CN107376800B - 用于等离子反应装置的衬套单元 - Google Patents

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Abstract

一种用于等离子反应装置的衬套单元,所述等离子反应装置具有一第一腔体,所述衬套单元包含互相接合的多个衬套,所述多个衬套分别包含:一第一连接部,用于与所述第一腔体连接,并且所述第一连接部与所述第一腔体的一内侧壁的结构互补;以及一第二连接部,用于与一对应腔体的一对接部对接,其中所述多个衬套的每一个衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。

Description

用于等离子反应装置的衬套单元
技术领域
本揭示涉及一种用于等离子反应装置的衬套单元,特别是涉及一种可替换式的衬套单元。
背景技术
现今,等离子反应技术已被广泛的应用在例如半导体制造工艺、显示面板制造工艺、太阳能电池制造工艺等各种产业中。一般而言,等离子反应装置是由多个腔体(材料包含铝合金或不锈钢)所组成,并且在腔体的内壁镀有保护膜或者是涂覆氧化铝层或陶瓷层,以达到绝缘和抗等离子侵蚀的效果。
等离子反应腔体通常用在各种电子元件制造工艺中,诸如蚀刻工艺、化学气相沉积(CVD)工艺及其他与在基板上制造电子元件相关的工艺。利用许多方法生成及/或控制等离子密度、形状以及反应腔体中的电气特征,诸如一般用在常规等离子腔体中的电容性或电感性耦合RF源。例如,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺期间,反应气体透过电容性耦合喷头导入反应腔体,所述喷头布置在被制程配件环绕的半导体基板上方。一旦等离子形成于PECVD腔体,等离子与反应气体和基板反应以沉积期望的材料层于基板上。大致而言,等离子生成区域中形成的等离子的特征能够改善布置在等离子生成区域下游的基板或反应腔室的一部分上所执行的沉积、蚀刻及/或清洁工艺。
一般等离子反应腔设计中,所生成的等离子是布置在基板表面上方,所述设计会引发非所求的溅射以及对基板表面的伤害,这是由于等离子中所形成的电子与离子和基板表面的交互作用所致。生成的等离子的游离电离子及电气接地的部件大体上会累积净电荷。所形成的净电荷引发形成于等离子中的电子及/或离子轰击基板或腔室部件的暴露表面,并且可能对基板或腔室部件的暴露表面造成伤害。因此,在一些应用中,期望形成具有足以易于与基板表面(或腔室部件表面)反应的能量的气体自由基,以强化反应速率同时不会有力地轰击基板或腔室部件表面,因为非离子化的气体自由基不受形成于基板或部件表面上的电荷所影响。然而,已发现,在使用涂层装置的等离子反应腔体时,严重的制程变异会发生。所述制程变异可能是由激发气体透过涂层中的缺陷(诸如涂层孔隙性或裂缝)与结构金属部件的表面交互作用所引发。涂层的问题在等离子体含有氧化物料或氟化物料(此类物料趋于攻击多数通常使用的金属材料)时特别严重,尤其最容易发生在单元结合处。
有鉴于此,等离子反应装置必须要进行定期的维修与保养,并且将反应腔体的内壁上的镀层进行彻底的退除,例如使用化学蚀刻、喷砂、抛磨或车铣等方式。然而,在利用各种方式进行退镀时,皆有可能造成反应腔体的耗损,例如造成反应腔体的腔壁厚度变薄。另一方面,反应腔体的内壁在长期遭受等离子离子的撞击下,亦有可能会导致局部腔壁的损坏。基于上述原因,当等离子反应装置在使用一定时间过后,势必需要将受损的腔体进行更换。另外,当腔体损坏的部位发生在腔体与腔体的接合处时,将会导致腔体间的气密度不良或等离子反应时的磁场偏移,使之后续使用等离子产生效能的降低与均匀度不足的情况产生。
再者,请参照图1,其绘示一种传统的等离子反应装置10。所述等离子反应装置10的其中一部份是由三件式的腔体所组成,如图1所示的第一腔体11、第二腔体12和第三腔体13。在现今市场上,为了生产与组装的方便,所述等离子反应装置10的所述第一腔体11在分别与所述第二腔体12和所述第三腔体13的连接面通常被设计为相同的构型,例如两面皆设计为公头,以插装至所述第二腔体12和所述第三腔体13的内部,或者是将两面皆设计为母头,以收容所述第二腔体12和所述第三腔体13的一部份。
然而,根据等离子工艺原理,所述等离子反应装置10在运作上会产生一定方向的磁力线,容易使得双面具有相同构型的所述第一腔体11的其中一连接面造成损坏。基于上述原因,因为腔体损坏的部位发生在腔体与腔体的接合处,所以也会导致腔体间的气密度不良或等离子反应时的磁场偏移,使之后续使用等离子产生效能的降低与均匀度不足的情况产生。因此,在长期使用后必需要将受损的腔体进行更换,导致生产的成本提高。
故,有必要提供一种等离子反应装置,其不会因腔体的局部内壁受到损坏,而导致需要更换整个受损部位的腔体。另一方面,所述等离子反应装置能依照实际生产下所产生的磁力线方向,相应变更适合的腔体连接面的构型,进而增加等离子反应装置的腔体的使用寿命。
发明内容
为解决上述现有技术的问题,本揭示的目的在于提供一种用于等离子反应装置的衬套单元,其设置于等离子反应装置的腔体的内侧壁,并且所述衬套单元为可替换式,其一方面能保护等离子反应装置的腔体的内侧壁不会因等离子轰击而损坏,或者是在进行去膜时造成腔壁的耗损,另一方面能依照实际应用的需求,将腔体的连接面设置为满足等离子反应的磁力线与气场原理的构型。
为达上述的目的,本揭示提供一种所述等离子反应装置具有一第一腔体,所述衬套单元包含互相接合的多个衬套,所述多个衬套分别包含:一第一连接部,用于与所述第一腔体连接,并且所述第一连接部与所述第一腔体的一内侧壁的结构互补;以及一第二连接部,用于与一对应腔体的一对接部对接,其中所述多个衬套的每一个衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。
于本揭示其中之一优选实施例中,所述多个衬套的所述第二连接部的横向边长尺寸不同。
于本揭示其中之一优选实施例中,所述衬套单元包含一第一衬套和一第二衬套,所述第一衬套和所述第二衬套分别包含用于与所述第一腔体连接的所述第一连接部和用于与所述对应腔体连接的所述第二连接部,所述第一衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同,以及所述第二衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。
于本揭示其中之一优选实施例中,所述第一衬套的所述第二连接部及所述第二衬套的所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。
于本揭示其中之一优选实施例中,所述第一衬套和所述第二衬套分别包含结构互补的第三连接部,并且当所述第一衬套和所述第二衬套分别与所述第一腔体结合后,所述第一衬套和所述第二衬套的所述数个第三连接部互相接合。
于本揭示其中之一优选实施例中,当所述衬套单元的所述第二连接部与所述对应腔体的所述对接部对接后,所述第二连接部与所述对应腔体之间形成一容置空间,用于容置一气密元件。
于本揭示其中之一优选实施例中,所述衬套单元的所述第二连接部形成为一阶梯状,包含一第一阶、一第二阶和一第三阶,当所述衬套单元的所述第二连接部与所述对应腔体的所述对接部对接后,所述对应腔体的所述对接部与所述第一阶的一第一水平阶梯面和所述第三阶的一第三水平阶梯面连接,并且与所述第二阶共同形成容置所述气密元件的所述容置空间。
本揭示还提供一种用于等离子反应装置的衬套单元,其特征在于,所述等离子反应装置具有一第一腔体,所述衬套单元包含互相接合的多个衬套,所述多个衬套分别包含:一第一连接部,用于与所述第一腔体连接,并且所述第一连接部与所述第一腔体的一内侧壁的结构互补;以及一第二连接部,用于与一对应腔体的一对接部对接;其中所述多个衬套的所述第二连接部的横向边长尺寸不同。
附图说明
图1绘示一种传统的等离子反应装置。
图2绘示一种根据本揭示的第一实施例的衬套单元与等离子反应装置的组装爆炸图。
图3绘示图2的局部组装视图。
图4绘示图2的衬套单元与等离子反应装置的剖面爆炸图。
图5绘示一种根据本揭示的第二实施例的衬套单元与等离子反应装置的剖面爆炸图。
图6绘示一种根据本揭示的第三实施例的衬套单元与等离子反应装置的剖面组装视图。
图7绘示一种根据本揭示的第四实施例的衬套单元与等离子反应装置的组装爆炸图。
