JP2002158223A - 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 - Google Patents
膜形成材料、膜形成方法、及び素子Info
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- JP2002158223A JP2002158223A JP2000350528A JP2000350528A JP2002158223A JP 2002158223 A JP2002158223 A JP 2002158223A JP 2000350528 A JP2000350528 A JP 2000350528A JP 2000350528 A JP2000350528 A JP 2000350528A JP 2002158223 A JP2002158223 A JP 2002158223A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｉＯ2の骨格にＳｉ−Ｃ結合を導入できる
技術を提供することである。 【解決手段】 下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン
系化合物を用いる。 一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３
技術を提供することである。 【解決手段】 下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン
系化合物を用いる。 一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体素子の
酸化膜として好適な膜を形成する為の材料、膜形成方
法、並びにこのような膜が形成された半導体素子に関す
る。
酸化膜として好適な膜を形成する為の材料、膜形成方
法、並びにこのような膜が形成された半導体素子に関す
る。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】ＵＬＳＩ等の半導体素
子は、微細化に伴って、より電気抵抗が低い配線材料が
必要とされている。このような観点から、タングステン
配線からアルミニウム配線に移り、次世代は銅配線が有
力な低抵抗金属として注目を浴びている。
子は、微細化に伴って、より電気抵抗が低い配線材料が
必要とされている。このような観点から、タングステン
配線からアルミニウム配線に移り、次世代は銅配線が有
力な低抵抗金属として注目を浴びている。
【０００３】しかし、銅のような電気抵抗が低い材料が
用いられて配線膜が形成されても、銅配線膜を囲む絶縁
部分が従来のＳｉＯ2である限り、銅の高性能が発揮で
きないことが判って来た。特に、配線幅が０．１５μm
以下のようになって来ると、電子が高速で流れる時に、
周囲の絶縁体部分に電磁誘導が引き起こされる。この悪
影響は、配線膜を囲む絶縁部分が従来のＳｉＯ2のよう
な誘電率が４以上の高い絶縁材の場合に顕著である。そ
して、この結果、信号の遅延が起きたり、近傍の配線と
クロストーク現象を起こすと言った半導体としては致命
的な欠陥を招くことになる。
用いられて配線膜が形成されても、銅配線膜を囲む絶縁
部分が従来のＳｉＯ2である限り、銅の高性能が発揮で
きないことが判って来た。特に、配線幅が０．１５μm
以下のようになって来ると、電子が高速で流れる時に、
周囲の絶縁体部分に電磁誘導が引き起こされる。この悪
影響は、配線膜を囲む絶縁部分が従来のＳｉＯ2のよう
な誘電率が４以上の高い絶縁材の場合に顕著である。そ
して、この結果、信号の遅延が起きたり、近傍の配線と
クロストーク現象を起こすと言った半導体としては致命
的な欠陥を招くことになる。
【０００４】そこで、絶縁膜として誘電率が従来のＳｉ
Ｏ2より低いものを選択することが提案され始めてい
る。
Ｏ2より低いものを選択することが提案され始めてい
る。
【０００５】例えば、膜を構成するＳｉＯ2の骨格にＣ
を導入、すなわちＳｉＯ2の骨格にシリコン−アルキル
チェーン−シリコン結合を導入したならば、誘電率を下
げることが出来るのでは無いかとの提案がなされた。
を導入、すなわちＳｉＯ2の骨格にシリコン−アルキル
チェーン−シリコン結合を導入したならば、誘電率を下
げることが出来るのでは無いかとの提案がなされた。
【０００６】しかし、これまで、ＳｉＯ2の骨格にシリ
コン−アルキルチェーン−シリコン結合を導入する手法
は提案されておらず、上記提案は実行できていなかっ
た。
コン−アルキルチェーン−シリコン結合を導入する手法
は提案されておらず、上記提案は実行できていなかっ
た。
【０００７】従って、本発明が解決しようとする課題
は、ＳｉＯ2の骨格にシリコン−アルキルチェーン−シ
リコン結合を導入できる技術を提供することである。
は、ＳｉＯ2の骨格にシリコン−アルキルチェーン−シ
リコン結合を導入できる技術を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、下記の一
般式［Ｉ］で表されるシリコン系化合物からなることを
