JP2002111318A - 差動減衰器 - Google Patents

差動減衰器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 容量フリンジングを減らしてコンデンサのト
リミング範囲を改善すると共に、応答及び同相抑圧比を
改善する。 【解決手段】 低温焼成セラミック材料の第１及び第２
誘電体層50、68を積層にする。第１誘電体層の上下に導
電要素66、72を設けて入力コンデンサを形成し、導電要
素84、102で分流コンデンサを形成する。入力抵抗器及
び分流抵抗器は、誘電体層50の上面に設ける。ＩＣ54が
発生する熱は、導電要素102、熱導伝性ビア104、熱導伝
性パターン106を介してヒートシンク108に伝わる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、差動減衰
器に関し、特に、二重の用途の埋め込み層を有する低温
焼成セラミック基板上に形成された高速差動減衰器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】種々の形式の誘電体材料を用いて、電子
応用の基板を形成している。ハイブリッド電子回路に利
用される一般的な材料の１つは、アルミナ・セラミック
材料であり、基板の上面には、従来の厚膜抵抗器又は薄
膜抵抗器や金属被覆が形成される。アルミナ・セラミッ
ク基板の利点は、熱導伝性であり、基板上に取り付けら
れた集積回路が発生する熱を散逸させるのを助ける。
【０００３】差動プローブ、オシロスコープの入力など
に用いる典型的な高速差動減衰器回路は、近接されて配
置された第１及び第２の並列抵抗・コンデンサ分圧回路
網を具えている。分圧回路網の各々の入力ノードは、被
測定装置からの差動入力信号の１つを受け、これら分圧
回路網の各々の中央分岐出力ノードは、差動緩衝増幅器
に結合されている。各分圧回路網の他の端部は、電気的
な接地に結合されている。集積され、レーザ・トリミン
グ可能なコンデンサ及び抵抗器を有するモノリシック基
板から、減衰器回路の全体を構成するのが望ましい。こ
れにより、回路のサイズを小さくでき、減衰器対の隣同
士のマッチングを改善できる。広帯域及び小さなサイズ
を維持するには、アクティブ差動入力緩衝集積回路（Ｉ
Ｃ）が、減衰器の直ぐ隣で基板に取り付けられ、ワイヤ
・ボンド又は他の手段により減衰器に電気的に接続され
る。プローブ及び類似の回路において、基板は、通常、
金属管、又は、いくつかの他の形式の電気シールドに対
して完全に又は部分的にその内側に又はその近傍に配置
される。
【０００４】アルミナ・セラミック基板を高速差動減衰
器の組み立てに用いる際、このアルミナ・セラミック基
板には多くの欠点がある。アルミナ・セラミック基板
は、典型的には、従来の薄膜又は厚膜の抵抗器や金属被
覆を有する材料の比較的厚い断片であり、内部層がな
い。トリミング可能な分路コンデンサは、材料の都合
上、適切な厚さでなければならない誘電体層として基板
全体を用いて形成する。コンデンサの周辺（フリンジン
グ）のために、かかるコンデンサのトリミングの範囲
は、そのコンデンサ全体と比較して小さい。これによ
り、容量が希望よりも大きくなり、良好な生産に対して
必要とするよりもトリミング範囲が少なくなる。誘電体
としての全基板を用いて入力コンデンサを設計すること
は困難である。これは、コンデンサが組み立ての変化に
微妙なためであり、各減衰器の脚部における複数のコン
デンサをマッチングさせることが困難である。たとえ、
この点が克服できても、フリンジングによる基板の厚さ
及び誘電率の変化によって、直列コンデンサと分岐コン
デンサとの比が依然影響される。一層典型的な場合に
は、入力コンデンサを、アドオン表面実装部品の如き他
の手段や、他の層（厚膜クロスオーバー誘電体など）を
用いて形成する。この場合、コンデンサ比に、固有の追
従が存在しない。
【０００５】差動減衰器にアルミナ・セラミック基板を
用いる他の欠点は、減衰器の同相抑圧比（ＣＭＲＲ）が
劣化することである。アルミナ・セラミック基板上に設
けた減衰器の大形で大容量のフリンジングにより、外側
