JP2002117780A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に壁（12）によって区画され、かつスパッタ用ガスが注入される入口（45）、およびイオンビーム（Ｂ）が引き出される開口（18）を有するイオン化室（14）と、
スパッタリングプラズマを形成するために前記スパッタ用ガスをイオン化する電子源（44）と、
前記電子源によって放出された電子を反射させ、さらに、前記電子源によってイオン化されて、スパッタリングされる材料源を供給するリペラ（100）と、
前記イオン化室（14）の壁に対して前記リペラ（100）に負バイアスを与えるための可変電源（114）と、
この電源（114）に制御信号（128）を出力して、イオン注入装置から受け入れられたイオンビーム電流のフィードバック信号（124）の一部に基づいて前記負バイアスを変化させるためのコントローラ（122）とを含み、
前記スパッタ可能なリペラ（100）は、スパッタ可能材料のスラグ（108）を含み、さらに前記イオン化室（14）内に前記スラグを取り付ける取付構造体（102,104）を含み、前記スラグは、前記取付構造体から取り外し可能であり、さらに、前記リペラ（100）は、前記イオン化室の壁（12）から絶縁され、かつ前記イオン化室の壁（12）に対して負にバイアスされていることを特徴とするイオン注入装置用のイオン源。
【請求項２】
前記スパッタ可能なリペラ（100）と前記電子源（44）は、前記イオン化室（14）の対向する端部に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項３】
前記取付構造体（102,104）は、炭化ケイ素(SiC)から構成されていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項４】
前記スパッタ可能材料の融点は、800℃以上であることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項５】
前記スパッタ可能材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ボロン（Ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）、セシウム（Ｃｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかの元素またはそれらのいくつかを含む化合物からなることを特徴とする請求項４記載のイオン源。
【請求項６】
前記電子源は、エンドキャップの陰極（44）によって少なくとも部分的に取り囲まれた加熱フィラメントを含んでいることを特徴とする請求項５記載のイオン源。
【請求項７】
前記リペラ（100）の電位は、前記スパッタ用ガスの電位と異なっていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項８】
イオン注入装置におけるイオン源（10）のためのリペラ（100）であって、
イオン化ガスによってスパッタリングされる材料からなるスパッタ電極スラグ（108）と、
前記スパッタ電極スラグを支持するブロック（102）と、
前記スパッタ電極スラグ（108）をブロック（102）に取外し可能に取り付けられるロック要素（104）とを含み、
前記スパッタ電極のスラグが、イオン化ガス内に含まれる電子を反射し、かつスパッタされる材料を供給して、この材料が前記イオン化ガスによってイオン化されるようになっており、さらに、
前記リペラ（100）に電気的な負バイアスを与えるための可変電源（114）と、
この電源（114）に制御信号（128）を出力して、イオン注入装置から受け入れられたイオンビーム電流のフィードバック信号（124）の一部に基づいて前記負バイアスを変化させるためのコントローラ（122）とを含むことを特徴とするイオン源用のリペラ。
【請求項９】
前記ロック要素（104）は、前記スパッタ電極スラグ（108）を前記ブロック（102）に固定するために前記ブロックに螺合することを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１０】
前記ロック要素（104）と前記ブロック（102）は、炭化ケイ素(SiC)から構成されていることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１１】
前記スパッタ可能な材料の融点は、800℃以上であることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１２】
前記スパッタ可能な材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ボロン（Ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）、セシウム（Ｃｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかの元素またはそれらのいくつかを含む化合物からなることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１３】
前記リペラ（100）の負バイアスは、前記イオン化ガスの電位と異なっていることを特徴とする請求項８記載のリペラ。