JP2002118098A - Plasma-treating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子製造に使用されるプラズマを応用したプラズマ
処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus using plasma used for manufacturing semiconductor devices and liquid crystal display devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５に従来のプラズマ処理装置の概略断
面図を示す。図５において、反応室１の内部にプラズマ
処理を行う基板３を上面に載置可能なサセプタ２が配置
されている。サセプタ２は水路管４，５が設けてあり、
高温水あるいは冷却水を流す事によりサセプタ２の温度
を一定に保つことが可能である。反応室１には反応室フ
タ７があり、その上部に、石英ガラス容器（プラズマ発
生容器）１０がＯリング８を介して設置される。これに
より外部空間に対しプラズマ処理装置内部の機密を保持
し、真空排気管６から真空排気した反応室内部空間を真
空状態に保つことが可能な構成となっている。石英ガラ
ス容器１０のまわりに高周波を印加できるコイル９を配
置し、真空排気管６から真空排気し反応室内部空間を真
空状態にし、上部の反応ガス導入管１１より容器内反応
ガスを導入することによって、内部にプラズマを発生さ
せる。そして、そのプラズマをサセプタ２上の基板３に
当てることによって、基板にプラズマ処理を施す。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional plasma processing apparatus. In FIG. 5, a susceptor 2 on which a substrate 3 on which plasma processing is performed is placed on the upper surface of a reaction chamber 1 is disposed. The susceptor 2 is provided with water pipes 4 and 5,
By flowing high-temperature water or cooling water, the temperature of the susceptor 2 can be kept constant. The reaction chamber 1 has a reaction chamber lid 7, on which a quartz glass container (plasma generation container) 10 is installed via an O-ring 8. Thereby, the inside of the plasma processing apparatus is kept secret from the external space, and the space inside the reaction chamber evacuated from the vacuum exhaust pipe 6 can be kept in a vacuum state. A coil 9 to which a high frequency can be applied is arranged around a quartz glass container 10, a vacuum is exhausted from a vacuum exhaust pipe 6, the space inside the reaction chamber is evacuated, and a reaction gas in the vessel is introduced from an upper reaction gas introduction pipe 11. As a result, plasma is generated inside. Then, the plasma is applied to the substrate 3 by applying the plasma to the substrate 3 on the susceptor 2.
【０００３】しかし、図４に示すように従来のプラズマ
処理装置の真空シール部は石英ガラス容器１０のフラン
ジ面と反応室フタ７上の平面を合わせた構造になってお
り、真空シールを機能させているのはＯリング８の潰し
代である。つまり石英ガラス容器１０と真空反応室の合
わせ面の間は真空反応室内部から繋がる微少な空間がＯ
リング８の潰し代まで直線的に存在する。このため、真
空容器内のプラズマで発生したイオン、励起された原
子、ラジカル、電子などは、容易に、その直線的空間か
ら侵入する。そして石英ガラス容器１０内面やシール
面、および、Ｏリング８を徐々に劣化、消耗、浸食さ
せ、ついには真空反応室に真空破壊が発生してしまう。
それを防ぐために石英ガラス容器、Ｏリングの交換を行
う必要がある。However, as shown in FIG. 4, the vacuum seal portion of the conventional plasma processing apparatus has a structure in which the flange surface of the quartz glass container 10 and the flat surface on the reaction chamber lid 7 are aligned, so that the vacuum seal functions. That is the crushing allowance of the O-ring 8. That is, between the mating surface of the quartz glass container 10 and the vacuum reaction chamber, a small space connected from the inside of the vacuum reaction chamber is O
There is a straight line up to the crushing allowance of the ring 8. For this reason, ions, excited atoms, radicals, electrons, and the like generated by the plasma in the vacuum vessel easily enter from the linear space. Then, the inner surface, the sealing surface, and the O-ring 8 of the quartz glass container 10 gradually deteriorate, wear, and erode, and eventually, a vacuum break occurs in the vacuum reaction chamber.
In order to prevent this, it is necessary to replace the quartz glass container and the O-ring.
【０００４】特に、ＣＦ4やＣ4Ｈ8などのフッ素を含む
反応ガスをプラズマ中に入れるとＦ+などのフッ素イオ
ンやフッ素ラジカルが生成し、石英ガラスを反応すると
フッ素化珪素ＳｉＦ4となり気体化するため、石英ガラ
スの浸食は著しく、石英ガラス容器、Ｏリングの交換メ
ンテナンスサイクルが短くなる。[0004] Particularly, CF 4 and C 4 H fluorine reactive gas generated by the fluorine ions and fluorine radicals, such as F + and put in a plasma containing such 8, fluorinated silicon SiF 4 becomes a gas when reacted quartz glass Therefore, the erosion of the quartz glass is remarkable, and the replacement maintenance cycle of the quartz glass container and the O-ring is shortened.
【０００５】上記理由により、この様な真空シール面を
持つプラズマ処理装置においてフッ素を含む反応ガスを
用いプラズマ処理を続けると、図４（ｂ）に示すように
石英ガラス容器１０の内面およびフランジ面とＯリング
８が浸食され、真空反応室に真空破壊が発生する。[0005] For the above-mentioned reason, when the plasma processing is continued using the fluorine-containing reaction gas in the plasma processing apparatus having such a vacuum sealing surface, as shown in FIG. Then, the O-ring 8 is eroded, and a vacuum break occurs in the vacuum reaction chamber.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この様な従来のプラズ
マ処理装置の浸食が原因の真空破壊によるトラブル、Ｏ
リングや石英ガラス容器のメンテナンスサイクルの短期
化による生産性の低下に対応して、真空シール部の気密
性を長期間持続させるため、真空容器内のプラズマで発
生したイオン、励起された原子、ラジカル、電子などの
真空シール面への侵入を防止することが求められてい
る。Problems caused by vacuum breakage due to erosion of such a conventional plasma processing apparatus,
In order to maintain the airtightness of the vacuum seal for a long period of time in response to a decrease in productivity due to shortening of the maintenance cycle of rings and quartz glass containers, ions, excited atoms and radicals generated by plasma in the vacuum container It is required to prevent electrons and the like from entering the vacuum sealing surface.
【０００７】本発明はこのようなプラズマ処理装置にお
いて、上記従来の問題点に鑑み、石英ガラス容器の真空
シール面およびＯリングを保護し、それらの寿命を伸ば
し、メンテナンスサイクルを長期化できるプラズマ処理
装置を提供する事を目的としている。In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention provides a plasma processing apparatus capable of protecting a vacuum sealing surface and an O-ring of a quartz glass container, extending their life, and extending a maintenance cycle. The purpose is to provide equipment.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に第１の発明は、基板をプラズマ処理する反応室と、前
記反応室に設置したサセプタと、前記反応室に載設する
ためのフランジと前記フランジ面から前記反応室に挿入
する凸部を有し石英ガラスにより構成されるプラズマ発
生容器と、前記プラズマ発生容器内部にプラズマを発生
させるためのコイルと、前記プラズマ発生容器と前記反
応室の挿設部を密閉する弾性シール材とからなることを
特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a reaction chamber for plasma-treating a substrate, a susceptor installed in the reaction chamber, and a flange mounted on the reaction chamber. A plasma generation container made of quartz glass having a projection inserted from the flange surface into the reaction chamber, a coil for generating plasma inside the plasma generation container, the plasma generation container and the reaction chamber And an elastic sealing material for hermetically sealing the insertion portion.
【０００９】また第２の発明は、基板をプラズマ処理す
る反応室と、前記反応室に載設するためのフランジを有
するプラズマ発生容器と、前記プラズマ発生容器と前記
反応室の載設部を密閉する弾性シール材と、前記反応室
は凹部あるいは凸部を有し、前記プラズマ発生容器のフ
ランジは凹部あるいは凸部を有し、前記凹部と前記凸部
を嵌合させ前記反応室と前記プラズマ発生容器を載設す
ることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a reaction chamber for plasma-treating a substrate, a plasma generation container having a flange for mounting the reaction chamber, and a mounting portion for mounting the plasma generation container and the reaction chamber. The reaction chamber has a concave portion or a convex portion, and the flange of the plasma generating container has a concave portion or a convex portion, and the concave portion and the convex portion are fitted to each other to form the reaction chamber and the plasma generation. It is characterized by mounting a container.
【００１０】また第３の発明は、基板をプラズマ処理す
る反応室と、前記反応室に載設するためのフランジを有
するプラズマ発生容器と、前記反応室と前記プラズマ発
生容器に挿入する筒と前記筒外周に前記反応室と前記プ
ラズマ発生容器に接触するフランジを有するリングと、
前記プラズマ発生容器と前記リングを密閉する弾性シー
ル材と、前記リングと前記反応室の載設部を密閉する弾
性シール材とからなることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a reaction chamber for plasma-treating a substrate, a plasma generation vessel having a flange for mounting the reaction chamber, a cylinder inserted into the reaction chamber and the plasma generation vessel, A ring having a flange that contacts the reaction chamber and the plasma generation vessel on the outer periphery of the cylinder;
It is characterized by comprising an elastic sealing material for sealing the plasma generating vessel and the ring, and an elastic sealing material for sealing the mounting portion of the ring and the reaction chamber.
【００１１】これにより、真空容器内のプラズマで発生
したイオン、励起された原子、ラジカル、電子などの侵
入経路を長く、侵入し難い構造をすることによって、プ
ラズマ発生容器の真空シール面、および弾性シール材
（Ｏリング）の劣化、浸食を大幅に低減することが可能
になる。With this structure, the path of ions, excited atoms, radicals, electrons, and the like generated by the plasma in the vacuum vessel is made long and hard to penetrate, so that the vacuum sealing surface of the plasma generation vessel and the elasticity are improved. Deterioration and erosion of the sealing material (O-ring) can be greatly reduced.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１〜図３に本発明の実施の形態
を示す。1 to 3 show an embodiment of the present invention.
【００１３】（実施の形態１）図１に本発明第１の実施
の形態に係るプラズマ処理装置の概略断面図を示す。図
１において、石英ガラス容器１０のフランジ部から突出
した凸部１０ａ以外は従来のプラズマ処理装置と同じで
あり、符号の説明は省略する。また、プラズマ処理の動
作についても従来のプラズマ処理装置と同一であるので
省略する。(Embodiment 1) FIG. 1 shows a schematic sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, components other than a protruding portion 10a protruding from a flange portion of a quartz glass container 10 are the same as those of a conventional plasma processing apparatus, and description of reference numerals is omitted. In addition, the operation of the plasma processing is the same as that of the conventional plasma processing apparatus, and a description thereof will be omitted.
【００１４】このプラズマ処理装置において、石英ガラ
ス容器１０と反応室フタ７との接合部分は、石英ガラス
容器１０のフランジ部から突出した凸部１０ａを反応室
１内部に挿入させる構造となっている。そのため、石英
ガラス容器１０と反応室フタ７との合わせ面の間の真空
反応室内部から繋がる微少な空間は、真空反応室内部か
らＯリング８に至るまで直線的ではなく９０度曲がった
状態で繋がっており、微少な空間は垂直な空間が入り口
となっている。これにより、真空容器内のプラズマで発
生したイオン、励起された原子、ラジカル、電子など
が、石英ガラス容器１０と反応室フタ７との合わせ面の
間の真空反応室内部から繋がる微少な空間に侵入するの
を大幅に防ぎ、石英ガラス容器の真空シール面およびＯ
リングを保護し、長寿命化させ、メンテナンスサイクル
を拡大することが可能になる。In this plasma processing apparatus, the joint between the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7 has a structure in which a projection 10a protruding from a flange portion of the quartz glass container 10 is inserted into the reaction chamber 1. . Therefore, the minute space connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surface of the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7 is not linear but extends 90 degrees from the inside of the vacuum reaction chamber to the O-ring 8. The small space is connected, and the vertical space is the entrance. As a result, ions, excited atoms, radicals, electrons, and the like generated by the plasma in the vacuum container are connected to a minute space connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surfaces of the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7. Intrusion is greatly prevented, and the vacuum sealing surface of the quartz glass container and O
Protecting the ring, extending its life, and extending the maintenance cycle.
【００１５】実際に、石英ガラス容器１０のフランジ部
から突出した凸部１０ａの長さを６ｍｍにすると、ＣＦ
4を添加したＯ2アッシングプロセスに使用した石英ガラ
ス容器およびＯリングの寿命を従来の３倍以上延ばすこ
とができた。When the length of the projection 10a protruding from the flange of the quartz glass container 10 is set to 6 mm, the CF
The service life of the quartz glass container and the O-ring used in the O 2 ashing process to which 4 was added could be extended more than three times as compared with the conventional case.
