JPH1032099A - ハイパワー型マイクロ波プラズマアプリケータ - Google Patents
ハイパワー型マイクロ波プラズマアプリケータInfo
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- JPH1032099A JPH1032099A JP9081322A JP8132297A JPH1032099A JP H1032099 A JPH1032099 A JP H1032099A JP 9081322 A JP9081322 A JP 9081322A JP 8132297 A JP8132297 A JP 8132297A JP H1032099 A JPH1032099 A JP H1032099A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Discharge Heating (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高熱に耐性のあるハイパワーでの取り扱いが
可能なプラズマアプリケータ（プラズマ発生器）を提供
すること。 【解決手段】 本発明のプラズマアプリケータは、円筒
形の外管１４と、外管１４の内部に同軸に配置された円
筒形のプラズマ管１２と、プラズマ管１２の一端に配置
された支持体２４と、前記端部にてプラズマ管１２を取
り囲み且つプラズマ管１２と支持体２４との間で圧縮さ
れるシール３０，３２であって、プラズマ管１２の前記
端部から第１の距離で配置されているシール３０，３２
と、プラズマ管１２内に第２の距離をもって延びている
シールド３２とから構成されるものである。
可能なプラズマアプリケータ（プラズマ発生器）を提供
すること。 【解決手段】 本発明のプラズマアプリケータは、円筒
形の外管１４と、外管１４の内部に同軸に配置された円
筒形のプラズマ管１２と、プラズマ管１２の一端に配置
された支持体２４と、前記端部にてプラズマ管１２を取
り囲み且つプラズマ管１２と支持体２４との間で圧縮さ
れるシール３０，３２であって、プラズマ管１２の前記
端部から第１の距離で配置されているシール３０，３２
と、プラズマ管１２内に第２の距離をもって延びている
シールド３２とから構成されるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマアプリケ
ータに関する。
ータに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマに基づく励起源、すなわちプラ
ズマアプリケータは、高反応性の化学的環境及び高温度
に耐えることができ且つ大きな入力電力を取り扱うこと
ができなければならないことが多い。例えば、プラズマ
アプリケータの一般的な応用においては、ＮＦ3ガスが
アプリケータ内に流入して、プラズマにより分解され
る。そして、生じた活性種がプラズマアプリケータから
流出した後、半導体処理設備内に流入し、そこで活性種
はインシチュウ（in-situ：その場）チャンバクリーニ
ング、エッチング、フォトレジスト除去又はその他の多
数の処理に用いられる。インシチュウチャンバクリーニ
ングのために活性種を用いる例の一つとしては、特願平
７−１８５９２４号（発明の名称「遠隔の励起源を用い
る堆積チャンバーのクリーニング技術」）明細書（対応
米国特許願０８／２７８，６０５）に開示されており、
その内容は本明細書で援用する。
ズマアプリケータは、高反応性の化学的環境及び高温度
に耐えることができ且つ大きな入力電力を取り扱うこと
ができなければならないことが多い。例えば、プラズマ
アプリケータの一般的な応用においては、ＮＦ3ガスが
アプリケータ内に流入して、プラズマにより分解され
る。そして、生じた活性種がプラズマアプリケータから
流出した後、半導体処理設備内に流入し、そこで活性種
はインシチュウ（in-situ：その場）チャンバクリーニ
ング、エッチング、フォトレジスト除去又はその他の多
数の処理に用いられる。インシチュウチャンバクリーニ
ングのために活性種を用いる例の一つとしては、特願平
７−１８５９２４号（発明の名称「遠隔の励起源を用い
る堆積チャンバーのクリーニング技術」）明細書（対応
米国特許願０８／２７８，６０５）に開示されており、
その内容は本明細書で援用する。
【０００３】前記設備がさらされる極めて劣悪な環境
は、プラズマアプリケータを短時間のうちに機能しない
状態とする可能性がある。例えば、購入可能な幾つかの
アプリケータは、活性種を内含するために石英管を用い
ている。このようなシステムにおいては、生成されたフ
ッ素が管を極めて短時間でエッチングしてしまう。更
に、高パワーレベル（例えば１ｋＷ以上）の場合、石英
は分解する傾向がある。従って、ほんの数回或は処理の
持続時間の間アプリケータを使用した後、管壁は薄くな
り、かかるシステムで用いられる高温及び真空に連続的
にさらされると破損することとなる。よって、管の寿命
の非常に早い時期に、管は廃棄されて新しい管に交換さ
れなければならない。石英管を繰り返し交換しなければ
ならない不便さとコストは極めて高いものである。
は、プラズマアプリケータを短時間のうちに機能しない
状態とする可能性がある。例えば、購入可能な幾つかの
アプリケータは、活性種を内含するために石英管を用い
ている。このようなシステムにおいては、生成されたフ
ッ素が管を極めて短時間でエッチングしてしまう。更
に、高パワーレベル（例えば１ｋＷ以上）の場合、石英
は分解する傾向がある。従って、ほんの数回或は処理の
持続時間の間アプリケータを使用した後、管壁は薄くな
り、かかるシステムで用いられる高温及び真空に連続的
にさらされると破損することとなる。よって、管の寿命
の非常に早い時期に、管は廃棄されて新しい管に交換さ
れなければならない。石英管を繰り返し交換しなければ
ならない不便さとコストは極めて高いものである。
【０００４】既存のプラズマアプリケータには、石英管
の代わりにセラミック管を用いているものがある。セラ
ミック管は、しはしば生ずる化学的な腐食環境において
石英管よりも良好に耐えることができる。しかし、セラ
ミック管は万能ではない。セラミック管は、一般的に
は、石英やその他の材料に比して熱膨張率が比較的に高
い。従って、室温と前記システムで一般に生ずる高い処
理温度との間での繰返しサイクルは、セラミック管の内
部に大きな応力を発生させる。このような応力は管に割
れや破損を生ずるおそれがある。
の代わりにセラミック管を用いているものがある。セラ
ミック管は、しはしば生ずる化学的な腐食環境において
石英管よりも良好に耐えることができる。しかし、セラ
ミック管は万能ではない。セラミック管は、一般的に
は、石英やその他の材料に比して熱膨張率が比較的に高
い。従って、室温と前記システムで一般に生ずる高い処
理温度との間での繰返しサイクルは、セラミック管の内
部に大きな応力を発生させる。このような応力は管に割
れや破損を生ずるおそれがある。
【０００５】マイクロ波放射線を透過する材料、例えば
石英やサファイヤから作られた２本の同軸の管、すなわ
ち外管と内管とを用いた幾つかのマイクロ波プラズマア
プリケータが開発されている。内管は、プラズマを内包
し、よって高温と腐食性の状況にさらされる管である。
内管を冷却するために、水が２本の管の間の環状領域を
通して流される。このようなシステムは、１９９５年２
月１３日に出願された米国特許願０８／３８７，６０３
に開示されており、その内容は本明細書で援用する。水
はマイクロ波を吸収するので、環状領域の厚さをどの程
度に作るかについての幾つかの制限がある。相当に厚い
場合には、マイクロ波は非常に減衰されることとなり、
内管内にプラズマを生起させ持続させることが困難とな
り、或は不可能な場合さえある。他方、この領域が非常
に狭い場合には、冷却効率が過剰となる。
石英やサファイヤから作られた２本の同軸の管、すなわ
ち外管と内管とを用いた幾つかのマイクロ波プラズマア
プリケータが開発されている。内管は、プラズマを内包
し、よって高温と腐食性の状況にさらされる管である。
内管を冷却するために、水が２本の管の間の環状領域を
通して流される。このようなシステムは、１９９５年２
月１３日に出願された米国特許願０８／３８７，６０３
に開示されており、その内容は本明細書で援用する。水
はマイクロ波を吸収するので、環状領域の厚さをどの程
度に作るかについての幾つかの制限がある。相当に厚い
場合には、マイクロ波は非常に減衰されることとなり、
内管内にプラズマを生起させ持続させることが困難とな
り、或は不可能な場合さえある。他方、この領域が非常
に狭い場合には、冷却効率が過剰となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プラズマアプリケータ
の設計における進歩にも拘らず、未だ、プラズマ管の熱
膨張により生ずる大きな熱応力によって、管に割れを生
ずるおそれがある。更に、プラズマ管のみが、損傷する
要素ではない。プラズマ管内を真空に維持する助けとな
り、或は冷却システムをシールする助けとなるシール及
びＯリングも、高温やこのようなシステムに生ずる他の
劣悪な状況にさらされた場合に、急速に劣化し損傷する
おそれがある。更にまた、パワーレベルが１ｋＷを越え
