JP2002141381A - 半導体ウェーハ用検査装置 - Google Patents
半導体ウェーハ用検査装置Info
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Abstract
安定性及び信頼性の高い検査を行う。 【解決手段】半導体ウェーハWを保持し、かつ半導体ウ
ェーハW上の電極We…に一括してプローブ端子P…を
接触させるカセットCと、このカセットCを収容し、か
つプローブ端子P…に接続して半導体ウェーハWの検査
を行う検査装置本体2を備える半導体ウェーハ用検査装
置1を構成するに際して、検査装置本体2にカセットC
を収容する恒温槽2eを設け、この恒温槽2eの槽内温
度を第一冷却温度Teに設定するとともに、恒温槽2e
に収容したカセットCに接触させる冷却器3を設け、こ
の冷却器3の冷却温度を第二冷却温度Tcに設定する。
Description
の電極に一括してプローブ端子を接触させて検査を行う
半導体ウェーハ用検査装置に関する。
を与えて初期不良の検査を行う半導体ウェーハ用検査装
置は知られている(特開平11−284037号公報等
参照)。
電極に一括してプローブ端子を接触させて検査を行う一
括コンタクト方式を採用するため、半導体ウェーハを保
持し、かつ前記半導体ウェーハと前記プローブ端子を負
圧により吸引するカセットを備えている。図6に、カセ
ットCを示す。カセットCは四角形に形成したカセット
ベース21を有し、このカセットベース21の下面周縁
部には補強フレーム22を固着するとともに、カセット
ベース21の上面周縁部には係止用フレーム23を固着
する。また、カセットCの裏面となるカセットベース2
1の下面の所定位置には、複数の一側コネクタ24…を
配設するとともに、カセットベース21の上面には、サ
ブヒータを内蔵する円盤形のコンタクタ25を取付け
る。そして、このコンタクタ25と円盤形のウェーハト
レイ5間に半導体ウェーハWを挟んで保持する。
拡大図で示すように、半導体ウェーハW上における多数
の電極We…に一括してプローブ端子(バンプ)P…を
接触させるためのボードであり、一側コネクタ24…に
接続する導体配線を有するガラス基板27と、このガラ
ス基板27に重なる異方導電性ゴム28と、この異方導
電性ゴム28に重なり、かつバンプB…を有する薄膜シ
ート29からなる。なお、28e…は導電粒子を有する
異方導電性ゴム28の導通部である。
には、外方に突出した被吸気口取付部30を設け、この
被吸気口取付部30の先端に、逆止弁を内蔵する一対の
被吸気口31,31を取付ける(図3参照)。この被吸
気口31,31の向きは、カセットCの中心に対して放
射方向となる。そして、予め、被吸気口31…から真空
吸引することにより、ウェーハトレイ5とコンタクタ2
5の吸着状態(負圧)が維持されている。
に収容し、半導体ウェーハWは120〜150℃に加熱
されるとともに、検査装置本体に備える接続基部のドラ
イブ回路からコネクタ24…を介して検査用信号が付与
され、予め設定した時間だけ目的の検査が行われる。
ハ用検査装置は、半導体ウェーハWを高温に加熱して検
査を行うものであり、低温環境下で半導体ウェーハWの
検査を的確に行う検査装置はほとんど存在しないのが実
情である。このため、低温環境下の半導体ウェーハWに
対する高精度かつ安定性及び信頼性の高い検査を行うこ
とができず、このような要請に応える半導体ウェーハ用
検査装置の実用化が望まれていた。
ものであり、特に、低温環境下の半導体ウェーハに対す
る高精度で安定性及び信頼性の高い検査を行うことがで
きる半導体ウェーハ用検査装置の提供を目的とする。
は、半導体ウェーハWを保持し、かつ半導体ウェーハW
上の電極We…に一括してプローブ端子P…を接触させ
るカセットCと、このカセットCを収容し、かつプロー
ブ端子P…に接続して半導体ウェーハWの検査を行う検
査装置本体2を備える半導体ウェーハ用検査装置1を構
成するに際して、検査装置本体2にカセットCを収容す
る恒温槽2eを設け、この恒温槽2eの槽内温度を第一
冷却温度Teに設定するとともに、恒温槽2eに収容し
たカセットCに接触させる冷却器3を設け、この冷却器
3の冷却温度を第二冷却温度Tcに設定してなることを
特徴とする。
冷却温度Tcは、第一冷却温度Teと同一又は第一冷却
