JP3820225B2 - 半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ上の電極にプローブ端子を一括して接触させることにより各種検査を行う半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハに温度負荷を与えて初期不良の検査を行う半導体ウェーハ用検査装置は知られており、既に、本出願人も、この種の半導体ウェーハ用検査装置に用いて好適な電子部品用環境試験装置（半導体ウェーハ用検査装置）を、特開２０００−２６０８３６号公報により提案した。
【０００３】
この電子部品用環境試験装置は、半導体ウェーハを保持するウェーハカセットと、このウェーハカセットに保持された半導体ウェーハの環境試験を行う試験装置本体を備えるとともに、この試験装置本体に、位置を固定して複数段に配した接続板部と、各接続板部に接続するウェーハカセットを支持する複数のカセット支持部と、各カセット支持部に支持されたウェーハカセットを加熱する複数のヒータ部と、複数のカセット支持部を同時に昇降させて各カセット支持部に支持されたウェーハカセットを各接続板部に対して接続又は接続解除する第一連動昇降機構部と、複数のヒータ部を同時に昇降させて各ヒータ部を各カセット支持部に支持されたウェーハカセットに対して接触又は接触解除する第二連動昇降機構部を設けたものである。
【特許文献１】
特開２０００−２６０８３６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、試験装置本体に収容されたウェーハカセットに保持される半導体ウェーハは、ヒータ部（メインヒータ）及びウェーハトレイに内蔵したサブヒータにより加熱され、７５℃，１２５℃等の温度環境下で各種試験（検査）が行われる。この場合、昇温時には、試験装置本体における各段の各ヒータ部及びサブヒータを同時に通電して昇温制御するが、各ウェーハカセットにおける初期温度は、かなりバラついているため、次のような問題を生じる。
【０００５】
即ち、図１の仮想線Ｔｒａ，Ｔｒｂ，Ｔｒｃは、三つの任意段における加熱温度を示すが、ｔｏ時点で昇温を開始した場合、初期温度の最も高い加熱温度Ｔｒａは、ｔｒａ時点で目標値Ｔｓ（１２５−α℃）に達するため、ｔｒａ時点で加熱を停止するとともに、オーバシュートを防止するため、送風ファンの回転数を高くして冷却度合を強くする。一方、ｔｒａ時点では、他の加熱温度Ｔｒｂ，Ｔｒｃは、目標値Ｔｓに達していないため、昇温制御を継続するが、送風ファンの影響もあり、最も低い加熱温度Ｔｒｃはｔｒｃ時点において最後に目標値Ｔｓに達する。
【０００６】
したがって、従来の昇温制御方法では、目標値Ｔｓに最初に達する加熱温度Ｔｒａと最後に達する加熱温度Ｔｒｃの時間間隔はΔｔｒとなり、かなり長くなる。この結果、図７に示す温度制御パターンＫの昇温終了時点Ｋｅにおける加熱温度及び時間の各段間のバラつきが大きくなり、精度の高い検査環境が得られない不具合があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の技術に存在する課題を解決したものであり、温度制御パターンの初期段階における各段間の加熱温度及び時間のバラつきを小さくし、高精度の検査環境を得るとともに、容易かつ低コストに実施でき、しかも汎用性に優れる半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び実施の形態】
本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置１の昇温制御方法は、半導体ウェーハＷ…を保持する複数のウェーハカセットＣ…を検査装置本体Ｍに収容し、設定した温度環境下で各半導体ウェーハＷ…に対する検査を行うに際し、昇温開始前の全ウェーハカセットＣ…における初期温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃ…を検出し、かつ検出した初期温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃ…の最大温度Ｔｓａから中間目標値Ｔｍｓを設定するとともに、最大温度Ｔｓａ以外の初期温度Ｔｓｂ，Ｔｓｃ…が検出されたウェーハカセットＣ…における加熱温度Ｔｉｂ，Ｔｉｃ…が中間目標値Ｔｍｓになるように昇温制御し、この後、昇温中のウェーハカセットＣ…における最も低い加熱温度Ｔｉｃが中間目標値Ｔｍｓに達したなら、全ウェーハカセットＣ…における加熱温度Ｔｉａ，Ｔｉｂ，Ｔｉｃ…が正規目標値Ｔｓになるように昇温制御することを特徴とする。