て増加した場合、現在入手できるプラズマアプリケータ
における損傷の問題は、より一層ひどくなり、損傷が生
ずる頻度は増加する。
の設計における進歩にも拘らず、未だ、プラズマ管の熱
膨張により生ずる大きな熱応力によって、管に割れを生
ずるおそれがある。更に、プラズマ管のみが、損傷する
要素ではない。プラズマ管内を真空に維持する助けとな
り、或は冷却システムをシールする助けとなるシール及
びＯリングも、高温やこのようなシステムに生ずる他の
劣悪な状況にさらされた場合に、急速に劣化し損傷する
おそれがある。更にまた、パワーレベルが１ｋＷを越え
て増加した場合、現在入手できるプラズマアプリケータ
における損傷の問題は、より一層ひどくなり、損傷が生
ずる頻度は増加する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一面において、本発明
は、概略的に述べると、円筒形の外管と、この外管の内
部に同軸に配置され、第１の端部及び第２の端部を有し
ている円筒形のプラズマ管と、プラズマ管の第１の端部
に配置された第１の支持体と、第１の端部にてプラズマ
管を取り囲み且つプラズマ管と第１の支持体との間で圧
縮されるシールであって、プラズマ管の第１の端部から
第１の距離で配置されている前記シールと、プラズマ管
内に第２の距離をもって延びているシールドと、を備え
るプラズマアプリケータである。
は、概略的に述べると、円筒形の外管と、この外管の内
部に同軸に配置され、第１の端部及び第２の端部を有し
ている円筒形のプラズマ管と、プラズマ管の第１の端部
に配置された第１の支持体と、第１の端部にてプラズマ
管を取り囲み且つプラズマ管と第１の支持体との間で圧
縮されるシールであって、プラズマ管の第１の端部から
第１の距離で配置されている前記シールと、プラズマ管
内に第２の距離をもって延びているシールドと、を備え
るプラズマアプリケータである。
【０００８】また、他の面において、本発明は、概略的
に述べると、円筒形の外管と、外管の内部に同軸に配置
され、内壁面を有している円筒形のプラズマ管と、プラ
ズマ管内に延びているプラグを有するアダプタと、を備
えており、前記プラグが、当該プラグのプラズマ管内に
延びている部分とプラズマ管の内壁面と間で環状の間隙
領域を画成し、前記アダプタが、作動中にプラズマ管内
にプロセスガスを流入させる経路を形成するよう前記環
状の間隙領域と連通する流路が内部に形成されているプ
ラズマアプリケータである。
に述べると、円筒形の外管と、外管の内部に同軸に配置
され、内壁面を有している円筒形のプラズマ管と、プラ
ズマ管内に延びているプラグを有するアダプタと、を備
えており、前記プラグが、当該プラグのプラズマ管内に
延びている部分とプラズマ管の内壁面と間で環状の間隙
領域を画成し、前記アダプタが、作動中にプラズマ管内
にプロセスガスを流入させる経路を形成するよう前記環
状の間隙領域と連通する流路が内部に形成されているプ
ラズマアプリケータである。
【０００９】更に他の面において、本発明は、概略的に
は、円筒形の外管と、外管の内部に配置されると共に外
管と軸線方向に整列され、第１の端部及び第２の端部を
有している円筒形のプラズマ管と、プラズマ管の第１の
端部に配置された第１の支持体であって、プラズマ管及
び外管を受け入れる第１の穴が形成されている前記第１
の支持体と、前記第１の端部にてプラズマ管を取り囲み
且つ前記プラズマ管と前記第１の穴の内壁面との間で延
びている第１のシールと、外管を取り囲み且つ外管と第
１の穴の内壁面との間で延びている第２のシールとを備
えるプラズマアプリケータである。円筒形のプラズマ管
と外管とは、作動中に冷却材が流通する環状の間隙領域
を、両者間に形成している。
は、円筒形の外管と、外管の内部に配置されると共に外
管と軸線方向に整列され、第１の端部及び第２の端部を
有している円筒形のプラズマ管と、プラズマ管の第１の
端部に配置された第１の支持体であって、プラズマ管及
び外管を受け入れる第１の穴が形成されている前記第１
の支持体と、前記第１の端部にてプラズマ管を取り囲み
且つ前記プラズマ管と前記第１の穴の内壁面との間で延
びている第１のシールと、外管を取り囲み且つ外管と第
１の穴の内壁面との間で延びている第２のシールとを備
えるプラズマアプリケータである。円筒形のプラズマ管
と外管とは、作動中に冷却材が流通する環状の間隙領域
を、両者間に形成している。
【００１０】好適な実施態様において、本発明のプラズ
マアプリケータは、プラズマ管の第２の端部に配置され
た第２の支持体であって、プラズマ管及び外管を受け入
れる第２の穴が形成されている前記第２の支持体と、第
２の端部にてプラズマ管を取り囲み且つプラズマ管と第
２の穴の内壁面との間で延びている第３のシールと、外
管を取り囲み且つ外管と第２の穴の内壁面との間で延び
ている第４のシールとを更に備えている。プラズマ管は
外管よりも長く、プラズマ管は外管の両端から突出して
いる。第１の支持体は、その内部に形成された穴まで貫
通して延びている複数の冷却材入口ポートを有してい
る。冷却材が前記複数の冷却材入口ポートを通して環状
の間隙領域に導入された場合に、プラズマ管に径方向に
おいて生ずる正味の力が実質的に零となるように、複数
の冷却材入口ポートはプラズマ管の軸線の回りに配置さ
れている。
マアプリケータは、プラズマ管の第２の端部に配置され
た第２の支持体であって、プラズマ管及び外管を受け入
れる第２の穴が形成されている前記第２の支持体と、第
２の端部にてプラズマ管を取り囲み且つプラズマ管と第
２の穴の内壁面との間で延びている第３のシールと、外
管を取り囲み且つ外管と第２の穴の内壁面との間で延び
ている第４のシールとを更に備えている。プラズマ管は
外管よりも長く、プラズマ管は外管の両端から突出して
いる。第１の支持体は、その内部に形成された穴まで貫
通して延びている複数の冷却材入口ポートを有してい
る。冷却材が前記複数の冷却材入口ポートを通して環状
の間隙領域に導入された場合に、プラズマ管に径方向に
おいて生ずる正味の力が実質的に零となるように、複数
の冷却材入口ポートはプラズマ管の軸線の回りに配置さ
れている。
【００１１】本発明は、更に別の面においては、概略的
に述べると、円筒形の外管と、外管の内部に配置される
と共に外管と軸線方向に整列され、第１の端部及び第２
の端部を有している円筒形のプラズマ管であって、作動
中に冷却材が流通する環状の間隙領域を外管との間で形
成する前記プラズマ管と、プラズマ管の第１の端部に配
置された第１の支持体であって、プラズマ管及び外管を
受け入れる略円筒形の穴が形成されている前記第１の支
持体と、第１の端部にてプラズマ管を取り囲み、プラズ
マ管と円筒形の穴の内壁面との間で延び、且つ、プラズ
マ管の第１の端部から第１の距離で配置された第１のシ
ールと、外管を取り囲み且つ外管と円筒形の穴の内壁面
との間で延びている第２のシールとを備えており、第１
の支持体が、その内部に形成された穴まで貫通して延び
ている複数の冷却材入口ポートを有し、前記複数の冷却
材入口ポートがプラズマ管の軸線の回りに対称的に配置
されているプラズマアプリケータである。
に述べると、円筒形の外管と、外管の内部に配置される
と共に外管と軸線方向に整列され、第１の端部及び第２
の端部を有している円筒形のプラズマ管であって、作動
中に冷却材が流通する環状の間隙領域を外管との間で形
成する前記プラズマ管と、プラズマ管の第１の端部に配
置された第１の支持体であって、プラズマ管及び外管を
受け入れる略円筒形の穴が形成されている前記第１の支
持体と、第１の端部にてプラズマ管を取り囲み、プラズ
マ管と円筒形の穴の内壁面との間で延び、且つ、プラズ
マ管の第１の端部から第１の距離で配置された第１のシ
ールと、外管を取り囲み且つ外管と円筒形の穴の内壁面
との間で延びている第２のシールとを備えており、第１
の支持体が、その内部に形成された穴まで貫通して延び
ている複数の冷却材入口ポートを有し、前記複数の冷却
材入口ポートがプラズマ管の軸線の回りに対称的に配置
されているプラズマアプリケータである。
【００１２】本発明の前記種々の面を具現化するプラズ
マアプリケータは、６ｋＷを容易に扱うことができ、そ
れよりも相当な大きなパワーレベルでも何等問題なく扱
えると考えられる。
マアプリケータは、６ｋＷを容易に扱うことができ、そ
れよりも相当な大きなパワーレベルでも何等問題なく扱
えると考えられる。
【００１３】Ｏリング特有の形状が、サファイヤ管と石
英管とに同軸性を与え、また、アプリケータの構成要素
の熱膨張差を許容して、サファイヤ管と同様な重要な要
素における応力を減じ、更に、ガス・プラズマシステム
及び水システムのシールを可能とする。また、水システ
ムとガス・プラズマシステムをシールするために別個独
立のＯリングを用いているので、シールは各目的に応じ
た最適なものとなる。
英管とに同軸性を与え、また、アプリケータの構成要素
の熱膨張差を許容して、サファイヤ管と同様な重要な要
素における応力を減じ、更に、ガス・プラズマシステム
及び水システムのシールを可能とする。また、水システ
ムとガス・プラズマシステムをシールするために別個独
立のＯリングを用いているので、シールは各目的に応じ
た最適なものとなる。