の管、入力ピン又は他の機械的な構造に対する基板の位
置のわずかな変化により、交流ＣＭＲＲが劣化する。高
い直流入力インピーダンスに必要な比較的大型で高い値
の抵抗器と、差動減衰器の正側及び負側の間に結合され
たコンデンサとにより、周波数応答が悪くなり、差動応
答及びＣＭＲＲの両方を劣化させる。この周波数応答が
悪くなる現象は、標準のトリミング可能なコンデンサ又
は抵抗器では補償できず、ＣＭＲＲに固有の限界が生じ
る。
【０００６】また、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Lo
w Temperature Co-fired Ceramic）材料を用いて、電子
応用のための誘電体基板も形成されている。ＬＴＣＣ材
料の利点は、抵抗、コンデンサ、インダクタ、変圧器な
どの埋め込み材料を基板内に形成できることである。ア
メリカ合衆国特許第５６０４６７３号は、電力変換用の
低温焼成セラミック基板を開示している。この低温焼成
セラミック基板は、多くの層を有し、種々の金属化導体
をこの基板の外側面に有すると共に、種々の基板内側層
も有する。集積回路が配置される空洞を形成する際、こ
の空洞の直下の基板内に形成される熱ビア（通路）を有
する場合と有さない場合とがある。ヒートシンクは、基
板の下部に位置決めされ、この基板は、熱ビアと一致し
て、基板上に形成された電子回路用の熱管理を行う。代
わりに、集積回路素子を基板の上面に配置して、熱ビア
を集積回路位置の真下に形成してもよい。ヒートシンク
を受ける基板の対向側から、基板に空洞を形成する。熱
管理のために、集積回路素子の下の熱ビアとヒートシン
クが一致する。さらに別の従来例では、例えば、アメリ
カ合衆国特許第５３８６３３９号に記載のように、基板
内に形成された穴に配置された高熱導伝性ＬＴＣＣテー
プを用いて、低温焼成セラミック基板内の本来の位置に
ヒートシンクを形成している。
【０００７】種々のストリップ・ライン・コンポーネン
ト及び受動素子は、特定の回路設計の要求に応じて、低
温焼成セラミック基板に形成されている。例えば、コン
デンサは、２個の平行な導電プレート構造体を配置する
ことにより形成できる。なお、これらプレート構造体
は、互いに隣接しており、低温焼成セラミック層が間に
入って分離されている。導電ビアを用いて、これらプレ
ートを、基板内の他の埋め込みコンポーネント上の基板
の表面上のコンポーネントに接続できる。
【０００８】上述の焼成セラミック構造体の欠点は、適
切な電圧を集積回路素子に供給する際に、その素子が発
生した熱の管理を行わなければならないことである。一
般的に、表面実装集積回路素子の底面は、電圧入力リー
ドとして作用する。従来技術では、ヒートシンク及びビ
アを介して、このリードを接地電位に結合している。し
かし、差動入力プローブ用の高速差動減衰器のアプリケ
ーションにおいては、差動緩衝増幅器の底部の電圧入力
リードは、負電圧源の如きある電圧レベルに設定される
一方、ヒートシンクを接地電位に設定する必要がある。
ヒートシンクを集積回路素子の底部の電位に結合するに
は、この電位をプローブの表面に配置する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】容量フリンジングを減
らして減衰器のコンデンサのトリミング範囲を改善する
と共に、応答及び同相抑圧比を改善する誘電体基板を用
いて高速差動減衰器の設計が必要とされている。この減
衰器の設計は、基板の厚さ及び誘電率の変動や、電気シ
ールドや他の機械的構造に対する基板の位置決めに対し
て、減衰器が敏感でないようにしなければならない。さ
らに、差動緩衝増幅器の底面の電圧入力リードが非接地
電位の電圧源に結合できると共に、ＩＣ素子が発生する
熱に対する熱管理を行えるＬＴＣＣ基板構造体を用いた
減衰器の設計が必要とされている。かかる設計には、基
板の大きさ全体に対して与える影響が最小でなければな
らない。また、この減衰器の設計は、配置、基板構造体
の上及びその中に形成された種々のコンポーネントとの
接続に柔軟性がなければならない。さらに、熱管理構造
体の要素をコンポーネント構造体と組み合わせて、基板
の大きさを最小に維持する必要がある。
【００１０】したがって、本発明は、容量フリンジング
を減らしてコンデンサのトリミング範囲を改善できると
共に、応答及び同相抑圧比も改善でき、基板の厚さ及び
誘電率の変動及び電気シールドや他の機械的構造に対す
る基板の位置決めに対して減衰器が敏感ではなく、差動
緩衝増幅器の底面の電圧入力リードを非接地電位の電圧
源に結合でき、ＩＣ素子が発生する熱の管理を行え、基
板の大きさ全体に対して与える影響が最小で、配置、基
板構造体の上及びその中に形成された種々のコンポーネ
ントとの接続に柔軟性があり、熱管理構造体の要素をコ
ンポーネント構造体と組み合わせて基板の大きさを最小
にできる差動減衰器を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による高速差動減
衰器は、夫々が上面及び底面を有する第１及び第２誘電
体層（５０、６８）を有する低温焼成セラミック基板上
に形成されている。第１誘電体層（５０）の上面には、
電位リード（５２）が形成され、集積回路素子（５４）
を受ける。この集積回路素子の底面は、この集積回路素
子用の電圧入力リードである。第１及び第２の並列抵抗
・コンデンサ分圧回路網（１２、１４）は、基板の一部
として形成されており、分圧回路網の各々は、第１及び
第２の並列抵抗器（１６、２４／２０、２８）及び並列
コンデンサ（１８、２６／２２、３０）を有する。各分
圧回路網（１２、１４）は、入力ノード（３２、３４）
と中央分岐出力ノード（３８、４０）とを有し、各入力
ノードは、入力信号を受けるように結合されており、各
出力ノードは、集積回路素子（３６、５４）の入力端に
結合されている。さらに、各分圧回路網は、第１及び第
２導電要素（６４、８２／６６、８４）を有し、これら
導電要素は、第１及び第２コンデンサ用の第１容量プレ
ートとして機能し、第１誘電体層の上面に形成されてい
る。第３導電要素（７０／７２）は、第１及び第２誘電
体層の間で、各分圧回路網の第１導電要素の下に配置さ
れ、第１コンデンサ用の他の容量プレートとして機能す
る。第１及び第２導電要素は、電気的導電体（７８／８
０）により互いに電気的に結合されているか、又は、単
一のプレート要素である。第４導電要素（１０２）は、
第１及び第２誘電体層の間で、分圧回路網の第２導電要
素及び電位リードの下に配置されており、分圧回路網の
第２コンデンサの他の容量プレートとして機能すると共
に、ヒートシンク層としても機能する。第１及び第２導
電性ビア（７４、７６）は、分圧回路網の入力ノードに
夫々結合されると共に、第３導電要素の各々にも結合さ
れる。少なくとも１個の第１熱導伝性ビア（１０４／１
１０）は、第２誘電体層の上面及び底面の間で電位リー
ドの下に形成され、誘電体層間に配置された第４誘電体
要素に熱的に結合される。
【００１２】本発明の好適実施例において、高速差動減
衰器は、電位リードの下で、配列パターンに形成された
複数の熱導伝性ビア（１０４）を具えている。ヒートシ
ンク（１０８）は、第２誘電体層の底面近傍に配置され
ており、単一又は複数の熱導伝性ビアに熱的に結合され
ている。本発明の好適実施例において、導電パターン
（１０６）が第２誘電体層の底面に形成されており、こ
の導電パターンが単一又は複数の熱導伝性ビアに熱的に
結合する。ヒートシンク（１０８）を第２誘電体層の底
面の近傍に配置し、導電パターン（１０６）に熱的に結
合する。単一又は複数の熱導伝性ビアは、好ましくは、
筒状に形成され、金などの高い熱導電材料が充填された
ボアで形成されている。単一又は複数の熱導伝性ビア
は、電気的導電性であることが好ましい。
【００１３】分圧回路網の各々は、従来の厚膜又は薄膜
プロセスを用いて、第１誘電体層の上面に形成された抵
抗器を有する。第１及び第２誘電体層の間に配置された
第４導電要素（１０２）は、接地電位に結合され、分圧
回路網の各々に対して接地ノードを与える。電位リード
（５２）は、負電位に結合される。
【００１４】好ましくは、第１誘電体層の厚さは、０．
００４インチ（０．１０１６ｍｍ）のレンジであり、第
