JP2016040768A - プラズマ反応装置用のブッシュユニット - Google Patents
プラズマ反応装置用のブッシュユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016040768A JP2016040768A JP2015146634A JP2015146634A JP2016040768A JP 2016040768 A JP2016040768 A JP 2016040768A JP 2015146634 A JP2015146634 A JP 2015146634A JP 2015146634 A JP2015146634 A JP 2015146634A JP 2016040768 A JP2016040768 A JP 2016040768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- bush unit
- connection
- bush
- connection portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 2-[(E)-N-[2-(4-chlorophenoxy)propoxy]-C-propylcarbonimidoyl]-3-hydroxy-5-(thian-3-yl)cyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCC\C(=N/OCC(C)OC1=CC=C(Cl)C=C1)C1=C(O)CC(CC1=O)C1CCCSC1 KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】取替え型のプラズマ反応装置用のブッシュユニットを提供する。
【解決手段】第１のチャンバー１２０及び第２のチャンバー１３０を有するプラズマ反応装置用のブッシュユニット１１０であって、第１のチャンバー１２０と接続するための第１の接続部１１２と、第２のチャンバー１３０のドッキング部１３２とドッキングするための第２の接続部１１４とを含んでいる第１の接続部１１２は第１のチャンバー１２０の内側壁の構造と相補しており、第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４の両方の横方向の辺サイズが異なっている。
【選択図】図４
【解決手段】第１のチャンバー１２０及び第２のチャンバー１３０を有するプラズマ反応装置用のブッシュユニット１１０であって、第１のチャンバー１２０と接続するための第１の接続部１１２と、第２のチャンバー１３０のドッキング部１３２とドッキングするための第２の接続部１１４とを含んでいる第１の接続部１１２は第１のチャンバー１２０の内側壁の構造と相補しており、第１の接続部１１２及び第２の接続部１１４の両方の横方向の辺サイズが異なっている。
【選択図】図４
Description
本発明は、プラズマ反応装置用のブッシュユニットに関し、特に、取替え型のブッシュユニットに関する。
現在、プラズマ反応技術は、例えば、半導体製造工業、表示パネル製造工業、太陽電池製造工業等の様々な産業に広く用いられている。一般的に、プラズマ反応装置は、複数のチャンバー(材料として、アルミニウム合金又はステンレスを含む)からなり、チャンバーの内壁には、絶縁と耐プラズマ侵食の効果を達成するように、保護膜がめっきされ、或いは、アルミナ層やセラミック層が塗布されている。
プラズマ反応チャンバーは、例えばエッチング工程、化学気相堆積(ＣＶＤ)工程、及び他の基板上に電子部品を製造することに関する工程のような各種類の電子部品の製造プロセスによく用いられる。いろんな方法を利用して、プラズマ密度、形状及び反応チャンバーにおける電気特徴、例えば一般に通常プラズマチャンバーで用いられる容量性や誘導結合ＲＦ源を生成及び/又は制御している。例えば、プラズマ補助化学気相堆積(ＰＥＣＶＤ)工程の期間において、反応ガスは容量性結合ノズルを通して反応チャンバーへ導入され、このノズルは、工程部品によって囲まれた半導体基板の上に配置されている。プラズマがＰＥＣＶＤチャンバーに形成されると、プラズマは反応ガス及び基板と反応して基板に期望の材料層を堆積させる。大ざっぱに言うと、プラズマ生成領域で形成されたプラズマの特徴は、プラズマ生成領域の下流に配置された基板又は反応チャンバー室の一部で実行される堆積、エッチング及び/又は洗浄工程を改善できる。
通常プラズマ反応チャンバーの設計において、生成されたプラズマは基板の表面上に配置され、この設計は望まないスパッタリング及び基板の表面へのダメージを誘発しまうが、これは、プラズマで形成された電子とイオンが基板の表面と相互作用するからである。生成されたプラズマの遊離イオン及び電気アースの部材はほぼ実効電荷を累積することになる。形成された実効電荷は、プラズマで形成された電子及び/又はイオンが基板又はチャンバー室部材の露出表面を衝撃するように誘発され、基板又はチャンバー室部材の露出表面にダメージを与える恐れがある。従って、一部の適用では、反応レートを強化すると共に基板又はチャンバー室部材の表面を有力に衝撃しないように、基板の表面(又はチャンバー室部材の表面)と十分に反応しやすいエネルギーを有するガス遊離基を形成することが期待される。これは、非イオン化されたガス遊離基が基板又は部材の表面に形成した電荷に影響されないからである。ところが、コーティング装置のプラズマ反応チャンバーを用いた場合、由々しい工程ドリフトが生じてしまうことを発見した。この工程ドリフトは、励起ガスがコーティング層における欠陥(例えばコーティング層の空隙や割れ目)を通して構成金属部材の表面と相互作用して引き起こしたと考えられる。コーティング層の問題は、特に、プラズマに酸化物質やフッ化物質(これらの物質は、多数の通常に使用される金属材料を攻撃しそうである)を含んでいる場合にひどく、とりわけユニットの結合箇所で最も発生しやすくなっている。
上記を鑑み、プラズマ反応装置は、定期的に補修と手入れを行うと共に、反応チャンバーの内壁上のめっき層を、例えば、化学エッチング、サンドブラスティング、研削又はターンミリング等の方式で徹底的に除去させる必要がある。しかしながら、各種類の方式によりめっきの除去を行う時に、いずれも例えば反応チャンバーの壁厚が薄くなるとの反応チャンバーの損失を招く恐れがある。一方、反応チャンバーの内壁は、長期にプラズマイオンの衝突を受ける場合にも、部分的にチャンバー壁が損なう可能性がある。上記の理由から、プラズマ反応装置は、一定時間の使用後に、損傷したチャンバーを取替える必要がある。また、チャンバーの損なった位置がチャンバーとチャンバーの接合箇所で生じられると、チャンバー間の気密性不良やプラズマ反応時の磁界ずれを招くことになり、後にプラズマを用いて生じる能率の低下と均一性不足を発生させる。