【００１４】更に、独特なシールドの構成（すなわち、
プラズマ管内に各端部で延びる延長部）は、サファイヤ
管のＯリングを幾つかの方法で保護することを可能とす
る。それは、透過性を有するサファイヤ製プラズマ管を
透過した広帯域プラズマ放射にＯリングが直接さらされ
るのを防止する。また、シールドは、プラズマがプラズ
マ用Ｏリングに達するまで伝播しなければならない長い
経路（すなわち、ラビリンスシール）を提供するもので
ある。この経路は、プラズマがＯリングに到達するのを
抑制し、プラズマを冷却し、シールに達するまでに活性
度を低減させる。更に、シールドは、プラズマからサフ
ァイヤ管の端部に入る熱を減じ、サファイヤ管の端部の
温度を低く維持する。Ｏリングはサファイヤ管と直接接
触し高温で劣化されるので、温度を低く維持することは
Ｏリングの寿命を延ばす。プラズマＯリングを遮蔽する
ことは、管に接している他のＯリングが受けるような直
接的な水冷の利益を受けないので、重要である。
プラズマ管内に各端部で延びる延長部）は、サファイヤ
管のＯリングを幾つかの方法で保護することを可能とす
る。それは、透過性を有するサファイヤ製プラズマ管を
透過した広帯域プラズマ放射にＯリングが直接さらされ
るのを防止する。また、シールドは、プラズマがプラズ
マ用Ｏリングに達するまで伝播しなければならない長い
経路（すなわち、ラビリンスシール）を提供するもので
ある。この経路は、プラズマがＯリングに到達するのを
抑制し、プラズマを冷却し、シールに達するまでに活性
度を低減させる。更に、シールドは、プラズマからサフ
ァイヤ管の端部に入る熱を減じ、サファイヤ管の端部の
温度を低く維持する。Ｏリングはサファイヤ管と直接接
触し高温で劣化されるので、温度を低く維持することは
Ｏリングの寿命を延ばす。プラズマＯリングを遮蔽する
ことは、管に接している他のＯリングが受けるような直
接的な水冷の利益を受けないので、重要である。
【００１５】また、プラズマと直接接するシールド（例
えば、プラズマ管の端部での延長部）の硬質被膜の陽極
酸化処理は、システムと処理チャンバを汚染するパーテ
ィクルを生じ得るアーク放電の危険性を大幅に減じる。
えば、プラズマ管の端部での延長部）の硬質被膜の陽極
酸化処理は、システムと処理チャンバを汚染するパーテ
ィクルを生じ得るアーク放電の危険性を大幅に減じる。
【００１６】他の利点及び特徴については、以下の好適
な実施形態から明かとなろう。
な実施形態から明かとなろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１〜図３を参照すると、本発明
を具現化した液体冷却式のハイパワー型遠隔プラズマア
プリケータ１０はサファイヤ製のプラズマ管１２を備え
ており、このプラズマ管１２は外側の石英管１４の内部
に同軸に整列して配置されている。プラズマ管１２は、
石英管１４よりも長く、石英管１４の両端から突出する
ように石英管１４内に配置されている。石英管１４の内
壁面とプラズマ管１２の外壁面とは狭い環状領域１６を
画成しており（図３に明示する）、この環状領域１６に
冷却材がプラズマ管１２を冷却すべく流通される。冷却
材として水又はその他のマイクロ波吸収液体が用いられ
る場合、間隙の半径方向寸法は、冷却材がマイクロ波エ
ネルギを吸収しすぎないように十分に小さくされる。
を具現化した液体冷却式のハイパワー型遠隔プラズマア
プリケータ１０はサファイヤ製のプラズマ管１２を備え
ており、このプラズマ管１２は外側の石英管１４の内部
に同軸に整列して配置されている。プラズマ管１２は、
石英管１４よりも長く、石英管１４の両端から突出する
ように石英管１４内に配置されている。石英管１４の内
壁面とプラズマ管１２の外壁面とは狭い環状領域１６を
画成しており（図３に明示する）、この環状領域１６に
冷却材がプラズマ管１２を冷却すべく流通される。冷却
材として水又はその他のマイクロ波吸収液体が用いられ
る場合、間隙の半径方向寸法は、冷却材がマイクロ波エ
ネルギを吸収しすぎないように十分に小さくされる。
【００１８】管１２，１４は、中央ボディ２０を含む幾
つかの構成要素から成る金属製（例えばアルミニウム）
のハウジング内にて支持されている。中央ボディ２０
は、矩形の導波部分２２を含んでおり、また、管１２，
１４の回りに形成され且つ矩形導波部分の上下に延びる
円筒形状の共振空胴２３を有している。矩形導波部分２
２は、マイクロ波供給源２０８（図４参照）からのマイ
クロ波エネルギを受け、それをプラズマ管１２内に結合
させ、プラズマ管１２において、稼働中にプラズマを発
生させ維持する。また、ハウジングは上部支持カラー２
４及び下部支持カラー４６を含んでおり、これら支持カ
ラー２４，４６の両者は中央ボディ２０の両端にそれぞ
れ螺着されている。上下の支持カラー２４，４６は、管
１２，１４の端部を覆うようにして嵌合され、これらの
端部を物理的に支持している。このアプリケータ１０の
ガス入口端部の位置においては、プラグ延長部３２を有
するキャッププレート３０が上部支持カラー２４にボル
ト止めされ、プラグ延長部３２はプラズマ管１２内に下
方に延びている。アプリケータ１０の出口端部の位置に
おいては、中空の円筒形延長部５２を有するアダプタプ
レートが下部支持カラー４６にボルト止めされており、
円筒形延長部５２はプラズマ管１２内に上方に延びてい
る。
つかの構成要素から成る金属製（例えばアルミニウム）
のハウジング内にて支持されている。中央ボディ２０
は、矩形の導波部分２２を含んでおり、また、管１２，
１４の回りに形成され且つ矩形導波部分の上下に延びる
円筒形状の共振空胴２３を有している。矩形導波部分２
２は、マイクロ波供給源２０８（図４参照）からのマイ
クロ波エネルギを受け、それをプラズマ管１２内に結合
させ、プラズマ管１２において、稼働中にプラズマを発
生させ維持する。また、ハウジングは上部支持カラー２
４及び下部支持カラー４６を含んでおり、これら支持カ
ラー２４，４６の両者は中央ボディ２０の両端にそれぞ
れ螺着されている。上下の支持カラー２４，４６は、管
１２，１４の端部を覆うようにして嵌合され、これらの
端部を物理的に支持している。このアプリケータ１０の
ガス入口端部の位置においては、プラグ延長部３２を有
するキャッププレート３０が上部支持カラー２４にボル
ト止めされ、プラグ延長部３２はプラズマ管１２内に下
方に延びている。アプリケータ１０の出口端部の位置に
おいては、中空の円筒形延長部５２を有するアダプタプ
レートが下部支持カラー４６にボルト止めされており、
円筒形延長部５２はプラズマ管１２内に上方に延びてい
る。
【００１９】上部支持カラー２４（図２に明示する）は
２つの冷却材入口ポート２６ａ，２６ｂを有しており、
これらは互いに対称的に反対向きに配置され、カラー２
４の中心を貫通する円筒形の穴２８と連通している。穴
２８は、直径Ｄ1の下部円筒形領域３３と、これよりも
小さな直径Ｄ2の上部円筒形領域３４とを画成する段付
き内壁面３１を有している。直径Ｄ1は、石英管１４を
収容できるよう、石英管１４の外径よりも僅かに大き
い。更に、下部円筒形領域３３は、Ｏリング４０を保持
する単一の溝３８を有している。上部円筒形領域３４の
直径Ｄ2はプラズマ管１２の外径よりも僅かに大きい
が、石英管１４の外径よりも小さい。従って、上部円筒
形領域３４はプラズマ管１２を収容する。更に、上部円
筒形領域３４の内壁面３１には２本の溝４２，４４が形
成されており、それぞれ、対応のＯリング７０，７２を
保持している。溝４２，４４は、入口ポート２６ａ，２
６ｂがカラーを貫通する位置の上方に隣接して配置され
ており、溝３８は入口ポート２６ａ，２６ｂの下方に隣
接して配置されている。
２つの冷却材入口ポート２６ａ，２６ｂを有しており、
これらは互いに対称的に反対向きに配置され、カラー２
４の中心を貫通する円筒形の穴２８と連通している。穴
２８は、直径Ｄ1の下部円筒形領域３３と、これよりも
小さな直径Ｄ2の上部円筒形領域３４とを画成する段付
き内壁面３１を有している。直径Ｄ1は、石英管１４を
収容できるよう、石英管１４の外径よりも僅かに大き
い。更に、下部円筒形領域３３は、Ｏリング４０を保持
する単一の溝３８を有している。上部円筒形領域３４の
直径Ｄ2はプラズマ管１２の外径よりも僅かに大きい
が、石英管１４の外径よりも小さい。従って、上部円筒
形領域３４はプラズマ管１２を収容する。更に、上部円
筒形領域３４の内壁面３１には２本の溝４２，４４が形
成されており、それぞれ、対応のＯリング７０，７２を
保持している。溝４２，４４は、入口ポート２６ａ，２
６ｂがカラーを貫通する位置の上方に隣接して配置され
ており、溝３８は入口ポート２６ａ，２６ｂの下方に隣
接して配置されている。
【００２０】上部カラー２４が本体上に管１２，１４と
共に適所に組み付けられた場合、下部の０リング４０は
石英管１４の回りで圧縮され石英管１４を固定し、上部
の２本のＯリング７０，７２はプラズマ管１２の回りで
圧縮されてこのプラズマ管１２を固定する。
共に適所に組み付けられた場合、下部の０リング４０は
石英管１４の回りで圧縮され石英管１４を固定し、上部
の２本のＯリング７０，７２はプラズマ管１２の回りで
圧縮されてこのプラズマ管１２を固定する。
【００２１】下部支持カラー４６は上部カラー２４とほ