温度Te未満に設定することが望ましい。また、冷却器
3は、カセットCのウェーハトレイ5に接触させるとと
もに、冷却器3としては、ペルチェ素子を用いたサーモ
モジュール6…又は冷却液Lbが循環する熱交換器7を
利用することができる。
ブ回路を、カセットCに対する配線長さの短縮化及びバ
ラツキ解消を目的として恒温槽2eの内部空間に内蔵さ
せた場合であっても、半導体ウェーハWに対しては、冷
却器3により当該半導体ウェーハWのみを局部的に冷却
することにより、半導体ウェーハWの発熱を吸収し、か
つ半導体ウェーハWのみを必要な検査温度(第二冷却温
度Tc)に維持できるとともに、ドライブ回路を含む恒
温槽2eの内部空間は、第二冷却温度Tcに対して別途
設定する槽内温度(第一冷却温度Te)に維持できるた
め、半導体ウェーハWに対する高精度で安定性及び信頼
性の高い検査が実現可能となる。
面に基づき詳細に説明する。
査装置1の構成について、図1〜図4を参照して説明す
る。
ける検査装置本体2の外観を示す。検査装置本体2は正
面パネル40に設けた複数の出入口41…を有する恒温
槽2eを備える。また、恒温槽2eの右側には機器ボッ
クス43を設け、この機器ボックス43の正面パネル4
4にはディスプレイ45と引出式キーボード(操作部)
46を配するとともに、下部にはコンピュータ等の収容
部47を設ける。なお、48aはタッチパネル式表示
部,48bは両手操作用セーフティロックスイッチ,4
8cは非常停止スイッチである。
カセットであり、図6に示すように、検査装置本体2と
は別体に構成する。カセットCの構成は、前述したよう
に、カセットベース21を備え、このカセットベース2
1の下面周縁部には補強フレーム22を固着するととも
に、カセットベース21の上面周縁部には係止用フレー
ム23を固着する。また、カセットCの裏面となるカセ
ットベース21の下面の所定位置には、複数の一側コネ
クタ24…を配設する。さらに、カセットベース21の
上面には、円盤形のコンタクタ25を取付けるととも
に、このコンタクタ25と円盤形のウェーハトレイ5間
に半導体ウェーハWを挟んで保持する。ウェーハトレイ
5の外周面には、外方に突出した被吸気口取付部30を
備えるとともに、この被吸気口取付部30の先端には、
逆止弁を内蔵する一対の被吸気口31,31を備える。
この被吸気口31,31の向きは、カセットCの中心に
対して放射方向となる。そして、カセットCは、予め、
被吸気口31…から真空吸引することにより、ウェーハ
トレイ5とコンタクタ25の吸着状態(負圧)が維持さ
れている。なお、32はシーリング部材を示す。
を示す。50と51は恒温槽2eの内部における左右に
離間して配した固定フレームである。固定フレーム50
と51間には複数の水平支持板52…を上下方向に一定
間隔置きに架設する。そして、任意の水平支持板52
(他の水平支持板52…も同じ)の上面には接続基部5
3を固定して設置する。接続基部53は、半導体ウェー
ハWに検査用信号を供給するドライブ回路を備える回路
基板部を有するとともに、上面には、カセットCの一側
コネクタ24…に接続する複数の他側コネクタ54…を
配設する。なお、接続基部53の上面には、カセットC
に対する不図示の位置決め部を有する。
及び図3に示すように、四本のガイドシャフト57…を
垂直に起設し、このガイドシャフト57…によりカセッ
ト支持部58及び冷却器支持部59を昇降自在に支持す
る。この場合、カセット支持部58にはガイドシャフト
57…に対応する位置にリニアベアリング60…を取付
け、このリニアベアリング60…にガイドシャフト57
…を挿通させるとともに、冷却器支持部59にもガイド
シャフト57…に対応する位置にリニアベアリング61
…を取付け、このリニアベアリング61…にガイドシャ
フト57…を挿通させる。これにより、位置の固定され
た接続基部53の上方に昇降自在のカセット支持部58
が配されるとともに、カセット支持部58の上方に昇降
自在の冷却器支持部59が配される。
Cの上面、即ち、カセットCのウェーハトレイ5に接触
させることができる冷却器3を備え、この冷却器3は冷
却器支持部59により上方へ変位自在に支持される。即
ち、冷却器支持部59に開口部62を形成し、この開口
部62の内方に冷却器3を収容するとともに、冷却器3