なお、図１は、従来のプラズマ反応装置１０を示している。当該プラズマ反応装置１０の中の一部は、スリーピースのチャンバーから構成され、図１に示すような第１のチャンバー１１と、第２のチャンバー１２と、第３のチャンバー１３とを備える。現在の市場では、生産と組立の便宜から、このプラズマ反応装置１０の当該第１のチャンバー１１は、通常に当該第２のチャンバー１２及び当該第３のチャンバー１３のそれぞれとの接続面で同一の構造に設計され、例えば、両面をいずれも雄ヘッドに設計して、当該第２のチャンバー１２と当該第３のチャンバー１３の内部に差し入れたり、両面をいずれも雌ヘッドに設計して、当該第２のチャンバー１２と当該第３のチャンバー１３の一部を収容したりする。
しかし、プラズマ工程の原理に従って、当該プラズマ反応装置１０が運行すると、一定方向の磁力線を生じることになり、両面が同一の構造を有する当該第１のチャンバー１１の中の一方の接続面を容易に破壊させる。上記の理由により、チャンバーの破壊された位置がチャンバーとチャンバーの接合箇所で生じるため、やはりチャンバー間の気密性不良やプラズマ反応時の磁界ずれを招くことになり、後にプラズマを用いて生じる能率の低下と均一性不足を発生させる。そのため、長期の使用後に損傷したチャンバーを取替える必要があり、生産のコストを向上させることになる。
よって、チャンバーの部分的な内壁の破壊によって、損傷位置全体のチャンバを取替える必要のないプラズマ反応装置を提供する必要があった。一方、当該プラズマ反応装置は、実際生産で生じた磁力線の方向に応じて、適宜なチャンバーの接続面の構造を変更可能にし、さらにプラズマ反応装置のチャンバーの使用寿命を増加させる。
本発明は、上記従来の技術の問題を解決するために、プラズマ反応装置のチャンバーの内側壁がプラズマの衝撃によって破壊されたり、膜を除去する時にチャンバー壁を損失させたりすることがないように保護できる一方、実際適用のニーズに応じて、チャンバーの接続面をプラズマ反応の磁力線とオーラ原理を満たす構造とする、プラズマ反応装置のチャンバーの内側壁に設けられ、取替え型である、プラズマ反応装置用のブッシュユニットを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は、第１のチャンバー及び第２のチャンバーを有するプラズマ反応装置用のブッシュユニットであって、該第１のチャンバーに接続され、該第１のチャンバーの内側壁の構造と相補する第１の接続部と、該第２のチャンバーのドッキング部とドッキングするための第２の接続部とを含み、該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズが異なっているプラズマ反応装置用のブッシュユニットを提供している。
本発明における好ましい実施例において、該第１の接続部の横方向の辺サイズは、該第２の接続部の横方向の辺サイズよりも小さい。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットの該第１の接続部と該第１のチャンバーとが結合すると、該ブッシュユニットの該第２の接続部は、該第１のチャンバーの第１のポートへ突き出すと共に、該第２のチャンバー内に収容される。
本発明における好ましい実施例において、該第１の接続部の横方向の辺サイズは、該第２の接続部の横方向の辺サイズよりも大きい。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットの該第１の接続部と該第１のチャンバーとが結合すると、該第２のチャンバーの該ドッキング部は、該ブッシュユニットへ突き入れると共に、該ブッシュユニット内に収容される。
本発明における好ましい実施例において、該プラズマ反応装置は第３のチャンバーを備え、該ブッシュユニットは第３の接続部をさらに備え、該第２の接続部に対し、該ブッシュユニットは該第２のチャンバーに連なり、該第３の接続部は、該第３のチャンバーのドッキング部と接続されるものである。
本発明における好ましい実施例において、該第１の接続部及び該第３の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている。
本発明における好ましい実施例において、該第１の接続部と該第２の接続部の両方の少なくとも一方は、環状構造又は他の幾何学的構造を含んでいる。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットは、さらに第１のブッシュと、第２のブッシュとを備え、該第１のブッシュ及び該第２のブッシュは、該第１のチャンバーと接続するための該第１の接続部と、別のチャンバーに接続するための該第２の接続部とをそれぞれ含み、該第１のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なり、そして該第２のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている。
本発明における好ましい実施例において、該第１のブッシュ及び該第２のブッシュは、構造が相補する第３の接続部をそれぞれ含み、且つ、該第１のブッシュと該第２のブッシュが該第１のチャンバーにそれぞれ結合すると、該第１のブッシュと該第２のブッシュのそれらの第３の接続部は相互に接合される。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットは、複数のブッシュをさらに備え、該複数のブッシュのそれぞれは、該第１のチャンバーに接続するための該第１の接続部と、別のチャンバーに接続するための該第２の接続部とを含み、該複数のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットの該第２の接続部と該第２のチャンバーの該ドッキング部がドッキングすると、該第２の接続部と該第２のチャンバーとの間には、気密素子を収容するための収容空間が形成される。
本発明における好ましい実施例において、該ブッシュユニットの該第２の接続部は階段状に形成され、第１の階段と、第２の階段と、第３の階段とを備え、該ブッシュユニットの該第２の接続部と該第２のチャンバーの該ドッキング部がドッキングすると、該第２のチャンバーの該ドッキング部は、該第１の階段の第１の水平階段面と該第３の階段の第３の水平階段面に接続され、且つ、該第２の階段と共に該気密素子を収容する該収容空間を形成する。
