JP2002151537A - 半導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプおよびその形成方法 - Google Patents
半導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプおよびその形成方法Info
- Publication number
- JP2002151537A JP2002151537A JP2000342798A JP2000342798A JP2002151537A JP 2002151537 A JP2002151537 A JP 2002151537A JP 2000342798 A JP2000342798 A JP 2000342798A JP 2000342798 A JP2000342798 A JP 2000342798A JP 2002151537 A JP2002151537 A JP 2002151537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- semiconductor device
- under
- metal
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02123—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body inside the bonding area
- H01L2224/02125—Reinforcing structures
- H01L2224/02126—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05541—Structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10125—Reinforcing structures
- H01L2224/10126—Bump collar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13005—Structure
- H01L2224/13006—Bump connector larger than the underlying bonding area, e.g. than the under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13023—Disposition the whole bump connector protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極上への均一性・密着性・信頼性の高
いアンダーバンプメタルやバンプの作製方法を提供し、
その方法による信頼性の高い半導体装置を得ることを目
的とする。 【解決手段】 金属電極上にニッケルメッキを行う前の
前処理を行うに際し、電極の付いたチップやウェハに対
し、１回以上有機溶媒による洗浄を行うことと、UVオゾ
ン洗浄を行うことにより、一つの電極内部・一つのチッ
プ上の各電極間・ウェハ上及びウェハ間の電極間での処
理の差を小さくすることが出来る。また、ニッケルメッ
キ液の濃度を濃くすることで中央部が凹んだUBMを形成
することが出来る。以上により、均一性・密着性・信頼
性に優れたUBMやバンプを形成することが出来る。ま
た、その方法により信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
いアンダーバンプメタルやバンプの作製方法を提供し、
その方法による信頼性の高い半導体装置を得ることを目
的とする。 【解決手段】 金属電極上にニッケルメッキを行う前の
前処理を行うに際し、電極の付いたチップやウェハに対
し、１回以上有機溶媒による洗浄を行うことと、UVオゾ
ン洗浄を行うことにより、一つの電極内部・一つのチッ
プ上の各電極間・ウェハ上及びウェハ間の電極間での処
理の差を小さくすることが出来る。また、ニッケルメッ
キ液の濃度を濃くすることで中央部が凹んだUBMを形成
することが出来る。以上により、均一性・密着性・信頼
性に優れたUBMやバンプを形成することが出来る。ま
た、その方法により信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフリ
ップチップ方式やフィルムキャリア方式などのワイヤレ
スボンディング方式を用いて実装する場合に必要な、半
導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方
法、及びそれを有する半導体装置に関するものである。
ップチップ方式やフィルムキャリア方式などのワイヤレ
スボンディング方式を用いて実装する場合に必要な、半
導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方
法、及びそれを有する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェハのアルミニウム電極上に
ウェット方法でアンダーバンプメタル（UBM）あるいは
突起電極（バンプ）を無電解メッキ法で形成する方法
は、（１）ウェハ上のアルミニウム薄膜電極にジンケー
ト処理によりアルミニウムと亜鉛とを置換する処理を行
った後、無電解ニッケルメッキでUBMまたはバンプを形
成する方法（Proceedings of IEEE Multi-Chip Module
Conference MCMC-93,SantaCruz 74 1993, Electronic C
omponents and Technology Conference 412 1990,ISHM
１９９３ Proceedings 439ページ、信技報 CPM87−37
13ページ）と、（２）アルミニウム電極表面をパラジウ
ムにより活性化させた後、無電解ニッケルメッキを行う
方法（Proceedings of IEEE Multi-Chip Module Confer
ence MCMC-93,Santa Cruz 74 1993, 信技報 CPM87−4
0）と、（３）アルミニウムとニッケルを直接置換さ
せ、自己触媒型無電解ニッケルメッキを行う方法（SHM
会誌 １0巻、2号、21ページ）が用いられている。
ウェット方法でアンダーバンプメタル（UBM）あるいは
突起電極（バンプ）を無電解メッキ法で形成する方法
は、（１）ウェハ上のアルミニウム薄膜電極にジンケー
ト処理によりアルミニウムと亜鉛とを置換する処理を行
った後、無電解ニッケルメッキでUBMまたはバンプを形
成する方法（Proceedings of IEEE Multi-Chip Module
Conference MCMC-93,SantaCruz 74 1993, Electronic C
omponents and Technology Conference 412 1990,ISHM
１９９３ Proceedings 439ページ、信技報 CPM87−37
13ページ）と、（２）アルミニウム電極表面をパラジウ
ムにより活性化させた後、無電解ニッケルメッキを行う
方法（Proceedings of IEEE Multi-Chip Module Confer
ence MCMC-93,Santa Cruz 74 1993, 信技報 CPM87−4
0）と、（３）アルミニウムとニッケルを直接置換さ
せ、自己触媒型無電解ニッケルメッキを行う方法（SHM
会誌 １0巻、2号、21ページ）が用いられている。
【０００３】以下に一般に行われるUBMやバンプ作成法
のうち上記（１）の方法を説明する。通常のフォトリソ
プロセスを経て作成されたアルミニウム電極付きシリコ
ン基板を図１（a）に示す。図１（a）のアルミニウム電
極付シリコン基板を酸性液（硫酸、硝酸、リン酸あるい
はそれらの混合液）またはアルカリ性液（水酸化ナトリ
ウム水溶液または水酸化カリウム水溶液）でライトエッ
チングを行う。次に酸性あるいはアルカリ性のジンケー
ト（亜鉛）処理液で表面のアルミニウムの一部を亜鉛に
換える（図１（ｂ））。アルミニウム電極の凸凹が大き
い場合は酸洗し再度ジンケート処理を行う。２度３度こ
の処理を繰り返す場合もある。無電解ニッケルメッキ
（図１（ｃ））、さらに適宜無電解金メッキ（図１
（ｄ））を行い、UBMやバンプを作製する。図２(b)及び
図３(b)には、さらにUBM上にハンダボールを搭載しリフ
ローすることにより、ハンダバンプを形成したものを示
している。銅電極表面へのニッケルバンプ形成も類似の
方法で処理が行われる。
のうち上記（１）の方法を説明する。通常のフォトリソ
プロセスを経て作成されたアルミニウム電極付きシリコ
ン基板を図１（a）に示す。図１（a）のアルミニウム電
極付シリコン基板を酸性液（硫酸、硝酸、リン酸あるい
はそれらの混合液）またはアルカリ性液（水酸化ナトリ
ウム水溶液または水酸化カリウム水溶液）でライトエッ
チングを行う。次に酸性あるいはアルカリ性のジンケー
ト（亜鉛）処理液で表面のアルミニウムの一部を亜鉛に
換える（図１（ｂ））。アルミニウム電極の凸凹が大き