から外方へ突出させて設けた係止プレート63i,63
jを冷却器支持部59の上面に形成した段差凹部64
i,64jに載置する。なお、段差凹部64i,64j
には、図2に示すガイドピン65…を起設し、このガイ
ドピン65…に係止プレート63i,63jに設けたガ
イド孔66…をスライド自在に係合させる。また、冷却
器3は、底面に設けたアダプタ11を介して前述したウ
ェーハトレイ5の上面に適合させる。
ルチェ素子を用いたサーモモジュール6…を備える。各
サーモモジュール6…の冷却面(下面)はアダプタ11
の上面に密着させるとともに、各サーモモジュール6…
の放熱面(上面)は冷却盤12に密着させる。この冷却
盤12は、サーモモジュール6…の放熱面を冷却するも
ので、内部に設けた水路を冷却水供給部13から供給さ
れる冷却水Lwが循環する。
支持部59を昇降させる左右一対の駆動シリンダ67
p,67qを配設する。一方、カセット支持部58は、
図2及び図3に示すように、左支持板部58p,右支持
板部58q,後支持板部58r及び前支持板部58fに
より矩形枠形に構成し、左支持板部58pと右支持板部
58qの内縁には、前述したカセットCの係合辺部Cp
及びCqが装填(挿入)するスリットレール部68p及
び68qを設ける。なお、カセット支持部58には、カ
セットCをスリットレール部68p及び68qにおける
所定の位置まで進入させた際に、自動でカセットCを引
き込んで正規の位置に装填する不図示の自動装填部を備
えるとともに、図3に仮想線で示すように、吸気機構側
の吸気口69,69を自動で位置決めしてカセットCの
被吸気口31,31に自動で接続する自動吸気系接続部
70を備えている。
59間には、カセット支持部58と冷却器支持部59を
連結する四つのリンクシャフト71…を設ける。このリ
ンクシャフト71…の機能により、カセット支持部58
は、冷却器支持部59に対して一定のストローク範囲で
昇降自在となるように支持される。
エア冷却ユニット14cとエア加熱ユニット14hを配
設し、送風部15及び吸着方式のエアドライヤ16を介
して恒温槽2eの内部に供給される外部エアAoの温度
を調整する。温度調整された外部エアAoは、送風機1
7により内部を循環する。このような構成は、恒温槽2
eの全体に対して設けてもよいし、各段毎に複数設けて
もよい。
18の入力側には、ウェーハトレイ5(半導体ウェーハ
W)に対する冷却温度を検出する温度センサ19cを接
続するとともに、恒温槽2eの槽内温度を検出する温度
センサ19eを接続する。一方、制御部18の出力側に
は、エア冷却ユニット14c及びエア加熱ユニット14
hを接続するとともに、サーモモジュール6…を接続す
る。これにより、制御部18は、温度センサ19eから
検出される温度検出値と予め設定した温度設定値に基づ
き、恒温槽2eの槽内温度が第一冷却温度Teとなるよ
うに、エア冷却ユニット14c及びエア加熱ユニット1
4h、さらには送風機17を制御できるとともに、温度
センサ19cから検出される温度検出値と予め設定した
温度設定値に基づき、ウェーハトレイ5(半導体ウェー
ハW)に対する冷却温度が第二冷却温度Tcとなるよう
に、サーモモジュール6…を制御できる。この場合、第
一冷却温度Teは、−5〜−15〔℃〕の選択値に、第
二冷却温度Tcは、−10〔℃〕にそれぞれ設定するこ
とができる。
査装置1の使用方法及び各部の動作について、図1〜図
4を参照して説明する。なお、一段の動作のみ説明する
が他の段も同様に動作する。
及び冷却器支持部59は、図2に示す上昇位置で停止し
ている。
Cを、検査装置本体2の出入口41から恒温槽2eの内
部に収容し、カセットCの係合辺部Cp,Cqをカセッ
ト支持部58のスリットレール部68p,68qに挿入
する。この際、カセットCを所定の位置まで挿入してタ
ッチパネル式表示部48aのタッチパネルをタッチ操作
すれば、不図示の自動装填部により、カセットCは自動
で引き込まれて正規の位置に装填される。また、図3に
仮想線で示す自動吸気系接続部70により、吸気機構側
の吸気口69,69とカセットCの被吸気口31,31
が自動で位置決めされ、かつ自動で接続される。これに
より、カセットCのウェーハトレイ5とコンタクタ25
は、不図示の吸気装置により真空吸引され、半導体ウェ