【００１６】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２に係るプラズマ処理装置の真空シール部分の拡大
断面図を示している。反応室凹部７ｂ、フランジ凸部１
０ｂまたは反応室凸部７ｃ、フランジ凹部１０ｃで構成
される真空シール部分以外は図１と同様である。(Embodiment 2) FIG. 2 is an enlarged sectional view of a vacuum seal portion of a plasma processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. Reaction chamber concave portion 7b, flange convex portion 1
1 is the same as FIG. 1 except for a vacuum seal portion constituted by Ob or the reaction chamber protrusion 7c and the flange recess 10c.
【００１７】図２（ａ）は、石英ガラス容器１０のフラ
ンジ部に凸部１０ｂを設け、反応室フタ７のＯリング８
より内側に凹部７ｂを施し、その凸部１０ｂと凹部７ｂ
を嵌合させＯリング８までの間に屈曲経路を設ける構造
としている。FIG. 2 (a) shows a quartz glass vessel 10 having a flange 10b provided with a projection 10b, and an O-ring 8
A concave portion 7b is provided on the inner side, and the convex portion 10b and the concave portion 7b are provided.
And a bent path is provided between the O-ring 8 and the O-ring 8.
【００１８】図２（ｂ）は、石英ガラス容器１０のフラ
ンジ部に凹部１０ｃを設け、反応室フタ７のＯリング８
より内側に凸部７ｃを施し、その凹部１０ｃと凸部７ｃ
を嵌合させＯリング８までの間に屈曲経路を設ける構造
としている。FIG. 2B shows a quartz glass container 10 provided with a concave portion 10 c in a flange portion, and an O-ring 8 of a reaction chamber lid 7.
A convex portion 7c is provided further inside, and the concave portion 10c and the convex portion 7c are provided.
And a bent path is provided between the O-ring 8 and the O-ring 8.
【００１９】この図（ａ），（ｂ）に示した屈曲経路に
より、石英ガラス容器１０と反応室フタ７との合わせ面
の間の真空反応室内部から繋がる微少な空間は、真空反
応室内部からＯリング８に至るまで直線的ではなく４度
９０度曲がった状態で繋がっている。これにより、真空
容器内のプラズマで発生したイオン、励起された原子、
ラジカル、電子などが、石英ガラス容器１０と反応室フ
タ７との合わせ面の間の真空反応室内部から繋がる微少
な空間に侵入するのを大幅に防ぎ、石英ガラス容器の真
空シール面およびＯリングを保護し、長寿命化させ、メ
ンテナンスサイクルを拡大することが可能になる。The minute space connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surfaces of the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7 by the bending paths shown in FIGS. From the O-ring 8 to the O-ring 8 are connected not in a straight line but in a bent state of 4 degrees and 90 degrees. As a result, ions generated by the plasma in the vacuum vessel, excited atoms,
Radicals, electrons, and the like are greatly prevented from entering a minute space connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surface of the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7, and the vacuum sealing surface of the quartz glass container and the O-ring Protection, extending the life and extending the maintenance cycle.
【００２０】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３に係るプラズマ処理装置の真空シール部分の拡大
断面図を示している。(Embodiment 3) FIG. 3 is an enlarged sectional view of a vacuum seal portion of a plasma processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
【００２１】図３において石英ガラス容器１０と、反応
室フタ７の間にそれぞれＯリング８、１３を介して、円
筒外周部にフランジを有したリング１２をはさみ真空シ
ールする構造の真空シール部分以外は図１と同様であ
る。In FIG. 3, a ring 12 having a flange on the outer periphery of the cylinder is sandwiched between the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7 via O-rings 8 and 13, respectively, except for a vacuum seal portion having a structure for vacuum sealing. Are the same as in FIG.