２誘電体層の厚さは、０．０２５インチ（０．６３５ｍ
ｍ）のレンジである。導電要素の厚さは、０．０００５
インチ（０．０１２７ｍｍ）のレンジである。配列内の
熱導伝性ビアの各々の直径は、０．０１０インチ（０．
２５４ｍｍ）のレンジであり、中心から中心の間隔は、
０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）のレンジである。
【００１５】本発明の目的、利点及び新規な特徴は、添
付図を参照した以下の説明から明らかになろう。なお、
本明細書での上や底などの相対的な用語は、添付図を基
準にしているが、低温焼成セラミック基板構造体の向き
を変えることにより相対的な用語も変わるので、これら
用語は、特許請求の範囲を含めて絶対的な意味で用いる
ものではない。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による高速差動減
衰器１０の簡略化した回路図である。この差動減衰器１
０は、第１並列抵抗・コンデンサ分圧回路網１２と、第
１並列抵抗・コンデンサ分圧回路網１４とを有する。こ
れら分圧回路網１２及び１４の各々は、並列結合の入力
抵抗器・コンデンサ対１６、１８及び２０、２２を夫々
具え、これら入力抵抗器・コンデンサ対は、並列結合の
分路抵抗器・コンデンサ対２４、２６及び２８、３０に
夫々直列結合される。入力抵抗器・コンデンサ対１６、
１８及び２０、２２の各々は、夫々の入力ノード３２及
び３４にて差動入力信号の１つを夫々受けると共に、中
央分岐出力ノード３８及び４０を夫々介して、差動緩衝
増幅器３６の差動入力端に信号を供給する。分路抵抗器
・コンデンサ対各々は、電気的接地に結合される。
【００１７】図２は、本発明による低温焼成セラミック
（ＬＴＣＣ：low temperature co-fired ceramic）基板
上に実現された高速差動減衰器の平面図である。図３
は、図２の線Ａ−Ａ’に沿った側部断面図である。この
図３から判るように、基板構造体は、誘電体ＬＴＣＣ材
料の個別の層で形成された多層構造である。基板構造体
は、好ましくは、デュポン９５１型ＬＴＣＣ材料を用い
て実施されるが、このデュポン９５１型ＬＴＣＣ材料に
類似した特性の他のＬＴＣＣ材料を等価的に本発明に用
いてもよい。基板構造体は、第１誘電体層５０を有する
が、この第１誘電体層５０の上に、並んだ第１及び第２
並列抵抗・コンデンサ分圧回路網１２及び１４の一部が
形成される。電位リード５２は、分圧回路網１２及び１
４に隣接する上面に形成され、集積回路（ＩＣ）素子５
４を受ける。好適実施例において、ＩＣ素子５４は、差
動入力緩衝増幅器であり、その底面に形成された電圧入
力リードを有する。分圧回路網１２及び１４、並びに関
連した要素は、好ましくは、既知の厚膜プロセスを用い
て形成する。代わりに、既知の薄膜プロセスを用いても
よい。
【００１８】第１誘電体層５０の上面の上の入力導体５
６及び５８は、各差動入力信号を、分圧回路網１２及び
１４の入力抵抗器１６及び２０並びに入力コンデンサ１
８及び２２の入力側に、入力ノード３２及び３４として
機能する端子パッド６０及び６２にて結合する。入力コ
ンデンサ１８及び２２は、第１誘電体層５０の上面に形
成され、コンデンサの一方のプレートとして機能する第
１導電要素６４及び６６を夫々有する。第１誘電体層５
０及び第２誘電体層６８の間に、コンデンサ１８及び２
２の他のプレートとして機能する第３導電要素７０及び
７２を夫々設ける。各分圧回路網に対して２個が示され
ている導電ビア７４及び７６は、第１誘電体層５０内に
形成されて、入力信号をコンデンサ１８及び２２の各プ
レートに夫々供給する。第１誘電体層５０の上面の入力
コンデンサ１８及び２２の第１導電要素６４及び６６の
各々は、導体７８及び８０を介して、第２導電要素８２
及び８４の各々に夫々電気的に結合される。これら第２
導電要素８２及び８４は、分路コンデンサ２６及び３０
の一方のプレートとして夫々機能する。
【００１９】中央分岐出力ノード３８及び４０として機
能する端子パッド８６及び８８の各々は、分路抵抗器２
４及び２８の一端を、第２導電要素８２及び８４並びに
入力抵抗器１６及び２０に夫々結合する。分路抵抗器２
４及び２８は、接地導体又は埋め込みビア（図示せず）
を介して接地に結合される。代わりに、分路抵抗器２４
及び２８の接地側を非接地として、差動緩衝増幅器ＩＣ
５４に入力として結合してもよい。分路コンデンサ２６
及び３０の第２導電要素８２及び８４は、出力パッド９
０及び９２に夫々結合される。ワイヤ・ボンド９４及び
９６は、中央分岐出力ノード３８及び４０を、差動緩衝
増幅器ＩＣ５４の入力パッド９８及び１００に結合す
る。代わりに、導電要素６４及び８２並びに導体７８
と、導電要素６６及び８４並びに導体８０とを、単一の
レーザ・トリミング可能な導電要素として形成してもよ
い。第４導電要素１０２は、第１誘電体層５０及び第２
誘電体層６８の間で、導電要素８２及び８４並びに電位
リード５２の下に配置される。第４導電要素１０２は、
分路コンデンサ２６及び３０用の他のプレートとして機
能すると共に、ＩＣ５４が発生する熱に対して熱管理を
行う熱伝達層としても機能する。
【００２０】本発明の好適実施例において、熱導伝性ビ
ア１０４のマトリクスは、第２誘電体層６８の上面及び
底面の間で、電位リード５２の下に形成される。これら
ビア１０４は、第４導電要素１０２と、第２誘電体層６
８の底面の熱導伝性パターン１０６とに熱的に結合して
いる。ヒートシンク１０８は、第２誘電体層６８の底面
近傍に設けられ、熱導伝性パターン１０６に熱的に結合
される。ビア１０４は、好ましくは、第２誘電体層６８
内に形成された筒状のボアであり、これらボアの直径
は、０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）のレンジであ
り、中心から中心の間隔は、０．０２０インチ（０．５
０８ｍｍ）のレンジである。これらビア１０４は、好ま
しくは、金の如く熱導電性の高い材料が充填されてい
る。さらに、ビア１０４、熱導伝性パターン１０６、及
びヒートシンク１０８は、好ましくは、導電性である。
厚膜被覆（ディポジット）要素は、好ましくは、０．０
００５インチ（０．０１２７ｍｍ）のレンジである。第
１誘電体層５０の厚さは、０．００４インチ（０．１０
１６ｍｍ）のレンジであり、第２誘電体層６８の厚さ
は、０．０２５インチ（０．６３５ｍｍ）のレンジであ
る。第１誘電体層５０の厚さは、誘電体層材料の熱特性
の関数である。第１誘電体層５０の厚さは、ＩＣ素子５
４からの熱を熱伝達層（導電要素）１０２に伝達するの
に充分な厚さでなければならない。
【００２１】本発明の高速差動減衰器の設計により、減
衰器内での容量比に対する精密なマッチングや、広範囲
のトリミングが行える。これは、個別の容量値よりも一
層重要である。良好なマッチングを行うには、同じ薄い
誘電体層及び導電層から、各抵抗・コンデンサ分圧回路
網にコンデンサを形成する。これとは反対に、従来設計
の入力コンデンサは、厚膜クロスオーバー誘電体を用い
て、モノリシック基板の上面の上に形成され、従来設計
の分路コンデンサは、誘電体層としてのモノリシック基
板の厚さを用いて形成した。さらに、分圧回路網におけ
るコンデンサを形成するのに用いた薄い誘電体層は、容
量フリンジングを低下させて、優れた同相抑圧比と、全
体の容量に対する大きなトリミング範囲とを達成する。
【００２２】図４は、図２の線Ａ−Ａ’に沿った本発明
の差動減衰器の他の実施例の側部断面図である。図４の
素子の内、図２及び図３と同じ素子は、同じ参照番号で
示す。導電要素の互いの相対位置と、第１及び第２誘電
体層５０及び６８の相対配置とは、上述と同じである。
さらに、誘電体層５０及び６８並びに導電要素の各々の
厚さも、上述と同じである。この実施例では、誘電体層
６８の上面及び底面の間に配置された単一の熱導伝性ビ
ア１１０を有する。上述の実施例のように、ビア１１０
は、好ましくは、金の如き熱導伝性の高い材料から形成
されており、電気的にも導電性である。ビア１１０は、
第４導電要素１０２及びヒートシンク１０８に熱的に結
合されている。ヒートシンク１０８は、熱導伝性パター
ン１０６を間に挟むことなく、誘電体層６８の底部に直
接的に取り付けられている。ビア１１０は、電気的に非
導電性の材料で形成するが、この場合、第４導電要素１
０２が、基板の接地接続を介して接地に結合される。ヒ
ートシンク１０８は、接地に別に結合される。
【００２３】上述の説明では、本発明の高速差動減衰器
１０は、２個のＬＴＣＣ誘電体層を用い、第１誘電体層
５０の上面が基板の上面である。高速差動減衰器をＬＴ
ＣＣ基板内に等価的に用いて、第１及び第２誘電体層５
０及び６８をＬＴＣＣ誘電体層のより大きな積み重ねの
中に配置してもよい。この場合の構成において、ＬＴＣ
Ｃ基板は、その中に形成された空洞を有しており、集積
回路素子５４を受ける。電位リード５２が空洞の内部平
面上に露出しており、コンデンサ１８、２２、２４及び
２８の第１及び第２導電要素を、オーバーレイの誘電体
層の下に埋め込む。コンデンサの第３及び第４導電要素
は、第１及び第２誘電体層５０及び６８の間に配置され
る。第２誘電体層６８は、ＬＴＣＣ材料の多数の個別層
から形成してもよく、抵抗器、コンデンサ、インダクタ
及び変成器の如き受動電気要素が、これら層の間に形成
され、単一又は複数の熱導伝性ビアがこれら層を介して
形成できる。
【００２４】低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板上に
実現された高速差動減衰器について説明した。この差動
減衰器は、第２誘電体層の上の薄い誘電体層を用いて、
減衰器の抵抗・コンデンサ分圧回路網のコンデンサを形
成すると共に、基板上の素子が発生した熱を熱管理する
ための熱伝達層を設ける。熱導伝性ビアは、熱伝達層に
熱的に結合された第２誘電体層の上面及び底面の間に形
成されている。ヒートシンクは、第２誘電体層の底面近
傍に配置され、ビアに熱的に結合される。本発明の好適
実施例において、ビア及びヒートシンクも導電性であ
る。
【００２５】本発明の要旨を逸脱することなく、本発明
の上述の実施例の細部において種々の変形変更が可能な
ことが当業者には理解できよう。本発明の要旨は、特許
請求の範囲に記載されている。
【００２６】
【発明の効果】上述の如く、本発明の差動減衰器によれ
ば、容量フリンジングを減らしてコンデンサのトリミン
グ範囲を改善すると共に、応答及び同相抑圧比を改善で
きる。また、基板の厚さ及び誘電率の変動及び電気シー
ルドや他の機械的構造に対する基板の位置決めに対し
て、減衰器が敏感でなくなる。さらに、差動緩衝増幅器
の底面の電圧入力リードを非接地電位の電圧源に結合で
き、集積回路素子が発生する熱の管理を行える。そし
て、基板の大きさ全体に対して与える影響を最小とし
て、配置、基板構造体の上及びその中に形成される種々
のコンポーネントとの接続に柔軟性ができる。また、熱
管理構造体の要素をコンポーネント構造体と組み合わせ
て、基板の大きさを最小にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高速差動減衰器の簡略化した回路
図である。
【図２】本発明により、低温焼成セラミック基板上に実
施した高速差動減衰器の平面図である。
【図３】本発明により、低温焼成セラミック基板上に実
施した高速差動減衰器の図２における線Ａ−Ａ’に沿っ
た側部断面図である。
【図４】本発明により、低温焼成セラミック基板上に実
施した高速差動減衰器の図２における線Ａ−Ａ’に沿っ
た別の実施例の側部断面図である。
【符号の説明】
１０ 差動減衰器 １２、１４ 分圧回路網 １６、２０ 入力抵抗器 １８、２２ 入力コンデンサ ２４、２８ 分路抵抗器 ２６、３０ 分路コンデンサ ３２、３４ 入力ノード ３６ 差動緩衝増幅器 ３８、４０ 出力ノード ５０ 第１誘電体層 ５２ 電位リード ５４ 集積回路素子 ５６、５８ 入力導体 ６０、６２ 端子パッド ６４、６６ 第１導電要素 ６８ 第２誘電体層 ７０、７２ 第３導電要素 ７４、７６ 導電ビア ７８、８０ 導体 ８２、８４ 第２導電要素 ８６、８８ 端子パッド ９０、９２ 出力パッド ９４、９６ ワイヤ・ボンド ９８、１００ 入力パッド １０２ 第４導電要素 １０４、１１０ 熱導伝性ビア １０６ 熱導伝性パターン １０８ ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J013 AA05 5J098 AA11 AA15 AB03 AB34 AD05 AD25 EA02 EA09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 夫々が上面及び底面を有する第１及び第