ーハWとプローブ端子P…間には、設定した負圧(例え
ば、−53〔kPa〕)が付与される。
ば、駆動シリンダ67p,67qが駆動制御され、カセ
ットCと接続基部53の接続及び冷却器3のセッティン
グが行われる。即ち、冷却器支持部59(冷却器3)及
びカセット支持部58(カセットC)を含む全体が一緒
に下降し、カセット支持部58に保持されるカセットC
に設けた一側コネクタ24…が、接続基部53に設けた
他側コネクタ54…に当接すれば、カセット支持部58
の下降は停止する。この際、カセット支持部58は、リ
ンクシャフト71…により冷却器支持部59に対して一
定のストローク範囲で昇降自在となるように連結されて
いるため、カセット支持部58の下降が停止しても、冷
却器支持部59はさらに下降する。そして、冷却器3が
カセットCの上面に当接すれば、冷却器3の下降は停止
する。この際、冷却器3は冷却器支持部59によって上
方へ変位自在に支持されているため、冷却器3の下降が
停止しても、冷却器支持部59はさらに下降する。
れば、リンクシャフト71…によりカセット支持部58
が押圧され、カセット支持部58は強制的に下降せしめ
られる。この結果、カセットCに設けた一側コネクタ2
4…と接続基部53に設けた他側コネクタ54…は完全
に接続される。一方、コネクタ24…と54…同士が完
全に接続されれば、駆動シリンダ67p,67qの駆動
制御が停止する。図1は、この状態の位置関係を示す。
ットされるため、半導体ウェーハWは、冷却器3によ
り、−10〔℃〕(第二冷却温度Tc)に冷却される。
即ち、制御部18は、温度センサ19cから検出される
温度検出値と予め設定した温度設定値に基づいて、ウェ
ーハトレイ5(半導体ウェーハW)に対する冷却温度が
第二冷却温度Tc(−10〔℃〕)となるように、サー
モモジュール6…を制御する。また、制御部18は、温
度センサ19eから検出される温度検出値と予め設定し
た温度設定値に基づいて、恒温槽2eの槽内温度が第一
冷却温度Te(−5〜−15〔℃〕の選択値)となるよ
うに、エア冷却ユニット14c及びエア加熱ユニット1
4h、さらには送風機17を制御する。
ブ回路を、カセットCに対する配線長さの短縮化及びバ
ラツキ解消を目的として恒温槽2eの内部空間に内蔵さ
せた場合であっても、半導体ウェーハWに対しては、冷
却器3により当該半導体ウェーハWのみを局部的に冷却
することにより、半導体ウェーハWの発熱を吸収し、か
つ半導体ウェーハWのみを必要な検査温度(第二冷却温
度Tc)に維持できるとともに、ドライブ回路を含む恒
温槽2eの内部空間は、第二冷却温度Tcに対して別途
設定する槽内温度(第一冷却温度Te)に維持できるた
め、半導体ウェーハWに対する高精度で安定性及び信頼
性の高い検査が実現可能となる。
3のドライブ回路からコネクタ54…及び24…を介し
て検査用信号が付与され、予め設定した時間だけ目的の
検査が行われる。検査が終了すれば、駆動シリンダ67
p,67qが駆動制御され、冷却器支持部59の上昇に
より、冷却器3とカセットC…の接触が解除されるとと
もに、カセット支持部58の上昇により、カセットCと
接続基部53の接続が解除される。また、自動吸気系接
続部70により、吸気口69,69と被吸気口31,3
1の接続が解除される。そして、不図示の自動装填部に
より、カセットCは自動で所定の位置まで押出されるた
め、作業者は手で検査装置本体2の出入口41から取り
出すことができる。
ェーハ用検査装置1について、図5を参照して説明す
る。
は、図1に示した実施例に対して、冷却器3の形態を変
更したものである。図5に示す冷却器3は、冷却液(不
凍液)Lbが循環する熱交換器7を利用したものであ
り、この熱交換器7には、ブラインクーラ80を接続す
る。したがって、この場合、制御部18は、温度センサ
19cから検出される温度検出値と予め設定した温度設
定値に基づいて、ウェーハトレイ5(半導体ウェーハ
W)に対する冷却温度が第二冷却温度Tcとなるよう
に、ブラインクーラ80の冷却部を制御することができ
る。なお、図5において、図1と同一部分には、同一符
号を付し、その構成を明確にするとともに、その詳細な
説明は省略する。
本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、
