JP2002114570A - 圧電体磁器組成物、圧電共振子、圧電トランス及び圧電アクチュエータ - Google Patents
圧電体磁器組成物、圧電共振子、圧電トランス及び圧電アクチュエータInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で焼成した場合であっても十分な焼結密
度を得ることができ、焼成に際してのＰｂの揮発が少な
く、かつ電気的特性のばらつきが少ない圧電体を得るこ
とを可能とする圧電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、Ｍａは
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭ
ｄ（但し、ＭｄはＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくと
も１種）を含み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧
電体磁器組成物であって、前記Ｍａの総量をａモル、前
記ＭｄのうちＳｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、
ｃ、ｄ、ｅモルとし、ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）＝ｚと
したとき、０．５０＜ｚ＜１．００であることを特徴と
する圧電体磁器組成物。
度を得ることができ、焼成に際してのＰｂの揮発が少な
く、かつ電気的特性のばらつきが少ない圧電体を得るこ
とを可能とする圧電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、Ｍａは
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭ
ｄ（但し、ＭｄはＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくと
も１種）を含み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧
電体磁器組成物であって、前記Ｍａの総量をａモル、前
記ＭｄのうちＳｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、
ｃ、ｄ、ｅモルとし、ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）＝ｚと
したとき、０．５０＜ｚ＜１．００であることを特徴と
する圧電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉛酸化物系の圧電
体磁器組成物に関し、例えば圧電共振子、圧電フィル
タ、圧電トランスあるいは圧電アクチュエータなどにお
いて圧電体として用いられる圧電体磁器組成物、該圧電
体磁器組成物を用いた圧電共振子、圧電トランス及び圧
電アクチュエータに関する。
体磁器組成物に関し、例えば圧電共振子、圧電フィル
タ、圧電トランスあるいは圧電アクチュエータなどにお
いて圧電体として用いられる圧電体磁器組成物、該圧電
体磁器組成物を用いた圧電共振子、圧電トランス及び圧
電アクチュエータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 系の圧電
体磁器が、通信機用フィルタ、ＣＰＵクロック、アクチ
ュエータあるいは圧電効果を利用したセンサなどに用い
られている。また、電気的特性を改善するために、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の
ような複数成分系の圧電体磁器も知られている。
体磁器が、通信機用フィルタ、ＣＰＵクロック、アクチ
ュエータあるいは圧電効果を利用したセンサなどに用い
られている。また、電気的特性を改善するために、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の
ような複数成分系の圧電体磁器も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 系の圧電体磁器では、焼結温度
が高いため、焼結に際し、ＰｂがＰｂＯなどの形態で蒸
発しがちであった。そのため、得られた圧電体磁器の電
気的特性が劣化したり、圧電体磁器ごとの特性ばらつき
が大きかったりした。すなわち、目的とする電気的特性
を発揮し得る圧電体磁器を安定に製造することができ
ず、圧電体磁器を用いた各種デバイスの設計が困難であ
るという問題があった。
Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 系の圧電体磁器では、焼結温度
が高いため、焼結に際し、ＰｂがＰｂＯなどの形態で蒸
発しがちであった。そのため、得られた圧電体磁器の電
気的特性が劣化したり、圧電体磁器ごとの特性ばらつき
が大きかったりした。すなわち、目的とする電気的特性
を発揮し得る圧電体磁器を安定に製造することができ
ず、圧電体磁器を用いた各種デバイスの設計が困難であ
るという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、焼成に際してのＰｂの揮
発が少なく、電気的特性のばらつきが少ない圧電体を得
ることを可能とする圧電体磁器組成物を提供することに
ある。
発が少なく、電気的特性のばらつきが少ない圧電体を得
ることを可能とする圧電体磁器組成物を提供することに
ある。
【０００５】本発明の他の目的は、上記圧電体磁器組成
物を用いた圧電共振子、圧電トランス及び圧電アクチュ
エータを提供することにある。
物を用いた圧電共振子、圧電トランス及び圧電アクチュ
エータを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る圧電体磁器
組成物は、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、ＭａはＣ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭｄ
（但し、ＭｄはＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも
１種）を含み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧電
体磁器組成物であって、前記Ｍａの総量をａモル、前記
ＭｄのうちＳｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、ｃ、
ｄ、ｅモルとし、ｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）とした
ときに、０．５０＜ｚ＜１．００であることを特徴とす
る。
組成物は、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、ＭａはＣ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭｄ
（但し、ＭｄはＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも
１種）を含み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧電
体磁器組成物であって、前記Ｍａの総量をａモル、前記
ＭｄのうちＳｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、ｃ、
ｄ、ｅモルとし、ｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）とした
ときに、０．５０＜ｚ＜１．００であることを特徴とす
る。
【０００７】なお、本発明においては、本発明の目的を
阻害しない範囲でＰｂの一部が、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｃｅなどで置き換えられてもよい。また、本
発明においては、Ｍａ元素及びＭｄ元素は、複合酸化物
としてチタン酸ジルコン酸鉛に置換固溶させてもよい
し、単独の酸化物として存在させてもよい。
阻害しない範囲でＰｂの一部が、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｃｅなどで置き換えられてもよい。また、本
発明においては、Ｍａ元素及びＭｄ元素は、複合酸化物
としてチタン酸ジルコン酸鉛に置換固溶させてもよい
し、単独の酸化物として存在させてもよい。
【０００８】また、本発明の特定の局面では、前記ペロ
ブスカイト構造をＡuＢＯ3と表したとき（但し、ＡはＰ
ｂまたはＰｂの一部がＢａ等で置換されている場合に
は、Ｐｂと置換元素の合計により構成され、Ｂは、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｍａ、Ｍｄにより構成される。０．９８≦ｕ
≦１．０２であることが好ましく、より良好な圧電特性
を得ることができる。
ブスカイト構造をＡuＢＯ3と表したとき（但し、ＡはＰ
ｂまたはＰｂの一部がＢａ等で置換されている場合に
は、Ｐｂと置換元素の合計により構成され、Ｂは、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｍａ、Ｍｄにより構成される。０．９８≦ｕ
≦１．０２であることが好ましく、より良好な圧電特性
を得ることができる。
【０００９】本発明の特定の局面では、Ｔｉと、Ｚｒと
の比をｘ：（１−ｘ）としたとき、０．４５≦ｘ≦０．
６５であることが好ましく、より良好な圧電特性を得る
ことができる。
の比をｘ：（１−ｘ）としたとき、０．４５≦ｘ≦０．
６５であることが好ましく、より良好な圧電特性を得る
ことができる。
【００１０】また、本発明の特定の局面では、ＳｉがＳ
ｉＯ2 に換算して、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ及びＭｄの
合計重量１００重量％に対して０．００５〜０．１重量
％の割合で添加されていることが好ましく、より良好な
圧電特性を得ることができる。
ｉＯ2 に換算して、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ及びＭｄの
合計重量１００重量％に対して０．００５〜０．１重量
％の割合で添加されていることが好ましく、より良好な
圧電特性を得ることができる。
【００１１】本発明に係る圧電共振子は、本発明の圧電
体磁器組成物からなる圧電体を用いたことを特徴とす
る。また、本発明に係る圧電トランスは、本発明に係る
圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いたことを特徴と
する。
体磁器組成物からなる圧電体を用いたことを特徴とす
る。また、本発明に係る圧電トランスは、本発明に係る
圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いたことを特徴と
する。
【００１２】本発明に係る圧電アクチュエータは、本発
明に係る圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いたこと
を特徴とする。
明に係る圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いたこと
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施例１）出発原料として、Ｐ
ｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 及び
ＳｉＯ2 の各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）
Ｏ3 −０．０５Ｐｂ（Ｍｎ y Ｓｂ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％
ＳｉＯ2 となるように調合した。この場合、ｘ、ｙ及び
ｖを種々変化させて、下記の表１，２に示す試料番号１
〜２７の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＳｂのモ
ル比ｚ、すなわち本発明におけるａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２
ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
ｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 及び
ＳｉＯ2 の各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）
Ｏ3 −０．０５Ｐｂ（Ｍｎ y Ｓｂ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％
ＳｉＯ2 となるように調合した。この場合、ｘ、ｙ及び
ｖを種々変化させて、下記の表１，２に示す試料番号１
〜２７の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＳｂのモ
ル比ｚ、すなわち本発明におけるａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２
ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
【００１４】上記のようにして用意した各原料粉末に水
を加え、粉砕メディアとして安定化ジルコニアの玉石を
用い、ボールミルにより湿式で粉砕し、混合した。上記
のようにして混合された各原料粉末を蒸発により脱水
し、次に７００〜９００℃の温度で仮焼した。
を加え、粉砕メディアとして安定化ジルコニアの玉石を
用い、ボールミルにより湿式で粉砕し、混合した。上記
のようにして混合された各原料粉末を蒸発により脱水
し、次に７００〜９００℃の温度で仮焼した。
【００１５】仮焼された原料に、ＰＶＡ（ポリビニルア
セテート）系のバインダーを仮焼原料に対して１〜５重
量％の割合で加え、混合した。上記のようにして得られ
たバインダー混合原料を、面圧５００〜２０００ｋｇ／
ｃｍ2 でプレスし、円板状の成形体を得た。次に、該成
形体を８５０℃〜１２５０℃の温度で焼成し、直径１０
ｍｍ×厚さ１ｍｍの円板状の圧電磁器を得た。
セテート）系のバインダーを仮焼原料に対して１〜５重
量％の割合で加え、混合した。上記のようにして得られ
たバインダー混合原料を、面圧５００〜２０００ｋｇ／
ｃｍ2 でプレスし、円板状の成形体を得た。次に、該成
形体を８５０℃〜１２５０℃の温度で焼成し、直径１０
ｍｍ×厚さ１ｍｍの円板状の圧電磁器を得た。
【００１６】得られた圧電磁器の両面に蒸着により銀電
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で２．
０ｋＶ／ｍｍ〜５．０ｋＶ／ｍｍの直流電界を印加し、
厚み方向に分極した。このようにして、円板状の圧電共
振子を得た。
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で２．
０ｋＶ／ｍｍ〜５．０ｋＶ／ｍｍの直流電界を印加し、
厚み方向に分極した。このようにして、円板状の圧電共
振子を得た。
【００１７】得られた圧電共振子の径方向の拡がり振動
の圧電特性をインピーダンスアナライザーにより評価し
た。結果を表１，２に示す。試料番号１〜２７の各原料
を用いた圧電共振子のうちの代表例として、ｘ＝０．５
及びｖ＝０．０２重量％である試料番号２、試料番号１
０、試料番号１１及び試料番号２５の各原料から得られ
た圧電体磁器における、焼成温度と圧電磁器の焼結密度
との関係を図１に示す。
の圧電特性をインピーダンスアナライザーにより評価し
た。結果を表１，２に示す。試料番号１〜２７の各原料
を用いた圧電共振子のうちの代表例として、ｘ＝０．５
及びｖ＝０．０２重量％である試料番号２、試料番号１
０、試料番号１１及び試料番号２５の各原料から得られ
た圧電体磁器における、焼成温度と圧電磁器の焼結密度
との関係を図１に示す。
【００１８】モル比ｚが０．５０である試料番号２の原
料を用いた場合、１１００℃を超える温度で焼成しなけ
れば、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．００である試料番号２５の原料
を用いた場合においても、同様に１１００℃以上の高温
で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないことが
わかる。
料を用いた場合、１１００℃を超える温度で焼成しなけ
れば、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．００である試料番号２５の原料
を用いた場合においても、同様に１１００℃以上の高温
