JPH08227876A - プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー - Google Patents
プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラーInfo
- Publication number
- JPH08227876A JPH08227876A JP7107550A JP10755095A JPH08227876A JP H08227876 A JPH08227876 A JP H08227876A JP 7107550 A JP7107550 A JP 7107550A JP 10755095 A JP10755095 A JP 10755095A JP H08227876 A JPH08227876 A JP H08227876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective collar
- gasket
- chamber
- collar
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 25
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910021386 carbon form Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 229920005560 fluorosilicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/16—Vessels
- H01J2237/166—Sealing means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S277/00—Seal for a joint or juncture
- Y10S277/913—Seal for fluid pressure below atmospheric, e.g. vacuum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術の密封方法の短所を持たない、プラ
ズマエッチングリアクタチャンバ内のシリコンシーリン
グ及び石英側壁の接触面の間に用いられるシーリング組
立体を提供すること。 【構成】 外部環境からチャンバ内部を密封する為のプ
ラズマエッチングリアクタは、高強度、高温および腐食
抵抗性の熱可塑性材料で射出成形または機会加工される
保護カラーから成り、そのカラーは内部に取り付けられ
るエラストマーガスケットを有し、第2のエラストマー
ガスケットと共に、シリコン及び石英でそれぞれ形成さ
れた2つの固定表面間の液密シールを実現する。
ズマエッチングリアクタチャンバ内のシリコンシーリン
グ及び石英側壁の接触面の間に用いられるシーリング組
立体を提供すること。 【構成】 外部環境からチャンバ内部を密封する為のプ
ラズマエッチングリアクタは、高強度、高温および腐食
抵抗性の熱可塑性材料で射出成形または機会加工される
保護カラーから成り、そのカラーは内部に取り付けられ
るエラストマーガスケットを有し、第2のエラストマー
ガスケットと共に、シリコン及び石英でそれぞれ形成さ
れた2つの固定表面間の液密シールを実現する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に減圧シール組立
体の中で用いられる保護カラーに関し、特に、低レベル
の金属汚染を含む、高応力、高温熱可塑性材料で機械加
工あるいは射出成形される減圧シール組立体の中で用い
られる保護カラーに関する。
体の中で用いられる保護カラーに関し、特に、低レベル
の金属汚染を含む、高応力、高温熱可塑性材料で機械加
工あるいは射出成形される減圧シール組立体の中で用い
られる保護カラーに関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマ・エッチング・リアクターは、
半導体基板の上の酸化皮膜を処理するために長年使われ
てきた。典型的なプラズマ・エッチング・リアクターに
おいて、C2F6の炭素- 弗素ガス(carbon-fluorine gas
)のような反応ガスは、反応チャンバの内側にプラズ
マを生成するため、高周波領域で十分に励起され、磁界
により閉じ込められる。そのプラズマは、F とCF3 のよ
うな化学種のイオンとフリーラジカルを含む。 Fラジカ
ルは、基板上に存在している二酸化珪素膜をエッチング
し、同時にプラズマ内の炭素と弗素原子やイオンはフル
オロカーボン・ポリマーを形成するように結合する。
半導体基板の上の酸化皮膜を処理するために長年使われ
てきた。典型的なプラズマ・エッチング・リアクターに
おいて、C2F6の炭素- 弗素ガス(carbon-fluorine gas
)のような反応ガスは、反応チャンバの内側にプラズ
マを生成するため、高周波領域で十分に励起され、磁界
により閉じ込められる。そのプラズマは、F とCF3 のよ
うな化学種のイオンとフリーラジカルを含む。 Fラジカ
ルは、基板上に存在している二酸化珪素膜をエッチング
し、同時にプラズマ内の炭素と弗素原子やイオンはフル
オロカーボン・ポリマーを形成するように結合する。
【0003】ヨーロッパの特許公報No. 052,519Al は、
高周波プラズマ・エッチング・プロセスを用いてシリコ
ン・ウエハの上に形成された薄膜をエッチングするため
の新規な誘導結合型プラズマエッチングリアクターを開
示する。この開示は、ここに引用形式で導入される。
高周波プラズマ・エッチング・プロセスを用いてシリコ
ン・ウエハの上に形成された薄膜をエッチングするため
の新規な誘導結合型プラズマエッチングリアクターを開
示する。この開示は、ここに引用形式で導入される。
【0004】そのようなリアクターは、選択的にそのウ
エハの上の多結晶シリコン(polysilicon )か窒化シリ
コンのような非酸化膜上方の二酸化珪素膜をエッチング
するために使用できる。
エハの上の多結晶シリコン(polysilicon )か窒化シリ
コンのような非酸化膜上方の二酸化珪素膜をエッチング
するために使用できる。
【0005】Marks 等による1992年9月8日に出願
された「Selectivity For EtchingAn Oxide Over A Nit
ride 」の名称を有する米国特許出願シリアルNo. 7/
941501は、非酸化膜の上に40%未満の弗素を有
するフルオロカーボン・ポリマー膜を形成するため、上
記引用されたヨーロッパ特許公報の中で開示された型の
誘導結合プラズマ・リアクターを使用する方法を開示す
る。この改善は、弗素に対するプラズマ中の炭素の割合
を増やすことによって実現され、弗素スカベンジャーを
そのプラズマに導入することによって達成される。その
ような推薦されたスカベンジャーは、シラン・ガスであ
る。
された「Selectivity For EtchingAn Oxide Over A Nit
ride 」の名称を有する米国特許出願シリアルNo. 7/
941501は、非酸化膜の上に40%未満の弗素を有
するフルオロカーボン・ポリマー膜を形成するため、上
記引用されたヨーロッパ特許公報の中で開示された型の
誘導結合プラズマ・リアクターを使用する方法を開示す
る。この改善は、弗素に対するプラズマ中の炭素の割合
を増やすことによって実現され、弗素スカベンジャーを
そのプラズマに導入することによって達成される。その
ような推薦されたスカベンジャーは、シラン・ガスであ
る。
【0006】Collins 等により1992年12月1日に
出願された米国特許第7/984045およびCollins
等により1992年9月8日に出願された米国特許第7
/941507は、それぞれ、容量型及び誘導型結合プ
ラズマエッチング装置を開示し、そこでは、リアクター
チャンバの内側でシリコンシーリングという形で弗素ス
カベンジャー材料が導入され、上記引用されたMarks 等
の出願で実現されたような同一タイプの効果が達成され
ている。シリコンシーリングは、そのプラズマにシリコ
ン原子を放出し、プラズマの外に弗素イオンを掃気し、
窒化珪素やポリシリコンなどの非酸化膜上に、プラズマ
内の弗素に影響されない所望の炭素- 弗素比を提供す
る。
出願された米国特許第7/984045およびCollins
等により1992年9月8日に出願された米国特許第7
/941507は、それぞれ、容量型及び誘導型結合プ
ラズマエッチング装置を開示し、そこでは、リアクター
チャンバの内側でシリコンシーリングという形で弗素ス
カベンジャー材料が導入され、上記引用されたMarks 等