本発明は、さらに、第１のチャンバー及び複数の第２のチャンバーを有するプラズマ反応装置用のブッシュユニットであって、該第１のチャンバーに接続され、該第１のチャンバーの内側壁の構造と相補する第１の接続部と、該複数の第２のチャンバーのドッキング部とそれぞれドッキングするための複数の第２の接続部とを含み、該第１の接続部及び該第２の接続部それぞれの両方の横方向の辺サイズが異なっているプラズマ反応装置用のブッシュユニットを提供している。
本発明の上記及び他の目的、特徴並びに長所をより明らかで分かりやすくするために、以下では、特に本発明の好ましい実施例にて、次のように添付図面を参照しながら詳しく説明する。
図２、図３及び図４を参照すると、本発明による第１の実施例のプラズマ反応装置１００に用いるブッシュユニット１１０を示し、図２は、該ブッシュユニット１１０と該プラズマ反応装置１００を示す組立分解図であり、図３は、図２の該ブッシュユニット１１０と該プラズマ反応装置１００を示す部分的組立図であり、図４は、図２の該ブッシュユニット１１０とプラズマ反応装置１００を示す断面分解図である。該プラズマ反応装置１００は、第１のチャンバー１２０と、第２のチャンバー１３０とを備え、該ブッシュユニット１１０は、第１の接続部１１２と、第２の接続部１１４とを備えている。
また、図２から図４に示すように、該ブッシュユニット１１０の該第１の接続部１１２は、該第１のチャンバー１２０に接続され、該第１の接続部１１２の外側壁と該第１のチャンバー１２０に接続される内側壁１２２同士の構造は相補している。本発明の第１の実施例に示すように、該第１の接続部１１２の外側壁と該第１のチャンバー１２０の内側壁１２２とは、いずれも環状の構造である。これに分かるように、他の実施例において、互いに結合する第１の接続部の外側壁と第１のチャンバー１２０の内側壁同士は、様々構造の相補する幾何学的構造であってもよい。
一方、該ブッシュユニット１１０の該第１の接続部１１２の外側壁と該第１のチャンバー１２０の内側壁１２２との間をしまりばめさせるために、例えば、該第１の接続部１１２の外側壁と該第１のチャンバー１２０の該内側壁１２２の接続面に構造が相補するねじ山をそれぞれ形成して、両方間を緊密にロックアップしたり、両方の接し面へのセラミック放熱ペーストのコートや、真空ねじ等の方式によることができるが、これに限定されるものではない。それ以外に、該ブッシュユニット１１０の該第１の接続部１１２の外側壁と該第１のチャンバー１２０の該内側壁１２２とをしまりばめできるいかなる方法は、いずれも本発明の他の実施例に適用できる。
さらに、図２から図４に示すように、該ブッシュユニット１１０の該第１の接続部１１２が該第１のチャンバー１２０の第１のポート１２４を介して該第１のチャンバー１２０にマウントされ、且つ該第１のチャンバー１２０と結合されると、該ブッシュユニット１１０の該第２の接続部１１４を該第１のチャンバー１２０の該第１のポート１２４の外に突き出させる。次に、該ブッシュユニット１１０をさらに該第２のチャンバー１３０に組立させる。図面に示すように、該ブッシュユニット１１０の該第２の接続部１１４は、該第２のチャンバー１３０のドッキング部１３２とドッキングするためのものである。
また、図２から図４に示すように、該ブッシュユニット１１０の該第１の接続部１１２の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部１１４の横方向の辺サイズＣ２と異なっている。もっとはっきり言うと、本発明の第１の実施例に示すように、該第１の接続部１１２の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部１１４の横方向の辺サイズＣ２よりも小さいが、他の実施例において、第１の接続部１１２の横方向の辺サイズＣ１を第２の接続部１１４の横方向の辺サイズＣ２よりも大きいように設計してもよい。
さらに、該ブッシュユニット１１０の該第２の接続部１１４と該第２のチャンバー１３０を結合させる前に、好適に該第２の接続部１１４の外側壁の周りにＯ型環及び／又はセラミック環を置いたり、真空ペーストをコートしたりして、該第１のチャンバー１２０が該第２のチャンバー１３０と結合すると、好適な気密性を有するようにする。それ以外に、好適な気密効果を達成できるいかなる方法は、いずれも本発明の他の実施例に適用できる。
図５を参照すると、本発明による第２の実施例のブッシュユニット２１０とプラズマ反応装置２００の断面分解図を示している。該プラズマ反応装置２００は、第１のチャンバー１３０'と、第２のチャンバー２３０とを含み、また該ブッシュユニット２１０は、第１の接続部２１２と、第２の接続部１３２'とを含んでいる。
また、図５に示すように、該ブッシュユニット２１０の該第１の接続部２１２は、該ブッシュユニット２１０の外側壁に位置し、該ブッシュユニット２１０の該第２の接続部１３２'は、該ブッシュユニット２１０の内側壁に位置し、該ブッシュユニット２１０の該第１の接続部２１２の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部１３２'の横方向の辺サイズＣ２と異なっている。もっとはっきり言うと、該第１の接続部２１２の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部１３２'の横方向の辺サイズＣ２よりも大きい。
さらに、図５に示すように、該ブッシュユニット２１０の該第１の接続部２１２は、該第１のチャンバー１３０'の内側壁と構造的に相補されて、両方を相互に結合できるようにしている。該ブッシュユニット２１０の該第２の接続部１３２'が該ブッシュユニット２１０の内側壁に位置しているため、該ブッシュユニット２１０の該第１の接続部２１２と該第１のチャンバー１３０'とが結合すると、該第２のチャンバー２３０のドッキング部２３２は、該ブッシュユニット２１０に突き入れると共に、該ブッシュユニット２１０内に収容され、該ドッキング部２３２は、該第２のチャンバー２３０の外側壁の一部に属するものである。そして、同図に示すように、該第２のチャンバー２３０は、単一のチャンバーと第２のブッシュユニット２１０'とを相互に組立することによって形成できる。
一方、本発明の単一のブッシュユニットは、複数のプラズマ反応装置のチャンバーに結合されてもよい。例示すると、１つの好ましい実施例において、プラズマ反応装置は、第１のチャンバーと、複数の第２のチャンバーとを備えることができ、またブッシュユニットは、第１の接続部と、複数の第２の接続部とを備えることができ、該第１の接続部は、該第１のチャンバーと接続するためのものであり、且つ、該第１のチャンバーの内側壁と構造が相補している。また、該複数の第２の接続部は、それぞれ該複数の第２のチャンバーのドッキング部にドッキングするためのものである。上記実施例の技術案をより明らかに説明するために、下記の第３の実施例の具体的な記述を参照されたい。