い場合は酸洗し再度ジンケート処理を行う。２度３度こ
の処理を繰り返す場合もある。無電解ニッケルメッキ
（図１（ｃ））、さらに適宜無電解金メッキ（図１
（ｄ））を行い、UBMやバンプを作製する。図２(b)及び
図３(b)には、さらにUBM上にハンダボールを搭載しリフ
ローすることにより、ハンダバンプを形成したものを示
している。銅電極表面へのニッケルバンプ形成も類似の
方法で処理が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ジンケ
ート処理やパラジウム処理を行う前の前処理を十分に行
っておかないと、ジンケート処理やパラジウム処理時
に、電極上でのアルミニウムと亜鉛やパラジウムとの置
換反応の速度あるいは銅とパラジウムとの置換反応の速
度が、一個の電極内，チップ上の個々の電極間，ウェハ
上でのチップ間，あるいは同時処理するウェハ間で異な
るという事態が生じ易い。この現象は、次工程の無電解
ニッケルメッキ工程や、場合により行われる酸洗工程，
２回目以降のジンケート処理工程の均一性に影響し、ニ
ッケルメッキ層の厚みや密着性に差を生じさせていた。
はなはだしい場合には、ニッケルが全くメッキ膜として
生成しない事態も起きていた。この為に出来上がったUB
Mやバンプの高さにバラツキや表面の凹凸に差が出たり
して、半導体装置として使用出来ないものが出来たりし
ていた。この原因としては、ウェハやチップ取り扱い時
における小さなゴミや油分や水分が考えられる。したが
って、それらの不均一状態を取り除き、全てのアルミニ
ウムや銅の電極部分が小さなゴミや油分や水分等の無い
均一な面となるように前処理を十分に行う必要がある。
ート処理やパラジウム処理を行う前の前処理を十分に行
っておかないと、ジンケート処理やパラジウム処理時
に、電極上でのアルミニウムと亜鉛やパラジウムとの置
換反応の速度あるいは銅とパラジウムとの置換反応の速
度が、一個の電極内，チップ上の個々の電極間，ウェハ
上でのチップ間，あるいは同時処理するウェハ間で異な
るという事態が生じ易い。この現象は、次工程の無電解
ニッケルメッキ工程や、場合により行われる酸洗工程，
２回目以降のジンケート処理工程の均一性に影響し、ニ
ッケルメッキ層の厚みや密着性に差を生じさせていた。
はなはだしい場合には、ニッケルが全くメッキ膜として
生成しない事態も起きていた。この為に出来上がったUB
Mやバンプの高さにバラツキや表面の凹凸に差が出たり
して、半導体装置として使用出来ないものが出来たりし
ていた。この原因としては、ウェハやチップ取り扱い時
における小さなゴミや油分や水分が考えられる。したが
って、それらの不均一状態を取り除き、全てのアルミニ
ウムや銅の電極部分が小さなゴミや油分や水分等の無い
均一な面となるように前処理を十分に行う必要がある。
【０００５】これまではアルカリ脱脂や酸エッチング等
が行われてきたが、不十分であったり、アルカリ脱脂時
に電極金属が溶けてしまったりした。また、プラズマエ
ッチングも行われた例があるが、真空装置が必要であ
り、コスト高である。
が行われてきたが、不十分であったり、アルカリ脱脂時
に電極金属が溶けてしまったりした。また、プラズマエ
ッチングも行われた例があるが、真空装置が必要であ
り、コスト高である。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、ウェット
プロセスによりUBMやバンプを形成する際に、一個の電
極内の各部分，チップ上の個々の電極間，ウェハ内での
チップ間，異なるウェハ間での電極上のニッケル膜厚及
び密着性の差を出来るだけ小さくし、均一で信頼性に優
れたUBMやバンプを形成する方法を提供することを目的
とする。またそのようにして作製されたUBM上に均一で
信頼性に優れた金属バンプを付けた半導体装置を提供す
ることを目的とする。
プロセスによりUBMやバンプを形成する際に、一個の電
極内の各部分，チップ上の個々の電極間，ウェハ内での
チップ間，異なるウェハ間での電極上のニッケル膜厚及
び密着性の差を出来るだけ小さくし、均一で信頼性に優
れたUBMやバンプを形成する方法を提供することを目的
とする。またそのようにして作製されたUBM上に均一で
信頼性に優れた金属バンプを付けた半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、以下のような手段を用いる。 （１）半導体素子の電極表面に金属メッキでUBMあるい
はバンプを形成する方法であって、メッキ前に上記半導
体素子の電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程を
含み、後は通常の前処理と金属メッキを行うことにより
半導体素子のUBMまたはバンプを形成する。 （２）半導体素子の電極表面に金属メッキでUBMあるい
はバンプを形成する方法であって、メッキ前に上記半導
体素子の電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程
と、さらにUVオゾン洗浄する工程とを行い、後は通常の
前処理と金属メッキを行うことにより半導体素子のUBM
またはバンプを形成する。 （３）半導体素子のアルミニウム電極表面にニッケルメ
ッキでUBMあるいはバンプを形成するにあたり、ニッケ
ルメッキ前に上記半導体素子のアルミニウム電極表面を
１回以上有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUVオゾン洗
浄する工程と、酸性液あるいはアルカリ性液によりエッ
チング処理するライトエッチング工程と、ジンケート処
理またはパラジウム処理を行う工程を行い、無電解ニッ
ケルメッキ液でニッケルメッキし、適宜金メッキを行い
半導体素子のUBMまたはバンプを形成する。 （４）半導体素子のアルミニウム電極表面にニッケルメ
ッキでUBMあるいはバンプを形成するにあたり、ニッケ
ルメッキ前に上記半導体素子のアルミニウム電極表面を
１回以上有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUVオゾン洗
浄する工程と、酸性液あるいはアルカリ性液によりエッ
チング処理するライトエッチング工程と、ジンケート処
理またはパラジウム処理を行い、酸洗する工程を一回以
上行う工程と、再びジンケート処理またはパラジウム処
理を行う工程を行ない、無電解ニッケルメッキ液でニッ
ケルメッキし、適宜金メッキを行い半導体素子のUBMま
たはバンプを形成する。 （５）半導体素子の銅電極表面にニッケルメッキでUBM
あるいはバンプを形成するにあたり、ニッケルメッキ前
に上記半導体素子の銅電極表面を１回以上有機溶媒で洗
浄する工程と、さらにUVオゾン洗浄する工程と、酸性液
あるいはアルカリ性液によりエッチング処理するライト
エッチング工程と、パラジウム処理を行う工程とを行
い、無電解ニッケルメッキ液でニッケルメッキし、適宜
金メッキを行い半導体素子のUBMまたはバンプを形成す
る。 （６）上記（１）において、メッキ前に半導体素子のア
ルミニウム電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程
の後、上記（２）においては、UVオゾン洗浄する工程の
後、それぞれ酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチ
ング処理するライトエッチング工程を行い、複数回のジ
ンケート処理を行うにあたり、異なる種類のジンケート
処理液を交互に使用することにより半導体素子のUBMま
たはバンプを形成する。 （７）半導体素子の電極表面に金属メッキを成長させる
際に、電極パッドの外周部分のメッキ金属を早く成長さ
せることにより、中央部分が凹み外周部分がせり上がっ
た形状のUBMを形成させる。 （８）半導体素子の電極上に金属メッキにより形成した
UBMを用いた半導体装置であって、中央部分が凹み外周
部分がせり上がった形状のUBMを使用した半導体装置と
する。 （９）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM上
に、導電性ボールを搭載後、接着またはリフローするこ
とにより半導体装置用のバンプを形成する。 （１０）上記（９）記載の半導体装置用のバンプ形成方
法において、導電性ボールの粒径を ２ｒとし、各UBMの
メッキパッドの面積をS1とした時、 （S1／π）3/2 < ２（ｒ3） （式１） を満たす粒径２ｒの導電性ボールを使用することにより
半導体装置用バンプを形成する。 （１１）上記（９）または（１０）記載の半導体装置用
バンプ形成方法において、導電性ボールの粒径と使用す
る導電性ボールの平均粒径２ｒmとの差を△ｒとした
時、個々のボールが | △ｒ|／２ｒm< 0.0５ （式２） である条件を満たす導電性ボールを使用し、各UBMの表
面積をS1とし、 Smを全UBMパッドの平均の面積とした
時、 ０ < | {S1 − Sm }|／Sm < 0.1 （式３） である条件を満たすUBMを使用することにより半導体装
置用のバンプを形成する。 （１２）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM
上に導電性ボールが搭載され、接合されている半導体装
置であって、UBM上に搭載し接合した導電性ボールの頂
上からUBMの中心部への断面におけるボールの横方向の
最大長さをｄ、縦方向のボールの高さをｃとし、ボール
断面でｄとｃの交点から上の部分をaとし、交点の下の
部分をｂとした時、０．５ ≦ ｃ／ｄ < １かつ、０ ≦
ｂ／a <１ となるように導電性ボールを付けた半導体
装置とする。 （１３）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM
上に導電性ボールが搭載され、接合されている半導体装
置であって、前記UBM上に接合された導電性ボールに、
更に他の電極が接合されている際に、前記のUBMの面積
をSとし、導電性ボールの接合後の高さをｈとした時、 S < ４πｈ2 （式４） となるように導電性ボールを付けた半導体装置とする。
成するために、以下のような手段を用いる。 （１）半導体素子の電極表面に金属メッキでUBMあるい
はバンプを形成する方法であって、メッキ前に上記半導
体素子の電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程を
含み、後は通常の前処理と金属メッキを行うことにより
半導体素子のUBMまたはバンプを形成する。 （２）半導体素子の電極表面に金属メッキでUBMあるい
はバンプを形成する方法であって、メッキ前に上記半導
体素子の電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程
と、さらにUVオゾン洗浄する工程とを行い、後は通常の
前処理と金属メッキを行うことにより半導体素子のUBM
またはバンプを形成する。 （３）半導体素子のアルミニウム電極表面にニッケルメ
ッキでUBMあるいはバンプを形成するにあたり、ニッケ
ルメッキ前に上記半導体素子のアルミニウム電極表面を
１回以上有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUVオゾン洗
浄する工程と、酸性液あるいはアルカリ性液によりエッ
チング処理するライトエッチング工程と、ジンケート処
理またはパラジウム処理を行う工程を行い、無電解ニッ
ケルメッキ液でニッケルメッキし、適宜金メッキを行い
半導体素子のUBMまたはバンプを形成する。 （４）半導体素子のアルミニウム電極表面にニッケルメ
ッキでUBMあるいはバンプを形成するにあたり、ニッケ
ルメッキ前に上記半導体素子のアルミニウム電極表面を
１回以上有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUVオゾン洗
浄する工程と、酸性液あるいはアルカリ性液によりエッ
チング処理するライトエッチング工程と、ジンケート処
理またはパラジウム処理を行い、酸洗する工程を一回以
上行う工程と、再びジンケート処理またはパラジウム処
理を行う工程を行ない、無電解ニッケルメッキ液でニッ
ケルメッキし、適宜金メッキを行い半導体素子のUBMま
たはバンプを形成する。 （５）半導体素子の銅電極表面にニッケルメッキでUBM
あるいはバンプを形成するにあたり、ニッケルメッキ前
に上記半導体素子の銅電極表面を１回以上有機溶媒で洗
浄する工程と、さらにUVオゾン洗浄する工程と、酸性液
あるいはアルカリ性液によりエッチング処理するライト
エッチング工程と、パラジウム処理を行う工程とを行
い、無電解ニッケルメッキ液でニッケルメッキし、適宜
金メッキを行い半導体素子のUBMまたはバンプを形成す
る。 （６）上記（１）において、メッキ前に半導体素子のア
ルミニウム電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程
の後、上記（２）においては、UVオゾン洗浄する工程の
後、それぞれ酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチ
ング処理するライトエッチング工程を行い、複数回のジ
ンケート処理を行うにあたり、異なる種類のジンケート
処理液を交互に使用することにより半導体素子のUBMま
たはバンプを形成する。 （７）半導体素子の電極表面に金属メッキを成長させる
際に、電極パッドの外周部分のメッキ金属を早く成長さ
せることにより、中央部分が凹み外周部分がせり上がっ
た形状のUBMを形成させる。 （８）半導体素子の電極上に金属メッキにより形成した
UBMを用いた半導体装置であって、中央部分が凹み外周
部分がせり上がった形状のUBMを使用した半導体装置と
する。 （９）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM上
に、導電性ボールを搭載後、接着またはリフローするこ
とにより半導体装置用のバンプを形成する。 （１０）上記（９）記載の半導体装置用のバンプ形成方
法において、導電性ボールの粒径を ２ｒとし、各UBMの
メッキパッドの面積をS1とした時、 （S1／π）3/2 < ２（ｒ3） （式１） を満たす粒径２ｒの導電性ボールを使用することにより
半導体装置用バンプを形成する。 （１１）上記（９）または（１０）記載の半導体装置用
バンプ形成方法において、導電性ボールの粒径と使用す
る導電性ボールの平均粒径２ｒmとの差を△ｒとした
時、個々のボールが | △ｒ|／２ｒm< 0.0５ （式２） である条件を満たす導電性ボールを使用し、各UBMの表
面積をS1とし、 Smを全UBMパッドの平均の面積とした
時、 ０ < | {S1 − Sm }|／Sm < 0.1 （式３） である条件を満たすUBMを使用することにより半導体装
置用のバンプを形成する。 （１２）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM
上に導電性ボールが搭載され、接合されている半導体装
置であって、UBM上に搭載し接合した導電性ボールの頂
上からUBMの中心部への断面におけるボールの横方向の
最大長さをｄ、縦方向のボールの高さをｃとし、ボール
断面でｄとｃの交点から上の部分をaとし、交点の下の
部分をｂとした時、０．５ ≦ ｃ／ｄ < １かつ、０ ≦
ｂ／a <１ となるように導電性ボールを付けた半導体
装置とする。 （１３）上記（１）〜（７）の形成方法で作製したUBM
上に導電性ボールが搭載され、接合されている半導体装
置であって、前記UBM上に接合された導電性ボールに、
更に他の電極が接合されている際に、前記のUBMの面積
をSとし、導電性ボールの接合後の高さをｈとした時、 S < ４πｈ2 （式４） となるように導電性ボールを付けた半導体装置とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて詳細に説明する。図１を用いて本発明
におけるアルミニウム電極上へのUBM及びバンプ形成法
を例に説明する。
て図面に基づいて詳細に説明する。図１を用いて本発明
におけるアルミニウム電極上へのUBM及びバンプ形成法
を例に説明する。
【０００９】図１（a）に、アルミニウム電極をパター
ニングしたシリコン基板（アルミニウム電極の厚みは例
えば 0.5〜２μｍ）を示す。表面清浄化処理としての
以下の２工程を行う。
ニングしたシリコン基板（アルミニウム電極の厚みは例
えば 0.5〜２μｍ）を示す。表面清浄化処理としての
以下の２工程を行う。
【００１０】第一に、少なくとも１回以上有機溶媒中で
ウェハまたはチップ等の電極表面を洗浄する工程を導入
する。有機溶媒中の洗浄はそれぞれ１〜３０分とし、超
音波をかけても良い。この処理工程は、１分以下では効
果が乏しく、３０分以上行っても効果は同じである。有
機溶媒としては、例えばアセトンやメチルエチルケトン
等のケトン系のもの、エタノールやメタノールやプロパ
ノール等のアルコール系のもの、あるいはそれらを適当
な比率で混合した混合物を用いる。その他テトラヒドロ
フラン等ウェハ上に付着したごみ・油分・水分を溶かす
または流し去る各種の溶媒を使用しても良い。複数回洗
浄を行う時は、溶媒として比誘電率の低いものと高いも
ののように、比誘電率の異なるものを選択するのが良
い。
ウェハまたはチップ等の電極表面を洗浄する工程を導入
する。有機溶媒中の洗浄はそれぞれ１〜３０分とし、超
音波をかけても良い。この処理工程は、１分以下では効
果が乏しく、３０分以上行っても効果は同じである。有
機溶媒としては、例えばアセトンやメチルエチルケトン
等のケトン系のもの、エタノールやメタノールやプロパ
ノール等のアルコール系のもの、あるいはそれらを適当
な比率で混合した混合物を用いる。その他テトラヒドロ
フラン等ウェハ上に付着したごみ・油分・水分を溶かす
または流し去る各種の溶媒を使用しても良い。複数回洗
浄を行う時は、溶媒として比誘電率の低いものと高いも
ののように、比誘電率の異なるものを選択するのが良
い。
【００１１】洗浄が不十分の場合は、第二に、前記有機
溶媒を乾燥後、さらにUVオゾン洗浄を行い、ウェハまた
はチップ等の電極上の有機物を完全に除去する工程を導
入する。これは、大気中または酸素雰囲気中または酸素
