JP3820224B2 - 半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ上の電極にプローブ端子を一括して接触させることにより各種検査を行う半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハに温度負荷を与えて初期不良の検査を行う半導体ウェーハ用検査装置は知られており、既に、本出願人も、半導体ウェーハを真空吸着したウェーハカセットの被吸気口に対して、検査装置本体における吸気系の吸気口をX方向,Y方向及びZ方向において正確に位置合わせすることにより、安定かつ確実に接続し、信頼性を高めることができる半導体ウェーハ用検査装置を、特開2001−156131号公報により提案した。
【0003】
この半導体ウェーハ用検査装置は、ウェーハカセットが検査装置本体におけるカセット支持部に挿入された際に、挿入されたウェーハカセットに係合し、ウェーハカセットに設けた被吸気口に対して吸気系における吸気口のX方向及びY方向の位置を自動で位置決めするとともに、ウェーハカセットがカセット支持部に挿入された後に、吸気口と一体の係止部が下降することによりウェーハカセットに係合し、被吸気口に対して吸気口のZ方向の位置を自動で位置決めして、被吸気口と吸気口を接続する自動吸気系接続部を設けたものである。
【0004】
この場合、ウェーハカセットは、コンタクタと円盤形のウェーハトレイを備えており、半導体ウェーハは当該コンタクタとウェーハトレイ間に挟まれて保持されるとともに、ウェーハカセットは、被吸気口から真空吸引され、被吸気口に設けた逆止弁によりウェーハトレイとコンタクタの吸着状態(真空圧状態)が維持されている。そして、ウェーハカセットが検査装置本体に収容された際は、ウェーハカセットの被吸気口と検査装置本体に内蔵する真空吸引部の吸気口が自動で接続され、ウェーハカセットに対する真空吸引が行われる。このときの接続方法は、次のようになる。まず、真空吸引部は規定圧(真空圧)に制御(設定)されるとともに、吸気通路の開閉バルブは開側に切換られる。これにより、無負荷となる吸気口からは外気が吸入されるため、位置決めされた吸気口を、ウェーハカセットの被吸気口に近付けることにより、被吸気口と吸気口が自動で吸引接続(真空接続)される。
【特許文献1】
特開2001−156131号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体ウェーハ用検査装置は、通常、複数のカセット装填部(スロット)を備えており、複数のウェーハカセットを各スロットに順次挿入してセッティングする。
【0006】
しかし、各ウェーハカセットは、構造上のバラつきや時間の経過により、検査装置本体に収容される時点では、真空圧にかなりのバラつき、例えば、規定圧(真空圧)の−80〔KPa〕に対して−20〜−70〔KPa〕程度のバラつきを生じる。このため、上述した従来の半導体ウェーハ用検査装置(真空接続方法)では、特に、ウェーハカセットの真空圧と規定圧間の圧力差、即ち、被吸気口と吸気口の圧力差が大きい場合、被吸気口に吸気口を接続する際に、ウェーハカセットの内部が急激に吸気されることに伴う衝撃が発生し、半導体ウェーハを傷付けたり、ウェーハカセットの耐久性を低下させてしまう問題があった。
【0007】
本発明は、このような従来の技術に存在する課題を解決したものであり、ウェーハカセットを真空吸引部に真空接続する際の衝撃を排除し、半導体ウェーハの傷付防止及びウェーハカセットの耐久性向上を図ることができる半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び実施の形態】
本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置1は、半導体ウェーハW…を真空吸着により保持するウェーハカセットC…と、ウェーハカセットC…が収容されたなら当該ウェーハカセットC…の被吸気口2…に、吸気口3…を接続して真空吸引する真空吸引部4を内蔵した検査装置本体Mを備える検査装置であって、特に、ウェーハカセットCに、このウェーハカセットCの真空圧を測定する圧力センサ5を配設するとともに、検査装置本体Mに、この検査装置本体Mに収容されるウェーハカセットCに接触して圧力センサ5に接続するコンタクトプローブ6a,6b,6c及びこのコンタクトプローブ6a,6b,6cに接続したコントローラ7を備えることを特徴とする。
【0009】
この場合、好適な実施の形態により、コントローラ7には、圧力センサ5により測定した真空圧に対応して真空吸引部4を制御する制御機能を設けることができる。また、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、少なくともウェーハカセットCが検査装置本体Mに収容される際の収容途中で圧力センサ5に接続することができる。
【0010】
一方、本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置1の真空接続方法は、半導体ウェーハW…を真空吸着により保持する複数のウェーハカセットC…を、検査装置本体Mへ収容した際に、この検査装置本体Mに内蔵した真空吸引部4の吸気口3…とウェーハカセットC…の被吸気口2…を接続する真空接続方法であって、任意のウェーハカセットCを検査装置本体Mへ収容した際に、任意のウェーハカセットCの真空圧(測定圧Pd)を測定し、かつ真空吸引部4の真空圧を測定圧Pdになるように制御して、吸気口3と被吸気口2を接続するとともに、接続後、真空吸引部4の真空圧を規定圧Psまで変化させた後に吸気通路Rを閉じる個別接続処理を順次実行し、接続すべき全ウェーハカセットC…に対する個別接続処理が終了したなら、吸気通路R…を開いて全ウェーハカセットC…に規定圧Psを付与することを特徴とする。