ぼ同様に設計されている。カラー４６は２つの冷却材出
口ポート４８ａ，４８ｂを備えており、これらのポート
４８ａ，４８ｂも互いに対称的に反対向きに配置され、
下部支持カラー４６の中心を貫通する円筒形の穴と連通
している。下部支持カラー４６の穴は、直径Ｄ1の上部
円筒形領域と、これよりも小さな直径Ｄ2の下部円筒形
領域とを画成する段付き内壁面を有している。下部円筒
形領域の内壁面は、２本の溝、すなわち下部溝６２と上
部溝６４とを有しており、それぞれ、対応のＯリング８
０，８２を保持している。上部円筒形領域の内壁面は、
Ｏリング６０を保持する単一の溝５８を有している。溝
６２，６４は、出口ポート４８ａ，４８ｂが支持カラー
４６を貫通する位置の下方に隣接して配置されており、
溝５８は出口ポート４８ａ，４８ｂの上方に隣接して配
置されている。
ぼ同様に設計されている。カラー４６は２つの冷却材出
口ポート４８ａ，４８ｂを備えており、これらのポート
４８ａ，４８ｂも互いに対称的に反対向きに配置され、
下部支持カラー４６の中心を貫通する円筒形の穴と連通
している。下部支持カラー４６の穴は、直径Ｄ1の上部
円筒形領域と、これよりも小さな直径Ｄ2の下部円筒形
領域とを画成する段付き内壁面を有している。下部円筒
形領域の内壁面は、２本の溝、すなわち下部溝６２と上
部溝６４とを有しており、それぞれ、対応のＯリング８
０，８２を保持している。上部円筒形領域の内壁面は、
Ｏリング６０を保持する単一の溝５８を有している。溝
６２，６４は、出口ポート４８ａ，４８ｂが支持カラー
４６を貫通する位置の下方に隣接して配置されており、
溝５８は出口ポート４８ａ，４８ｂの上方に隣接して配
置されている。
【００２２】上部支持カラー２４におけるＯリング４
０，７２及び下部支持カラー４６におけるＯリング６
０，８２は、プラズマ管１２の回りに形成される冷却材
ジャケットから冷却材が漏出するのを防止するシールと
して機能する。Ｏリング７０，８０は、プラズマ管内の
プラズマ及び活性ガスが漏出するのを防止するシールと
して機能する。水及びガス又はその一方がシールを越え
て万が一漏出した場合には、その漏出物を、第２のシー
ルを突破する危険性なく逃すことのできるブリード穴７
５がある。ブリード穴７５は、溝用とプラズマ用のＯリ
ングを保持する２本の溝の間で、上下の支持カラー２
４，４６を貫通して穿設されている（図２参照）。ま
た、アプリケータの他端にて２本のＯリングを通って起
こり得る漏洩を扱うために、同様に配置されたブリード
穴が下部支持カラー４６に設けられている。
０，７２及び下部支持カラー４６におけるＯリング６
０，８２は、プラズマ管１２の回りに形成される冷却材
ジャケットから冷却材が漏出するのを防止するシールと
して機能する。Ｏリング７０，８０は、プラズマ管内の
プラズマ及び活性ガスが漏出するのを防止するシールと
して機能する。水及びガス又はその一方がシールを越え
て万が一漏出した場合には、その漏出物を、第２のシー
ルを突破する危険性なく逃すことのできるブリード穴７
５がある。ブリード穴７５は、溝用とプラズマ用のＯリ
ングを保持する２本の溝の間で、上下の支持カラー２
４，４６を貫通して穿設されている（図２参照）。ま
た、アプリケータの他端にて２本のＯリングを通って起
こり得る漏洩を扱うために、同様に配置されたブリード
穴が下部支持カラー４６に設けられている。
【００２３】２種類のＯリングが用いられている。冷却
材と接するＯリング（すなわち、Ｏリング４０，６０，
７２，８２）は、購入可能なエチレン−プロピレン製の
Ｏリングである。他方、プラズマと接する可能性のある
Ｏリング（すなわち、Ｏリング７０，８０）は、マイク
ロ波を吸収せず化学的に耐性のある材料から作られてい
る。この実施形態では、デュポン・コーポレーションか
ら購入可能なホワイト・カルレツ（Ｗｈｉｔｅ Ｋａｌ
ｒｅｚ（商標））製のＯリングが用いられている。
材と接するＯリング（すなわち、Ｏリング４０，６０，
７２，８２）は、購入可能なエチレン−プロピレン製の
Ｏリングである。他方、プラズマと接する可能性のある
Ｏリング（すなわち、Ｏリング７０，８０）は、マイク
ロ波を吸収せず化学的に耐性のある材料から作られてい
る。この実施形態では、デュポン・コーポレーションか
ら購入可能なホワイト・カルレツ（Ｗｈｉｔｅ Ｋａｌ
ｒｅｚ（商標））製のＯリングが用いられている。
【００２４】Ｏリング４０，６０，７０，７２，８０，
８２の形状は、漏れに対するシールを提供すること以上
に、更に重要な利点を少なくとも２つ提供するものであ
る。第１は、２本の管の同軸性を維持する助けとなる点
である。第２は、２本の管の異なる軸線方向の熱膨張を
許容し、管に割れや損傷を与える可能性がある過剰な応
力を発生しない点である。
８２の形状は、漏れに対するシールを提供すること以上
に、更に重要な利点を少なくとも２つ提供するものであ
る。第１は、２本の管の同軸性を維持する助けとなる点
である。第２は、２本の管の異なる軸線方向の熱膨張を
許容し、管に割れや損傷を与える可能性がある過剰な応
力を発生しない点である。
【００２５】キャッププレート３０が上部支持カラー２
４に組み付けられたとき、円筒形のプラグ延長部３２は
プラズマ管１２内に十分に延び、その下端は、少なくと
も冷却材用のＯリング７２の高さよりも下方に位置され
る。キャッププレート３０は、上部支持カラーと接合す
る面部分に形成された環状のＯリング溝３５を有してい
る。溝３５はヴァイトン（Ｖｉｔｏｎ（商標））製のＯ
リングを保持し、このＯリングはプラズマ管１２内の真
空を維持するのを助けると共に、活性ガスが漏出するの
を防止する。
４に組み付けられたとき、円筒形のプラグ延長部３２は
プラズマ管１２内に十分に延び、その下端は、少なくと
も冷却材用のＯリング７２の高さよりも下方に位置され
る。キャッププレート３０は、上部支持カラーと接合す
る面部分に形成された環状のＯリング溝３５を有してい
る。溝３５はヴァイトン（Ｖｉｔｏｎ（商標））製のＯ
リングを保持し、このＯリングはプラズマ管１２内の真
空を維持するのを助けると共に、活性ガスが漏出するの
を防止する。
【００２６】キャッププレート３０のプラグ延長部３２
は、プラズマ管と接する２本のＯリング（すなわち、Ｏ
リング７０，７２）のためのシールドとして機能し、こ
れらのＯリングが、プラズマにより発生する好ましくな
い放射線に直接さらされるのを防止する。この実施形態
において、キャッププレート３０は全体が、熱伝導性が
非常に良いアルミニウムから作られている。また、プラ
グ延長部３２は、プラズマ管の近傍部分内に入る熱を減
じることにより、プラズマ内に生ずる高温からＯリング
を保護するよう働く。
は、プラズマ管と接する２本のＯリング（すなわち、Ｏ
リング７０，７２）のためのシールドとして機能し、こ
れらのＯリングが、プラズマにより発生する好ましくな
い放射線に直接さらされるのを防止する。この実施形態
において、キャッププレート３０は全体が、熱伝導性が
非常に良いアルミニウムから作られている。また、プラ
グ延長部３２は、プラズマ管の近傍部分内に入る熱を減
じることにより、プラズマ内に生ずる高温からＯリング
を保護するよう働く。
【００２７】また、キャッププレート３０は、プロセス
ガスをプラズマ管１２内に導く流路を提供している。円
筒形のプラグ延長部３２の直径はプラズマ管１２の内径
よりも小さく、キャッププレート３０がアプリケータ１
０に組み付けられたときに、狭い環状の間隙領域９０が
プラグ延長部３２とプラズマ管１２の内壁面との間に存
するようにしている。プラグ延長部３２は、その上端近
傍において、プラグの直径をステップ状に大きくするこ
とにより形成された肩部９２を有している。肩部９２
は、装置が組み立てられた後にプラズマ管がプラグ延長
部３２上で軸線方向に摺動するのを防止するストッパと
して機能する。アプリケータが組み立てられたとき、肩
部９２と他端の対応の肩部とは、プラズマ管が加熱され
たときに軸線方向に自由に膨張できるようプラズマ管の
長さよりも十分に大きな距離をもって、互いに離間され
ている。
ガスをプラズマ管１２内に導く流路を提供している。円
筒形のプラグ延長部３２の直径はプラズマ管１２の内径
よりも小さく、キャッププレート３０がアプリケータ１
０に組み付けられたときに、狭い環状の間隙領域９０が
プラグ延長部３２とプラズマ管１２の内壁面との間に存
するようにしている。プラグ延長部３２は、その上端近
傍において、プラグの直径をステップ状に大きくするこ
とにより形成された肩部９２を有している。肩部９２
は、装置が組み立てられた後にプラズマ管がプラグ延長
部３２上で軸線方向に摺動するのを防止するストッパと
して機能する。アプリケータが組み立てられたとき、肩
部９２と他端の対応の肩部とは、プラズマ管が加熱され
たときに軸線方向に自由に膨張できるようプラズマ管の
長さよりも十分に大きな距離をもって、互いに離間され
ている。
【００２８】穴１１０がキャッププレート３０に径方向
且つ水平に延設されており、キャッププレート３０の中
心を越えている。この穴１１０は、アプリケータ１０内
に前駆ガス（precursor gas）を供給する入口ポートを
形成している。プラグ延長部３２の回りには、肩部９２
の近傍に（すなわち、プラグ延長部３２の直径が増加す
る点の直前）Ｖ字状の溝１１２があり、この溝１１２は
プラグ延長部の周囲に環状凹部を形成している。溝１１
２は、キャッププレートの軸線に対して約４５度の角度
で当該キャッププレートに穿設された２本以上の流路１
１４を介して、穴１１０と連通している。これらの流路
１１４は、キャッププレートの軸線に関して互いから１
８０度の位置に配置されており、溝１１２の一面からキ
ャッププレートの中心の近傍の穴１１０まで延びてい
る。
且つ水平に延設されており、キャッププレート３０の中
心を越えている。この穴１１０は、アプリケータ１０内
に前駆ガス（precursor gas）を供給する入口ポートを
形成している。プラグ延長部３２の回りには、肩部９２
の近傍に（すなわち、プラグ延長部３２の直径が増加す
る点の直前）Ｖ字状の溝１１２があり、この溝１１２は
プラグ延長部の周囲に環状凹部を形成している。溝１１
２は、キャッププレートの軸線に対して約４５度の角度
で当該キャッププレートに穿設された２本以上の流路１
１４を介して、穴１１０と連通している。これらの流路
１１４は、キャッププレートの軸線に関して互いから１
８０度の位置に配置されており、溝１１２の一面からキ
ャッププレートの中心の近傍の穴１１０まで延びてい
る。
【００２９】稼働中、穴１１０内に導入された前駆ガス
は、プラグ延長部を一周しプレナムチャンバのように機
能するＶ字状溝１１２内に、連結流路１１４を通って流
入する。そして、Ｖ字状溝１１２からのガスは狭い環状
間隙領域９０を通り、プラズマ管１２の内部に流入し、
そこで前駆ガスはマイクロ波エネルギにより励起されて
プラズマを生成する。キャッププラグを囲む環状凹部内
にガスを流入することにより、そのガスはプラズマ管の
内面に沿って均等に配分される。更に、ガスは狭い環状
間隙領域においてプラズマ管の壁面に沿って注入される
ので、これはＯリングをプラズマから保護することとな
る。この保護は２つの方法で行われる。第１に、環状間
隙領域９０は狭いので、プラズマがこの間隙領域内にお
いてプラズマ管の壁面に沿って通過しないようになって
いる。また、ガスの外方への流れがプラズマからバッフ
ァを形成し、これも、プラズマを間隙領域内に流通させ
ないようにする傾向がある。
は、プラグ延長部を一周しプレナムチャンバのように機
能するＶ字状溝１１２内に、連結流路１１４を通って流
入する。そして、Ｖ字状溝１１２からのガスは狭い環状
間隙領域９０を通り、プラズマ管１２の内部に流入し、
そこで前駆ガスはマイクロ波エネルギにより励起されて
プラズマを生成する。キャッププラグを囲む環状凹部内
にガスを流入することにより、そのガスはプラズマ管の
内面に沿って均等に配分される。更に、ガスは狭い環状
間隙領域においてプラズマ管の壁面に沿って注入される
ので、これはＯリングをプラズマから保護することとな
る。この保護は２つの方法で行われる。第１に、環状間
隙領域９０は狭いので、プラズマがこの間隙領域内にお
いてプラズマ管の壁面に沿って通過しないようになって
いる。また、ガスの外方への流れがプラズマからバッフ
ァを形成し、これも、プラズマを間隙領域内に流通させ
ないようにする傾向がある。
【００３０】アダプタプレート５０の円筒形延長部５２
は、キャッププレート３０のプラグ延長部３２と同様な
機能を果たすものである。すなわち、アダプタプレート
５０がアプリケータ１０に組み付けられたとき、円筒形
延長部５２はプラズマ管１２内に、Ｏリング８２の高
さ、すなわち冷却材用シールの高さを越えて上方に延び
ている。従って、この金属製の延長部５２は、２本のＯ
リング８０，８２がプラズマにより生じた熱及び放射線
にさらされるのを防ぐシールドとして働く。
は、キャッププレート３０のプラグ延長部３２と同様な
機能を果たすものである。すなわち、アダプタプレート
５０がアプリケータ１０に組み付けられたとき、円筒形
延長部５２はプラズマ管１２内に、Ｏリング８２の高
さ、すなわち冷却材用シールの高さを越えて上方に延び
ている。従って、この金属製の延長部５２は、２本のＯ
リング８０，８２がプラズマにより生じた熱及び放射線
にさらされるのを防ぐシールドとして働く。
【００３１】円筒形延長部５２は、活性種をメインの処
理チャンバに導入すべくアプリケータから流出するため
の穴５５を有している。穴を小さくすることは２つの利
点があることを見いだした。第１に、小径の穴は、プラ
ズマにより生ずるアーク放電を防止する傾向があり、ま
た、マイクロ波が穴を通過するのを抑制する傾向があ
る。更に、円筒形延長部の外径に対して小さな穴によっ
て、当該延長部の端部に大きな曲率半径の湾曲部を用い
ることが可能となり、この湾曲部で延長部の内壁面と延
長部の外壁面とが融合することとなる。これは、延長部
に形成される保護層（以下で説明する）に関連される利
点を有する。
理チャンバに導入すべくアプリケータから流出するため
の穴５５を有している。穴を小さくすることは２つの利
点があることを見いだした。第１に、小径の穴は、プラ
ズマにより生ずるアーク放電を防止する傾向があり、ま
た、マイクロ波が穴を通過するのを抑制する傾向があ
る。更に、円筒形延長部の外径に対して小さな穴によっ
て、当該延長部の端部に大きな曲率半径の湾曲部を用い
ることが可能となり、この湾曲部で延長部の内壁面と延
長部の外壁面とが融合することとなる。これは、延長部
に形成される保護層（以下で説明する）に関連される利
点を有する。
【００３２】本実施形態において、アプリケータ１０の
入口端部でのプラグ延長部３２上には、プラズマ管１２
内で生ずる高腐食性雰囲気から保護されるよう、硬質の
陽極酸化処理被覆層が形成されている。この硬質の陽極
酸化処理被覆層は、約０．００１インチ（０．０２５４
ｍｍ）の厚さであり、金属露出面のピッチング（孔食）
を防止する。この保護層がない場合には、金属に対する
相当なダメージが生じ、これは、チャンバを汚染すると
共に製品を損なうパーティクルを形成する。硬質被膜の
陽極酸化処理は、ＭＩＬ Ａ ８５２５、ＴＹＰＥ II
I、ＣＬＡＳＳ１、非塗付式（ＮＯＮ ＤＹＥＤ）とし
て認識される周知の軍用規格に従って行われる。
入口端部でのプラグ延長部３２上には、プラズマ管１２
内で生ずる高腐食性雰囲気から保護されるよう、硬質の
陽極酸化処理被覆層が形成されている。この硬質の陽極
酸化処理被覆層は、約０．００１インチ（０．０２５４
ｍｍ）の厚さであり、金属露出面のピッチング（孔食）
を防止する。この保護層がない場合には、金属に対する
相当なダメージが生じ、これは、チャンバを汚染すると
共に製品を損なうパーティクルを形成する。硬質被膜の
陽極酸化処理は、ＭＩＬ Ａ ８５２５、ＴＹＰＥ II
I、ＣＬＡＳＳ１、非塗付式（ＮＯＮ ＤＹＥＤ）とし
て認識される周知の軍用規格に従って行われる。
【００３３】効果的な硬質の陽極酸化処理被覆層を形成
するためには、延長部３２は非常に円滑で緩やかな湾曲
コーナを有するのが望ましい。鋭角の縁部や小さな半径
の湾曲コーナである場合には、その領域に硬質の陽極酸
化処理被覆層に付着させることができず、保護が十分で
なくなる。
するためには、延長部３２は非常に円滑で緩やかな湾曲
コーナを有するのが望ましい。鋭角の縁部や小さな半径
の湾曲コーナである場合には、その領域に硬質の陽極酸
化処理被覆層に付着させることができず、保護が十分で
なくなる。
【００３４】アプリケータの下流側端部の延長部５２に
硬質陽極酸化処理被膜を付着させることは任意である。
その場合、円筒形延長部５２ないしはシールドに比較的
に厚い肉厚を持たせることが望ましい。これは、穴が延
長部５２の外径に比較して小さいことを意味する。ま
た、厚い肉厚は、薄い肉厚と比較した場合、良好な熱伝
導性を有し、従って熱勾配が小さい。
硬質陽極酸化処理被膜を付着させることは任意である。
その場合、円筒形延長部５２ないしはシールドに比較的
に厚い肉厚を持たせることが望ましい。これは、穴が延
長部５２の外径に比較して小さいことを意味する。ま
た、厚い肉厚は、薄い肉厚と比較した場合、良好な熱伝
導性を有し、従って熱勾配が小さい。
【００３５】円筒形延長部５２の外径は、容易に組み立
てるために、プラズマ管１２の内径に比して十分に小さ
い。勿論、これは、円筒形延長部の外壁面とプラズマ管
の内壁面との間に、アプリケータの他端のプラグ延長部
３２の周囲に形成される環状間隙領域９０と同様に、狭
い環状の間隙領域を形成する。この実施形態において、
この間隙を通って流れるガスは皆無である。しかし、ア
プリケータの入口側について前述したのと同じガス注入
方法を出口側にも適用することができることに注意すべ
きである。換言すれば、ガスを、下部シールド延長部に
より形成される環状間隙領域を通してプラズマ管の下端
部に流入させることができる。注入されたガスは、プラ
ズマが間隙を透過するのを抑制する。しかし、この場
合、間隙を流通するガスは、プラズマ管１２の他端内に
注入されているクリーニングガスと同じものではない。
例えば、そのガスは、不活性ガス、又は、窒素やヘリウ
ム又はアルゴンのような一般的なキャリアガスとするこ
とができる。
てるために、プラズマ管１２の内径に比して十分に小さ
い。勿論、これは、円筒形延長部の外壁面とプラズマ管
の内壁面との間に、アプリケータの他端のプラグ延長部
３２の周囲に形成される環状間隙領域９０と同様に、狭
