CN115632621B - 一种厚薄膜电路基板的功率放大器及其实现方法 - Google Patents

Abstract

一种厚薄膜电路基板的功率放大器及其实现方法，布局于叠设的一层薄膜电路和多层厚膜电路中，薄膜电路层与第一层厚膜电路之间设有牺牲层组，牺牲层组顶面设有薄膜基板，薄膜电路层位于薄膜基板上；相邻两层厚膜电路间设有陶瓷介质板；端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3在薄膜电路层上；三组偏置电路在中间一层厚膜电路上；电感设置在内部的厚膜导体层，表层放置放大器、电容各层之间通过金属化过孔连接，体积小，利于散热，满足大功率需要。

Description

一种厚薄膜电路基板的功率放大器及其实现方法

技术领域

本发明属于微波射频领域，尤其涉及一种厚薄膜电路基板的功率放大器及其实现方法。

背景技术

功率放大器主要用于相控阵雷达发射机，一部雷达集成了成千上万只功率放大器，而在机载和舰载领域，对功率放大器的重量和体积要求严格。

目前功率放大器一般使用裸芯片或者载片式，根据功率放大需要，使用裸芯片放大器加上各自的外围供电偏置电路、匹配电路等，可以实现功率放大的目的，但是这种方案需要设计外围电路，增加了设计负担；载片式是指将放大器管芯、供电偏置电路和匹配电路等都集成到一块以半导体为衬底的芯片上面，通过金丝进行各元器件的互连，这样在使用时就不用自行设计晶体管的偏置电路和匹配网络，以实现某种独立功能的芯片组产品。但是这种载片式一般采用金丝或是金箔作为匹配网络中的电感电容，将功放管的输入输出阻抗匹配至 50Ω，其承受功率会相对来说比较小，而且管芯到元件表面的热阻大，因此功率放大器的输出功率会相对较小，一般多用于中小功率放大器中。

发明内容

为解决上述现有技术不足，本发明提供一种厚薄膜电路基板的功率放大器及其实现方法，通过厚膜工艺实现功率放大器的三维集成，将电感和偏置电路通过厚膜工艺直接设置在内部的不同厚膜电路层，极大地缩小系统尺寸，同时满足散热要求。

为了实现本发明的目的，拟采用以下方案：

一种厚薄膜电路基板的功率放大器，其电路包括：第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3；

第一放大器D1连接有用于供电的第一偏置电路S1，第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第二电感L2的一端、第一电阻R1的一端；

第二放大器D2连接有用于供电的第二偏置电路S2，第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，输出端连接第四电感L4的一端、第二电阻R2的一端；

第三放大器D3连接有用于供电的第三偏置电路S3，第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，输出端连接第六电感L6的一端、第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接第六电容C6的一端、端口P5；

第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3的一端均接地，第二电感L2、第二电容C2、第四电感L4、第四电容C4、第六电感L6、第六电容C6的另一端均接地；

所述功率放大器布局在自上而下叠设的一层薄膜电路层和多层厚膜电路中，薄膜电路层和第一层厚膜电路之间设有两个空白陶瓷基板作为牺牲层，牺牲层上设有一层薄膜基板，薄膜电路层位于薄膜基板上，相邻两厚膜电路之间设有陶瓷介质板；

端口P1、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3均设于薄膜电路层上；

第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3设置于中部的一层厚膜电路层上；

第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6设置于中部的另一层厚膜电路上；

最后一层厚膜电路的底面设有一层钼铜层，从薄膜电路层到钼铜层，贯通设有多个散热孔。

进一步的，厚膜电路设有四层，第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3布局于第二层厚膜电路；第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6布局于第三层厚膜电路；第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的接地和第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6的接地分别通过导通过孔连接到第一层厚膜电路。

进一步的，第一偏置电路S1包括第一电感L1、第一电容C1，第一电感L1的一端通过导通过孔连接第一放大器D1，另一端连接第一电容C1的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层上的端口P2，第一电容C1的另一端接地；第二偏置电路S2包括第三电感L3、第三电容C3，第三电感L3的一端通过导通过孔连接第二放大器D2，另一端连接第三电容C3的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层上的端口P3，第三电容C3的另一端接地；第三偏置电路S3包括第五电感L5、第五电容C5，第五电感L5的一端通过导通过孔连接第三放大器D3，第五电容C5的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层上的端口P4，第五电容C5的另一端接地。