【００２２】リング１２の円筒部を反応室フタ７と石英
ガラス容器１０のそれぞれに挿入し、かつリング１２の
円筒外周のフランジの上下面を反応室フタ７と石英ガラ
ス容器１０のそれぞれに接触させ、その接触面をＯリン
グ８、１３により密閉することで石英ガラス容器１０と
反応室フタ７の機密を保持している。つまり、石英ガラ
ス容器１０と反応室フタ７とリング１２の合わせ面の間
の真空反応室内部から繋がるそれぞれの微少な空間は、
真空反応室内部からＯリング８、１３に至るまで直線的
ではなく９０度曲がった状態で繋がっており、それぞれ
の微少な空間は垂直な空間が入り口となっている。これ
により、真空容器内のプラズマで発生したイオン、励起
された原子、ラジカル、電子などが、石英ガラス容器１
０と反応室フタ７とリング１２のそれぞれの合わせ面の
間の真空反応室内部から繋がる微少な空間に侵入するの
を大幅に防ぎ、石英ガラス容器の真空シール面およびＯ
リングを保護し、長寿命化させ、メンテナンスサイクル
を拡大することが可能になる。この方式では、従来形状
の石英ガラス容器と反応室フタの形状を変更せずに構成
できるため、あらたに石英ガラス容器を製作する必要が
ない。The cylindrical portion of the ring 12 is inserted into each of the reaction chamber lid 7 and the quartz glass container 10, and the upper and lower surfaces of the cylindrical outer peripheral flange of the ring 12 are brought into contact with the reaction chamber lid 7 and the quartz glass container 10, respectively. By sealing the contact surface with O-rings 8 and 13, the confidentiality between the quartz glass container 10 and the reaction chamber lid 7 is maintained. That is, the respective minute spaces connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surfaces of the quartz glass container 10, the reaction chamber lid 7, and the ring 12 are:
From the inside of the vacuum reaction chamber to the O-rings 8 and 13, they are connected not in a straight line but in a bent state at 90 degrees, and each minute space has a vertical space as an entrance. As a result, ions, excited atoms, radicals, electrons, and the like generated by the plasma in the vacuum vessel are transferred to the quartz glass vessel 1.
O, the reaction chamber lid 7 and the ring 12 are largely prevented from entering a minute space connected from the inside of the vacuum reaction chamber between the mating surfaces of the ring 7 and the vacuum sealing surface of the quartz glass container and O.
Protecting the ring, extending its life, and extending the maintenance cycle. In this method, since the quartz glass container having the conventional shape and the reaction chamber lid can be configured without changing the shape, it is not necessary to newly manufacture a quartz glass container.
【００２３】なお、本実施の形態での弾性シール材はＯ
リングに限定するものではなく、ゴム部材や、非金属と
金属の組合せ部材や、金属平形ガスケットや金属Ｏリン
グなど金属ガスケットや、液状ガスケット等の気密を保
つことが可能な部材であれば良い。The elastic sealing material in the present embodiment is O
The member is not limited to a ring, and may be a member that can maintain airtightness, such as a rubber member, a combination member of nonmetal and metal, a metal gasket such as a metal flat gasket or a metal O-ring, or a liquid gasket.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法によれば、真
空容器内のプラズマで発生したイオン、励起された原
子、ラジカル、電子などの侵入経路を長く、侵入し難い
構造をすることによって、プラズマ発生容器の真空シー
ル面、および弾性シール材（Ｏリング）の劣化、浸食を
大幅に低減することで、プラズマ発生容器の真空シール
面、および弾性シール材（Ｏリング）の寿命を拡大する
ことが可能となる。これにより、プラズマ処理装置の真
空破壊のトラブルを減少させ、メンテナンス期間を延長
でき、プラズマ処理装置の生産性向上が得られる。According to the plasma processing method of the present invention, the plasma generated in the vacuum chamber has a structure in which the path of ions, excited atoms, radicals, electrons, etc. generated by the plasma is made long and hard to penetrate. By greatly reducing the deterioration and erosion of the vacuum sealing surface of the generating vessel and the elastic sealing material (O-ring), the life of the vacuum sealing surface of the plasma generating vessel and the elastic sealing material (O-ring) can be extended. It becomes possible. As a result, the trouble of vacuum breakage of the plasma processing apparatus can be reduced, the maintenance period can be extended, and the productivity of the plasma processing apparatus can be improved.
【図１】本発明の実施の形態１のプラズマ処理装置を示
す概略断面図FIG. 1 is a schematic sectional view showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態２のプラズマ処理装置の真
空シール部分を示す拡大断面図FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a vacuum seal portion of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態３のプラズマ処理装置の真
空シール部分を示す拡大断面図FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a vacuum seal portion of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
【図４】従来のプラズマ処理装置の真空シール部分を示
す拡大断面図FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a vacuum seal portion of a conventional plasma processing apparatus.
【図５】従来のプラズマ処理装置を示す概略断面図FIG. 5 is a schematic sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.
１ 反応室 ２ サセプタ ３ 基板 ７ 反応室フタ ７ｂ 反応室凹部 ７ｃ 反応室凸部 ８ Ｏリング（弾性シール材） ９ コイル １０ 石英ガラス容器（プラズマ発生容器） １０ａ 石英ガラス容器フランジ部から突出した凸
部 １０ｂ 石英ガラス容器フランジ部の凸部 １０ｃ 石英ガラス容器フランジ部の凹部 １２ リング １３ Ｏリング（弾性シール材）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction chamber 2 Susceptor 3 Substrate 7 Reaction chamber lid 7b Reaction chamber concave part 7c Reaction chamber convex part 8 O-ring (elastic sealing material) 9 Coil 10 Quartz glass container (plasma generating container) 10a Convex part projected from quartz glass container flange 10b Convex portion of quartz glass container flange portion 10c Concave portion of quartz glass container flange portion 12 ring 13 O-ring (elastic sealing material)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 和弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡邉 彰三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 BA20 BB29 BC01 BD01 DA01 DA26 DB26 5F045 AA08 EB05 EB10 EH11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazuhiro Inoue 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terms (reference) 5F004 AA15 BA20 BB29 BC01 BD01 DA01 DA26 DB26 5F045 AA08 EB05 EB10 EH11
Claims (3)
するプラズマ処理装置において、 基板をプラズマ処理する反応室と、前記反応室に載設す
るためのフランジと前記フランジ面から前記反応室に挿
入する凸部を有するプラズマ発生容器と、前記プラズマ
発生容器と前記反応室の挿設部を密閉する弾性シール材
とからなることを特徴とするプラズマ処理装置。1. A plasma processing apparatus for generating plasma and performing plasma processing on a substrate, comprising: a reaction chamber for performing plasma processing on a substrate; a flange mounted on the reaction chamber; and a projection inserted into the reaction chamber from the flange surface. A plasma processing apparatus comprising: a plasma generation container having a portion; and an elastic sealing material for sealing the insertion portion of the plasma generation container and the reaction chamber.
するプラズマ処理装置において、 基板をプラズマ処理する反応室と、前記反応室に載設す
るためのフランジを有するプラズマ発生容器と、前記プ
ラズマ発生容器と前記反応室の載設部を密閉する弾性シ
ール材と、 前記反応室は凹部あるいは凸部を有し、前記プラズマ発
生容器のフランジは凹部あるいは凸部を有し、前記凹部
と前記凸部を嵌合させ前記反応室と前記プラズマ発生容
器を載設することを特徴とするプラズマ処理装置。2. A plasma processing apparatus for generating plasma and performing plasma processing on a substrate, comprising: a reaction chamber for performing plasma processing on a substrate; a plasma generation container having a flange for mounting in the reaction chamber; An elastic sealing material that seals the mounting portion of the reaction chamber; the reaction chamber has a concave portion or a convex portion; the flange of the plasma generating container has a concave portion or a convex portion; A plasma processing apparatus, wherein the reaction chamber and the plasma generating container are mounted.
するプラズマ処理装置において、 基板をプラズマ処理する反応室と、前記反応室に載設す
るためのフランジを有するプラズマ発生容器と、前記反
応室と前記プラズマ発生容器に挿入する筒と前記筒外周
に前記反応室と前記プラズマ発生容器に接触するフラン
ジを有するリングと、前記プラズマ発生容器と前記リン
グを密閉する弾性シール材と、前記リングと前記反応室
の載設部を密閉する弾性シール材とからなることを特徴
とするプラズマ処理装置。3. A plasma processing apparatus for generating plasma and performing plasma processing on a substrate, comprising: a reaction chamber for performing plasma processing on a substrate; a plasma generation container having a flange for mounting on the reaction chamber; A ring having a cylinder inserted into a plasma generation vessel, a flange on the outer circumference of the reaction chamber and a flange in contact with the plasma generation vessel, an elastic sealing material for sealing the plasma generation vessel and the ring, the ring and the reaction chamber And a resilient sealing material for hermetically sealing the mounting portion.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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