【０００９】
この場合、好適な実施の態様により、昇温開始から送風ファン２…を低速で回転させるとともに、昇温中のウェーハカセットＣにおける最も高い加熱温度Ｔｉａが正規目標値Ｔｓに達したなら送風ファン２…を高速で回転させることができる。また、昇温開始後、予め設定した監視時間Δｔｘが経過しても中間目標値Ｔｍｓに達しないウェーハカセットＣがあるときは、強制的に全ウェーハカセットＣ…における加熱温度Ｔｉａ，Ｔｉｂ，Ｔｉｃ…を正規目標値Ｔｓになるように昇温制御することができる。
【００１０】
【実施例】
次に、本発明に係る好適な実施例を挙げ、図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】
まず、半導体ウェーハ用検査装置１の基本構成について、図２〜図５を参照して説明する。
【００１２】
図２は、一枚の半導体ウェーハＷを保持するウェーハカセットＣを示す。このウェーハカセットＣは検査装置本体Ｍ（図３）に収容されて目的の環境試験が行われる。ウェーハカセットＣは、半導体ウェーハＷ上の電極にプローブ端子を一括して接触させることにより検査を行う一括コンタクト方式を採用する。ウェーハカセットＣは四角形に形成したカセットベース１１を有し、このカセットベース１１の下面周縁部には補強フレーム１２を固着するとともに、カセットベース１１の上面周縁部には係止用フレーム１３を固着する。そして、補強フレーム１２の左右には、後述するカセット支持部５８側のガイドレール部６８ｐ，６８ｑに装填する係合辺部Ｃｐ，Ｃｑを形成する。
【００１３】
また、ウェーハカセットＣの裏面となるカセットベース１１の下面の所定位置には、複数の一側コネクタ（例えば、インレット）１５…を配設する。なお、一側コネクタ１５…は、通常、六十端子のコネクタが十〜二十個配される。一方、カセットベース１１の上面には、サブヒータを内蔵する円盤形のコンタクタ１６を取付けるとともに、このコンタクタ１６と円盤形のウェーハトレイ１７間に半導体ウェーハＷを挟んで保持する。この場合、コンタクタ１６は、図２に部分拡大図で示すように、半導体ウェーハＷ上における多数の電極Ｗｅ…に一括してプローブ端子Ｐ…を接触させるためのボードであり、一側コネクタ１５…に接続する導体配線を有するガラス基板１８と、このガラス基板１８に重なる異方導電性ゴム１９と、この異方導電性ゴム１９に重なり、かつバンプＢ…を有する薄膜シート２０からなる。なお、１９ｅ…は導電粒子を有する異方導電性ゴム１９の導通部である。
【００１４】
さらに、ウェーハトレイ１７の外周面には、外方に突出した被吸気口取付部２１を設け、この被吸気口取付部２１の先端に、逆止弁を内蔵する一対の被吸気口２２，２２を取付ける（図１参照）。この被吸気口２２，２２の向きは、ウェーハカセットＣの中心に対して放射方向となる。そして、予め、被吸気口２２…から真空吸引することにより、ウェーハトレイ１７とコンタクタ１６の吸着状態が維持され、半導体ウェーハＷは、ウェーハトレイ１７とコンタクタ１６間に保持される。また、被吸気口取付部２１の両側には、後述する真空接続機構７０における規制片部（不図示）が係止して吸気口７２…の進退方向に対して規制する一対の凹部２３，２３を設ける。
【００１５】
他方、図３は、半導体ウェーハ用検査装置１における検査装置本体Ｍの外観を示す。検査装置本体Ｍは、正面パネル３０に設けた複数のスロット３１…を有する試験槽３３を備える。また、試験槽３３の右側には機器ボックス３４を設け、この機器ボックス３４の正面パネル３５にはディスプレイ３６と引出式キーボード（操作部）３７を配するとともに、下部にはコンピュータ等の収容部３８を設ける。なお、３９はタッチパネル式表示部，４０は両手操作用セーフティロックスイッチ，４１は非常停止スイッチである。
【００１６】