进一步的，第一电容C1、第三电容C3、第五电容C5分别通过导通过孔连接到第一层厚膜电路接地。

一种薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，包括步骤：

提供2个空白陶瓷基板，将其粘合在一起构成牺牲层，在牺牲层顶面设置薄膜基板，在薄膜基板的顶面加工出薄膜电路层获得表层组，并对表层组加工出导通过孔和散热孔；

在薄膜电路层上设置端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，使第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第一电阻R1的一端；使第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，输出端连接第二电阻R2的一端；使第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，输出端连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接端口P5；

提供三个陶瓷介质板，在顶面分别加工出厚膜电路层，依次为第一层厚膜电路、第二层厚膜电路、第三层厚膜电路，并在第三层厚膜电路所在的陶瓷介质板底面加工出第四层厚膜电路，根据设计需求均加工出相应的导通过孔和散热孔；

在第二层厚膜电路上分别设置第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3；

在第三层厚膜电路上设置第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6；

提供一钼铜金属层；

将第一层厚膜电路、第二层厚膜电路、第三层厚膜电路按自上而下的顺序叠合，将表层组设置于第一层厚膜电路上，将钼铜金属层叠于第四层厚膜电路下，并对其相应的导通过孔和散热孔，低温烧结成型；

成型后，第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3的接地，第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6的接地，第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的接地均通过导通过孔连接到第一层厚膜电路上，第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的一端分别通过导通孔连接到薄膜电路层，以实现与第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3输出端的对应连接，第一偏置电路S1通过导通过孔连接到薄膜电路层，以实现与端口P2和第一放大器D1的连接，第二偏置电路S2通过导通过孔连接到薄膜电路层，以实现与端口P3和第二放大器D2的连接，第三偏置电路S3通过导通过孔连接到薄膜电路层，以实现与端口P4和第三放大器D3的连接。

进一步的，第一偏置电路S1包括第一电感L1、第一电容C1，第二偏置电路S2包括第三电感L3、第三电容C3，第三偏置电路S3包括第五电感L5、第五电容C5，第一电感L1一端连接第一电容C1一端，第三电感L3一端连接第三电容C3一端，第五电感L5一端连接第五电容C5一端。

进一步的，成型后，第一电感L1的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层上的端口P2，另一端通过导通过孔连接第一放大器D1，第一电容C1的另一端通过导通过孔连接到第一厚膜电路接地；

第三电感L3的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层上的端口P3，另一端通过导通过孔连接第二放大器D2，第三电容C3的另一端通过导通过孔连接到第一厚膜电路接地；

第五电感L5的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层上的端口P4，另一端通过导通过孔连接第三放大器D3，第五电容C5的另一端通过导通过孔连接到第一厚膜电路接地。

进一步的，牺牲层表面经过减薄、打磨、抛光处理为平整面，在平整面上形成薄膜基板，薄膜电路层通过渡薄膜方式形成与薄膜基板上。

本发明的有益效果在于：

1、采用厚膜工艺，实现功率放大器电路的三维集成，将电感和偏置电路布局在内部的不同厚膜层，将不同的器件的接地通过导通过连接到第一层厚膜电路以实现接地，在底面增设钼铜层来接金属壳体，不仅起到散热作用还能很好的和壳体相连，并将散热孔贯穿整体设置，以实现系统散热；

2、以空白陶瓷基板作为牺牲层，经过减薄、打磨、抛光后使得保持表面平整，以消除厚膜烧制过程中由于受热不均带来的收缩、膨胀等弯曲问题，平整后薄膜ALN层可以和其实现良好叠合；电阻在薄膜表层采用钛化钨金属分子建设的方式加工，这样加工出来的电阻致密性好、分布均匀、精度高、表面光滑，可以承受更大的功率，提高匹配电路精度。

附图说明

本文描述的附图只是为了说明所选实施例，而不是所有可能的实施方案，更不是意图限制本发明的范围。

图1示出了本申请的功率放大器基本电路结构示意图。

图2示出了本申请的功率放大器布局于多层薄膜电路的爆炸结构示意图。

图3示出了本申请的功率放大器薄膜电路层上的布局器件示意图。

图4示出了本申请的功率放大器第二层厚膜电路上的布局器件示意图。

图中标记：10-薄膜电路层、11-第一层厚膜电路、12-第二层厚膜电路、13-第三层厚膜电路、14-第四层厚膜电路、21-薄膜基板、22-牺牲层、3-陶瓷基板、4-钼铜金属层、5-散热孔。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本申请实施例提供一种厚膜电路基板的功率放大器，如图1所示，功率放大器的电路包括：第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3；第一放大器D1上连接有用于供电的第一偏置电路S1，第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第二电感L2的一端、第一电阻R1的一端，第二放大器D2上连接有用于供电的第二偏置电路S2，第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，第二放大器D2的输出端连接第四电感L4的一端、第二电阻R2的一端，第三放大器D3上连接有用于供电的第三偏置电路S3，第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，第三放大器D3的输出端连接第六电感L6的一端、第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接第六电容C6的一端、端口P5；第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3的一端均接地，第二电感L2、第二电容C2、第四电感L4、第四电容C4、第六电感L6、第六电容C6的另一端均接地；