で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないことが
わかる。
【００１９】これに対して、本発明の実施例に相当する
試料番号１０及び試料番号１１の原料を用いた場合に
は、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても、焼
結密度が十分に高められることがわかる。
試料番号１０及び試料番号１１の原料を用いた場合に
は、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても、焼
結密度が十分に高められることがわかる。
【００２０】上記のような結果が生じているのは、焼結
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
【００２１】従って、Ｍｎ／Ｓｂのモル比ｚを０．５０
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００２５】表１，２から明らかなように、Ｍｎ／Ｓｂ
のモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である
圧電体磁器組成物（試料番号３〜２４）では、１０００
℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性が
得られていることがわかる。Ｍｎ／Ｓｂのモル比ｚが
０．５０以下、あるいは１．００以上の場合には（試料
番号１，２，２５〜２７）、焼結密度が低く、圧電特性
も低下した。
のモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である
圧電体磁器組成物（試料番号３〜２４）では、１０００
℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性が
得られていることがわかる。Ｍｎ／Ｓｂのモル比ｚが
０．５０以下、あるいは１．００以上の場合には（試料
番号１，２，２５〜２７）、焼結密度が低く、圧電特性
も低下した。
【００２６】（実施例２）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＭｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚ
ｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔βＭｎＯ2 ＋
｛（１−β）／２｝Ｓｂ2Ｏ5 〕＋ｖ重量％ＳｉＯ2 と
なるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種々異
ならせ、下記の表３に示す試料番号２８〜３８の各原料
粉末を用意した。なお、ＭｎとＳｂとのモル比ｚは、ｚ
＝β／（１−β）である。これらの原料粉末を用い、実
施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作製した。
Ｏ2 、ＭｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚ
ｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔βＭｎＯ2 ＋
｛（１−β）／２｝Ｓｂ2Ｏ5 〕＋ｖ重量％ＳｉＯ2 と
なるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種々異
ならせ、下記の表３に示す試料番号２８〜３８の各原料
粉末を用意した。なお、ＭｎとＳｂとのモル比ｚは、ｚ
＝β／（１−β）である。これらの原料粉末を用い、実
施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作製した。
【００２７】図２に、代表例として、ｘ＝０．５及びｖ
＝０．０５重量％である試料番号２９，３５，３８の各
原料から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼結密
度の関係を示す。
＝０．０５重量％である試料番号２９，３５，３８の各
原料から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼結密
度の関係を示す。
【００２８】モル比ｚが０．５０である試料番号２９の
圧電体磁器組成物では、焼成温度が１１００℃以上でな
ければ、十分な焼結密度が得られていない。また、モル
比ｚの値が１．００以上である試料番号３８の組成で
は、さらに焼結性が低下し、１２００℃以上の焼成温度
でなければ、十分な焼結密度が得られていない。これに
対して、モル比ｚが０．８５である試料番号３５の組成
では、９５０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼
結密度が得られている。
圧電体磁器組成物では、焼成温度が１１００℃以上でな
ければ、十分な焼結密度が得られていない。また、モル
比ｚの値が１．００以上である試料番号３８の組成で
は、さらに焼結性が低下し、１２００℃以上の焼成温度
でなければ、十分な焼結密度が得られていない。これに
対して、モル比ｚが０．８５である試料番号３５の組成
では、９５０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼
結密度が得られている。
【００２９】従って、Ｍｎ及びＳｂを副成分として添加
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
【００３０】実施例２においても、得られた各圧電体磁
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表３に示す。
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表３に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００３３】表３から明らかなように、モル比ｚの値が
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号３０〜３６）の組成では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号３０〜３６）の組成では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
【００３４】これに対して、モル比ｚが０．５０以下で
ある組成（試料番号２８，２９）やモル比ｚが１．００
以上である組成（試料番号３７，３８）を用いた場合に
は、十分な圧電特性が得られていないことがわかる。
ある組成（試料番号２８，２９）やモル比ｚが１．００
以上である組成（試料番号３７，３８）を用いた場合に
は、十分な圧電特性が得られていないことがわかる。
【００３５】よって、モル比ｚを０．５０より大きく、
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
【００３６】（実施例３）出発原料として、ＰｂＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ
2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５
Ｐｂ（Ｃｒy Ｓｂ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となる
ように調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化さ
せ、下記の表４，５に示す試料番号３９〜６４の各原料
粉末を用意した。なお、表４，５のｚは、ＣｒとＳｂと
のモル比を示し、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）である。以下、実
施例１と同様にして円板状の圧電体磁器を得、かつ圧電
特性を評価した。
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ
2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５
Ｐｂ（Ｃｒy Ｓｂ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となる
ように調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化さ
せ、下記の表４，５に示す試料番号３９〜６４の各原料
粉末を用意した。なお、表４，５のｚは、ＣｒとＳｂと
のモル比を示し、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）である。以下、実
施例１と同様にして円板状の圧電体磁器を得、かつ圧電
特性を評価した。
【００３７】図３及び図４は、ｘ＝０．５０及びｖ＝
０．０２重量％の場合の試料番号３９，４０，４８，４
９，６３における焼成温度と得られた圧電体磁器の焼結
密度との関係を示す。
０．０２重量％の場合の試料番号３９，４０，４８，４
９，６３における焼成温度と得られた圧電体磁器の焼結
密度との関係を示す。
【００３８】図３から明らかなように、Ｃｒ／Ｓｂのモ
ル比ｚが０．５０以下の組成である試料番号３９，４０
では、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成しなけ
れば十分な焼結密度が得られていない。また、図４から
明らかなように、Ｃｒ／Ｓｂのモル比ｚの値が１．００
以上の組成である試料番号６３では、十分な焼結密度が
得られない。
ル比ｚが０．５０以下の組成である試料番号３９，４０
では、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成しなけ
れば十分な焼結密度が得られていない。また、図４から
明らかなように、Ｃｒ／Ｓｂのモル比ｚの値が１．００
以上の組成である試料番号６３では、十分な焼結密度が
得られない。
【００３９】これに対して、モル比ｚが０．７５または
０．８５の組成である試料番号４８，４９の場合には、
９４０℃程度の低温で焼成した場合においても十分な焼
結密度が得られている。これは、焼結性が改善される組
成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範囲との
境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成では、
少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化することによ
る。
０．８５の組成である試料番号４８，４９の場合には、
９４０℃程度の低温で焼成した場合においても十分な焼
結密度が得られている。これは、焼結性が改善される組
成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範囲との
境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成では、
少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化することによ
る。
【００４０】よって、Ｃｒ／Ｓｂのモル比ｚを、０．５
０より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体
磁器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
０より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体
磁器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００４１】
【表４】
【００４２】
【表５】
【００４３】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００４４】表４，５から明らかなように、Ｃｒ／Ｓｂ
のモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である
圧電体磁器組成物（試料番号４１〜６２）では、１００
０℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性
が得られていることがわかる。Ｃｒ／Ｓｂのモル比ｚが
０．５０以下あるいは１．００以上の組成（試料番号３
９，４０，６３，６４）では、焼結密度が低く、圧電特
性も低下した。
のモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である
圧電体磁器組成物（試料番号４１〜６２）では、１００
０℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性
が得られていることがわかる。Ｃｒ／Ｓｂのモル比ｚが
０．５０以下あるいは１．００以上の組成（試料番号３
９，４０，６３，６４）では、焼結密度が低く、圧電特
性も低下した。
【００４５】（実施例４）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ
（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛β／２Ｃｒ2
Ｏ3 ＋｛（１−β）／２｝Ｓｂ2 Ｏ5 ＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種
々異ならせ、下記の表６に示す試料番号６５〜７５の各
原料粉末を用意した。なお、ＣｒとＳｂとのモル比ｚ
は、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原料粉末を用
い、実施例１と同様の方法で円板状の圧電磁器を作製し
た。
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ
（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛β／２Ｃｒ2
Ｏ3 ＋｛（１−β）／２｝Ｓｂ2 Ｏ5 ＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種
々異ならせ、下記の表６に示す試料番号６５〜７５の各
原料粉末を用意した。なお、ＣｒとＳｂとのモル比ｚ
は、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原料粉末を用
い、実施例１と同様の方法で円板状の圧電磁器を作製し
た。
【００４６】図５に、代表例として、ｘ＝０．５及びｖ
＝０．０２重量％である試料番号６５，７２，７５の各
原料組成から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼
結密度の関係を示す。
＝０．０２重量％である試料番号６５，７２，７５の各
原料組成から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼
結密度の関係を示す。
【００４７】モル比ｚが０．５０以下である試料番号６
５の組成では、焼成温度が１１００℃以上でなければ、
十分な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚの値
が１．００以上の試料番号７５の組成では、十分な焼結
密度が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．
８５である試料番号７２の組成では、９５０℃程度の低
温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られている。
５の組成では、焼成温度が１１００℃以上でなければ、
十分な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚの値
が１．００以上の試料番号７５の組成では、十分な焼結
密度が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．
８５である試料番号７２の組成では、９５０℃程度の低
温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られている。
【００４８】従って、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 を主
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＳｂを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５０よ
り大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器
の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＳｂを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５０よ
り大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器
の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００４９】実施例４においても、得られた各圧電体磁
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表６に示す。
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表６に示す。
【００５０】
【表６】
【００５１】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００５２】表６から明らかなように、モル比ｚの値が
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号６７〜７３）の組成では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号６７〜７３）の組成では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
【００５３】これに対して、モル比ｚが０．５０以下で
ある試料番号６５，６６の組成やモル比ｚが１．００以
上である試料番号７４，７５の組成を用いた場合には、
十分な圧電特性が得られていないことがわかる。
ある試料番号６５，６６の組成やモル比ｚが１．００以
上である試料番号７４，７５の組成を用いた場合には、
十分な圧電特性が得られていないことがわかる。
【００５４】よって、モル比ｚを０．５０より大きく、
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特
性の得られることがわかる。
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特
性の得られることがわかる。
【００５５】（本発明が適用される圧電素子）本発明に
係る圧電体磁器組成物は、圧電共振子、圧電トランス、
圧電アクチュエータなどの各種圧電素子に用いることが
できる。図６及び図７は、本発明の圧電体磁器組成物を
用いて構成される圧電共振子の一例を示す分解斜視図及
び外観斜視図である。この圧電共振子１では、本発明に
係る圧電体磁器組成物からなる圧電体２が用いられてい
る。圧電体２は矩形板状の形状を有する。圧電体２の上
面２ａには、共振電極３が形成されている。また、図６
に分解斜視図で示すように、圧電体２の内部には、共振
電極３と厚み方向に重なり合うように、共振電極４，５
が内部電極の形態で形成されている。共振電極３〜５
は、圧電体層を介して厚み方向に重なり合っており、エ
ネルギー閉じ込め型の圧電振動部を構成している。
係る圧電体磁器組成物は、圧電共振子、圧電トランス、
圧電アクチュエータなどの各種圧電素子に用いることが
できる。図６及び図７は、本発明の圧電体磁器組成物を
用いて構成される圧電共振子の一例を示す分解斜視図及
び外観斜視図である。この圧電共振子１では、本発明に
係る圧電体磁器組成物からなる圧電体２が用いられてい
る。圧電体２は矩形板状の形状を有する。圧電体２の上
面２ａには、共振電極３が形成されている。また、図６
に分解斜視図で示すように、圧電体２の内部には、共振
電極３と厚み方向に重なり合うように、共振電極４，５
が内部電極の形態で形成されている。共振電極３〜５
は、圧電体層を介して厚み方向に重なり合っており、エ
ネルギー閉じ込め型の圧電振動部を構成している。
【００５６】また、共振電極３，５は、圧電体２の一方
の端面２ｂに引き出されており、外部電極６に電気的に
接続されている。共振電極４は、圧電体２の他方の端面
２ｃに引き出されており、外部電極７に電気的に接続さ
れている。
の端面２ｂに引き出されており、外部電極６に電気的に
接続されている。共振電極４は、圧電体２の他方の端面
２ｃに引き出されており、外部電極７に電気的に接続さ
れている。
【００５７】なお、圧電体２は厚み方向に分極処理され
ている。従って、圧電共振子１では、外部電極６，７間
に交流電圧を印加することにより、厚み縦振動の２倍波
を利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子として動
作する。
ている。従って、圧電共振子１では、外部電極６，７間
に交流電圧を印加することにより、厚み縦振動の２倍波
を利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子として動
作する。
【００５８】図８及び図９は、本発明に係る圧電体磁器
組成物を用いた圧電共振子の他の例を説明するための断
面図及び分解斜視図である。図８に示すように、積層型
の圧電共振子１１では、圧電体１２内に、複数の内部電
極１３ａ〜１３ｐが形成されている。図９に略図的に示
すように、内部電極１３ａ，１３ｂは圧電体１２のある
高さ位置において全面に形成されている。他の内部電極
１３ｃ〜１３ｐも同様に全面電極の形で形成されてい
る。
組成物を用いた圧電共振子の他の例を説明するための断
面図及び分解斜視図である。図８に示すように、積層型
の圧電共振子１１では、圧電体１２内に、複数の内部電
極１３ａ〜１３ｐが形成されている。図９に略図的に示
すように、内部電極１３ａ，１３ｂは圧電体１２のある
高さ位置において全面に形成されている。他の内部電極
１３ｃ〜１３ｐも同様に全面電極の形で形成されてい
る。
【００５９】圧電体１２の一方の側面１２ａには、絶縁
層１４ａ〜１４ｈが形成されており、反対側の側面１２
ｂには絶縁層１５ａ〜１５ｈが形成されている。内部電
極１３ａは、絶縁層１５ａにより側面１２ｂに露出して
いる部分が被覆されている。次の内部電極１３ｂは、側
面１２ａ上に露出している部分が絶縁層１４ａにより被
覆されている。このようにして、内部電極１３ａ〜１３
ｐは、交互に、側面１２ｂまたは側面１２ａ側におい
て、絶縁材料により被覆されている。側面１２ａ，１２
ｂには、外部電極１６，１７がそれぞれ形成されてい
る。また、圧電体１２は、厚み方向に一様に分極処理さ
れている。
層１４ａ〜１４ｈが形成されており、反対側の側面１２
ｂには絶縁層１５ａ〜１５ｈが形成されている。内部電
極１３ａは、絶縁層１５ａにより側面１２ｂに露出して
いる部分が被覆されている。次の内部電極１３ｂは、側
面１２ａ上に露出している部分が絶縁層１４ａにより被
覆されている。このようにして、内部電極１３ａ〜１３
ｐは、交互に、側面１２ｂまたは側面１２ａ側におい
て、絶縁材料により被覆されている。側面１２ａ，１２
ｂには、外部電極１６，１７がそれぞれ形成されてい
る。また、圧電体１２は、厚み方向に一様に分極処理さ
れている。
【００６０】従って、外部電極１６，１７間に直流電圧
を印加することにより、圧電共振子として動作させるこ
とができる。図１０は、本発明に係る圧電体磁器組成物
を用いた圧電トランスの一例を示す斜視図である。圧電
トランス２１では、圧電体２２内に、複数の内部電極２
３，２４が厚み方向において交互に積層されている。複
数の内部電極２３は、圧電体２２の一方の側面２２ａに
引き出されており、複数の内部電極２４は他方の側面２
２ｂに引き出されている。また、内部電極２３，２４
は、圧電体２２の長さ方向中央から一方端面２２ｃ側に
位置されている。側面２２ａ，２２ｂには、それぞれ、
外部電極２５，２６が形成されており、端面２６ｃとは
反対側の端面２６ｄに外部電極２７が形成されている。
また、圧電体２２は、図示の矢印Ｐ方向すなわち長さ方
向に分極処理されている。従って、外部電極２５，２６
を入力電極とし、外部電極２７を出力電極として用いる
ことにより、ローゼン型の圧電トランスとして動作させ
ることができる。
を印加することにより、圧電共振子として動作させるこ
とができる。図１０は、本発明に係る圧電体磁器組成物
を用いた圧電トランスの一例を示す斜視図である。圧電
トランス２１では、圧電体２２内に、複数の内部電極２
３，２４が厚み方向において交互に積層されている。複
数の内部電極２３は、圧電体２２の一方の側面２２ａに
引き出されており、複数の内部電極２４は他方の側面２
２ｂに引き出されている。また、内部電極２３，２４
は、圧電体２２の長さ方向中央から一方端面２２ｃ側に
位置されている。側面２２ａ，２２ｂには、それぞれ、
外部電極２５，２６が形成されており、端面２６ｃとは
反対側の端面２６ｄに外部電極２７が形成されている。
また、圧電体２２は、図示の矢印Ｐ方向すなわち長さ方
向に分極処理されている。従って、外部電極２５，２６
を入力電極とし、外部電極２７を出力電極として用いる
ことにより、ローゼン型の圧電トランスとして動作させ
ることができる。
【００６１】図１１は、本発明に係る圧電体磁器組成物
を用いた圧電アクチュエータの一例として、インクジェ
ットプリンタのヘッド駆動部を構成しているアクチュエ
ータ装置を示す斜視図である。圧電アクチュエータ装置
３１では、基板３２上に、複数の積層型圧電アクチュエ
ータ３３が固定されている。圧電アクチュエータ３３
は、圧電体３４を用いて構成されている。この圧電体３
４が本発明に係る圧電体磁器組成物により構成されてい
る。圧電体３４内には、複数の内部電極３５，３６が厚
み方向に重なり合うように配置されている。複数の内部
電極３５，３６は厚み方向に交互に配置されており、内
部電極３５，３６間に交流電圧を印加することにより、
各圧電アクチュエータ３３が変位する。
を用いた圧電アクチュエータの一例として、インクジェ
ットプリンタのヘッド駆動部を構成しているアクチュエ
ータ装置を示す斜視図である。圧電アクチュエータ装置
３１では、基板３２上に、複数の積層型圧電アクチュエ
ータ３３が固定されている。圧電アクチュエータ３３
は、圧電体３４を用いて構成されている。この圧電体３
４が本発明に係る圧電体磁器組成物により構成されてい
る。圧電体３４内には、複数の内部電極３５，３６が厚
み方向に重なり合うように配置されている。複数の内部
電極３５，３６は厚み方向に交互に配置されており、内
部電極３５，３６間に交流電圧を印加することにより、
各圧電アクチュエータ３３が変位する。
【００６２】なお、上記圧電共振子１，１１、圧電トラ
ンス２１及び圧電アクチュエータ３３は、いずれも、本
発明に係る圧電体磁器組成物を用いた圧電素子の構造例
にすぎず、様々な構造の圧電フィルタを含む圧電共振
子；圧電トランスあるいは圧電アクチュエータに、本発
明に係る圧電体磁器組成物を用いることができる。
ンス２１及び圧電アクチュエータ３３は、いずれも、本
発明に係る圧電体磁器組成物を用いた圧電素子の構造例
にすぎず、様々な構造の圧電フィルタを含む圧電共振
子；圧電トランスあるいは圧電アクチュエータに、本発
明に係る圧電体磁器組成物を用いることができる。
【００６３】（実施例５）出発原料として、ＰｂＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 及びＴａ2 Ｏ5 の各粉末
を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐ
ｂ（Ｍｎy Ｔａ1-y）Ｏ3 となるように調合した。この
場合、ｘ及びｙを種々変化させて、下記の表７に示す試
料番号７６〜９４の各原料粉末を用意した。なお、Ｍｎ
とＴａのモル比ｚ、すなわち本発明におけるＺ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 及びＴａ2 Ｏ5 の各粉末
を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐ
ｂ（Ｍｎy Ｔａ1-y）Ｏ3 となるように調合した。この
場合、ｘ及びｙを種々変化させて、下記の表７に示す試
料番号７６〜９４の各原料粉末を用意した。なお、Ｍｎ
とＴａのモル比ｚ、すなわち本発明におけるＺ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
【００６４】上記のようにして用意した各原料粉末を用
い、以下、実施例１と同様にして円板状の圧電共振子を
得た。得られた圧電共振子の径方向の拡がり振動の圧電
特性をインピーダンスアナライザーにより評価した。
い、以下、実施例１と同様にして円板状の圧電共振子を
得た。得られた圧電共振子の径方向の拡がり振動の圧電
特性をインピーダンスアナライザーにより評価した。
【００６５】試料番号７６〜９４の各原料を用いた圧電
共振子のうちの代表例として、ｘ＝０．５０である試料
番号７７、試料番号８１、試料番号８２及び試料番号９
２の各原料から得られた圧電体磁器における、焼成温度
と圧電磁器の焼結密度との関係を図１２に示す。
共振子のうちの代表例として、ｘ＝０．５０である試料
番号７７、試料番号８１、試料番号８２及び試料番号９
２の各原料から得られた圧電体磁器における、焼成温度
と圧電磁器の焼結密度との関係を図１２に示す。
【００６６】モル比ｚが０．５０である試料番号７７の
原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成しな
ければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．００以上である試料番号９２の
原料を用いた場合においても、同様に１２００℃以上の
高温で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないこ
とがわかる。
原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成しな
ければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．００以上である試料番号９２の
原料を用いた場合においても、同様に１２００℃以上の
高温で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないこ
とがわかる。
【００６７】これに対して、本発明の実施例に相当する
試料番号８１及び試料番号８２の原料を用いた場合に
は、１０００℃程度の低温で焼成した場合においても、
焼結密度が十分に高められることがわかる。
試料番号８１及び試料番号８２の原料を用いた場合に
は、１０００℃程度の低温で焼成した場合においても、
焼結密度が十分に高められることがわかる。
【００６８】上記のような結果が生じているのは、焼結
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
【００６９】従って、Ｍｎ／Ｔａのモル比ｚを０．５０
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００７０】
【表７】
【００７１】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００７２】表７から明らかなように、Ｍｎ／Ｔａのモ
ル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である圧電
体磁器組成物（試料番号７８〜９１）では、１０００℃
の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得
られていることがわかる。
ル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である圧電
体磁器組成物（試料番号７８〜９１）では、１０００℃
の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得
られていることがわかる。
【００７３】逆に、Ｍｎ／Ｔａのモル比ｚが０．５０以
下、あるいは１．００以上の場合には（試料番号７６，
７７，９２〜９４）、焼結密度が低く、圧電特性も低下
した。
下、あるいは１．００以上の場合には（試料番号７６，
７７，９２〜９４）、焼結密度が低く、圧電特性も低下
した。
【００７４】（実施例６）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＭｎＯ2 及びＴａ2 Ｏ5 を、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉ
x ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔βＭｎＯ2 ＋｛（１−β）／
２｝（Ｔａ2 Ｏ5 ）〕となるように調合した。この場
合、ｘ及びβを種々異ならせ、下記の表に示す試料番号
９５〜１０３の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＴ
ａとのモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これら
の原料粉末を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電
磁器を作製した。
Ｏ2 、ＭｎＯ2 及びＴａ2 Ｏ5 を、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉ
x ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔βＭｎＯ2 ＋｛（１−β）／
２｝（Ｔａ2 Ｏ5 ）〕となるように調合した。この場
合、ｘ及びβを種々異ならせ、下記の表に示す試料番号
９５〜１０３の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＴ
ａとのモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これら
の原料粉末を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電
磁器を作製した。
【００７５】図１３に、代表例として、ｘ＝０．５であ
る試料番号９６，１００，１０３の各原料から得られた
圧電体磁器における焼成温度と焼結密度の関係を示す。
モル比ｚが０．５０である試料番号９６の圧電体磁器組
成物では、焼成温度が１１００℃以上でなければ、十分
な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚの値が
１．００以上である試料番号１０３の組成では、さらに
焼結性が低下し、１２００℃以上の焼成温度でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。これに対して、
モル比ｚが０．８５である試料番号１００の組成では、
１０００℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結密
度が得られている。
る試料番号９６，１００，１０３の各原料から得られた
圧電体磁器における焼成温度と焼結密度の関係を示す。
モル比ｚが０．５０である試料番号９６の圧電体磁器組
成物では、焼成温度が１１００℃以上でなければ、十分
な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚの値が
１．００以上である試料番号１０３の組成では、さらに
焼結性が低下し、１２００℃以上の焼成温度でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。これに対して、
モル比ｚが０．８５である試料番号１００の組成では、
１０００℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結密
度が得られている。
【００７６】従って、Ｍｎ及びＴａを副成分として添加
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
【００７７】実施例６においても、得られた各圧電体磁
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表８に示す。
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表８に示す。
【００７８】
【表８】
【００７９】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００８０】表８から明らかなように、モル比ｚの値が
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号９７〜１０１）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料番
号９７〜１０１）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
【００８１】これに対して、モル比ｚが０．５０以下で
ある組成（試料番号９５，９６）やモル比ｚが１．００
以上である組成（試料番号１０２，１０３）を用いた場
合には、十分な圧電特性が得られていないことがわか
る。
ある組成（試料番号９５，９６）やモル比ｚが１．００
以上である組成（試料番号１０２，１０３）を用いた場
合には、十分な圧電特性が得られていないことがわか
る。
【００８２】よって、モル比ｚを０．５０より大きく、
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
【００８３】（実施例７）出発原料として、ＰｂＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 を、０．
９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐｂ（Ｃｒ
y Ｔａ1-y ）Ｏ3となるように調合した。ここで、ｘ及
びｙを種々変化させ、下記の表９に示す試料番号１０４
〜１２２の各原料粉末を用意した。なお、表９のｚは、
ＣｒとＴａとのモル比を示し、本発明におけるｚ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）で表され
る。以下、実施例１と同様にして円板状の圧電体磁器を
得、かつ圧電特性を評価した。
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 を、０．
９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐｂ（Ｃｒ
y Ｔａ1-y ）Ｏ3となるように調合した。ここで、ｘ及
びｙを種々変化させ、下記の表９に示す試料番号１０４
〜１２２の各原料粉末を用意した。なお、表９のｚは、
ＣｒとＴａとのモル比を示し、本発明におけるｚ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）で表され
る。以下、実施例１と同様にして円板状の圧電体磁器を
得、かつ圧電特性を評価した。
【００８４】図１４及び図１５は、ｘ＝０．５０の場合
の試料番号１０４，１０５，１０９，１１０，１２０，
１２２における焼成温度と得られた圧電体磁器の焼結密
度との関係を示す。
の試料番号１０４，１０５，１０９，１１０，１２０，
１２２における焼成温度と得られた圧電体磁器の焼結密
度との関係を示す。
【００８５】図１４から明らかなように、Ｃｒ／Ｔａの
モル比ｚが０．５０以下の組成である試料番号１０４，
１０５では、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成
しなければ十分な焼結密度が得られていない。また、図
１５から明らかなように、Ｃｒ／Ｔａのモル比ｚの値が
１．００以上の組成である試料番号１２０，１２２で
は、ｚが０．５０以下の場合と同様に高い温度で焼成し
なければ十分な焼結密度が得られない。
モル比ｚが０．５０以下の組成である試料番号１０４，
１０５では、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成
しなければ十分な焼結密度が得られていない。また、図
１５から明らかなように、Ｃｒ／Ｔａのモル比ｚの値が
１．００以上の組成である試料番号１２０，１２２で
は、ｚが０．５０以下の場合と同様に高い温度で焼成し
なければ十分な焼結密度が得られない。
【００８６】これに対して、モル比ｚが０．７５または
０．８５の組成である試料番号１０９，１１０の場合に
は、１０００℃程度の低温で焼成した場合においても十
分な焼結密度が得られている。これは、焼結性が改善さ
れる組成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範
囲との境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成
では、少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化するこ
とによる。
０．８５の組成である試料番号１０９，１１０の場合に
は、１０００℃程度の低温で焼成した場合においても十
分な焼結密度が得られている。これは、焼結性が改善さ
れる組成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範
囲との境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成
では、少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化するこ
とによる。
【００８７】よって、Ｃｒ／Ｔａのモル比ｚを、０．５
０より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体
磁器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
０より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体
磁器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００８８】
【表９】
【００８９】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００９０】表９から明らかなように、Ｃｒ／Ｔａのモ
ル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である圧電
体磁器組成物（試料番号１０６〜１１９）では、１００
０℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性
が得られていることがわかる。また、Ｃｒ／Ｔａのモル
比ｚが０．５０以下あるいは１．００以上の組成（試料
番号１０４，１０５，１２０〜１２２）では、圧電特性
が低下した。
ル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満である圧電
体磁器組成物（試料番号１０６〜１１９）では、１００
０℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧電特性
が得られていることがわかる。また、Ｃｒ／Ｔａのモル
比ｚが０．５０以下あるいは１．００以上の組成（試料
番号１０４，１０５，１２０〜１２２）では、圧電特性
が低下した。
【００９１】（実施例８）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 を、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴ
ｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔β／２Ｃｒ2 Ｏ3 ＋｛（１
−β）／２｝（Ｔａ2Ｏ5 ）〕となるように調合した。
この場合、ｘ及びβを種々異ならせ、下記の表１０に示
す試料番号１２３〜１３１の各原料粉末を用意した。な
お、ＣｒとＴａとのモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）で
ある。これらの原料粉末を用い、実施例１と同様の方法
で円板状の圧電磁器を作製した。
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 を、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴ
ｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔β／２Ｃｒ2 Ｏ3 ＋｛（１
−β）／２｝（Ｔａ2Ｏ5 ）〕となるように調合した。
この場合、ｘ及びβを種々異ならせ、下記の表１０に示
す試料番号１２３〜１３１の各原料粉末を用意した。な
お、ＣｒとＴａとのモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）で
ある。これらの原料粉末を用い、実施例１と同様の方法
で円板状の圧電磁器を作製した。
【００９２】図１６に、代表例として、ｘ＝０．５であ
る試料番号１２３，１２８，１３１の各原料組成から得
られた圧電体磁器における焼成温度と焼結密度の関係を
示す。
る試料番号１２３，１２８，１３１の各原料組成から得
られた圧電体磁器における焼成温度と焼結密度の関係を
示す。
【００９３】モル比ｚが０．５０以下である試料番号１
２３の組成では、焼成温度が１２００℃以上でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚ
の値が１．００以上の試料番号１３１の組成において
も、１２００℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結
密度が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．
８５である試料番号１２８の組成では、１０００℃程度
の低温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られてい
る。
２３の組成では、焼成温度が１２００℃以上でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。また、モル比ｚ
の値が１．００以上の試料番号１３１の組成において
も、１２００℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結
密度が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．
８５である試料番号１２８の組成では、１０００℃程度
の低温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られてい
る。
【００９４】従って、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 を主
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＴａを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５０よ
り大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器
の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＴａを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５０よ
り大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器
の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【００９５】実施例８においても、得られた各圧電体磁
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１０に示す。
器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１０に示す。
【００９６】
【表１０】
【００９７】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【００９８】表１０から明らかなように、モル比ｚの値
が０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料
番号１２５〜１２９）では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
が０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料
番号１２５〜１２９）では、良好な圧電特性の得られて
いることがわかる。
【００９９】これに対して、モル比ｚが０．５０以下で
ある試料番号１２４の組成やモル比ｚが１．００以上で
ある試料番号１３０の組成を用いた場合には、十分な圧
電特性が得られていないことがわかる。
ある試料番号１２４の組成やモル比ｚが１．００以上で
ある試料番号１３０の組成を用いた場合には、十分な圧
電特性が得られていないことがわかる。
【０１００】よって、モル比ｚを０．５０より大きく、
１．００未満とすることにより、１０００℃程度の低温
で焼成した場合においても、十分な圧電特性の得られる
ことがわかる。
１．００未満とすることにより、１０００℃程度の低温
で焼成した場合においても、十分な圧電特性の得られる
ことがわかる。
【０１０１】（実施例９）出発原料として、ＰｂＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2
の各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −
０．０５Ｐｂ（Ｍｎ y Ｎｂ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、ｙ及びｖを種
々変化させて、下記の表１１，１２に示す試料番号１３
２〜１５６の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＮｂ
のモル比ｚ、すなわち本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ
＋ｄ＋２ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2
の各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −
０．０５Ｐｂ（Ｍｎ y Ｎｂ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、ｙ及びｖを種
々変化させて、下記の表１１，１２に示す試料番号１３
２〜１５６の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＮｂ
のモル比ｚ、すなわち本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ
＋ｄ＋２ｅ）は、ｙ／（１−ｙ）で表される。
【０１０２】以下、実施例１と同様にして円板状の圧電
体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。試料番号１３２
〜１５６の各原料を用いた圧電共振子のうちの代表例と
して、ｘ＝０．５及びｖ＝０．０２重量％である試料番
号１３３、試料番号１４１、試料番号１４２及び試料番
号１５６の各原料から得られた圧電体磁器における、焼
成温度と圧電磁器の焼結密度との関係を図１７に示す。
体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。試料番号１３２
〜１５６の各原料を用いた圧電共振子のうちの代表例と
して、ｘ＝０．５及びｖ＝０．０２重量％である試料番
号１３３、試料番号１４１、試料番号１４２及び試料番
号１５６の各原料から得られた圧電体磁器における、焼
成温度と圧電磁器の焼結密度との関係を図１７に示す。
【０１０３】モル比ｚが０．５０である試料番号１３３
の原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成し
なければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。
また、モル比ｚの値が１．００である試料番号１５６の
原料を用いた場合には１１００℃以上の高温で焼成しな
ければ、十分な焼結密度の得られないことがわかる。
の原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成し
なければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。
また、モル比ｚの値が１．００である試料番号１５６の
原料を用いた場合には１１００℃以上の高温で焼成しな
ければ、十分な焼結密度の得られないことがわかる。
【０１０４】これに対して、本発明の実施例に相当する
試料番号１４１及び試料番号１４２の原料を用いた場合
には、１０００℃程度の低温で焼成した場合において
も、焼結密度が十分に高められることがわかる。
試料番号１４１及び試料番号１４２の原料を用いた場合
には、１０００℃程度の低温で焼成した場合において
も、焼結密度が十分に高められることがわかる。
【０１０５】上記のような結果が生じているのは、焼結
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
【０１０６】従って、Ｍｎ／Ｎｂのモル比ｚを０．５０
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【０１０７】
【表１１】
【０１０８】
【表１２】
【０１０９】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１１０】表１１，１２から明らかなように、Ｍｎ／
Ｎｂのモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満で
ある圧電体磁器組成物（試料番号１３４〜１５５）で
は、１０００℃の低温で焼成した場合であっても、良好
な圧電特性が得られていることがわかる。Ｍｎ／Ｎｂの
モル比ｚが０．５０以下、あるいは１．００以上の場合
には（試料番号１３２，１３３，１５６）、焼結密度が
低く、圧電特性も低下した。
Ｎｂのモル比ｚが０．５０より大きく、１．００未満で
ある圧電体磁器組成物（試料番号１３４〜１５５）で
は、１０００℃の低温で焼成した場合であっても、良好
な圧電特性が得られていることがわかる。Ｍｎ／Ｎｂの
モル比ｚが０．５０以下、あるいは１．００以上の場合
には（試料番号１３２，１３３，１５６）、焼結密度が
低く、圧電特性も低下した。
【０１１１】（実施例１０）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ
1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔（βＭｎＯ2 ＋
｛（１−β）／２｝（Ｎｂ2 Ｏ5 ）〕＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種
々異ならせ、下記の表１３に示す試料番号１５７〜１６
７の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＮｂとのモル
比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原料粉末
を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作製
した。
2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ
1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔（βＭｎＯ2 ＋
｛（１−β）／２｝（Ｎｂ2 Ｏ5 ）〕＋ｖ重量％ＳｉＯ
2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種
々異ならせ、下記の表１３に示す試料番号１５７〜１６
７の各原料粉末を用意した。なお、ＭｎとＮｂとのモル
比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原料粉末
を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作製
した。
【０１１２】図１８に、代表例として、ｘ＝０．５及び
ｖ＝０．０５重量％である試料番号１５７，１６４，１
６７の各原料から得られた圧電体磁器における焼成温度
と焼結密度の関係を示す。
ｖ＝０．０５重量％である試料番号１５７，１６４，１
６７の各原料から得られた圧電体磁器における焼成温度
と焼結密度の関係を示す。
【０１１３】モル比ｚが０．５０である試料番号１５７
の圧電体磁器組成物では、焼成温度が１２００℃以上で
なければ、十分な焼結密度が得られていない。また、モ
ル比ｚの値が１以上である試料番号１６７の組成では、
１１００℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結密度
が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．８５
である試料番号１６４の組成では、１０００℃程度の低
温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られている。
の圧電体磁器組成物では、焼成温度が１２００℃以上で
なければ、十分な焼結密度が得られていない。また、モ
ル比ｚの値が１以上である試料番号１６７の組成では、
１１００℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結密度
が得られていない。これに対して、モル比ｚが０．８５
である試料番号１６４の組成では、１０００℃程度の低
温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得られている。
【０１１４】従って、Ｍｎ及びＮｂを副成分として添加
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
する場合、モル比ｚの値を０．５０より大きく、１．０
０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく
改善し得ることがわかる。
【０１１５】実施例１０においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１３に示す。
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１３に示す。
【０１１６】
【表１３】
【０１１７】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１１８】表１３から明らかなように、モル比ｚの値
が０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料
番号１５９〜１６５）の組成では、良好な圧電特性の得
られていることがわかる。
が０．５０より大きく、１．００未満である組成（試料
番号１５９〜１６５）の組成では、良好な圧電特性の得
られていることがわかる。
【０１１９】これに対して、モル比ｚが０．５０以下で
ある組成（試料番号１５８）やモル比ｚが１．００以上
である組成（試料番号１６６）を用いた場合には、十分
な圧電特性が得られていないことがわかる。
ある組成（試料番号１５８）やモル比ｚが１．００以上
である組成（試料番号１６６）を用いた場合には、十分
な圧電特性が得られていないことがわかる。
【０１２０】よって、モル比ｚを０．５０より大きく、
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特
性の得られることがわかる。
【０１２１】（実施例１１）出発原料として、ＰｂＯ、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉ
Ｏ2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０
５Ｐｂ（Ｃｒy Ｎｂ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 とな
るように調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化さ
せ、下記の表１４，１５に示す試料番号１６８〜１９２
の各原料粉末を用意した。なお、表１４，１５のｚ、す
なわち本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）
は、ＣｒとＮｂとのモル比を示し、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）
である。以下、実施例１と同様にして円板状の圧電体磁
器を得、かつ圧電特性を評価した。
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉ
Ｏ2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０
５Ｐｂ（Ｃｒy Ｎｂ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 とな
るように調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化さ
せ、下記の表１４，１５に示す試料番号１６８〜１９２
の各原料粉末を用意した。なお、表１４，１５のｚ、す
なわち本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）
は、ＣｒとＮｂとのモル比を示し、ｚ＝ｙ／（１−ｙ）
である。以下、実施例１と同様にして円板状の圧電体磁
器を得、かつ圧電特性を評価した。
【０１２２】図１９及び図２０は、ｘ＝０．５０及びｖ
＝０．０２重量％の場合の試料番号１６８，１７６，１
９０，１９２における焼成温度と得られた圧電体磁器の
焼結密度との関係を示す。
＝０．０２重量％の場合の試料番号１６８，１７６，１
９０，１９２における焼成温度と得られた圧電体磁器の
焼結密度との関係を示す。
【０１２３】図１９から明らかなように、Ｃｒ／Ｎｂの
モル比ｚが０．５以下の組成である試料番号１６８で
は、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成しなけれ
ば十分な焼結密度が得られていない。また、図２０から
明らかなように、Ｃｒ／Ｎｂのモル比ｚの値が１．００
以上の組成である試料番号１９０，１９２では、１２０
０℃以上の高い温度で焼成しなければ十分な焼結密度が
得られない。
モル比ｚが０．５以下の組成である試料番号１６８で
は、少なくとも１１００℃を超える温度で焼成しなけれ
ば十分な焼結密度が得られていない。また、図２０から
明らかなように、Ｃｒ／Ｎｂのモル比ｚの値が１．００
以上の組成である試料番号１９０，１９２では、１２０
０℃以上の高い温度で焼成しなければ十分な焼結密度が
得られない。
【０１２４】これに対して、モル比ｚが１２／１３の組
成である試料番号１７６の場合には、１０００℃程度の
低温で焼成した場合においても十分な焼結密度が得られ
ている。これは、焼結性が改善される組成範囲と、焼結
性がほとんど改善されない組成範囲との境界が極めて明
確であるため、該境界付近の組成では、少しの組成ずれ
により大きく焼結性が変化することによる。
成である試料番号１７６の場合には、１０００℃程度の
低温で焼成した場合においても十分な焼結密度が得られ
ている。これは、焼結性が改善される組成範囲と、焼結
性がほとんど改善されない組成範囲との境界が極めて明
確であるため、該境界付近の組成では、少しの組成ずれ
により大きく焼結性が変化することによる。
【０１２５】よって、Ｃｒ／Ｎｂのモル比ｚを、０．５
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
より大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁
器組成物の焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【０１２６】
【表１４】
【０１２７】
【表１５】
【０１２８】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１２９】表１４，１５から明らかなように、Ｃｒ／
Ｎｂのモル比ｚが０．５より大きく、１．００未満であ
る圧電体磁器組成物（試料番号１６９〜１８９）では、
１０００℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧
電特性が得られていることがわかる。Ｃｒ／Ｎｂのモル
比ｚが０．５以下あるいは１．００以上の組成（試料番
号１６８，１９０，１９１）では、焼結密度が低く、圧
電特性も低下した。
Ｎｂのモル比ｚが０．５より大きく、１．００未満であ
る圧電体磁器組成物（試料番号１６９〜１８９）では、
１０００℃の低温で焼成した場合であっても、良好な圧
電特性が得られていることがわかる。Ｃｒ／Ｎｂのモル
比ｚが０．５以下あるいは１．００以上の組成（試料番
号１６８，１９０，１９１）では、焼結密度が低く、圧
電特性も低下した。
【０１３０】（実施例１２）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚ
ｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔（β／２）Ｃｒ2
Ｏ3 ＋｛（１−β）／２｝（Ｎｂ2 Ｏ5 ）〕＋ｖ重量％
ＳｉＯ2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及び
ｖを種々異ならせ、下記の表１６に示す試料番号１９３
〜２０３の各原料粉末を用意した。なお、ＣｒとＮｂと
のモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原
料粉末を用い、実施例１と同様の方法で円板状の圧電磁
器を作製した。
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚ
ｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％〔（β／２）Ｃｒ2
Ｏ3 ＋｛（１−β）／２｝（Ｎｂ2 Ｏ5 ）〕＋ｖ重量％
ＳｉＯ2 となるように調合した。この場合、ｘ、β及び
ｖを種々異ならせ、下記の表１６に示す試料番号１９３
〜２０３の各原料粉末を用意した。なお、ＣｒとＮｂと
のモル比ｚは、ｚ＝β／（１−β）である。これらの原
料粉末を用い、実施例１と同様の方法で円板状の圧電磁
器を作製した。
【０１３１】図２１に、代表例として、ｘ＝０．５及び
ｖ＝０．０２重量％である試料番号１９４，１９９，２
０３の各原料組成から得られた圧電体磁器における焼成
温度と焼結密度の関係を示す。
ｖ＝０．０２重量％である試料番号１９４，１９９，２
０３の各原料組成から得られた圧電体磁器における焼成
温度と焼結密度の関係を示す。
【０１３２】モル比ｚの値が１．００以上の試料番号２
０３の組成では、１２００℃以上の焼成温度でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。これに対して、
モル比ｚが１２／１３である試料番号１９９の組成で
は、９５０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結
密度が得られている。また、モル比ｚが１１／１３であ
る試料番号１９４の組成では、試料番号１９９の組成ほ
ど低温での焼結密度の向上はないが、１０００℃程度で
十分な焼結密度が得られており、試料番号２０３の組成
に比べて、大幅な低温での焼結密度の向上が見られる。
０３の組成では、１２００℃以上の焼成温度でなけれ
ば、十分な焼結密度が得られていない。これに対して、
モル比ｚが１２／１３である試料番号１９９の組成で
は、９５０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結
密度が得られている。また、モル比ｚが１１／１３であ
る試料番号１９４の組成では、試料番号１９９の組成ほ
ど低温での焼結密度の向上はないが、１０００℃程度で
十分な焼結密度が得られており、試料番号２０３の組成
に比べて、大幅な低温での焼結密度の向上が見られる。
【０１３３】従って、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 を主
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＮｂを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５より
大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器の
焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＮｂを副成分と
して添加する場合において、モル比ｚの値を０．５より
大きく、１．００未満とすることにより、圧電体磁器の
焼結性を大きく改善し得ることがわかる。
【０１３４】実施例１２においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１６に示す。
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１６に示す。
【０１３５】
【表１６】
【０１３６】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１３７】表１６から明らかなように、モル比ｚの値
が０．５より大きく、１．００未満である組成（試料番
号１９４〜２０１）の組成では、良好な圧電特性の得ら
れていることがわかる。
が０．５より大きく、１．００未満である組成（試料番
号１９４〜２０１）の組成では、良好な圧電特性の得ら
れていることがわかる。
【０１３８】これに対して、モル比ｚが０．５以下であ
る試料番号１９３の組成やモル比ｚが１．００以上であ
る試料番号２０２の組成を用いた場合には、十分な圧電
特性が得られていないことがわかる。
る試料番号１９３の組成やモル比ｚが１．００以上であ
る試料番号２０２の組成を用いた場合には、十分な圧電
特性が得られていないことがわかる。
【０１３９】よって、モル比ｚを０．５より大きく、
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特
性の得られることがわかる。
１．００未満である圧電体磁器組成であれば、１０００
℃程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特
性の得られることがわかる。
【０１４０】（実施例１３）出発原料として、ＰｂＯ、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、ＷＯ3 及びＳｉＯ 2 の
各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．
０５Ｐｂ（Ｍｎy Ｗ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 とな
るように調合した。この場合、ｘ、ｙ及びｖを種々変化
させて、下記の表１７に示す試料番号２０４〜２２９の
各原料粉末を用意した。なお、本発明におけるｚ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／｛２（１−ｙ）｝で
表される。
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、ＷＯ3 及びＳｉＯ 2 の
各粉末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．
０５Ｐｂ（Ｍｎy Ｗ 1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 とな
るように調合した。この場合、ｘ、ｙ及びｖを種々変化
させて、下記の表１７に示す試料番号２０４〜２２９の
各原料粉末を用意した。なお、本発明におけるｚ＝ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／｛２（１−ｙ）｝で
表される。
【０１４１】以下、実施例１と同様にして円板状の圧電
体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。試料番号４０１
〜４３５の各原料を用いた圧電共振子のうちの代表例と
して、ｘ＝０．５及びｖ＝０．０２重量％である試料番
号２０５、試料番号２１３、試料番号２２０及び試料番
号２２８の各原料から得られた圧電体磁器における、焼
成温度と圧電磁器の焼結密度との関係を図２２に示す。
体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。試料番号４０１
〜４３５の各原料を用いた圧電共振子のうちの代表例と
して、ｘ＝０．５及びｖ＝０．０２重量％である試料番
号２０５、試料番号２１３、試料番号２２０及び試料番
号２２８の各原料から得られた圧電体磁器における、焼
成温度と圧電磁器の焼結密度との関係を図２２に示す。
【０１４２】モル比ｚが０．５である試料番号２０５の
原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成しな
ければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．０以上である試料番号２２８の
原料を用いた場合においても、同様に１２００℃以上の
高温で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないこ
とがわかる。
原料を用いた場合、１２００℃を超える温度で焼成しな
ければ、十分な焼結密度を得られないことがわかる。ま
た、モル比ｚの値が１．０以上である試料番号２２８の
原料を用いた場合においても、同様に１２００℃以上の
高温で焼成しなければ、十分な焼結密度の得られないこ
とがわかる。
【０１４３】これに対して、本発明の実施例に相当する
試料番号２１３及び試料番号２２０の原料を用いた場合
には、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても、
焼結密度が十分に高められることがわかる。
試料番号２１３及び試料番号２２０の原料を用いた場合
には、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても、
焼結密度が十分に高められることがわかる。
【０１４４】上記のような結果が生じているのは、焼結
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
性が改善される組成範囲と、焼結性がほとんど改善され
ない組成範囲との境界が極めて明確であるため、その境
界付近の組成では少しの組成ずれにより大きく焼結性が
異なることによる。
【０１４５】従って、モル比ｚを０．５より大きく、
１．０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大
きく改善し得ることがわかる。
１．０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大
きく改善し得ることがわかる。
【０１４６】
【表１７】
【０１４７】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１４８】表１７から明らかなように、モル比ｚが
０．５より大きく、１．０未満である圧電体磁器組成物
（試料番号２０６〜２２７）では、１０００℃の低温で
焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得られてい
ることがわかる。モル比ｚが０．５以下、あるいは１．
０以上の場合には（試料番号２０５，２２８）、焼結密
度が低く、圧電特性も低下した。
０．５より大きく、１．０未満である圧電体磁器組成物
（試料番号２０６〜２２７）では、１０００℃の低温で
焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得られてい
ることがわかる。モル比ｚが０．５以下、あるいは１．
０以上の場合には（試料番号２０５，２２８）、焼結密
度が低く、圧電特性も低下した。
【０１４９】（実施例１４）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、ＭｎＯ2 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ 1-x
Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛βＭｎＯ2 ＋（１−β）
（ＷＯ3 ）｝＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるように調合し
た。この場合、ｘ、β及びｖを種々異ならせ、下記の表
１８に示す試料番号２３０〜２４０の各原料粉末を用意
した。なお、本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２
ｅ）は、ｚ＝β／２（１−β）である。これらの原料粉
末を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作
製した。
2 、ＭｎＯ2 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ 1-x
Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛βＭｎＯ2 ＋（１−β）
（ＷＯ3 ）｝＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるように調合し
た。この場合、ｘ、β及びｖを種々異ならせ、下記の表
１８に示す試料番号２３０〜２４０の各原料粉末を用意
した。なお、本発明におけるｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２
ｅ）は、ｚ＝β／２（１−β）である。これらの原料粉
末を用い、実施例１と同様にして円板状の圧電磁器を作
製した。
【０１５０】図２３に、代表例として、ｘ＝０．５及び
ｖ＝０．０５重量％である試料番号２３０，２３６，２
４０の各原料から得られた圧電体磁器における焼成温度
と焼結密度の関係を示す。
ｖ＝０．０５重量％である試料番号２３０，２３６，２
４０の各原料から得られた圧電体磁器における焼成温度
と焼結密度の関係を示す。
【０１５１】モル比ｚが０．４８であり、０．５以下で
ある試料番号２３０の圧電体磁器組成物では、焼成温度
が１１００℃以上でなければ、十分な焼結密度が得られ
ていない。また、モル比ｚの値が１．０以上である試料
番号２４０の組成では、さらに焼結性が低下し、１２０
０℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結密度が得ら
れていない。これに対して、モル比ｚが０．７５である
試料番号２３６の組成では、９５０℃程度の低温で焼成
した場合でも十分な焼結密度が得られている。
ある試料番号２３０の圧電体磁器組成物では、焼成温度
が１１００℃以上でなければ、十分な焼結密度が得られ
ていない。また、モル比ｚの値が１．０以上である試料
番号２４０の組成では、さらに焼結性が低下し、１２０
０℃以上の焼成温度でなければ、十分な焼結密度が得ら
れていない。これに対して、モル比ｚが０．７５である
試料番号２３６の組成では、９５０℃程度の低温で焼成
した場合でも十分な焼結密度が得られている。
【０１５２】従って、Ｍｎ及びＷを副成分として添加す
る場合、モル比ｚの値を０．５より大きく、１．０未満
とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく改善し
得ることがわかる。
る場合、モル比ｚの値を０．５より大きく、１．０未満
とすることにより、圧電体磁器の焼結性を大きく改善し
得ることがわかる。
【０１５３】実施例１４においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１８に示す。
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表１８に示す。
【０１５４】
【表１８】
【０１５５】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１５６】表１８から明らかなように、モル比ｚの値
が０．５より大きく、１．０未満である組成（試料番号
２３２〜２３８）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
が０．５より大きく、１．０未満である組成（試料番号
２３２〜２３８）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
【０１５７】これに対して、モル比ｚが０．５以下であ
る組成（試料番号２３１）やモル比ｚが１．０以上であ
る組成（試料番号２３９）を用いた場合には、十分な圧
電特性が得られていないことがわかる。
る組成（試料番号２３１）やモル比ｚが１．０以上であ
る組成（試料番号２３９）を用いた場合には、十分な圧
電特性が得られていないことがわかる。
【０１５８】よって、モル比ｚを０．５より大きく、
１．０未満である圧電体磁器組成であれば、１０００℃
程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特性
の得られることがわかる。
１．０未満である圧電体磁器組成であれば、１０００℃
程度の低温で焼成した場合においても、良好な圧電特性
の得られることがわかる。
【０１５９】（実施例１５）出発原料として、ＰｂＯ、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2
を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐ
ｂ（Ｃｒy Ｗ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化させ、下
記の表１９に示す試料番号２４１〜２６３の各原料粉末
を用意した。なお、表１９のｚ、すなわち本発明におけ
るｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／｛２（１
−ｙ）｝である。以下、実施例１と同様にして円板状の
圧電体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2
を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５Ｐ
ｂ（Ｃｒy Ｗ1-y ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。ここで、ｘ、ｙ及びｖを種々変化させ、下
記の表１９に示す試料番号２４１〜２６３の各原料粉末
を用意した。なお、表１９のｚ、すなわち本発明におけ
るｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝ｙ／｛２（１
−ｙ）｝である。以下、実施例１と同様にして円板状の
圧電体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。
【０１６０】図２４及び図２５は、ｘ＝０．５０及びｖ
＝０．０２重量％の場合の試料番号２４１，２４２，２
４８，２５６，２６２，２６３における焼成温度と得ら
れた圧電体磁器の焼結密度との関係を示す。
＝０．０２重量％の場合の試料番号２４１，２４２，２
４８，２５６，２６２，２６３における焼成温度と得ら
れた圧電体磁器の焼結密度との関係を示す。
【０１６１】図２４から明らかなように、モル比ｚが
０．５以下の組成である試料番号２４１，２４２では、
少なくとも１２００℃を超える温度で焼成しなければ十
分な焼結密度が得られていない。また、図２５から明ら
かなように、モル比ｚの値が１．０以上の組成である試
料番号２６２，２６３では、ｚが１．０以下の場合と同
様に高い温度で焼成しなければ十分な焼結密度が得られ
ない。
０．５以下の組成である試料番号２４１，２４２では、
少なくとも１２００℃を超える温度で焼成しなければ十
分な焼結密度が得られていない。また、図２５から明ら
かなように、モル比ｚの値が１．０以上の組成である試
料番号２６２，２６３では、ｚが１．０以下の場合と同
様に高い温度で焼成しなければ十分な焼結密度が得られ
ない。
【０１６２】これに対して、モル比ｚが０．６３または
０．８８の組成である試料番号２４８，２５６の場合に
は、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても十分
な焼結密度が得られている。これは、焼結性が改善され
る組成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範囲
との境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成で
は、少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化すること
による。
０．８８の組成である試料番号２４８，２５６の場合に
は、９４０℃程度の低温で焼成した場合においても十分
な焼結密度が得られている。これは、焼結性が改善され
る組成範囲と、焼結性がほとんど改善されない組成範囲
との境界が極めて明確であるため、該境界付近の組成で
は、少しの組成ずれにより大きく焼結性が変化すること
による。
【０１６３】よって、モル比ｚを、０．５より大きく、
１．０未満とすることにより、圧電体磁器組成物の焼結
性を大きく改善し得ることがわかる。
１．０未満とすることにより、圧電体磁器組成物の焼結
性を大きく改善し得ることがわかる。
【０１６４】
【表１９】
【０１６５】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１６６】表１９から明らかなように、モル比ｚが
０．５より大きく、１．０未満である圧電体磁器組成物
（試料番号２４３〜２６１）では、１０００℃の低温で
焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得られてい
ることがわかる。モル比ｚが０．５以下あるいは１．０
以上の組成（試料番号２４３，２６２，２６３）では、
焼結密度が低く、圧電特性も低下した。
０．５より大きく、１．０未満である圧電体磁器組成物
（試料番号２４３〜２６１）では、１０００℃の低温で
焼成した場合であっても、良好な圧電特性が得られてい
ることがわかる。モル比ｚが０．５以下あるいは１．０
以上の組成（試料番号２４３，２６２，２６３）では、
焼結密度が低く、圧電特性も低下した。
【０１６７】（実施例１６）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ
1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛β／２Ｃｒ2 Ｏ3 ＋
（１−β）（ＷＯ3 ）｝＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種々異ならせ、
下記の表２０に示す試料番号２６４〜２７６の各原料粉
末を用意した。なお、モル比ｚ、すなわち本発明におけ
るｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝β／２（１−
β）である。これらの原料粉末を用い、実施例１と同様
の方法で円板状の圧電磁器を作製した。
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＷＯ3 及びＳｉＯ2 を、Ｐｂ（Ｚｒ
1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ＋２．０モル％｛β／２Ｃｒ2 Ｏ3 ＋
（１−β）（ＷＯ3 ）｝＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。この場合、ｘ、β及びｖを種々異ならせ、
下記の表２０に示す試料番号２６４〜２７６の各原料粉
末を用意した。なお、モル比ｚ、すなわち本発明におけ
るｚ＝ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）は、ｚ＝β／２（１−
β）である。これらの原料粉末を用い、実施例１と同様
の方法で円板状の圧電磁器を作製した。
【０１６８】図２６に、代表例として、ｘ＝０．５及び
ｖ＝０．０２重量％である試料番号２７０，２７６の各
原料組成から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼
結密度の関係を示す。
ｖ＝０．０２重量％である試料番号２７０，２７６の各
原料組成から得られた圧電体磁器における焼成温度と焼
結密度の関係を示す。
【０１６９】モル比ｚの値が１．０以上の試料番号２７
６の組成では、１０５０℃以上の焼成温度でなければ、
十分な焼結密度が得られていない。これに対して、モル
比ｚが０．６３である試料番号２７０の組成では、９５
０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得
られている。
６の組成では、１０５０℃以上の焼成温度でなければ、
十分な焼結密度が得られていない。これに対して、モル
比ｚが０．６３である試料番号２７０の組成では、９５
０℃程度の低温で焼成した場合でも十分な焼結密度が得
られている。
【０１７０】従って、Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 を主
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＷを副成分とし
て添加する場合において、モル比ｚの値を０．５より大
きく、１．０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結
性を大きく改善し得ることがわかる。
成分とする圧電体磁器組成物にＣｒ及びＷを副成分とし
て添加する場合において、モル比ｚの値を０．５より大
きく、１．０未満とすることにより、圧電体磁器の焼結
性を大きく改善し得ることがわかる。
【０１７１】実施例１６においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２０に示す。
磁器に、実施例１と同様にして電極を形成し、分極処理
し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２０に示す。
【０１７２】
【表２０】
【０１７３】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１７４】表２０から明らかなように、モル比ｚの値
が０．５より大きく、１．０未満である組成（試料番号
２６６〜２７４）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
が０．５より大きく、１．０未満である組成（試料番号
２６６〜２７４）の組成では、良好な圧電特性の得られ
ていることがわかる。
【０１７５】これに対して、モル比ｚが０．５以下であ
る試料番号２６４，２６５の組成やモル比ｚが１．０以
上である試料番号２７５の組成を用いた場合には、十分
な圧電特性が得られていないことがわかる。
る試料番号２６４，２６５の組成やモル比ｚが１．０以
上である試料番号２７５の組成を用いた場合には、十分
な圧電特性が得られていないことがわかる。
【０１７６】よって、モル比ｚを０．５より大きく、
１．０未満である圧電体磁器組成であれば、１０００℃
程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特性
の得られることがわかる。
１．０未満である圧電体磁器組成であれば、１０００℃
程度の低温で焼成した場合においても、十分な圧電特性
の得られることがわかる。
【０１７７】（実施例１７）出発原料として、ＰｂＯ、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｍａ酸化物として、Ｃｒ2Ｏ3、Ｍ
ｎＯ2 、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＣＯ3、Ｍｄ酸化物として、Ｓ
ｂ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＷＯ3及びＳｉＯ2の各粉
末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ0.50Ｔｉ0.50）Ｏ 3−０．０
５Ｐｂ（ＭａaＳｂbＮｂcＴａdＷe）Ｏ3＋ｖ重量％Ｓｉ
Ｏ2となるように調合した。この場合、ｖ及びａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅを種々変化させて、下記の表２１，２２に示
す試料番号６０１〜６４９の各原料粉末を用意した。な
お、ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）の値を表２１，２２に併
せて示す。
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｍａ酸化物として、Ｃｒ2Ｏ3、Ｍ
ｎＯ2 、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＣＯ3、Ｍｄ酸化物として、Ｓ
ｂ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＷＯ3及びＳｉＯ2の各粉
末を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ0.50Ｔｉ0.50）Ｏ 3−０．０
５Ｐｂ（ＭａaＳｂbＮｂcＴａdＷe）Ｏ3＋ｖ重量％Ｓｉ
Ｏ2となるように調合した。この場合、ｖ及びａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅを種々変化させて、下記の表２１，２２に示
す試料番号６０１〜６４９の各原料粉末を用意した。な
お、ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）の値を表２１，２２に併
せて示す。
【０１７８】上記のようにして用意した各原料粉末に水
を加え、粉砕メディアとして安定化ジルコニアの玉石を
用い、ボールミルにより湿式で粉砕し、混合した。上記
のようにして混合された各原料粉末を蒸発により脱水
し、次に７００〜９００℃の温度で仮焼した。
を加え、粉砕メディアとして安定化ジルコニアの玉石を
用い、ボールミルにより湿式で粉砕し、混合した。上記
のようにして混合された各原料粉末を蒸発により脱水
し、次に７００〜９００℃の温度で仮焼した。
【０１７９】仮焼された原料に、ＰＶＡ（ポリビニルア
セテート）系のバインダーを仮焼原料に対して１〜５重
量％の割合で加え、混合した。上記のようにして得られ
たバインダー混合原料を、面圧５００〜２０００ｋｇ／
ｃｍ2でプレスし、円板状の成形体を得た。次に、該成
形体を１０００℃の温度で焼成し、直径１０ｍｍ×厚さ
１ｍｍの円板状の圧電磁器を得た。
セテート）系のバインダーを仮焼原料に対して１〜５重
量％の割合で加え、混合した。上記のようにして得られ
たバインダー混合原料を、面圧５００〜２０００ｋｇ／
ｃｍ2でプレスし、円板状の成形体を得た。次に、該成
形体を１０００℃の温度で焼成し、直径１０ｍｍ×厚さ
１ｍｍの円板状の圧電磁器を得た。
【０１８０】得られた圧電磁器の両面に蒸着により銀電
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で２．
０ｋＶ／ｍｍ〜５．０ｋＶ／ｍｍの直流電界を印加し、
厚み方向に分極した。このようにして、円板状の圧電共
振子を得た。
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で２．
０ｋＶ／ｍｍ〜５．０ｋＶ／ｍｍの直流電界を印加し、
厚み方向に分極した。このようにして、円板状の圧電共
振子を得た。
【０１８１】得られた圧電共振子の径方向の拡がり振動
の圧電特性をインピーダンスアナライザーにより評価し
た。結果を表２１，２２に示す。
の圧電特性をインピーダンスアナライザーにより評価し
た。結果を表２１，２２に示す。
【０１８２】
【表２１】
【０１８３】
【表２２】
【０１８４】試料番号に＊を付したものは本発明の範囲
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
外の試料であることを示す。試料番号に＋を付した試料
は焼結性が十分ではなく、分極処理ができなかった試料
であることを示す。
【０１８５】表２１，２２から明らかなように、Ｍａ／
Ｍｄのモル比ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）が０．５０より
大きく、１．００未満である圧電体磁器組成物（試料番
号６１３〜６４０）では、１０００℃の低温で焼成した
場合であっても、良好な圧電特性が得られていることが
わかる。
Ｍｄのモル比ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）が０．５０より
大きく、１．００未満である圧電体磁器組成物（試料番
号６１３〜６４０）では、１０００℃の低温で焼成した
場合であっても、良好な圧電特性が得られていることが
わかる。
【０１８６】Ｍａ／Ｍｄのモル比ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２
ｅ）が０．５０以下、あるいは１．００以上の場合には
（試料番号６０１〜６１２，６４１〜６４９）、焼結密
度が低く、圧電特性も低下した。
ｅ）が０．５０以下、あるいは１．００以上の場合には
（試料番号６０１〜６１２，６４１〜６４９）、焼結密
度が低く、圧電特性も低下した。
【０１８７】（実施例１８）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 を、０．９５
Ｐｂｕ（Ｚｒ0.5 Ｔｉ0.5 ）Ｏ3 −０．０５Ｐｂｕ（Ｃ
ｒ0.473 Ｓｂ0.527）Ｏ3 ＋０．０２重量％ＳｉＯ2 と
なるように調合した。この場合、ｕを種々異ならせ、下
記の表２３に示す試料番号６５０〜６５７の各原料粉末
を用意した。これらの原料粉末を用い、実施例１７と同
様にして円板状の圧電磁器を作製した。
2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 を、０．９５
Ｐｂｕ（Ｚｒ0.5 Ｔｉ0.5 ）Ｏ3 −０．０５Ｐｂｕ（Ｃ
ｒ0.473 Ｓｂ0.527）Ｏ3 ＋０．０２重量％ＳｉＯ2 と
なるように調合した。この場合、ｕを種々異ならせ、下
記の表２３に示す試料番号６５０〜６５７の各原料粉末
を用意した。これらの原料粉末を用い、実施例１７と同
様にして円板状の圧電磁器を作製した。
【０１８８】実施例１８においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１７と同様にして電極を形成し、分極処
理し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２３に示
す。
磁器に、実施例１７と同様にして電極を形成し、分極処
理し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２３に示
す。
【０１８９】
【表２３】
【０１９０】表２３から明らかなように、ｕが０．９８
〜１．０２の範囲にある試料番号６５２〜６５５では、
圧電性がより一層良好であった。
〜１．０２の範囲にある試料番号６５２〜６５５では、
圧電性がより一層良好であった。
【０１９１】（実施例１９）出発原料として、ＰｂＯ、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ
2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５
Ｐｂ（Ｍｎ0.473 Ｎｂ0.527 ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2
となるように調合した。ここで、ｘを種々変化させ、下
記の表２４に示す試料番号６６１〜６７４の各原料粉末
を用意した。以下、実施例１７と同様にして円板状の圧
電体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ
2 を、０．９５Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 −０．０５
Ｐｂ（Ｍｎ0.473 Ｎｂ0.527 ）Ｏ3 ＋ｖ重量％ＳｉＯ2
となるように調合した。ここで、ｘを種々変化させ、下
記の表２４に示す試料番号６６１〜６７４の各原料粉末
を用意した。以下、実施例１７と同様にして円板状の圧
電体磁器を得、かつ圧電特性を評価した。
【０１９２】
【表２４】
【０１９３】表２４から明らかなように、ＴｉとＺｒと
の比をｘ：１−ｘとしたときに、ｘが０．４５〜０．６
５の範囲にある圧電体磁器組成物（試料番号６６２〜６
７２）では、より一層良好な圧電特性が得られているこ
とがわかる。
の比をｘ：１−ｘとしたときに、ｘが０．４５〜０．６
５の範囲にある圧電体磁器組成物（試料番号６６２〜６
７２）では、より一層良好な圧電特性が得られているこ
とがわかる。
【０１９４】（実施例２０）ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 、及びＳｉＯ2 を、０．９５
Ｐｂ（Ｚｒ0.5 Ｔｉ0.5 ）Ｏ3 ０．０５Ｐｂ（Ｍｎ
0.338 Ｎｂ0.662 ）Ｏ3＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。この場合、ｖを種々異ならせ、下記の表２
５示す試料番号６８０〜６８８の各原料粉末を用意し
た。これらの原料粉末を用い、実施例１７と同様の方法
で円板状の圧電磁器を作製した。
2 、ＭｎＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 、及びＳｉＯ2 を、０．９５
Ｐｂ（Ｚｒ0.5 Ｔｉ0.5 ）Ｏ3 ０．０５Ｐｂ（Ｍｎ
0.338 Ｎｂ0.662 ）Ｏ3＋ｖ重量％ＳｉＯ2 となるよう
に調合した。この場合、ｖを種々異ならせ、下記の表２
５示す試料番号６８０〜６８８の各原料粉末を用意し
た。これらの原料粉末を用い、実施例１７と同様の方法
で円板状の圧電磁器を作製した。
【０１９５】実施例２０においても、得られた各圧電体
磁器に、実施例１７と同様にして電極を形成し、分極処
理し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２５に示
す。
磁器に、実施例１７と同様にして電極を形成し、分極処
理し、圧電特性を評価した。結果を下記の表２５に示
す。
【０１９６】
【表２５】
【０１９７】表２５から明らかなように、ＳｉＯ2 が
０．００５〜０．１重量％の割合で含まれている組成
（試料番号６８２〜６８６）の組成では、より一層良好
な圧電特性の得られていることがわかる。
０．００５〜０．１重量％の割合で含まれている組成
（試料番号６８２〜６８６）の組成では、より一層良好
な圧電特性の得られていることがわかる。
【０１９８】
【発明の効果】本発明に係る圧電体磁器組成物では、Ｐ
ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、ＭａはＣｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭｄ（但し、Ｍｄ
はＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種）を含
み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧電体磁器組成
物において、Ｍａの総量をａモル、ＭｄのうちＳｂ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、ｃ、ｄ、ｅモルとしたと
き、０．５０＜ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）＜１．００で
あるので、焼結性に優れており、１０００℃程度の低温
で焼成した場合でも十分な焼結密度を有し、良好な圧電
特性を発現する圧電体を得ることができる。
ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、ＭａはＣｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭｄ（但し、Ｍｄ
はＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種）を含
み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧電体磁器組成
物において、Ｍａの総量をａモル、ＭｄのうちＳｂ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、ｃ、ｄ、ｅモルとしたと
き、０．５０＜ａ／（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）＜１．００で
あるので、焼結性に優れており、１０００℃程度の低温
で焼成した場合でも十分な焼結密度を有し、良好な圧電
特性を発現する圧電体を得ることができる。
【０１９９】従って、低温で焼成可能であるため、焼成
に際してのＰｂの揮発が少なく、よって、特性のばらつ
きの少ない圧電体を得ることが可能となる。よって、本
発明に係る圧電体磁器組成物を用いることにより、電気
的特性の安定な圧電共振子、圧電トランス及び圧電アク
チュエータなどを提供することが可能となる。
に際してのＰｂの揮発が少なく、よって、特性のばらつ
きの少ない圧電体を得ることが可能となる。よって、本
発明に係る圧電体磁器組成物を用いることにより、電気
的特性の安定な圧電共振子、圧電トランス及び圧電アク
チュエータなどを提供することが可能となる。
【図１】実施例１におけるＭｎ／Ｓｂのモル比ｚを変化
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２】実施例２におけるＭｎ／Ｓｂのモル比ｚを変化
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
【図３】実施例３におけるＭｎ／Ｓｂのモル比ｚを変化
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
【図４】実施例３におけるＣｒ／Ｓｂのモル比ｚを変化
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
【図５】実施例４におけるＣｒ／Ｓｂのモル比ｚを変化
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた圧
電体の焼結密度との関係を示す図。
【図６】本発明の一実施例の圧電共振子の分解斜視図。
【図７】本発明の一実施例の圧電共振子の外観を示す斜
視図。
視図。
【図８】本発明の他の実施例の圧電共振子を示す断面
図。
図。
【図９】図８に示した圧電共振子の内部電極の形状を説
明するための分解斜視図。
明するための分解斜視図。
【図１０】本発明のさらに他の実施例としての圧電トラ
ンスを示す斜視図。
ンスを示す斜視図。
【図１１】本発明のさらに他の実施例としての圧電アク
チュエータを説明するための斜視図。
チュエータを説明するための斜視図。
【図１２】実施例５におけるＭｎ／Ｔａのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１３】実施例６におけるＭｎ／Ｔａのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１４】実施例７におけるＭｎ／Ｔａのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１５】実施例７におけるＣｒ／Ｔａのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１６】実施例８におけるＣｒ／Ｔａのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１７】実施例９におけるＭｎ／Ｎｂのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１８】実施例１０におけるＭｎ／Ｎｂのモル比ｚを
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図１９】実施例１１におけるＭｎ／Ｎｂのモル比ｚを
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２０】実施例１１におけるＣｒ／Ｎｂのモル比ｚを
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２１】実施例１２におけるＣｒ／Ｎｂのモル比ｚを
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
変化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られ
た圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２２】実施例１３におけるＭｎ／Ｗのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２３】実施例１４におけるＭｎ／Ｗのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２４】実施例１５におけるＭｎ／Ｗのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２５】実施例１５におけるＣｒ／Ｗのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
【図２６】実施例１６におけるＣｒ／Ｗのモル比ｚを変
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
化させた場合の圧電体磁器組成物の焼成温度と得られた
圧電体の焼結密度との関係を示す図。
１…圧電共振子 ２…圧電体 １１…圧電共振子 １２…圧電体 ２１…圧電トランス ２２…圧電体 ３１…圧電アクチュエータ装置 ３３…圧電アクチュエータ ３４…圧電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０４Ｂ 35/49 Ｃ０４Ｂ 35/49 Ｒ Ｖ Ｈ０１Ｌ 41/107 Ｈ０３Ｈ 9/17 Ａ 41/09 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ａ 41/083 Ｃ 41/187 Ｎ Ｈ０３Ｈ 9/17 41/18 １０１Ｄ (31)優先権主張番号 特願平11−238106 (32)優先日 平成11年８月25日(1999．8．25) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−231619(P2000−231619) (32)優先日 平成12年７月31日(2000．7．31) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 久木 俊克 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吉川 裕司 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 木村 雅典 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA12 AA14 AA15 AA18 AA19 AA21 AA22 AA32 AA34 BA10 CA01 5J108 BB05 CC04 EE03 FF03 KK01
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ（但し、Ｍａは
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種）及びＭ
ｄ（但し、ＭｄはＮｂ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗのうち少なくと
も１種）を含み、ペロブスカイト構造を有する酸化物圧
電体磁器組成物であって、 前記Ｍａの総量をａモル、前記ＭｄのうちＳｂ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｗ量をそれぞれｂ、ｃ、ｄ、ｅモルとし、ａ／
（ｂ＋ｃ＋ｄ＋２ｅ）＝ｚとしたとき、 ０．５０＜ｚ＜１．００ であることを特徴とする、圧電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載の圧電磁器組成物におい
て、前記ペロブスカイト構造をＡuＢＯ3と表したとき、 ０．９８≦ｕ≦１．０２ であることを特徴とする、圧電磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の圧電磁
器組成物において、Ｔｉと、Ｚｒとの比をｘ：（１−
ｘ）としたとき、 ０．４５≦ｘ≦０．６５ であることを特徴とする、圧電磁器組成物。 - 【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
圧電磁器組成物において、ＳｉがＳｉＯ2 に換算して、
Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍａ及びＭｄの合計重量１００重量
％に対して０．００５〜０．１重量％の割合で添加され
ていることを特徴とする、圧電体磁器組成物。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いた圧電共振
子。 - 【請求項６】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いた圧電トラン
ス。 - 【請求項７】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の圧電体磁器組成物からなる圧電体を用いた圧電アクチ
ュエータ。
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| JP23810499 | 1999-08-25 | ||
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS55151378A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fabricating method of piezoelectric porcelain material |
| JPS59105210A (ja) | 1982-12-08 | 1984-06-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器材料 |
| JPH0798663B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1995-10-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 赤外線センサー用焦電体磁器の製法 |
| KR930012002B1 (ko) * | 1991-04-23 | 1993-12-23 | 박창엽 | 탄성표면파 소자용 압전세라믹스 조성물 |
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2000
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Cited By (2)
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| KR100462871B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-12-17 | 주식회사 에스세라 | 내열성 및 주파수 안정성이 우수한 압전 세라믹 조성물 및 이를 이용한 압전기기 |
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