図４及び図５は、試験槽３３の内部構造を示す。５０と５１は試験槽３３の内部における左右に離間して配した固定フレームである。固定フレーム５０と５１間には複数の水平支持板５２…を上下方向に一定間隔置きに架設する。そして、任意の水平支持板５２（他の水平支持板５２…側も同じ）の上面には接続基部５３を固定する。接続基部５３は、半導体ウェーハＷに検査用信号を供給するドライブ回路を備える回路基板を有するとともに、上面には、ウェーハカセットＣの一側コネクタ１５…に接続する複数の他側コネクタ（例えば、アウトレット）５４…を配設する。なお、接続基部５３の上面には、ウェーハカセットＣに対する不図示の位置決め部を有する。
【００１７】
さらに、水平支持板５２の上面には、四本のガイドシャフト５７…を垂直に起設し、このガイドシャフト５７…によりカセット支持部５８及びヒータ支持部５９を昇降自在に支持する。この場合、カセット支持部５８にはガイドシャフト５７…に対応する位置にリニアベアリング６０…を取付け、このリニアベアリング６０…にガイドシャフト５７…を挿通させるとともに、ヒータ支持部５９にもガイドシャフト５７…に対応する位置にリニアベアリング６１…を取付け、このリニアベアリング６１…にガイドシャフト５７…を挿通させる。
【００１８】
ヒータ支持部５９は、ウェーハカセットＣの上面（ウェーハトレイ１７）に接触して加熱を行うメインヒータ６２を上方へ変位自在に支持する。具体的には、ヒータ支持部５９に開口部５９ｏを形成し、この開口部５９ｏの内方にメインヒータ６２を収容するとともに、メインヒータ６２から外方へ突出させて設けた係止プレート６３ｉ，６３ｊをヒータ支持部５９の上面に形成した段差凹部６４ｉ，６４ｊに載置する。また、段差凹部６４ｉ，６４ｊには、図４に示すガイドピン６５…を起設し、このガイドピン６５…に係止プレート６３ｉ，６３ｊに設けたガイド孔６６…をスライド自在に係合させる。なお、６２ａは、メインヒータ６２の底面に設けたアダプタであり、これにより、ウェーハトレイ１７の上面に適合させることができる。さらに、水平支持板５２の上面には、ヒータ支持部５９を昇降させる左右一対の駆動シリンダ６７ｐ，６７ｑを配設する。
【００１９】
一方、カセット支持部５８は、左支持板部５８ｐ，右支持板部５８ｑ，後支持板部５８ｒ及び前支持板部５８ｆにより矩形枠形に構成し、左支持板部５８ｐと右支持板部５８ｑの内縁には、前述したウェーハカセットＣの係合辺部Ｃｐ及びＣｑが装填（スライド）するガイドレール部６８ｐ及び６８ｑを設ける。また、カセット支持部５８とヒータ支持部５９間には、カセット支持部５８とヒータ支持部５９を連結する四つのリンクシャフト６９…を設ける。このリンクシャフト６９…の機能により、カセット支持部５８は、ヒータ支持部５９に対して一定のストローク範囲で昇降自在に支持される。
【００２０】
このカセット支持部５８には、ウェーハカセットＣが挿入された際に、挿入されたウェーハカセットＣに係合し、当該ウェーハカセットＣに設けた被吸気口２２…に対して、不図示の真空ポンプ等を有する真空吸引部７１の吸気口７２…を自動で位置決めして接続を行う真空接続機構７０を配設する。また、カセット支持部５８には、ウェーハカセットＣが中途位置まで挿入されたなら、当該ウェーハカセットＣにフック部を係止して正規の装填位置Ｓｒまで自動で取込むとともに、取出時には、当該装填位置ＳｒのウェーハカセットＣを中途位置まで自動で押し出す不図示の自動装填機構が付設されている。
【００２１】
以上、任意の水平支持板５２上における一段の基本構成について説明したが、他の段における複数の水平支持板５２…上の構成も同一に構成される。
【００２２】
次に、本実施例に係る昇温制御方法を実施できる半導体ウェーハ用検査装置１の温度制御系の構成について図６を参照して説明する。
【００２３】
図６中、３は格納された制御プログラムにより本実施例に係る昇温制御方法を実行するコンピュータ処理機能を有する制御部である。制御部３の入力側には、各メインヒータ６２…による加熱温度を検出する各温度センサ４…及び各ウェーハトレイ１７…に内蔵するサブヒータによる加熱温度を検出する各温度センサ５…を接続する。また、制御部３の出力側には、各メインヒータ６２…及び各ウェーハトレイ１７…に内蔵するサブヒータをそれぞれ加熱するヒータドライバ６…を接続する。さらに、各スロット３１…に対応する送風ファン２…を配設し、各送風ファンはファンドライバ７…を介して制御部３に接続する。なお、図６中、図４と同一部分には同一符号を付してその構成を明確にした。
【００２４】
これにより、各温度センサ４…及び５…により検出された加熱温度（検出値）は、制御部３に付与される。一方、制御部３には、図７に示す温度制御パターンＫ（目標値）が設定されるため、制御部３は、検出値が目標値（温度制御パターンＫ）となるように、各メインヒータ６２…の加熱温度及び各ウェーハトレイ１７…に内蔵するサブヒータの加熱温度を、各ヒータドライバ６…を介してそれぞれフィードバック制御する。また、制御部３は、ファンドライバ７を介して各送風ファン２…をインバータ制御する。この場合、制御部３（ファンドライバ７）は、各送風ファン２…を同時に制御する。
【００２５】
次に、半導体ウェーハ用検査装置１の基本動作を含む本実施例に係る昇温制御方法について、図１〜図８を参照して説明する。
【００２６】
まず、非使用時には、カセット支持部５８及びヒータ支持部５９は上昇位置で停止している。この状態を図４に示す。一方、使用時には、予め用意した任意のウェーハカセットＣを、検査装置本体ＭにおけるＮ番目のスロット（空スロット）３１に挿入する。これにより、Ｎ番目のスロット３１における個別接続処理が行われる。即ち、スロット３１にウェーハカセットＣが挿入されれば、ウェーハカセットＣの係合辺部Ｃｐ，Ｃｑがカセット支持部５８のガイドレール部６８ｐ，６８ｑにガイドされ、試験槽３３の内部に収容されるとともに、所定の係止位置にある不図示のストッパに係止する。
【００２７】
また、ウェーハカセットＣがストッパに係止したなら、ウェーハカセットＣを押込むのを止め、タッチパネル式表示部３９に表示される取込ボタンをタッチ操作（オン）する。これにより、不図示の自動装填機構が作動することによりウェーハカセットＣは自動で取込まれる。ウェーハカセットＣが正規の装填位置Ｓｒに取込まれたなら、真空接続機構７０によりウェーハカセットＣの被吸気口２２…を真空吸引部７１の吸気口７２…に接続する接続処理を行う。
【００２８】
次に、検査装置本体Ｍに収容されたウェーハカセットＣ…に保持される半導体ウェーハＷ…に対する昇温制御を本実施例に係る昇温制御方法により行う。以下、この昇温制御方法について、図１，図６，図７及び図８に示すフローチャートに従って説明する。なお、図１の実線Ｔｉａ，Ｔｉｂ，Ｔｉｃは、三つの任意段における加熱温度を示している。
【００２９】
まず、制御部３は、インバータ制御により送風ファン２…を低速回転（周波数：２０Ｈｚ）させる（ステップＳ１）。一方、各温度センサ４…及び５…からは、昇温開始前の初期温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃが検出され、制御部３に付与される（ステップＳ２）。図１中、初期温度Ｔｓａが最も高い温度（最大温度）、初期温度Ｔｓｃが最も低い温度、初期温度Ｔｓｂが初期温度Ｔｓａと初期温度Ｔｓｃの間の温度である。制御部３は、初期温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃから最大温度、即ち、実施例の場合、４５℃の初期温度Ｔｓａを選出する（ステップＳ３）。そして、制御部３は、この初期温度Ｔｓａ（４５℃）から中間目標値Ｔｍｓを設定する（ステップＳ４）。実施例は、中間目標値Ｔｍｓとして、４５±３℃を設定した場合を示している。
【００３０】
次いで、制御部３は、最大温度Ｔｓａ以外の初期温度Ｔｓｂ，Ｔｓｃに係る各メインヒータ６２…及び各ウェーハトレイ１７…に内蔵するサブヒータに対して、加熱温度Ｔｉｂ，Ｔｉｃが中間目標値Ｔｍｓ（４５±３℃）となるように昇温制御する（ステップＳ５）。この際、昇温開始後、予め設定した監視時間（オーバタイム）ｔｘが経過しても中間目標値Ｔｍｓに達しないメインヒータ６２…及びウェーハトレイ１７…に内蔵するサブヒータが一つでもあるときは、正規目標値Ｔｓ、即ち、１２５±α℃を強制的に設定し、全ウェーハカセットＣ…における加熱温度が正規目標値Ｔｓとなるように昇温制御する（ステップＳ６，Ｓ８，Ｓ９）。