細部の構成,形状,素材,数量,数値等において、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更,追加,削除で
きる。例えば、第一冷却温度Te及び第二冷却温度Tc
は、低温領域における任意の温度を適用できる。また、
冷却器3は例示以外の他の冷却手段を排除するものでは
ない。
用検査装置は、検査装置本体にカセットを収容する恒温
槽を設け、この恒温槽の槽内温度を第一冷却温度に設定
するとともに、恒温槽に収容したカセットに接触させる
冷却器を設け、この冷却器の冷却温度を第二冷却温度に
設定してなるため、特に、低温環境下の半導体ウェーハ
に対する高精度で安定性及び信頼性の高い検査を行うこ
とができるという顕著な効果を奏する。
検査装置の内部構造の一部を含む構成図、
一部断面正面構成図(図3中X−X線断面)、
一部断面平面構成図、
査装置の内部構造の一部を含む構成図、
導体ウェーハ用検査装置に用いるカセットの一部断面正
面図、
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを保持し、かつ半導体ウ
ェーハ上の電極に一括してプローブ端子を接触させるカ
セットと、このカセットを収容し、かつ前記プローブ端
子に接続して前記半導体ウェーハの検査を行う検査装置
本体を備える半導体ウェーハ用検査装置において、前記
検査装置本体に前記カセットを収容する恒温槽を設け、
この恒温槽の槽内温度を第一冷却温度に設定するととも
に、前記恒温槽に収容したカセットに接触させる冷却器
を設け、この冷却器の冷却温度を第二冷却温度に設定し
てなることを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置。 - 【請求項2】 前記第二冷却温度は、前記第一冷却温度
と同一又は前記第一冷却温度未満に設定することを特徴
とする請求項1記載の半導体ウェーハ用検査装置。 - 【請求項3】 前記冷却器は、前記カセットのウェーハ
トレイに接触させることを特徴とする請求項1記載の半
導体ウェーハ用検査装置。 - 【請求項4】 前記冷却器は、ペルチェ素子を用いたサ
ーモモジュール又は冷却液が循環する熱交換器であるこ
とを特徴とする請求項1又は3記載の半導体ウェーハ用
検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000337149A JP3857872B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 半導体ウェーハ用検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000337149A JP3857872B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 半導体ウェーハ用検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002141381A true JP2002141381A (ja) | 2002-05-17 |
JP3857872B2 JP3857872B2 (ja) | 2006-12-13 |
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JP (1) | JP3857872B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109847A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000337149A patent/JP3857872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007109847A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
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JP3857872B2 (ja) | 2006-12-13 |
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