い環状の間隙領域を形成する。この実施形態において、
この間隙を通って流れるガスは皆無である。しかし、ア
プリケータの入口側について前述したのと同じガス注入
方法を出口側にも適用することができることに注意すべ
きである。換言すれば、ガスを、下部シールド延長部に
より形成される環状間隙領域を通してプラズマ管の下端
部に流入させることができる。注入されたガスは、プラ
ズマが間隙を透過するのを抑制する。しかし、この場
合、間隙を流通するガスは、プラズマ管１２の他端内に
注入されているクリーニングガスと同じものではない。
例えば、そのガスは、不活性ガス、又は、窒素やヘリウ
ム又はアルゴンのような一般的なキャリアガスとするこ
とができる。
【００３６】ウォータポートの形態は本実施形態の他の
重要な特徴である。頂部における水の供給は、管に径方
向の正味圧力が生じないよう、平衡されている。入口ポ
ート２６ａ，２６ｂのそれぞれを通るシステム内への冷
却材の流れは、プラズマ管に径方向の力を及ぼす傾向が
ある。２つの入口ポートを用い、且つ、それらを上部支
持カラー２４内で互いに対向して配置することにより、
一方の入口ポートを通って流れる冷却材により発生する
横力は、他方の入口ポートで生ずる同じ大きさで反対向
きの横力と平衡される。従って、冷却材をシステムに圧
送した結果としてプラズマ管に生ずる径方向の正味の力
は、ゼロとなる。これは、プラズマ管を一側に押し動か
す傾向がある径方向の正味の力が常にないことを意味し
ている。力が平衡状態にないと、弾性材料から作られた
Ｏリングは変形する傾向があり、従って、プラズマ管を
側方に移動させることを許容し、石英製外管とは同軸と
はならなくなる。その結果、環状の間隙はプラズマ管の
回りで一定の厚さとはならず、冷却はプラズマ管１２の
回りで不均一となり、冷却効果は低下する。
重要な特徴である。頂部における水の供給は、管に径方
向の正味圧力が生じないよう、平衡されている。入口ポ
ート２６ａ，２６ｂのそれぞれを通るシステム内への冷
却材の流れは、プラズマ管に径方向の力を及ぼす傾向が
ある。２つの入口ポートを用い、且つ、それらを上部支
持カラー２４内で互いに対向して配置することにより、
一方の入口ポートを通って流れる冷却材により発生する
横力は、他方の入口ポートで生ずる同じ大きさで反対向
きの横力と平衡される。従って、冷却材をシステムに圧
送した結果としてプラズマ管に生ずる径方向の正味の力
は、ゼロとなる。これは、プラズマ管を一側に押し動か
す傾向がある径方向の正味の力が常にないことを意味し
ている。力が平衡状態にないと、弾性材料から作られた
Ｏリングは変形する傾向があり、従って、プラズマ管を
側方に移動させることを許容し、石英製外管とは同軸と
はならなくなる。その結果、環状の間隙はプラズマ管の
回りで一定の厚さとはならず、冷却はプラズマ管１２の
回りで不均一となり、冷却効果は低下する。
【００３７】本実施形態は、互いに反対向きに配置され
た２つのみの入口ポートを示しているが、プラズマ管に
作用する正味の径方向の力が実質的にゼロとなる限り、
種々の形態の入口ポートが適用可能である。従って、例
えば、ｎ個の入口ポートを用い、これらを支持カラーの
回りに互いに３６０／ｎ度の間隔をもって均等に配置す
ることもできる。なお、入口ポートの数は、偶数である
必要はないが、２以上であることを要する。
た２つのみの入口ポートを示しているが、プラズマ管に
作用する正味の径方向の力が実質的にゼロとなる限り、
種々の形態の入口ポートが適用可能である。従って、例
えば、ｎ個の入口ポートを用い、これらを支持カラーの
回りに互いに３６０／ｎ度の間隔をもって均等に配置す
ることもできる。なお、入口ポートの数は、偶数である
必要はないが、２以上であることを要する。
【００３８】水が冷却材として用いられた場合、サファ
イヤ管と石英管との間の狭い間隙は、通常、０．００５
〜０．０２０インチ（０．１２５〜０．５０８ｍｍ）の
範囲内とすることができる。この間隙は、サファイヤ管
を効果的に冷却すると共に、マイクロ波エネルギを吸収
する水の質量を最小とするために十分な大きさとする必
要がある。この間隙が小さ過ぎる場合、冷却ジャケット
により生ずる圧力降下が非常に大きくなり、組立てが困
難となる。他方、この間隙が大き過ぎると、マイクロ波
エネルギの減衰が著しくなり、プラズマアプリケータの
性能や効率に悪影響を与える。
イヤ管と石英管との間の狭い間隙は、通常、０．００５
〜０．０２０インチ（０．１２５〜０．５０８ｍｍ）の
範囲内とすることができる。この間隙は、サファイヤ管
を効果的に冷却すると共に、マイクロ波エネルギを吸収
する水の質量を最小とするために十分な大きさとする必
要がある。この間隙が小さ過ぎる場合、冷却ジャケット
により生ずる圧力降下が非常に大きくなり、組立てが困
難となる。他方、この間隙が大き過ぎると、マイクロ波
エネルギの減衰が著しくなり、プラズマアプリケータの
性能や効率に悪影響を与える。
【００３９】本実施形態において、サファイヤ管１２は
外径が１．１６８インチ（２９．６８ｍｍ）、内径が約
１．０４０インチ（２６．４２ｍｍ）である。石英管１
４は外径が約１．３２８インチ（３３．７３ｍｍ）、内
径が１．１８４インチ（３０．０７ｍｍ）であり、従っ
て、冷却材流れのために約０．００８インチ（０．２０
３２ｍｍ）のラジアル間隙を画成している。更に、サフ
ァイヤ管１２の長さは約１１インチ（２７９．４ｍｍ）
であり、石英管１４は約９．５インチ（２４１．３ｍ
ｍ）の長さを有しており、サファイヤ管１２は石英管１
４の各端部から約０．７５インチ（１９．０５ｍｍ）だ
け突出している。
外径が１．１６８インチ（２９．６８ｍｍ）、内径が約
１．０４０インチ（２６．４２ｍｍ）である。石英管１
４は外径が約１．３２８インチ（３３．７３ｍｍ）、内
径が１．１８４インチ（３０．０７ｍｍ）であり、従っ
て、冷却材流れのために約０．００８インチ（０．２０
３２ｍｍ）のラジアル間隙を画成している。更に、サフ
ァイヤ管１２の長さは約１１インチ（２７９．４ｍｍ）
であり、石英管１４は約９．５インチ（２４１．３ｍ
ｍ）の長さを有しており、サファイヤ管１２は石英管１
４の各端部から約０．７５インチ（１９．０５ｍｍ）だ
け突出している。
【００４０】プラグ延長部３２と円筒形延長部５２とは
共に、約１．０００インチ（２５．４ｍｍ）の外径を有
している。四がって、アプリケータ１０の両端での環状
間隙領域は、約０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）の
径方向寸法を有している。更に、本実施形態において、
円筒形延長部５２を貫通する穴５５は約０．７５インチ
（１９．０５ｍｍ）の直径を有している。
共に、約１．０００インチ（２５．４ｍｍ）の外径を有
している。四がって、アプリケータ１０の両端での環状
間隙領域は、約０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）の
径方向寸法を有している。更に、本実施形態において、
円筒形延長部５２を貫通する穴５５は約０．７５インチ
（１９．０５ｍｍ）の直径を有している。
【００４１】上下の支持カラーにおける符号１１５，１
１７の位置の穴は、これらの位置で穴内で支持された管
よりも、径方向の寸法において公称で約０．００４〜
０．００５インチ（０．１０１６〜０．１２７０ｍｍ）
大きい。従って、管は、Ｏリングにより適正に保持され
た場合、支持カラーとは通常接しない。しかしながら、
何等かの理由により管のいずれかが径方向において側方
に移動した場合、そのような移動は、管が互いに接する
ことができないよう、前記寸法までで制限されている。
１７の位置の穴は、これらの位置で穴内で支持された管
よりも、径方向の寸法において公称で約０．００４〜
０．００５インチ（０．１０１６〜０．１２７０ｍｍ）
大きい。従って、管は、Ｏリングにより適正に保持され
た場合、支持カラーとは通常接しない。しかしながら、
何等かの理由により管のいずれかが径方向において側方
に移動した場合、そのような移動は、管が互いに接する
ことができないよう、前記寸法までで制限されている。
【００４２】アプリケータの両端の延長部、すなわちシ
ールドはどちらも、前述したよりも深くプラズマ管内に
差し込むことができる。これは、勿論、Ｏリングの保護
を大きくするものである。また、Ｏリングの保護が小さ
くてもよい場合には、上述よりも浅く差し込んでもよ
い。更に、プラズマ管内で生成されるプラズマは管全体
に行き渡る傾向があることに注意すべきである。従っ
て、本実施形態では、アプリケータは僅かに不均一とさ
れており、マイクロ波空胴の上方におけるプラズマ管の
部分は下方部分よりも大きい。すなわち、管の入口端部
からマイクロ波空胴の中心までの距離は、マイクロ波空
胴の中心からアプリケータの出口端部までの距離よりも
小さい。しかし、望ましい他の形状もあり得る。更に、
プラズマ管、外管、Ｏリング、アプリケータハウジン
グ、その他の構成要素に対しての特定の材料について説
明したが、他の材料も適用可能なことは理解すべきであ
る。例えば、外管は、選択された材料がマイクロ波エネ
ルギに対して透過性を有しており且つさらされる温度に
対して耐久性を有している限り、石英である必要はな