如图2所示，本实例中，将功率放大器布局在自上而下叠设的一层薄膜电路层10和四层厚膜电路。四层厚膜电路层自上而下依次是第一层厚膜电路11、第二层厚膜电路12、第三层厚膜电路13、第四层厚膜电路14。

具体的，薄膜电路层10与第一层厚膜电路11之间设有两个空白陶瓷基板作为牺牲层22，牺牲层22上设有一层薄膜基板21，薄膜电路层10位于薄膜基板21上，相邻两厚膜电路之间设有陶瓷介质板3。

如图3所示，端口P1、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3均设于薄膜电路层10上，

第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3设置于第二层厚膜电路12上。

第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6设置于第三层厚膜电路13上。

第四层厚膜电路14的底面设有一钼铜金属层4，从薄膜电路层10到钼铜金属层4，贯通设置有多个散热孔5。钼铜金属层4连接到金属壳体。

具体的，如图4所示，第一偏置电路S1包括第一电感L1和第一电容C1，第一电感L1的一端连接第一放大器D1，另一端连接第一电容C1的一端、并通过导通过孔连接布局在薄膜电路层10上的端口P2，第一电容C1的另一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地；第二偏置电路S2第三电感L3和第三电容C3，第三电感L3的一端连接第二放大器D2，另一端连接第三电容C3的一端、并通过导通过孔连接布局于薄膜电路层10上的端口P3，第三电容C3的另一端通过导通过孔连接到第一厚膜电路11接地；第三偏置电路S3包括第五电感L5和第五电容C5，第五电感L5的一端连接第三放大器D3，另一端连接第五电容C5的一端、并通过导通过孔连接布局于薄膜电路层10上的端口P4，第五电容C5的另一端接地。

由于厚膜金属层为钨，和壳体热膨胀系数不一样，不能很好地直接相连，钼铜层不仅起到散热作用，还能很好地和壳体相连。

本实施例使用厚膜基板将二维电路变成三维电路高密度集成电路，将第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S和第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6通过厚膜工艺直接设置在内部的不同厚膜电路层，表层采用ALN薄膜基板，以实现加工精度的要求，各层之间通过金属化过孔来实现连通。

本实施例中陶瓷介质板和陶瓷基板3均采用ALN材质，具有相对介电常数高、导热性好等特性，极大地缩小系统尺寸，满足散热需求。

本实施中，上述薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，包括如下步骤：

S1、提供2个空白陶瓷基板，将其粘合在一起构成牺牲层22，在牺牲层22顶面设置薄膜基板21，在薄膜基板21的顶面加工出薄膜电路层10，获得表层组，并对表层组加工出导通过孔和散热孔5。

具体的，牺牲层22的表面经过减薄、打磨、抛光后使得保持表面平整，在平整面上形成薄膜基板21，薄膜电路层10通过渡薄膜方式形成于薄膜基板21上。

S2、在薄膜电路板10上设置端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，使第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第一电阻R1的一端；第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，输出端连接第二电阻R2的一端；第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，输出端连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接端口P5。

第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3均使用钛化钨分子建设的方式加工在薄膜电路层10上，这样通过分子之间的作用力加工出来的电阻具有致密度高、分布均匀、表面光滑、高精度。

S3：提供三个陶瓷介质板3在顶面分别加工出厚膜电路层，依次为第一层厚膜电路11、第二层厚膜电路12、第三层厚膜电路13，并在第三层厚膜电路13所在的陶瓷介质板3底面加工出第四层厚膜电路14，根据设计需求均加工出相应的导通过孔和散热孔5。

S4、在第二层厚膜电路12上设置第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3；

S5、在第三层厚膜电路13上设置第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6；

S6、提供一钼铜金属层4；

S7、将第一层厚膜电路11、第二层厚膜电路12、第三层厚膜电路13按自上而下的顺序叠合，将表层组设置于第一层厚膜电路11上，将钼铜金属层4叠于第四层厚膜电路14下，并对其相应的导通过孔和散热孔5，低温烧结成型。

成型后，第一偏置电路S1的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通过孔连接到薄膜电路层10，以实现与端口P2和第一放大器D1的连接；

第二偏置电路S2的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通过孔连接到薄膜电路层10，以实现与端口P3和第二放大器D2的连接；

第三偏置电路S3的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通过孔连接到薄膜电路层10，以实现与端口P4和第三放大器D3的连接；

第二电容C2通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地、第四电容C4通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地、第六电容C6通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地；

第二电感L2的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通孔连接到薄膜电路层10，以实现与第一放大器D1输出端连接；

第四电感L4的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通孔连接到薄膜电路层10以实现与第二放大器D2输出端连接；

第六电感L6的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地，另一端通过导通孔连接到薄膜电路层10，以实现与第三放大器D3输出端连接；

第一偏置电路S1包括第一电感L1和第一电容C1，第二偏置电路S2包括第三电感L3和第三电容C3，第三偏置电路S3包括第五电感L5和第五电容C5，使第一电感L1的一端连接第一电容C1的一端，第三电感L3的一端连接第三电容C3的一端，第五电感L5的一端连接第五电容C5的一端；

第一电感L1的一端通过导通过孔连接到布局于薄膜电路层10上的端口P2，另一端通过导通过孔连接到第一放大器D1的正极端，第一电容C1的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地；第三电感L3的一端通过导通过孔连接到布局于薄膜电路层10上的端口P3，另一端通过导通过孔连接到第二放大器D2的正极端第三电容C3的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地；第五电感L5的一端通过导通过孔连接到布局于薄膜电路层10上的端口P4，另一端通过导通过孔连接到第三放大器D3的正极端，第五电容C5的一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路11接地。

厚膜由于加工精度不高、表面金属不平整，会给射频信号传输带来较大的损耗，在大功率信号下带来发热、射频线间打火、介质击穿等问题，本实例中通将牺牲层的陶瓷基板层通过打磨、抛光等处理为平整面，而后再在上面加工ALN薄膜基板21，再在薄膜基板21表面镀薄膜金属层获得薄膜电路层10，确保表面平整，即可解决厚膜表面金属不平整带来的问题；同时，薄膜工艺的高精度加工保证，也可以满足小型化的要求。薄膜基板21也使用ALN是为了保持整个系统基板的一致性，保持具有相同热膨胀系数、导热系数等，以保证良好叠合。同时ALN的高导热特性可以保证快速散热，满足大功率需要。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不表示是唯一的或是限制本发明。本领域技术人员应理解，在不脱离本发明的范围情况下，对本发明进行的各种改变或同等替换，均属于本发明保护的范围。

Claims (8)

1.一种厚薄膜电路基板的功率放大器，其电路包括：第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3；

第一放大器D1连接有用于供电的第一偏置电路S1，第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第二电感L2的一端、第一电阻R1的一端；

第二放大器D2连接有用于供电的第二偏置电路S2，第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，输出端连接第四电感L4的一端、第二电阻R2的一端；

第三放大器D3连接有用于供电的第三偏置电路S3，第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，输出端连接第六电感L6的一端、第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接第六电容C6的一端、端口P5；

第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3的一端均接地，第二电感L2、第二电容C2、第四电感L4、第四电容C4、第六电感L6、第六电容C6的另一端均接地；

其特征在于：

所述功率放大器布局在自上而下叠设的一层薄膜电路层（10）和多层厚膜电路中，薄膜电路层（10）和第一层厚膜电路之间设有两个空白陶瓷基板作为牺牲层（22），牺牲层（22）上设有一层薄膜基板（21），薄膜电路层（10）位于薄膜基板（21）上，相邻两厚膜电路之间设有陶瓷介质板（3）；

端口P1、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3均设于薄膜电路层（10）上；

第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3设置于中部的一层厚膜电路层上；

第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6设置于中部的另一层厚膜电路上；

最后一层厚膜电路的底面设有一层钼铜层（4），从薄膜电路层（10）到钼铜层（4），贯通设有多个散热孔（5）。

2.根据权利要求1所述的厚薄膜电路基板的功率放大器，其特征在于，厚膜电路设有四层，第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3布局于第二层厚膜电路（12）；第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6布局于第三层厚膜电路（13）；第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的接地和第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6的接地分别通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）。

3.根据权利要求2所述的厚薄膜电路基板的功率放大器，其特征在于，第一偏置电路S1包括第一电感L1、第一电容C1，第一电感L1的一端通过导通过孔连接第一放大器D1，另一端连接第一电容C1的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层（10）上的端口P2，第一电容C1的另一端接地；第二偏置电路S2包括第三电感L3、第三电容C3，第三电感L3的一端通过导通过孔连接第二放大器D2，另一端连接第三电容C3的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层（10）上的端口P3，第三电容C3的另一端接地；第三偏置电路S3包括第五电感L5、第五电容C5，第五电感L5的一端通过导通过孔连接第三放大器D3，第五电容C5的一端、并通过导通过孔连接于布局在薄膜电路层（10）上的端口P4，第五电容C5的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的厚薄膜电路基板的功率放大器，其特征在于，第一电容C1、第三电容C3、第五电容C5分别通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）接地。

5.一种薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，其特征在于，包括步骤：

提供2个空白陶瓷基板，将其粘合在一起构成牺牲层（22），在牺牲层（22）顶面设置薄膜基板（21），在薄膜基板（21）的顶面加工出薄膜电路层（10）获得表层组，并对表层组加工出导通过孔和散热孔（5）；

在薄膜电路层（10）上设置端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、端口P5、第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3、第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，使第一放大器D1的输入端连接端口P1，输出端连接第一电阻R1的一端；使第二放大器D2的输入端连接第一电阻R1的另一端、第二电容C2的一端，输出端连接第二电阻R2的一端；使第三放大器D3的输入端连接第二电阻R2的另一端、第四电容C4的一端，输出端连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接端口P5；

提供三个陶瓷介质板（3），在顶面分别加工出厚膜电路层，依次为第一层厚膜电路（11）、第二层厚膜电路（12）、第三层厚膜电路（13），并在第三层厚膜电路（13）所在的陶瓷介质板（3）底面加工出第四层厚膜电路（14），根据设计需求均加工出相应的导通过孔和散热孔（5）；

在第二层厚膜电路（12）上分别设置第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3；

在第三层厚膜电路（13）上设置第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6；

提供一钼铜金属层（4）；

将第一层厚膜电路（11）、第二层厚膜电路（12）、第三层厚膜电路（13）按自上而下的顺序叠合，将表层组设置于第一层厚膜电路（11）上，将钼铜金属层（4）叠于第四层厚膜电路（14）下，并对其相应的导通过孔和散热孔（5），低温烧结成型；

成型后，第一偏置电路S1、第二偏置电路S2、第三偏置电路S3的接地，第二电容C2、第四电容C4、第六电容C6的接地，第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的接地均通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）上，第二电感L2、第四电感L4、第六电感L6的一端分别通过导通孔连接到薄膜电路层（10），以实现与第一放大器D1、第二放大器D2、第三放大器D3输出端的对应连接，第一偏置电路S1通过导通过孔连接到薄膜电路层（10），以实现与端口P2和第一放大器D1的连接，第二偏置电路S2通过导通过孔连接到薄膜电路层（10），以实现与端口P3和第二放大器D2的连接，第三偏置电路S3通过导通过孔连接到薄膜电路层（10），以实现与端口P4和第三放大器D3的连接。

6.根据权利要求5所述的薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，其特征在于，第一偏置电路S1包括第一电感L1、第一电容C1，第二偏置电路S2包括第三电感L3、第三电容C3，第三偏置电路S3包括第五电感L5、第五电容C5，第一电感L1一端连接第一电容C1一端，第三电感L3一端连接第三电容C3一端，第五电感L5一端连接第五电容C5一端。

7.根据权利要求6所述的薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，其特征在于，成型后，第一电感L1的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层（10）上的端口P2，另一端通过导通过孔连接第一放大器D1，第一电容C1的另一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）接地；

第三电感L3的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层（10）上的端口P3，另一端通过导通过孔连接第二放大器D2，第三电容C3的另一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）接地；

第五电感L5的一端通过导通过孔连接布局于薄膜电路层（10）上的端口P4，另一端通过导通过孔连接第三放大器D3，第五电容C5的另一端通过导通过孔连接到第一层厚膜电路（11）接地。

8.根据权利要求5所述的薄膜电路基板的功率放大器的实现方法，其特征在于，牺牲层（22）表面进过减薄、打磨、抛光处理为平整面，在平整面上形成薄膜基板（21），薄膜电路层（10）通过渡薄膜方式形成与薄膜基板（21）上。

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