をわずかでも含む雰囲気中で紫外線を１分〜30分間当て
ることにより、有機物を分解除去する工程である。この
処理工程は、１分以下では効果が乏しく、３０分以上行
っても効果は同じである。ここでいうUVオゾン洗浄と
は、電極表面に酸素の存在下でUV（紫外）光を当て、紫
外線及び紫外線により発生したオゾンで有機物を分解洗
浄する工程である。
溶媒を乾燥後、さらにUVオゾン洗浄を行い、ウェハまた
はチップ等の電極上の有機物を完全に除去する工程を導
入する。これは、大気中または酸素雰囲気中または酸素
をわずかでも含む雰囲気中で紫外線を１分〜30分間当て
ることにより、有機物を分解除去する工程である。この
処理工程は、１分以下では効果が乏しく、３０分以上行
っても効果は同じである。ここでいうUVオゾン洗浄と
は、電極表面に酸素の存在下でUV（紫外）光を当て、紫
外線及び紫外線により発生したオゾンで有機物を分解洗
浄する工程である。
【００１２】以上の処理により金属電極上の無機物及び
有機物は全て除去される。この工程はメッキの脱脂処理
前に行うことが好ましい。上記処理後は通常の前処理を
してメッキ処理を行う。一例を下記に示す。
有機物は全て除去される。この工程はメッキの脱脂処理
前に行うことが好ましい。上記処理後は通常の前処理を
してメッキ処理を行う。一例を下記に示す。
【００１３】酸性液またはアルカリ性液でライトエッチ
ングを行う。酸性液は主として希硫酸液が用いられる。
リン酸や硝酸を含んでいても良い。硫酸の濃度は１０〜
６０％のものを使用する。界面活性剤を含んでいても良
い。あるいは、有機酸を含んでいても良い。アルカリ性
の液の場合は、１〜５０％の水酸化ナトリウムや水酸化
カリウム水溶液が用いられる。次にジンケート（亜鉛）
処理液またはパラジウム処理液で表面のアルミニウムの
一部を亜鉛またはパラジウムに換える（図１（ｂ））。
本発明において、ジンケート処理とは亜鉛に置換する処
理のことをいう。一度亜鉛またはパラジウム置換したも
のを酸洗し再びジンケート処理またはパラジウム処理す
る工程を１回以上行って、より平滑性に優れた表面を得
ることも出来る。一般にこのジンケート処理液は、アル
カリ性のものが使用されるが、ｐHが１０以上である場
合が多く、アルミ電極のロットによっては均一な表面が
得られないことがある。この際には、アルカリ強度の低
い処理液を使用したり、酸性の処理液を使用したり、複
数回のジンケート処理の場合は濃度の異なるものや液性
の異なる処理液を使用して均一な処理面とする。この
後、無電解ニッケルメッキ、適宜無電解金メッキを順次
行い、UBMやバンプを作成する。無電解ニッケルメッキ
液としては、Ni-P系のメッキ液やNi-B系メッキ液を使用
することが出来る。ジンケート処理液・無電解ニッケル
メッキ液・無電解金メッキ液は、一般書、例えば、
{「無電解めっき」 神戸徳蔵著 槇書店 １９８４年刊
} を参考にメッキ液を作成して使用しても良い。金メ
ッキは必要に応じて行う。
ングを行う。酸性液は主として希硫酸液が用いられる。
リン酸や硝酸を含んでいても良い。硫酸の濃度は１０〜
６０％のものを使用する。界面活性剤を含んでいても良
い。あるいは、有機酸を含んでいても良い。アルカリ性
の液の場合は、１〜５０％の水酸化ナトリウムや水酸化
カリウム水溶液が用いられる。次にジンケート（亜鉛）
処理液またはパラジウム処理液で表面のアルミニウムの
一部を亜鉛またはパラジウムに換える（図１（ｂ））。
本発明において、ジンケート処理とは亜鉛に置換する処
理のことをいう。一度亜鉛またはパラジウム置換したも
のを酸洗し再びジンケート処理またはパラジウム処理す
る工程を１回以上行って、より平滑性に優れた表面を得
ることも出来る。一般にこのジンケート処理液は、アル
カリ性のものが使用されるが、ｐHが１０以上である場
合が多く、アルミ電極のロットによっては均一な表面が
得られないことがある。この際には、アルカリ強度の低
い処理液を使用したり、酸性の処理液を使用したり、複
数回のジンケート処理の場合は濃度の異なるものや液性
の異なる処理液を使用して均一な処理面とする。この
後、無電解ニッケルメッキ、適宜無電解金メッキを順次
行い、UBMやバンプを作成する。無電解ニッケルメッキ
液としては、Ni-P系のメッキ液やNi-B系メッキ液を使用
することが出来る。ジンケート処理液・無電解ニッケル
メッキ液・無電解金メッキ液は、一般書、例えば、
{「無電解めっき」 神戸徳蔵著 槇書店 １９８４年刊
} を参考にメッキ液を作成して使用しても良い。金メ
ッキは必要に応じて行う。
【００１４】Ni-Pメッキの際に錯化剤を変えたり、ニッ
ケル濃度を高く変えることにより、電極パッドの中央部
が凹んだ形状のUBMを作製することが出来る。酸性のメ
ッキ液を用いる条件では、ニッケルの濃度を例えば3.4g
／ｌ以上にしたメッキ液を用いる等の手段を行えば、上
記形状のUBMを形成することが出来る。この形状のUBMを
使用した場合はマウンターにより導電性ボールを搭載し
た時に、ボールが転がったりせず、バンプの信頼性を向
上させることが出来る。図４及び図５に電極パッドの中
央部が凹んだ形状のUBMの模式図を示す。電極パッドの
中央部が凹んだ形状のUBMを使用した場合、ボール高さ
・シェア強度とも表面が平坦なものと同様の値が得られ
る。銅電極の場合もアルミニウム電極とほぼ同様の処理
を行えば良い。
ケル濃度を高く変えることにより、電極パッドの中央部
が凹んだ形状のUBMを作製することが出来る。酸性のメ
ッキ液を用いる条件では、ニッケルの濃度を例えば3.4g
／ｌ以上にしたメッキ液を用いる等の手段を行えば、上
記形状のUBMを形成することが出来る。この形状のUBMを
使用した場合はマウンターにより導電性ボールを搭載し
た時に、ボールが転がったりせず、バンプの信頼性を向
上させることが出来る。図４及び図５に電極パッドの中
央部が凹んだ形状のUBMの模式図を示す。電極パッドの
中央部が凹んだ形状のUBMを使用した場合、ボール高さ
・シェア強度とも表面が平坦なものと同様の値が得られ
る。銅電極の場合もアルミニウム電極とほぼ同様の処理
を行えば良い。
【００１５】図３ (b)には、上記手法で作成したUBM上
に、導電性ボールとして半田ボールを搭載し、リフロー
することにより、半田バンプを形成したものを示してい
る。半田は共晶半田，各種鉛フリー半田，コアが銅で周
囲が半田のボール等を使用することが出来る。
に、導電性ボールとして半田ボールを搭載し、リフロー
することにより、半田バンプを形成したものを示してい
る。半田は共晶半田，各種鉛フリー半田，コアが銅で周
囲が半田のボール等を使用することが出来る。
【００１６】図２、３及び６を用いて本発明におけるUB
Mを使用しバンプを形成する方法、及びバンプ形成した
半導体装置について説明する。半田ボールを搭載するニ
ッケルあるいはニッケル金メッキのUBMにおいて、半田
ボールとUBMの接合面は、図２（a）と図３（a）の部分
９で示す様な形状をしており、UBMの大きさと同じ大き
さである。ここで、使用する導電性ボールの粒径を ２r
とし、UBMのニッケルあるいはニッケル金メッキパッド
の面積をS1とした時、（式１） の条件を満たす粒径２
ｒの導電性ボールを使用することにより、金属ボールを
UBM上に接続した際に、半導体素子における接着した導
電性ボールの縦断面形状が、少なくとも半球状（図２の
(a)及び(ｂ)）より大きい形状（例えば図３の (a)及び
(ｂ)）となり、半導体装置として使用する際に密着性の
良いボンデングが行える。それより小さい場合は平坦な
バンプ形状となり、密着性の良いチップとして使用しに
くくなる。
Mを使用しバンプを形成する方法、及びバンプ形成した
半導体装置について説明する。半田ボールを搭載するニ
ッケルあるいはニッケル金メッキのUBMにおいて、半田
ボールとUBMの接合面は、図２（a）と図３（a）の部分
９で示す様な形状をしており、UBMの大きさと同じ大き
さである。ここで、使用する導電性ボールの粒径を ２r
とし、UBMのニッケルあるいはニッケル金メッキパッド
の面積をS1とした時、（式１） の条件を満たす粒径２
ｒの導電性ボールを使用することにより、金属ボールを
UBM上に接続した際に、半導体素子における接着した導
電性ボールの縦断面形状が、少なくとも半球状（図２の
(a)及び(ｂ)）より大きい形状（例えば図３の (a)及び
(ｂ)）となり、半導体装置として使用する際に密着性の
良いボンデングが行える。それより小さい場合は平坦な
バンプ形状となり、密着性の良いチップとして使用しに
くくなる。
【００１７】UBM上に導電性ボールを接続させる際に、
使用する平均直径２ｒmの導電性ボールの平均値からの
ずれを△ｒとした時、個々のボールが、（式２）の条件
を満たす導電性ボールを使用することにより導電性バン
プを形成すれば、高さの揃ったバンプが得られ、半導体
装置として使用する際に密着性の良いボンデングが行え
る。0.05より大きいとバンプ高さのバラツキのため、接
合不良が出やすくなる。さらに、各UBMパッドの表面積
をS1とし、 Smを全UBMパッドの平均の面積とした時、
（式３）の条件を満たすUBMを使用することにより導電
性バンプを形成すれば、高さの揃ったバンプが得られ、
半導体素子として使用する際に密着性の良いボンデング
が行える。0.1より大きい時はボール搭載後にバンプ高
さのバラツキのために、接合不良が出やすくなる。
使用する平均直径２ｒmの導電性ボールの平均値からの
ずれを△ｒとした時、個々のボールが、（式２）の条件
を満たす導電性ボールを使用することにより導電性バン
プを形成すれば、高さの揃ったバンプが得られ、半導体
装置として使用する際に密着性の良いボンデングが行え
る。0.05より大きいとバンプ高さのバラツキのため、接
合不良が出やすくなる。さらに、各UBMパッドの表面積
をS1とし、 Smを全UBMパッドの平均の面積とした時、
（式３）の条件を満たすUBMを使用することにより導電
性バンプを形成すれば、高さの揃ったバンプが得られ、
半導体素子として使用する際に密着性の良いボンデング
が行える。0.1より大きい時はボール搭載後にバンプ高
さのバラツキのために、接合不良が出やすくなる。
【００１８】バンプ形成の際に、導電性ボールをUBM上
に搭載し接合した後に、図６に示すようにボールの頂上
からUBMの中心部への断面において、ボールの横方向の
最大長さをｄ、縦方向のボールの高さをｃとし、ボール
のｄとｃの交点から上の部分をaとし、交点の下の部分
をｂとした時、０．５ ≦ ｃ／ｄ < １かつ、０ ≦ｂ／
a < １ となるように導電性ボールを付けた半導体装置
とする。ｃ／ｄが０．５より小さいと接続後のボールは
半球状より小さくなり、ボンデイングし難くなる。ｃ／
ｄが１より大きいと密着性の良い接合が得られない。ｂ
／aが０の場合は接続後のボールが半球状であり、ｂ／a
が１以上では密着性が悪く好ましくない。
に搭載し接合した後に、図６に示すようにボールの頂上
からUBMの中心部への断面において、ボールの横方向の
最大長さをｄ、縦方向のボールの高さをｃとし、ボール
のｄとｃの交点から上の部分をaとし、交点の下の部分
をｂとした時、０．５ ≦ ｃ／ｄ < １かつ、０ ≦ｂ／
a < １ となるように導電性ボールを付けた半導体装置
とする。ｃ／ｄが０．５より小さいと接続後のボールは
半球状より小さくなり、ボンデイングし難くなる。ｃ／
ｄが１より大きいと密着性の良い接合が得られない。ｂ
／aが０の場合は接続後のボールが半球状であり、ｂ／a
が１以上では密着性が悪く好ましくない。
【００１９】作製したUBM上に導電性ボールが搭載また
は接合されている半導体装置において、バンプを使用し
てボンデイングする際に、そのアンダーバンプメタルの
面積をSとし、導電性ボールの接合後の高さをｈとした
時、（式４）を満たすように導電性ボールを付けると密
着性に優れた半導体装置が得られる。S=πｈ2で半球状
のまま接合する状態であり、S > ４πｈ2では、接合
性が悪くなる。銅電極の場合にも同様なプロセスで処理
を行い、半導体装置が得られる。
は接合されている半導体装置において、バンプを使用し
てボンデイングする際に、そのアンダーバンプメタルの
面積をSとし、導電性ボールの接合後の高さをｈとした
時、（式４）を満たすように導電性ボールを付けると密
着性に優れた半導体装置が得られる。S=πｈ2で半球状
のまま接合する状態であり、S > ４πｈ2では、接合
性が悪くなる。銅電極の場合にも同様なプロセスで処理
を行い、半導体装置が得られる。
【００２０】本方法によれば、均一な高さとシェア強度
をもつUBMやバンプを形成することが出来る。またUBM上
にハンダボールを搭載し、リフローすれば、密着性の良
い均一な高さの信頼性の高いハンダバンプを形成するこ
とが出来、それによる半導体装置が得られる。ハンダボ
ール使用の場合にはチップやウェハの希望の位置にハン
ダバンプを形成することも出来る。作成したバンプのシ
ェア強度試験においても均一な値が得られる。
をもつUBMやバンプを形成することが出来る。またUBM上
にハンダボールを搭載し、リフローすれば、密着性の良
い均一な高さの信頼性の高いハンダバンプを形成するこ
とが出来、それによる半導体装置が得られる。ハンダボ
ール使用の場合にはチップやウェハの希望の位置にハン
ダバンプを形成することも出来る。作成したバンプのシ
ェア強度試験においても均一な値が得られる。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例を用いて説明する。処
理条件等はこれら実施例のみにとらわれるものではな
い。
理条件等はこれら実施例のみにとらわれるものではな
い。
【００２２】（実施例１）図１（a）に示すようなパタ
ーニングしたアルミニウム電極（厚さ１μｍ）の付いた
チップ（周囲に１００μｍ角のアルミニウム電極を持
ち、８０μｍ角で電極部分にアルミニウムが出ており、
１４０μｍピッチで全部で２００ピンの電極がある。）
を用いた。前処理としてアセトン中で５分、エタノール
中で５分それぞれ超音波洗浄を行った。乾燥後、UVオゾ
ン洗浄器で５分間洗浄処理を行った。その後、５０％硫
酸水溶液を用いて５５℃で３分間エッチングする。水洗
後、市販のジンケート処理液：サブスターAZ（奥野製薬
製）を用いて２５℃で１２０秒間亜鉛置換を行った。水
洗後、無電解ニッケルメッキ液：トップケミアロイ６６
（奥野製薬製）を用いて、６５℃で３０分間ニッケルメ
ッキを行った。ニッケルメッキ厚は５〜5.5μｍであっ
た。水洗後、無電解金メッキ液：フラッシュゴールドNB
（奥野製薬製）を用いて９０℃で１５分間金メッキし
た。メッキ後のUBMの面積は平均値が９５2μｍ2であ
り、各々のUBMのパッド面積S1は、９２．５2〜９７．５
2μｍ2であった。これは、各UBMパッドの表面積S1と、
全UBMパッドの平均の面積Smが（式３）条件を満たす。
金メッキ厚は０．０５μmであった。水洗後、乾燥し
た。UBMの高さは５〜5.5μｍであった。
ーニングしたアルミニウム電極（厚さ１μｍ）の付いた
チップ（周囲に１００μｍ角のアルミニウム電極を持
ち、８０μｍ角で電極部分にアルミニウムが出ており、
１４０μｍピッチで全部で２００ピンの電極がある。）
を用いた。前処理としてアセトン中で５分、エタノール
中で５分それぞれ超音波洗浄を行った。乾燥後、UVオゾ
ン洗浄器で５分間洗浄処理を行った。その後、５０％硫
酸水溶液を用いて５５℃で３分間エッチングする。水洗
後、市販のジンケート処理液：サブスターAZ（奥野製薬
製）を用いて２５℃で１２０秒間亜鉛置換を行った。水
洗後、無電解ニッケルメッキ液：トップケミアロイ６６
（奥野製薬製）を用いて、６５℃で３０分間ニッケルメ
ッキを行った。ニッケルメッキ厚は５〜5.5μｍであっ
た。水洗後、無電解金メッキ液：フラッシュゴールドNB
（奥野製薬製）を用いて９０℃で１５分間金メッキし
た。メッキ後のUBMの面積は平均値が９５2μｍ2であ
り、各々のUBMのパッド面積S1は、９２．５2〜９７．５
2μｍ2であった。これは、各UBMパッドの表面積S1と、
全UBMパッドの平均の面積Smが（式３）条件を満たす。
金メッキ厚は０．０５μmであった。水洗後、乾燥し
た。UBMの高さは５〜5.5μｍであった。
【００２３】１００±２μｍφの共晶ハンダボールを使
用した。ここで使用したボール径の平均値は１００μｍ
であり、使用した個々の導電性ボールは９８〜１０２μ
ｍ以内に入っていた。これは、（式２）の条件を満たし
ている。また、上記パッド面積と導電性ボールの粒径
は、前記（式１）を満たす。
用した。ここで使用したボール径の平均値は１００μｍ
であり、使用した個々の導電性ボールは９８〜１０２μ
ｍ以内に入っていた。これは、（式２）の条件を満たし
ている。また、上記パッド面積と導電性ボールの粒径
は、前記（式１）を満たす。
【００２４】そのボールを搭載し、リフローした。リフ
ロー後、ハンダバンプのシェア強度を測定した。任意に
測定した１０個のシェア強度測定値を表１に示す。測定
値にバラツキが少なく、十分な強度を持っている。また
ボール高さは、77.8 ± 1.5μｍであり、バラツキが2％
以内になっていた。
ロー後、ハンダバンプのシェア強度を測定した。任意に
測定した１０個のシェア強度測定値を表１に示す。測定
値にバラツキが少なく、十分な強度を持っている。また
ボール高さは、77.8 ± 1.5μｍであり、バラツキが2％
以内になっていた。
【００２５】図６において、ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６
６、ｂ／a＝０．４５であった。また、このバンプを使
用して８０μｍ角の電極を持つチップにフリップチップ
ボンデイングした際に、そのUBMの面積Sは、S = ９２．
５2〜９７．５2μｍ2 、導電性ボールの接合後の高さｈ
は、ｈ＝５４μｍとなり、 （式４） を満足していた。
６、ｂ／a＝０．４５であった。また、このバンプを使
用して８０μｍ角の電極を持つチップにフリップチップ
ボンデイングした際に、そのUBMの面積Sは、S = ９２．
５2〜９７．５2μｍ2 、導電性ボールの接合後の高さｈ
は、ｈ＝５４μｍとなり、 （式４） を満足していた。
【００２６】（実施例２）実施例１において、１８０秒
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で３
０秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１２０秒間行う以外は、全て同様の条件でハンダバン
プを作成した。その後、シェア強度の測定を行った。任
意に測定した１０個の測定値を表１に示す。測定値にバ
ラツキが少ない。UBMの高さは、５〜5.5μｍであった。
ボール高さは、77.3±1.6μｍであった。図６におい
て、ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６６、ｂ／a＝０．４５で
あった。
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で３
０秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１２０秒間行う以外は、全て同様の条件でハンダバン
プを作成した。その後、シェア強度の測定を行った。任
意に測定した１０個の測定値を表１に示す。測定値にバ
ラツキが少ない。UBMの高さは、５〜5.5μｍであった。
ボール高さは、77.3±1.6μｍであった。図６におい
て、ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６６、ｂ／a＝０．４５で
あった。
【００２７】（実施例３）実施例１において、１２０秒
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で３
０秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１５秒間行う以外は、全て同様の条件でハンダバンプ
を作成した。その後、シェア強度の測定を行った。任意
に測定した１０個の測定値を表１に示す。測定値にバラ
ツキが少ない。UBMの高さは、５〜5.5μｍであった。ボ
ール高さは、77.3±1.6μｍであった。図６において、
ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６６、ｂ／a＝０．４５であっ
た。
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で３
０秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１５秒間行う以外は、全て同様の条件でハンダバンプ
を作成した。その後、シェア強度の測定を行った。任意
に測定した１０個の測定値を表１に示す。測定値にバラ
ツキが少ない。UBMの高さは、５〜5.5μｍであった。ボ
ール高さは、77.3±1.6μｍであった。図６において、
ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６６、ｂ／a＝０．４５であっ
た。
【００２８】（実施例４）実施例１において、１２０秒
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で１
５秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１２０秒間行い、無電解ニッケルメッキ液としてICP
ニコロン−USD（奥野製薬製：８５℃で３０分メッキ）
を使用した以外は、全て同様の条件でハンダバンプを作
成した。中央部が凹んだUBMが得られた。その後、シェ
ア強度の測定を行った。任意に測定した１０個の測定値
を表１に示す。測定値にバラツキが少ない。UBMの高さ
は、５〜5.5μｍであった。ボール高さは、77.2±1.7μ
ｍであった。図６において、ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６
６、ｂ／a＝０．４５であった。
間のジンケート処理の後水洗し、２５％硝酸水溶液で１
５秒間酸洗処理を行い、水洗後、第二のジンケート処理
を１２０秒間行い、無電解ニッケルメッキ液としてICP
ニコロン−USD（奥野製薬製：８５℃で３０分メッキ）
を使用した以外は、全て同様の条件でハンダバンプを作
成した。中央部が凹んだUBMが得られた。その後、シェ
ア強度の測定を行った。任意に測定した１０個の測定値
を表１に示す。測定値にバラツキが少ない。UBMの高さ
は、５〜5.5μｍであった。ボール高さは、77.2±1.7μ
ｍであった。図６において、ｃ／ｄ＝０．６５〜０．６
６、ｂ／a＝０．４５であった。
【００２９】（実施例５）実施例４において、無電解ニ
ッケルメッキ液濃度を半分にした以外は、全て同様の条
件でハンダバンプを作成した。平たい形状のUBMが得ら
れた。実施例４と同様の評価結果であった。
ッケルメッキ液濃度を半分にした以外は、全て同様の条
件でハンダバンプを作成した。平たい形状のUBMが得ら
れた。実施例４と同様の評価結果であった。
【００３０】（実施例６）実施例１において、UVオゾン
洗浄をしない以外は、全て同様の条件でハンダバンプを
作成した。平たい形状のUBMが得られた。メッキ後のUBM
の面積は（９５±２．7）2μｍ2 であった。ボールリフ
ロー後のボール高さは、77.3±1.8μｍであった。実施
例１よりややバラツクが、ほぼ同様の評価結果であっ
た。
洗浄をしない以外は、全て同様の条件でハンダバンプを
作成した。平たい形状のUBMが得られた。メッキ後のUBM
の面積は（９５±２．7）2μｍ2 であった。ボールリフ
ロー後のボール高さは、77.3±1.8μｍであった。実施
例１よりややバラツクが、ほぼ同様の評価結果であっ
た。
【００３１】（比較例）前処理において有機溶媒洗浄と
UVオゾン洗浄を行わない以外は、全て実施例１と同様の
処理を行い、ハンダバンプを形成した。シェア強度の測
定を行った。任意に測定した１０個の測定値（シェア強
度測定値（単位：ｇｆ／ピン））を表１に示す。測定値
にバラツキが大きい。UMBの高さは、4.5〜5.5μｍであ
り、ややバラツキが大きかった。ボール高さは、77.3±
2.7μｍで、バラツキが大きい。
UVオゾン洗浄を行わない以外は、全て実施例１と同様の
処理を行い、ハンダバンプを形成した。シェア強度の測
定を行った。任意に測定した１０個の測定値（シェア強
度測定値（単位：ｇｆ／ピン））を表１に示す。測定値
にバラツキが大きい。UMBの高さは、4.5〜5.5μｍであ
り、ややバラツキが大きかった。ボール高さは、77.3±
2.7μｍで、バラツキが大きい。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することが出来る。本方
法によれば、アルミニウムや銅の電極上に均一な高さの
UBMやバンプを形成することが出来る。またUBM上にハン
ダボールを搭載し、リフローすれば、均一な高さのハン
ダバンプを形成することが出来る。また、この様にして
均一高さのバンプを持つ信頼性のある半導体装置が得ら
れる。
よれば、以下のような効果を奏することが出来る。本方
法によれば、アルミニウムや銅の電極上に均一な高さの
UBMやバンプを形成することが出来る。またUBM上にハン
ダボールを搭載し、リフローすれば、均一な高さのハン
ダバンプを形成することが出来る。また、この様にして
均一高さのバンプを持つ信頼性のある半導体装置が得ら
れる。
【図１】無電解メッキによるニッケル金のUBM作成を示
す図であり、（a）はアルミ電極パターニング後、（b）
はジンケート処理（亜鉛置換）またはパラジウム処理、
（c）は無電解ニッケルメッキ、（d）は無電解金メッキ
を示す。
す図であり、（a）はアルミ電極パターニング後、（b）
はジンケート処理（亜鉛置換）またはパラジウム処理、
（c）は無電解ニッケルメッキ、（d）は無電解金メッキ
を示す。
【図２】リフロー後のハンダボール形状差を示す図であ
り、（a）はUBMを上から見た所（小さいボール）、
（b）はUBMを横から見た断面図（小さいボール）であ
る。
り、（a）はUBMを上から見た所（小さいボール）、
（b）はUBMを横から見た断面図（小さいボール）であ
る。
【図３】リフロー後のハンダボール形状差を示す図であ
り、（a）はUBMを上から見た所（大きいボール）、
（b）はUBMを横から見た断面図（大きいボール）であ
る。
り、（a）はUBMを上から見た所（大きいボール）、
（b）はUBMを横から見た断面図（大きいボール）であ
る。
【図４】周辺の盛上った電極
【図５】周辺の盛上った電極（断面図）
【図６】UBM上に半田ボールをリフローした断面図
１． SiO2酸化膜付シリコン基板 ２． アルミニウム電極 ３． 窒化珪素膜または酸化珪素膜（パッシベー
ション膜） ４． Zn膜 ５． Ni-BまたはNi-P膜またはそれらの混合膜 ６． Au膜 ７． 半田ボール ８． 電極上のパッシベーション膜の外枠 ９． UBM部分
ション膜） ４． Zn膜 ５． Ni-BまたはNi-P膜またはそれらの混合膜 ６． Au膜 ７． 半田ボール ８． 電極上のパッシベーション膜の外枠 ９． UBM部分
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体素子の電極表面に金属メッキでア
ンダーバンプメタルあるいはバンプを形成する方法であ
って、メッキ前に上記半導体素子の電極表面を１回以上
有機溶媒で洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体
素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法。 - 【請求項２】 半導体素子の電極表面に金属メッキでア
ンダーバンプメタルあるいはバンプを形成する方法であ
って、メッキ前に上記半導体素子の電極表面を１回以上
有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUVオゾン洗浄する工
程とを含むことを特徴とする半導体素子のアンダーバン
プメタルまたはバンプ形成方法。 - 【請求項３】 半導体素子のアルミニウム電極表面にニ
ッケルメッキでアンダーバンプメタルあるいはバンプを
形成する方法であって、ニッケルメッキ前に上記半導体
素子のアルミニウム電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄
する工程と、さらにUVオゾン洗浄する工程と、酸性液あ
るいはアルカリ性液によりエッチング処理するライトエ
ッチング工程と、ジンケート処理またはパラジウム処理
を行う工程とを含むことを特徴とする半導体素子のアン
ダーバンプメタルまたはバンプ形成方法。 - 【請求項４】 半導体素子のアルミニウム電極表面にニ
ッケルメッキでアンダーバンプメタルあるいはバンプを
形成する方法であって、ニッケルメッキ前に上記半導体
素子のアルミニウム電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄
する工程と、さらにUVオゾン洗浄する工程と、酸性液あ
るいはアルカリ性液によりエッチング処理するライトエ
ッチング工程と、ジンケート処理またはパラジウム処理
を行い、酸洗する工程を一回以上行う工程と、再びジン
ケート処理またはパラジウム処理を行う工程とを含むこ
とを特徴とする半導体素子のアンダーバンプメタルまた
はバンプ形成方法。 - 【請求項５】 半導体素子の銅電極表面にニッケルメッ
キでアンダーバンプメタルあるいはバンプを形成する方
法であって、ニッケルメッキ前に上記半導体素子の銅電
極表面を１回以上有機溶媒で洗浄する工程と、さらにUV
オゾン洗浄する工程と、酸性液あるいはアルカリ性液に
よりエッチング処理するライトエッチング工程と、パラ
ジウム処理を行う工程とを含むことを特徴とする半導体
素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法。 - 【請求項６】 請求項１においてはメッキ前に半導体素
子のアルミニウム電極表面を１回以上有機溶媒で洗浄す
る工程の後、請求項２においてはUVオゾン洗浄する工程
の後、それぞれ酸性液あるいはアルカリ性液によりエッ
チング処理するライトエッチング工程を行い、複数回の
ジンケート処理を行うにあたり、異なる種類のジンケー
ト処理液を使用することを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ
形成方法。 - 【請求項７】 半導体素子の電極表面に金属メッキを成
長させる際に、電極パッドの外周部分のメッキ金属を早
く成長させることにより、中央部分が凹み外周部分がせ
り上がった形状を形成させることを特徴とした半導体素
子のアンダーバンプメタルの形成方法。 - 【請求項８】 半導体素子の電極上に金属メッキにより
形成したアンダーバンプメタルを用いた半導体装置であ
って、中央部分が凹み外周部分がせり上がった形状のア
ンダーバンプメタルを使用したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれかに記載の半導
体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法で
作製したアンダーバンプメタル上に、導電性ボールを搭
載後、接着またはリフローすることを特徴とする半導体
装置用バンプの形成方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置用のバンプ
形成方法において、導電性ボールの粒径を ２ｒとし、
各アンダーバンプメタルのメッキパッドの面積をS1とし
た時、 （S1／π）3/2 < ２（ｒ3） （式１） を満たす粒径２ｒの導電性ボールを使用することを特徴
とする半導体装置用バンプの形成方法。 - 【請求項１１】 請求項９または１０記載の半導体装置
用バンプ形成方法において、導電性ボールの粒径と使用
する導電性ボールの平均粒径２ｒmとの差を△ｒとした
時、個々のボールが | △ｒ|／２ｒm< 0.0５ （式２） である条件を満たす導電性ボールを使用し、各アンダー
バンプメタルパッドの表面積をS1とし、 Smを全アンダ
ーバンプメタルパッドの平均の面積とした時、 ０ < | {S1 − Sm }|／Sm < 0.1 （式３） である条件を満たすアンダーバンプメタルを使用するこ
とを特徴とする半導体装置用バンプの形成方法。 - 【請求項１２】 請求項１乃至７のいずれかに記載の半
導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法
で作製したアンダーバンプメタル上に導電性ボールが搭
載され、接合されている半導体装置であって、アンダー
バンプメタル上に搭載し接合した導電性ボールの頂上か
らアンダーバンプメタルの中心部への断面におけるボー
ルの横方向の最大長さをｄ、縦方向のボールの高さをｃ
とし、ボール断面でｄとｃの交点から上の部分をaと
し、交点の下の部分をｂとした時、０．５ ≦ ｃ／ｄ <
１かつ、０ ≦ｂ／a < １ となることを特徴とする導
電性ボール付半導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至７のいずれかに記載の半
導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法
で作製したアンダーバンプメタル上に導電性ボールが搭
載され、接合されている半導体装置であって、前記アン
ダーバンプメタル上に接合された導電性ボールに、更に
他の電極が接合されている際に、前記のアンダーバンプ
メタルの面積をSとし、導電性ボールの接合後の高さを
ｈとした時、 S < ４πｈ2 （式４） となることを特徴とする導電性ボール付半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000342798A JP4703835B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | アンダーバンプメタル、半導体装置用バンプ、導電性ボール付半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000342798A JP4703835B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | アンダーバンプメタル、半導体装置用バンプ、導電性ボール付半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151537A true JP2002151537A (ja) | 2002-05-24 |
| JP4703835B2 JP4703835B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=18817282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000342798A Expired - Fee Related JP4703835B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | アンダーバンプメタル、半導体装置用バンプ、導電性ボール付半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4703835B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9139915B2 (en) | 2007-01-12 | 2015-09-22 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Solution for removing aluminum oxide film and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| US9567686B2 (en) | 2010-06-23 | 2017-02-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Aluminum oxide film remover and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| CN113593912A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 信纮科技股份有限公司 | 电极表面处理方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647542A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Toshiba Corp | Formation of bump |
| JPH08264541A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH11214421A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の電極形成方法 |
| JP2000200798A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその実装基板 |
| JP2000260801A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
| JP2000277554A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半田ボールの搭載方法および半田バンプ形成方法 |
| JP2000286299A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の接続方法 |
-
2000
- 2000-11-10 JP JP2000342798A patent/JP4703835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647542A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Toshiba Corp | Formation of bump |
| JPH08264541A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH11214421A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の電極形成方法 |
| JP2000200798A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその実装基板 |
| JP2000260801A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
| JP2000277554A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半田ボールの搭載方法および半田バンプ形成方法 |
| JP2000286299A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の接続方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9139915B2 (en) | 2007-01-12 | 2015-09-22 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Solution for removing aluminum oxide film and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| US9567686B2 (en) | 2010-06-23 | 2017-02-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Aluminum oxide film remover and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| CN113593912A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 信纮科技股份有限公司 | 电极表面处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4703835B2 (ja) | 2011-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6476494B1 (en) | Silver-tin alloy solder bumps | |
| KR101344553B1 (ko) | 구리 필러 범프 상의 금속간 화합물의 접착을 위한 방법 및 구조 | |
| US6917106B2 (en) | Selective ball-limiting metallurgy etching processes for fabrication of electroplated tin bumps | |
| TWI225899B (en) | Etching solution and method for manufacturing conductive bump using the etching solution to selectively remove barrier layer | |
| US6780751B2 (en) | Method for eliminating voiding in plated solder | |
| JP5808403B2 (ja) | はんだ堆積物を基板上に形成する方法 | |
| JP3886712B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7812460B2 (en) | Packaging substrate and method for fabricating the same | |
| SG179323A1 (en) | Method for reducing ubm undercut in metal bump structures | |
| US20070148951A1 (en) | System and method for flip chip substrate pad | |
| KR20010041942A (ko) | 플립 칩 조립을 위한 노크린 플럭스 | |
| US9230934B2 (en) | Surface treatment in electroless process for adhesion enhancement | |
| JP2012114256A (ja) | はんだバンプの製造方法、及び半導体装置 | |
| JP4703835B2 (ja) | アンダーバンプメタル、半導体装置用バンプ、導電性ボール付半導体装置 | |
| JPWO2002062117A1 (ja) | 電子部品の接合方法 | |
| Lu et al. | Fine pitch low-cost bumping for flip chip technology | |
| JPH05182973A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3940891B2 (ja) | バンプの形成方法及びフリップチップの製造方法 | |
| US7538021B2 (en) | Removing dry film resist residues using hydrolyzable membranes | |
| JP2003007762A (ja) | 半導体装置のフリップチップ実装方法 | |
| Uang et al. | The reliability performance of low cost bumping on aluminum and copper wafer | |
| JP2002324776A (ja) | 半導体素子のバンプ形成方法 | |
| KR20020070584A (ko) | 언더 범프 메탈의 제조방법 및 그 구조 | |
| TW507337B (en) | Method of forming high flip chip solder bump | |
| TWI248147B (en) | Method for cleaning residual flux on surface of element and bumping process using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061019 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070124 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071010 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110131 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110309 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |