JPH1053826A - 電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板およびその製造方法 - Google Patents

電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板およびその製造方法

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JPH1053826A
JPH1053826A JP22606896A JP22606896A JPH1053826A JP H1053826 A JPH1053826 A JP H1053826A JP 22606896 A JP22606896 A JP 22606896A JP 22606896 A JP22606896 A JP 22606896A JP H1053826 A JPH1053826 A JP H1053826A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 SiおよびFeの合計値が20から150ppm
で、アルミニウム純度が99.97%以上の電解コンデン
サ用アルミニウム硬質薄板の表面の結晶粒の幅が0.2mm
以下とする。このアルミニウム硬質薄板は、上記金属組
成のアルミニウム鋳塊をソーキング後、熱間圧延工程に
おいて圧下率70%以上で圧延した後再結晶させ、最終
の熱間圧延条件を、圧延ロール入り側の熱延板温度を3
00〜420℃とすると共に圧下率を50%以上として
熱間圧延し、圧延された熱延板の表面の再結晶粒幅が0.
2mmを超えないうちにこの熱延板を再結晶温度以下に冷
却し、再結晶温度以下の温度で圧延して製造する。 【効果】 電解エッチングに際して表面むらが極めて少
く目視観察されない電解コンデンサー用アルミニウム硬
質薄板製品を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電解コンデンサ用ア
ルミニウム硬質薄板およびその製造方法に係り、電解エ
ッチングに際して表面むらの極く少ない電解コンデンサ
用アルミニウム硬質薄板およびその製造方法を提供しよ
うとするものである。なお本発明における薄板とは箔地
および箔である。
【0002】
【従来の技術】アルミニウムは、陽極酸化により表面に
耐電圧性の緻密な酸化皮膜が形成され誘電体として利用
できること、そしてさらに電気化学的にエッチングする
ことにより表面積を拡大できることを活かしてコンデン
サとして利用されている。このコンデンサに利用される
アルミニウムは陽極用箔においては、高い静電容量が得
られるために純度99.97%以上、好ましくは99.98
%以上のアルミニウムをベースに、その他の有意または
不純物元素を必要範囲に配合溶製し、脱ガス、不純物除
去等の処理を施したのち、上下が開放した水冷式鋳型を
用いるDC鋳造法で厚さ約500mmのスラブを鋳造し、
溶体化処理、熱間圧延、冷間圧延して厚さ約0.3mmの薄
板となし、焼鈍再結晶させた後、あるいは焼鈍なしでさ
らに薄く圧延して厚さ約0.1mmの電解コンデンサ用薄板
とされる。
【0003】上述したようにして得られた厚さ約0.1mm
の薄板は、酸系電解液を用いたエッチング工程で電気化
学的に両面から穿孔されピットを多数形成して表面積を
拡大し、また芯部を残すことによって薄板としての強度
を付与している。さらに次の化成工程で処理液、条件を
変えて、誘電体酸化皮膜を電気化学的に形成させ、次い
で製品幅に切断し、リードを取り付け、セパレート紙を
挟み、巻き取って電解液を含浸してケースに入れ、封口
材で封口する。その後電圧を印加し、加工中に付けた誘
電体酸化皮膜の傷を修復して完成品とされる。
【0004】電解コンデンサ用アルミニウム薄板は、上
述の如く精密に製造され、酸性電解液でエッチングされ
るので、冷間圧延によって観察されなかった表面の不均
一さが表面むらとして顕在化し、近年の高品質化におい