の出願で実現されたような同一タイプの効果が達成され
ている。シリコンシーリングは、そのプラズマにシリコ
ン原子を放出し、プラズマの外に弗素イオンを掃気し、
窒化珪素やポリシリコンなどの非酸化膜上に、プラズマ
内の弗素に影響されない所望の炭素- 弗素比を提供す
る。
【0007】特に、上記引用したヨーロッパ特許公報で
開示された型の誘導型結合リアクターにしばしば直面さ
れる問題は、チャンバ側壁が石英(二酸化珪素)で形成
される方が好ましく、それがシリコンシーリングと円筒
状アルミニウム頂壁とを密閉すること(sealingly enga
ging)によりチャンバの内側を外部環境から密閉するこ
とである。シリコン、石英とアルミニウムがすべての堅
い材料であるという事実に基づいて、これらの材料から
成る表面間でガスに影響されないシールを達成すること
は、難しい。
開示された型の誘導型結合リアクターにしばしば直面さ
れる問題は、チャンバ側壁が石英(二酸化珪素)で形成
される方が好ましく、それがシリコンシーリングと円筒
状アルミニウム頂壁とを密閉すること(sealingly enga
ging)によりチャンバの内側を外部環境から密閉するこ
とである。シリコン、石英とアルミニウムがすべての堅
い材料であるという事実に基づいて、これらの材料から
成る表面間でガスに影響されないシールを達成すること
は、難しい。
【0008】多数のシーリング方法が、プラズマエッチ
ングリアクターにおいて、満足なチャンバ密封を達成す
るために試みられてきた。そのような密封方法の一つ
は、アルミニウム頂壁の底部リム内の溝の切断およびそ
の溝内でエラストマーかテフロンのいずれかから成るガ
スケットの取り付けを伴うものである。このシーリング
方法は、2つの理由から不満足なことが分かった。第1
に、アルミニウム円筒形の頂壁が通常冷却されて、比較
的に低い温度、例えば60- 100℃に保持されること
から、リアクタチャンバ内の弗素及び炭素は、シリコン
シーリングと石英側壁間の隙間から逃げ、アルミニウム
頂壁の露出した底部リム上にフルオロカーボンポリマー
を形成する。フルオロカーボンポリマーは、チャンバお
よびその後のエッチング処理における半導体基板の粒子
源となる。第2に、アルミニウム頂壁の底部リムの溝に
取り付けられたエラストマーガスケット(elastomeric
gaskets )(典型的にはOリング)は、しばしば腐食性
弗素イオンまたはラジカルにより浸食され(attacke
d)、それらの密封機能を劣化させて緩める。その上
に、エラストマーガスケットは、露出の際にチャンバ内
で粒子となる比較的高レベルの金属不純物を含む。
ングリアクターにおいて、満足なチャンバ密封を達成す
るために試みられてきた。そのような密封方法の一つ
は、アルミニウム頂壁の底部リム内の溝の切断およびそ
の溝内でエラストマーかテフロンのいずれかから成るガ
スケットの取り付けを伴うものである。このシーリング
方法は、2つの理由から不満足なことが分かった。第1
に、アルミニウム円筒形の頂壁が通常冷却されて、比較
的に低い温度、例えば60- 100℃に保持されること
から、リアクタチャンバ内の弗素及び炭素は、シリコン
シーリングと石英側壁間の隙間から逃げ、アルミニウム
頂壁の露出した底部リム上にフルオロカーボンポリマー
を形成する。フルオロカーボンポリマーは、チャンバお
よびその後のエッチング処理における半導体基板の粒子
源となる。第2に、アルミニウム頂壁の底部リムの溝に
取り付けられたエラストマーガスケット(elastomeric
gaskets )(典型的にはOリング)は、しばしば腐食性
弗素イオンまたはラジカルにより浸食され(attacke
d)、それらの密封機能を劣化させて緩める。その上
に、エラストマーガスケットは、露出の際にチャンバ内
で粒子となる比較的高レベルの金属不純物を含む。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】プラズマエッチングリ
アクタチャンバの密封において試みられてきた別の密封
方法は、シリコンシーリングと石英側壁の接触面の間
に、エラストマーガスケットを取り付けることである。
この設計は、アルミニウム表面上の堆積処理を排除す
る。これは、再びリアクタチャンバからそのガスケット
を侵食するシリコンシーリングと石英側壁間の隙間を通
して逃げる腐食性弗素ガスの存在のために無効なことが
分かった。ガスケットが成型されるかそのガスケットが
成型されるか、化学抵抗性フルオロカーボンエラストマ
ーで機械加工される(are...machined of )ときでさ
え、その腐食は起こる。また、チャンバー内で生成され
る紫外線光露出のため、これらの材料は作用しなくなる
(can fail)。
アクタチャンバの密封において試みられてきた別の密封
方法は、シリコンシーリングと石英側壁の接触面の間
に、エラストマーガスケットを取り付けることである。
この設計は、アルミニウム表面上の堆積処理を排除す
る。これは、再びリアクタチャンバからそのガスケット
を侵食するシリコンシーリングと石英側壁間の隙間を通
して逃げる腐食性弗素ガスの存在のために無効なことが
分かった。ガスケットが成型されるかそのガスケットが
成型されるか、化学抵抗性フルオロカーボンエラストマ
ーで機械加工される(are...machined of )ときでさ
え、その腐食は起こる。また、チャンバー内で生成され
る紫外線光露出のため、これらの材料は作用しなくなる
(can fail)。
【0010】本発明は、従来技術の密封方法の短所を持
たない、プラズマエッチングリアクタチャンバ内のシリ
コンシーリング及び石英側壁の接触面の間に用いられる
シーリング組立体を提供することを目的とする。
たない、プラズマエッチングリアクタチャンバ内のシリ
コンシーリング及び石英側壁の接触面の間に用いられる
シーリング組立体を提供することを目的とする。
【0011】また、本発明の他の目的は、製造工程で適
当に使用され得るように、経済的に取り付けられ、交換
できるプラズマエッチングリアクタチャンバを密封する
際に使用されるシーリング組立体を提供することであ
る。
当に使用され得るように、経済的に取り付けられ、交換
できるプラズマエッチングリアクタチャンバを密封する
際に使用されるシーリング組立体を提供することであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段および作用】本発明による
と、外部環境からチャンバ内部に液密(fluid-tight )
シールを提供する為、プラズマリアクタにおける接触面
間、例えば、エッチングリアクター内のシリコンシーリ
ング及び石英側壁間、に使用されるシーリング組立体、
が提供される。
と、外部環境からチャンバ内部に液密(fluid-tight )
シールを提供する為、プラズマリアクタにおける接触面
間、例えば、エッチングリアクター内のシリコンシーリ
ング及び石英側壁間、に使用されるシーリング組立体、
が提供される。
【0013】好適実施例において、密封組立体は、エラ
ストマーガスケットと犠牲的な保護カラーを含む。その
保護カラーの材料は、エッチングに抵抗性を有する高温
熱可塑性物質であることが可能であり、非常に弾性であ
る必要はない。
ストマーガスケットと犠牲的な保護カラーを含む。その
保護カラーの材料は、エッチングに抵抗性を有する高温
熱可塑性物質であることが可能であり、非常に弾性であ
る必要はない。
【0014】好適実施例においては、保護カラーがその
断面領域内で、開放端(an open end )及び終結端(a
closed end)を有する。開放端は、互いに向き合い、内
部に取り付けられエラストマーガスケットと圧縮摩擦係
合(compressive frictionalengagement )にある2本
の指状部材により形成され、これらの指状部材は、接触
面に対し外側に広がり液密シールを提供している。保護
カラーの射出成型において、用いられる熱可塑性材料
は、リアクタチャンバにおいて汚染として作用するかも
しれない金属充填材を含むべきではない。
断面領域内で、開放端(an open end )及び終結端(a
closed end)を有する。開放端は、互いに向き合い、内
部に取り付けられエラストマーガスケットと圧縮摩擦係
合(compressive frictionalengagement )にある2本
の指状部材により形成され、これらの指状部材は、接触
面に対し外側に広がり液密シールを提供している。保護
カラーの射出成型において、用いられる熱可塑性材料
は、リアクタチャンバにおいて汚染として作用するかも
しれない金属充填材を含むべきではない。
【0015】エラストマーガスケットに用いられる適当