い。また、プラズマ管もサファイヤ以外の材料、例えば
石英、他のセラミックが使用可能である。
ールドはどちらも、前述したよりも深くプラズマ管内に
差し込むことができる。これは、勿論、Ｏリングの保護
を大きくするものである。また、Ｏリングの保護が小さ
くてもよい場合には、上述よりも浅く差し込んでもよ
い。更に、プラズマ管内で生成されるプラズマは管全体
に行き渡る傾向があることに注意すべきである。従っ
て、本実施形態では、アプリケータは僅かに不均一とさ
れており、マイクロ波空胴の上方におけるプラズマ管の
部分は下方部分よりも大きい。すなわち、管の入口端部
からマイクロ波空胴の中心までの距離は、マイクロ波空
胴の中心からアプリケータの出口端部までの距離よりも
小さい。しかし、望ましい他の形状もあり得る。更に、
プラズマ管、外管、Ｏリング、アプリケータハウジン
グ、その他の構成要素に対しての特定の材料について説
明したが、他の材料も適用可能なことは理解すべきであ
る。例えば、外管は、選択された材料がマイクロ波エネ
ルギに対して透過性を有しており且つさらされる温度に
対して耐久性を有している限り、石英である必要はな
い。また、プラズマ管もサファイヤ以外の材料、例えば
石英、他のセラミックが使用可能である。
【００４３】
【処理システムの例】上述したプラズマアプリケータ
は、種々の用途に使用することができる。例えば、図４
に示すようなプラズマ処理システムにおいて、活性ガス
種の遠隔プラズマ源として使用することができる。この
用途において、外部ガス供給源２００は、ガス（例えば
ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4等）を導管２０２を通してプラズ
マアプリケータ１０のガス入口ポートに供給する。マイ
クロ波供給源２０８からのマイクロ波エネルギは導波管
２２を介してアプリケータに導入され、アプリケータ内
のサファイヤ製のプラズマ管を流通するガスを活性化す
る。プラズマアプリケータ１０内で生じた活性ガス種
は、次いで、プラズマアプリケータ１０の出口ポートに
接続された他のライン２４０を通してプラズマチャンバ
２０４内に供給される。プラズマアプリケータ１０の冷
却システムの冷却材入口ポートと出口ポートとの間には
ポンプ・冷却ユニット２０６が接続されており、アプリ
ケータ１０の稼働中、アプリケータ１０内に冷却材を循
環させる。冷却材回路にはフィルタ２０７が設けられて
おり、このフィルタ２０７は冷却材システムから異物を
除去する。本実施形態において、フィルタ２０７は０．
２ミクロンのフィルタである。
は、種々の用途に使用することができる。例えば、図４
に示すようなプラズマ処理システムにおいて、活性ガス
種の遠隔プラズマ源として使用することができる。この
用途において、外部ガス供給源２００は、ガス（例えば
ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4等）を導管２０２を通してプラズ
マアプリケータ１０のガス入口ポートに供給する。マイ
クロ波供給源２０８からのマイクロ波エネルギは導波管
２２を介してアプリケータに導入され、アプリケータ内
のサファイヤ製のプラズマ管を流通するガスを活性化す
る。プラズマアプリケータ１０内で生じた活性ガス種
は、次いで、プラズマアプリケータ１０の出口ポートに
接続された他のライン２４０を通してプラズマチャンバ
２０４内に供給される。プラズマアプリケータ１０の冷
却システムの冷却材入口ポートと出口ポートとの間には
ポンプ・冷却ユニット２０６が接続されており、アプリ
ケータ１０の稼働中、アプリケータ１０内に冷却材を循
環させる。冷却材回路にはフィルタ２０７が設けられて
おり、このフィルタ２０７は冷却材システムから異物を
除去する。本実施形態において、フィルタ２０７は０．
２ミクロンのフィルタである。
【００４４】他の要素はこの種のシステムにおいて一般
的にあるものであり、例えば、プラズマチャンバ２０４
内から排気するための真空ポンプや、プラズマチャンバ
２０４内で第２のプラズマを発生させるための電源（例
えばＲＦ供給源又はＤＣ供給源）を含んでいる。これら
の要素は、実際に動作させるプラズマシステムに用いら
れる要素であると当業者にとり周知であるので、図示し
ていない。
的にあるものであり、例えば、プラズマチャンバ２０４
内から排気するための真空ポンプや、プラズマチャンバ
２０４内で第２のプラズマを発生させるための電源（例
えばＲＦ供給源又はＤＣ供給源）を含んでいる。これら
の要素は、実際に動作させるプラズマシステムに用いら
れる要素であると当業者にとり周知であるので、図示し
ていない。
【００４５】励起された種は、種々の適当な方法により
処理チャンバに移送され得ることに注意されたい。更
に、アプリケータは、基体処理チャンバに直接取り付け
てもよいし、そこから離れて配置されてもよいが、後者
の場合、適当な材料から作られた活性ガス供給ラインが
必要とされる。活性ガスが高い反応性を有する場合、活
性フッ素についての場合と同様に、ライン２４０は、生
成される活性種と相互反応しない材料、例えばサファイ
ヤから作られなければならない。他の適当な材料として
は、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック又は、フ
ッ素をベースにした材料等がある。更に、金属ラインが
用いられた場合、その一部分は、プラズマ処理チャンバ
をアプリケータから電気的に絶縁することができるよう
に、サファイヤのような非導電性材料、すなわち誘電体
材料から作られることが必要である。
処理チャンバに移送され得ることに注意されたい。更
に、アプリケータは、基体処理チャンバに直接取り付け
てもよいし、そこから離れて配置されてもよいが、後者
の場合、適当な材料から作られた活性ガス供給ラインが
必要とされる。活性ガスが高い反応性を有する場合、活
性フッ素についての場合と同様に、ライン２４０は、生
成される活性種と相互反応しない材料、例えばサファイ
ヤから作られなければならない。他の適当な材料として
は、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック又は、フ
ッ素をベースにした材料等がある。更に、金属ラインが
用いられた場合、その一部分は、プラズマ処理チャンバ
をアプリケータから電気的に絶縁することができるよう
に、サファイヤのような非導電性材料、すなわち誘電体
材料から作られることが必要である。
【００４６】他の実施形態は特許請求の範囲に包含され
るものである。例えば、２本のＯリング（図１のＯリン
グ７０，７２、Ｏリング８０，８２）が示されている所
に、１本のＯリングを用いてもよい。ガス分配マニホー
ルド及びラビリンスシール（すなわち、環状間隙領域を
通り且つプラズマ管の端部の回りの長い経路）は、Ｏリ
ングから離れたところにプラズマ及び活性ガスを保つ機
能を有する。
るものである。例えば、２本のＯリング（図１のＯリン
グ７０，７２、Ｏリング８０，８２）が示されている所
に、１本のＯリングを用いてもよい。ガス分配マニホー
ルド及びラビリンスシール（すなわち、環状間隙領域を
通り且つプラズマ管の端部の回りの長い経路）は、Ｏリ
ングから離れたところにプラズマ及び活性ガスを保つ機
能を有する。
【図１】本発明によるマイクロ波プラズマアプリケータ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１における上部カラーを示す断面図である。
【図３】図１のプラズマアプリケータの入口端部を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図１に示されるプラズマアプリケータを用いた
プラズマ処理システムを示すブロック図である。
プラズマ処理システムを示すブロック図である。
１０…プラズマアプリケータ、１２…サファイヤ製プラ
ズマ管、１４…石英製外管、１６…環状間隙領域、２０
…中央ボディ、２２…導波部分、２３…共振空胴、２４
…上部支持カラー、２６ａ，２６ｂ…冷却材入口ポー
ト、２８…穴、３０…キャッププレート、３１…内壁
面、３２…プラグ延長部、３７，４０，７０，７２，８
０，８２…Ｏリング、４６…下部支持カラー、４８ａ，
４８ｂ…出口ポート、５０…アダプタプレート、５２…
円筒形延長部、５５…穴、９０…環状間隙領域。
ズマ管、１４…石英製外管、１６…環状間隙領域、２０
…中央ボディ、２２…導波部分、２３…共振空胴、２４
…上部支持カラー、２６ａ，２６ｂ…冷却材入口ポー
ト、２８…穴、３０…キャッププレート、３１…内壁
面、３２…プラグ延長部、３７，４０，７０，７２，８
０，８２…Ｏリング、４６…下部支持カラー、４８ａ，
４８ｂ…出口ポート、５０…アダプタプレート、５２…
円筒形延長部、５５…穴、９０…環状間隙領域。
フロントページの続き (72)発明者 カム エス． ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ユニオン シティー， リヴィエラ ドラ イヴ 461
Claims (9)
- 【請求項１】 円筒形の外管と、 前記外管の内部に同軸に配置され、第１の端部及び第２
の端部を有している円筒形のプラズマ管と、 前記プラズマ管の前記第１の端部に配置された第１の支
持体と、 前記第１の端部にて前記プラズマ管を取り囲み且つ前記
プラズマ管と前記第１の支持体との間で圧縮されるシー
ルであって、前記プラズマ管の前記第１の端部から第１
の距離で配置されている前記シールと、 前記プラズマ管内に第２の距離をもって延びているシー
ルドと、を備えるプラズマアプリケータ。 - 【請求項２】 前記第２の距離は前記第１の距離よりも
大きい請求項１に記載のプラズマアプリケータ。 - 【請求項３】 円筒形の外管と、 前記外管の内部に同軸に配置され、内壁面を有している
円筒形のプラズマ管と、 前記プラズマ管内に延びているプラグを有するアダプタ
と、を備え、 前記プラグは、当該プラグの前記プラズマ管内に延びて
いる部分と前記プラズマ管の前記内壁面と間で環状の間
隙領域を画成し、 前記アダプタは、作動中に前記プラズマ管内にプロセス
ガスを流入させる経路を形成するよう前記環状の間隙領
域と連通する流路が内部に形成されているプラズマアプ
リケータ。 - 【請求項４】 円筒形の外管と、 前記外管の内部に配置されると共に前記外管と軸線方向
に整列され、第１の端部及び第２の端部を有している円
筒形のプラズマ管であって、作動中に冷却材が流通する
環状の間隙領域を前記外管との間で形成する前記プラズ
マ管と、 前記プラズマ管の前記第１の端部に配置された第１の支
持体であって、前記プラズマ管及び前記外管を受け入れ
且つ内壁面を有する第１の穴が形成されている前記第１
の支持体と、 前記第１の端部にて前記プラズマ管を取り囲み且つ前記
プラズマ管と前記第１の穴の前記内壁面との間で延びて
いる第１のシールと、 前記外管を取り囲み且つ前記外管と前記第１の穴の前記
内壁面との間で延びている第２のシールと、を備えるプ
ラズマアプリケータ。 - 【請求項５】 前記プラズマ管の前記第２の端部に配置
された第２の支持体であって、前記プラズマ管及び前記
外管を受け入れ且つ内壁面を有する第２の穴が形成され
ている前記第２の支持体と、 前記第２の端部にて前記プラズマ管を取り囲み且つ前記
プラズマ管と前記第２の穴の前記内壁面との間で延びて
いる第３のシールと、 前記外管を取り囲み且つ前記外管と前記第２の穴の前記
内壁面との間で延びている第４のシールと、を更に備え
る請求項４に記載のプラズマアプリケータ。 - 【請求項６】 前記プラズマ管が第１の長さを有し、前
記外管が第２の長さを有し、前記第１の長さが前記第２
の長さよりも大きい請求項４に記載のプラズマアプリケ
ータ。 - 【請求項７】 前記プラズマ管が前記外管の両端から突
出している請求項６に記載のプラズマアプリケータ。 - 【請求項８】 前記第１の支持体は、その内部に形成さ
れた穴まで貫通して延びている複数の冷却材入口ポート
を有しており、 冷却材が前記複数の冷却材入口ポートを通して前記環状
の間隙領域に導入された場合に、前記プラズマ管に径方
向において生ずる正味の力が実質的に零となるように、
前記複数の冷却材入口ポートは前記プラズマ管の軸線の
回りに配置されている請求項４に記載のプラズマアプリ
ケータ。 - 【請求項９】 円筒形の外管と、 前記外管の内部に配置されると共に前記外管と軸線方向
に整列され、第１の端部及び第２の端部を有している円
筒形のプラズマ管であって、作動中に冷却材が流通する
環状の間隙領域を前記外管との間で形成する前記プラズ
マ管と、 前記プラズマ管の前記第１の端部に配置された第１の支
持体であって、前記プラズマ管及び前記外管を受け入れ
且つ内壁面を有する円筒形の穴が形成されている前記第
１の支持体と、 前記第１の端部にて前記プラズマ管を取り囲み、前記プ
ラズマ管と前記円筒形の穴の前記内壁面との間で延び、
且つ、前記プラズマ管の前記第１の端部から第１の距離
で配置された第１のシールと、 前記外管を取り囲み且つ前記外管と前記円筒形の穴の前
記内壁面との間で延びている第２のシールと、を備え、 前記第１の支持体は、その内部に形成された穴まで貫通
して延びている複数の冷却材入口ポートを有しており、
前記複数の冷却材入口ポートは前記プラズマ管の軸線の
回りに対称的に配置されているプラズマアプリケータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/626,258 US5895548A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | High power microwave plasma applicator |
| US08/626258 | 1996-03-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032099A true JPH1032099A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3989584B2 JP3989584B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=24509621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08132297A Expired - Fee Related JP3989584B2 (ja) | 1996-03-29 | 1997-03-31 | ハイパワー型マイクロ波プラズマアプリケータ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5895548A (ja) |
| EP (1) | EP0800200B1 (ja) |
| JP (1) | JP3989584B2 (ja) |
| KR (1) | KR100491214B1 (ja) |
| AT (1) | ATE266256T1 (ja) |
| DE (1) | DE69728926D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006516806A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 螺旋コイル結合形のリモートプラズマ源 |
| KR100725105B1 (ko) | 2006-07-12 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 애플리케이터 |
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| US6263830B1 (en) * | 1999-04-12 | 2001-07-24 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Microwave choke for remote plasma generator |
| US6450116B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals |
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| AU2003263048A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas tube end cap for a microwave plasma generator |
| US7358192B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
| NL1033783C2 (nl) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Draka Comteq Bv | Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm. |
| US12028957B1 (en) | 2016-03-09 | 2024-07-02 | Linamp Technologies Llc | Radio frequency fluid warmer and method |
| US9949321B1 (en) | 2016-03-09 | 2018-04-17 | Linamp Technologies Llc | Radio frequency fluid warmer |
| JP6739201B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-08-12 | スピードファム株式会社 | 局所ドライエッチング装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3221212A (en) * | 1961-10-27 | 1965-11-30 | Gen Electric | Plasma accelerator |
| GB1240031A (en) * | 1969-01-08 | 1971-07-21 | Nat Res Dev | Improvements in or relating to gas discharge tubes |
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