て欠陥とされるようになってきたことから、表面むらの
ない薄板が求められている。即ち本発明者らは、さきに
エッチング後の表面むらの少ない薄板を得る方法とし
て、熱間圧延中に再結晶を少なくとも1回以上起こさせ
て再結晶粒を微細化すると共に、圧延ロール通過後の板
温が300〜370℃の温度範囲の熱延パス回数を2回
以下とし、熱延終了後のコイル巻上げ板温度が300℃
未満である熱間圧延を行った後、通常の冷間圧延を施し
て硬質薄板を得る方法を提案した(特開平6−1811
46号)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平6−181146号公報に開示した手法によるとき
は、得られる硬質薄板の結晶幅はなお相当に大きく、せ
いぜい0.3mm程度であって、上述したような要求には必
ずしも適応できないものであり、従ってさらに表面むら
のない薄板が求められている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記したような
実情に鑑み更に検討を重ねて創案されたものであって、
本発明者らは、アルミニウム硬質薄板のエッチング後の
目視的な表面むらは鋳塊の均質化処理後の結晶粒および
熱延板の金属組織の残影によるものと考察され、この残
影を如何にして無くすかについて鋭意研究した結果、薄
板表面の結晶粒幅を0.2mm以下とした薄板は、エッチン
グ後の薄板に目視的な表面むらが生じないことを見出
し、またそのような微細結晶粒を有する薄板を得る方法
として、圧下率と再結晶温度の組み合わせにより得られ
ることを見出し、本発明を完成したものであって、その
目的とするところは、エッチング後に目視的に表面むら
の極く少ない、かつ静電容量の高い電解コンデンサ用ア
ルミニウム硬質薄板およびその製造方法を提供すること
に成功したものであって、その詳細は以下の如くであ
る。
【0007】即ち、第1の発明は、SiおよびFeの合計値
が20から150ppm であって、アルミニウム純度が9
9.97%以上である硬質薄板表面の結晶粒の幅が0.2mm
以下であることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質薄板である。
【0008】また第2の発明は、前記記載の組成および
純度のアルミニウム鋳塊をソーキング後熱間圧延して熱
延板を得るに際し、熱間圧延工程中圧下率70%以上で
圧延した後再結晶させ、しかる後最終の熱間圧延条件
を、圧延ロール入り側の熱延板の温度を300〜420
℃とし、圧下率を50%以上として熱間圧延し、圧延さ
れた熱延板の表面の再結晶粒幅が0.2mmを超えない内に
該熱延板を再結晶温度以下に冷却し、爾後再結晶温度以
下の温度で圧延することを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム硬質薄板の製造方法である。
【0009】さらに、第3の発明は、前記記載の組成お
よび純度のアルミニウム鋳塊をソーキング後熱間圧延し
て熱延板を得るに際し、熱間圧延工程中圧下率70%以
上で圧延して400〜520℃の熱延板とし、該温度に
60秒以上の中断時間を設けて再結晶させ、しかる後最
終の熱間圧延条件を、圧延ロール入り側の熱延板の温度
を300〜420℃とし、圧下率を50%以上として熱
間圧延し、該熱延板が圧延ロールに接触してから10秒
以内に、ロール出側の熱延板を250℃以下の温度まで
冷却し、爾後再結晶温度以下の温度で圧延することを特
徴とする電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板の製造
方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】上述したような電解コンデンサ用
アルミニウム硬質薄板は鋳塊を均質化処理後熱間圧延
し、焼鈍処理することなく冷間圧延され硬質薄板とされ
ることから、均質化処理後の鋳塊の結晶組織および熱間
圧延で得られた熱延板の金属組織が最終製品にまで影響
を及ぼし、この鋳塊の結晶組織および熱延板の金属組織
はエッチング後の硬質薄板表面において各結晶面の光の
反射として認識され、外観的には光の不均一反射となり
表面のむらとして目視判定される。熱間圧延中に再結晶
を発生させこの鋳塊の均質化処理後の結晶組織による光
の不均一反射を目視的に十分に解消させたものとして、
硬質薄板の結晶粒の幅を0.2mm以下とすることにより表
面むらの極少ない電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄
板とすることができる。
【0011】組成としては、SiおよびFeの合計値が20
から150ppm であって、アルミニウム純度が99.97
%以上、好ましくは99.98%以上のアルミニウムであ
る。ここでSiおよびFeの合計値を20ppm 以上としたの
は、20ppm 未満であると、機械的強度不足や、金属間
化合物の分布に疎な箇所が生じ、熱間圧延中にこのよう
な疎な箇所に粗大な結晶粒が発生し易く、微細な再結晶
粒を形成し得ない。またそれが150ppm を超えると、
金属間化合物の密度が高くなりエッチング開始点が増加
し過ぎて薄板の表面溶解が過度に生じてピットの形状を
崩し、静電容量の低下を招く。従ってSiおよびFeの含有
量は、SiおよびFeの合計値で20から150ppm とする
ものである。好ましくはSiが15〜80ppm 、Feが10
〜70ppm である。
【0012】Cuは、必要により5〜100ppm 添加させ
ることによって、Cuを含む化合物、例えばAlCu、AlCu2
等が他の化合物よりも電位的に貴であるので、薄板のエ
ッチング性を良好なものとし、静電容量を向上させる。
好ましくは5〜50ppm である。しかしCuの含有量が1
00ppm を超えると、エッチング開始点が増加し過ぎて
薄板の表面溶解が過度に生じてピットの形状を崩し、静
電容量の低下を招く。
【0013】アルミニウム純度を99.97%以上とした
のは、前記したSi、Fe、Cu以外の元素として、Ti、V、
Mn、Cr、Ni、Zn、Ga等が挙げられるが、これらは一種ま
たは全体としていずれもエッチング開始点密度を増加さ
せる元素であり、多く含有すると上述の如く薄板の表面
溶解が過度に生じて静電容量の低下を招くので、これら
の総量をアルミニウムの純度で規制すればよく、従って
アルミニウム純度99.97%以上、好ましくは99.98
%以上である。
【0014】上述の如く組成および純度を調整されたア
ルミニウム溶湯は常法により脱ガス、不純物除去等の処
理を施された後、上下が開放した水冷式鋳型を用いるD
C鋳造法で厚さ約500mmのスラブを鋳造し鋳塊とされ
る。この鋳塊は550℃程度以上の温度に略3時間以上
保持して溶体化処理される。ここで鋳塊の結晶粒は再結
晶し、再結晶した鋳塊は次に熱間圧延される。この熱間
圧延は鋳塊を冷間圧延可能の厚さまで複数回圧延され
る。この複数回の圧延の間に結晶粒は圧延方向に延ばさ
れ再結晶する時間的余裕の無い間に熱間圧延が終了する
が、圧延板の表面を平滑なものとするために熱間圧延板
の両端が切断されるような場合は、この両端切断作業の
間に再結晶が終了する。
【0015】本発明者等は硬質薄板のエッチング後の表
面むらが、この熱間圧延の終了した熱間圧延板表面の再
結晶粒と大いに関係が有ることを見出したものである
が、この再結晶粒の幅がさらに重要であって、その幅が
0.2mm以下の如く微細に再結晶されたものであれば、そ
の後冷間圧延された硬質薄板のエッチング後の表面むら
が解消することを見出した。前記冷間圧延においては結
晶粒は圧延方向に延ばされるだけであって、その幅寸法
に変化はない。
【0016】硬質薄板の結晶粒幅を0.2mm以下の如く微
細な結晶幅にするには、熱間圧延に於ける再結晶を少な
くとも2回発生させ、最後の再結晶処理を除く他の再結
晶処理は鋳塊およびソーキング後の結晶組織を破壊する
処理であって、そうすることによって均一微細な再結晶
組織を得ることができる。圧下率70%以上の熱延を施
した熱延板に再結晶を発生させることによって全体が微
細に再結晶し、大きさとして略0.5mm以下の再結晶粒と
なる。なお、ここで言う圧下率は歪みエネルギーを蓄積
させる必要性から、前工程の再結晶処理以降の全圧下量
を指すものである。またこの場合圧下率が70%未満で
あると歪みエネルギーが不均一で微細かつ均一な所期の
再結晶組織が得られず、爾後の処理においても好ましい
結晶幅の硬質薄板が得られない。圧下率の好ましい値は
80%以上である。
【0017】この熱間圧延中の再結晶は、好ましくはロ
ール出側の熱延板温度を400〜520℃、さらに好ま
しくは450〜500℃で、次の最終熱延開始までの時
間を60秒以上とることによって容易に上述の如き全体
が均一微細に再結晶した熱延板が得られる。400℃未
満では再結晶が不十分となり易く好ましくない。また5
20℃を超えると再結晶粒が不均一に大きく成長し易く
いずれにしても好ましくない。
【0018】最後の再結晶処理は、歪みエネルギーを十
分に付与し再結晶の駆動力を十分なものとし、均一微細
な再結晶粒を発生させ、鋳塊の組織およびソーキング後
の組織に起因する硬質薄板の不均一な光の反射による表
面むらを無くすためのものであって、その熱間圧延の条
件を、圧延ロール入り側の熱延板の温度を300〜42
0℃とし、圧下率を50%以上として熱間圧延し再結晶
させ、圧延された熱延板の表面の再結晶成長中の再結晶
粒径が0.2mmを超えない内に再結晶温度以下に冷却する
ものである。前記した圧延ロール入り側の熱延板の温度
を420℃以下とすることによって、再結晶粒の成長速
度を抑制し、圧下率を50%以上とすることによって、
歪みエネルギーを十分に付与し、加工熱を発生させて少
なくとも熱延板の表層部の温度を一時的に上昇させて板
表面に微細均一な再結晶を発生させるものである。圧下
率は好ましくは70%以上である。
【0019】従って再結晶粒の成長速度に合わせて冷却
し成長を止めることによって再結晶粒径が0.2mm以下の
熱延板を得ることが容易に可能となる。成長中の再結晶
粒の粒径を0.2mm以下に留めるには、入り側において熱
延板がロールに接触してから10秒以内にロールの出側
に於いて熱延板を250℃以下、好ましくは230℃以
下の温度に冷却するとよい。10秒を超えまた250℃
以下の温度にならなければ、再結晶粒が成長して0.2mm
以下の再結晶粒径が得難くなる。
【0020】圧延ロール入り側の熱延板の温度が420
℃を超え、圧下率が50%未満であると再結晶粒径が0.
2mm以下の微細再結晶粒を有する熱延板を得ることが難
しくなる。前記した圧延ロール入り側の熱延板の温度が
300℃未満、圧下率が50%未満であると、温度が低
いため、上述の如き均一な微細再結晶が得られない。何
れにしてもこのようにして得られた再結晶粒幅を0.2mm
以下とされた熱延板は爾後再結晶温度以下で圧延され、
結晶粒幅は0.2mm以下のままで硬質薄板とされる。
【0021】このような微細な再結晶がエッチング後の
表面むらを解消するのは次のように考えられる。即ち鋳
塊の均質化処理で再結晶した不均一で粗大な再結晶粒は
熱間圧延、冷却圧延を経てもエッチング後に硬質薄板表
面において、目視的な光の不均一反射が表面むらとして
目視観察されるところ、全面的に結晶幅の非常に狭い結
晶粒とすることによって、上述の光の不均一反射があた
かも目視的には均一に観察されるようになったものと推
定される。
【0022】
【実施例】次の表1に示す組成を有するアルミニウム溶
湯をDC鋳造して厚さ400mmの鋳塊とし、面削後59
0℃の温度で7時間のソーキング処理し、次いで略この
ソーキング温度で熱間圧延を開始し、次の表2に示すよ
うな種々の熱間圧延条件で熱間圧延した。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】上記のように表2の条件で熱間圧延された
ものはその後焼鈍処理することなく冷間圧延し、厚さ0.
1mmの硬質薄板とし、これらの硬質薄板に対して次の電
解エッチング条件でエッチング処理をなし、また静電容
量測定条件と表面むら判定条件によって静電容量と表面
むらを判定した。 1)電解エッチング条件 エッチング液 :8wt%塩酸+1wt%硫酸 エッチング温度:50℃ 電解波形 :正弦波交流、周波数20Hz 電流密度 :180mA/cm2 電解時間 :270秒 2)静電容量測定 化成溶液 :50℃の50g/lアジピン酸二水素
アンモニウム水溶液 化成電圧 :20V 容量測定 :30℃の同溶液中、キャパシタンスメ
ータ使用 3)表面むら判定 箔を電解研磨し、ホウフッ酸溶液中で陽極酸化後、光学
顕微鏡に偏光レンズを用いて結晶粒を観察した。その
後、写真から試料における結晶粒の最大幅を求めた。
【0026】上記したような測定ないし判定結果を要約
して示すと次の表3の如くであって、本発明の実施例に
よる試料番号1〜20のものは静電容量が何れも100
%以上で、表面スジ最大幅は0.2mm以下であり、表面む
らが目視観察されず、品質の優れたものであるのに対し
結晶粒幅が0.2mmを超えた比較例(試験番号21〜29
および31)および結晶粒幅が0.2mm以下であっても静
電容量が100%に達しない比較例(試料番号30)の
ものは表面むらが目視観察され、エッチング特性の低い
ものとなることが知られた。
【0027】
【表3】
【0028】
【発明の効果】以上説明したような本発明によるときは
電解エッチングに際して表面むらの極めて少く目視観察
されない品質の優れた電解コンデンサー用アルミニウム
硬質薄板を適切に得しめエッチング特性の優れた製品を
提供することができるものであるから工業的にその効果
の大きい発明である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 足高 善也 大阪府大阪市中央区久太郎町三丁目6番8 号 東洋アルミニウム株式会社内 (72)発明者 片野 雅彦 静岡県庵原郡蒲原町蒲原1丁目34番1号 日本軽金属株式会社グループ技術センター 内 (72)発明者 石井 秀彦 愛知県稲沢市小池1丁目11番1号 日本軽 金属株式会社名古屋工場内 (72)発明者 大竹 富美雄 愛知県稲沢市小池1丁目11番1号 日本軽 金属株式会社名古屋工場内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 SiおよびFeの合計値が20から150pp
    m であって、アルミニウム純度が99.97%以上である
    硬質薄板表面の結晶粒の幅が0.2mm以下であることを特
    徴とした電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の組成およびアルミニウ
    ム純度を有するアルミニウム鋳塊をソーキング後熱間圧
    延して熱延板を得るに際し、熱間圧延工程中圧下率70
    %以上で圧延した後再結晶させ、しかる後最終の熱間圧
    延条件を、圧延ロール入り側の熱延板温度を300〜4
    20℃とすると共に圧下率を50%以上として熱間圧延
    し、圧延された熱延板の表面の再結晶粒幅が0.2mmを超
    えない内に該熱延板を再結晶温度以下に冷却し、爾後再
    結晶温度以下の温度で圧延することを特徴とする電解コ
    ンデンサ用アルミニウム硬質薄板の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の組成およびアルミニウ
    ム純度を有するアルミニウム鋳塊をソーキング後熱間圧
    延して熱延板を得るに際し、熱間圧延工程中圧下率70
    %以上で圧延して400〜520℃の熱延板とし、該温
    度に60秒以上中断時間を設けて再結晶させ、しかる後
    最終の熱間圧延条件を、圧延ロール入り側の熱延板温度
    を300〜420℃とすると共に圧下率を50%以上と
    して熱間圧延し、該熱延板が圧延ロールに接触してから
    10秒以内に、ロール出側の熱延板を250℃以下の温
    度まで冷却し、爾後再結晶温度以下の温度で圧延するこ
    とを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板
    の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1150213A (ja) * 1997-07-25 1999-02-23 Furukawa Electric Co Ltd:The 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
JP2000199026A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Nippon Foil Mfg Co Ltd 電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法
CN105895375A (zh) * 2014-12-05 2016-08-24 江苏荣生电子有限公司 一种具有贯穿孔的电极箔的制造方法

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CN105895375A (zh) * 2014-12-05 2016-08-24 江苏荣生电子有限公司 一种具有贯穿孔的电极箔的制造方法

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