    ２誘電体層を有する低温焼成セラミック基板と、 上記第１誘電体層の上面の上に形成され、底面が電圧入
    力リードである集積回路素子を受ける電位リードと、 上記基板の一部として形成され、各々が第１及び第２抵
    抗器並びに第１及び第２コンデンサ、入力ノード及び中
    央分岐出力ノードを有し、上記入力ノードの各々が入力
    信号を受け、上記出力ノードの各々が上記集積回路素子
    の入力端に結合された第１及び第２並列抵抗・コンデン
    サ分圧回路網とを具え、 該分圧回路網の各々は、上記第１及び第２コンデンサ用
    の第１容量プレートとして作用する上記第１誘電体層の
    上面に形成された第１及び第２導電要素と、上記第１及
    び第２導電要素と電気的に結合される上記第１コンデン
    サ用の他の容量プレートとして機能し、上記第１及び第
    ２誘電体層の間で且つ上記第１導電要素の下に配置され
    た第３導電要素を有し、 上記分圧回路網の第２コンデンサの他の容量プレートと
    して機能すると共に、熱伝達層として機能し、上記第１
    及び第２誘電体層の間であって、上記分圧回路網の第２
    導電要素及び上記電位リードの下に配置された第４導電
    要素と、 上記分圧回路網の入力ノード、並びに上記第１及び第２
    誘電体層の間の上記第３導電要素の各々に夫々結合され
    た第１及び第２導電性ビアと、 上記電位リードの下で上記第２誘電体層の上面及び底面
    の間に形成され、上記第１及び第２誘電体層の間に配置
    された上記第４導電要素に熱的に結合された少なくとも
    １個の熱導伝性ビアとを更に具えた差動減衰器。
  2. 【請求項２】 上記熱導伝性ビアは、金の詰まった筒状
    ボアであることを特徴とする請求項１の差動減衰器。
  3. 【請求項３】 上記第２誘電体層の底面に隣接して配置
    され、上記熱導伝性ビアに熱的に結合されたヒートシン
    クを更に具えたことを特徴とする請求項１の差動減衰
    器。
  4. 【請求項４】 上記電位リードの下で上記第２誘電体層
    の上面及び底面の間に形成され、上記第１及び第２誘電
    体層の間に配置された上記第４導電要素に熱的に結合さ
    れた複数の熱導伝性ビアを更に具えたことを特徴とする
    請求項１の差動減衰器。
  5. 【請求項５】 上記分圧回路網の各々の上記抵抗器は、
    上記第１誘電体層の上面に形成されたことを特徴とする
    請求項１の差動減衰器。
  6. 【請求項６】 上記分圧回路網の各々は、接地ノードを
    更に具えていることを特徴とする請求項１の差動減衰
    器。
  7. 【請求項７】 上記電位リードは、負電位に結合されて
    いることを特徴とする請求項１の差動減衰器。
  8. 【請求項８】 上記第１及び第２誘電体層の間に配置さ
    れた上記第４導電要素は、接地電位に結合されることを
    特徴とする請求項１の差動減衰器。
  9. 【請求項９】 上記第１誘電体層の厚さは、０．１０１
    ６ｍｍのレンジであることを特徴とする請求項１の差動
    減衰器。
  10. 【請求項１０】 上記第２誘電体層の厚さは、０．６３
    ５ｍｍのレンジであることを特徴とする請求項１の差動
    減衰器。
  11. 【請求項１１】 上記第１誘電体層の上面の上記電圧リ
    ードと、上記第１及び第２誘電体層の間に配置された上
    記導電要素との厚さは、０．０１２７ｍｍのレンジであ
    ることを特徴とする請求項１の差動減衰器。
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