これにより、検査工程の時間が無用に長くなる不具合を回避できる。これに対して、監視時間ｔｘが経過する前に、昇温中のウェーハカセットＣにおける最も低い加熱温度Ｔｉｃが中間目標値Ｔｍｓに達したなら、正規目標値Ｔｓを設定し、全ウェーハカセットＣ…における加熱温度Ｔｉａ，Ｔｉｂ，Ｔｉｃが、正規目標値Ｔｓとなるように昇温制御する（ステップＳ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９）。即ち、図１における加熱温度Ｔｉｃがｔｃ時点で４２℃（４５±３℃）に達したなら、全ウェーハカセットＣ…における加熱温度Ｔｉａ，Ｔｉｂ，Ｔｉｃが正規目標値Ｔｓとなるように昇温制御する。したがって、図１に示すように、加熱温度Ｔｉａ（最大温度Ｔｓａ）はｔｃ時点まで昇温制御されないため、このｔｃ時点までは４５℃を維持しているが、ｔｃ時点からは、他の加熱温度Ｔｉｂ，Ｔｉｃと一緒に昇温制御される。
【００３１】
そして、最も高い加熱温度Ｔｉａが、最初にｔｉａ時点において正規目標値Ｔｓ、即ち、１２５−α℃に達すれば、ｔｉａ時点で加熱を停止するとともに、オーバシュートを防止するため、送風ファン２…を高速回転（周波数：６０Ｈｚ）に変更して冷却度合を強くする（ステップＳ１０，Ｓ１１）。また、最も低い加熱温度Ｔｉｃはｔｉｃ時点において正規目標値Ｔｓに達する。よって、初期温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃのバラつきが大きい場合であっても、ｔｃ時点ではバラつきが小さくなるように制御されるため、正規目標値Ｔｓ（１２５−α℃）に達する加熱温度ＴｉａとＴｉｃの時間間隔はΔｔｉとなり、本実施例に係る昇温制御方法を用いない場合（従来の技術）の時間間隔Δｔｒに比べて、かなり短くなる。以上が昇温工程であり、図７にＫｕで示す工程である。この後は、図７に示す温度制御パターンＫに従って温度制御が行われる（ステップＳ１２）。
【００３２】
このような本実施例に係る昇温制御方法によれば、温度制御パターンＫの初期段階、即ち、図７に示す昇温終了時点Ｋｅにおける加熱温度及び時間の各段間のバラつきが小さくなり、精度の高い検査環境を得ることができる。しかも、ソフトウェア処理により対応できるため、容易かつ低コストに実施できるとともに、既存の装置に対しても後発的に実施できるなど、汎用性に優れる。
【００３３】
他方、半導体ウェーハＷには、接続基部５３のドライブ回路からコネクタ５４…及び１５…を介して試験信号が付与され、予め設定した試験時間だけ目的の環境試験が行われる。環境試験が終了すれば、駆動シリンダ６７ｐ，６７ｑが駆動制御され、ヒータ支持部５９の上昇により、メインヒータ６２とウェーハカセットＣの接触が解除されるとともに、カセット支持部５８の上昇により、ウェーハカセットＣと接続基部５３の接続が解除される。また、真空接続機構７０により、吸気口７２…と被吸気口２２…の接続が解除される。そして、不図示の自動装填機構により、ウェーハカセットＣは自動で所定の位置まで押出されるため、検査装置本体Ｍのスロット３１から取出すことができる。
【００３４】
以上、実施例について詳細に説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、細部の構成，素材，数量等において、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更，追加，削除できる。例えば、最大温度としては、最大側における複数の温度の平均値であってもよく、必ずしも純粋な最大値を指すものではない。また、全ウェーハカセットＣ…に係る温度Ｔｓａ，Ｔｓｂ，Ｔｓｃ…を検出するとは、全ウェーハカセットＣ…におけるメインヒータ６２及びサブヒータの双方の温度であってもよいし、メインヒータ６２又はサブヒータの一方のみであってもよい。さらに、送風ファン２…の制御は、実施例のように昇温制御とリンクさせてもよいし或いは独自に行ってもよい。
【００３５】
【発明の効果】
このように本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法は、昇温開始前の全ウェーハカセットにおける初期温度を検出し、かつ検出した初期温度の最大温度から中間目標値を設定するとともに、最大温度以外の初期温度が検出されたウェーハカセットにおける加熱温度が中間目標値になるように昇温制御し、この後、昇温中のウェーハカセットにおける最も低い加熱温度が中間目標値に達したなら、全ウェーハカセットにおける加熱温度が正規目標値になるように昇温制御するようにしたため、次のような顕著な効果を奏する。
【００３６】
（１） 温度制御パターンの初期段階、即ち、昇温終了時点における加熱温度及び時間の各段間のバラつきが小さくなるため、高精度の検査環境を得ることができる。
【００３７】
（２） ソフトウェア処理により対応できるため、容易かつ低コストに実施できるとともに、既存の装置に対しても後発的に実施できるなど、汎用性に優れている。
【００３８】
（３） 好適な実施の態様により、昇温開始後、予め設定した監視時間が経過しても中間目標値に達しないウェーハカセットがあるときに、強制的に全ウェーハカセットにおける加熱温度を正規目標値になるように昇温制御すれば、検査工程の時間が無用に長くなる不具合を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施例に係る半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法による昇温特性図、
【図２】同半導体ウェーハ用検査装置におけるウェーハカセットの一部断面正面図、
【図３】同半導体ウェーハ用検査装置の外観正面図、
【図４】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す図５中Ｘ−Ｘ線断面を含む一部断面正面構成図、
【図５】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す一部断面平面構成図、
【図６】同半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法を実施する温度制御系を示すブロック系統図、
【図７】同温度制御系による温度制御パターンを示す特性図、
【図８】同半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法を説明するフローチャート、
【符号の説明】
１ 半導体ウェーハ用検査装置
２… 送風ファン
Ｗ 半導体ウェーハ
Ｃ ウェーハカセット
Ｍ 検査装置本体
Ｔｓａ… 初期温度
Ｔｉａ… 加熱温度
Ｔｍｓ 中間目標値
Ｔｓ 正規目標値
Δｔｘ 監視時間

Claims (3)

1. 半導体ウェーハを保持する複数のウェーハカセットを検査装置本体に収容し、設定した温度環境下で各半導体ウェーハに対する検査を行う半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法において、昇温開始前の全ウェーハカセットにおける初期温度を検出し、かつ検出した初期温度の最大温度から中間目標値を設定するとともに、前記最大温度以外の初期温度が検出されたウェーハカセットにおける加熱温度が前記中間目標値になるように昇温制御し、この後、昇温中のウェーハカセットにおける最も低い加熱温度が前記中間目標値に達したなら、全ウェーハカセットにおける加熱温度が正規目標値になるように昇温制御することを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法。
2. 昇温開始から送風ファンを低速で回転させるとともに、昇温中のウェーハカセットにおける最も高い加熱温度が前記正規目標値に達したなら前記送風ファンを高速で回転させることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法。
3. 昇温開始後、予め設定した監視時間が経過しても前記中間目標値に達しないウェーハカセットがあるときは、強制的に全ウェーハカセットにおける加熱温度を前記正規目標値になるように昇温制御することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ用検査装置の昇温制御方法。

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