JP2002118098A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JP2002118098A
JP2002118098A JP2000308749A JP2000308749A JP2002118098A JP 2002118098 A JP2002118098 A JP 2002118098A JP 2000308749 A JP2000308749 A JP 2000308749A JP 2000308749 A JP2000308749 A JP 2000308749A JP 2002118098 A JP2002118098 A JP 2002118098A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction chamber
plasma
plasma processing
ring
flange
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000308749A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002118098A5 (cg-RX-API-DMAC7.html
Inventor
Kiyoo Miyake
清郎 三宅
Katsumichi Itou
克通 伊東
Kazuhiro Inoue
和弘 井上
Akizo Watanabe
彰三 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000308749A priority Critical patent/JP2002118098A/ja
Publication of JP2002118098A publication Critical patent/JP2002118098A/ja
Publication of JP2002118098A5 publication Critical patent/JP2002118098A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
JP2000308749A 2000-10-10 2000-10-10 プラズマ処理装置 Pending JP2002118098A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000308749A JP2002118098A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000308749A JP2002118098A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002118098A true JP2002118098A (ja) 2002-04-19
JP2002118098A5 JP2002118098A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2005-04-14

Family

ID=18789007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000308749A Pending JP2002118098A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002118098A (cg-RX-API-DMAC7.html)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006194303A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Nok Corp 耐プラズマ用シール
US7241346B2 (en) 2002-10-29 2007-07-10 Nhk Spring Co., Ltd. Apparatus for vapor deposition
JP2007308750A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Seikan Kaisha Ltd プラズマ処理装置
WO2008156031A1 (ja) * 2007-06-19 2008-12-24 Tokyo Electron Limited 真空処理装置
JP2010156456A (ja) * 2008-12-03 2010-07-15 Nok Corp 配水管継手の密封構造
JP2011527507A (ja) * 2008-07-07 2011-10-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバで用いるための真空ギャップを備えたプラズマ対向プローブ装置
CN103874316A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
JP2016040768A (ja) * 2014-07-24 2016-03-24 科▲こう▼電子股▲ふん▼有限公司 プラズマ反応装置用のブッシュユニット
JP2021036530A (ja) * 2016-03-29 2021-03-04 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
WO2025074557A1 (ja) * 2023-10-05 2025-04-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7241346B2 (en) 2002-10-29 2007-07-10 Nhk Spring Co., Ltd. Apparatus for vapor deposition
JP2006194303A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Nok Corp 耐プラズマ用シール
JP2007308750A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Seikan Kaisha Ltd プラズマ処理装置
WO2008156031A1 (ja) * 2007-06-19 2008-12-24 Tokyo Electron Limited 真空処理装置
KR101204160B1 (ko) * 2007-06-19 2012-11-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 처리 장치
JP2011527507A (ja) * 2008-07-07 2011-10-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバで用いるための真空ギャップを備えたプラズマ対向プローブ装置
JP2010156456A (ja) * 2008-12-03 2010-07-15 Nok Corp 配水管継手の密封構造
CN103874316B (zh) * 2014-03-24 2016-05-11 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
CN103874316A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
JP2016040768A (ja) * 2014-07-24 2016-03-24 科▲こう▼電子股▲ふん▼有限公司 プラズマ反応装置用のブッシュユニット
CN107376800A (zh) * 2014-07-24 2017-11-24 科闳电子股份有限公司 用于等离子反应装置的衬套单元
CN107376800B (zh) * 2014-07-24 2019-11-05 科闳电子股份有限公司 用于等离子反应装置的衬套单元
JP2021036530A (ja) * 2016-03-29 2021-03-04 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP7048702B2 (ja) 2016-03-29 2022-04-05 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP2022091870A (ja) * 2016-03-29 2022-06-21 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP7261335B2 (ja) 2016-03-29 2023-04-19 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
WO2025074557A1 (ja) * 2023-10-05 2025-04-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110544628B (zh) 对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置
US5366585A (en) Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
US7582186B2 (en) Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
US8414705B2 (en) Seal mechanism, seal trench, seal member, and substrate processing apparatus
KR101204160B1 (ko) 진공 처리 장치
JP2002118098A (ja) プラズマ処理装置
JPH08227876A (ja) プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー
US20090229759A1 (en) Annular assembly for plasma processing, plasma processing apparatus, and outer annular member
JP3940095B2 (ja) 基板処理装置
TWI320952B (en) Sealing part and substrate processing apparatus
JPH1032099A (ja) ハイパワー型マイクロ波プラズマアプリケータ
TWI642868B (zh) Gate valve device and plasma processing device
US5480052A (en) Domed extension for process chamber electrode
KR20010056330A (ko) 반도체소자 제조장치
JPH05315262A (ja) 半導体製造装置
JP4617701B2 (ja) Oリング取り外し用窪み構造を有する容器部材
JP2008091176A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置、一体型スロット形成部材、マイクロ波プラズマ処理装置の製造方法および使用方法
JP2004099924A (ja) 真空処理装置
JPH1032192A (ja) プラズマ処理装置
JP2003068713A (ja) プラズマ処理装置
TWM587359U (zh) 密封機構
JP2002164327A (ja) 半導体製造装置用石英チャンバー
JP4044218B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI876134B (zh) 電漿處理設備及方法
KR100639517B1 (ko) 확산기를 구비한 cvd 장비

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040607

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040607

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041019

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070313