JP2002117523A

JP2002117523A - 記録媒体用基板、記録媒体用基板の製造方法、および記録媒体

Info

Publication number: JP2002117523A
Application number: JP2000309374A
Authority: JP
Inventors: Katsunori Suzuki; 克紀鈴木; Shoji Sakaguchi; 庄司坂口; Akiyoshi Iso; 亜紀良磯; Yoichi Tei; 用一鄭
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2000-10-10
Filing date: 2000-10-10
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】高温・高湿および低温環境下に長時間放置し
た後でも表面におけるフクレの発生が非常に少ない、熱
可塑性樹脂から成る基板、その製造方法、およびその基
板を使用した記録媒体を提供する。【解決手段】熱可塑性樹脂から成る記録媒体用基板上
における基板構成材料の酸化劣化物量を、基板の重量に
基づいて３０ｐｐｂ以下にする。そのような基板は、熱
可塑性樹脂から記録媒体用基板を成形した後に、酸素濃
度が０．７％以下の不活性ガス雰囲気下でアニールする
ことによりことに提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置、およびその他のデジタルデータの各種磁気
記録装置に搭載される磁気、光および光磁気記録媒体用
の基板、そのような基板の製造方法、並びにそのような
基板を具える磁気、光および光磁気記録媒体に関するも
のである。さらに詳しくは、プラスチック製であるが、
高温・高湿環境下または低温環境下に長時間放置した後
でも基板表面に発生するフクレを最小限に抑えた耐環境
安定性の高い記録媒体用基板、そのような基板の製造方
法、並びにそのような基板を具える磁気、光および光磁
気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録媒体としては、磁気記録媒体、光記
録媒体、および光磁気記録媒体が知られている。

【０００３】従来、磁気記録媒体（ハードディスク）の
磁気ディスク基板としては、Ａｌ基板のような非磁性金
属基板やガラス基板のようなセラミック基板などが用い
られてきた。

【０００４】そして、高度な表面精度が要求される磁気
記録媒体に関しては、非磁性金属基板を使用した場合、
非磁性金属基板上にはスパッター法などによりＣｏ合金
磁性層が形成されるが、走行方向に粒子の長軸を配向さ
せて磁気特性を向上させるために、基板表面にテクスチ
ャーをつける等の高度な精密加工が必要とされる。

【０００５】この非磁性金属の磁気ディスク基板は、一
般的に、加熱溶融した金属材料を圧延して加熱焼鈍した
後、規定の寸法に加工されたブランク材を用いて作成さ
れる。規定の寸法に加工されたブランク材に内外径処理
を施し、さらに表面精度を向上させるためにラッピング
加工が行われる。ついで、表面硬度向上等を目的とし
て、Ｎｉ−Ｐメッキ層を１３μｍの厚さで形成し、その
表面をポリッシュで平均粗さ（Ｒａ）が１０Åになるよ
うに研磨した後、ダイヤモンドスラリーを使用して最終
ラッピング加工が行われる。その後、コンタクト・スタ
ート・ストップ（ＣＳＳ）ゾーンに、例えばバンプ高さ
が１９０Å、バンプ密度が３０×３０μｍ ²になるよう
にレーザーゾーンテクスチャーを施すことにより磁気デ
ィスク基板が作成される。

【０００６】このように作成された磁気ディスク基板を
具えた磁気記録媒体の構成は多様であるが、例えば、基
板を精密洗浄した後、基板上に、ＤＣスパッタ法により
Ｃｒ下地層５００Å、Ｃｏ−１４Ｃｒ−４Ｔａ磁性層３
００Å、カーボン保護層８０Åを順次形成し、表面にテ
ープバニッシュを行った後、ディップコート法またはス
ピンコート法により厚さ２０Åのフッ素系潤滑層を形成
して、磁気記録媒体が形成される。

【０００７】また、光記録媒体、例えばコンパクトディ
スクは、光ディスク基板の上に少なくとも反射層と保護
層とを含み、反射層からの反射光を用いて情報を読み書
きするものである。さらに、書き込み可能な光ディスク
（ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ等）は、光ディスク基板
の上に、少なくとも記録層、反射層、および保護層が積
層されており、記録層に対してレーザー光を用いて情報
の読み書きを行うものである。

【０００８】さらに、光磁気記録媒体は、光磁気ディス
ク基板の上に、たとえば保護膜に挟持された磁性記録
層、反射膜および保護コートを具え、レーザー光と磁気
を用いて情報を記録し、磁性層によるレーザー光の反射
を用いて情報を読み出すものである。

【０００９】上記の中でも特に磁気記録媒体（ハードデ
ィスク）に関して言えば、従来の磁気ディスク基板およ
び磁気記録媒体の製造方法は、近年の高密度化にしたが
って益々複雑化している。一方では、高機能を維持した
ままで従来以上に安価な磁気記録媒体が求められてい
る。この相反する要求を解決する磁気ディスク基板とし
て、プラスチックを用いた磁気記録媒体が提案されてい
る（例えば、特開平５−４２３１号公報、特開平５−６
５３５号公報、特開平５−２８４８８号公報など）。プ
ラスチック、例えば、ポリカーボネート、ポリアクリ
ル、ポリオレフィン等を用いることにより、磁気ディス
ク基板を成形技術によって作製でき、成形時にＣＳＳゾ
ーンも同時に形成できるため、生産性に優れ工業的に有
利であり、その結果、安価な磁気記録媒体を提供するこ
とが可能となった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高度な
表面精度および形状安定性が要求される磁気ディスク基
板に関しては、プラスチック基板は、非金属基板やセラ
ミック基板と比較して、一般に引張り強度、伸び、弾性
等の機械的強度が低く、さらに熱膨張係数が大きいため
に高温・高湿下、および低温下での信頼性試験では吸湿
および放湿によって、基板に直径数μｍ、高さ数ｎｍの
フクレが発生することがある。

【００１１】また、一般的な光磁気記録媒体において
も、この信頼性試験によってフクレは発生していた。

【００１２】光磁気記録媒体においては、レーザーと基
板の間との距離が大きいことからフクレによる重大な問
題は生じていなかった。しかしながら、ハードディスク
のように、数１０ｎｍの高さをヘッドが飛ぶために、平
均粗さ（Ｒａ）が１０Å以下、円周方向の面振れ最大値
が２０μｍ以下というレベルの非常に高精度な表面精度
が要求されるデバイスにおいては、基板表面のフクレに
より磁気ヘッドが浮上せず、実際の読み書きが行えない
という問題を引き起こす。

【００１３】本発明は、かかる従来の実情を鑑みて提案
されたものであり、本発明の課題は、高温・高湿環境下
および低温環境下に長時間放置しても基板表面のフクレ
の発生が最小限に抑えられた記録媒体用基板、その基板
の製造方法、およびそのような基板を具えた記録媒体を
提供することにある。

【００１４】なお、本発明は、どのようなプラスチック
製記録媒体用基板にも適用することができ、上記構成を
有する各種記録媒体用基板および各種記録媒体、並びに
上記製法から得られた各種記録媒体用基板および各種記
録媒体にのみ適用されるものではないが、ハードディス
クに特に好適である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題を解決するために、高温・高湿および低温環境下
に長時間放置した後に発生する基板表面のフクレの大部
分は、その核に、基板を製造する過程で生じた基板構成
材料の酸化劣化物、すなわち、樹脂および添加物の酸化
劣化物が存在していること、そして、フクレの密度とそ
れらの劣化物量とが明瞭な相関性をもつことを見出し、
基板をアニールして基板表面に存在する基板構成材料の
酸化劣化物を除去することにより、フクレの発生源をあ
らかじめ取り除くことができ、発生するフクレの数を低
減させることができることを見出した。

【００１６】すなわち、本発明の第１の形態である記録
媒体用基板は、熱可塑性樹脂から成る記録媒体用基板で
あって、基板上における基板構成材料の酸化劣化物量
が、基板の重量に基づいて３０ｐｐｂ以下であることを
特徴とする。また、第２の形態は、上記第１の形態の基
板の製造方法であり、熱可塑性樹脂から記録媒体用基板
を成形する工程、および成形された基板をアニールする
工程を具え、そのアニール工程は、酸素濃度が０．７％
以下の不活性ガス雰囲気下で実施されることを特徴とす
る。

【００１７】第３の形態である基板の製造方法は、上記
第２の形態の製造方法において、アニール工程は、アニ
ール温度Ｔ（℃）およびアニール時間τ（hr）が、関係
式

【００１８】

【数２】τ≧３．２０×１０^-9×ｅｘｐ{６８９０／
（２７３＋Ｔ）}

【００１９】を満たす条件下で実施されることを特徴と
する。

【００２０】第４の形態である基板の製造方法は、上記
第３の形態の製造方法において、アニール温度は使用さ
れた樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）より２０℃以上低い
温度であり、アニール時間は５０時間以下であることを
特徴とする。

【００２１】第５の形態である基板の製造方法は、上記
第２〜第４のいずれか１の形態の製造方法において、ア
ニール工程は、基板が縦置きで保持され、かつ揮発ガス
を放出することができる通気性を有する環境下で実施さ
れることを特徴とする。

【００２２】さらに、第６の形態である記録媒体用基板
は、上記第２〜５のいずれか１の形態の製造方法により
製造されたことを特徴とする。

【００２３】さらにまた、第７の形態は、記録媒体であ
り、上記第１または第６の形態の基板を具えることを特
徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の基板は、いかなる製造方
法により製造された、いかなる構造の磁気記録媒体、光
記録媒体、および光磁気記録媒体においても使用される
ことができる。

【００２５】本発明の基板は熱可塑性樹脂から成るもの
である。本発明において用いられる熱可塑性樹脂は、一
般的には高耐熱性・低吸湿性の熱可塑性樹脂であり、樹
脂構造に由来したガラス転移温度（Ｔｇ）は１３５℃〜
１７０℃であることが好ましく、この範囲内では高いほ
ど好ましい。記録媒体用基板に慣用の熱可塑性樹脂であ
れば制限なく使用することができ、具体的にはポリカー
ボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオ
レフィン系樹脂などを挙げることができる。特に高耐熱
性・低吸湿性で、剛直構造のポリオレフィン系樹脂、例
えばノルボルネン系ポリシクロオレフィン樹脂などを用
いることが望ましい。

【００２６】熱可塑性樹脂には、通常、慣用の添加剤が
配合されている。慣用の添加剤は、具体的は、フェノー
ル系、リン系などの酸化防止剤、ベンゾフェノン系など
の紫外線安定剤、アミン系などの帯電防止剤、脂肪族ア
ルコール、エステルなどの滑剤などである。

【００２７】高温・高湿および低温環境下に長時間放置
した後に発生する基板表面のフクレの大部分は、その核
に、基板構成材料の酸化劣化物が存在している。基板構
成材料の酸化劣化物とは、基板を製造する過程で、すな
わち、ペレット作製、乾燥および成形時などに発生し
た、基板の材料である熱可塑性樹脂の酸化・分解物およ
び熱可塑性樹脂に配合された上記の添加剤の酸化・分解
物である。

【００２８】本発明の基板は、基板上における基板構成
材料の酸化劣化物量が、基板の重量に基づいて３０ｐｐ
ｂ以下である。本発明者らは、基板表面に存在する基板
構成材料の酸化劣化物の量と、発生するフクレの数との
間に相関関係があることを見出した。本発明は、いかな
る理論にも拘束されるものではないが、熱可塑性樹脂か
ら成る基板は、高温・高湿条件と低温条件との両方が生
じる環境下に長時間放置されると、酸化劣化物には親水
性成分が多いため、吸湿してしまう。すなわち、その部
分に水分が凝集し、フクレが発生してしまうと考えられ
る。したがって、フクレの発生源である酸化劣化物の量
が低ければ低いほど、発生するフクレの数が低減され
る。

【００２９】基板上における基板構成材料の酸化劣化物
量は、基板の重量に基づいて３０ｐｐｂ以下であり、好
ましくは２５ｐｐｂ以下である。酸化劣化物量が３０ｐ
ｐｂより多いと高温・高湿および低温環境下に長時間放
置した後に発生する基板表面のフクレにより記録媒体の
安定性が損なわれるため好ましくない。

【００３０】基板上における基板構成材料の酸化劣化物
量が、基板の重量に基づいて３０ｐｐｂ以下である熱可
塑性樹脂から成る基板は、熱可塑性樹脂から基板を成形
した後に、特定の条件下でアニールを行うことにより製
造することができる。

【００３１】基板構成材料の酸化劣化物は、樹脂やその
添加剤が酸化・分解したものであるから、樹脂および添
加剤に比較して、これらの劣化物の沸点は低い。そのた
め、不活性ガス中で樹脂およびその添加剤の酸化を防止
した状態で、適当な温度で加熱することにより、樹脂や
その添加剤の劣化物を揮散させ、基板表面から取り除く
ことができる。

【００３２】ところで、熱可塑性樹脂から成る基板の作
製に通常使用される射出成形においては、３００℃以上
の溶融樹脂を８０℃〜１３０℃の金型に１秒以内で流し
込み、数秒から数１０秒間で凝縮させ、得られた成形品
を常温雰囲気中に取り出す。これらの急激な温度変化を
受けながら基板は作製されるため、残留応力を０にする
ことは非常に難しい。しかしながら、応力が残留してい
ると、その応力が徐々に開放されていくので、基板形状
がいつまでも安定することがない。そのため、成形時に
残留する応力の開放を一度に完了してしまうために、通
常、成形された基板にアニール工程が施される。通常は
空気中７０℃で２４時間程度の条件で行われる。

【００３３】本発明におけるアニール工程は、酸素濃度
が０．７％以下の不活性ガス雰囲気下で実施される。不
活性ガス中の酸素濃度を低減させると、樹脂およびその
添加剤に由来した劣化物の量は減少する。これは、不活
性ガスにより樹脂およびその添加剤の酸化が抑止された
状態が保たれ、同時に適当な温度で加熱されることによ
り、樹脂やその添加剤由来の劣化物を揮散させ、基板表
面から取り除くことが可能となるからである。アニール
工程における不活性ガス中の酸素濃度は、好ましくは、
０．７％以下であり、より好ましくは０．１５％以下で
ある。なお、不活性ガスとしては、安価であるＮ₂、Ａ
ｒが好ましいが、他の安定なガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ｋ
ｒ、Ｘｅを使用してもよい。

【００３４】アニールを不活性ガス中で行うことによ
り、残留応力を開放させると同時に、基板表面の劣化物
を揮散させて取り除くことができる。したがって、製造
工程を増やすことなく、フクレ密度を最小限に抑えた熱
可塑性樹脂から成る基板を製造することができる。

【００３５】アニール工程は、アニール温度Ｔ（℃）お
よびアニール時間τ（hr）が、関係式

【００３６】

【数３】τ≧３．２０×１０^-9×ｅｘｐ{６８９０／
（２７３＋Ｔ）}

【００３７】を満たす条件下で実施されることが好まし
い。

【００３８】本発明者らは次のとおりの実験を行って、
基板表面に発生するフクレの数（以下、フクレ密度とい
う）のアニール温度および時間依存性を検討し、上記の
関係式を導き出した。

【００３９】市販されている最大射出成形圧力７０ｔの
射出成形装置にスタンバーを固定した金型において、高
耐熱ポリオレフィン樹脂（Ｔｇ１４０℃）を用いて、
樹脂温度３２０℃、射出速度１２０ｍｍ／ｓ、型締め圧
力９０ｋｇ／ｃｍ²、金型温度固定側／可動側＝１１０
℃／１１０℃という成形条件にて射出成形を行った。

【００４０】その後、１時間以内に、酸素濃度０．０２
％のＮ₂ガス雰囲気下で、アニール温度を５０℃にし
て、アニール時間を０．１５時間、０．５時間、１時
間、３時間、５時間と変えて、基板を縦置きに保持した
状態でアニールを行うことにより、φ９５ｍｍ×１．２
７ｍｍのディスク基板を得た。さらに、アニール温度を
７０℃、９０℃、１１０℃とし、それぞれアニール時間
を０．１５時間、０．５時間、１時間、３時間、５時間
と変えて同様にアニールを行った。アニールは、各条件
下で、２５枚の基板を１つのカセットに入れて実施し
た。

【００４１】カセット中心近くの５枚の基板を用いて、
それぞれの基板上にＤＣスパッタ法により下地Ｃｒ層５
００Å、Ｃｏ−１４Ｃｒ−４Ｔａ磁性層３００Å、カー
ボン保護層８０Åを順次形成し、さらにスパッタ後の表
面にテープバニッシュを行い、スピンコート法でフッ素
系潤滑剤（アウジモント製ＦＯＭＢＬＩＮＺ−ＤＯ
Ｌ）の２０Åの層を形成し、磁気記録媒体を得た。

【００４２】得られた磁気記録媒体を高温・高湿雰囲気
（６０℃・８０％ＲＨ）に１０時間放置し、次に、速や
かに−４０℃まで冷却し、その状態で１０時間放置し
た。その後、常温・常湿環境に速やかに戻して、フクレ
密度を測定した。その結果を図１に示す。

【００４３】アニール温度を高くするほど、フクレの密
度は短時間に急激に減少することがわかった。これに対
し、アニール温度が低いと、フクレ密度が減少するのに
は、非常に長い時間が必要となることがわかった。この
傾向は、アニール温度による揮発ガスの揮散しやすさを
反映したものと考えられる。

【００４４】そこで、フクレ密度が５０個／面となるア
ニール時間と、アニールの絶対温度の逆数との関係を図
２のようにプロットした。但し、アニール温度が５０℃
の時には、フクレ密度が５０個／面になる場合がないた
め、プロットされたのはアニール温度が７０℃、９０
℃、１１０℃の場合であった。この結果から、フクレ密
度が５０個／面となるアニール時間の対数とアニールの
絶対温度の逆数との間に直線関係（アレニウス則）が成
り立っていることが分かった。それをフィッティングし
た直線が、以下の式となる。

【００４５】

【数４】τ＝３．２０×１０^-9×ｅｘｐ{６８９０／
（２７３＋Ｔ）}

【００４６】したがって、本発明のアニール工程は、次
の関係式を満たす条件下で実施されることが好ましい。

【００４７】

【数５】τ≧３．２０×１０^-9×ｅｘｐ{６８９０／
（２７３＋Ｔ）}

【００４８】基板の変形を起さないようにするために、
アニール温度は、使用される樹脂のＴｇよりも２０℃以
上低い温度であることが好ましい。また、あまりに長時
間のアニールはタイムロスとなるだけであり、生産効率
上好ましくない。また、応力開放の観点からも５０時間
以内で十分である。

【００４９】したがって、前述したアニール温度と時間
との関係式を満たし、かつアニール時間は５０時間以
下、アニール温度は樹脂のＴｇよりも２０℃以上低い温
度でアニール工程を実施することが好ましい。

【００５０】さらに、基板保持の形態としては、図３の
ような縦置きアニールカセットを用いて基板を縦置きに
する形態と、図４のような横置きアニールカセットを用
いて基板を横置きにする形態とが考えられる。本発明の
アニール工程においては、基板からの揮発ガスが再付着
しないように基板が保持されることが好ましい。したが
って、基板を縦置きに保持してアニールを行うことが好
ましい。縦置き保持は、通常のプロセスカセットを使用
できるため、プロセス設計の点からも優位である。

【００５１】さらにまた、基板周囲は、基板上の酸化劣
化物を加熱することから発生した揮発ガスが揮散しやす
いような通気性を有することが好ましく、そのような通
気性は、不活性ガスの気流およびプロセスカセットの十
分な間隙により担保される。

【００５２】なお、基板を熱可塑性樹脂から成形する工
程においては、用いられる熱可塑性樹脂に応じて温度、
圧力、および射出速度が適宜決定される。基板の表面精
度および形状安定性を向上させるためには、一般的に、
高温高圧下で高射出速度で樹脂を成形することが好まし
い。

【００５３】さらに、金型温度は用いられる樹脂に応じ
て、できるだけ高い温度とし、金型の固定面と可動面と
の温度差がない方が、厚み方向および半径方向の両方で
線膨張係数が小さい、すなわち、スキン層に残留する応
力が少ない基板を成形することができる。いずれにせ
よ、適当な射出成形条件を選択することは、当業者にと
って容易である。

【００５４】本発明による記録媒体は、基板上に、中間
層、下地層、磁性層、保護層、潤滑層等の記録媒体の用
途に応じて通常使用される各層を形成することにより製
造される。

【００５５】

【実施例】本発明を、以下に実施例を挙げて説明する
が、本発明は本実施例にのみ限定されるものではない。

【００５６】（実施例１）市販されている最大射出成形
圧力７０ｔの射出成形装置にスタンバーを固定した金型
において、高耐熱ポリオレフィン樹脂（日本ゼオン
（株）製ＺＥＯＮＥＸ、Ｔｇ１４０℃）を用いて、樹脂
温度３２０℃、射出速度１２０ｍｍ／ｓ、型締め圧力９
０ｋｇ／ｃｍ²、金型温度固定側／可動側＝１１０℃／
１１０℃という成形条件にて射出成形を行った。その
後、１時間以内に、図３に示す縦置きカセットに成形さ
れた２５枚の基板を入れて、酸素濃度０．０２％のＮ₂
ガス雰囲気下で、温度９０℃で１０時間アニールを行う
ことにより、φ９５ｍｍ×１．２７ｍｍのディスク基板
を得た。そのカセットの中心に位置する１枚の基板をサ
ンプルとし、樹脂およびその添加剤由来の酸化劣化物量
の評価に用いた。

【００５７】酸化劣化物の評価は、１枚の基板を１２０
℃に加熱し、発生した有機系ガスを活性炭に吸着させ、
その後その吸着物を活性炭からパージ＆トラップ（Ｐ＆
Ｔ）法で脱着し、ガスクロマトグラフィー質量分析装置
（Ｐ＆ＴＧＣ−ＭＳ：（株）島津製作所製）にて、定
量することにより行った。

【００５８】測定された酸化劣化物の量を表１に示し、
さらに、図５において酸素濃度に対して中黒のひし形と
してプロットする。

【００５９】（実施例２）酸素濃度０．０８％のＮ₂ガ
ス雰囲気下でアニールを行う以外は実施例１と同様にデ
ィスク基板を製造し、基板表面の酸化劣化物量を測定し
た。測定された酸化劣化物の量を図５において酸素濃度
に対して中黒のひし形としてプロットする。

【００６０】（実施例３）酸素濃度０．２％のＮ₂ガス
雰囲気下でアニールを行う以外は実施例１と同様にディ
スク基板を製造し、基板表面の酸化劣化物量を測定し
た。測定された酸化劣化物の量を図５において酸素濃度
に対して中黒のひし形としてプロットする。

【００６１】（比較例１）酸素濃度２％のＮ₂ガス雰囲
気下でアニールを行う以外は実施例１と同様にディスク
基板を製造し、基板表面の酸化劣化物量を測定した。測
定された酸化劣化物の量を図５において酸素濃度に対し
て黒塗りのひし形としてプロットする。

【００６２】（比較例２）酸素濃度２０％のＮ₂ガス雰
囲気下でアニールを行う以外は実施例１と同様にディス
ク基板を製造し、基板表面の酸化劣化物量を測定した。
測定された酸化劣化物の量を図５において酸素濃度に対
して中黒のひし形としてプロットする。

【００６３】酸素濃度と酸化劣化物量の関係実施例１〜３および比較例１、２から、不活性ガス中の
酸素濃度を低減させることによって、樹脂およびその添
加物由来の酸化劣化物量は大きく減少することがわか
る。これは、酸素濃度の少ない状態でアニールを行う
と、基板表面の酸化を抑制した状態で、かつ、低沸点成
分である樹脂および添加剤の酸化劣化物が揮発していく
ことにより、それらの成分が減少するからだと考えられ
る。

【００６４】（比較例３）図４に示す横置きカセットを
用いてアニール時の基板の保持を横置きにする以外は実
施例１と同様にディスク基板を製造し、基板表面の酸化
劣化物量を測定した。測定された酸化劣化物の量を表１
に示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】基板保持方法と酸化劣化物量との関係実施例１および比較例３を比較すると、縦置きの方が横
置きよりも酸化劣化物量が少ないことがわかる。

【００６７】横置きアニールにおいては、酸化劣化物の
揮発ガスが、周りの基板に再付着しているが、縦置きの
アニールでは、揮発ガスが上部の方へ抜けていったため
に、このような結果になったと推測される。

【００６８】この結果から、アニール時には、基板から
の揮発ガスが再付着しない基板の保持方法をとる必要が
あり、そのためには、縦置きアニールが優れていること
がわかった。

【００６９】（実施例４）実施例１に記載のとおり、得
られた２５枚の基板から、カセットの中心に位置する１
枚の基板を実施例１のサンプルとして取り出した後に、
カセット中心近くの５枚の基板を取り出して本実施例の
サンプルとした。それぞれの基板上にＤＣスパッタ法に
より下地Ｃｒ層５００Å、Ｃｏ−１４Ｃｒ−４Ｔａ磁性
層３００Å、カーボン保護層８０Åを順次形成し、さら
にスパッタ後の表面にテープバニッシュを行い、スピン
コート法でフッ素系潤滑剤（アウジモント製ＦＯＭＢＬ
ＩＮＺ−ＤＯＬ）の２０Åの層を形成し、磁気記録媒体
（ハードディスク）を得た。

【００７０】得られた磁気記録媒体を高温・高湿雰囲気
（６０℃・８０％ＲＨ）に１０時間放置し、次に、速や
かに−４０℃まで冷却し、その状態で１０時間放置し
た。その後、常温・常湿環境に速やかに戻して、フクレ
密度を測定した。測定結果を表１に示し、さらに図５に
おいて酸素濃度に対して白抜きの四角形としてプロット
する。

【００７１】（実施例５）実施例２で得たディスク基板
を用いる以外は、実施例４と同様に、磁気記録媒体を製
造し、環境試験を行い、フクレ密度を測定した。測定結
果を図５において酸素濃度に対して白抜きの四角形とし
てプロットする。

【００７２】（実施例６）実施例３で得たディスク基板
を用いる以外は、実施例４と同様に、磁気記録媒体を製
造し、環境試験を行い、フクレ密度を測定した。測定結
果を図５において酸素濃度に対して白抜きの四角形とし
てプロットする。

【００７３】（比較例４）比較例１で得たディスク基板
を用いる以外は、実施例４と同様に、磁気記録媒体を製
造し、環境試験を行い、フクレ密度を測定した。測定結
果を図５において酸素濃度に対して白抜きの四角形とし
てプロットする。

【００７４】（比較例５）比較例２で得たディスク基板
を用いる以外は、実施例４と同様に、磁気記録媒体を製
造し、環境試験を行い、フクレ密度を測定した。測定結
果を図５において酸素濃度に対して白抜きの四角形とし
てプロットする。

【００７５】酸素濃度とフクレ密度の関係実施例４〜６および比較例４、５から、不活性ガス中の
酸素濃度を低減させることによって、環境試験後に発生
するフクレの密度が減少することがわかる。そして、酸
素濃度とフクレ密度との関係と、実施例１〜３および比
較例１、２により示された酸素濃度と酸化劣化物量との
関係が相関関係にあることもわかる。

【００７６】したがって、酸素濃度を低減させた不活性
ガス中でのアニール工程により、基板表面の酸化劣化物
量を減少せしめることによって、フクレの発生を最小限
に抑えることができる。

【００７７】フクレ密度が５０個／面であるとき記録媒
体の安定性が維持された。図５のグラフからフクレ密度
が５０個／面以下となるのは、アニール時の不活性ガス
中の酸素濃度が０．７％以下であることがわかり、した
がって、基板表面の酸化劣化物の量を３０ｐｐｂ以下に
すればよいことがわかる。

【００７８】（比較例６）比較例３で得たディスク基板
を用いる以外は、実施例４と同様に、磁気記録媒体を製
造し、環境試験を行い、フクレ密度を測定した。測定結
果を表１に示す。

【００７９】基板保持方法とフクレ密度との関係前述のとおり、縦置きの方が横置きよりも酸化劣化物量
が少なかったので、フクレ密度も少ないことが予想され
た。実施例４および比較例６を比較することにより、縦
置きの方が横置きよりもフクレ密度が少ないことが確認
された。

【００８０】

【発明の効果】本発明の基板は、高耐熱性熱可塑性樹脂
が射出成形されてなるものであるが、高温・高湿および
低温環境下に長時間放置した後でも表面におけるフクレ
の発生が非常に少ない。したがって、本発明により得ら
れた基板を用いることにより、耐環境安定性の高い記録
媒体を、大量且つ安価に生産することが可能となり、工
業的な価値が極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】アニール温度、アニール時間、および環境試験
後のフクレ密度の関係を示すグラフである。

【図２】アニール温度と、フクレ密度が５０個／面の時
のアニール時間との関係を示すグラフである。

【図３】本発明のアニール工程で好適に使用される縦置
きアニールカセットの断面概略図である。

【図４】本発明のアニール工程で使用することができる
横置きアニールカセットの断面概略図である。

【図５】アニール工程における不活性ガス中の酸素濃度
と、酸化劣化物量および環境試験後のフクレ密度との関
係を示すグラフである。

【符号の説明】

１成形基板２，１２アニールカセット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者磯亜紀良神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号富士電機株式会社内 (72)発明者鄭用一神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号富士電機株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 CB01 CB07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱可塑性樹脂から成る記録媒体用基板で
あって、前記基板上における基板構成材料の酸化劣化物
量が、基板の重量に基づいて３０ｐｐｂ以下であること
を特徴とする記録媒体用基板。
【請求項２】請求項１に記載の記録媒体用基板の製造
方法であって、熱可塑性樹脂から記録媒体用基板を成形
する工程、および成形された基板をアニールする工程を
具え、前記アニール工程は、酸素濃度が０．７％以下の
不活性ガス雰囲気下で実施されることを特徴とする記録
媒体用基板の製造方法。
【請求項３】前記アニール工程は、アニール温度Ｔ
（℃）およびアニール時間τ（hr）が、関係式【数１】τ≧３．２０×１０^-9×ｅｘｐ{６８９０／
（２７３＋Ｔ）} を満たす条件下で実施されることを特徴とする請求項２
に記載の記録媒体用基板の製造方法。
【請求項４】前記アニール温度は使用された樹脂のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）より２０℃以上低い温度であり、
前記アニール時間は５０時間以下であることを特徴とす
る請求項３に記載の記録媒体用基板の製造方法。
【請求項５】前記アニール工程は、基板が縦置きで保
持され、かつ揮発ガスを放出することができる通気性を
有する環境下で実施されることを特徴とする請求項２〜
４のいずれか１項に記載の記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】請求項２〜５のいずれか１項に記載の製
造方法により製造されたことを特徴とする記録媒体用基
板。
【請求項７】請求項１または６に記載された記録媒体
用基板を具えることを特徴とする記録媒体。