图8绘示图7的衬套单元与等离子反应装置的剖面爆炸图。
图9绘示一种根据本揭示的第五实施例的衬套单元与等离子反应装置的剖面爆炸图。
图10绘示图9的剖面组装视图。
图11绘示一种根据本揭示的第六实施例的衬套单元与等离子反应装置的剖面爆炸图。
图12绘示一种根据本揭示的第七实施例的衬套单元的局部放大视图。
图13绘示一种根据本揭示的第八实施例的衬套单元的局部放大视图。
具体实施方式
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂,下文将特举本揭示优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。
请参照图2、图3及图4,绘示一种根据本揭示的第一实施例的用于等离子反应装置100的衬套单元110,其中图2绘示所述衬套单元110与所述等离子反应装置100的组装爆炸图,图3绘示图2的所述衬套单元110与所述等离子反应装置100的局部组装视图,以及图4绘示图2的所述衬套单元110与等离子反应装置100的剖面爆炸图。所述等离子反应装置100具有一第一腔体120和一第二腔体130,以及所述衬套单元110包含一第一连接部112和一第二连接部114。
如图2至图4所示,所述衬套单元110的所述第一连接部112与所述第一腔体120相连接,并且所述第一连接部112的外侧壁与所述第一腔体120的一相连接的内侧壁122彼此的结构互补。如本揭示的第一实施例所示,所述第一连接部112的外侧壁与所述第一腔体120的内侧壁122皆为环形的结构。可以理解的是,在其他实施例中相互结合的第一连接部的外侧壁和第一腔体120内侧壁彼此可为各种结构互补的几何结构。
另一方面,为了使所述衬套单元110的所述第一连接部112的外侧壁与所述第一腔体120的内侧壁122之间紧密配合,可以利用例如在所述第一连接部112的外侧壁与所述第一腔体120的所述内侧壁122的连接面分别形成结构互补的螺纹,使得两者间可紧密的锁固,或者是在两者的接面涂覆陶瓷导热硅脂或以真空螺丝等方式,但不限定于此。除此之外,任何可以使所述衬套单元110的所述第一连接部112的外侧壁与所述第一腔体120的所述内侧壁122达到紧密配合的方法亦可适用于本揭示的其他实施例中。
如图2至图4所示,当所述衬套单元110的所述第一连接部112通过所述第一腔体120的一第一端口124装设入所述第一腔体120,并且与所述第一腔体120相结合后,将使所述衬套单元110的所述第二连接部114突伸出所述第一腔体120的所述第一端口124之外。接着,再将所述衬套单元110与所述第二腔体130进行组装。如图所示,所述衬套单元110的所述第二连接部114用于与所述第二腔体130的一对接部132对接。
如图2至图4所示,所述衬套单元110的所述第一连接部112的横向边长尺寸C1与所述第二连接部114的横向边长尺寸C2不同。更明确的说,如本揭示第一实施例中所示,所述第一连接部112的横向边长尺寸C1小于所述第二连接部114的横向边长尺寸C2,然而在其他实施例中亦可将第一连接部112的横向边长尺寸C1设计为大于第二连接部114的横向边长尺寸C2。
再者,所述衬套单元110的所述第二连接部114和所述第二腔体130相结合前,优选地先在所述第二连接部114的外侧壁周围放置O型环和/或陶瓷环和/或涂布真空脂,使得所述第一腔体120和所述第二腔体130相结合后具有优选的气密度。除此之外,任何可以达成优选气密效果的方法亦可适用于本揭示的其他实施例中。
请参照图5,其绘示一种根据本揭示的第二实施例的衬套单元210与等离子反应装置200的剖面爆炸图。所述等离子反应装置200包含一第一腔体130’和一第二腔体230,以及所述衬套单元210包含一第一连接部212和一第二连接部132’。
如图5所示,所述衬套单元210的所述第一连接部212位于所述衬套单元210的外侧壁,以及所述衬套单元210的所述第二连接部132’位于所述衬套单元210的内侧壁,其中所述衬套单元210的所述第一连接部212的横向边长尺寸C1与所述第二连接部132’的横向边长尺寸C2不同。更明确的说,所述第一连接部212的横向边长尺寸C1大于所述第二连接部132’的横向边长尺寸C2。