特徴とするシリコン系膜形成材料によって解決される。
般式［Ｉ］で表されるシリコン系化合物からなることを
特徴とするシリコン系膜形成材料によって解決される。
【０００９】一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン
原子）で置換された炭化水素基の群の中から選ばれるい
ずれかであり、R１とＲ２とは同じでも異なるものでも
良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン原子）で置換さ
れた炭化水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、
Ｒ３とＲ４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良
い。］特に、下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン系
化合物からなることを特徴とするシリコン系膜形成材料
によって解決される。
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン
原子）で置換された炭化水素基の群の中から選ばれるい
ずれかであり、R１とＲ２とは同じでも異なるものでも
良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン原子）で置換さ
れた炭化水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、
Ｒ３とＲ４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良
い。］特に、下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン系
化合物からなることを特徴とするシリコン系膜形成材料
によって解決される。
【００１０】一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化水素
基、炭素数が１〜３のフッ素置換された炭化水素基の群
の中から選ばれるいずれかであり、R１とＲ ２とは同じ
でも異なるものでも良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ ５，Ｒ６ は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化
水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ３とＲ
４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良い。］ 更には、上記一般式［Ｉ］におけるR１，Ｒ２がＨ、メ
チル基、又はエチル基であり、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ がメチル基、エチル基、又はプロピル基であるシリ
コン系膜形成材料によって解決される。
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化水素
基、炭素数が１〜３のフッ素置換された炭化水素基の群
の中から選ばれるいずれかであり、R１とＲ ２とは同じ
でも異なるものでも良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ ５，Ｒ６ は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化
水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ３とＲ
４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良い。］ 更には、上記一般式［Ｉ］におけるR１，Ｒ２がＨ、メ
チル基、又はエチル基であり、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ がメチル基、エチル基、又はプロピル基であるシリ
コン系膜形成材料によって解決される。
【００１１】中でも、[(CH3)2N]3Si-CH2-Si[N(C
H3)2]3，[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3，[(C2H5)2N]
3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3，[(C2H5)2N]3Si-C2H4-Si[N(C2H
5)2]3の群の中から選ばれるシリコン系膜形成材料によ
って解決される。
H3)2]3，[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3，[(C2H5)2N]
3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3，[(C2H5)2N]3Si-C2H4-Si[N(C2H
5)2]3の群の中から選ばれるシリコン系膜形成材料によ
って解決される。
【００１２】上記化合物はそれ単体で用いることも出来
る。
る。
【００１３】しかし、上記シリコン系化合物を溶媒（特
に、アミン系溶媒（アミン系溶媒を含む溶媒））中に溶
解した溶液タイプのものを用いるのが好ましい。
に、アミン系溶媒（アミン系溶媒を含む溶媒））中に溶
解した溶液タイプのものを用いるのが好ましい。
【００１４】上記シリコン系膜形成材料は、基本的に、
シリコン系酸化膜を形成する為のものである。特に、Ｃ
−Ｓｉ結合（例えば、シリコン−アルキルチェーン−シ
リコン結合）を持つシリコン系酸化膜を形成する為のも
のである。又、化学気相成長方法によりシリコン系酸化
膜を形成する為のものである。
シリコン系酸化膜を形成する為のものである。特に、Ｃ
−Ｓｉ結合（例えば、シリコン−アルキルチェーン−シ
リコン結合）を持つシリコン系酸化膜を形成する為のも
のである。又、化学気相成長方法によりシリコン系酸化
膜を形成する為のものである。
【００１５】又、前記の課題は、上記のシリコン系膜形
成材料を用いて化学気相成長方法により基板上にシリコ
ン系膜を形成することを特徴とするシリコン系膜形成方
法によって解決される。
成材料を用いて化学気相成長方法により基板上にシリコ
ン系膜を形成することを特徴とするシリコン系膜形成方
法によって解決される。
【００１６】或いは、上記のシリコン系膜形成材料を基
板上に供給し、分解させることにより基板上にシリコン
系膜を形成することを特徴とするシリコン系膜形成方法
によって解決される。
板上に供給し、分解させることにより基板上にシリコン
系膜を形成することを特徴とするシリコン系膜形成方法
によって解決される。
【００１７】上記シリコン系膜形成材料を用いてシリコ
ン系膜を形成するに際して、酸化剤を更に用いることが
好ましい。
ン系膜を形成するに際して、酸化剤を更に用いることが
好ましい。
【００１８】又、前記の課題は、上記のシリコン系膜形
成方法により形成された膜が設けられてなることを特徴
とする半導体素子によって解決される。
成方法により形成された膜が設けられてなることを特徴
とする半導体素子によって解決される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明になるシリコン系膜形成材
料、特にシリコン系酸化膜を形成する為のシリコン系膜
形成材料、中でもＣ−Ｓｉ結合（例えば、シリコン−ア
ルキルチェーン−シリコン結合）を持つシリコン系酸化
膜を形成する為のシリコン系膜形成材料、又、化学気相
成長方法により前記のようなシリコン系酸化膜を形成す
る為のシリコン系膜形成材料は、下記の一般式［Ｉ］で
表されるシリコン系化合物からなる。
料、特にシリコン系酸化膜を形成する為のシリコン系膜
形成材料、中でもＣ−Ｓｉ結合（例えば、シリコン−ア
ルキルチェーン−シリコン結合）を持つシリコン系酸化
膜を形成する為のシリコン系膜形成材料、又、化学気相
成長方法により前記のようなシリコン系酸化膜を形成す
る為のシリコン系膜形成材料は、下記の一般式［Ｉ］で
表されるシリコン系化合物からなる。
【００２０】一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン
原子）で置換された炭化水素基の群の中から選ばれるい
ずれかであり、R１とＲ２とは同じでも異なるものでも
良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン原子）で置換さ
れた炭化水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、
Ｒ３とＲ４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良
い。］或いは、下記の一般式［ＩＩ］で表されるシリコ
ン系化合物からなる。
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン
原子）で置換された炭化水素基の群の中から選ばれるい
ずれかであり、R１とＲ２とは同じでも異なるものでも
良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン原子）で置換さ
れた炭化水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、
Ｒ３とＲ４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良
い。］或いは、下記の一般式［ＩＩ］で表されるシリコ
ン系化合物からなる。
【００２１】一般式［ＩＩ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化水素
基、炭素数が１〜３のフッ素置換された炭化水素基の群
の中から選ばれるいずれかであり、R１とＲ ２とは同じ
でも異なるものでも良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ ５，Ｒ６ は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化
水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ３とＲ
４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良い。］ 特に、上記一般式［Ｉ］，［ＩＩ］におけるR１，Ｒ２
がＨ、メチル基、又はエチル基であり、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ
５，Ｒ６ がメチル基、エチル基、又はプロピル基であ
るシリコン系化合物からなる。ｎは１〜３の整数であ
る。
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化水素
基、炭素数が１〜３のフッ素置換された炭化水素基の群
の中から選ばれるいずれかであり、R１とＲ ２とは同じ
でも異なるものでも良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ ５，Ｒ６ は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化
水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ３とＲ
４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良い。］ 特に、上記一般式［Ｉ］，［ＩＩ］におけるR１，Ｒ２
がＨ、メチル基、又はエチル基であり、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ
５，Ｒ６ がメチル基、エチル基、又はプロピル基であ
るシリコン系化合物からなる。ｎは１〜３の整数であ
る。
【００２２】中でも、[(CH3)2N]3Si-CH2-Si[N(C
H3)2]3，[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3，[(C2H5)2N]
3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3及び／又は[(C2H5)2N]3Si-C2H4-
Si[N(C2H5) 2]3である。
H3)2]3，[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3，[(C2H5)2N]
3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3及び／又は[(C2H5)2N]3Si-C2H4-
Si[N(C2H5) 2]3である。
【００２３】上記化合物はそれ単体で用いることもある
が、一般的には、上記シリコン系化合物を溶媒（特に、
アミン系溶媒（アミン系溶媒を含む溶媒））中に溶解し
て用いる。尚、溶媒としては、炭化水素系の溶媒やアミ
ン系の溶媒が用いられる。好ましくは、アミン系溶媒で
ある。特に、炭素数２〜４０のアミン系溶媒を用いる。
が、一般的には、上記シリコン系化合物を溶媒（特に、
アミン系溶媒（アミン系溶媒を含む溶媒））中に溶解し
て用いる。尚、溶媒としては、炭化水素系の溶媒やアミ
ン系の溶媒が用いられる。好ましくは、アミン系溶媒で
ある。特に、炭素数２〜４０のアミン系溶媒を用いる。
【００２４】本発明になるシリコン系膜形成方法は、上
記のシリコン系膜形成材料を用いて化学気相成長方法に
より基板上にシリコン系膜を形成する方法である。或い
は、上記のシリコン系膜形成材料を、例えば浸漬手段や
スプレー手段などの手段によって基板上に供給し、分解
させることにより基板上にシリコン系膜を形成する方法
である。上記シリコン系膜形成材料を用いてシリコン系
膜を形成するに際して、酸化剤を更に用いる。上記シリ
コン系膜を形成するに際して、上記シリコン系化合物の
分解が行われる。この分解は、例えば加熱により行われ
る。或いは、光照射により行われる。若しくは、プラズ
マ照射により行われる。又、酸化性雰囲気下で行われ
る。
記のシリコン系膜形成材料を用いて化学気相成長方法に
より基板上にシリコン系膜を形成する方法である。或い
は、上記のシリコン系膜形成材料を、例えば浸漬手段や
スプレー手段などの手段によって基板上に供給し、分解
させることにより基板上にシリコン系膜を形成する方法
である。上記シリコン系膜形成材料を用いてシリコン系
膜を形成するに際して、酸化剤を更に用いる。上記シリ
コン系膜を形成するに際して、上記シリコン系化合物の
分解が行われる。この分解は、例えば加熱により行われ
る。或いは、光照射により行われる。若しくは、プラズ
マ照射により行われる。又、酸化性雰囲気下で行われ
る。
【００２５】本発明になるＵＬＳＩ等の半導体素子は、
上記のシリコン系膜形成方法により形成された膜が設け
られてなるものである。
上記のシリコン系膜形成方法により形成された膜が設け
られてなるものである。
【００２６】以下、更に具体的な実施例を挙げて説明す
る。
る。
【００２７】
【実施例１】図１は、本発明になるシリコン系膜を形成
する為のＣＶＤ装置の概略図である。
する為のＣＶＤ装置の概略図である。
【００２８】すなわち、図１の装置を用いてシリコン系
膜の形成が行われた。図１中、１は容器、２は配管、３
は加熱器、４は分解反応炉、５はシリコン基板、６は反
応ガス（例えば、酸素、亜酸化窒素などの酸化性物
質）、７はガス流量制御器である。
膜の形成が行われた。図１中、１は容器、２は配管、３
は加熱器、４は分解反応炉、５はシリコン基板、６は反
応ガス（例えば、酸素、亜酸化窒素などの酸化性物
質）、７はガス流量制御器である。
【００２９】先ず、[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3
をジエチルアミンに溶かした溶液を容器１に入れ、７０
℃に加熱し、キャリアーガスとして窒素を３０ｍｌ／分
の割合で流した。これによって気化された[(CH3)2N]3Si
-C2H4-Si[N(CH3)2]3は、キャリアガスと共に、配管を経
て、分解反応炉４に導入された。この時、系内は真空に
排気されていた。
をジエチルアミンに溶かした溶液を容器１に入れ、７０
℃に加熱し、キャリアーガスとして窒素を３０ｍｌ／分
の割合で流した。これによって気化された[(CH3)2N]3Si
-C2H4-Si[N(CH3)2]3は、キャリアガスと共に、配管を経
て、分解反応炉４に導入された。この時、系内は真空に
排気されていた。
【００３０】分解反応炉４に入れられているＳｉ基板は
３００〜３５０℃に加熱されている。
３００〜３５０℃に加熱されている。
【００３１】そして、反応ガスとして窒素で希釈した酸
素を流した。
素を流した。
【００３２】上記のような操作が行われて、成膜がなさ
れた。
れた。
【００３３】この後、基板を取り出し、元素分析を行っ
た処、Ｓｉを主成分とする絶縁性の薄膜が形成されてい
ることが判った。
た処、Ｓｉを主成分とする絶縁性の薄膜が形成されてい
ることが判った。
【００３４】この薄膜をＸ線回折によって調べた処、Ｓ
ｉＯ2 を主成分とするものであることが判った。
ｉＯ2 を主成分とするものであることが判った。
【００３５】更に、ＦＴ−ＩＲによって薄膜を調べた
処、膜中に−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
処、膜中に−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
【００３６】
【実施例２〜４】実施例１における[(CH3)2N]3Si-C2H4-
Si[N(CH3)2]3の代わりに、[(CH3)2N]3Si-CH2-Si[N(CH3)
2]3，[(C2H5)2N]3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3、[(C2H5)2N]3S
i-C2H4-Si[N(C2H5)2]3を用いて同様に行った。
Si[N(CH3)2]3の代わりに、[(CH3)2N]3Si-CH2-Si[N(CH3)
2]3，[(C2H5)2N]3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3、[(C2H5)2N]3S
i-C2H4-Si[N(C2H5)2]3を用いて同様に行った。
【００３７】これらの場合にあっても、ＳｉＯ2 を主成
分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判った。
そして、膜中には、各々、−ＣＨ２−，−ＣＨ２−，−
Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判った。
そして、膜中には、各々、−ＣＨ２−，−ＣＨ２−，−
Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
【００３８】
【実施例５〜８】実施例１における窒素希釈酸素の代わ
りに、H2O，H2O2，N2O、オゾンを用いて同様に行った。
りに、H2O，H2O2，N2O、オゾンを用いて同様に行った。
【００３９】これらの場合にあっても、ＳｉＯ2 を主成
分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判った。
そして、膜中には、−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判った。
そして、膜中には、−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認された。
【００４０】
【実施例９】[(CH3)2N]3Si-C2H4-Si[N(CH3)2]3をノルマ
ルデカンに溶解し、高速に回転させたシリコン基板上に
滴下し、溶液の均一な薄層を形成した。
ルデカンに溶解し、高速に回転させたシリコン基板上に
滴下し、溶液の均一な薄層を形成した。
【００４１】このシリコン基板を空気中で段階的に加熱
し、最終的に３００〜３５０℃で処理をした。
し、最終的に３００〜３５０℃で処理をした。
【００４２】このものを元素分析した処、ＳｉＯ2 を主
成分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判っ
た。そして、膜中には、−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認され
た。
成分とする絶縁性の薄膜が形成されていることが判っ
た。そして、膜中には、−Ｃ２Ｈ４−の存在が確認され
た。
【００４３】
【発明の効果】Ｓｉ−Ｃ結合を有し、ＳｉＯ2の骨格構
造を有する半導体素子の酸化膜として好適な膜が形成で
きる。
造を有する半導体素子の酸化膜として好適な膜が形成で
きる。
【図１】ＣＶＤ装置の概略図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA09 AA18 BA42 BA44 BA61 CA04 LA18 5F033 RR21 SS01 XX24 XX27 5F058 BA20 BC02 BC04 BF27 BF29 BJ02
Claims (13)
- 【請求項１】 下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン
系化合物からなることを特徴とするシリコン系膜形成材
料。 一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン
原子）で置換された炭化水素基の群の中から選ばれるい
ずれかであり、R１とＲ２とは同じでも異なるものでも
良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ
６ は、Ｈ、炭化水素基、Ｘ（ハロゲン原子）で置換さ
れた炭化水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、
Ｒ３とＲ４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良
い。］ - 【請求項２】 下記の一般式［Ｉ］で表されるシリコン
系化合物からなることを特徴とするシリコン系膜形成材
料。 一般式［Ｉ］ ｛Ｒ３（Ｒ４）Ｎ｝３Ｓｉ−｛Ｃ（Ｒ１）Ｒ２｝ｎ−Ｓ
ｉ｛Ｎ（Ｒ５）Ｒ６｝３ ［但し、R１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化水素
基、炭素数が１〜３のフッ素置換された炭化水素基の群
の中から選ばれるいずれかであり、R１とＲ ２とは同じ
でも異なるものでも良い。ｎは１〜５の整数である。Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ ５，Ｒ６ は、Ｈ、炭素数が１〜３の炭化
水素基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ３とＲ
４とＲ５とＲ６とは同じでも異なるものでも良い。］ - 【請求項３】 R１，Ｒ２がＨ、メチル基、又はエチル
基であり、Ｒ３，Ｒ ４，Ｒ５，Ｒ６ がメチル基、エチ
ル基、又はプロピル基であることを特徴とする請求項１
又は請求項２のシリコン系膜形成材料。 - 【請求項４】 一般式［Ｉ］で表されるシリコン系化合
物が[(CH3)2N]3Si-CH2-Si[N(CH3)2]3，[(CH3)2N]3Si-C2
H4-Si[N(CH3)2]3，[(C2H5)2N]3Si-CH2-Si[N(C2H5)2]3，
[(C2H5)2N]3Si-C2H4-Si[N(C2H5)2]3の群の中から選ばれ
るものであることを特徴とする請求項１〜請求項３いず
れかのシリコン系膜形成材料。 - 【請求項５】 シリコン系化合物が溶媒中に溶解してな
ることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかのシリ
コン系膜形成材料。 - 【請求項６】 シリコン系化合物がアミン系の溶媒中に
溶解してなることを特徴とする請求項１〜請求項５いず
れかのシリコン系膜形成材料。 - 【請求項７】 シリコン系酸化膜を形成する為のもので
あることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれかのシ
リコン系膜形成材料。 - 【請求項８】 Ｃ−Ｓｉ結合を持つシリコン系酸化膜を
形成する為のものであることを特徴とする請求項１〜請
求項７いずれかのシリコン系膜形成材料。 - 【請求項９】 化学気相成長方法によりシリコン系酸化
膜を形成する為のものであることを特徴とする請求項１
〜請求項８いずれかのシリコン系膜形成材料。 - 【請求項１０】 請求項１〜請求項９いずれかのシリコ
ン系膜形成材料を用いて化学気相成長方法により基板上
にシリコン系膜を形成することを特徴とするシリコン系
膜形成方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜請求項８いずれかのシリコ
ン系膜形成材料を基板上に供給し、分解させることによ
り基板上にシリコン系膜を形成することを特徴とするシ
リコン系膜形成方法。 - 【請求項１２】 酸化剤を更に用いて基板上にシリコン
系膜を形成することを特徴とする請求項１０又は請求項
１１のシリコン系膜形成方法。 - 【請求項１３】 請求項１０〜請求項１２いずれかのシ
リコン系膜形成方法により形成された膜が設けられてな
ることを特徴とする半導体素子。
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