【0011】
この場合、好適な実施の態様により、ウェーハカセットCに、このウェーハカセットCの測定圧Pdを測定する圧力センサ5を配設するとともに、検査装置本体Mに、この検査装置本体Mに収容されるウェーハカセットCに接触して圧力センサ5に接続するコンタクトプローブ6a,6b,6c及びこのコンタクトプローブ6a,6b,6cに接続したコントローラ7を設けることができる。また、ウェーハカセットCが検査装置本体Mに収容される際の収容途中で、コンタクトプローブ6a,6b,6cを圧力センサ5に接続することにより測定圧Pdを測定することができる。なお、真空吸引部4の真空圧を規定圧Psまで変化させる際は、徐々に変化させることが望ましい。さらに、測定圧Pdが予め設定した正常範囲を外れているときは、不良処理を行うことができる。
【0012】
【実施例】
次に、本発明に係る好適な実施例を挙げ、図面に基づき詳細に説明する。
【0013】
まず、本実施例に係る半導体ウェーハ用検査装置1の基本構成について、図2〜図7を参照して説明する。
【0014】
図2は、一枚の半導体ウェーハWを保持するウェーハカセットCを示す。このウェーハカセットCは検査装置本体M(図3)に収容されて目的の環境試験が行われる。ウェーハカセットCは、半導体ウェーハW上の電極にプローブ端子を一括して接触させることにより検査を行う一括コンタクト方式を採用する。ウェーハカセットCは四角形に形成したカセットベース11を有し、このカセットベース11の下面周縁部には補強フレーム12を固着するとともに、カセットベース11の上面周縁部には係止用フレーム13を固着する。そして、補強フレーム12の左右には、後述するカセット支持部58側のガイドレール部68p,68qに装填する係合辺部Cp,Cqを形成する。
【0015】
また、ウェーハカセットCの裏面となるカセットベース11の下面の所定位置には、複数の一側コネクタ(例えば、インレット)15…を配設する。なお、一側コネクタ15…は、通常、六十端子のコネクタが十〜二十個配される。一方、カセットベース11の上面には、サブヒータを内蔵する円盤形のコンタクタ16を取付けるとともに、このコンタクタ16と円盤形のウェーハトレイ17間に半導体ウェーハWを挟んで保持する。この場合、コンタクタ16は、図2に部分拡大図で示すように、半導体ウェーハW上における多数の電極We…に一括してプローブ端子P…を接触させるためのボードであり、一側コネクタ15…に接続する導体配線を有するガラス基板18と、このガラス基板18に重なる異方導電性ゴム19と、この異方導電性ゴム19に重なり、かつバンプB…を有する薄膜シート20からなる。なお、19e…は導電粒子を有する異方導電性ゴム19の導通部である。
【0016】
さらに、ウェーハトレイ17の外周面には、外方に突出した被吸気口取付部21を設け、この被吸気口取付部21の先端に、逆止弁を内蔵する一対の被吸気口2,2を取付ける(図1参照)。この被吸気口2,2の向きは、ウェーハカセットCの中心に対して放射方向となる。そして、予め、被吸気口2…から真空吸引することにより、ウェーハトレイ17とコンタクタ16の吸着状態が維持され、半導体ウェーハWは、ウェーハトレイ17とコンタクタ16間に保持される。また、被吸気口取付部21の両側には、後述する真空接続機構70における第一係止部76の規制片部81,81が係止して吸気口3…の進退方向に対して規制する一対の凹部22,22を設ける。
【0017】
他方、図3は、半導体ウェーハ用検査装置1における検査装置本体Mの外観を示す。検査装置本体Mは、正面パネル30に設けた複数のスロット31…を有する試験槽33を備える。また、試験槽33の右側には機器ボックス34を設け、この機器ボックス34の正面パネル35にはディスプレイ36と引出式キーボード(操作部)37を配するとともに、下部にはコンピュータ等の収容部38を設ける。なお、39はタッチパネル式表示部,40は両手操作用セーフティロックスイッチ,41は非常停止スイッチである。
【0018】
図4〜図7は試験槽33の内部構造を示す。50と51は試験槽33の内部における左右に離間して配した固定フレームである。固定フレーム50と51間には複数の水平支持板52…を上下方向に一定間隔置きに架設する。そして、任意の水平支持板52(他の水平支持板52…側も同じ)の上面には接続基部53を固定する。接続基部53は、半導体ウェーハWに検査用信号を供給するドライブ回路を備える回路基板を有するとともに、上面には、ウェーハカセットCの一側コネクタ15…に接続する複数の他側コネクタ(例えば、アウトレット)54…を配設する。なお、接続基部53の上面には、ウェーハカセットCに対する不図示の位置決め部を有する。
【0019】
さらに、水平支持板52の上面には、図4及び図5に示すように、四本のガイドシャフト57…を垂直に起設し、このガイドシャフト57…によりカセット支持部58及びヒータ支持部59を昇降自在に支持する。この場合、カセット支持部58にはガイドシャフト57…に対応する位置にリニアベアリング60…を取付け、このリニアベアリング60…にガイドシャフト57…を挿通させるとともに、ヒータ支持部59にもガイドシャフト57…に対応する位置にリニアベアリング61…を取付け、このリニアベアリング61…にガイドシャフト57…を挿通させる。
【0020】
ヒータ支持部59は、ウェーハカセットCの上面(ウェーハトレイ17)に接触して加熱を行うメインヒータ62を上方へ変位自在に支持する。具体的には、ヒータ支持部59に開口部59oを形成し、この開口部59oの内方にメインヒータ62を収容するとともに、メインヒータ62から外方へ突出させて設けた係止プレート63i,63jをヒータ支持部59の上面に形成した段差凹部64i,64jに載置する。また、段差凹部64i,64jには、図4に示すガイドピン65…を起設し、このガイドピン65…に係止プレート63i,63jに設けたガイド孔66…をスライド自在に係合させる。なお、62aは、メインヒータ62の底面に設けたアダプタであり、これにより、ウェーハトレイ17の上面に適合させることができる。さらに、水平支持板52の上面には、ヒータ支持部59を昇降させる左右一対の駆動シリンダ67p,67qを配設する。
【0021】
一方、カセット支持部58は、図4及び図5に示すように、左支持板部58p,右支持板部58q,後支持板部58r及び前支持板部58fにより矩形枠形に構成し、左支持板部58pと右支持板部58qの内縁には、前述したウェーハカセットCの係合辺部Cp及びCqが装填(スライド)するガイドレール部68p及び68qを設ける。また、カセット支持部58とヒータ支持部59間には、カセット支持部58とヒータ支持部59を連結する四つのリンクシャフト69…を設ける。このリンクシャフト69…の機能により、カセット支持部58は、ヒータ支持部59に対して一定のストローク範囲で昇降自在に支持される。
【0022】
このカセット支持部58には、ウェーハカセットCが挿入された際に、挿入されたウェーハカセットCに係合し、当該ウェーハカセットCに設けた被吸気口2…に対して、真空吸引部4の吸気口3…を自動で位置決めして接続を行う真空接続機構70を配設する。
【0023】
図6及び図7に真空接続機構70の構成を示す。この真空接続機構70は、カセット支持部58における右支持板部58qの上面に配設する。真空接続機構70は、カセット支持部58に装填されるウェーハカセットCに係止することにより、ウェーハカセットCが正規の装填位置Sr(図11参照)にあるときに吸気口3…を被吸気口2…に対して同一直線Lo(図12参照)上に位置させる係合部71を有する可動盤72を備える。これにより、係合部71がウェーハカセットCに係止し、ウェーハカセットCが正規の装填位置Srにあれば、ウェーハカセットCに角度のズレが生じても、後述するガイド部83の作用により、吸気口3…を被吸気口2…に対して同一直線Lo上に位置させる機能を有する。
【0024】
また、可動盤72に設けたヒンジ部74を介して吸気口3…及びこの吸気口3…を被吸気口2…に対して進退移動させる直進駆動部75を昇降自在に支持し、かつ第一係止部76を一体に有する昇降板77を備える。昇降板77は一端部がヒンジ部74により回動自在に支持される昇降ベース部78を有し、この昇降ベース部78に、直進駆動部75を構成する駆動シリンダ75cを配設する。この場合、駆動シリンダ75cは一対のガイド体79,79により吸気口3…の進退方向に対して一定のストローク範囲Zs(図12参照)で進退変位自在に支持される。そして、この駆動シリンダ75cに第一係止部76を固定するとともに、駆動シリンダ75cの駆動ロッド75rには、前記被吸気口2,2に対応する一対の吸気口3,3を有する吸気口ブロック80を取付ける。第一係止部76は下降することにより、収容されたウェーハカセットCの上面に載ることができるとともに、先端には、下方へ直角に折曲形成した規制片部81,81を有する。さらに、吸気口ブロック80と昇降ベース部78間には、一対のスプリング82,82を架設し、吸気口3…を進退方向後方へ付勢する。
【0025】
一方、右支持板部58qの上面には、可動盤72をウェーハカセットCの出入方向へ変位自在に支持し、かつ吸気口3…が常に正規の装填位置Srに装填されたウェーハカセットCの中心を向くようにガイドする円弧状のガイド部83を配設する。ガイド部83は円弧状に湾曲した一枚の板材により形成し、右支持板部58qの上面に起設した支柱84により支持される。この場合、可動盤72は、下面に設けた四つの空転ローラ85…がガイド部83に係合し、このガイド部83に沿って移動自在となる。
【0026】
また、昇降板77には、この昇降板77を昇降させるための第二係止部87を有し、この第二係止部87は、メインヒータ62が下降した際にヒータ支持部59の上面に係止する。この場合、ヒータ支持部59に開口部59oを形成し、この内縁部に第二係止部87を係止させる。さらに、可動盤72と右支持板部58q間にはスプリング88を架設し、当該可動盤72をウェーハカセットCの取出方向へ付勢する。以上により、真空接続機構70が構成される。
【0027】
なお、カセット支持部58には、ウェーハカセットCが中途位置まで挿入されたなら、当該ウェーハカセットCにフック部を係止して正規の装填位置Srまで自動で取込むとともに、取出時には、当該装填位置SrのウェーハカセットCを中途位置まで自動で押し出す不図示の自動装填機構が付設されている。
【0028】
次に、本実施例に係る半導体ウェーハ用検査装置1の特徴部分である要部構成について図1を参照して説明する。
【0029】
