JP2002158226A - 窒化シリコン固体表面保護膜及びその製造方法とホール素子 - Google Patents
窒化シリコン固体表面保護膜及びその製造方法とホール素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】すぐれた耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い窒化シリコ
ン固体表面保護膜を提供する。 【解決手段】固体（ａ）表面上にプラズマ−ＣＶＤ法に
よって保護膜として形成する少なくとも２層以上の積層
した窒化シリコン膜において、前記固体（ａ）表面に接
する窒化シリコン層（ｆ）と、前記保護膜の表面側の窒
化シリコン層（ｈ）がそれぞれ異なる特性を有するよう
に形成され、その保護膜が、３種の異なる特性を有する
第１、第２、第３の窒化シリコン層（ｆ）（ｇ）（ｈ）
を積層することにより形成されている。
グ性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い窒化シリコ
ン固体表面保護膜を提供する。 【解決手段】固体（ａ）表面上にプラズマ−ＣＶＤ法に
よって保護膜として形成する少なくとも２層以上の積層
した窒化シリコン膜において、前記固体（ａ）表面に接
する窒化シリコン層（ｆ）と、前記保護膜の表面側の窒
化シリコン層（ｈ）がそれぞれ異なる特性を有するよう
に形成され、その保護膜が、３種の異なる特性を有する
第１、第２、第３の窒化シリコン層（ｆ）（ｇ）（ｈ）
を積層することにより形成されている。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子または金
属表面あるいはその双方を保護する目的で形成される窒
化シリコン固体表面保護膜及びその製造方法とホール素
子に関する。
属表面あるいはその双方を保護する目的で形成される窒
化シリコン固体表面保護膜及びその製造方法とホール素
子に関する。
【０００１】
【従来の技術】従来の半導体素子、金属を主とする固体
表面、特にＬＳＩに代表される機能性素子表面には何ら
かの方法を用いて保護膜が形成されている。こうした保
護膜を形成することにより、素子の不具合発生原因とな
る機械的なダメージ、水分の侵入、不純物原子や分子の
侵入等を防止することができ、素子の信頼性は向上す
る。近年の半導体素子では微細加工技術が急速に進み、
その表面を保護する必要性はますます高まっている。
表面、特にＬＳＩに代表される機能性素子表面には何ら
かの方法を用いて保護膜が形成されている。こうした保
護膜を形成することにより、素子の不具合発生原因とな
る機械的なダメージ、水分の侵入、不純物原子や分子の
侵入等を防止することができ、素子の信頼性は向上す
る。近年の半導体素子では微細加工技術が急速に進み、
その表面を保護する必要性はますます高まっている。
【０００２】保護膜の原料はＳｉＯ2 、窒化シリコン
（以後ＳｉＮ）に代表される無機系の化合物と樹脂、ポ
リイミド等の有機系ポリマーに大別されるが、中でもＳ
ｉＯ2とＳｉＮは耐酸化性、アルカリイオンのブロック
性、緻密性、絶縁性に優れており、多くの半導体素子表
面の保護膜として使用されている。特にＳｉＮはＳｉＯ
2 よりもアルカリイオンのブロック性、耐水性に優れて
おり、また、ステップカバーレッジが優れているため、
特に素子の凹凸、電極を有する素子に対して適してい
る。
（以後ＳｉＮ）に代表される無機系の化合物と樹脂、ポ
リイミド等の有機系ポリマーに大別されるが、中でもＳ
ｉＯ2とＳｉＮは耐酸化性、アルカリイオンのブロック
性、緻密性、絶縁性に優れており、多くの半導体素子表
面の保護膜として使用されている。特にＳｉＮはＳｉＯ
2 よりもアルカリイオンのブロック性、耐水性に優れて
おり、また、ステップカバーレッジが優れているため、
特に素子の凹凸、電極を有する素子に対して適してい
る。
【０００３】ＳｉＮによる保護膜の形成方法はＣＶＤ
法、レーザーＣＶＤ法、プラズマ−ＣＶＤ法が一般に用
いられており、最近ではプラズマ密度を高めたＥＣＲ−
ＣＶＤ法（特開平６−２９１１１４）等の新しい膜形成
方法が開発されている。中でもプラズマ−ＣＶＤ法はＣ
ＶＤ法のように熱分解を利用しないため比較的低温で膜
形成ができ、素子表面へのダメージも減少させることが
可能であることから広く使用されている技術である。
法、レーザーＣＶＤ法、プラズマ−ＣＶＤ法が一般に用
いられており、最近ではプラズマ密度を高めたＥＣＲ−
ＣＶＤ法（特開平６−２９１１１４）等の新しい膜形成
方法が開発されている。中でもプラズマ−ＣＶＤ法はＣ
ＶＤ法のように熱分解を利用しないため比較的低温で膜
形成ができ、素子表面へのダメージも減少させることが
可能であることから広く使用されている技術である。
【０００４】しかしながら、プラズマ−ＣＶＤ法によっ
て形成されるＳｉＮ膜は、その膜質が膜形成条件、例え
ば圧力、原料ガス流量、ＲＦパワー、温度、装置などに
依存し、条件によっては保護能力の低下、あるいは膜自
体の内部ストレス増加による割れ等が発生し、素子の信
頼性が低下する場合がある。
て形成されるＳｉＮ膜は、その膜質が膜形成条件、例え
ば圧力、原料ガス流量、ＲＦパワー、温度、装置などに
依存し、条件によっては保護能力の低下、あるいは膜自
体の内部ストレス増加による割れ等が発生し、素子の信
頼性が低下する場合がある。
【０００５】特に、耐水性、耐薬品性、イオンブロック
性と割れ発生の原因となる内部ストレス増加の抑制は両
立させることが困難であり耐水性を高めると膜ストレス
が大きくなり、ストレスを減少させると耐水性が低下す
ると言った膜質としては相反する特性を有する必要があ
る。
性と割れ発生の原因となる内部ストレス増加の抑制は両
立させることが困難であり耐水性を高めると膜ストレス
が大きくなり、ストレスを減少させると耐水性が低下す
ると言った膜質としては相反する特性を有する必要があ
る。
【０００６】そのため、それらの中間的な特性を有する
ＳｉＮの膜形成やＳｉＯ2 によるバッファー層形成、特
性を左右する水素含有量の適正化等々の数々の手法が模
索されているが、完全に両特性を有するＳｉＮ膜は得ら
れていない。
ＳｉＮの膜形成やＳｉＯ2 によるバッファー層形成、特
性を左右する水素含有量の適正化等々の数々の手法が模
索されているが、完全に両特性を有するＳｉＮ膜は得ら
れていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＮ膜の特性は、膜
中のＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｎ結合量、Ｓｉ−ＨＸ
Ｎ−ＨＸ結合量（水素含有量）、それらの比率、あるい
はそれらの複合的な要素が絡み合って決まるものであ
る。また、それら要素を調整する条件がガス流量や圧
力、温度、ＲＦパワーであり、主に水素含有量を調整す
ることになる。
中のＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｎ結合量、Ｓｉ−ＨＸ
Ｎ−ＨＸ結合量（水素含有量）、それらの比率、あるい
はそれらの複合的な要素が絡み合って決まるものであ
る。また、それら要素を調整する条件がガス流量や圧
力、温度、ＲＦパワーであり、主に水素含有量を調整す
ることになる。
【０００８】しかし、水素含有量だけで膜の特性が必ず
しも決定されるわけではなく、上記に挙げたような元素
同士の結合状態、量によっても変化する。したがって、
これらすべての要素を含めた何らかの物性を指標とする
ことにより膜を制御することが望ましい。
しも決定されるわけではなく、上記に挙げたような元素
同士の結合状態、量によっても変化する。したがって、
これらすべての要素を含めた何らかの物性を指標とする
ことにより膜を制御することが望ましい。
【０００９】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、すぐれた耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い窒化シリコン固
体表面保護膜及びその製造方法とホール素子を提供する
ことを目的とする。
れ、すぐれた耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い窒化シリコン固
体表面保護膜及びその製造方法とホール素子を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するための手段を以下のように構成している。
達成するための手段を以下のように構成している。
【００１１】（１）固体表面上にプラズマ−ＣＶＤ法に
よって保護膜として形成する少なくとも２層以上の積層
した窒化シリコン膜において、前記固体表面に接する窒
化シリコン層と、前記保護膜の表面側の窒化シリコン層
がそれぞれ異なる特性を有するように形成されているこ
とを特徴とする。
よって保護膜として形成する少なくとも２層以上の積層
した窒化シリコン膜において、前記固体表面に接する窒
化シリコン層と、前記保護膜の表面側の窒化シリコン層
がそれぞれ異なる特性を有するように形成されているこ
とを特徴とする。
【００１２】ここで、異なる特性とは、耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性、膜内在ストレスの大きさで
あり、保護膜は、このような特性のなかで少なくとも２
つ以上の固体表面保護に関して有効となりうる特性を有
するＳｉＮ膜から形成されている。
性、イオンブロッキング性、膜内在ストレスの大きさで
あり、保護膜は、このような特性のなかで少なくとも２
つ以上の固体表面保護に関して有効となりうる特性を有
するＳｉＮ膜から形成されている。
【００１３】上記構成によれば、耐水性と低ストレス、
耐薬品性と低ストレス等これまで単一の膜内では不可能
であった保護膜としての機能を両立させうるより信頼性
の高い表面保護膜を提供することが可能となる。
耐薬品性と低ストレス等これまで単一の膜内では不可能
であった保護膜としての機能を両立させうるより信頼性
の高い表面保護膜を提供することが可能となる。
【００１４】また、ＳｉＮと言う同一の化合物内で特性
を変化させるため多層膜形成のように装置変更、原料切
り替え等が不要であり生産効率が向上する。
を変化させるため多層膜形成のように装置変更、原料切
り替え等が不要であり生産効率が向上する。
【００１５】（２）２種の異なる特性を有する第１，第
２の窒化シリコン層の積層構造により形成されているこ
とを特徴とする。
２の窒化シリコン層の積層構造により形成されているこ
とを特徴とする。
【００１６】ここで、異なる特性とは、耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有するＳｉＮ層と内在スト
レスの小さいＳｉＮ層のことであり、例えば、内在スト
レスの小さいＳｉＮ層を第１のＳｉＮ層として固体表面
と接する側に、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング
性の高いＳｉＮ層を第２のＳｉＮ層として保護膜表層側
とすることにより、保護膜全体の割れ、欠けが抑制され
ると共に、第１のＳｉＮ層が固体表面と第２のＳｉＮ層
とのバッファー層として機能する。よって、保護膜全体
のストレスは緩和されて信頼性の高い保護膜が形成され
る。
性、イオンブロッキング性を有するＳｉＮ層と内在スト
レスの小さいＳｉＮ層のことであり、例えば、内在スト
レスの小さいＳｉＮ層を第１のＳｉＮ層として固体表面
と接する側に、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング
性の高いＳｉＮ層を第２のＳｉＮ層として保護膜表層側
とすることにより、保護膜全体の割れ、欠けが抑制され
ると共に、第１のＳｉＮ層が固体表面と第２のＳｉＮ層
とのバッファー層として機能する。よって、保護膜全体
のストレスは緩和されて信頼性の高い保護膜が形成され
る。
【００１７】（３）それぞれの前記窒化シリコン層がプ
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する前記第１の窒化シリコン層の屈折率が１．６
０〜１．９０の値に設定され、前記保護膜表面側の第２
の窒化シリコン層が屈折率が１．９０〜２．２０の値に
設定されたことを特徴とする。
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する前記第１の窒化シリコン層の屈折率が１．６
０〜１．９０の値に設定され、前記保護膜表面側の第２
の窒化シリコン層が屈折率が１．９０〜２．２０の値に
設定されたことを特徴とする。
【００１８】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望ましくは
１．６０〜１．８０、さらに望ましくは１．６０〜１．
７０である。
Ｎ層の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望ましくは
１．６０〜１．８０、さらに望ましくは１．６０〜１．
７０である。
【００１９】一方、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキ
ング性の高い第２のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．
２０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更
に望ましくは２．００〜２．２０である。
ング性の高い第２のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．
２０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更
に望ましくは２．００〜２．２０である。
【００２０】これら２種のＳｉＮ層を積層することによ
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【００２１】（４）前記異なる特性が前記窒化シリコン
層のエッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン
層のエッチングレートが、前記第２の窒化シリコン層の
エッチングレートよりも大きな値に設定されたことを特
徴とする。
層のエッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン
層のエッチングレートが、前記第２の窒化シリコン層の
エッチングレートよりも大きな値に設定されたことを特
徴とする。
【００２２】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層のエッチングレートは８００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
Ｎ層のエッチングレートは８００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
【００２３】一方、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキ
ング性を有する第２のＳｉＮ層のエソチングレートはＢ
ＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍ
ｉｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎである。
ング性を有する第２のＳｉＮ層のエソチングレートはＢ
ＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍ
ｉｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎである。
【００２４】これら２種のＳｉＮ層を積層することによ
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【００２５】（５）前記固体表面上に形成される保護膜
が、３種の異なる特性を有する第１、第２、第３の窒化
シリコン層を積層することにより形成されていることを
特徴とする。
が、３種の異なる特性を有する第１、第２、第３の窒化
シリコン層を積層することにより形成されていることを
特徴とする。
【００２６】ここで、異なる特性とは、耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有するＳｉＮ層と内在スト
レスの小さいＳｉＮ層と前記２種のＳｉＮ層の中間的な
特性を有するＳｉＮ層のことであり、例えば、内在スト
レスの小さい第１のＳｉＮ層を固体表面と接する側に
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い第
３のＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性を有す
る第２のＳｉＮ層を前記２層の中間層とすることによ
り、保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制され
ると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜全体と固体表面との
間のバッファー層として機能し、更に中間層が、第３の
ＳｉＮ層と第１のＳｉＮ層間のバッファー層として機能
する。
性、イオンブロッキング性を有するＳｉＮ層と内在スト
レスの小さいＳｉＮ層と前記２種のＳｉＮ層の中間的な
特性を有するＳｉＮ層のことであり、例えば、内在スト
レスの小さい第１のＳｉＮ層を固体表面と接する側に
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い第
３のＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性を有す
る第２のＳｉＮ層を前記２層の中間層とすることによ
り、保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制され
ると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜全体と固体表面との
間のバッファー層として機能し、更に中間層が、第３の
ＳｉＮ層と第１のＳｉＮ層間のバッファー層として機能
する。
【００２７】よって、第１のＳｉＮ層と第３のＳｉＮ層
の間で発生するストレス差を中間層が緩和し、耐水性、
耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ストレ
スでより信頼性の高い表面保護膜が形成される。
の間で発生するストレス差を中間層が緩和し、耐水性、
耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ストレ
スでより信頼性の高い表面保護膜が形成される。
【００２８】（６）それぞれの前記窒化シリコン層はプ
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の
窒化シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコ
ン層が、それぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、
１．８０〜２．００、１．９０〜２．２０の値に設定さ
れていることを特徴とする。
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の
窒化シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコ
ン層が、それぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、
１．８０〜２．００、１．９０〜２．２０の値に設定さ
れていることを特徴とする。
【００２９】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層の屈折率は１．７０〜１．９０であり、望ましくは
１．７０〜１．８０、さらに望ましくは、１．６０〜
１．７０である。
Ｎ層の屈折率は１．７０〜１．９０であり、望ましくは
１．７０〜１．８０、さらに望ましくは、１．６０〜
１．７０である。
【００３０】耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
の高い第３のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．２０で
あり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更に望ま
しくは、２．００〜２．２０である。
の高い第３のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．２０で
あり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更に望ま
しくは、２．００〜２．２０である。
【００３１】また、中間的な特性を有する第２のＳｉＮ
層の屈折率は１．８０〜２．００であり、望ましくは
１．８５〜１．９５である。
層の屈折率は１．８０〜２．００であり、望ましくは
１．８５〜１．９５である。
【００３２】上記３種のＳｉＮ層を積層することにより
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【００３３】（７）前記異なる特性が前記窒化シリコン
層のエッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン
層のエッチングレートは、前記第２の窒化シリコン層の
エッチングレートよりも大きな値を持ち、かつ前記第２
の窒化シリコン層のエッチングレートは、前記第３の窒
化シリコンのエッチングレートよりも大きな値を持つよ
うに形成されていることを特徴とする。
層のエッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン
層のエッチングレートは、前記第２の窒化シリコン層の
エッチングレートよりも大きな値を持ち、かつ前記第２
の窒化シリコン層のエッチングレートは、前記第３の窒
化シリコンのエッチングレートよりも大きな値を持つよ
うに形成されていることを特徴とする。
【００３４】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層のエッチングレートは８００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
Ｎ層のエッチングレートは８００〜１５００ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、望ましくは１２００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
【００３５】耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有する第３のＳｉＮ層のエッチングレートはＢＨＦに
対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍｉｎで
あり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎである。
を有する第３のＳｉＮ層のエッチングレートはＢＨＦに
対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍｉｎで
あり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎである。
【００３６】また、中間的な特性を有する第２のＳｉＮ
層のエッチングレートは２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎ
であり、望ましくは５００〜８００ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
層のエッチングレートは２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎ
であり、望ましくは５００〜８００ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
【００３７】上記３種のＳｉＮ層を積層することにより
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【００３８】（８）それぞれの前記窒化シリコン層はプ
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の
窒化シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコ
ン層はそれぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、
１．９０〜２．２０、１．６０〜２．２０の値に設定さ
れていることを特徴とする。
ラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる
特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表
面と接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の
窒化シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコ
ン層はそれぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、
１．９０〜２．２０、１．６０〜２．２０の値に設定さ
れていることを特徴とする。
【００３９】ここで、異なる特性を有するＳｉＮ膜と
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層と前記
２種のＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のこと
であり、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層
を固体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性の高い第２のＳｉＮ層を中間層とし、前
記２種のＳｉＮ層の中間的な特性を有する第３のＳｉＮ
層を保護膜表面側とすることにより、保護膜全体のスト
レスによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉ
Ｎ層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層とし
て機能し、更に、第２のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、
イオンブロッキング性を有するため、固体表面の信頼性
が低下することはない。
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層と前記
２種のＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のこと
であり、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層
を固体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性の高い第２のＳｉＮ層を中間層とし、前
記２種のＳｉＮ層の中間的な特性を有する第３のＳｉＮ
層を保護膜表面側とすることにより、保護膜全体のスト
レスによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉ
Ｎ層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層とし
て機能し、更に、第２のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、
イオンブロッキング性を有するため、固体表面の信頼性
が低下することはない。
【００４０】通常、半導体の素子などは、素子全体を樹
脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳｉＮ層
が樹脂と素子との間のバッファー層として機能しうるた
め、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はより向上
する。
脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳｉＮ層
が樹脂と素子との間のバッファー層として機能しうるた
め、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はより向上
する。
【００４１】また、第１のＳｉＮ層の屈折率は１．６０
〜１．９０であり、望ましくは１．６０〜１．８０、さ
らに望ましくは１．６０〜１．７０であり、第２のＳｉ
Ｎ層の屈折率は１．９０〜２．２０であり、望ましくは
１．９５〜２．２０であり更に望ましくは２．００〜
２．２０であり、第３のＳｉＮ層の屈折率は１．８０〜
２．００であり、望ましくは１．８５〜１．９５であ
る。
〜１．９０であり、望ましくは１．６０〜１．８０、さ
らに望ましくは１．６０〜１．７０であり、第２のＳｉ
Ｎ層の屈折率は１．９０〜２．２０であり、望ましくは
１．９５〜２．２０であり更に望ましくは２．００〜
２．２０であり、第３のＳｉＮ層の屈折率は１．８０〜
２．００であり、望ましくは１．８５〜１．９５であ
る。
【００４２】（９）５種以上の特性の異なる第１〜第Ｎ
（Ｎ≧５）番目までの窒化シリコン層を積層することに
より形成されていることを特徴とする。
（Ｎ≧５）番目までの窒化シリコン層を積層することに
より形成されていることを特徴とする。
【００４３】ここで、異なる特性を有するＳｉＮ膜と
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と２種のＳｉ
Ｎ層の中間的な特性を有する多層のＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層を固
体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性の高い第Ｎ番目のＳｉＮ層を保護膜表面側と
し、中間的な特性を有するＳｉＮ層を段階的に特性を変
化させて形成することにより保護膜全体のストレスによ
る割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層が保
護膜全体と固体表面との間のバッファー層として機能
し、更に中間層は特性の異なるＳｉＮ層間のストレス差
を緩和し、第Ｎ番目のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イ
オンブロッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼
性の高い表面保護膜が形成される。
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と２種のＳｉ
Ｎ層の中間的な特性を有する多層のＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層を固
体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性の高い第Ｎ番目のＳｉＮ層を保護膜表面側と
し、中間的な特性を有するＳｉＮ層を段階的に特性を変
化させて形成することにより保護膜全体のストレスによ
る割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層が保
護膜全体と固体表面との間のバッファー層として機能
し、更に中間層は特性の異なるＳｉＮ層間のストレス差
を緩和し、第Ｎ番目のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イ
オンブロッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼
性の高い表面保護膜が形成される。
【００４４】（１０）それぞれの前記窒化シリコン膜は
プラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異な
る特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体
表面と接する第１窒化シリコン層から保護膜表面側とな
る第Ｎ番目の窒化シリコン層（Ｎ＞５）のＮ個の層が積
層されており、かつ前記固体表面と接する第１の窒化シ
リコン層の屈折率がもっとも小さく１．６０〜１．８０
の範囲であり、前記保護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化
シリコン層の屈折率が最も大きく１．９０〜２．２０の
値に設定され、２層〜Ｎ−１層となる窒化シリコン層は
１．９０〜２．２０の範囲で段階的に屈折率が大きな値
に設定されることを特徴とする。
プラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異な
る特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体
表面と接する第１窒化シリコン層から保護膜表面側とな
る第Ｎ番目の窒化シリコン層（Ｎ＞５）のＮ個の層が積
層されており、かつ前記固体表面と接する第１の窒化シ
リコン層の屈折率がもっとも小さく１．６０〜１．８０
の範囲であり、前記保護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化
シリコン層の屈折率が最も大きく１．９０〜２．２０の
値に設定され、２層〜Ｎ−１層となる窒化シリコン層は
１．９０〜２．２０の範囲で段階的に屈折率が大きな値
に設定されることを特徴とする。
【００４５】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望ましくは
１．７０〜１．８０、さらに望ましくは、１．６０〜
１．７０である。
Ｎ層の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望ましくは
１．７０〜１．８０、さらに望ましくは、１．６０〜
１．７０である。
【００４６】耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
の高い第Ｎ番目のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．２
０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり更に望
ましくは２．００〜２．２０である。
の高い第Ｎ番目のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．２
０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり更に望
ましくは２．００〜２．２０である。
【００４７】また、中間的な特性を有する第２〜第Ｎ−
１層は屈折率が１．６０〜２．２０の範囲で段階的に変
更され、第２層から第Ｎ−１層にかけて屈折率が徐々に
大きな値となっている。
１層は屈折率が１．６０〜２．２０の範囲で段階的に変
更され、第２層から第Ｎ−１層にかけて屈折率が徐々に
大きな値となっている。
【００４８】上記の様にＮ層の多層ＳｉＮ層を積層させ
ることにより耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜
が形成される。
ることにより耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜
が形成される。
【００４９】（１１）前記固体表面と接する第１窒化シ
リコン層のエッチングレートが最も大きく、前記保護膜
表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン層のエッチングレ
ートが最も小さく、２層〜Ｎ−１層の窒化シリコン層は
段階的にエッチングレートが小さくなるような特性を持
つ窒化シリコン層を積層することにより形成されている
ことを特徴とする。
リコン層のエッチングレートが最も大きく、前記保護膜
表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン層のエッチングレ
ートが最も小さく、２層〜Ｎ−１層の窒化シリコン層は
段階的にエッチングレートが小さくなるような特性を持
つ窒化シリコン層を積層することにより形成されている
ことを特徴とする。
【００５０】ここで、内在ストレスの小さい第１のＳｉ
Ｎ層のＢＨＦに対するエッチングレートは８００〜１５
００ｎｍ／ｍｉｍであり、望ましくは１２００〜１５０
０ｎｍ／ｍｉｎである。
Ｎ層のＢＨＦに対するエッチングレートは８００〜１５
００ｎｍ／ｍｉｍであり、望ましくは１２００〜１５０
０ｎｍ／ｍｉｎである。
【００５１】また、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキ
ング性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層のエッチングレート
はＢＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ
／ｍｉｎであり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
ング性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層のエッチングレート
はＢＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ
／ｍｉｎであり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ
である。
【００５２】中間的な特性を有する第２〜第Ｎ一１層は
エッチングレートが２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎの範
囲で段階的に変更され、第２層から第Ｎ−１層にかけて
エッチングレートが徐々に小さな値となる。
エッチングレートが２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎの範
囲で段階的に変更され、第２層から第Ｎ−１層にかけて
エッチングレートが徐々に小さな値となる。
【００５３】上記の様にＮ層の多層ＳｉＮ層を積層させ
ることにより耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜
が形成される。
ることにより耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜
が形成される。
【００５４】（１２）それぞれの前記窒化シリコン層は
プラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、第１番目
の窒化シリコン層及び第Ｎ番目の窒化シリコン層は屈折
率が１．６０〜１．９０であり、かつ第２層〜Ｎ−１層
のうち少なくとも１つの窒化シリコン層が屈折率として
１．９０〜２．２０の値に設定されていることを特徴と
する。
プラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、第１番目
の窒化シリコン層及び第Ｎ番目の窒化シリコン層は屈折
率が１．６０〜１．９０であり、かつ第２層〜Ｎ−１層
のうち少なくとも１つの窒化シリコン層が屈折率として
１．９０〜２．２０の値に設定されていることを特徴と
する。
【００５５】ここで、異なる特性を有するＳｉＮ層と
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と前記２種の
ＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を第１のＳ
ｉＮ層とし、中間的な特性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、第２〜第Ｎ−１層の内少なくとも
１つの層を耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有するＳｉＮ層とすることにより、保護膜全体のストレ
スによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ
層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として
機能し、第２〜第Ｎ−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ
層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ため固体表面の信頼性が低下することはない。
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と前記２種の
ＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を第１のＳ
ｉＮ層とし、中間的な特性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、第２〜第Ｎ−１層の内少なくとも
１つの層を耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有するＳｉＮ層とすることにより、保護膜全体のストレ
スによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ
層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として
機能し、第２〜第Ｎ−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ
層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ため固体表面の信頼性が低下することはない。
【００５６】通常、半導体の素子などは、素子全体を樹
脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳｉＮ層
が樹脂と素子との間のバッファー層として機能しうるた
め、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はより向上
する。
脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳｉＮ層
が樹脂と素子との間のバッファー層として機能しうるた
め、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はより向上
する。
【００５７】また、第１のＳｉＮ層の屈折率は１．６０
〜１．９０であり、望ましくは１．６０〜１．８０、さ
らに望ましくは１．６０〜１．７０であり、第２〜第Ｎ
−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ層は屈折率が１．９
０〜２．２０であり投階的に屈折率の異なるＳｉＮ層の
多層構造となっており、屈折率の最も高いＳｉＮ層の屈
折率は望ましくは１．９５〜２．２０であり、更に望ま
しくは２．００〜２．２０であり、第Ｎ番目のＳｉＮ層
の屈折率は１．８０〜２．００であり、望ましくは１．
８５〜１．９５である。
〜１．９０であり、望ましくは１．６０〜１．８０、さ
らに望ましくは１．６０〜１．７０であり、第２〜第Ｎ
−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ層は屈折率が１．９
０〜２．２０であり投階的に屈折率の異なるＳｉＮ層の
多層構造となっており、屈折率の最も高いＳｉＮ層の屈
折率は望ましくは１．９５〜２．２０であり、更に望ま
しくは２．００〜２．２０であり、第Ｎ番目のＳｉＮ層
の屈折率は１．８０〜２．００であり、望ましくは１．
８５〜１．９５である。
【００５８】（１３）プラズマ−ＣＶＤ法により原料ガ
スであるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を段階的に変
化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することに
より、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリ
コン固体表面保護膜を製造することを特徴とする。
スであるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を段階的に変
化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することに
より、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリ
コン固体表面保護膜を製造することを特徴とする。
【００５９】この製造方法では、ＳｉＮ膜の原料となる
ガスにＳｉＨ4 、ＮＨ3 、キャリアガスとしてＮ2 を使
用し、前記３種のガスの総流量を一定とし、一定圧力、
一定温度下においてＳｉＨ4 とＮＨ3 の流量比を段階的
に変更することにより異なる特性を有するＳｉＮ層を積
層する。ただし、一定圧力とは４００〜６００ｍＴｏｒ
ｒであり、一定温度とは２４０〜２６０℃の値である。
ガスにＳｉＨ4 、ＮＨ3 、キャリアガスとしてＮ2 を使
用し、前記３種のガスの総流量を一定とし、一定圧力、
一定温度下においてＳｉＨ4 とＮＨ3 の流量比を段階的
に変更することにより異なる特性を有するＳｉＮ層を積
層する。ただし、一定圧力とは４００〜６００ｍＴｏｒ
ｒであり、一定温度とは２４０〜２６０℃の値である。
【００６０】この方法によれば、ガス流量比ＮＨ3 ／Ｓ
ｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変更することによ
り、異なる特性を有するＳｉＮ層を形成することが可能
であり、例えば、初期条件としてガス流量比ＮＨ3 ／Ｓ
ｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで経時的かつ段階
的に減少させれば固体表面上に内在ストレスの小さいＳ
ｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は、耐水性、
耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層が形成
される。また、流量比を減少させるだけでなく、一旦減
少させた後、再び増加させることも可能である。
ｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変更することによ
り、異なる特性を有するＳｉＮ層を形成することが可能
であり、例えば、初期条件としてガス流量比ＮＨ3 ／Ｓ
ｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで経時的かつ段階
的に減少させれば固体表面上に内在ストレスの小さいＳ
ｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は、耐水性、
耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層が形成
される。また、流量比を減少させるだけでなく、一旦減
少させた後、再び増加させることも可能である。
【００６１】上記の製造方法により形成されたＳｉＮ固
体表面保護膜は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形
成される。
体表面保護膜は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形
成される。
【００６２】（１４）プラズマ−ＣＶＤ法により原料ガ
スであるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を連続的に変
化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することに
より、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリ
コン固体表面保護膜を製造することを特徴とする。
スであるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を連続的に変
化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することに
より、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリ
コン固体表面保護膜を製造することを特徴とする。
【００６３】この製造方法では、ＳｉＮ膜の原料となる
ガスにＳｉＨ4 、ＮＨ3 、キャリアガスとしてＮ2 を使
用し、前記３種のガスの総流量を一定とし、一定圧力、
一定温度下において、ＳｉＨ4 とＮＨ3 の流量比を連続
的に変更することにより、異なる特性を有するＳｉＮ層
を積層することを特徴としている。ただし、一定圧力と
は４００〜６００ｍＴｏｒｒであり、一定温度とは２４
０〜２６０℃の値である。
ガスにＳｉＨ4 、ＮＨ3 、キャリアガスとしてＮ2 を使
用し、前記３種のガスの総流量を一定とし、一定圧力、
一定温度下において、ＳｉＨ4 とＮＨ3 の流量比を連続
的に変更することにより、異なる特性を有するＳｉＮ層
を積層することを特徴としている。ただし、一定圧力と
は４００〜６００ｍＴｏｒｒであり、一定温度とは２４
０〜２６０℃の値である。
【００６４】この製造方法によれば、ガス流量比ＮＨ3
／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変更することに
より異なる特性を有するＳｉＮ層を形成することが可能
であり、例えば、初期条件として、ガス流量比ＮＨ3 ／
ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで経時的に減少
させれば、固体表面上に内在ストレスの小さいＳｉＮ層
が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層が形成され
る。また、流量比を減少せるだけでなく、一旦減少させ
た後、再び増加させることも可能である。
／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変更することに
より異なる特性を有するＳｉＮ層を形成することが可能
であり、例えば、初期条件として、ガス流量比ＮＨ3 ／
ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで経時的に減少
させれば、固体表面上に内在ストレスの小さいＳｉＮ層
が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層が形成され
る。また、流量比を減少せるだけでなく、一旦減少させ
た後、再び増加させることも可能である。
【００６５】上記の製造方法により形成されたＳｉＮ固
体表面保護膜は保護膜内のストレスが連続的に変化して
いるためＳｉＮ層同士の持つストレスの差が限りなく小
さくなり、結果的に耐水性、耐薬品性、イオンブロッキ
ング性を有し、かつ膜全体が低ストレスで信頼性の高い
保護膜が形成される。
体表面保護膜は保護膜内のストレスが連続的に変化して
いるためＳｉＮ層同士の持つストレスの差が限りなく小
さくなり、結果的に耐水性、耐薬品性、イオンブロッキ
ング性を有し、かつ膜全体が低ストレスで信頼性の高い
保護膜が形成される。
【００６６】（１５）請求項１〜１２のいずれかに記載
の窒化シリコン固体表面保護膜、あるいは、請求項１４
または１５に記載の製造方法で製造された窒化シリコン
固体表面保護膜で表面を覆われたことを特徴とする。
の窒化シリコン固体表面保護膜、あるいは、請求項１４
または１５に記載の製造方法で製造された窒化シリコン
固体表面保護膜で表面を覆われたことを特徴とする。
【００６７】この構成によれば、すぐれた耐水性、耐薬
品性、イオンブロッキング性を有しかつ低ストレスで信
頼性の高い窒化シリコン固体表面保護膜を有するホール
素子を提供することができる。
品性、イオンブロッキング性を有しかつ低ストレスで信
頼性の高い窒化シリコン固体表面保護膜を有するホール
素子を提供することができる。
【００６８】ちなみに、請求項１に記載の窒化シリコン
固体表面保護膜を、以下のような構成としてもよい。
固体表面保護膜を、以下のような構成としてもよい。
【００６９】（１６）固体表面に接する窒化シリコン層
から前記保護膜表面側の窒化シリコン層までの特性が連
続的に異なっており、かつ窒化シリコン層の単一膜によ
り形成されてもよい。
から前記保護膜表面側の窒化シリコン層までの特性が連
続的に異なっており、かつ窒化シリコン層の単一膜によ
り形成されてもよい。
【００７０】ここで、異なる特性を有するＳｉＮ膜と
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と前記２種の
ＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を固体表面
と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性の高いＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性
を有するＳｉＮ層を連続的に特性を変化させて形成する
ことにより、保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが
抑制されると共に、低ストレスのＳｉＮ層が保護膜全体
と固体表面との問のバッファー層として機能し、更に中
間層は特性の異なるＳｉＮ層間のストレス差を緩和し、
保護膜表面のＳｉＮ層が、耐水性、耐薬品性、イオンブ
ロッキング性を有するため、より信頼性の高い表面保護
膜が形成される。
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と内在ストレスの小さいＳｉＮ層と前記２種の
ＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことであ
り、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を固体表面
と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性の高いＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性
を有するＳｉＮ層を連続的に特性を変化させて形成する
ことにより、保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが
抑制されると共に、低ストレスのＳｉＮ層が保護膜全体
と固体表面との問のバッファー層として機能し、更に中
間層は特性の異なるＳｉＮ層間のストレス差を緩和し、
保護膜表面のＳｉＮ層が、耐水性、耐薬品性、イオンブ
ロッキング性を有するため、より信頼性の高い表面保護
膜が形成される。
【００７１】また、ＳｉＮ層は連続的に特性が異なって
いるため異なる特性の多層構造とするよりもＳｉＮ層間
のストレス差がより小さくなり保護膜の信頼性は多層構
造とした場合よりも信頼性が向上する。