如图5所示,所述衬套单元210的所述第一连接部212与所述第一腔体130’的内侧壁在结构上彼此互补,使得两者可相互结合。因为所述衬套单元210的所述第二连接部132’位于所述衬套单元210的内侧壁,所以当所述衬套单元210的所述第一连接部212与所述第一腔体130’结合后,所述第二腔体230的一对接部232突伸入所述衬套单元210,并且收容于所述衬套单元210之内,其中所述对接部232属于所述第二腔体230外侧壁的一部分。再者,如图所示,所述第二腔体230可利用单一个腔体与一第二衬套单元210’相互组装而形成。
另一方面,本揭示的单一个衬套单元亦可与多个等离子反应装置的腔体相结合。举例来说,在一优选实施例中,等离子反应装置可包含一第一腔体和多个第二腔体,以及衬套单元可包含一第一连接部和多个第二连接部,其中所述第一连接部用于与所述第一腔体连接,并且所述第一连接部与所述第一腔体的一内侧壁的结构互补。另外,所述多个第二连接部用于分别与所述多个第二腔体的一对接部对接。为了更清楚说明上述实施例的技术方案,请参照下述第三实施例的具体描述。
请参照图6,其绘示一种根据本揭示的第三实施例的衬套单元310与等离子反应装置300组合后的局部剖面图。所述等离子反应装置300包含一第一腔体320、一第二腔体330及一第三腔体340,以及所述衬套单元310包含一第一连接部312、第二连接部314及第三连接部316。应当注意的是,本实施例中的所述第二腔体330及所述第三腔体340相当于上述的多个第二腔体,以及本实施例中的所述第二连接部314及第三连接部316相当于上述的多个第二连接部。并且,虽然在图6中所出示的所述第二腔体330和所述第三腔体340具有相同的构型和尺寸,然而,在其他优选实施例中亦可包含具有不同构型和尺寸的多个第二腔体,并且相应的多个第二连接部亦设置为具有不同构型和尺寸。
如图6所示,所述衬套单元310的所述第二连接部314和第三连接部316分别位于所述第一连接部312的相对的两侧,并且所述第一连接部312、所述第二连接部314和第三连接部316皆形成于所述衬套单元310的外侧壁,所述第一连接部312用于与所述第一腔体320的一内侧壁322相结合。并且,所述衬套单元310通过将所述第二连接部314与所述第二腔体330的一对接部332相结合,使得所述衬套单元310连贯所述第二腔体330,以及进一步利用所述第三连接部316与所述第三腔体340的一对接部342相结合。所述对接部332属于所述第三腔体340内侧壁的一部分。
如图6所示,所述衬套单元310的两相对端外侧壁同样设计为公头的构型。即,将所述衬套单元310的所述第一连接部312外侧壁与所述第一腔体320的所述内侧壁322相结合后,使所述衬套单元310的所述第二连接部314和所述第三连接部316分别突伸出所述第一腔体320的相对的两端口。值得注意的是,在另一实施例中,可根据等离子工艺原理,依照所述等离子反应装置300在运作上所产生的磁力线方向,将相似于本实施例的所述衬套单元310的所述第二连接部314和所述第三连接部316的其中之一设计为母头的构型。之后,再将与其对接的腔体装设一第二衬套单元,其一端突伸出所述腔体的端口(如图5所示的第二实施例的第二腔体230)。也就是说,所述衬套单元的其中之一连接部设置在所述衬套单元的内侧壁部,用于收容对接腔体的对接部。
如图6所示,所述衬套单元310的所述第一连接部310的横向边长尺寸C1与所述第二连接部314及第三连接部316的横向边长尺寸C2不同。更明确的说,所述第一连接部310的横向边长尺寸C1大于所述第二连接部314及第三连接部316的横向边长尺寸C2。应当注意的是,本揭示第三实施例中所出示的第二腔体和第三腔体的数量仅作为示例,更进一步,应配合等离子反应装置的种类与型式,衬套单元所连接的腔体数可为多个,且并非用于限定本揭示。
请参照图7和图8,图7绘示一种根据本揭示的第四实施例的衬套单元410与等离子反应装置400的组装爆炸图,以及图8绘示图7的等离子反应装置400的剖面爆炸图。所述等离子反应装置400包含具有一内侧壁422的一第一腔体420,以及所述衬套单元410包含一第一连接部412和一第二连接部414,其中所述一第一连接部412用于与所述第一腔体420相结合以及所述第二连接部414用于与一第二腔体(未出示)相结合。
如图7和图8所示,用于与所述衬套单元410的所述第一连接部412相结合的所述第一腔体420的所述内侧壁422呈现长盘型结构,有别于前述实施例中的环型结构。并且,所述第一连接部412的最大的横向边长C1的尺寸大于所述衬套单元410的所述第二连接部414的横向边长C2的尺寸。
请参照图9和图10,图9绘示一种根据本揭示的第五实施例的衬套单元510与等离子反应装置500的剖面爆炸图,以及图10绘示图9的剖面组装视图。所述等离子反应装置500包含具有一内侧壁522的一第一腔体520,以及所述衬套单元510包含一第一衬套501和一第二衬套505,分设于所述第一腔体520的两相对端,其中所述第一衬套501和所述第二衬套505分别包含用于与所述第一腔体520连接的一第一连接部512和512’和用于与另一腔体(未出示)连接的所述第二连接部514和514’。
如图9和图10所示,所述衬套单元510的所述第一衬套501和所述第二衬套505皆为不规则的几何构型。所述第一衬套501和所述第二衬套505分别包含结构互补的第三连接部516和516’,并且当所述第一衬套501和所述第二衬套505分别与所述第一腔体520上下结合后,进一步使所述第一衬套501和所述第二衬套505的所述数个第三连接部516和516’互相接合。值得注意的是,所述数个第三连接部516和516’包含各种结构互补的构型,例如倒钩状、斜角状或者是诸如此类。
如图9和图10所示,所述第一衬套501的所述第一连接部512的最大横向边长尺寸定义为C1,所述第一衬套501的所述第二连接部514的横向边长尺寸定义为C2,以及所述第一衬套501的所述第三连接部516的横向边长尺寸定义为C3,其中C1、C2及C3的尺寸皆不同。同理,所述第二衬套505的所述第一连接部512’的横向边长尺寸C1’分别与所述第二连接部514’的横向边长尺寸C2’和所述第三连接部516’的横向边长尺寸C3’不同。
请参照图11,绘示一种根据本揭示的第六实施例的衬套单元610与等离子反应装置600的剖面爆炸图。所述等离子反应装置600包含具有一内侧壁622的一第一腔体620,以及所述衬套单元610包含一第一衬套602、一第二衬套604及一第三衬套606,其中所述第一衬套602与第二衬套604设于所述第一腔体620的一端,以及所述第三衬套606设于所述第一腔体620的相对另一端。所述第一衬套602、所述第二衬套604及所述第三衬套606分别包含用于与所述第一腔体620连接的第一连接部6022、6042、6062和用于与另一腔体(未出示)连接的第二连接部6024、6044、6064。
如图11所示,所述第一衬套602的所述第一连接部6022的最大横向边长尺寸定义为C1,所述第二连接部6024的横向边长尺寸定义为C2,以及所述第三连接部6026的横向边长尺寸定义为C3,其中C1的尺寸与C2及C3的尺寸不同。同理,所述第二衬套604的所述第一连接部6042的横向边长尺寸C1’分别与所述第二连接部6044的横向边长尺寸C2’和所述第三连接部6046的横向边长尺寸C3’不同;以及所述第二衬套606的所述第一连接部6062的横向边长尺寸C1’’分别与所述第二连接部6064的横向边长尺寸C2’’和所述第三连接部6066的横向边长尺寸C3’’不同。
如图11所示,所述第一衬套602、所述第二衬套604及所述第三衬套606分别包含结构互补的第三连接部6026、6046、6066,并且当所述第一衬套602、所述第二衬套604及所述第三衬套606分别与所述第一腔体620上下结合后,进一步使所述第一衬套602、所述第二衬套604及所述第三衬套606的所述数个第三连接部6026、6046、6066互相接合。
通过上述实施例可知,本揭示除了可利用一件式的衬套单元对应一个以上的腔体以外,也可利用多件式的衬套单元对应单一个腔体。例如根据本揭示第五实施例,所述衬套单元510包含第一衬套501和第二衬套505,并且所述多个衬套分别与同一个第一腔体520结合,或者是,如第六实施例的包含三件式的衬套单元610,但不局限于此。
请参照图12,其绘示一种根据本揭示的第七实施例的衬套单元710的局部放大视图。在本实施例中,所述衬套单元710的第二连接部714的外型呈现两阶式的阶梯状,包含一第一水平阶梯面7142和一第二水平阶梯面7144。当所述衬套单元710的所述第二连接部714与一第二腔体730的一对接部732对接后,所述第二腔体730的所述对接部732与部分的所述第一水平阶梯面7142和所述第二水平阶梯面7144连接,并且在所述第二连接部714与所述第二腔体730之间形成一密闭的容置空间。所述容置空间可用于容置一气密元件750,例如:气密环。
请参照图13,其绘示一种根据本揭示的第八实施例的衬套单元810的局部放大视图。所述衬套单元810的所述第二连接部814的外型呈现三阶式的阶梯状,包含具有一第一水平阶梯面8142的一第一阶、具有一第二水平阶梯面8144的一第二阶和具有一第三水平阶梯面8146的一第三阶。当所述衬套单元810的所述第二连接部814与一第二腔体830的一对接部832对接后,所述第二腔体830的所述对接部832与所述衬套单元810的所述第一阶的所述第一水平阶梯面8142和所述第三阶的所述第三水平阶梯面8146连接,并且所述第二腔体830的所述对接部832与所述第二阶共同形成容置一气密元件850的容置空间。应当注意的是,在本揭示中,通过设置为上述图12或图13所示样态的气密结构,使得本揭示不需设置一附加的陶瓷环,即可确保第一腔体的衬套单元与第二腔体之间具有良好的气密效果,因而降低了制造成本。另外,通过上述设置还可避免因腔体的热变形及扭曲造成的漏气及等离子腐蚀的问题。
虽然本揭示已用优选的实施例揭露如上,然其并非用以限定本揭示,本揭示所属技术领域中的普通技术人员,在不脱离本揭示的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本揭示要求保护的范围当视权利要求书范围限定者为准。

Claims (6)

1.一种用于等离子反应装置的衬套单元,其特征在于,所述等离子反应装置具有一第一腔体,所述衬套单元包含互相接合的多个衬套,所述多个衬套分别包含:
一第一连接部,用于与所述第一腔体连接,并且所述第一连接部与所述第一腔体的一内侧壁的结构互补;以及
一第二连接部,用于与一对应腔体的一对接部对接,其中所述多个衬套的每一个衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同,以及其中所述多个衬套的所述第二连接部的横向边长尺寸不同。
2.如权利要求1所述的衬套单元,其特征在于,所述衬套单元包含一第一衬套和一第二衬套,所述第一衬套和所述第二衬套分别包含用于与所述第一腔体连接的所述第一连接部和用于与所述对应腔体连接的所述第二连接部,所述第一衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同,以及所述第二衬套的所述第一连接部及所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。
3.如权利要求2所述的衬套单元,其特征在于,所述第一衬套的所述第二连接部及所述第二衬套的所述第二连接部两者的横向边长尺寸不同。
4.如权利要求2所述的衬套单元,其特征在于,所述第一衬套和所述第二衬套分别包含结构互补的第三连接部,并且当所述第一衬套和所述第二衬套分别与所述第一腔体结合后,所述第一衬套和所述第二衬套的所述数个第三连接部互相接合。
5.如权利要求1所述的衬套单元,其特征在于,当所述衬套单元的所述第二连接部与所述对应腔体的所述对接部对接后,所述第二连接部与所述对应腔体之间形成一容置空间,用于容置一气密元件。
6.如权利要求5所述的衬套单元,其特征在于,所述衬套单元的所述第二连接部形成为一阶梯状,包含一第一阶、一第二阶和一第三阶,当所述衬套单元的所述第二连接部与所述对应腔体的所述对接部对接后,所述对应腔体的所述对接部与所述第一阶的一第一水平阶梯面和所述第三阶的一第三水平阶梯面连接,并且与所述第二阶共同形成容置所述气密元件的所述容置空间。
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