図６を参照すると、本発明による第３の実施例のブッシュユニット３１０とプラズマ反応装置３００の組合後の部分的断面図を示している。該プラズマ反応装置３００は、第１のチャンバー３２０と、第２のチャンバー３３０と、第３のチャンバー３４０とを備え、該ブッシュユニット３１０は、第１の接続部３１２と、第２の接続部３１４と、第３の接続部３１６とを備えている。注意すべきことは、本実施例における該第２のチャンバー３３０及び該第３のチャンバー３４０が上記した複数の第２のチャンバーに相当し、また本実施例における該第２の接続部３１４及び第３の接続部３１６が上記した複数の第２の接続部に相当している。さらに、図６に示した該第２のチャンバー３３０と該第３のチャンバー３４０は同じ構造及びサイズを有しているが、他の好ましい実施例では、異なる構造及びサイズを有する複数の第２のチャンバーを含んでもよく、その分、複数の第２の接続部も異なる構造やサイズを持つようにしてもよい。
また、図６に示すように、該ブッシュユニット３１０の該第２の接続部３１４と第３の接続部３１６は、該第１の接続部３１２の対向する両側にそれぞれ位置し、該第１の接続部３１２、該第２の接続部３１４及び第３の接続部３１６は、いずれも該ブッシュユニット３１０の外側壁に形成され、該第１の接続部３１２は、該第１のチャンバー３２０の内側壁３２２と結合するためのものである。さらに、該ブッシュユニット３１０は、該第２の接続部３１４を該第２のチャンバー３３０のドッキング部３３２に結合することによって、該ブッシュユニット３１０は該第２のチャンバー３３０に連なり、さらに、該第３の接続部３１６を介して該第３のチャンバー３４０のドッキング部３４２に結合させる。該ドッキング部３３２は、該第３のチャンバー３４０内側壁の一部に属するものである。
さらに、図６に示すように、該ブッシュユニット３１０の対向両端外側壁は同様に雄ヘッドの構造に設計されている。即ち、該ブッシュユニット３１０の該第１の接続部３１２の外側壁と該第１のチャンバー３２０の該内側壁３２２を結合すると、該ブッシュユニット３１０の該第２の接続部３１４と該第３の接続部３１６は、それぞれ該第１のチャンバー３２０の対向する両ポートに突き出される。注意する値打ちがあることは、別の実施例において、プラズマ工程の原理に従って、該プラズマ反応装置３００の運行で生じた磁力線方向に応じて、本実施例に類似した該ブッシュユニット３１０の該第２の接続部３１４と該第３の接続部３１６の中の一方を雌ヘッドの構造に設計することができる。その後、ドッキングするチャンバーに第２のブッシュユニットをマウントし、その一端は該チャンバーのポート(図５に示すような第２の実施例の第２のチャンバー２３０) に突き出される。つまり、該ブッシュユニットの中の一方の接続部は、該ブッシュユニットの内側壁部に設けられ、チャンバーにドッキングするドッキング部を収容するために用いられる。
また、図６に示すように、該ブッシュユニット３１０の該第１の接続部３１０の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部３１４及び第３の接続部３１６の横方向の辺サイズＣ２と異なっている。もっとはっきり言うと、該第１の接続部３１０の横方向の辺サイズＣ１は、該第２の接続部３１４及び第３の接続部３１６の横方向の辺サイズＣ２よりも大きい。注意すべきことは、本発明の第３の実施例に示した第２のチャンバーと第３のチャンバーの点数は例示に過ぎず、さらに、プラズマ反応装置の種類及びタイプに合わせて、ブッシュユニットの接続されるチャンバーの数を複数にしてもよく、本発明はこれに限定されるものではない。
図７及び図８を参照すると、図７は、本発明による第４の実施例のブッシュユニット４１０とプラズマ反応装置４００を示す組立分解図であり、図８は、図７のプラズマ反応装置４００を示す断面分解図である。該プラズマ反応装置４００は、内側壁４２２を有する第１のチャンバー４２０を含み、該ブッシュユニット４１０は、第１の接続部４１２と、第２の接続部４１４とを含み、該第１の接続部４１２は、該第１のチャンバー４２０と結合するためのものであり、該第２の接続部４１４は、第２のチャンバー(図面せず)と結合するためのものである。
図７及び図８に示すように、該ブッシュユニット４１０の該第１の接続部４１２と結合するための該第１のチャンバー４２０の該内側壁４２２は、長盤状構造を呈しており、前記実施例における環状構造と異なっている。さらに、該第１の接続部４１２の最大な横方向辺Ｃ１のサイズは、該ブッシュユニット４１０の該第２の接続部４１４の横方向辺Ｃ２のサイズよりも大きい。
図９及び図１０を参照すると、図９は、本発明による第５の実施例のブッシュユニット５１０とプラズマ反応装置５００を示す断面分解図であり、図１０は、図９の断面組立図を示している。該プラズマ反応装置５００は、内側壁５２２を有する第１のチャンバー５２０を含み、該ブッシュユニット５１０は、該第１のチャンバー５２０の対向する両端にそれぞれ設けられた第１のブッシュ５０１及び第２のブッシュ５０５を含み、該第１のブッシュ５０１及び該第２のブッシュ５０５のそれぞれは、該第１のチャンバー５２０と接続するための第１の接続部５１２及び５１２'と、別のチャンバー(図面せず)と接続するための該第２の接続部５１４及び５１４'とを含んでいる。
また、図９及び図１０に示すように、該ブッシュユニット５１０の該第１のブッシュ５０１と該第２のブッシュ５０５は、いずれも不規則な幾何学的構造である。該第１のブッシュ５０１及び該第２のブッシュ５０５は、構造が相補する第３の接続部５１６及び５１６'をそれぞれ含み、該第１のブッシュ５０１と該第２のブッシュ５０５が該第１のチャンバー５２０と上下でそれぞれ結合すると、該第１のブッシュ５０１と該第２のブッシュ５０５のそれらの第３の接続部５１６及び５１６'をさらに互相に接合させる。注意する値打ちがあることは、それらの第３の接続部５１６及び５１６'が、例えば、逆鉤状、斜角状又はこのような様々な構造が相補する構造を含んでいる。
さらに、図９及び図１０に示すように、該第１のブッシュ５０１の該第１の接続部５１２の最大な横方向の辺サイズをＣ１に定義し、該第１のブッシュ５０１の該第２の接続部５１４の横方向の辺サイズをＣ２に定義し、該第１のブッシュ５０１の該第３の接続部５１６の横方向の辺サイズをＣ３に定義し、Ｃ１、Ｃ２及びＣ３のサイズはいずれも異なっている。同じ理由により、該第２のブッシュ５０５の該第１の接続部５１２'の横方向の辺サイズＣ１'は、該第２の接続部５１４'の横方向の辺サイズＣ２'及び該第３の接続部５１６'の横方向の辺サイズＣ３'とそれぞれ異なる。