な材料は、フルオロカーボンエラストマーか同様の性質
を有する他のエラストマーである。保護カラーの射出成
型において用いられる所望の熱可塑性材料は、ポリエチ
ルエーテルケトン(polyetheretherketone)、ポリイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド(polyphenylene sulf
ide )とテトラフルオロエチレン(polytetrafluoroeth
ylene )である。また、他の高強度、高温および射出成
型可能または機械加工可能な腐食抵抗熱可塑性材料(co
rrosion resistant thermoplastics)もまた、保護カラ
ーを作る際に使用できる。
な材料は、フルオロカーボンエラストマーか同様の性質
を有する他のエラストマーである。保護カラーの射出成
型において用いられる所望の熱可塑性材料は、ポリエチ
ルエーテルケトン(polyetheretherketone)、ポリイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド(polyphenylene sulf
ide )とテトラフルオロエチレン(polytetrafluoroeth
ylene )である。また、他の高強度、高温および射出成
型可能または機械加工可能な腐食抵抗熱可塑性材料(co
rrosion resistant thermoplastics)もまた、保護カラ
ーを作る際に使用できる。
【0016】本発明は更に、犠牲的保護カラー、および
エラストマーガスケットの密封組立体及び熱可塑性犠牲
的保護カラーを用いるプラズマエッチングリアクターに
向けられている。
エラストマーガスケットの密封組立体及び熱可塑性犠牲
的保護カラーを用いるプラズマエッチングリアクターに
向けられている。
【0017】
【実施例】本発明の一実施例は、プラズマエッチングリ
アクタのシリコンシーリング及び石英側壁の表面間に用
いられる新規な密封組立体である。密封組立体は、2つ
の固定接触面間に十分な密封機能を提供するだけでな
く、リアクタチャンバ内で生成される腐食性ガスによる
エラストマーガスケットの劣化効果に対する保護を提供
する。
アクタのシリコンシーリング及び石英側壁の表面間に用
いられる新規な密封組立体である。密封組立体は、2つ
の固定接触面間に十分な密封機能を提供するだけでな
く、リアクタチャンバ内で生成される腐食性ガスによる
エラストマーガスケットの劣化効果に対する保護を提供
する。
【0018】最初に図1には、掃気面としてのシリコン
シーリングを備えた典型的なプラズマエッチングリアク
タが示されている。シリコンシーリングは、フッ素をプ
ラズマの外に掃気するシリコン原子の源であり、これに
より、非酸化物(例えば、ポリシリコンまたは窒化シリ
コン)に対するプラズマ内のフッ素を受け付けない(im
pervious to )炭素リッチポリマーを形成する所望の炭
素−フッ素比を提供する。典型的なエッチングプロセス
では、C2 F6 のような反応ガスは十分にリアクタ内部
でプラズマを発生させ、FまたはCF3 のイオンや自由
ラジカルを生成する。Fラジカルがウエハ上の二酸化珪
素膜をエッチングすると同時に、プラズマ内の炭素及び
フッ素原子又はイオンはウエハ上で結合しポリマーを形
成する。
シーリングを備えた典型的なプラズマエッチングリアク
タが示されている。シリコンシーリングは、フッ素をプ
ラズマの外に掃気するシリコン原子の源であり、これに
より、非酸化物(例えば、ポリシリコンまたは窒化シリ
コン)に対するプラズマ内のフッ素を受け付けない(im
pervious to )炭素リッチポリマーを形成する所望の炭
素−フッ素比を提供する。典型的なエッチングプロセス
では、C2 F6 のような反応ガスは十分にリアクタ内部
でプラズマを発生させ、FまたはCF3 のイオンや自由
ラジカルを生成する。Fラジカルがウエハ上の二酸化珪
素膜をエッチングすると同時に、プラズマ内の炭素及び
フッ素原子又はイオンはウエハ上で結合しポリマーを形
成する。
【0019】ポリマーは、二酸化珪素表面上に形成され
たときにはエッチングプロセス間の二酸化珪素から自由
になった酸素、プラズマ内のフッ素の影響の為に分離す
る。
たときにはエッチングプロセス間の二酸化珪素から自由
になった酸素、プラズマ内のフッ素の影響の為に分離す
る。
【0020】しかし、ポリマーが非酸化物膜(例えば、
ポリシリコンまたは窒化珪素)上に形成された時には、
ポリマーは下に横たわる非酸化膜における酸素欠如のた
め、蓄積される。この形成により、下に横たわる非酸化
物膜のエッチングが禁止され、もって、言明された非酸
化物膜上方の酸化物膜のエッチング選択が提供される。
ポリシリコンまたは窒化珪素)上に形成された時には、
ポリマーは下に横たわる非酸化膜における酸素欠如のた
め、蓄積される。この形成により、下に横たわる非酸化
物膜のエッチングが禁止され、もって、言明された非酸
化物膜上方の酸化物膜のエッチング選択が提供される。
【0021】この選択性は、エッチングしない非酸化物
膜上にある二酸化珪素膜を介してビア(vias)をエッチ
ングする時には非常に重要である。ポリシリコン層の上
方に形成されたポリマーが重量で40%以上の弗素を含
む場合、そのようなポリマーはプラズマ内の弗素による
浸食を受け易く、かつ下層ポリシリコンに対し限定され
た保護しか提供しないことから、その選択性は限られて
くる。
膜上にある二酸化珪素膜を介してビア(vias)をエッチ
ングする時には非常に重要である。ポリシリコン層の上
方に形成されたポリマーが重量で40%以上の弗素を含
む場合、そのようなポリマーはプラズマ内の弗素による
浸食を受け易く、かつ下層ポリシリコンに対し限定され
た保護しか提供しないことから、その選択性は限られて
くる。
【0022】図1は、上記引用のヨーロッパの特許公報
の中で説明された一般型の誘導結合プラズマエッチング
リアクタを示す。そのリアクタは、円筒型石英側壁12
及び底部14で囲まれ、ペデスタル19上の格納式環状
ホルダ18によりシリコンウエハ16が上部で保持され
るカソード組立体を含む、真空チャンバ10を含む。シ
ーリング20は、結晶質シリコンで形成され、温度コン
トローラ(図示せず)に接続され上に横たわっている加
熱装置22により加熱される。図2で示されるように、
円筒形のアルミニウム頂壁24が、石英側壁12にあ
り、冷却剤が水ジャケット28を通して上に横たわって
いる冷却エレメント26を支持する。この設備は、アル
ミニウム円筒形の頂壁24を通して、石英側壁12を冷
やす。
の中で説明された一般型の誘導結合プラズマエッチング
リアクタを示す。そのリアクタは、円筒型石英側壁12
及び底部14で囲まれ、ペデスタル19上の格納式環状
ホルダ18によりシリコンウエハ16が上部で保持され
るカソード組立体を含む、真空チャンバ10を含む。シ
ーリング20は、結晶質シリコンで形成され、温度コン
トローラ(図示せず)に接続され上に横たわっている加
熱装置22により加熱される。図2で示されるように、
円筒形のアルミニウム頂壁24が、石英側壁12にあ
り、冷却剤が水ジャケット28を通して上に横たわって
いる冷却エレメント26を支持する。この設備は、アル
ミニウム円筒形の頂壁24を通して、石英側壁12を冷
やす。
【0023】螺旋状円筒形アンテナコイル30は、円筒
形石英側壁12の回りに巻かれ、高周波エネルギー源3
2に接続され、誘導的にチャンバ10内プラズマに誘導
的にエネルギーを結合する。Al2 O3 あるいはSi2
N4 のような材料で形成されたセラミックの円筒形カバ
ー34は、アンテナコイル30を囲んでいる。
形石英側壁12の回りに巻かれ、高周波エネルギー源3
2に接続され、誘導的にチャンバ10内プラズマに誘導
的にエネルギーを結合する。Al2 O3 あるいはSi2
N4 のような材料で形成されたセラミックの円筒形カバ
ー34は、アンテナコイル30を囲んでいる。
【0024】ゲートバルブ真空ポンプ組立体36は、チ
ャンバ本体38の開口を通じてチャンバ10からガスを
引き、圧力コントロール装置40により決定されたチャ
ンバ10内の真空を維持する。ガスフィード42は、チ
ャンバー10にC2 F6 のような反応ガスを供給する。
ャンバ本体38の開口を通じてチャンバ10からガスを
引き、圧力コントロール装置40により決定されたチャ
ンバ10内の真空を維持する。ガスフィード42は、チ
ャンバー10にC2 F6 のような反応ガスを供給する。
【0025】十分に摂氏170度以上に石英側壁12の
内面の温度を維持するために、発熱体(図示せず)は、
その底の近くの石英側壁12の底部付近のセラミックカ
バー34の内側に置かれ、電源(図示せず)に接続され
る。その側壁とシーリングを加熱するための装置は、Ri
ce氏等によって1993年10月15日に出願された米
国特許出願第08/138060号において開示されて
いる。
内面の温度を維持するために、発熱体(図示せず)は、
その底の近くの石英側壁12の底部付近のセラミックカ
バー34の内側に置かれ、電源(図示せず)に接続され
る。その側壁とシーリングを加熱するための装置は、Ri
ce氏等によって1993年10月15日に出願された米
国特許出願第08/138060号において開示されて
いる。
【0026】シリコンシーリング20の温度は、シリコ
ン原子がチャンバ10内のプラズマを掃気し、よって、
炭素ー弗素含有比に影響を及ぼす比率を決定する。それ
ゆえに、シリコンシーリング20は、重量によりポリマ
ー炭素分60%を与える炭素- 弗素プラズマ比に対応し
た温度で維持されている。シーリング20のそのような
温度制御は、シリコンシーリング20に取り付けられた
熱電対44から受信された信号に応じて、シーリング熱
源を支配する制御装置によって提供される。シリコンシ
ーリング20への熱伝導は、加熱器22とシーリング2
0の間の適当な空隙によって設定される。
ン原子がチャンバ10内のプラズマを掃気し、よって、
炭素ー弗素含有比に影響を及ぼす比率を決定する。それ
ゆえに、シリコンシーリング20は、重量によりポリマ
ー炭素分60%を与える炭素- 弗素プラズマ比に対応し
た温度で維持されている。シーリング20のそのような
温度制御は、シリコンシーリング20に取り付けられた
熱電対44から受信された信号に応じて、シーリング熱
源を支配する制御装置によって提供される。シリコンシ
ーリング20への熱伝導は、加熱器22とシーリング2
0の間の適当な空隙によって設定される。
【0027】エッチングプロセスの間、高周波源32の
ソース高周波電力は、約2MHz で2000〜3000ワ
ットの範囲にある。ウエハ16のサイズに基づき、ペデ
スタル19に接続した高周波源46のバイアス高周波電
力は、1. 8 MHzで500〜1500ワットの範囲にあ
る。シリコンシーリングの温度は、200- 300℃の
範囲にあって、通常、およそ260℃で設定されてい
る。石英側壁内面温度は、170℃と230℃の範囲に
あって、通常は220℃での設定されている。C2 F6
ガス流速は、毎分20〜50標準立方センチメートル、
チャンバ圧力は1- 10ミリトールである。
ソース高周波電力は、約2MHz で2000〜3000ワ
ットの範囲にある。ウエハ16のサイズに基づき、ペデ
スタル19に接続した高周波源46のバイアス高周波電
力は、1. 8 MHzで500〜1500ワットの範囲にあ
る。シリコンシーリングの温度は、200- 300℃の
範囲にあって、通常、およそ260℃で設定されてい
る。石英側壁内面温度は、170℃と230℃の範囲に
あって、通常は220℃での設定されている。C2 F6
ガス流速は、毎分20〜50標準立方センチメートル、
チャンバ圧力は1- 10ミリトールである。
【0028】酸化膜のための典型的なエッチングプロセ
スにおいては、高密度、低圧プラズマが、使われてい
る。伴う化学は、CF2 、FおよびCの成分へのC2 F
6 の解離である。比較的に低い温度、すなわち100℃
以下の温度の表面に堆積する、フルオロカーボンポリマ
ーを、弗素と炭素が形成する間、CF2 はそのガスの活
性エッチング成分である。
スにおいては、高密度、低圧プラズマが、使われてい
る。伴う化学は、CF2 、FおよびCの成分へのC2 F
6 の解離である。比較的に低い温度、すなわち100℃
以下の温度の表面に堆積する、フルオロカーボンポリマ
ーを、弗素と炭素が形成する間、CF2 はそのガスの活
性エッチング成分である。
【0029】図2に示されるように、従来技術の密封組
立体において、アルミニウム頂壁24の底部リム48
は、チャンバ10に対しシール(a seal)として作用す
る。底部リム48には、溝50、52及び54が備わっ
ている。溝50、52及び54には、フルオロカーボン
エラストマーガスケット56、58とテフロンガスケッ
ト60が設置されている。しかし、フルオロカーボンポ
リマーは、シリコンシーリング20と石英側壁12との
間の隙間を通って逃げ、面壁24は通常、80℃の温度
に維持されていることから、アルミニウム頂壁24の底
部リム48の内周面64に堆積する。そのポリマーは他
の表面、すなわち、シリコンシーリング及び石英側壁の
表面には堆積しない。これは、これらの表面がそれぞれ
約260℃及び220℃というかなり高い温度で維持さ
れている為である。アルミニウム頂壁24上のフルオロ
カーボンポリマーの堆積により、後のエッチングプロセ
スにおいてリアクタチャンバ10内で汚染が生じる。さ
らに、腐食性の弗素ガスは、隙間62を通して逃げて、
エッチングプロセス中のフルオロカーボンガスケット5
6、58を侵食して、チャンバー10の更なる汚染を起
こす。
立体において、アルミニウム頂壁24の底部リム48
は、チャンバ10に対しシール(a seal)として作用す
る。底部リム48には、溝50、52及び54が備わっ
ている。溝50、52及び54には、フルオロカーボン
エラストマーガスケット56、58とテフロンガスケッ
ト60が設置されている。しかし、フルオロカーボンポ
リマーは、シリコンシーリング20と石英側壁12との
間の隙間を通って逃げ、面壁24は通常、80℃の温度
に維持されていることから、アルミニウム頂壁24の底
部リム48の内周面64に堆積する。そのポリマーは他
の表面、すなわち、シリコンシーリング及び石英側壁の
表面には堆積しない。これは、これらの表面がそれぞれ
約260℃及び220℃というかなり高い温度で維持さ
れている為である。アルミニウム頂壁24上のフルオロ
カーボンポリマーの堆積により、後のエッチングプロセ
スにおいてリアクタチャンバ10内で汚染が生じる。さ
らに、腐食性の弗素ガスは、隙間62を通して逃げて、
エッチングプロセス中のフルオロカーボンガスケット5
6、58を侵食して、チャンバー10の更なる汚染を起
こす。
【0030】これらの密封問題への解決案は、新しい保
護カラー、または高強度、高温及び腐食抵抗を有する熱
可塑性材料であって低レベルの金属充填材を含むものか
ら成る犠牲的保護シールド(sacrificial protective s
hield )を使用することである。カラーが減圧シールと
して作用しなかったので、その弾性の性質は、極めて重
要なものではなかった。その保護カラーは、派生的な露
出(extended exposure )の後に活性弗素ガスにより腐
食されるかもしれないという犠牲的機能を果たす。しか
し、それは効果的にエラストマーガスケットを腐食から
守る。その保護カラーは、安い射出成形プロセスによっ
て作られ、したがって、安価に取り替えられることがで
きる。典型的な保護カラーが、最低でも5000のエッ
チング・サイクルに使用可能である。
護カラー、または高強度、高温及び腐食抵抗を有する熱
可塑性材料であって低レベルの金属充填材を含むものか
ら成る犠牲的保護シールド(sacrificial protective s
hield )を使用することである。カラーが減圧シールと
して作用しなかったので、その弾性の性質は、極めて重
要なものではなかった。その保護カラーは、派生的な露
出(extended exposure )の後に活性弗素ガスにより腐
食されるかもしれないという犠牲的機能を果たす。しか
し、それは効果的にエラストマーガスケットを腐食から
守る。その保護カラーは、安い射出成形プロセスによっ
て作られ、したがって、安価に取り替えられることがで
きる。典型的な保護カラーが、最低でも5000のエッ
チング・サイクルに使用可能である。
【0031】環状保護カラー64を含むシール組立体
は、図3で示されている。保護カラー64は、射出成型
された、あるいは機械加工された熱可塑性本体66およ
びエラストマーガスケット68から構成されている。保
護カラー64は、その縦断面図にて、2つの環状指状部
材70を装備した開放端と終結端を有する。これは、図
3(b)に示されている。指状部材70は、お互いに対
向して配置され、一般的に円周形になっており、その間
にエラストマーガスケット68を受容する。図2は、石
英壁12及びシリコンシーリング20の2つのシーリン
グ面72、74に対し外側に広がるように、ガスケット
68により指状部材70が強いられ、密封がチャンバ1
0及び外部環境間に達成され、かつ、ガス交換が著しく
減じられている。注意すべきことは、ガスケット68、
76は圧縮状態で示されている点である。
は、図3で示されている。保護カラー64は、射出成型
された、あるいは機械加工された熱可塑性本体66およ