まず、ウェーハカセットCには、このウェーハカセットCの真空圧を測定する圧力センサ5を配設する。圧力センサ5を配設する位置は、図1に示すように、ウェーハカセットCに保持される半導体ウェーハWの外方であって、コンタクタ16とウェーハトレイ17間の空間に臨ませる。また、ウェーハカセットCの外面には、被接触端子23a,23b,23cを配設し、圧力センサ5は、内部配線24を介して各被接触端子23a,23b,23cに接続される。この場合、被接触端子23a,23b,23cには、電圧入力端子,検出信号出力端子及びアース端子が含まれる。
【0030】
一方、検査装置本体Mには、この検査装置本体Mに収容されるウェーハカセットCに接触して圧力センサ5に接続するコンタクトプローブ6a,6b,6c及びこのコンタクトプローブ6a,6b,6cに接続したコントローラ7を備える。コンタクトプローブ6a,6b,6cは、前述した被接触端子23a,23b,23cに対応して設ける。この場合、検査装置本体Mは、ウェーハカセットCがスロット31から中途位置まで挿入されたなら、当該ウェーハカセットCにフック部を係止して正規の装填位置Srまで自動で取込む不図示の自動装填機構を備えている。したがって、図1に示すように、ウェーハカセットCがスロット31から挿入されれば、係止位置Ss(図1参照)に突出しているストッパ25に一旦係止して停止するため、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、この停止した位置において被接触端子23a,23b,23cに接触するように配設位置を選定する。なお、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、スプリング等により弾性支持し、ウェーハカセットCの円滑なスライド移動を妨げないようにするとともに、被接触端子23a,23b,23cに対して確実に接触できるように考慮する。そして、ウェーハカセットCがストッパ25に係止した後、タッチパネル式表示部39に表示される取込ボタン32をタッチ操作(オン)すれば、ストッパ25は非係止位置Si(図11参照)に変位し、不図示のフック部がウェーハカセットCに係止することにより自動で取込を行う。
【0031】
コンタクトプローブ6a,6b,6cの配設位置は、このように選定されるため、ウェーハカセットCが検査装置本体Mに収容される際の収容途中で圧力センサ5に接続されるとともに、ウェーハカセットCが正規の装填位置Srに達した時点では接続が解除される。したがって、ウェーハカセットCの収容途中で、このウェーハカセットCの真空圧を測定することができ、メインヒータ62及びサブヒータの温度等の影響による真空圧の変動を回避することができる。
【0032】
なお、被接触端子23a,23b,23cは、解り易くするため、ウェーハカセットCの側辺に配設した場合を示したが、このような配設位置に限定されるものではなく、望ましくは、ウェーハカセットCの先端辺(奥辺)における左右方向に配列させて設けることができる。この場合、被接触端子23a,23b,23cは、ウェーハカセットCの下面に配設するとともに、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、当該被接触端子23a,23b,23cの位置に対応する接続基部53上に配設することができる。また、ストッパ25は、一例として独立したストッパ機能部品を用いた場合を示したが、上述したウェーハカセットCの取込みを行うフック部をストッパに兼用することもできる。
【0033】
他方、7は各種の制御(シーケンス制御)及び処理等を実行するコンピュータ機能を有するコントローラであり、各コンタクトプローブ6a,6b,6cは、コントローラ7に接続する。このコントローラ7には、さらに、ソレノイドプランジャ等により可動する前述したストッパ25を接続するとともに、ウェーハカセットCが正規の装填位置Sr(終端)に達したことを検出する終端センサ(位置センサ)26を接続する。また、真空吸引部4は、真空ポンプ等の吸気装置27を備え、この吸気装置27は、吸気通路(配管)Rを介して吸気口3…に接続するとともに、吸気通路Rの中途には、電磁バルブを用いた開閉バルブ28を接続する。そして、開閉バルブ28及び吸気装置27は、コントローラ7に接続する。
【0034】
以上、任意の水平支持板52上における一段の基本構成について説明したが、他の段における複数の水平支持板52…上の構成も同一に構成される。この場合、図1に示す吸気装置27は各段の共有になるが、開閉バルブ28…は各段毎に接続される。
【0035】
次に、本実施例に係る真空接続方法を含む半導体ウェーハ用検査装置1の動作について、図1〜図7,図11及び図12を参照しつつ図8〜図10に示すフローチャートに従って説明する。なお、図8は本実施例に係る真空接続方法の全体の手順を示すフローチャート、図9は任意のウェーハカセットCを装填する際の動作を示すフローチャート、図10は任意のウェーハカセットCを装填した際における真空接続処理の手順を示すフローチャートである。
【0036】
まず、非使用時には、カセット支持部58及びヒータ支持部59は上昇位置で停止している。この状態を図4に示す。一方、使用時には、予め用意した任意のウェーハカセットCを、検査装置本体MにおけるN番目のスロット(空スロット)31に挿入する(ステップS1)。これにより、N番目のスロット31における個別接続処理が行われる(ステップS2)。
【0037】
この個別接続処理について、図9に示すフローチャートを参照して説明する。まず、スロット31にウェーハカセットCが挿入されれば、ウェーハカセットCの係合辺部Cp,Cqがカセット支持部58のガイドレール部68p,68qにガイドされ、試験槽33の内部に収容されるとともに、係止位置Ssにあるストッパ25に係止する(ステップS11,S12)。この状態を図1に示す。この際、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、被接触端子23a,23b,23cに接触するため、圧力センサ5とコントローラ7が接続され、後述する圧力センサ5の真空圧を測定できる(ステップS13,S30)。
【0038】
そして、ウェーハカセットCが係止位置Ssにあるストッパ25に係止したなら、ウェーハカセットCを押込むのを止め、タッチパネル式表示部39に表示される取込ボタン32をタッチ操作(オン)する(ステップS14,S15)。これにより、不図示の自動装填機構が作動することにより自動取込動作が開始する(ステップS16)。自動取込動作により、ストッパ25が非係止位置Si(図11参照)に変位するとともに、ウェーハカセットCにはフック部が係止することにより自動で取込まれる。ウェーハカセットCの移動により、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、被接触端子23a,23b,23cから離脱し、両者間の接触は解除される(ステップS17)。ウェーハカセットCが取込まれることにより終端に達すれば、終端センサ26により検出され、コントローラ7は自動取込動作を停止する(ステップS18,S19,S20)。よって、ウェーハカセットCは、正規の装填位置Srにセットされる。この装填位置Srを図11に示す。
【0039】
一方、ウェーハカセットCが係止位置Ssにあるストッパ25に係止した時点では、コンタクトプローブ6a,6b,6cが被接触端子23a,23b,23cに接触するため、前述した取込ボタン32のタッチ操作(オン)に基づいて真空接続処理が行われる(ステップS30)。この真空接続処理について、図10に示すフローチャートを参照して説明する。まず、コンタクトプローブ6a,6b,6cと被接触端子23a,23b,23cの接触により、ウェーハカセットCに内蔵した圧力センサ5がコントローラ7に接続されるため、コントローラ7は圧力センサ5によりウェーハカセットCの真空圧を測定する(ステップS13s,S31)。この場合、測定した真空圧は、測定圧Pdとして一時記憶する。そして、コントローラ7は、測定圧Pdが正常範囲(設定圧以下)にあるか否か判断する(ステップS32)。この際、正常範囲を外れている場合には不良処理を行う(ステップS33)。他方、正常範囲にあるときは、吸気装置27を作動(オン)させ、吸気装置27の真空圧(設定圧)が測定圧Pdとなるように制御する(ステップS34)。例えば、正規の真空圧である規定圧Psが−80〔KPa〕であるのに対して、ウェーハカセットCの構造上のバラつきや時間の経過により、測定圧Pdが−50〔KPa〕になっていた場合には、コントローラ7は、真空圧が−50〔KPa〕となるように吸気装置27を制御する。この後、コントローラ7は、開閉バルブ28を開側に切換制御する(ステップS35)。これにより、無負荷となる吸気口3…から外気が吸入される。そして、吸気装置27の吸引を安定させる所定の設定時間が経過し、さらに、ウェーハカセットCが前述した正規の装填位置Srに移動したことを終端センサ26により検出したならウェーハカセットCの被吸気口2…を真空吸引部4の吸気口3…に接続する接続処理を行う(ステップS36)。
【0040】
この接続処理は、次のように行われる。まず、ウェーハカセットCが正規の装填位置Srに達することにより、被吸気口2…と吸気口3…は、真空接続機構70の機能によって位置決めされた状態で対向する(図12参照)。即ち、カセット支持部58に装填された取込途中のウェーハカセットCが、可動盤72に備える係合部71に係止すれば、可動盤72はスプリング88の付勢に抗してウェーハカセットCと一緒に変位する。この際、可動盤72は円弧状のガイド部83にガイドされるため、ウェーハカセットCが正規の装填位置Srに装填されれば、図12に示すように、吸気口3…は被吸気口2…に対して同一直線Lo上に位置し、X方向及びY方向の正確な位置決めが行われる。この場合、装填位置SrにおけるウェーハカセットCの角度にズレを生じても、そのズレに対応して吸気口3…の位置も追従変位するため、吸気口3…は被吸気口2…に対して常に同一直線Lo上に位置する。
【0041】
次いで、駆動シリンダ67p,67qが駆動制御され、ウェーハカセットCの接続及びメインヒータ62のセッティングが行われる。この場合、駆動シリンダ67p,67qの駆動制御により、ヒータ支持部59(メインヒータ62)及びカセット支持部58(ウェーハカセットC)を含む全体が一緒に下降する。そして、カセット支持部58に保持されるウェーハカセットCに設けた一側コネクタ15…が、接続基部53に設けた他側コネクタ54…に当接すれば、カセット支持部58の下降は停止する。この際、カセット支持部58は、リンク部69…によりヒータ支持部59に対して一定のストローク範囲で昇降自在となるように連結されているため、カセット支持部58の下降が停止しても、ヒータ支持部59はさらに下降する。そして、メインヒータ62がウェーハカセットCの上面に当接すれば、メインヒータ62の下降も停止する。この場合、メインヒータ62はヒータ支持部59によって上方へ変位自在に支持されているため、メインヒータ62の下降が停止しても、ヒータ支持部59は下降を継続する。この後、さらにヒータ支持部59が下降すれば、リンク部69…の下端によりカセット支持部58が押圧され、カセット支持部58は強制的に下降せしめられる。この結果、ウェーハカセットCに設けた一側コネクタ15…と接続基部53に設けた他側コネクタ54…は完全に接続される。
【0042】
また、ウェーハカセットCの挿入時に、昇降板77(昇降ベース部78)は図7に示すように、第二係止部87によって上昇位置にある。即ち、ヒータ支持部59の上昇により、このヒータ支持部59に係止する第二係止部87と一緒に昇降ベース部78も上昇している。したがって、ウェーハカセットCの挿入後(装填後)に、ヒータ支持部59が下降して、メインヒータ62がウェーハカセットCに当接すれば、昇降ベース部78も一緒に下降し、第一係止部76はウェーハカセットCの上面(ウェーハトレイ17の上面)に係止する。よって、ウェーハカセットCにおける各部の厚さのバラつきによって被吸気口2…の上下方向の位置に誤差が存在しても、吸気口2…と被吸気口3…におけるZ方向の正確な位置決めが行われる。
【0043】
そして、直進駆動部75における駆動シリンダ75cを駆動制御し、駆動ロッド75r…を突出させれば、最初に、図12に示すように、駆動シリンダ75cはスプリング82…(図6)の押圧作用により、吸気口3…が停止した状態でストローク範囲Zsだけ後退するため、駆動シリンダ75cに固定した第一係止部76における規制片部81…もストローク範囲Zsだけ後退し、吸気口3…の進退方向におけるウェーハカセットCに対する位置決めが行われる。また、駆動シリンダ75cがストローク範囲Zsだけ後退した後は、ガイド体79…により位置規制されるため、駆動ロッド75r…の突出に従って、吸気口3…が前進し、図5に示すように、被吸気口2…に接続される。即ち、吸気口3…は、上述したように無負荷で外気を吸引する状態になっているため、被吸気口2…は吸気口3…に対する近接位置において自動で吸引接続(真空接続)される。なお、前述した開閉バルブ28を開側へ切換えるタイミングは、駆動シリンダ75cの駆動制御を開始するタイミングに合わせることが望ましい。
【0044】
この場合、吸気装置27の真空圧は、直前に測定したウェーハカセットCの真空圧(測定圧Pd)になるように制御されるため、接続時における被吸気口2…と吸気口3…間の圧力差はほとんど無く、ウェーハカセットCの内部が急激に吸気されることに伴う衝撃の発生は回避される。したがって、半導体ウェーハを傷付けたり、ウェーハカセットの耐久性を低下させる不具合は解消される。
【0045】
そして、接続が終了したなら、正常に接続されたか否か判別する。即ち、一定時間経過後における漏れがないか否か、設定圧Pdが維持されているか否か等を判別する(ステップS37)。この際、正常でない場合には、アラーム表示を行うとともに、以後の検査を停止するなどのアラーム処理を行う(ステップS38)。一方、正常の場合には、コントローラ7は吸気装置27を制御し、測定圧Pd(真空圧)を規定圧Psまで徐々に変化させる。上述した例では、−50〔KPa〕から−80〔KPa〕まで予め設定した変化勾配となるように制御することになる(ステップS39)。この後、ウェーハカセットCの真空圧が規定圧Psに達したなら、コントローラ7は開閉バルブ28を閉側に切換制御する(ステップS40,S41)。
【0046】
よって、任意のウェーハカセットCに対する個別接続処理が終了する(ステップS3)。この後、同様の個別接続処理(装填処理)をスロット31…の空が無くなるまで或いは検査すべき全てのウェーハカセットC…を装填するまで行う(ステップS4,S1〜S3)。そして、装填すべき全ウェーハカセットC…に対する個別接続処理が終了したなら、正常のウェーハカセットC…が有るか否か判別する(ステップS5)。この際、一つでも正常なウェーハカセットCがあれば検査を行う。
【0047】
この場合、各ウェーハカセットC…に対して吸気装置27が接続されるとともに、開閉バルブ28…は閉側に切換えられているため、コントローラ7は、吸気装置27に対して規定圧Psが発生するように制御するとともに、正常なウェーハカセットC…に接続される全ての開閉バルブ28…のみを、同時に開側に切換制御する(ステップS6)。これにより、各吸気通路R…が開放され、正常な全ウェーハカセットC…に対して規定圧Ps(真空圧)が同時に付与される。この際、上述した個別接続処理の場合と同様、各ウェーハカセットC…において、接続時における被吸気口2…と吸気口3…間の圧力差はほとんど無いため、ウェーハカセットC…の内部が急激に吸気されることに伴う衝撃の発生は回避される。なお、ステップS5において、正常なウェーハカセットC…が一つも無い場合にはエラー処理を行う(ステップS7)。エラー処理としては、例えば、エラー表示を行うとともに、自動取込機構により全てのウェーハカセットCの排出を行うことができる。
【0048】
他方、半導体ウェーハWはメインヒータ62とコンタクタ16に内蔵するサブヒータにより、125℃に加熱される。また、不図示の送風ファン及び換気ダクトにより試験槽33内は45℃の比較的低温に維持される。一方、半導体ウェーハWには、接続基部53のドライブ回路からコネクタ54…及び15…を介して試験信号が付与され、予め設定した試験時間だけ目的の環境試験が行われる。環境試験が終了すれば、駆動シリンダ67p,67qが駆動制御され、ヒータ支持部59の上昇により、メインヒータ62とウェーハカセットCの接触が解除されるとともに、カセット支持部58の上昇により、ウェーハカセットCと接続基部53の接続が解除される。また、真空接続機構70により、吸気口3…と被吸気口2…の接続が解除される。そして、不図示の自動装填機構により、ウェーハカセットCは自動で所定の位置まで押出されるため、検査装置本体Mのスロット31から取出すことができる。
【0049】
以上、実施例について詳細に説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、細部の構成,手法,素材,数量,数値等において、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更,追加,削除できる。例えば、圧力センサ5は、真空接続する際の測定圧Pdを得る目的で用いたが、通常のデータ収集に利用してもよい。また、コンタクトプローブ6a,6b,6cは、ウェーハカセットCが検査装置本体Mに収容される際の収容途中で圧力センサ5に接続する場合を示したが、検査装置本体Mに収容された後に接続する場合を排除するものではない。
【0050】
【発明の効果】
このように本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置は、ウェーハカセットに、このウェーハカセットの真空圧を測定する圧力センサを配設するとともに、検査装置本体に、この検査装置本体に収容されるウェーハカセットに接触して圧力センサに接続するコンタクトプローブ及びこのコンタクトプローブに接続したコントローラを備えるため、次のような顕著な効果を奏する。
【0051】
(1) 検査装置本体に収容された際におけるウェーハカセットの真空圧を容易かつ確実に測定できる。
【0052】
(2) 検査装置本体に収容された際におけるウェーハカセットの真空圧を測定できるため、測定された真空圧は、ウェーハカセットと真空吸引部を真空接続する際の衝撃を排除する真空吸引部の制御に利用することができる。
【0053】
また、本発明に係る半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法は、任意のウェーハカセットを検査装置本体へ収容した際に、任意のウェーハカセットの真空圧(測定圧)を測定し、かつ真空吸引部の真空圧を測定圧に制御して、吸気口と被吸気口を接続するとともに、接続後、真空吸引部の真空圧を規定圧まで変化させた後に吸気通路を閉じる個別接続処理を順次実行し、接続すべき全ウェーハカセットに対する個別接続処理が終了したなら、吸気通路を開いて全ウェーハカセットに規定圧を付与するようにしたため、次のような顕著な効果を奏する。
【0054】
(1) ウェーハカセットを真空吸引部に真空接続する際の衝撃を排除できるため、半導体ウェーハの傷付防止及びウェーハカセットの耐久性向上を図ることができる。
【0055】
(2) 好適な実施の態様により、ウェーハカセットが検査装置本体に収容される際の収容途中で、コンタクトプローブを圧力センサに接続することにより測定圧を測定するようにすれば、メインヒータ及びサブヒータの温度等の影響による真空圧の変動を回避することができる。
【0056】
(3) 好適な実施の態様により、真空吸引部の真空圧を規定圧まで変化させる際に、徐々に変化させるようにすれば、ウェーハカセットを真空吸引部に真空接続する際の衝撃をより緩和させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施例に係る半導体ウェーハ用検査装置の特徴部分を示す要部の模式的構成図、
【図2】同半導体ウェーハ用検査装置におけるウェーハカセットの一部断面正面図、
【図3】同半導体ウェーハ用検査装置の外観正面図、
【図4】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す図5中X−X線断面を含む一部断面正面構成図、
【図5】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す一部断面平面構成図、
【図6】同半導体ウェーハ用検査装置における真空接続機構の平面構成図、
【図7】同真空接続機構の一部断面を含む正面構成図、
【図8】本発明の好適な実施例に係る真空接続方法における全体の手順を示すフローチャート、
【図9】同真空接続方法における任意のウェーハカセットを装填する際の動作を示すフローチャート、
【図10】同真空接続方法における任意のウェーハカセットを装填した際における真空接続処理の手順を示すフローチャート、
【図11】同半導体ウェーハ用検査装置のウェーハカセットを正規の装填位置に取込んだ状態における特徴部分を示す要部の模式的構成図、
【図12】同半導体ウェーハ用検査装置における真空接続機構の動作を説明するための模式的平面構成図、
【符号の説明】
1 半導体ウェーハ用検査装置
2… 被吸気口
3… 吸気口
4 真空吸引部
5 圧力センサ
6a コンタクトプローブ
6b コンタクトプローブ
6c コンタクトプローブ
7 コントローラ
W 半導体ウェーハ
C ウェーハカセット
M 検査装置本体
R 吸気通路
Claims (8)
- 半導体ウェーハを真空吸着により保持するウェーハカセットと、前記ウェーハカセットが収容されたなら当該ウェーハカセットの被吸気口に、吸気口を接続して真空吸引する真空吸引部を内蔵した検査装置本体を備える半導体ウェーハ用検査装置において、前記ウェーハカセットに、このウェーハカセットの真空圧を測定する圧力センサを配設するとともに、前記検査装置本体に、この検査装置本体に収容される前記ウェーハカセットに接触して前記圧力センサに接続するコンタクトプローブ及びこのコンタクトプローブに接続したコントローラを備えることを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置。
- 前記コントローラは、前記圧力センサにより測定した真空圧に対応して前記真空吸引部を制御する制御機能を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ用検査装置。
- 前記コンタクトプローブは、少なくとも前記ウェーハカセットが前記検査装置本体に収容される際の収容途中で前記圧力センサに接続することを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ用検査装置。
- 半導体ウェーハを真空吸着により保持する複数のウェーハカセットを、検査装置本体へ収容した際に、この検査装置本体に内蔵した真空吸引部の吸気口と前記ウェーハカセットの被吸気口を接続する半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法において、任意のウェーハカセットを前記検査装置本体へ収容した際に、前記任意のウェーハカセットの真空圧(測定圧)を測定し、かつ前記真空吸引部の真空圧を前記測定圧になるように制御して、前記吸気口と前記被吸気口を接続するとともに、接続後、前記真空吸引部の真空圧を規定圧まで変化させた後に吸気通路を閉じる個別接続処理を順次実行し、接続すべき全ウェーハカセットに対する個別接続処理が終了したなら、前記吸気通路を開いて全ウェーハカセットに前記規定圧を付与することを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法。
- 前記ウェーハカセットに、前記測定圧を測定する圧力センサを配設するとともに、前記検査装置本体に、この検査装置本体に収容される前記ウェーハカセットに接触して前記圧力センサに接続するコンタクトプローブ及びこのコンタクトプローブに接続したコントローラを備えることを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法。
- 前記ウェーハカセットが前記検査装置本体に収容される際の収容途中で、前記コンタクトプローブを前記圧力センサに接続することにより前記測定圧を測定することを特徴とする請求項5記載の半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法。
- 前記真空吸引部の真空圧を規定圧まで変化させる際は、徐々に変化させることを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法。
- 前記測定圧が予め設定した正常範囲を外れているときは、不良処理を行うことを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ用検査装置の真空接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003013763A JP3820224B2 (ja) | 2003-01-22 | 2003-01-22 | 半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003013763A JP3820224B2 (ja) | 2003-01-22 | 2003-01-22 | 半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004228311A JP2004228311A (ja) | 2004-08-12 |
JP3820224B2 true JP3820224B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=32902008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003013763A Expired - Fee Related JP3820224B2 (ja) | 2003-01-22 | 2003-01-22 | 半導体ウェーハ用検査装置及び同装置の真空接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3820224B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3827427B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2006-09-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路の検査方法 |
-
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---|---|
JP2004228311A (ja) | 2004-08-12 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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