、本発明に
係るアルミニウム箔を製造する際に用いる圧延油の組
成、圧延後の洗浄の種類，方法及び条件、洗浄後の後処
理等を工夫することによって行なう。具体的には、アル
カリ洗浄後、硝酸等の酸化性酸によって後処理したり、
キレート剤でアルミニウム箔表面を防錆すれば良い。
【００１５】次に、自然酸化皮膜の成長速度の測定方法
について説明する。まず、製造後２日のアルミニウム箔
と、製造後９０日のアルミニウム箔を準備する。各々の
アルミニウム箔を、ＸＰＳ（光電子分光分析装置。Ｘ線
源はＡｌ−ｋαである。）により、〔Ａｌ ２ｐ〕のピ
ークを波形分離し、次の式により酸化皮膜の厚さを求め
た。即ち、ｄ＝２．８×ｌｎ（１．４×ＩＯ／Ｉｍ＋
１）なる式で求めた。ここで、ｄは、酸化皮膜の厚さで
単位はｎｍである。また、ＩＯは、〔Ａｌ ２ｐ〕のピ
ークを波形分離したときの、酸化物結合ピークの面積で
あり、Ｉｍは、〔Ａｌ ２ｐ〕のピークを波形分離した
ときの、金属結合ピークの面積を示す。そして、９０日
のアルミニウム箔の酸化皮膜厚さから、２日のアルミニ
ウム箔の酸化皮膜厚さを引いた値を、経時秒数（８８日
に相当する秒数）で除した値を、酸化皮膜成長速度とし
た。
について説明する。まず、製造後２日のアルミニウム箔
と、製造後９０日のアルミニウム箔を準備する。各々の
アルミニウム箔を、ＸＰＳ（光電子分光分析装置。Ｘ線
源はＡｌ−ｋαである。）により、〔Ａｌ ２ｐ〕のピ
ークを波形分離し、次の式により酸化皮膜の厚さを求め
た。即ち、ｄ＝２．８×ｌｎ（１．４×ＩＯ／Ｉｍ＋
１）なる式で求めた。ここで、ｄは、酸化皮膜の厚さで
単位はｎｍである。また、ＩＯは、〔Ａｌ ２ｐ〕のピ
ークを波形分離したときの、酸化物結合ピークの面積で
あり、Ｉｍは、〔Ａｌ ２ｐ〕のピークを波形分離した
ときの、金属結合ピークの面積を示す。そして、９０日
のアルミニウム箔の酸化皮膜厚さから、２日のアルミニ
ウム箔の酸化皮膜厚さを引いた値を、経時秒数（８８日
に相当する秒数）で除した値を、酸化皮膜成長速度とし
た。
【００１６】本発明に係るアルミニウム箔は種々の方法
で製造することができるが、具体的には、以下の如き二
つの方法を採用するのが好ましい。第一の方法は、Ｆ
ｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不純物を含み、アル
ミニウム純度が９９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、
熱間圧延及び冷間圧延を施して（但し、中間焼鈍及び最
終焼鈍は施さない。）、電解コンデンサ電極用硬質アル
ミニウム合金箔を製造する方法において、冷間圧延温度
を７０〜１２０℃とすることを特徴とする電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム合金箔の製造方法である。
で製造することができるが、具体的には、以下の如き二
つの方法を採用するのが好ましい。第一の方法は、Ｆ
ｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不純物を含み、アル
ミニウム純度が９９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、
熱間圧延及び冷間圧延を施して（但し、中間焼鈍及び最
終焼鈍は施さない。）、電解コンデンサ電極用硬質アル
ミニウム合金箔を製造する方法において、冷間圧延温度
を７０〜１２０℃とすることを特徴とする電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム合金箔の製造方法である。
【００１７】この方法及びその特徴を説明すると、次の
とおりである。まず、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不
可避不純物を含み、アルミニウム純度が９９．９％以上
のアルミニウム鋳塊を準備する。アルミニウム純度を９
９．９％以上とする理由、及びＦｅ，Ｓｉ，Ｃｕの他元
素が含有されている理由は、上記したとおりである。こ
のアルミニウム鋳塊に、従来公知の均質化処理及び熱間
圧延を施す。均質化処理及び熱間圧延の種々の条件も、
従来採用されている条件で良い。熱間圧延を終えた後、
冷間圧延を施す。この方法の特徴は、冷間圧延時の温度
条件を７０〜１２０℃とすることである。この温度範囲
で冷間圧延を行なうことによって、サブグレイン又はセ
ルの平均粒径を１〜１０μｍの範囲に調整しやすくな
り、また、（１００）方位粒の平均粒径を５〜２０μｍ
の範囲に及びその密度を４００個／ｍｍ2以上に調整し
やすくなるのである。また、この方法の特徴は、中間焼
鈍及び最終焼鈍を施さないことである。中間焼鈍や最終
焼鈍を施すと、一定の温度範囲の冷間圧延で調整され
た、サブグレイン又はセルの平均粒径が大きくなった
り、（１００）方位粒の平均粒径が大きくなる恐れがあ
り、好ましくない。
とおりである。まず、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不
可避不純物を含み、アルミニウム純度が９９．９％以上
のアルミニウム鋳塊を準備する。アルミニウム純度を９
９．９％以上とする理由、及びＦｅ，Ｓｉ，Ｃｕの他元
素が含有されている理由は、上記したとおりである。こ
のアルミニウム鋳塊に、従来公知の均質化処理及び熱間
圧延を施す。均質化処理及び熱間圧延の種々の条件も、
従来採用されている条件で良い。熱間圧延を終えた後、
冷間圧延を施す。この方法の特徴は、冷間圧延時の温度
条件を７０〜１２０℃とすることである。この温度範囲
で冷間圧延を行なうことによって、サブグレイン又はセ
ルの平均粒径を１〜１０μｍの範囲に調整しやすくな
り、また、（１００）方位粒の平均粒径を５〜２０μｍ
の範囲に及びその密度を４００個／ｍｍ2以上に調整し
やすくなるのである。また、この方法の特徴は、中間焼
鈍及び最終焼鈍を施さないことである。中間焼鈍や最終
焼鈍を施すと、一定の温度範囲の冷間圧延で調整され
た、サブグレイン又はセルの平均粒径が大きくなった
り、（１００）方位粒の平均粒径が大きくなる恐れがあ
り、好ましくない。
【００１８】また、第二の方法は、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及
びその他の不可避不純物を含み、アルミニウム純度が９
９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、熱間圧延，冷間圧
延，中間焼鈍及び仕上冷間圧延を施して（但し、最終焼
鈍は施さない。）、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム合金箔を製造する方法において、中間焼鈍を温度１
８０〜２５０℃で５〜４０時間の条件で施し、仕上冷間
圧延の圧下率を１５〜５０％とすることを特徴とする電
解コンデンサ電極用硬質アルミニウム合金箔の製造方法
である。なお、仕上冷間圧延の圧下率は、仕上冷間圧延
前のアルミニウム薄板の厚さをｔ0とし、仕上冷間圧延
後のアルミニウム箔の厚さをｔ1としたとき、〔（ｔ0−
ｔ1）／ｔ0〕×１００で算出されるものである。
びその他の不可避不純物を含み、アルミニウム純度が９
９．９％以上のアルミニウム鋳塊に、熱間圧延，冷間圧
延，中間焼鈍及び仕上冷間圧延を施して（但し、最終焼
鈍は施さない。）、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム合金箔を製造する方法において、中間焼鈍を温度１
８０〜２５０℃で５〜４０時間の条件で施し、仕上冷間
圧延の圧下率を１５〜５０％とすることを特徴とする電
解コンデンサ電極用硬質アルミニウム合金箔の製造方法
である。なお、仕上冷間圧延の圧下率は、仕上冷間圧延
前のアルミニウム薄板の厚さをｔ0とし、仕上冷間圧延
後のアルミニウム箔の厚さをｔ1としたとき、〔（ｔ0−
ｔ1）／ｔ0〕×１００で算出されるものである。
【００１９】この方法及びその特徴を説明すると、次の
とおりである。まず、第一の方法と同様のアルミニウム
鋳塊を準備する。このアルミニウム鋳塊に、第一の方法
と同様に従来公知の均質化処理及び熱間圧延を施す。熱
間圧延を終えた後、冷間圧延を施す。冷間圧延も従来公
知の方法で、且つ従来採用されている条件で行なえば良
い。冷間圧延によって所望厚さのアルミニウム薄板を得
た後、中間焼鈍を施す。この方法の特徴は、中間焼鈍の
温度条件を１８０〜２５０℃とし、中間焼鈍の時間を５
〜４０時間とすることである。このように、従来の中間
焼鈍とは異なり、比較的低温で、また比較的短い時間で
中間焼鈍を施すことによって、（１００）方位粒の平均
粒径を５〜２０μｍの範囲に調整しやすくなり、且つそ
の密度を４００個／ｍｍ2以上に調整しやすくなる。ま
た、この方法の特徴は、中間焼鈍を終えた後、圧下率１
５〜５０％で仕上冷間圧延を施すことである。このよう
に、比較的低い圧下率で仕上冷間圧延を施すことによっ
て、（１００）方位粒の密度を減少させずに、サブグレ
イン又はセルの平均粒径を１〜１０μｍの範囲に調整し
やすくなる。更に、この方法の特徴は、最終焼鈍を施さ
ない点にも存する。最終焼鈍を施すと、特定条件下にお
ける中間焼鈍及び仕上冷間圧延で調整された、サブグレ
イン又はセルの平均粒径が大きくなったり、（１００）
方位粒の平均粒径が大きくなる恐れがあり、好ましくな
い。
とおりである。まず、第一の方法と同様のアルミニウム
鋳塊を準備する。このアルミニウム鋳塊に、第一の方法
と同様に従来公知の均質化処理及び熱間圧延を施す。熱
間圧延を終えた後、冷間圧延を施す。冷間圧延も従来公
知の方法で、且つ従来採用されている条件で行なえば良
い。冷間圧延によって所望厚さのアルミニウム薄板を得
た後、中間焼鈍を施す。この方法の特徴は、中間焼鈍の
温度条件を１８０〜２５０℃とし、中間焼鈍の時間を５
〜４０時間とすることである。このように、従来の中間
焼鈍とは異なり、比較的低温で、また比較的短い時間で
中間焼鈍を施すことによって、（１００）方位粒の平均
粒径を５〜２０μｍの範囲に調整しやすくなり、且つそ
の密度を４００個／ｍｍ2以上に調整しやすくなる。ま
た、この方法の特徴は、中間焼鈍を終えた後、圧下率１
５〜５０％で仕上冷間圧延を施すことである。このよう
に、比較的低い圧下率で仕上冷間圧延を施すことによっ
て、（１００）方位粒の密度を減少させずに、サブグレ
イン又はセルの平均粒径を１〜１０μｍの範囲に調整し
やすくなる。更に、この方法の特徴は、最終焼鈍を施さ
ない点にも存する。最終焼鈍を施すと、特定条件下にお
ける中間焼鈍及び仕上冷間圧延で調整された、サブグレ
イン又はセルの平均粒径が大きくなったり、（１００）
方位粒の平均粒径が大きくなる恐れがあり、好ましくな
い。
【００２０】以上のようにして得られた、電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム合金箔には、従来公知のエッ
チング処理が施され、電解コンデンサ用電極箔として用
いられる。特に、交流エッチング処理を施し、電解コン
デンサ低圧用陽極箔として好適に用いられる。
サ電極用硬質アルミニウム合金箔には、従来公知のエッ
チング処理が施され、電解コンデンサ用電極箔として用
いられる。特に、交流エッチング処理を施し、電解コン
デンサ低圧用陽極箔として好適に用いられる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を説明する
が、本発明は実施例に限定されるものではない。本発明
は、サブグレイン又はセルの平均粒径の調整と、（１０
０）方位粒の平均粒径とその密度との調整によって、電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング特性が
向上するとの知見に基づくものであるとして、解釈され
るべきである。
が、本発明は実施例に限定されるものではない。本発明
は、サブグレイン又はセルの平均粒径の調整と、（１０
０）方位粒の平均粒径とその密度との調整によって、電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング特性が
向上するとの知見に基づくものであるとして、解釈され
るべきである。
【００２２】実施例１ Ｆｅ：２０ｐｐｍ，Ｓｉ：２０ｐｐｍ，Ｃｕ：５０ｐｐ
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９８％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、５６０℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．１ｍｍの厚さのア
ルミニウム箔を得た。この冷間圧延は、全て８０〜１２
０℃の範囲内で行なった。最後に、このアルミニウム箔
をアルカリ洗浄し、硝酸を用いて脱スマット処理を施
し、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得た。
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９８％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、５６０℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．１ｍｍの厚さのア
ルミニウム箔を得た。この冷間圧延は、全て８０〜１２
０℃の範囲内で行なった。最後に、このアルミニウム箔
をアルカリ洗浄し、硝酸を用いて脱スマット処理を施
し、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得た。
【００２３】実施例２ 実施例１と同様の方法により、厚さ６ｍｍのアルミニウ
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．１２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。
このアルミニウム薄板に、温度１８０℃で５時間の中間
焼鈍を施した。中間焼鈍後、１７％の圧下率で、仕上冷
間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を得
た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱スマ
ット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．１２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。
このアルミニウム薄板に、温度１８０℃で５時間の中間
焼鈍を施した。中間焼鈍後、１７％の圧下率で、仕上冷
間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を得
た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱スマ
ット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
【００２４】実施例３ 中間焼鈍の時間を４０時間とした他は、実施例２と同様
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
【００２５】実施例４ 中間焼鈍の温度を２５０℃とした他は、実施例２と同様
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
【００２６】実施例５ 中間焼鈍の時間を４０時間とした他は、実施例４と同様
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
【００２７】実施例６ アルカリ洗浄に代えて、溶剤洗浄を行なった他は、実施
例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
【００２８】実施例７ 防錆処理剤を含有するアルカリ溶液でアルカリ洗浄する
他は、実施例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬
質アルミニウム箔を得た。
他は、実施例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬
質アルミニウム箔を得た。
【００２９】実施例８ 実施例１と同様の方法により、厚さ６ｍｍのアルミニウ
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。こ
のアルミニウム薄板に、温度１８０℃で５時間の中間焼
鈍を施した。中間焼鈍後、５０％の圧下率で、仕上冷間
圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を得
た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱スマ
ット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。こ
のアルミニウム薄板に、温度１８０℃で５時間の中間焼
鈍を施した。中間焼鈍後、５０％の圧下率で、仕上冷間
圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を得
た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱スマ
ット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニ
ウム箔を得た。
【００３０】実施例９ 中間焼鈍の温度を２５０℃とし、時間を４０時間とした
他は、実施例８と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬
質アルミニウム箔を得た。
他は、実施例８と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬
質アルミニウム箔を得た。
【００３１】実施例１０ Ｆｅ：１０ｐｐｍ，Ｓｉ：１０ｐｐｍ，Ｃｕ：３０ｐｐ
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９９％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、６００℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．１ｍｍの厚さのア
ルミニウム箔を得た。この冷間圧延は、全て７０〜９０
℃の範囲内で行なった。最後に、このアルミニウム箔を
アルカリ洗浄し、硝酸を用いて脱スマット処理を施し、
電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得た。
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９９％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、６００℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．１ｍｍの厚さのア
ルミニウム箔を得た。この冷間圧延は、全て７０〜９０
℃の範囲内で行なった。最後に、このアルミニウム箔を
アルカリ洗浄し、硝酸を用いて脱スマット処理を施し、
電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得た。
【００３２】実施例１１ Ｆｅ：１０ｐｐｍ，Ｓｉ：１０ｐｐｍ，Ｃｕ：５０ｐｐ
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９９％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、５６０℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．２ｍｍの厚さのア
ルミニウム薄板を得た。このアルミニウム薄板に、温度
２５０℃で４０時間の中間焼鈍を施した。中間焼鈍後、
５０％の圧下率で、仕上冷間圧延を施し、０．１ｍｍの
厚さのアルミニウム箔を得た。最後に、アルカリ洗浄を
施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
ｍ及びその他不可避不純物を含む９９．９９％純度のア
ルミニウム鋳塊（厚さ５００ｍｍ）に、５６０℃で５時
間の均質化処理を施す。この後、熱間圧延を施して、厚
さ６ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニウム板
に、冷間圧延を繰り返し施して、０．２ｍｍの厚さのア
ルミニウム薄板を得た。このアルミニウム薄板に、温度
２５０℃で４０時間の中間焼鈍を施した。中間焼鈍後、
５０％の圧下率で、仕上冷間圧延を施し、０．１ｍｍの
厚さのアルミニウム箔を得た。最後に、アルカリ洗浄を
施して、電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を得
た。
【００３３】実施例１２ アルカリ洗浄後の水洗を６０℃で５分間行なった他は、
実施例８と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬質アル
ミニウム箔を得た。
実施例８と同様の方法で電解コンデンサ電極用硬質アル
ミニウム箔を得た。
【００３４】実施例１３ 実施例１と同様の方法により、厚さ６ｍｍのアルミニウ
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．１１５ｍｍのアルミニウム薄板を得
た。このアルミニウム薄板に、温度２５０℃で４０時間
の中間焼鈍を施した。中間焼鈍後、１３％の圧下率で、
仕上冷間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム
箔を得た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び
脱スマット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質ア
ルミニウム箔を得た。
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．１１５ｍｍのアルミニウム薄板を得
た。このアルミニウム薄板に、温度２５０℃で４０時間
の中間焼鈍を施した。中間焼鈍後、１３％の圧下率で、
仕上冷間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム
箔を得た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び
脱スマット処理を施して、電解コンデンサ電極用硬質ア
ルミニウム箔を得た。
【００３５】比較例１ 中間焼鈍の温度を２７０℃とした他は、実施例２と同様
の方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
の方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
【００３６】比較例２ 実施例１と同様の方法により、厚さ６ｍｍのアルミニウ
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．２２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。
このアルミニウム薄板に、温度２５０℃で４０時間の中
間焼鈍を施した。中間焼鈍後、５５％の圧下率で、仕上
冷間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を
得た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱ス
マット処理を施して、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔を得た。
ム板を得た。このアルミニウム板に冷間圧延を繰り返し
施して、厚さ０．２２ｍｍのアルミニウム薄板を得た。
このアルミニウム薄板に、温度２５０℃で４０時間の中
間焼鈍を施した。中間焼鈍後、５５％の圧下率で、仕上
冷間圧延を施し、０．１ｍｍの厚さのアルミニウム箔を
得た。最後に、実施例１と同様のアルカリ洗浄及び脱ス
マット処理を施して、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔を得た。
【００３７】比較例３ 中間焼鈍の温度を１６０℃とし時間を４０時間とした他
は、実施例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔を得た。
は、実施例２と同様の方法で電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔を得た。
【００３８】以上のようにして得られた、実施例１〜１
３に係る電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及び
比較例１〜３に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔について、上記した方法で、サブグレイン又はセルの
平均粒径、（１００）方位粒の平均粒径とその密度、及
び酸化皮膜の成長速度を測定し、表１に示した。
３に係る電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及び
比較例１〜３に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔について、上記した方法で、サブグレイン又はセルの
平均粒径、（１００）方位粒の平均粒径とその密度、及
び酸化皮膜の成長速度を測定し、表１に示した。
【００３９】
【表１】
【００４０】次に、実施例１〜１３に係る電解コンデン
サ電極用硬質アルミニウム箔及び比較例１〜３に係る電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔に、以下の条件でエ
ッチング処理及び化成処理を施し、以下の方法で静電容
量（μＦ／ｃｍ2）を測定し、その結果を表２に示し
た。なお、静電容量の値（％）は、実施例８の電解コン
デンサ電極用硬質アルミニウム箔を用いて得られた静電
容量の値を１００％として、それに対する相対比較で求
めたものである。また、エッチング処理及び化成処理を
終えた箔に、以下に示した急速加熱を施し、最終的な箔
の引張強度を測定し、その結果も表２に示した。
サ電極用硬質アルミニウム箔及び比較例１〜３に係る電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔に、以下の条件でエ
ッチング処理及び化成処理を施し、以下の方法で静電容
量（μＦ／ｃｍ2）を測定し、その結果を表２に示し
た。なお、静電容量の値（％）は、実施例８の電解コン
デンサ電極用硬質アルミニウム箔を用いて得られた静電
容量の値を１００％として、それに対する相対比較で求
めたものである。また、エッチング処理及び化成処理を
終えた箔に、以下に示した急速加熱を施し、最終的な箔
の引張強度を測定し、その結果も表２に示した。
【００４１】〔エッチング処理〕：１２．０重量％塩酸
＋１．０重量％硫酸水溶液（液温６０℃）中にアルミニ
ウム箔を浸漬し、６０Ｈｚで０．４Ａ／ｃｍ2の正弦波
交流を用いて、第一次エッチングを１分間施した。この
後、８．０重量％塩酸＋０．１重量％硫酸水溶液（液温
３０℃）中に、第一次エッチング処理したアルミニウム
箔を浸漬し、６０Ｈｚで０．３Ａ／ｃｍ2の正弦波交流
を用いて、第二次エッチングを５分間施した。最後に、
水洗及び乾燥してエッチング処理を終了した。 〔化成処理〕：上記のエッチング処理を終えた各箔を、
ＥＩＡＪ法に則って、対抗電極をＳＵＳ ３０４とし
て、２０Ｖｆ．で化成処理を行なった。
＋１．０重量％硫酸水溶液（液温６０℃）中にアルミニ
ウム箔を浸漬し、６０Ｈｚで０．４Ａ／ｃｍ2の正弦波
交流を用いて、第一次エッチングを１分間施した。この
後、８．０重量％塩酸＋０．１重量％硫酸水溶液（液温
３０℃）中に、第一次エッチング処理したアルミニウム
箔を浸漬し、６０Ｈｚで０．３Ａ／ｃｍ2の正弦波交流
を用いて、第二次エッチングを５分間施した。最後に、
水洗及び乾燥してエッチング処理を終了した。 〔化成処理〕：上記のエッチング処理を終えた各箔を、
ＥＩＡＪ法に則って、対抗電極をＳＵＳ ３０４とし
て、２０Ｖｆ．で化成処理を行なった。
【００４２】〔静電容量〕：上記の化成処理を終えた各
電極箔（大きさ：巾１０ｍｍ×長さ５０ｍｍ）１枚を、
１３重量％五硼酸アンモニウム水溶液（液温３０℃）中
に浸漬し、対向電極として静電容量が４００００μＦ／
ｃｍ2以上のエッチドアルミニウム箔を用い、１２０Ｈ
ｚの直列等価回路でＬＣＲメーターを用いて、静電容量
（μＦ／ｃｍ2）を測定した。 〔急速加熱後の引張強度〕：上記の化成処理を終えた各
電極箔を、大気中で４００℃×５分間の条件で加熱処理
を行なった。この加熱処理後における各電極箔の引張強
度（ＭＰａ）をインストロン型万能引張試験機により測
定した。
電極箔（大きさ：巾１０ｍｍ×長さ５０ｍｍ）１枚を、
１３重量％五硼酸アンモニウム水溶液（液温３０℃）中
に浸漬し、対向電極として静電容量が４００００μＦ／
ｃｍ2以上のエッチドアルミニウム箔を用い、１２０Ｈ
ｚの直列等価回路でＬＣＲメーターを用いて、静電容量
（μＦ／ｃｍ2）を測定した。 〔急速加熱後の引張強度〕：上記の化成処理を終えた各
電極箔を、大気中で４００℃×５分間の条件で加熱処理
を行なった。この加熱処理後における各電極箔の引張強
度（ＭＰａ）をインストロン型万能引張試験機により測
定した。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２の結果から明らかなように、実施例１
〜１３に係る電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔
にエッチング処理等を施して得られた電極箔は、比較例
１〜３に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔にエ
ッチング処理等を施して得られた電極箔に比べて、高い
静電容量を持つことが分かる。また、電極箔に急速加熱
を施した場合、実施例１〜１３の電極箔は、比較例１〜
３の電極箔に比べて、概ね高引張強度を持つことが分か
る。
〜１３に係る電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔
にエッチング処理等を施して得られた電極箔は、比較例
１〜３に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔にエ
ッチング処理等を施して得られた電極箔に比べて、高い
静電容量を持つことが分かる。また、電極箔に急速加熱
を施した場合、実施例１〜１３の電極箔は、比較例１〜
３の電極箔に比べて、概ね高引張強度を持つことが分か
る。
【００４５】
【作用及び発明の効果】本発明に係る電解コンデンサ電
極用硬質アルミニウム箔にエッチング処理を施すと、高
静電容量の箔が得られる理由については、定かではな
い。しかしながら、本発明者等は、以下のように考えて
いる。即ち、サブグレイン又はセルの平均粒径が１〜１
０μｍというように、比較的小さいので、粒界の生じる
割合が多くなる。そして、エッチング処理による初期ピ
ットは、この粒界を核として生じると考えられため、初
期ピットが多数生成しやすくなる。そして、エッチング
処理で溶解しやすい（１００）方位粒の平均粒径が５〜
２０μｍと比較的小さく、且つその密度（個数）が４０
０個／ｍｍ2以上と多いため、微細なピット孔が多数生
成しやすくなる。従って、微細な海綿状ピットが形成さ
れ、エッチング処理によって、表面積が大幅に拡大する
と考えられるのである。依って、本発明に係る電解コン
デンサ電極用硬質アルミニウム箔を用いれば、高静電容
量の電極箔が得られるという効果を奏する。特に、交流
エッチング処理及び化成処理を施せば、高静電容量の電
解コンデンサ低圧用陽極箔が得られるという効果を奏す
る。
極用硬質アルミニウム箔にエッチング処理を施すと、高
静電容量の箔が得られる理由については、定かではな
い。しかしながら、本発明者等は、以下のように考えて
いる。即ち、サブグレイン又はセルの平均粒径が１〜１
０μｍというように、比較的小さいので、粒界の生じる
割合が多くなる。そして、エッチング処理による初期ピ
ットは、この粒界を核として生じると考えられため、初
期ピットが多数生成しやすくなる。そして、エッチング
処理で溶解しやすい（１００）方位粒の平均粒径が５〜
２０μｍと比較的小さく、且つその密度（個数）が４０
０個／ｍｍ2以上と多いため、微細なピット孔が多数生
成しやすくなる。従って、微細な海綿状ピットが形成さ
れ、エッチング処理によって、表面積が大幅に拡大する
と考えられるのである。依って、本発明に係る電解コン
デンサ電極用硬質アルミニウム箔を用いれば、高静電容
量の電極箔が得られるという効果を奏する。特に、交流
エッチング処理及び化成処理を施せば、高静電容量の電
解コンデンサ低圧用陽極箔が得られるという効果を奏す
る。
【００４６】また、エッチング処理及び化成処理後に、
急速加熱処理すれば、電極箔の引張強度が向上し、電極
箔として耐久性に優れ取り扱いやすいものが得られると
いう予期せぬ効果を奏する。
急速加熱処理すれば、電極箔の引張強度が向上し、電極
箔として耐久性に優れ取り扱いやすいものが得られると
いう予期せぬ効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８５ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８６Ａ ６８６ ６９１Ｂ ６９１ ６９１Ｃ ６９４Ｂ ６９４ ６９４Ａ Ｈ０１Ｇ 9/04 ３３７ ３４６
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不
純物を含み、アルミニウム純度が９９．９％以上のアル
ミニウム箔であって、サブグレイン又はセルの平均粒径
が１〜１０μｍであると共に、（１００）方位を有する
結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍであり、且つその密度
が４００個／ｍｍ2 以上であることを特徴とする電解
コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔。 - 【請求項２】 Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不
純物を含み、アルミニウム純度が９９．９％以上のアル
ミニウム鋳塊に、熱間圧延及び冷間圧延を施して（但
し、中間焼鈍及び最終焼鈍は施さない。）、電解コンデ
ンサ電極用硬質アルミニウム箔を製造する方法におい
て、冷間圧延温度を７０〜１２０℃とすることを特徴と
する電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔の製造方
法。 - 【請求項３】 Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及びその他の不可避不
純物を含み、アルミニウム純度が９９．９％以上のアル
ミニウム鋳塊に、熱間圧延，冷間圧延，中間焼鈍及び仕
上冷間圧延を施して（但し、最終焼鈍は施さない。）、
電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔を製造する方
法において、中間焼鈍を温度１８０〜２５０℃で５〜４
０時間の条件で施し、仕上冷間圧延の圧下率を１５〜５
０％とすることを特徴とする電解コンデンサ電極用硬質
アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
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