びエラストマーガスケット68から構成されている。保
護カラー64は、その縦断面図にて、2つの環状指状部
材70を装備した開放端と終結端を有する。これは、図
3(b)に示されている。指状部材70は、お互いに対
向して配置され、一般的に円周形になっており、その間
にエラストマーガスケット68を受容する。図2は、石
英壁12及びシリコンシーリング20の2つのシーリン
グ面72、74に対し外側に広がるように、ガスケット
68により指状部材70が強いられ、密封がチャンバ1
0及び外部環境間に達成され、かつ、ガス交換が著しく
減じられている。注意すべきことは、ガスケット68、
76は圧縮状態で示されている点である。
【0032】シール組立体は更に、保護カラー64とア
ルミニウム円筒状頂壁24間に装着されているエラスト
マーガスケット76を含む。エッチング・チャンバーの
組立の間、そのガスケットとそのカラーは、その側壁と
アルミニウム円筒形頂壁によって形成された石英側壁の
溝の中で、所定位置に保持される。注意すべきことは、
保護カラー64の開放端が、エラストマーガスケット6
8、76を保護するために、チャンバー10から離れて
面する(face away )ように成型されることである。保
護カラー64は、側壁12の頂部及びシーリング20間
の隙間78を通じてチャンバ10から漏れてくるどんな
腐食性のガスをもエラストマーガスケット68、76に
到達することから保護する。したがって、新しいシール
組立体は、エラストマーガスケットのいかなる劣化およ
びエッチングチャンバ内の汚染粒子の発生を防止するた
め、高腐食性の弗素ガスに耐える減圧シールを提供す
る。
ルミニウム円筒状頂壁24間に装着されているエラスト
マーガスケット76を含む。エッチング・チャンバーの
組立の間、そのガスケットとそのカラーは、その側壁と
アルミニウム円筒形頂壁によって形成された石英側壁の
溝の中で、所定位置に保持される。注意すべきことは、
保護カラー64の開放端が、エラストマーガスケット6
8、76を保護するために、チャンバー10から離れて
面する(face away )ように成型されることである。保
護カラー64は、側壁12の頂部及びシーリング20間
の隙間78を通じてチャンバ10から漏れてくるどんな
腐食性のガスをもエラストマーガスケット68、76に
到達することから保護する。したがって、新しいシール
組立体は、エラストマーガスケットのいかなる劣化およ
びエッチングチャンバ内の汚染粒子の発生を防止するた
め、高腐食性の弗素ガスに耐える減圧シールを提供す
る。
【0033】その保護カラー64は、高い強度、高温お
よび腐食抵抗性の熱可塑性材料で射出成型することがで
きる。適当な材料のいくつかは、ポリエーテルエチルケ
トン(polyetheretherketone)、ポリイミド、ポリフェ
ニレンサルファイド及びテトラフルオロエチレン、その
他と、これらの材料の混合物である。これらの熱可塑性
の材料は、リアクターチャンバーの中で可能性のある汚
染物になるかもしれない、どんな金属充填剤をも含むべ
きではない。ポリエーテルエチルケトンで成型された典
型的なカラーは、グリーンツイード社(Greene Tweed I
ncorporated )から市販されている。エラストマーガス
ケット68、76は、高強度、高温、腐食抵抗性の材
料、例えばフルオロカーボンエラストマー、フルオロシ
リコン(fluorosilicon )エラストマー等、で成型され
てもよい。しかし、もしそれらがカラーにより保護され
ていなかったなら、それらの腐食抵抗は、いっそう少な
くなる。
よび腐食抵抗性の熱可塑性材料で射出成型することがで
きる。適当な材料のいくつかは、ポリエーテルエチルケ
トン(polyetheretherketone)、ポリイミド、ポリフェ
ニレンサルファイド及びテトラフルオロエチレン、その
他と、これらの材料の混合物である。これらの熱可塑性
の材料は、リアクターチャンバーの中で可能性のある汚
染物になるかもしれない、どんな金属充填剤をも含むべ
きではない。ポリエーテルエチルケトンで成型された典
型的なカラーは、グリーンツイード社(Greene Tweed I
ncorporated )から市販されている。エラストマーガス
ケット68、76は、高強度、高温、腐食抵抗性の材
料、例えばフルオロカーボンエラストマー、フルオロシ
リコン(fluorosilicon )エラストマー等、で成型され
てもよい。しかし、もしそれらがカラーにより保護され
ていなかったなら、それらの腐食抵抗は、いっそう少な
くなる。
【0034】本発明は実例となる方法で記述されたが、
使用された用語は限定というより記述用語の性質におい
て理解されるべきである。
使用された用語は限定というより記述用語の性質におい
て理解されるべきである。
【0035】さらに、本発明はその好適実施例の観点か
ら説明されてきたが、当業者は容易にこれらの教示を他
の可能な当該発明の変形に適用できることが認められ
る。たとえば、示されたものと異なる他の外観を有する
保護カラーでも、シリコンシーリングと石英側壁間に液
密シールが達成できる限り、適当に使用することが可能
である。また、本発明の密封組立体は、どのような2つ
の表面間でも液密が要求されるプラズマエッチングチャ
ンバ以外の他の密封組立体において使用してもよい。
ら説明されてきたが、当業者は容易にこれらの教示を他
の可能な当該発明の変形に適用できることが認められ
る。たとえば、示されたものと異なる他の外観を有する
保護カラーでも、シリコンシーリングと石英側壁間に液
密シールが達成できる限り、適当に使用することが可能
である。また、本発明の密封組立体は、どのような2つ
の表面間でも液密が要求されるプラズマエッチングチャ
ンバ以外の他の密封組立体において使用してもよい。
【0036】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、従来技術の密封方法の短所を持たない、プ
ラズマエッチングリアクタチャンバ内のシリコンシーリ
ング及び石英側壁の接触面の間に用いられるシーリング
組立体を提供することができる。
ているので、従来技術の密封方法の短所を持たない、プ
ラズマエッチングリアクタチャンバ内のシリコンシーリ
ング及び石英側壁の接触面の間に用いられるシーリング
組立体を提供することができる。
【0037】また、本発明は、製造工程で適当に使用で
きるように、経済的に取り付けられ、交換できるプラズ
マエッチングリアクタチャンバを密封する際に使用され
るシーリング組立体を提供することができる。
きるように、経済的に取り付けられ、交換できるプラズ
マエッチングリアクタチャンバを密封する際に使用され
るシーリング組立体を提供することができる。
【図1】図1は、本発明で利用された典型的プラズマエ
ッチングリアクタの断面図である。
ッチングリアクタの断面図である。
【図2】図2は、プラズマエッチングチャンバ内のシリ
コンシーリング及び石英側壁間で用いられる従来の密封
組立体の一部拡大断面図である。
コンシーリング及び石英側壁間で用いられる従来の密封
組立体の一部拡大断面図である。
【図3】図3は、本発明に係る密封組立体を示す図で、
分図(a)は、プラズマエッチングチャンバ内のシリコ
ンシーリング及び石英側壁間で用いられる本発明の密封
組立体の一部拡大断面図、分図(b)は、エッチングさ
れる保護カラーの拡大断面図である。
分図(a)は、プラズマエッチングチャンバ内のシリコ
ンシーリング及び石英側壁間で用いられる本発明の密封
組立体の一部拡大断面図、分図(b)は、エッチングさ
れる保護カラーの拡大断面図である。
10…チャンバ、12…石英側壁、14…底部、16…
シリコンウエハ、18…環状ホルダ、19…ペデスタ
ル、20…シーリング、22…加熱装置、24…アルミ
ニウム頂壁、26…冷却エレメント、28…水ジャケッ
ト、30…アンテナコイル、32…RFエネルギー源、
34…セラミック円筒形カバー、36…ゲートバルブ真
空ポンプ組立体、38…チャンバ本体、40…圧力制御
装置、42…ガスフィード、48…リム、50、52、
54…溝、56、58…フルオロカーボンエラストマー
ガスケット、60…テフロンガスケット、61…内側円
周面、62…隙間、66…熱可塑性体、68…エラスト
マーガスケット、70…指状部材、72、74…シーリ
ング面、76…エラストマーガスケット、78…隙間。
シリコンウエハ、18…環状ホルダ、19…ペデスタ
ル、20…シーリング、22…加熱装置、24…アルミ
ニウム頂壁、26…冷却エレメント、28…水ジャケッ
ト、30…アンテナコイル、32…RFエネルギー源、
34…セラミック円筒形カバー、36…ゲートバルブ真
空ポンプ組立体、38…チャンバ本体、40…圧力制御
装置、42…ガスフィード、48…リム、50、52、
54…溝、56、58…フルオロカーボンエラストマー
ガスケット、60…テフロンガスケット、61…内側円
周面、62…隙間、66…熱可塑性体、68…エラスト
マーガスケット、70…指状部材、72、74…シーリ
ング面、76…エラストマーガスケット、78…隙間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリック アスカリナム アメリカ合衆国, カリフォルニア州 94087, サニーヴェール, パウリン ドライヴ 1332
Claims (18)
- 【請求項1】 2つの固定面(rigid surfaces)の間を密
封する為に第1エラストマーガスケット(elastomeric g
asket)と共にシール組立体(seal assembly)内で使用す
る保護カラー(protective collar) であって、 前記保護カラーは腐食性環境から前記第1ガスケットを
保護し、金属充填材(metal fillers) を含まず、前記第
1ガスケットより前記腐食性環境に対し抵抗性のある熱
可塑性材料を備える保護カラー。 - 【請求項2】 前記カラーは、前記熱可塑性材料で構成
され、その断面領域にて(in its cross-sectional are
a) 開放端を有し、その開放端は、前記第1ガスケット
に面し互いに対向して置かれた2本の指状部材(finger
s) により形成され、かつ、その間で附勢された第2の
部材(a biasing second member) を係合し、前記指状部
材が前記固定面に対し外側に広がるように強いられてい
る、請求項1記載の保護カラー。 - 【請求項3】 前記附勢第2部材は第2のガスケットで
ある、請求項2記載の保護カラー。 - 【請求項4】 前記カラーは射出成形されている、請求
項2記載の保護カラー。 - 【請求項5】 前記熱可塑性材料は、ポリエチルエーテ
ルケトン(polyethyletherketone)、ポリイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド(polyphenylene sulfide) および
ポリテトラ・フルオロ・エチレン(polytetrafluoroethy
lene) から成るグループから選択される、請求項1記載
の保護カラー。 - 【請求項6】 前記材料はポリエチルエーテルケトンを
有し、前記カラーは前記熱可塑性材料から構成され、そ
の断面領域にて開放端を有し、その開放端は、前記第1
ガスケットに面し互いに対向して置かれた2本の指状部
材により形成され、その間で附勢されている第2部材を
係合し、前記指状部材が前記固定面に対し外側に広がる
ように強いられている、請求項4記載の保護カラー。 - 【請求項7】 ポリエチルエーテルケトン、ポリイミ
ド、ポリフェニレンサルファイドおよびポリテトラフル
オロエチレンから成るグループから選択された材料を備
える環状部材を備え、第1放射側にて環状固定部を有
し、第2放射側にて前記固定部に対し当該基端で(on pr
oximal ends)接続され部分的に環状空間を内包する、対
向して背中合せに附勢されている一対の環状指状部材と
を有する、保護カラー。 - 【請求項8】 前記材料はポリエチルエーテルケトンを
含む、請求項7記載の保護カラー。 - 【請求項9】 前記環状空間に挿入可能なOリングを更
に備え、前記指状部材を外側に附勢する、請求項8記載
の保護カラー。 - 【請求項10】 前記環状部材は金属充填部材を包含し
ない、請求項7記載の保護カラー。 - 【請求項11】 2つの隣接する表面を密封する際に使
用され液密チャンバ内部を実現するシール組立体におい
て、 第1のエラストマーガスケットと、 前記第1のエラストマーガスケットおよび前記液密チャ
ンバ内部間に置かれた保護カラーであって、金属充填部
材を包含しない熱可塑性材料を含む前記保護カラーと、
を備えるシール組立体。 - 【請求項12】 前記保護カラーは、ポリエチルエーテ
ルケトン、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイドお
よびポリテトラフルオロエチレンから成るグループから
選択された少なくとも一つの材料から射出成形されてい
る、請求項11記載のシール組立体。 - 【請求項13】 前記保護カラーは、ポリエチルエーテ
ルケトンで射出成形されている、請求項11記載のシー
ル組立体。 - 【請求項14】 前記保護カラーは、その断面領域にて
開放端および終結端を有し、その開放端は前記第1エラ
ストマーガスケットに面し、互いに対向して置かれた2
本の指状部材により形成され、その間に置かれた第2の
エラストマーガスケットと摩擦係合し、前記指状部材が
液密シールを提供する前記密封表面に対し外側に広がる
ように前記指状部材が強いられている、請求項11記載
のシール組立体。 - 【請求項15】 真空チャンバであって、 前記チャンバの内部の上部境界を画成し、下向きの第1
面を有する固定シーリング部材と、 上向きの第2面を有し、前記固定シーリング部材の前記
第1面を密封係合する固定側壁部材と、 前記第1面及び前記第2面間に圧縮係合された(compres
sively engaged) 第1のエラストマーシール部材と、 前記第1のエラストマーシール部材及び前記チャンバ内
部間に配置され、前記第1面及び前記第2面間に圧縮係
合されている保護カラーと、を備える真空チャンバ。 - 【請求項16】 その断面領域にて、前記第1のエラス
トマーシール部材に面する開放端を有し、前記開放端は
前記第1エラストマーガスケットに面し、互いに対向し
て置かれた2本の指状部材により形成され、その間に置
かれた第2のエラストマーガスケットと摩擦係合し、前
記第1表面及び前記第2表面に対し外側に広がるように
前記指状部材が強いられている、請求項15記載の真空
チャンバ。 - 【請求項17】 前記真空チャンバがプラズマエッチン
グチャンバである請求項15記載の真空チャンバ。 - 【請求項18】 前記固定シーリング部材はシリコンか
ら成り、前記固定側壁は石英から成る、請求項15記載
の真空チャンバ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/235602 | 1994-04-29 | ||
US08/235,602 US5722668A (en) | 1994-04-29 | 1994-04-29 | Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08227876A true JPH08227876A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=22886199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7107550A Withdrawn JPH08227876A (ja) | 1994-04-29 | 1995-05-01 | プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5722668A (ja) |
EP (1) | EP0680071A3 (ja) |
JP (1) | JPH08227876A (ja) |
KR (1) | KR950034580A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
JP2000349034A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | シール用o−リングの熱保護を改良したマイクロ波プラズマ発生装置 |
JP2001060558A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 高清浄度エピタキシャル堆積システムのための不活性バリア |
JP2008147420A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009117373A (ja) * | 1997-01-29 | 2009-05-28 | Foundation For Advancement Of International Science | プラズマ装置 |
JP2009188066A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Applied Materials Inc | ゲートバルブ及び成膜システム |
WO2010032722A1 (ja) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 日本バルカー工業株式会社 | シールプレートおよびシールプレートに用いられるシール部材ならびにこれらの製造方法 |
US7942425B2 (en) | 2002-10-25 | 2011-05-17 | Nok Corporation | Plasma resistant seal |
KR20160103184A (ko) * | 2015-02-23 | 2016-08-31 | 램 리써치 코포레이션 | 실리콘 나이트라이드를 에칭하는 동안 초고선택도를 달성하기 위한 방법 |
WO2023132402A1 (ko) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5895548A (en) * | 1996-03-29 | 1999-04-20 | Applied Komatsu Technology, Inc. | High power microwave plasma applicator |
US5746434A (en) * | 1996-07-09 | 1998-05-05 | Lam Research Corporation | Chamber interfacing O-rings and method for implementing same |
US6135460A (en) * | 1997-07-31 | 2000-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of and apparatus for purifying reduced pressure process chambers |
JPH11241155A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Applied Materials Inc | シール部材および真空装置 |
KR100268432B1 (ko) * | 1998-09-05 | 2000-11-01 | 윤종용 | 플라즈마 에칭을 위한 장치 |
US6165313A (en) * | 1999-04-14 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Downstream plasma reactor system with an improved plasma tube sealing configuration |
US6328847B1 (en) | 2000-01-19 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Downstream plasma reactor system incorporating a plasma-resistant blocking member |
US6712929B1 (en) * | 2000-08-08 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | Deformation reduction at the main chamber |
US20030047881A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-03-13 | Worm Steven Lee | Sealing system and pressure chamber assembly including the same |
US6755422B2 (en) * | 2002-08-16 | 2004-06-29 | Visteon Global Technologies, Inc. | Low permeation sealing member |
US20060273277A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Heller Mark J | Plasma resistant seal assembly with replaceable barrier shield |
US20070012251A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Martin Zucker | Seal arrangement with corrosion barrier and method |
EP1953802A3 (en) * | 2007-02-01 | 2012-05-23 | Parker-Hannifin Corporation | Semiconductor process chamber |
TWI381470B (zh) * | 2007-05-08 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Ltd | And a treatment device provided with the valve |
WO2009055507A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a slit valve door |
JP5271586B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理容器およびプラズマ処理装置 |
US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9610591B2 (en) | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
JP6544902B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN104701157A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 具有降低边缘刻蚀速率之顶部圆盘的等离子体刻蚀设备 |
KR102712621B1 (ko) | 2015-11-11 | 2024-10-04 | 그린, 트위드 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 고온 엔드 적용을 위한 밀봉링 및 밀봉링 조립체 |
WO2021167884A1 (en) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Flexible cryogenic seal |
KR102116475B1 (ko) * | 2020-02-24 | 2020-05-28 | 피에스케이 주식회사 | 실링 유지 부재 및 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1231867A (fr) * | 1959-04-17 | 1960-10-04 | Dispositifs Oleo Pneumatiques | Joints d'étanchéité pour fluides corrosifs |
US3512789A (en) * | 1967-03-31 | 1970-05-19 | Charles L Tanner | Cryogenic face seal |
US4002344A (en) * | 1975-11-12 | 1977-01-11 | Smith Franklyn D | Snap-in flange seal and locator |
US4508356A (en) * | 1984-06-06 | 1985-04-02 | Robert Janian | Modified C-shaped mechanical spring seal |
JPH03173784A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-29 | Hitachi Ltd | 真空容器 |
TW204411B (ja) * | 1991-06-05 | 1993-04-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
KR100255703B1 (ko) * | 1991-06-27 | 2000-05-01 | 조셉 제이. 스위니 | 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법 |
EP0552490A1 (en) * | 1992-01-24 | 1993-07-28 | Applied Materials, Inc. | Process for etching an oxide layer over a nitride |
DE69226253T2 (de) * | 1992-01-24 | 1998-12-17 | Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif. | Plasmaätzverfahren und Reaktor zur Plasmabearbeitung |
KR100281345B1 (ko) * | 1992-12-01 | 2001-03-02 | 조셉 제이. 스위니 | 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정 |
US5518257A (en) * | 1993-08-23 | 1996-05-21 | Corrosion Control Corp. | Seal device for flow line applications |
-
1994
- 1994-04-29 US US08/235,602 patent/US5722668A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-19 EP EP95302587A patent/EP0680071A3/en not_active Withdrawn
- 1995-04-28 KR KR1019950010293A patent/KR950034580A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-05-01 JP JP7107550A patent/JPH08227876A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117373A (ja) * | 1997-01-29 | 2009-05-28 | Foundation For Advancement Of International Science | プラズマ装置 |
JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
JP2000349034A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | シール用o−リングの熱保護を改良したマイクロ波プラズマ発生装置 |
JP4714319B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2011-06-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 洗浄ガスを解離する装置 |
JP2001060558A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 高清浄度エピタキシャル堆積システムのための不活性バリア |
US7942425B2 (en) | 2002-10-25 | 2011-05-17 | Nok Corporation | Plasma resistant seal |
JP2008147420A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009188066A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Applied Materials Inc | ゲートバルブ及び成膜システム |
WO2010032722A1 (ja) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 日本バルカー工業株式会社 | シールプレートおよびシールプレートに用いられるシール部材ならびにこれらの製造方法 |
US8888106B2 (en) | 2008-09-18 | 2014-11-18 | Nippon Valqua Industries, Ltd. | Seal plate, seal member that is used in seal plate, and method for manufacturing the same |
KR20160103184A (ko) * | 2015-02-23 | 2016-08-31 | 램 리써치 코포레이션 | 실리콘 나이트라이드를 에칭하는 동안 초고선택도를 달성하기 위한 방법 |
WO2023132402A1 (ko) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950034580A (ko) | 1995-12-28 |
EP0680071A3 (en) | 1996-04-03 |
EP0680071A2 (en) | 1995-11-02 |
US5722668A (en) | 1998-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08227876A (ja) | プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー | |
KR102594538B1 (ko) | 고온 프로세싱을 위한 플라즈마 부식 저항성 가열기 | |
US10266943B2 (en) | Plasma corrosion resistive heater for high temperature processing | |
US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
US5874012A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US8196893B2 (en) | Isolation valve with corrosion protected and heat transfer enhanced valve actuator and closure apparatus and method | |
US20040060519A1 (en) | Quartz to quartz seal using expanded PTFE gasket material | |
KR101204160B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
JP2010524822A (ja) | プラズマエッチチャンバで使用される耐食性を強化した石英 | |
KR102190954B1 (ko) | 서멀 초크 및 냉각을 갖는 고온 페이스플레이트 | |
US12100576B2 (en) | Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance | |
US6363624B1 (en) | Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber | |
JP4268798B2 (ja) | シール部材及びプラズマ処理装置 | |
JPH05315262A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR102096985B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
JP2004099924A (ja) | 真空処理装置 | |
US20220319814A1 (en) | Method and apparatus for revitalizing plasma processing tools | |
KR20030016188A (ko) | 처리 챔버 내의 밀봉부의 단열을 위한 장치 및 단열 방법 | |
CN115491658B (zh) | 一种使用等离子中解离的f2进行cvd室清洁的方法 | |
JPH06349810A (ja) | 気相反応装置 | |
US20240337318A1 (en) | High temperature metal seals for vacuum segregation | |
KR20240046597A (ko) | 반응기 프레임들과 정합된 탄성 물체들을 사용한 프로세스 가스 봉쇄 | |
US20070054045A1 (en) | Method for conditioning chemical vapor deposition chamber | |
CN117597466A (zh) | 由ccp等离子体或rps清洁来清洁sin | |
KR20030084032A (ko) | 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |