JPH0612598Y2 - 熱陰極端子台 - Google Patents
熱陰極端子台Info
- Publication number
- JPH0612598Y2 JPH0612598Y2 JP492487U JP492487U JPH0612598Y2 JP H0612598 Y2 JPH0612598 Y2 JP H0612598Y2 JP 492487 U JP492487 U JP 492487U JP 492487 U JP492487 U JP 492487U JP H0612598 Y2 JPH0612598 Y2 JP H0612598Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal block
- hot cathode
- cathode terminal
- groove
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 1)産業上の利用分野 この考案は、各種イオン源、三極スパッタリング装置、
各種電子銃に用いられる熱陰極を取付けるための端子台
に関する。
各種電子銃に用いられる熱陰極を取付けるための端子台
に関する。
2)従来の技術とその問題点 熱電子を発生させるための熱陰極は、装置内の支持電極
に安定に、かつ取替え可能に取り付ける必要がある。こ
のために通常は熱陰極は支持電極を介して絶縁体からな
る端子台に取り付けられて用いられる。しかしながら、
熱陰極を使用したとき、熱陰極の蒸発および熱陰極や装
置内部の支持電極等の部品がスパッタリングされること
により、これら導電性物質が端子台に蒸着し、端子台が
絶縁不良になるという問題があった。
に安定に、かつ取替え可能に取り付ける必要がある。こ
のために通常は熱陰極は支持電極を介して絶縁体からな
る端子台に取り付けられて用いられる。しかしながら、
熱陰極を使用したとき、熱陰極の蒸発および熱陰極や装
置内部の支持電極等の部品がスパッタリングされること
により、これら導電性物質が端子台に蒸着し、端子台が
絶縁不良になるという問題があった。
この問題に対し、従来は端子台の設置角度をスパッタリ
ングを受け難い角度に調節したり、スパッタリング防止
の遮蔽板を設けたりするていどの対策しかなく、これら
の寸法は端子台の形状および装置が複雑になるという欠
点があった。
ングを受け難い角度に調節したり、スパッタリング防止
の遮蔽板を設けたりするていどの対策しかなく、これら
の寸法は端子台の形状および装置が複雑になるという欠
点があった。
この考案はスパッタリングにより導電性物質の蒸着を受
けても絶縁が劣化し難い熱陰極端子台を提供することを
目的とする。
けても絶縁が劣化し難い熱陰極端子台を提供することを
目的とする。
3)問題点を解決するための手段 この考案は、熱陰極を取り付けるための端子を有する絶
縁体からなる端子台であって、この端子台の表面にこの
端子間を分断するように開口幅よりも内部幅の広い溝を
少なくとも１本切ったことを特徴とする熱陰極端子台で
ある。この考案において絶縁体とは、アルミナ、窒化ほ
う素、窒化アルミニウム、シリカ系セラミックス、マイ
カ系セラミックス等である。
縁体からなる端子台であって、この端子台の表面にこの
端子間を分断するように開口幅よりも内部幅の広い溝を
少なくとも１本切ったことを特徴とする熱陰極端子台で
ある。この考案において絶縁体とは、アルミナ、窒化ほ
う素、窒化アルミニウム、シリカ系セラミックス、マイ
カ系セラミックス等である。
以下、この考案の熱陰極端子台を図面により説明する。
第１図は本考案の熱陰極端子台の斜視図であり、第２図
は断面図である。絶縁体１の表面に切られた溝２の内部
幅Ａは開口幅Ｂよりも広くしなければならない。ここで
溝の内部幅とは溝の内部における幅のうち最大の幅であ
る。また、溝の開口幅とは溝の開口部における幅であ
る。溝の断面形状は第２図のような円形に限らず、第３
図のような三角形でもよく、また、開口幅より内部幅が
広い溝である限り、だ円形、四角形でもよい。
第１図は本考案の熱陰極端子台の斜視図であり、第２図
は断面図である。絶縁体１の表面に切られた溝２の内部
幅Ａは開口幅Ｂよりも広くしなければならない。ここで
溝の内部幅とは溝の内部における幅のうち最大の幅であ
る。また、溝の開口幅とは溝の開口部における幅であ
る。溝の断面形状は第２図のような円形に限らず、第３
図のような三角形でもよく、また、開口幅より内部幅が
広い溝である限り、だ円形、四角形でもよい。
第４図は本考案の熱陰極端子台の用途例を示すものであ
る。熱陰極端子台３は、装置内の、熱陰極４を取り付け
た支持電極に接続するための端子５ａ、５ｂとともに組
立てられ使用される。熱陰極端子台の表面には２個の端
子を分断するように溝２が切られている。そして溝の内
部幅は開口幅よりも広くなっている。
る。熱陰極端子台３は、装置内の、熱陰極４を取り付け
た支持電極に接続するための端子５ａ、５ｂとともに組
立てられ使用される。熱陰極端子台の表面には２個の端
子を分断するように溝２が切られている。そして溝の内
部幅は開口幅よりも広くなっている。
4)作用 熱陰極端子台の熱陰極を取り付けた構造体を使用中に、
スパッタリングにより導電性物質が飛来し、熱陰極端子
台の表面に導電性の蒸着膜が生成するが、蒸着は方向性
をもっていることと、本考案の熱陰極端子台には絶縁体
の表面に開口幅よりも内部幅の広い溝を少なくとも１本
切られていることがあいまって、第５図に示すように溝
の内部には蒸着されない死角部８が残るため、支持電極
間の絶縁が確保される。
スパッタリングにより導電性物質が飛来し、熱陰極端子
台の表面に導電性の蒸着膜が生成するが、蒸着は方向性
をもっていることと、本考案の熱陰極端子台には絶縁体
の表面に開口幅よりも内部幅の広い溝を少なくとも１本
切られていることがあいまって、第５図に示すように溝
の内部には蒸着されない死角部８が残るため、支持電極
間の絶縁が確保される。
5)実施例 以下、実施例により本考案の熱陰極端子台について具体
的に説明する。第６図は熱陰極を取付けた熱陰極端子台
の正面図である。窒化ほう素のブロックをフライス加工
することにより、寸法が１３×１２×４．５（単位mm）
の板状にしたのち、ボール盤を用いて支持電極と接続す
る端子５ａ、５ｂを取り付ける穴及び端子５ａ，５ｂの
間を分断するように、断面が直径２mmの円形状の溝を形
成して熱陰極端子台１とした。
的に説明する。第６図は熱陰極を取付けた熱陰極端子台
の正面図である。窒化ほう素のブロックをフライス加工
することにより、寸法が１３×１２×４．５（単位mm）
の板状にしたのち、ボール盤を用いて支持電極と接続す
る端子５ａ、５ｂを取り付ける穴及び端子５ａ，５ｂの
間を分断するように、断面が直径２mmの円形状の溝を形
成して熱陰極端子台１とした。
この熱陰極端子台にモリブデン製端子５ａ、５ｂを取り
付け、これに支持電極を取り付けた後、この支持電極
に、直径１mmのタングステン製熱陰極４をスポット溶接
した。この熱陰極構造体をカスプ型イオン源を用いて、
アルゴンガスについてアーク電圧６０Ｖ、アーク電流７
Ａの放電条件で試験をおこなった。
付け、これに支持電極を取り付けた後、この支持電極
に、直径１mmのタングステン製熱陰極４をスポット溶接
した。この熱陰極構造体をカスプ型イオン源を用いて、
アルゴンガスについてアーク電圧６０Ｖ、アーク電流７
Ａの放電条件で試験をおこなった。
その結果、約３０時間でタングステン熱陰極の寿命に達
するまで、正負の端子間の短絡は生ぜず安定な放電を維
持することができた。一方比較のため第７図に示すよう
な、断面がＵ字型の溝を形成した熱陰極端子台を用い
て、上記と同様な熱陰極構造体を作製し、同条件にて試
験をおこなったところ、約１０時間後に支持電極間が短
絡し、加熱できなくなった。
するまで、正負の端子間の短絡は生ぜず安定な放電を維
持することができた。一方比較のため第７図に示すよう
な、断面がＵ字型の溝を形成した熱陰極端子台を用い
て、上記と同様な熱陰極構造体を作製し、同条件にて試
験をおこなったところ、約１０時間後に支持電極間が短
絡し、加熱できなくなった。
6)考案の効果 本考案の熱陰極端子台はスパッタリングにより導電性物
質の飛来を受けても、蒸着されない死角の部分残るた
め、支持電極間及び端子間の絶縁を良好に維持すること
ができる。本考案の熱陰極端子台はカウフマン(Kaufma
n)型、カルトロン(Calutron)型、多極磁界型（バケット
型）等の熱電子衝撃型イオン源のほか、ニールセン(Nie
lsen)型、スカンジナビアン(Scandinavian)型等の電子
振動型イオン源、ビームプラズマ型イオン源、ヒル・ア
ンド・ネルソン(Hill and Nelson)型等のスパッタイオ
ン源、ＰＩＧ型イオン源、モノプラズマトロン、デュオ
プラズマトロン、デュオピガトロン等の各種イオン源、
三極スパッタリング装置、電子ビーム溶接装置、電子ビ
ーム溶解装置、電子ビーム露光装置、電子顕微鏡、陰極
線管等に用いる熱陰極の端子台として適している。
質の飛来を受けても、蒸着されない死角の部分残るた
め、支持電極間及び端子間の絶縁を良好に維持すること
ができる。本考案の熱陰極端子台はカウフマン(Kaufma
n)型、カルトロン(Calutron)型、多極磁界型（バケット
型）等の熱電子衝撃型イオン源のほか、ニールセン(Nie
lsen)型、スカンジナビアン(Scandinavian)型等の電子
振動型イオン源、ビームプラズマ型イオン源、ヒル・ア
ンド・ネルソン(Hill and Nelson)型等のスパッタイオ
ン源、ＰＩＧ型イオン源、モノプラズマトロン、デュオ
プラズマトロン、デュオピガトロン等の各種イオン源、
三極スパッタリング装置、電子ビーム溶接装置、電子ビ
ーム溶解装置、電子ビーム露光装置、電子顕微鏡、陰極
線管等に用いる熱陰極の端子台として適している。
第１図は本考案の熱陰極端子台の斜視図であり、第２図
および第３図は断面図である。第４図は本考案の熱陰極
端子台の用途例を示す斜視図である。第５図は本考案の
熱陰極端子台の使用中の状況を示す断面図である。第６
図は本考案の熱陰極端子台の実施例を示す正面図であ
る。第７図は比較例の熱陰極端子台の断面図である。 符号 １……絶縁体、２……溝、３……熱陰極端子台、
４……熱陰極、５ａ、５ｂ……端子、６……飛来する導
電性物質、７……導電性蒸着膜、８……死角部、Ａ……
内部幅、Ｂ……開口幅。
および第３図は断面図である。第４図は本考案の熱陰極
端子台の用途例を示す斜視図である。第５図は本考案の
熱陰極端子台の使用中の状況を示す断面図である。第６
図は本考案の熱陰極端子台の実施例を示す正面図であ
る。第７図は比較例の熱陰極端子台の断面図である。 符号 １……絶縁体、２……溝、３……熱陰極端子台、
４……熱陰極、５ａ、５ｂ……端子、６……飛来する導
電性物質、７……導電性蒸着膜、８……死角部、Ａ……
内部幅、Ｂ……開口幅。
Claims (1)
- 【請求項１】熱陰極を取り付けるための端子を有する絶
縁体からなる端子台であって、該端子台の表面に該端子
間を分断するように開口幅よりも内部幅の広い溝を少な
くとも１本切ったことを特徴とする熱陰極端子台。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP492487U JPH0612598Y2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 熱陰極端子台 |
| GB8712116A GB2192751B (en) | 1986-07-14 | 1987-05-22 | Method of making a thermionic cathode structure. |
| DE19873717974 DE3717974A1 (de) | 1986-07-14 | 1987-05-27 | Gluehkathode |
| US07/222,300 US4878866A (en) | 1986-07-14 | 1988-07-22 | Thermionic cathode structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP492487U JPH0612598Y2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 熱陰極端子台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116956U JPS63116956U (ja) | 1988-07-28 |
| JPH0612598Y2 true JPH0612598Y2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=30786038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP492487U Expired - Lifetime JPH0612598Y2 (ja) | 1986-07-14 | 1987-01-19 | 熱陰極端子台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612598Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2377141B1 (en) * | 2008-12-08 | 2014-07-16 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Electron source and cathode cup thereof |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP492487U patent/JPH0612598Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63116956U (ja) | 1988-07-28 |
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