JP2510315B2 - 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク用プラスチック基板の製造方法Info
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- JP2510315B2 JP2510315B2 JP4390790A JP4390790A JP2510315B2 JP 2510315 B2 JP2510315 B2 JP 2510315B2 JP 4390790 A JP4390790 A JP 4390790A JP 4390790 A JP4390790 A JP 4390790A JP 2510315 B2 JP2510315 B2 JP 2510315B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plastic substrate
- substrate
- outer peripheral
- optical disk
- birefringence
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、レーザー光のような光学的手段によって
情報の記録あるいは再生を行う光ディスクに用いられる
プラスチック基板の製造方法に関し、更に詳しくは、射
出成形で作製した光ディスク用プラスチック基板のアニ
ール処理（歪を除去するための焼鈍し処理）の方法に関
する。
情報の記録あるいは再生を行う光ディスクに用いられる
プラスチック基板の製造方法に関し、更に詳しくは、射
出成形で作製した光ディスク用プラスチック基板のアニ
ール処理（歪を除去するための焼鈍し処理）の方法に関
する。
（ロ）従来の技術 記録層あるいは光反射層からなる情報記憶層にレーザ
ー光を照射することにより、その情報記憶層に対して情
報の記録、又は再生を行う、いわゆる光ディスクの基板
として、一般にガラスやプラスチックの円板が用いられ
ている。中でもプラスチック基板は、ガラス基板より軽
量でかつ成形加工が容易であり、取扱中に破損する危険
性も少なく、しかもガラス基板より低コストで製造でき
るという利点を有している。
ー光を照射することにより、その情報記憶層に対して情
報の記録、又は再生を行う、いわゆる光ディスクの基板
として、一般にガラスやプラスチックの円板が用いられ
ている。中でもプラスチック基板は、ガラス基板より軽
量でかつ成形加工が容易であり、取扱中に破損する危険
性も少なく、しかもガラス基板より低コストで製造でき
るという利点を有している。
ところが、プラスチック基板は、主として射出成形時
の分子配向歪による複屈折が大きく、ガラス基板を用い
た場合より信号品質（例えばC/N比）が劣るという問題
があり、このため、樹脂の分子量を下げて流動性をよく
して、射出成形時の複屈折を小さくする努力がなされて
いる。
の分子配向歪による複屈折が大きく、ガラス基板を用い
た場合より信号品質（例えばC/N比）が劣るという問題
があり、このため、樹脂の分子量を下げて流動性をよく
して、射出成形時の複屈折を小さくする努力がなされて
いる。
また、この複屈折は、成形されたプラスチック基板に
記録膜をスパッタ法で成膜する際の温度上昇により変動
するため、射出成形後のプラスチック基板に対しては、
このプラスチック基板を所定温度で所定時間加熱して成
形時の歪を取り除くという、いわゆるアニール処理を施
すようにしている。
記録膜をスパッタ法で成膜する際の温度上昇により変動
するため、射出成形後のプラスチック基板に対しては、
このプラスチック基板を所定温度で所定時間加熱して成
形時の歪を取り除くという、いわゆるアニール処理を施
すようにしている。
第４図は従来においてアニール処理を施す場合の光デ
ィスク用プラスチック基板の支持方法を示し、第４図
（Ａ）はプラスチック基板を保持ケースで保持した場合
の側面図、第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＢ−Ｂ断面図
である。
ィスク用プラスチック基板の支持方法を示し、第４図
（Ａ）はプラスチック基板を保持ケースで保持した場合
の側面図、第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＢ−Ｂ断面図
である。
これらの図に示すように、光ディスク用プラスチック
基板11をアニール処理する場合には、プラスチック基板
11を保持ケース12に入れて、そのままオーブン（炉）に
投入して所定温度で所定時間保持し、その後必要に応じ
て徐冷あるいは空冷を行う。
基板11をアニール処理する場合には、プラスチック基板
11を保持ケース12に入れて、そのままオーブン（炉）に
投入して所定温度で所定時間保持し、その後必要に応じ
て徐冷あるいは空冷を行う。
例えば、プラスチック基板11がポリカーボネートであ
る場合には、そのアニール条件は、炉内において温度11
0℃で２時間保持した後、そのまま炉内で徐冷する。
る場合には、そのアニール条件は、炉内において温度11
0℃で２時間保持した後、そのまま炉内で徐冷する。
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかしながら、このようにしてアニール処理を施す場
合、第４図に示したように、従来においては、保持ケー
ス12に外周２点支持の形態でプラスチック基板11を立て
ておくようにしていたため、基板11外周部における複屈
折の周方向分布が、ケース12と接触する部分11で局所的
に変化し、この複屈折の局所的変化のため、プラスチッ
ク基板11から光ディスクを作製して再生信号を読み出し
た時に、再生信号のエンベロープが変化するという不具
合があった。
合、第４図に示したように、従来においては、保持ケー
ス12に外周２点支持の形態でプラスチック基板11を立て
ておくようにしていたため、基板11外周部における複屈
折の周方向分布が、ケース12と接触する部分11で局所的
に変化し、この複屈折の局所的変化のため、プラスチッ
ク基板11から光ディスクを作製して再生信号を読み出し
た時に、再生信号のエンベロープが変化するという不具
合があった。
第５図は第４図で示した従来の支持形態でアニール処
理を施した場合における、プラスチック基板11の外周部
（基板外周端より3mm内側の位置）の複屈折を測定した
例を示すグラフである。なお、基板材質はポリカーボネ
ートであり、アニール条件は炉内において温度110℃で
２時間保持後、炉冷である。
理を施した場合における、プラスチック基板11の外周部
（基板外周端より3mm内側の位置）の複屈折を測定した
例を示すグラフである。なお、基板材質はポリカーボネ
ートであり、アニール条件は炉内において温度110℃で
２時間保持後、炉冷である。
複屈折の測定は波長633nmのHe−Neレーザーを用いて
垂直入射シングルパスで行った。
垂直入射シングルパスで行った。
この図に示すように、従来の外周２点支持方法では、
複屈折の周方向分布にスパイク状変動が見られ、その位
置はプラスチック基板11をアニールする際、プラスチッ
ク基板11がアニール用の保持ケース12と接触する位置と
対応している。すなわち、プラスチック基板11の自重を
保持ケース12との接触部分11aで支えることになるため
に、そのままアニールすると、そのときに発生する応力
の影響で複屈折の周方向分布が不均一となる。
複屈折の周方向分布にスパイク状変動が見られ、その位
置はプラスチック基板11をアニールする際、プラスチッ
ク基板11がアニール用の保持ケース12と接触する位置と
対応している。すなわち、プラスチック基板11の自重を
保持ケース12との接触部分11aで支えることになるため
に、そのままアニールすると、そのときに発生する応力
の影響で複屈折の周方向分布が不均一となる。
第６図はこのようなプラスチック基板11を用いて作製
された光ディスクの外周部における再生信号の周方向分
布を示すグラフであり、この図に示すように、光ディス
クから再生信号を読み出した時には、複屈折の周方向分
布に変動が見られた所で、エンベロープが変化してい
る。
された光ディスクの外周部における再生信号の周方向分
布を示すグラフであり、この図に示すように、光ディス
クから再生信号を読み出した時には、複屈折の周方向分
布に変動が見られた所で、エンベロープが変化してい
る。
このような不具合は、標準化委員会で審議されている
ような光ディスク（ISO/IEC JTCl SC23発行のN255,N256
参照）では、ディスクの外周端から記録エリアの外周ま
での距離が4mmと長いため顕著にあらわれず問題とされ
なかったが、記憶容量を上げるために記録エリアがディ
スクの外周端に近付いた、例えばディスクの外周端と記
録エリアの外周との距離が2mmというようなディスクで
は問題となる。
ような光ディスク（ISO/IEC JTCl SC23発行のN255,N256
参照）では、ディスクの外周端から記録エリアの外周ま
での距離が4mmと長いため顕著にあらわれず問題とされ
なかったが、記憶容量を上げるために記録エリアがディ
スクの外周端に近付いた、例えばディスクの外周端と記
録エリアの外周との距離が2mmというようなディスクで
は問題となる。
この発明は、このような点に鑑みてなされたもので、
プラスチック基板のアニール処理に際しては、プラスチ
ック基板を外周部で支持せずにその中心孔で支持するよ
うにして、基板外周部複屈折の局所的変動をなくした光
ディスク用プラスチック基板の製造方法である。
プラスチック基板のアニール処理に際しては、プラスチ
ック基板を外周部で支持せずにその中心孔で支持するよ
うにして、基板外周部複屈折の局所的変動をなくした光
ディスク用プラスチック基板の製造方法である。
（ニ）課題を解決するための手段 この発明は、円盤状で中心にターンテーブル用の中心
孔が設けられた光ディスク用のプラスチック基板を射出
成形によって作製した後、そのプラスチック基板にアニ
ール処理を施す光ディスク用プラスチック基板の製造方
法において、プラスチック基板にアニール処理を施すと
きに、プラスチック基板に設けられた中心孔に支持体を
貫通し、その支持体でプラスチック基板を支持してアニ
ール処理を施すことを特徴とする光ディスク用プラスチ
ック基板の製造方法である。
孔が設けられた光ディスク用のプラスチック基板を射出
成形によって作製した後、そのプラスチック基板にアニ
ール処理を施す光ディスク用プラスチック基板の製造方
法において、プラスチック基板にアニール処理を施すと
きに、プラスチック基板に設けられた中心孔に支持体を
貫通し、その支持体でプラスチック基板を支持してアニ
ール処理を施すことを特徴とする光ディスク用プラスチ
ック基板の製造方法である。
なお、この発明における支持体としては、プラスチッ
ク基板の中心孔を貫通してプラスチック基板を支持する
ことが可能な、丸棒、角棒等の支持棒が用いられる。
ク基板の中心孔を貫通してプラスチック基板を支持する
ことが可能な、丸棒、角棒等の支持棒が用いられる。
（ホ）作用 この発明によれば、プラスチック基板のアニール処理
時には、プラスチック基板を外周部で支持せず、その中
心孔で支持するようにしたので、基板外周部に余計な応
力が作用せず、基板外周部の複屈折周分布の均一なプラ
スチック基板が得られる。従って、その基板を用いて作
製した光ディスクについては、再生信号エンベロープに
局所的変化が生じない。
時には、プラスチック基板を外周部で支持せず、その中
心孔で支持するようにしたので、基板外周部に余計な応
力が作用せず、基板外周部の複屈折周分布の均一なプラ
スチック基板が得られる。従って、その基板を用いて作
製した光ディスクについては、再生信号エンベロープに
局所的変化が生じない。
（ホ）実施例 以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を記述す
る。なお、これによってこの発明が限定されるものでは
ない。
る。なお、これによってこの発明が限定されるものでは
ない。
第１図はこの発明によるアニール処理時に光ディスク
用プラスチック基板の支持方法を示し、第１図（Ａ）は
プラスチック基板を保持ケースで保持した場合の側面
図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
用プラスチック基板の支持方法を示し、第１図（Ａ）は
プラスチック基板を保持ケースで保持した場合の側面
図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
これらの図において、１は円盤状の光ディスク用プラ
スチック基板、1aはプラスチック基板１の中心にターン
テーブル用として設けられた中心孔、２はプラスチック
基板１を保持する保持ケース、３はプラスチック基板１
を中心孔1aで支持するための支持棒である。
スチック基板、1aはプラスチック基板１の中心にターン
テーブル用として設けられた中心孔、２はプラスチック
基板１を保持する保持ケース、３はプラスチック基板１
を中心孔1aで支持するための支持棒である。
支持棒３の材質は、アニール温度で変形や変質のない
ものであればどのようなものであってもよく、この例に
おいては直径10mmのステンレス丸棒（SUS304）を用い
た。
ものであればどのようなものであってもよく、この例に
おいては直径10mmのステンレス丸棒（SUS304）を用い
た。
４は支持棒３を支える基台であり、基台４に支持棒３
を載せることによりプラスチック基板１の外周部が保持
ケース２に接触しなくなる。基台４の材質も支持棒３と
同様に、アニール温度で変形や変質のないものであれば
どのようなものであってもよく、この例においてはステ
ンレス板（SUS304）を用いた。
を載せることによりプラスチック基板１の外周部が保持
ケース２に接触しなくなる。基台４の材質も支持棒３と
同様に、アニール温度で変形や変質のないものであれば
どのようなものであってもよく、この例においてはステ
ンレス板（SUS304）を用いた。
第２図は第１図で示したこの発明の支持方法でプラス
チック基板１を支持してアニール処理を施した場合にお
ける、プラスチック基板１の外周部（基板外周端より3m
m内側の位置）の複屈折を測定した例を示すグラフであ
る。なお、測定条件は従来と同一であり、基板材質はポ
リカーボネートで、アニール条件は、炉内において温度
110℃で２時間保持後、炉冷である。
チック基板１を支持してアニール処理を施した場合にお
ける、プラスチック基板１の外周部（基板外周端より3m
m内側の位置）の複屈折を測定した例を示すグラフであ
る。なお、測定条件は従来と同一であり、基板材質はポ
リカーボネートで、アニール条件は、炉内において温度
110℃で２時間保持後、炉冷である。
複屈折の測定は波長633nmのHe−Neレーザーを用いて
垂直入射シングルパスで行った。
垂直入射シングルパスで行った。
第２図においては、第５図に示したような複屈折のス
パイク状変動はなく、このように、プラスチック基板１
をプラスチック基板１の中心孔1aに通した支持棒３で支
持し、プラスチック基板１の外周部に余計な応力が作用
しない様にすることにより、プラスチック基板１の外周
部における複屈折の周方向分布を均一化することができ
る。
パイク状変動はなく、このように、プラスチック基板１
をプラスチック基板１の中心孔1aに通した支持棒３で支
持し、プラスチック基板１の外周部に余計な応力が作用
しない様にすることにより、プラスチック基板１の外周
部における複屈折の周方向分布を均一化することができ
る。
第３図はこのようなプラスチック基板１を用いて作製
された光ディスクの外周部における再生信号の周方向分
布を示すグラフであり、この図に示すように、本発明の
支持方法によるプラスチック基板１を用いて作製された
光ディスクである場合には、再生信号を読み出した時で
も、第６図に示したようなエンベロープの変化はなく、
円滑なエンベロープとなる。
された光ディスクの外周部における再生信号の周方向分
布を示すグラフであり、この図に示すように、本発明の
支持方法によるプラスチック基板１を用いて作製された
光ディスクである場合には、再生信号を読み出した時で
も、第６図に示したようなエンベロープの変化はなく、
円滑なエンベロープとなる。
なお、この発明においては、プラスチック基板１の中
心孔1aでプラスチック基板１を支持するようにしたため
に、中心孔1aのまわりで複屈折の周方向分布が不均一に
なることが当然予想されるが、一般的な光ディスクにお
いてはこの部分は記録領域から10mm以上離れているの
で、実用上の支障は全くない。
心孔1aでプラスチック基板１を支持するようにしたため
に、中心孔1aのまわりで複屈折の周方向分布が不均一に
なることが当然予想されるが、一般的な光ディスクにお
いてはこの部分は記録領域から10mm以上離れているの
で、実用上の支障は全くない。
（ト）発明の効果 この発明によれば、プラスチック基板のアニール処理
時に、プラスチック基板を中心孔で支持するようにした
ので、プラスチック基板の外周部における複屈折周分布
の均一なプラスチック基板を得ることができ、そのプラ
スチック基板を用いて作製した光ディスクの再生信号を
読み出した場合においても、そのエンベロープに局所的
変化のない光ディスクとすることができる。
時に、プラスチック基板を中心孔で支持するようにした
ので、プラスチック基板の外周部における複屈折周分布
の均一なプラスチック基板を得ることができ、そのプラ
スチック基板を用いて作製した光ディスクの再生信号を
読み出した場合においても、そのエンベロープに局所的
変化のない光ディスクとすることができる。
第１図はこの発明によるアニール処理時の光ディスク用
プラスチック基板の支持方法を示し、第１図（Ａ）はプ
ラスチック基板を保持ケースで保持した場合の側面図、
第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ断面図、第２図は
この発明の支持方法でアニール処理を施した場合のプラ
スチック基板の外周部の複屈折を測定した例を示すグラ
フ、第３図はこの発明において作製された光ディスクの
外周部における再生信号の周方向分布を示すグラフ、第
４図、第５図及び第６図はそれぞれ従来例を示し、第４
図（Ａ）及び第４図（Ｂ）は各々第１図（Ａ）及び第１
図（Ｂ）対応図、第５図は第２図対応図、第６図は第３
図対応図である。 １……光ディスク用プラスチック基板、 1a……中心孔、２……保持ケース、 ３……支持棒、４……基台。
プラスチック基板の支持方法を示し、第１図（Ａ）はプ
ラスチック基板を保持ケースで保持した場合の側面図、
第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ断面図、第２図は
この発明の支持方法でアニール処理を施した場合のプラ
スチック基板の外周部の複屈折を測定した例を示すグラ
フ、第３図はこの発明において作製された光ディスクの
外周部における再生信号の周方向分布を示すグラフ、第
４図、第５図及び第６図はそれぞれ従来例を示し、第４
図（Ａ）及び第４図（Ｂ）は各々第１図（Ａ）及び第１
図（Ｂ）対応図、第５図は第２図対応図、第６図は第３
図対応図である。 １……光ディスク用プラスチック基板、 1a……中心孔、２……保持ケース、 ３……支持棒、４……基台。
Claims (1)
- 【請求項１】円盤状で中心にターンテーブル用の中心孔
が設けられた光ディスク用のプラスチック基板を射出成
形によって作製した後、そのプラスチック基板にアニー
ル処理を施す光ディスク用プラスチック基板の製造方法
において、プラスチック基板にアニール処理を施すとき
に、プラスチック基板に設けられた中心孔に支持体を貫
通し、その支持体でプラスチック基板を支持してアニー
ル処理を施すことを特徴とする光ディスク用プラスチッ
ク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4390790A JP2510315B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4390790A JP2510315B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248345A JPH03248345A (ja) | 1991-11-06 |
| JP2510315B2 true JP2510315B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=12676787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4390790A Expired - Lifetime JP2510315B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2510315B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4390790A patent/JP2510315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03248345A (ja) | 1991-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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