図１１を参照すると、本発明による第６の実施例のブッシュユニット６１０とプラズマ反応装置６００の断面分解図を示している。該プラズマ反応装置６００は、内側壁６２２を有する第１のチャンバー６２０を含み、該ブッシュユニット６１０は、第１のブッシュ６０２と、第２のブッシュ６０４と、第３のブッシュ６０６とを含み、該第１のブッシュ６０２と第２のブッシュ６０４は該第１のチャンバー６２０の一方端に設けられ、該第３のブッシュ６０６は該第１のチャンバー６２０の対向する他方端に設けられている。該第１のブッシュ６０２、該第２のブッシュ６０４及び該第３のブッシュ６０６のそれぞれは、該第１のチャンバー６２０と接続するための第１の接続部６０２２、６０４２、６０６２と、別のチャンバー(図面せず)と接続するための第２の接続部６０２４、６０４４、６０６４とを備えている。
また、図１１に示すように、該第１のブッシュ６０２の該第１の接続部６０２２の最大な横方向の辺サイズをＣ１に定義し、該第２の接続部６０２４の横方向の辺サイズをＣ２に定義し、また該第３の接続部６０２６の横方向の辺サイズをＣ３に定義し、Ｃ１のサイズはＣ２及びＣ３のサイズと異なっている。同じ理由により、該第２のブッシュ６０４の該第１の接続部６０４２の横方向の辺サイズＣ１'は、該第２の接続部６０４４の横方向の辺サイズＣ２'及び該第３の接続部６０４６の横方向の辺サイズＣ３'とそれぞれ異なり、該第２のブッシュ６０６の該第１の接続部６０６２の横方向の辺サイズＣ１''は、該第２の接続部６０６４の横方向の辺サイズＣ２''及び該第３の接続部６０６６の横方向の辺サイズＣ３''とそれぞれ異なっている。
さらに、図１１に示すように、該第１のブッシュ６０２、該第２のブッシュ６０４及び該第３のブッシュ６０６のそれぞれは、構造が相補する第３の接続部６０２６、６０４６、６０６６を備え、該第１のブッシュ６０２、該第２のブッシュ６０４及び該第３のブッシュ６０６が該第１のチャンバー６２０の上下でそれぞれ結合すると、さらに該第１のブッシュ６０２、該第２のブッシュ６０４及び該第３のブッシュ６０６のそれらの第３の接続部６０２６、６０４６、６０６６を互相に接合させる。
上記実施例にて分かるように、本発明はワンピースのブッシュユニットによって１個以上のチャンバーに対応できる以外に、マルチピースのブッシュユニットによって単一のチャンバーに対応することもできる。例えば、本発明の第５の実施例によれば、該ブッシュユニット５１０は、第１のブッシュ５０１と、第２のブッシュ５０５とを備え、これらのブッシュは、それぞれ同一個の第１のチャンバー５２０と結合し、或いは、第６の実施例のようにスリーピースのブッシュユニット６１０を備えるが、これに限定されるものではない。
図１２を参照すると、本発明による第７の実施例のブッシュユニット７１０の部分的拡大図を示している。本実施例において、該ブッシュユニット７１０の第２の接続部７１４の外形は、二段式の階段状を呈しており、第１の水平階段面７１４２と、第２の水平階段面７１４４とを備えている。該ブッシュユニット７１０の該第２の接続部７１４が第２のチャンバー７３０のドッキング部７３２にドッキングすると、該第２のチャンバー７３０の該ドッキング部７３２は、一部の該第１の水平階段面７１４２と該第２の水平階段面７１４４に接続されると共に、該第２の接続部７１４と該第２のチャンバー７３０との間に密閉した収容空間を形成する。該収容空間は、例えば気密環のような気密素子７５０を収容するためのものである。
また、図１３を参照すると、本発明による第８の実施例のブッシュユニット８１０の部分的拡大図を示している。該ブッシュユニット８１０の該第２の接続部８１４の外形は、三段式の階段状を呈しており、第１の水平階段面８１４２を有する第１の階段と、第２の水平階段面８１４４を有する第２の階段と、第３の水平階段面８１４６を有する第３の階段とを備えている。該ブッシュユニット８１０の該第２の接続部８１４が第２のチャンバー８３０のドッキング部８３２にドッキングすると、該第２のチャンバー８３０の該ドッキング部８３２は、該ブッシュユニット８１０の該第１の階段の該第１の水平階段面８１４２と該第３の階段の該第３の水平階段面８１４６に接続され、且つ、該第２のチャンバー８３０の該ドッキング部８３２は該第２の階段と共に気密素子８５０を収容する収容空間を形成する。注意すべきことは、本発明において、上記図１２又は図１３に示す様態の気密構造とすることによって、本発明は附加的セラミック環を設けなくても、第１のチャンバーのブッシュユニットと第２のチャンバーとの間の良好な気密効果を確保できるため、製造コストを低下させている。また、上記の配置によって、チャンバーの熱変形やねじれによる気体漏れやプラズマ腐食の問題を避けることもできる。
以上、本発明を好ましい実施例にて開示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の属する技術分野における当業者にとって、本発明の精神や範囲を逸脱しない限り、種々の変更及び飾りが可能であることはもちろんである。よって、本発明の保護範囲は添付する実用新案登録請求の範囲による限定を基準としなければならない。
１０ プラズマ反応装置
１１ 第１のチャンバー
１２ 第２のチャンバー
１３ 第３のチャンバー
１００ プラズマ反応装置
１１０ ブッシュユニット
１１２ 第１の接続部
１１４ 第２の接続部
１２０ 第１のチャンバー
１２２ 内側壁
１２４ 第１のポート
１３０ 第２のチャンバー
１３２ ドッキング部
２００ プラズマ反応装置
２１０ ブッシュユニット
２１２ 第１の接続部
１３２' 第２の接続部
１３０' 第１のチャンバー
２３０ 第２のチャンバー
２３２ ドッキング部
２１０' 第２のブッシュユニット
３００ プラズマ反応装置
３１０ ブッシュユニット
３１２ 第１の接続部
３１４ 第２の接続部
３１６ 第３の接続部
３２０ 第１のチャンバー
３２２ 内側壁
３３０ 第２のチャンバー
３３２ ドッキング部
３４０ 第３のチャンバー
３４２ ドッキング部
４００ プラズマ反応装置
４１０ ブッシュユニット
４１２ 第１の接続部
４１４ 第２の接続部
４２０ 第１のチャンバー
４２２ 内側壁
５００ プラズマ反応装置
５１０ ブッシュユニット
５０１ 第１のブッシュ
５０５ 第２のブッシュ
５１２、５１２' 第１の接続部
５１４、５１４' 第２の接続部
５１６、５１６' 第３の接続部