いるため異なる特性の多層構造とするよりもＳｉＮ層間
のストレス差がより小さくなり保護膜の信頼性は多層構
造とした場合よりも信頼性が向上する。
【００７２】（１７）前記異なる特性が前記窒化シリコ
ン層の屈折率であり、かつ前記固体表面に接する側の窒
化シリコン層は小さな屈折率１．６０〜１．９０に設定
され、前記保護膜表面側の窒化シリコン層は大きな屈折
率１．９０〜２．２０に設定されてもよい。
ン層の屈折率であり、かつ前記固体表面に接する側の窒
化シリコン層は小さな屈折率１．６０〜１．９０に設定
され、前記保護膜表面側の窒化シリコン層は大きな屈折
率１．９０〜２．２０に設定されてもよい。
【００７３】ここで、固体表面と接する側の内在ストレ
スの小さいＳｉＮ層の屈折率は１．６０〜１．９０であ
り、望ましくは１．７０〜１．８０、さらに望ましく
は、１．６０〜１．７０である。
スの小さいＳｉＮ層の屈折率は１．６０〜１．９０であ
り、望ましくは１．７０〜１．８０、さらに望ましく
は、１．６０〜１．７０である。
【００７４】耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
の高い保護膜表面のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．
２０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更
に望ましくは２．００〜２．２０である。
の高い保護膜表面のＳｉＮ層の屈折率は１．９０〜２．
２０であり、望ましくは１．９５〜２．２０であり、更
に望ましくは２．００〜２．２０である。
【００７５】また、中間的な特性を有するＳｉＮ層の屈
折率は１．６０〜２．２０の範囲で連続的に変更され、
固体表面と接する側から保護膜表面にかけて屈折率が大
きな値を持つようにＳｉＮ層が形成されている。
折率は１．６０〜２．２０の範囲で連続的に変更され、
固体表面と接する側から保護膜表面にかけて屈折率が大
きな値を持つようにＳｉＮ層が形成されている。
【００７６】上記の様に連続的に屈折率の異なるＳｉＮ
層を積層することにより耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い
表面保護膜が形成されると共に、異なる特性の多層構造
とするよりもＳｉＮ層間のストレス差がより小さくな
り、保護膜の信頼性は多層構造とした場合よりも向上す
る。
層を積層することにより耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い
表面保護膜が形成されると共に、異なる特性の多層構造
とするよりもＳｉＮ層間のストレス差がより小さくな
り、保護膜の信頼性は多層構造とした場合よりも向上す
る。
【００７７】（１８）前記異なる特性が前記窒化シリコ
ン層のエッチングレートであり、かつ前記固体表面に接
する側の窒化シリコン層は大きなエッチングレートを持
ち、前記保護膜表面側の窒化シリコン層は、小さなエッ
チングレートを持つように形成されてもよい。
ン層のエッチングレートであり、かつ前記固体表面に接
する側の窒化シリコン層は大きなエッチングレートを持
ち、前記保護膜表面側の窒化シリコン層は、小さなエッ
チングレートを持つように形成されてもよい。
【００７８】ここで、固体表面と接する内在ストレスの
小さいＳｉＮ層のＢＨＦに対するエッチングレートは８
００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎであり、望ましくは１２０
０〜１５００ｎｍ／ｍｉｎである。
小さいＳｉＮ層のＢＨＦに対するエッチングレートは８
００〜１５００ｎｍ／ｍｉｎであり、望ましくは１２０
０〜１５００ｎｍ／ｍｉｎである。
【００７９】耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性
を有する保護膜表面のＳｉＮ層のエッチングレートはＢ
ＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍ
ｉｎであり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
を有する保護膜表面のＳｉＮ層のエッチングレートはＢ
ＨＦに対するエッチングレートが５０〜５００ｎｍ／ｍ
ｉｎであり、望ましくは５０〜１００ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
【００８０】また、中間的な特性を有するＳｉＮ層のエ
ッチングレートは２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎで連続
的に変更され、固体表面と接する側から保護膜表面にか
けてエッチングレートが小さな値を持つように形成され
ている。
ッチングレートは２００〜１２００ｎｍ／ｍｉｎで連続
的に変更され、固体表面と接する側から保護膜表面にか
けてエッチングレートが小さな値を持つように形成され
ている。
【００８１】上記の様に連続的にエッチングレートの異
なるＳｉＮ層を積層することにより耐水性、耐薬品性、
イオンブロッキング性を有し、かつ、低ストレスでより
信頼性の高い表面保護膜が形成されると共に、異なる特
性の多層構造とするよりもＳｉＮ層間のストレス差がよ
り小さくなり保護膜の信頼性は多層構造とした場合より
も向上する。
なるＳｉＮ層を積層することにより耐水性、耐薬品性、
イオンブロッキング性を有し、かつ、低ストレスでより
信頼性の高い表面保護膜が形成されると共に、異なる特
性の多層構造とするよりもＳｉＮ層間のストレス差がよ
り小さくなり保護膜の信頼性は多層構造とした場合より
も向上する。
【００８２】（１９）前記異なる特性が前記窒化シリコ
ン層の屈折率であり、かつ前記固体表面に接する側の窒
化シリコン層及び前記保護膜表面側の窒化シリコン層は
小さな屈折率１．６０〜１．９０に設定され、それらの
中間層部分に大きな屈折率１．９０〜２．２０を持つ窒
化シリコン層が形成されてもよい。
ン層の屈折率であり、かつ前記固体表面に接する側の窒
化シリコン層及び前記保護膜表面側の窒化シリコン層は
小さな屈折率１．６０〜１．９０に設定され、それらの
中間層部分に大きな屈折率１．９０〜２．２０を持つ窒
化シリコン層が形成されてもよい。
【００８３】ここで、異なる特性を有するＳｉＮ膜と
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と、内在ストレスの小さいＳｉＮ層と、前記２
種のＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことで
あり、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層固体表面
と接するＳｉＮ層とし、中間的な特性を有するＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、前記２種のＳｉＮ層の中間層とし
て少なくとも１領域を耐水性、耐薬品性、イオンブロッ
キング性を有するＳｉＮ層（領域）とすることにより、
保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制されると
共に、固体表面と接するＳｉＮ層が保護膜全体と固体表
面との間のバッファー層として機能し、中間子層（領
域）の中少なくとも１つのＳｉＮ層が耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有するため、固体表面の信
頼性が低下することはない。
は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ＳｉＮ層と、内在ストレスの小さいＳｉＮ層と、前記２
種のＳｉＮ層の中間的な特性を有するＳｉＮ層のことで
あり、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層固体表面
と接するＳｉＮ層とし、中間的な特性を有するＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、前記２種のＳｉＮ層の中間層とし
て少なくとも１領域を耐水性、耐薬品性、イオンブロッ
キング性を有するＳｉＮ層（領域）とすることにより、
保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制されると
共に、固体表面と接するＳｉＮ層が保護膜全体と固体表
面との間のバッファー層として機能し、中間子層（領
域）の中少なくとも１つのＳｉＮ層が耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有するため、固体表面の信
頼性が低下することはない。
【００８４】通常、半導体の素子などは、素子全体を樹
脂などでモールドするが、本発明では、保護膜表面のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、素子の信頼性はより向上する。
脂などでモールドするが、本発明では、保護膜表面のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、素子の信頼性はより向上する。
【００８５】また、この時の固体表面と接するＳｉＮ層
（領域）の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望まし
ては１．６０〜１．８０、さらに望ましくは１．６０〜
１．７０であり、中間層となるＳｉＮ層の中少なくとも
１つのＳｉＮ層は屈折率が１．９０〜２．２０であり連
続的に屈折率の異なるＳｉＮ層の多層構造となってお
り、屈折率の最も高いＳｉＮ層の屈折率は望ましくは
１．９５〜２．２０であり、更に望ましくは２．００〜
２．２０であり、保護膜表面ＳｉＮ層の屈折率は１．８
０〜２．００であり、望ましくは１．８５〜１．９５で
ある。
（領域）の屈折率は１．６０〜１．９０であり、望まし
ては１．６０〜１．８０、さらに望ましくは１．６０〜
１．７０であり、中間層となるＳｉＮ層の中少なくとも
１つのＳｉＮ層は屈折率が１．９０〜２．２０であり連
続的に屈折率の異なるＳｉＮ層の多層構造となってお
り、屈折率の最も高いＳｉＮ層の屈折率は望ましくは
１．９５〜２．２０であり、更に望ましくは２．００〜
２．２０であり、保護膜表面ＳｉＮ層の屈折率は１．８
０〜２．００であり、望ましくは１．８５〜１．９５で
ある。
【００８６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による窒化シリコ
ン固体表面保護膜を半導体素子であるＧａＡｓホール素
子に適用した実施形態について説明する。
ン固体表面保護膜を半導体素子であるＧａＡｓホール素
子に適用した実施形態について説明する。
【００８７】図１に保護膜形成前のホール素子の概形を
示し、図２（Ａ）〜（Ｆ）に保護膜形成前までのホール
素子作成プロセスの概略を示す。これらの図において、
先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板（ａ）全面に３０ｎｍ程度
の厚みのＳｉＮ膜あるいはＳｉＯ2 膜からなる保護膜１
（ｂ）を形成し（図２（Ａ）参照）、感光性レジストを
使用してパターンニングし、弗化水素酸等の薬品を使用
して活性層（ｃ）となるべき領域の保護膜１（ｂ）を十
字型に除去する（図２（Ｂ）参照）。
示し、図２（Ａ）〜（Ｆ）に保護膜形成前までのホール
素子作成プロセスの概略を示す。これらの図において、
先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板（ａ）全面に３０ｎｍ程度
の厚みのＳｉＮ膜あるいはＳｉＯ2 膜からなる保護膜１
（ｂ）を形成し（図２（Ａ）参照）、感光性レジストを
使用してパターンニングし、弗化水素酸等の薬品を使用
して活性層（ｃ）となるべき領域の保護膜１（ｂ）を十
字型に除去する（図２（Ｂ）参照）。
【００８８】次に、ウェハ全面にＳｉ等のイオン注入を
行うと、保護膜１（ｂ）に保護された領域はＧａＡｓ基
板（ａ）にＳｉイオンが到達せず、ＧａＡｓ基板（ａ）
表面の活性層（ｃ）となる領域にのみＳｉが注入され
る。イオン注入後、保護膜１（ｂ）を除去し、再び５０
０ｎｍ程度の厚みのＳｉＮ膜あるいはＳｉＯ2 膜（保護
膜２）（ｂ’）を形成し（図２（Ｃ）参照）、ウェハを
８５Ｏ℃で約２０分間アニールする。アニールによっ
て、注入されたＳｉ原子がＧａＡｓ結晶中のＧａサイト
に入り、活性層（ｃ）はｎ型の導電性を有することにな
る。
行うと、保護膜１（ｂ）に保護された領域はＧａＡｓ基
板（ａ）にＳｉイオンが到達せず、ＧａＡｓ基板（ａ）
表面の活性層（ｃ）となる領域にのみＳｉが注入され
る。イオン注入後、保護膜１（ｂ）を除去し、再び５０
０ｎｍ程度の厚みのＳｉＮ膜あるいはＳｉＯ2 膜（保護
膜２）（ｂ’）を形成し（図２（Ｃ）参照）、ウェハを
８５Ｏ℃で約２０分間アニールする。アニールによっ
て、注入されたＳｉ原子がＧａＡｓ結晶中のＧａサイト
に入り、活性層（ｃ）はｎ型の導電性を有することにな
る。
【００８９】次に、感光性レジストを使用してパターン
ニングすることで、十字型活性層の４つの端（足）部分
の保護膜２（ｂ’）を除去し、電極（ｅ）形成用の窓を
あける（図２（Ｄ）参照）。その後、ウェハ全面に電極
（ｅ）を形成する金属材料を蒸着あるいはスパッタ法に
より形成し（図２（Ｅ）参照）、感光性レジストにより
パターンニング、エッチングすることで先に保護膜２
（ｂ’）上にあけた窓部分以外の金属を除去する。
ニングすることで、十字型活性層の４つの端（足）部分
の保護膜２（ｂ’）を除去し、電極（ｅ）形成用の窓を
あける（図２（Ｄ）参照）。その後、ウェハ全面に電極
（ｅ）を形成する金属材料を蒸着あるいはスパッタ法に
より形成し（図２（Ｅ）参照）、感光性レジストにより
パターンニング、エッチングすることで先に保護膜２
（ｂ’）上にあけた窓部分以外の金属を除去する。
【００９０】続いて、ウェハを４３０℃に加熱し、電極
（ｅ）を形成している金属とＧａＡｓをアロイして電極
とＳｉイオン注入されたＧａＡｓ基板（ａ）の導電性を
確保する。以上のプロセスを経て図１に示したホール素
子用ウェハが完成する。ただし、保護膜２（ｂ’）は除
去してもよい。
（ｅ）を形成している金属とＧａＡｓをアロイして電極
とＳｉイオン注入されたＧａＡｓ基板（ａ）の導電性を
確保する。以上のプロセスを経て図１に示したホール素
子用ウェハが完成する。ただし、保護膜２（ｂ’）は除
去してもよい。
【００９１】次に、本発明によるＳｉＮ表面保護膜
（ｆ）（ｇ）（ｈ）（図２（Ｆ）参照）の形成方法につ
いて説明する。上記の図１に示すホール素子用ウェハを
プラズマ−ＣＶＤ装置反応室内に搬送し、ウェハを２５
０℃に加熱しながら反応室内を１ｘｌ０-16 Ｔｏｒｒ以
上の真空となるよう排気する。真空排気後、反応室内に
Ｎ2 ガス、ＳｉＨ4 ガス、ＮＨ 3 ガスを導入し、反応室
内の圧力が５００ｍＴｏｒｒとなるようメカニカルブー
スターポンプ等で調整する。
（ｆ）（ｇ）（ｈ）（図２（Ｆ）参照）の形成方法につ
いて説明する。上記の図１に示すホール素子用ウェハを
プラズマ−ＣＶＤ装置反応室内に搬送し、ウェハを２５
０℃に加熱しながら反応室内を１ｘｌ０-16 Ｔｏｒｒ以
上の真空となるよう排気する。真空排気後、反応室内に
Ｎ2 ガス、ＳｉＨ4 ガス、ＮＨ 3 ガスを導入し、反応室
内の圧力が５００ｍＴｏｒｒとなるようメカニカルブー
スターポンプ等で調整する。
【００９２】このとき、それぞれのガス流量は表１の条
件１に示す流量比となるようマスフローコントローラー
により調整される。ガス流量（反応室内圧力）が安定し
た後、速やかにＲＦを印加して反応室内で導入ガスをプ
ラズマとする。このときのＲＦパワーは１００Ｗであ
る。
件１に示す流量比となるようマスフローコントローラー
により調整される。ガス流量（反応室内圧力）が安定し
た後、速やかにＲＦを印加して反応室内で導入ガスをプ
ラズマとする。このときのＲＦパワーは１００Ｗであ
る。
【００９３】
【表１】
【００９４】ガス流量比を条件１の設定としてウェハ上
にＳｉＮ膜（ｆ）をたとえば２００ｎｍの厚みに形成し
た後、引き続きそれぞれの導入ガス流量比を条件２へと
変更してＳｉＮ膜（ｇ）を形成する。さらに、ガス流量
比条件２にてたとえば２００ｎｍ厚程度のＳｉＮ膜を形
成後、ガス流量比条件３へと変更する。
にＳｉＮ膜（ｆ）をたとえば２００ｎｍの厚みに形成し
た後、引き続きそれぞれの導入ガス流量比を条件２へと
変更してＳｉＮ膜（ｇ）を形成する。さらに、ガス流量
比条件２にてたとえば２００ｎｍ厚程度のＳｉＮ膜を形
成後、ガス流量比条件３へと変更する。
【００９５】ガス流量比条件３にて、たとえば２００ｎ
ｍ厚程度のＳｉＮ膜（ｈ）を形成した後、ＲＦパワー、
それぞれのガス導入を停止してＳｉＮ膜形成を終了する
（図２（Ｆ）参照）。上記のＳｉＮ膜形成中のウェハ温
度、ＲＦパワー、反応室内真空度は一定であり、ガスの
流量比のみが変更される。
ｍ厚程度のＳｉＮ膜（ｈ）を形成した後、ＲＦパワー、
それぞれのガス導入を停止してＳｉＮ膜形成を終了する
（図２（Ｆ）参照）。上記のＳｉＮ膜形成中のウェハ温
度、ＲＦパワー、反応室内真空度は一定であり、ガスの
流量比のみが変更される。
【００９６】本実施形態では、ガス流量比条件を３種と
したが、ガス流量比の条件をより細かく設定すれば上記
と同様の方法により多層のＳｉＮ膜の形成が可能であ
り、また、流量比条件を連続的に変化させることによ
り、完全な単一層で異なる特性を持つＳｉＮ膜を形成す
ることも可能である。
したが、ガス流量比の条件をより細かく設定すれば上記
と同様の方法により多層のＳｉＮ膜の形成が可能であ
り、また、流量比条件を連続的に変化させることによ
り、完全な単一層で異なる特性を持つＳｉＮ膜を形成す
ることも可能である。
【００９７】上記のＳｉＮ保護膜（ｆ）（ｇ）（ｈ）そ
れぞれのＳｉＮ膜は屈折率が１．７５、１．８０、１．
９５であり、ＢＨＦに対するそれぞれのＳｉＮ膜のエッ
チングレートは１３００、６５０、９０ｎｍ／ｍｉｎと
なる。
れぞれのＳｉＮ膜は屈折率が１．７５、１．８０、１．
９５であり、ＢＨＦに対するそれぞれのＳｉＮ膜のエッ
チングレートは１３００、６５０、９０ｎｍ／ｍｉｎと
なる。
【００９８】ＳｉＮ膜形成後、プラズマＣＶＤ装置内よ
りウェハを搬出し、外部配線とコンタクトを取るための
ウェハの電極（ｅ）上に形成されたＳｉＮ膜を除去すれ
ば、ホール素子が完成する（図３（Ａ）（Ｂ）参照）。
りウェハを搬出し、外部配線とコンタクトを取るための
ウェハの電極（ｅ）上に形成されたＳｉＮ膜を除去すれ
ば、ホール素子が完成する（図３（Ａ）（Ｂ）参照）。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、以下の
効果を奏する。請求項１によれば、固体表面に接する窒
化シリコン層と、保護膜の表面側の窒化シリコン層がそ
れぞれ異なる特性を有するように形成されているので、
耐水性と低ストレス、耐薬品性と低ストレス等これまで
単一の膜内では不可能であった保護膜としての機能を両
立させうるより信頼性の高い表面保護膜を提供すること
が可能となる。また、ＳｉＮと言う同一の化合物内で特
性を変化させるため多層膜形成のように装置変更、原料
切り替え等が不要となり生産効率が向上する。
効果を奏する。請求項１によれば、固体表面に接する窒
化シリコン層と、保護膜の表面側の窒化シリコン層がそ
れぞれ異なる特性を有するように形成されているので、
耐水性と低ストレス、耐薬品性と低ストレス等これまで
単一の膜内では不可能であった保護膜としての機能を両
立させうるより信頼性の高い表面保護膜を提供すること
が可能となる。また、ＳｉＮと言う同一の化合物内で特
性を変化させるため多層膜形成のように装置変更、原料
切り替え等が不要となり生産効率が向上する。
【０１００】請求項２によれば、２種の異なる特性を有
する第１，第２の窒化シリコン層の積層構造により形成
されているので、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ
層を第１のＳｉＮ層として固体表面と接する側に、耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層を
第２のＳｉＮ層として保護膜表層側とすることにより、
保護膜全体の割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳ
ｉＮ層が固体表面と第２のＳｉＮ層とのバッファー層と
して機能する。よって、保護膜全体のストレスは緩和さ
れて信頼性の高い保護膜が形成される。
する第１，第２の窒化シリコン層の積層構造により形成
されているので、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ
層を第１のＳｉＮ層として固体表面と接する側に、耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層を
第２のＳｉＮ層として保護膜表層側とすることにより、
保護膜全体の割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳ
ｉＮ層が固体表面と第２のＳｉＮ層とのバッファー層と
して機能する。よって、保護膜全体のストレスは緩和さ
れて信頼性の高い保護膜が形成される。
【０１０１】請求項３によれば、それぞれの窒化シリコ
ン層がプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層の屈折率が１．６０〜１．
９０の値に設定され、保護膜表面側の第２の窒化シリコ
ン層が屈折率が１．９０〜２．２０の値に設定されるの
で、これら２種のＳｉＮ層を積層することにより耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ス
トレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
ン層がプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層の屈折率が１．６０〜１．
９０の値に設定され、保護膜表面側の第２の窒化シリコ
ン層が屈折率が１．９０〜２．２０の値に設定されるの
で、これら２種のＳｉＮ層を積層することにより耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ス
トレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【０１０２】請求項４によれば、異なる特性が窒化シリ
コン層のエッチングレートであり、第１の窒化シリコン
層のエッチングレートが、第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値に設定されるので、これら
２種のＳｉＮ層を積層することにより耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ストレスで信
頼性の高い保護膜が形成される。
コン層のエッチングレートであり、第１の窒化シリコン
層のエッチングレートが、第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値に設定されるので、これら
２種のＳｉＮ層を積層することにより耐水性、耐薬品
性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ストレスで信
頼性の高い保護膜が形成される。
【０１０３】請求項５によれば、固体表面上に形成され
る保護膜が、３種の異なる特性を有する第１、第２、第
３の窒化シリコン層を積層することにより形成されてい
るので、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層
を固体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性の高い第３のＳｉＮ層を保護膜表面側と
し、中間的な特性を有する第２のＳｉＮ層を２層の中間
層とすることにより、保護膜全体のストレスによる割
れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜
全体と固体表面との間のバッファー層として機能し、更
に中間層が、第３のＳｉＮ層と第１のＳｉＮ層間のバッ
ファー層として機能する。よって、第１のＳｉＮ層と第
３のＳｉＮ層の間で発生するストレス差を中間層が緩和
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、
かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が形成さ
れる。
る保護膜が、３種の異なる特性を有する第１、第２、第
３の窒化シリコン層を積層することにより形成されてい
るので、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層
を固体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性の高い第３のＳｉＮ層を保護膜表面側と
し、中間的な特性を有する第２のＳｉＮ層を２層の中間
層とすることにより、保護膜全体のストレスによる割
れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜
全体と固体表面との間のバッファー層として機能し、更
に中間層が、第３のＳｉＮ層と第１のＳｉＮ層間のバッ
ファー層として機能する。よって、第１のＳｉＮ層と第
３のＳｉＮ層の間で発生するストレス差を中間層が緩和
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、
かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が形成さ
れる。
【０１０４】請求項６によれば、それぞれの窒化シリコ
ン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、保護膜表面側の第３の窒化シリコン層が、
それぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．８０
〜２．００、１．９０〜２．２０の値に設定されている
ので、これら３種のＳｉＮ層を積層することにより耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ス
トレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
ン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、保護膜表面側の第３の窒化シリコン層が、
それぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．８０
〜２．００、１．９０〜２．２０の値に設定されている
ので、これら３種のＳｉＮ層を積層することにより耐水
性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ低ス
トレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【０１０５】請求項７によれば、異なる特性が窒化シリ
コン層のエッチングレートであり、第１の窒化シリコン
層のエッチングレートは、第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値を持ち、かつ第２の窒化シ
リコン層のエッチングレートは、第３の窒化シリコンの
エッチングレートよりも大きな値を持つように形成され
ているので、これら３種のＳｉＮ層を積層することによ
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
コン層のエッチングレートであり、第１の窒化シリコン
層のエッチングレートは、第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値を持ち、かつ第２の窒化シ
リコン層のエッチングレートは、第３の窒化シリコンの
エッチングレートよりも大きな値を持つように形成され
ているので、これら３種のＳｉＮ層を積層することによ
り耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、か
つ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成される。
【０１０６】請求項８によれば、それぞれの窒化シリコ
ン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、保護膜表面側の第３の窒化シリコン層はそ
れぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．９０〜
２．２０、１．６０〜２．２０の値に設定されているの
で、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層を固
体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性の高い第２のＳｉＮ層を中間層とし、前記２
種のＳｉＮ層の中間的な特性を有する第３のＳｉＮ層を
保護膜表面側とすることにより、保護膜全体のストレス
による割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層
が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として機
能し、更に、第２のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イオ
ンブロッキング性を有するため、固体表面の信頼性が低
下することはない。
ン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、異
なる特性が窒化シリコン層の屈折率であり、固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、保護膜表面側の第３の窒化シリコン層はそ
れぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．９０〜
２．２０、１．６０〜２．２０の値に設定されているの
で、例えば、内在ストレスの小さい第１のＳｉＮ層を固
体表面と接する側にし、耐水性、耐薬品性、イオンブロ
ッキング性の高い第２のＳｉＮ層を中間層とし、前記２
種のＳｉＮ層の中間的な特性を有する第３のＳｉＮ層を
保護膜表面側とすることにより、保護膜全体のストレス
による割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ層
が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として機
能し、更に、第２のＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イオ
ンブロッキング性を有するため、固体表面の信頼性が低
下することはない。
【０１０７】また、通常、半導体の素子などは、素子全
体を樹脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はよ
り向上する。
体を樹脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はよ
り向上する。
【０１０８】請求項９によれば、５種以上の特性の異な
る第１〜第Ｎ（Ｎ≧５）番目までの窒化シリコン層を積
層することにより形成されているので、例えば、内在ス
トレスの小さい第１のＳｉＮ層を固体表面と接する側に
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い第
Ｎ番目のＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性を
有するＳｉＮ層を段階的に特性を変化させて形成するこ
とにより保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制
されると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜全体と固体表面
との間のバッファー層として機能し、更に中間層は特性
の異なるＳｉＮ層間のストレス差を緩和し、第Ｎ番目の
ＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が
形成される。
る第１〜第Ｎ（Ｎ≧５）番目までの窒化シリコン層を積
層することにより形成されているので、例えば、内在ス
トレスの小さい第１のＳｉＮ層を固体表面と接する側に
し、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い第
Ｎ番目のＳｉＮ層を保護膜表面側とし、中間的な特性を
有するＳｉＮ層を段階的に特性を変化させて形成するこ
とにより保護膜全体のストレスによる割れ、欠けが抑制
されると共に、第１のＳｉＮ層が保護膜全体と固体表面
との間のバッファー層として機能し、更に中間層は特性
の異なるＳｉＮ層間のストレス差を緩和し、第Ｎ番目の
ＳｉＮ層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有し、かつ低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が
形成される。
【０１０９】請求項１０によれば、それぞれの窒化シリ
コン膜はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、
異なる特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、固体
表面と接する第１窒化シリコン層から保護膜表面側とな
る第Ｎ番目の窒化シリコン層（Ｎ＞５）のＮ個の層が積
層されており、かつ固体表面と接する第１の窒化シリコ
ン層の屈折率がもっとも小さく１．６０〜１．８０の範
囲であり、保護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン
層の屈折率が最も大きく１．９０〜２．２０の値に設定
され、２層〜Ｎ−１層となる窒化シリコン層は１．９０
〜２．２０の範囲で段階的に屈折率が大きな値に設定さ
れるので、Ｎ層の多層ＳｉＮ層を積層させることにより
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が形成され
る。
コン膜はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、
異なる特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、固体
表面と接する第１窒化シリコン層から保護膜表面側とな
る第Ｎ番目の窒化シリコン層（Ｎ＞５）のＮ個の層が積
層されており、かつ固体表面と接する第１の窒化シリコ
ン層の屈折率がもっとも小さく１．６０〜１．８０の範
囲であり、保護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン
層の屈折率が最も大きく１．９０〜２．２０の値に設定
され、２層〜Ｎ−１層となる窒化シリコン層は１．９０
〜２．２０の範囲で段階的に屈折率が大きな値に設定さ
れるので、Ｎ層の多層ＳｉＮ層を積層させることにより
耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有し、かつ
低ストレスでより信頼性の高い表面保護膜が形成され
る。
【０１１０】請求項１１によれば、固体表面と接する第
１窒化シリコン層のエッチングレートが最も大きく、保
護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン層のエッチン
グレートが最も小さく、２層〜Ｎ−１層の窒化シリコン
層は段階的にエッチングレートが小さくなるような特性
を持つ窒化シリコン層を積層するので、Ｎ層の多層Ｓｉ
Ｎ層を積層させることにより耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼性の
高い表面保護膜が形成される。
１窒化シリコン層のエッチングレートが最も大きく、保
護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化シリコン層のエッチン
グレートが最も小さく、２層〜Ｎ−１層の窒化シリコン
層は段階的にエッチングレートが小さくなるような特性
を持つ窒化シリコン層を積層するので、Ｎ層の多層Ｓｉ
Ｎ層を積層させることにより耐水性、耐薬品性、イオン
ブロッキング性を有し、かつ低ストレスでより信頼性の
高い表面保護膜が形成される。
【０１１１】請求項１２によれば、それぞれの窒化シリ
コン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、
第１番目の窒化シリコン層及び第Ｎ番目の窒化シリコン
層は屈折率が１．６０〜１．９０であり、かつ第２層〜
Ｎ−１層のうち少なくとも１つの窒化シリコン層が屈折
率として１．９０〜２．２０の値に設定されているの
で、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を第１のＳ
ｉＮ層とし、中間的な特性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、第２〜第Ｎ−１層の内少なくとも
１つの層を耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有するＳｉＮ層とすることにより、保護膜全体のストレ
スによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ
層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として
機能し、第２〜第Ｎ−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ
層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ため固体表面の信頼性が低下することはない。
コン層はプラズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、
第１番目の窒化シリコン層及び第Ｎ番目の窒化シリコン
層は屈折率が１．６０〜１．９０であり、かつ第２層〜
Ｎ−１層のうち少なくとも１つの窒化シリコン層が屈折
率として１．９０〜２．２０の値に設定されているの
で、例えば、内在ストレスの小さいＳｉＮ層を第１のＳ
ｉＮ層とし、中間的な特性を有する第Ｎ番目のＳｉＮ層
を保護膜表面側とし、第２〜第Ｎ−１層の内少なくとも
１つの層を耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を
有するＳｉＮ層とすることにより、保護膜全体のストレ
スによる割れ、欠けが抑制されると共に、第１のＳｉＮ
層が保護膜全体と固体表面との間のバッファー層として
機能し、第２〜第Ｎ−１層の中少なくとも１つのＳｉＮ
層が耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性を有する
ため固体表面の信頼性が低下することはない。
【０１１２】また、通常、半導体の素子などは、素子全
体を樹脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はよ
り向上する。
体を樹脂などでモールドするが、本発明では、第３のＳ
ｉＮ層が樹脂と素子との間のバッファー層として機能し
うるため、樹脂のストレスも緩和し、素子の信頼性はよ
り向上する。
【０１１３】請求項１３によれば、プラズマ−ＣＶＤ法
により原料ガスであるＳｉＨ4 、Ｎ 2 、ＮＨ3 の流量比
を段階的に変化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積
層することにより、請求項１ないし１６のいずれかに記
載の窒化シリコン固体表面保護膜を製造するので、ガス
流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変
更することにより、異なる特性を有するＳｉＮ層を形成
することが可能であり、例えば、初期条件としてガス流
量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで
経時的かつ段階的に減少させれば固体表面上に内在スト
レスの小さいＳｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ
層は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い
ＳｉＮ層が形成される。また、流量比を減少させるだけ
でなく、一旦減少させた後、再び増加させることも可能
である。
により原料ガスであるＳｉＨ4 、Ｎ 2 、ＮＨ3 の流量比
を段階的に変化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積
層することにより、請求項１ないし１６のいずれかに記
載の窒化シリコン固体表面保護膜を製造するので、ガス
流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に変
更することにより、異なる特性を有するＳｉＮ層を形成
することが可能であり、例えば、初期条件としてガス流
量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５まで
経時的かつ段階的に減少させれば固体表面上に内在スト
レスの小さいＳｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ
層は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高い
ＳｉＮ層が形成される。また、流量比を減少させるだけ
でなく、一旦減少させた後、再び増加させることも可能
である。
【０１１４】この製造方法により形成されたＳｉＮ固体
表面保護膜は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング
性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成
される。
表面保護膜は、耐水性、耐薬品性、イオンブロッキング
性を有し、かつ低ストレスで信頼性の高い保護膜が形成
される。
【０１１５】請求項１４によれば、プラズマ−ＣＶＤ法
により原料ガスであるＳｉＨ4 、Ｎ 2 、ＮＨ3 の流量比
を連続的に変化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積
層することにより、請求項１３ないし１７のいずれかに
記載の窒化シリコン固体表面保護膜を製造するので、ガ
ス流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に
変更することにより異なる特性を有するＳｉＮ層を形成
することが可能であり、例えば、初期条件として、ガス
流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５ま
で経時的に減少させれば、固体表面上に内在ストレスの
小さいＳｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は耐
水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層
が形成される。また、流量比を減少せるだけでなく、一
旦減少させた後、再び増加させることも可能である。
により原料ガスであるＳｉＨ4 、Ｎ 2 、ＮＨ3 の流量比
を連続的に変化させて特性の異なる窒化シリコン膜を積
層することにより、請求項１３ないし１７のいずれかに
記載の窒化シリコン固体表面保護膜を製造するので、ガ
ス流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を１．５〜２０まで段階的に
変更することにより異なる特性を有するＳｉＮ層を形成
することが可能であり、例えば、初期条件として、ガス
流量比ＮＨ3 ／ＳｉＨ4 を２０とし、流量比を１．５ま
で経時的に減少させれば、固体表面上に内在ストレスの
小さいＳｉＮ層が形成され、保護膜表面のＳｉＮ層は耐
水性、耐薬品性、イオンブロッキング性の高いＳｉＮ層
が形成される。また、流量比を減少せるだけでなく、一
旦減少させた後、再び増加させることも可能である。
【０１１６】この製造方法により形成されたＳｉＮ固体
表面保護膜は保護膜内のストレスが連続的に変化してい
るためＳｉＮ層同士の持つストレスの差が限りなく小さ
くなり、結果的に耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性を有し、かつ膜全体が低ストレスで信頼性の高い保
護膜が形成される。
表面保護膜は保護膜内のストレスが連続的に変化してい
るためＳｉＮ層同士の持つストレスの差が限りなく小さ
くなり、結果的に耐水性、耐薬品性、イオンブロッキン
グ性を有し、かつ膜全体が低ストレスで信頼性の高い保
護膜が形成される。
【０１１７】請求項１５によれば、すぐれた耐水性、耐
薬品性、イオンブロッキング性を有しかつ低ストレスで
信頼性の高い窒化シリコン固体表面保護膜を有するホー
ル素子を提供することができる。
薬品性、イオンブロッキング性を有しかつ低ストレスで
信頼性の高い窒化シリコン固体表面保護膜を有するホー
ル素子を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る窒化シリコン固体表
面保護膜形成前のホール素子の概形を示す平面図であ
る。
面保護膜形成前のホール素子の概形を示す平面図であ
る。
【図２】同ホール素子の製作工程のフローを示す説明図
である。
である。
【図３】同窒化シリコン固体表面保護膜形成後のホール
素子の概形を示す平面図である。
素子の概形を示す平面図である。
ａ−固体（ＧａＡｓ基板） ｂ−保護膜１ ｃ−活性層 ｄ−保護膜２ ｅ−電極 ｆ−窒化シリコン固体表面保護膜 ｇ−窒化シリコン固体表面保護膜 ｈ−窒化シリコン固体表面保護膜
Claims (15)
- 【請求項１】 固体表面上にプラズマ−ＣＶＤ法によっ
て保護膜として形成する少なくとも２層以上の積層した
窒化シリコン膜において、前記固体表面に接する窒化シ
リコン層と、前記保護膜の表面側の窒化シリコン層がそ
れぞれ異なる特性を有するように形成されていることを
特徴とする窒化シリコン固体表面保護膜。 - 【請求項２】 ２種の異なる特性を有する第１，第２の
窒化シリコン層の積層構造により形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の窒化シリコン固体表面保護
膜。 - 【請求項３】 それぞれの前記窒化シリコン層がプラズ
マ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる特性
が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表面と
接する前記第１の窒化シリコン層の屈折率が１．６０〜
１．９０の値に設定され、前記保護膜表面側の第２の窒
化シリコン層が屈折率が１．９０〜２．２０の値に設定
されたことを特徴とする請求項２に記載の窒化シリコン
固体表面保護膜。 - 【請求項４】 前記異なる特性が前記窒化シリコン層の
エッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン層の
エッチングレートが、前記第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値に設定されたことを特徴と
する請求項２に記載の窒化シリコン個体表面保護膜。 - 【請求項５】 前記固体表面上に形成される保護膜が、
３種の異なる特性を有する第１、第２、第３の窒化シリ
コン層を積層することにより形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の窒化シリコン固体表面保護膜。 - 【請求項６】 それぞれの前記窒化シリコン層はプラズ
マ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる特性
が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコン層
が、それぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．
８０〜２．００、１．９０〜２．２０の値に設定されて
いることを特徴とする請求項５に記載の窒化シリコン固
体表面保護膜。 - 【請求項７】 前記異なる特性が前記窒化シリコン層の
エッチングレートであり、前記第１の窒化シリコン層の
エッチングレートは、前記第２の窒化シリコン層のエッ
チングレートよりも大きな値を持ち、かつ前記第２の窒
化シリコン層のエッチングレートは、前記第３の窒化シ
リコンのエッチングレートよりも大きな値を持つように
形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化
シリコン固体表面保護膜。 - 【請求項８】 それぞれの前記窒化シリコン層はプラズ
マ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる特性
が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表面と
接する第１の窒化シリコン層、中間層となる第２の窒化
シリコン層、前記保護膜表面側の第３の窒化シリコン層
はそれぞれ屈折率として、１．６０〜１．９０、１．９
０〜２．２０、１．６０〜２．２０の値に設定されてい
ることを特徴とする請求項５に記載の窒化シリコン固体
表面保護膜。 - 【請求項９】 ５種以上の特性の異なる第１〜第Ｎ（Ｎ
≧５）番目までの窒化シリコン層を積層することにより
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化
シリコン固体表面保護膜。 - 【請求項１０】 それぞれの前記窒化シリコン膜はプラ
ズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、前記異なる特
性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表面
と接する第１窒化シリコン層から保護膜表面側となる第
Ｎ番目の窒化シリコン層（Ｎ＞５）のＮ個の層が積層さ
れており、かつ前記固体表面と接する第１の窒化シリコ
ン層の屈折率がもっとも小さく１．６０〜１．８０の範
囲であり、前記保護膜表面側となる第Ｎ番目の窒化シリ
コン層の屈折率が最も大きく１．９０〜２．２０の値に
設定され、２層〜Ｎ−１層となる窒化シリコン層は１．
９０〜２．２０の範囲で段階的に屈折率が大きな値に設
定されることを特徴とする請求項９に記載の窒化シリコ
ン固体表面保護膜。 - 【請求項１１】 前記固体表面と接する第１窒化シリコ
ン層のエッチングレートが最も大きく、前記保護膜表面
側となる第Ｎ番目の窒化シリコン層のエッチングレート
が最も小さく、２層〜Ｎ−１層の窒化シリコン層は段階
的にエッチングレートが小さくなるような特性を持つ窒
化シリコン層を積層することにより形成されていること
を特徴とする請求項９に記載の窒化シリコン固体表面保
護膜。 - 【請求項１２】 それぞれの前記窒化シリコン層はプラ
ズマ−ＣＶＤ法により連続的に形成され、第１番目の窒
化シリコン層及び第Ｎ番目の窒化シリコン層は屈折率が
１．６０〜１．９０であり、かつ第２層〜Ｎ−１層のう
ち少なくとも１つの窒化シリコン層が屈折率として１．
９０〜２．２０の値に設定されていることを特徴とする
請求項９に記載の窒化シリコン固体表面保護膜。 - 【請求項１３】 プラズマ−ＣＶＤ法により原料ガスで
あるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を段階的に変化さ
せて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することによ
り、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリコ
ン固体表面保護膜を製造することを特徴とする窒化シリ
コン固体表面保護膜の製造方法。 - 【請求項１４】 プラズマ−ＣＶＤ法により原料ガスで
あるＳｉＨ4 、Ｎ2 、ＮＨ3 の流量比を連続的に変化さ
せて特性の異なる窒化シリコン膜を積層することによ
り、請求項１ないし１２のいずれかに記載の窒化シリコ
ン固体表面保護膜を製造することを特徴とする窒化シリ
コン固体表面保護膜の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１〜１２のいずれかに記載の窒
化シリコン固体表面保護膜、あるいは、請求項１４また
は１５に記載の製造方法で製造された窒化シリコン固体
表面保護膜で表面を覆われたことを特徴とするホール素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354605A JP3686582B2 (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 窒化シリコン固体表面保護膜 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354605A JP3686582B2 (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 窒化シリコン固体表面保護膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158226A true JP2002158226A (ja) | 2002-05-31 |
| JP3686582B2 JP3686582B2 (ja) | 2005-08-24 |
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| JP2000354605A Expired - Fee Related JP3686582B2 (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 窒化シリコン固体表面保護膜 |
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Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
| JP2006253303A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
| JP2007073555A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
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| CN100392775C (zh) * | 2006-01-16 | 2008-06-04 | 南开大学 | 磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用 |
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-
2000
- 2000-11-21 JP JP2000354605A patent/JP3686582B2/ja not_active Expired - Fee Related
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