５２０ 第１のチャンバー
５２２ 内側壁
６００ プラズマ反応装置
６１０ ブッシュユニット
６０２ 第１のブッシュ
６０４ 第２のブッシュ
６０６ 第３のブッシュ
６０２２、６０４２、６０６２ 第１の接続部
６０２４、６０４４、６０６４ 第２の接続部
６０２６、６０４６、６０６６ 第３の接続部
６２０ 第１のチャンバー
６２２ 内側壁
７００ プラズマ反応装置
７１０ ブッシュユニット
７１４ 第２の接続部
７１４２ 第１の水平階段面
７１４４ 第２の水平階段面
７３０ 第２のチャンバー
７３２ ドッキング部
７５０ 気密素子
８００ プラズマ反応装置
８１０ ブッシュユニット
８１４ 第２の接続部
８１４２ 第１の水平階段面
８１４４ 第２の水平階段面
８１４６ 第３の水平階段面
８３０ 第２のチャンバー
８３２ ドッキング部
８５０ 気密素子
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ１'、Ｃ２'、Ｃ３'、Ｃ１''、Ｃ２''、Ｃ３''横方向の辺サイズ
１１ 第１のチャンバー
１２ 第２のチャンバー
１３ 第３のチャンバー
１００ プラズマ反応装置
１１０ ブッシュユニット
１１２ 第１の接続部
１１４ 第２の接続部
１２０ 第１のチャンバー
１２２ 内側壁
１２４ 第１のポート
１３０ 第２のチャンバー
１３２ ドッキング部
２００ プラズマ反応装置
２１０ ブッシュユニット
２１２ 第１の接続部
１３２' 第２の接続部
１３０' 第１のチャンバー
２３０ 第２のチャンバー
２３２ ドッキング部
２１０' 第２のブッシュユニット
３００ プラズマ反応装置
３１０ ブッシュユニット
３１２ 第１の接続部
３１４ 第２の接続部
３１６ 第３の接続部
３２０ 第１のチャンバー
３２２ 内側壁
３３０ 第２のチャンバー
３３２ ドッキング部
３４０ 第３のチャンバー
３４２ ドッキング部
４００ プラズマ反応装置
４１０ ブッシュユニット
４１２ 第１の接続部
４１４ 第２の接続部
４２０ 第１のチャンバー
４２２ 内側壁
５００ プラズマ反応装置
５１０ ブッシュユニット
５０１ 第１のブッシュ
５０５ 第２のブッシュ
５１２、５１２' 第１の接続部
５１４、５１４' 第２の接続部
５１６、５１６' 第３の接続部
５２０ 第１のチャンバー
５２２ 内側壁
６００ プラズマ反応装置
６１０ ブッシュユニット
６０２ 第１のブッシュ
６０４ 第２のブッシュ
６０６ 第３のブッシュ
６０２２、６０４２、６０６２ 第１の接続部
６０２４、６０４４、６０６４ 第２の接続部
６０２６、６０４６、６０６６ 第３の接続部
６２０ 第１のチャンバー
６２２ 内側壁
７００ プラズマ反応装置
７１０ ブッシュユニット
７１４ 第２の接続部
７１４２ 第１の水平階段面
７１４４ 第２の水平階段面
７３０ 第２のチャンバー
７３２ ドッキング部
７５０ 気密素子
８００ プラズマ反応装置
８１０ ブッシュユニット
８１４ 第２の接続部
８１４２ 第１の水平階段面
８１４４ 第２の水平階段面
８１４６ 第３の水平階段面
８３０ 第２のチャンバー
８３２ ドッキング部
８５０ 気密素子
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ１'、Ｃ２'、Ｃ３'、Ｃ１''、Ｃ２''、Ｃ３''横方向の辺サイズ
Claims (14)
- 第１のチャンバー及び第２のチャンバーを有するプラズマ反応装置用のブッシュユニットであって、
該第１のチャンバーに接続され、該第１のチャンバーの内側壁の構造と相補する第１の接続部と、
該第２のチャンバーのドッキング部とドッキングするための第２の接続部とを含み、
該第１の接続部と第２の接続部の横方向の辺サイズが異なっているプラズマ反応装置用のブッシュユニット。 - 該第１の接続部の横方向の辺サイズは、該第２の接続部の横方向の辺サイズよりも小さい請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該ブッシュユニットの該第１の接続部と該第１のチャンバーとが結合すると、該ブッシュユニットの該第２の接続部は、該第１のチャンバーの第１のポートへ突き出すと共に、該第２のチャンバー内に収容される請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該第１の接続部の横方向の辺サイズは、該第２の接続部の横方向の辺サイズよりも大きい請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該ブッシュユニットの該第１の接続部と該第１のチャンバーとが結合すると、該第２のチャンバーの該ドッキング部は、該ブッシュユニットへ突き入れると共に、該ブッシュユニット内に収容される請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該プラズマ反応装置は第３のチャンバーを備え、該ブッシュユニットは第３の接続部をさらに備え、該第２の接続部に対し、該ブッシュユニットは該第２のチャンバーに連なり、該第３の接続部は、該第３のチャンバーのドッキング部と接続されるものである請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該第１の接続部及び該第３の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている請求項６に記載のブッシュユニット。
- 該第１の接続部と該第２の接続部の両方の少なくとも一方は、環状構造又は他の幾何学的構造を含んでいる請求項１に記載のブッシュユニット。
- 第１のブッシュと、第２のブッシュとをさらに備え、該第１のブッシュ及び該第２のブッシュは、該第１のチャンバーと接続するための該第１の接続部と、別のチャンバーに接続するための該第２の接続部とをそれぞれ含み、該第１のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なり、そして該第２のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該第１のブッシュ及び該第２のブッシュは、構造が相補する第３の接続部をそれぞれ含み、且つ、該第１のブッシュと該第２のブッシュが該第１のチャンバーにそれぞれ結合すると、該第１のブッシュと該第２のブッシュのそれらの第３の接続部は相互に接合される請求項９に記載のブッシュユニット。
- 該ブッシュユニットは、複数のブッシュをさらに備え、該複数のブッシュのそれぞれは、該第１のチャンバーに接続するための該第１の接続部と、別のチャンバーに接続するための該第２の接続部とを含み、該複数のブッシュの該第１の接続部及び第２の接続部の両方の横方向の辺サイズは異なっている請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該ブッシュユニットの該第２の接続部と該第２のチャンバーの該ドッキング部がドッキングすると、該第２の接続部と該第２のチャンバーとの間には、気密素子を収容するための収容空間が形成される請求項１に記載のブッシュユニット。
- 該ブッシュユニットの該第２の接続部は階段状に形成され、第１の階段と、第２の階段と、第３の階段とを備え、該ブッシュユニットの該第２の接続部と該第２のチャンバーの該ドッキング部がドッキングすると、該第２のチャンバーの該ドッキング部は、該第１の階段の第１の水平階段面と該第３の階段の第３の水平階段面に接続され、且つ、該第２の階段と共に該気密素子を収容する該収容空間を形成する請求項１２に記載のブッシュユニット。
- 第１のチャンバー及び複数の第２のチャンバーを有するプラズマ反応装置用のブッシュユニットであって、
該第１のチャンバーに接続され、該第１のチャンバーの内側壁の構造と相補する第１の接続部と、
該複数の第２のチャンバーのドッキング部とそれぞれドッキングするための複数の第２の接続部とを含み、
該第１の接続部及び該第２の接続部それぞれの両方の横方向の辺サイズが異なっているプラズマ反応装置用のブッシュユニット。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103213130 | 2014-07-24 | ||
| TW103213130 | 2014-07-24 | ||
| TW103223466U TWM503056U (zh) | 2014-07-24 | 2014-12-31 | 用於電漿反應裝置之襯套單元 |
| TW103223466 | 2014-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016040768A true JP2016040768A (ja) | 2016-03-24 |
| JP6638167B2 JP6638167B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=53937169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015146634A Active JP6638167B2 (ja) | 2014-07-24 | 2015-07-24 | プラズマ反応装置用のブッシュユニット |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6638167B2 (ja) |
| CN (3) | CN204668276U (ja) |
| TW (1) | TWM503056U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM503056U (zh) * | 2014-07-24 | 2015-06-11 | Wen-Hsin Chiang | 用於電漿反應裝置之襯套單元 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597439A (en) * | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
| JPH11135296A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | マルチモードアクセスを有する真空処理チャンバ |
| JP2002118098A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2015002140A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社デンソー | 電池ユニット |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US20030070620A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
| KR100483886B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-04-20 | (주)엔피씨 | 나노분말 양산용 고주파 유도 플라즈마 반응로 |
| JP4418193B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
| JP4624856B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR101218114B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2013-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
| US7658802B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and a method for cleaning a dielectric film |
| CN100595883C (zh) * | 2007-12-18 | 2010-03-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理装置及其介质窗 |
| CN102237246B (zh) * | 2010-04-26 | 2013-06-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种排气板及等离子体处理设备 |
| KR101456810B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2014-10-31 | 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디. | 플라즈마 가공 설비 |
| TWM503056U (zh) * | 2014-07-24 | 2015-06-11 | Wen-Hsin Chiang | 用於電漿反應裝置之襯套單元 |
-
2014
- 2014-12-31 TW TW103223466U patent/TWM503056U/zh unknown
-
2015
- 2015-04-28 CN CN201520264626.3U patent/CN204668276U/zh active Active
- 2015-07-24 CN CN201710739775.4A patent/CN107376800B/zh active Active
- 2015-07-24 CN CN201510442561.1A patent/CN105304445B/zh active Active
- 2015-07-24 JP JP2015146634A patent/JP6638167B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597439A (en) * | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
| JPH11135296A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | マルチモードアクセスを有する真空処理チャンバ |
| JP2002118098A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2015002140A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社デンソー | 電池ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6638167B2 (ja) | 2020-01-29 |
| TWM503056U (zh) | 2015-06-11 |
| CN105304445A (zh) | 2016-02-03 |
| CN107376800A (zh) | 2017-11-24 |
| CN107376800B (zh) | 2019-11-05 |
| CN204668276U (zh) | 2015-09-23 |
| CN105304445B (zh) | 2017-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108878246B (zh) | 用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护 | |
| KR101406524B1 (ko) | 플라즈마 생성용 전극 및 플라즈마 처리 장치 | |
| TW508697B (en) | Plasma processing apparatus and exhaust ring | |
| US20110207332A1 (en) | Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools | |
| TWI541894B (zh) | A plasma processing chamber, a gas sprinkler head and a method of manufacturing the same | |
| JP5308679B2 (ja) | シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置 | |
| JP6190571B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI723031B (zh) | 電漿處理裝置及噴頭 | |
| JP6050860B1 (ja) | プラズマ原子層成長装置 | |
| WO2013099372A1 (ja) | 放電容器及びプラズマ処理装置 | |
| TWI693296B (zh) | 原子層成長裝置 | |
| CN104241069A (zh) | 等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法 | |
| JP5547366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2016040768A (ja) | プラズマ反応装置用のブッシュユニット | |
| JP3198586U (ja) | プラズマ反応装置用のブッシュユニット | |
| US20170047238A1 (en) | Annular edge seal with convex inner surface for electrostatic chuck | |
| CN114388322A (zh) | 一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法 | |
| US20160155657A1 (en) | Surface profile modifications for extended life of consumable parts in semiconductor processing equipment | |
| TWI419616B (zh) | Plasma processing apparatus and method | |
| CN104282518A (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| TWI564929B (zh) | 用於電漿反應裝置之襯套單元 | |
| JP2008078446A (ja) | 薄膜製造装置及び薄膜製造装置のクリーニング方法 | |
| JPH09283493A (ja) | プラズマエッチング用電極及びプラズマエッチング装置 | |
| KR20210049685A (ko) | 내부식성 가스 수송 부품 및 이의 플라즈마 처리 장치 | |
| GB2586679A (en) | Sealing mechanism |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20151109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151109 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190612 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190816 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6638167 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |