JP2002109956A

JP2002109956A - 導体ペーストおよびそれを用いた配線基板の製造方法

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Publication number: JP2002109956A
Application number: JP2000296944A
Authority: JP
Inventors: Riichi Sasamori; 理一笹森
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-09-28
Filing date: 2000-09-28
Publication date: 2002-04-12
Anticipated expiration: 2020-09-28
Also published as: JP4863543B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低融点金属および熱硬化性樹脂を含有する導体
ぺーストを熱処理すると、熱硬化性樹脂が先に硬化した
後に低融点金属が溶融するために、低融点金属による有
用な導体路の形成ができなかった。【解決手段】熱硬化性樹脂成分５〜２０重量％と、融点
が熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも１０℃以上低い低融
点金属を２０〜８０重量％有する導体成分８０〜９５重
量％とからなる導体ペーストを用い、熱硬化性樹脂を含
有する未硬化の絶縁シート１１のビアホール１２中にこ
の導体ペーストを充填し、配線回路層１４を形成後、絶
縁シート１１を低融点金属の融点以上、熱硬化温度未満
の温度に加熱してビアホール導体１３中の導体成分同士
を結合させた後、熱硬化性樹脂の熱硬化温度に加熱して
硬化することによって、ビアホール導体１３の導電率を
向上させるとともに、導電性粉末間、あるいは導電性粉
末と配線回路層１４間を強固に接合することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板表面や内
部に配線層やビアホール導体等の配線回路層を形成した
配線基板における配線回路層用として好適な導体ペース
トおよびそれを用いた配線基板の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来技術】近年、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の
熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に配線回路層を形成
した、いわゆるプリント基板が回路基板や半導体素子を
搭載したパッケージ等に適用されている。このようなプ
リント基板において配線回路層を形成する方法として
は、絶縁基板の表面に銅箔を接着した後、これをエッチ
ングして配線パターンを形成する方法、または配線パタ
ーンに形成された銅箔を絶縁基板に転写する方法、絶縁
基板の表面に金属メッキ法によって配線パターンを形成
する方法等が用いられている。

【０００３】また、配線の多層化に伴い、異なる層間の
配線回路層をビアホール導体によって電気的に接続する
ことも行われているが、このビアホール導体は多層配線
基板の絶縁基板の所定の箇所にドリル等でビアホールを
開けた後に、ビアホール内の内壁にメッキ等を施すのが
一般的である。

【０００４】ところが、上記のような方法では化学的な
メッキ処理を施すのに用いられる薬品が高価であり、処
理時間も長いなど生産性と経済性に難がある。また、内
壁にメッキを施したビアホール導体は、多層構造におけ
る任意の層間に形成することが難しく、配線回路層の密
度を向上できないという問題がある。

【０００５】このような問題に対して、最近では配線回
路層を銀、銅、ハンダなどの金属粉末と熱硬化性樹脂や
活性剤とを混合した導体ペーストを用い、これを絶縁基
板の表面に塗布したり、ビアホール内に充填し、積層し
て多層化する方法が、特許第２６０３０５３号公報、特
公平５−３９３６０号公報、特開昭５５−１６００７２
号公報等にて開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
導体ペーストの充填によるビアホール導体を形成する方
法では、導電性ペースト中の熱硬化性樹脂成分の量が多
く、またビアホール導体中において金属粉末間の接触性
が充分でないために、ビアホール導体の導電率が低いと
いう問題があった。

【０００７】このような問題に対して、ペースト中に銅
などの粉末とともに、Ｐｂ−Ｓｎなどの低融点金属を含
有させて銅粉末間を低融点金属によって接続させてビア
ホール導体の導電率を高めることも提案されている。

【０００８】しかしながら、配線基板のビアホール導体
中の低融点金属成分が完全に溶融する前に、ビアホール
導体中の熱硬化性樹脂が硬化を始めた場合、ビアホール
導体中の導体粉末間の接続および銅箔などからなる配線
層とビアホール導体の接続状態が悪くなり、ビアホール
導体の導電率が低下したり、配線層との接続信頼性が低
くなるという問題があった。

【０００９】従って本発明はこのような欠点を解消し、
高い導電性を有するビアホール導体の形成が可能な導体
ペーストと、これを用いて少なくとも熱硬化性樹脂を含
有する絶縁基板を具備してなる配線基板に対して、配線
層同士を電気的に接続するビアホール導体の導電性を高
めるとともに、配線層との接続信頼性の高い配線基板を
製造するための方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の導体ペースト
は、熱硬化性樹脂成分を５〜２０重量％と、融点が前記
熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも１０℃以上低い低融点
金属を含有する導体成分を８０〜９５重量％の割合でそ
れぞれ含有することを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の配線基板の製造方法は、少
なくとも第１の熱硬化性樹脂を含有する未硬化あるいは
半硬化状態の絶縁シートにビアホールを形成する工程
と、該ビアホール中に、第２の熱硬化性樹脂成分を５〜
２０重量％と、融点が前記第１および第２の熱硬化性樹
脂の熱硬化温度よりも１０℃以上低い低融点金属を含有
する導体成分を８０〜９５重量％の割合でそれぞれ含有
することを特徴とする導体ペーストを充填してビアホー
ル導体を形成する工程と、前記ビアホール導体形成部を
含む前記絶縁シート表面に配線回路層を形成する工程
と、該絶縁シートを前記低融点金属の融点以上、前記第
１および第２の熱硬化温度未満の温度に加熱して前記ビ
アホール導体中の導体成分同士を結合させた後、前記第
１および第２の熱硬化性樹脂の熱硬化温度に加熱して硬
化する工程とを具備することを特徴とするものである。

【００１２】なお、上記の導体ペーストおよび配線基板
の製造方法によれば、前記導体ペースト中の低融点金属
としては、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、あるいは
これらを含有する合金あるいは混合物がその融点から適
当であって、この低融点金属を２０〜８０重量％含有す
ることがビアホール導体の導電性を高める上で望まし
い。

【００１３】また、配線基板の製造方法においては、前
記第１の熱硬化性樹脂と、第２の熱硬化性樹脂が同じ樹
脂からなることが最終的な硬化処理を同時に行なうこと
ができる。

【００１４】このように、本発明によれば、導体成分と
熱硬化性樹脂を含有する導体ペーストにおいて、前記導
体成分中に低融点金属を含有させるととともに、その低
融点金属の融点が前記熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低
くなるように低融点金属および熱硬化性樹脂を選択的に
組み合わせることによって、熱硬化性樹脂が硬化する前
に、低融点金属が溶融してペースト中の導体成分同士を
結合して導電路を形成することができる。

【００１５】したがって、配線基板を製造するにあた
り、未硬化の絶縁シートに上記の導体ペーストを充填し
たビアホール導体を形成した後、配線回路層を形成し、
絶縁シートを熱硬化する際に、一旦、前記低融点金属の
融点以上、前記第１および第２の熱硬化温度未満の温度
に加熱して前記ビアホール導体中の導体成分同士を結合
させた後に、前記第１および第２の熱硬化性樹脂の熱硬
化温度に加熱して硬化することによって、ビアホール導
体の導電率を高めることができるとともに、配線層とビ
アホール導体との接続信頼性を高めることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の導体ペーストは、基本的
な成分として、熱硬化性樹脂成分を５〜２０重量％と、
導体成分を８０〜９５重量％の割合で含有するものであ
る。これは、前記有機樹脂成分の含有量が５重量％より
少ない、あるいは導体成分量が９５重量％よりも多い
と、ペーストの粘度が高すぎてビアホール内への埋込み
性が悪くなり、導体配線の抵抗が増加するためである。
逆に、熱硬化性樹脂成分が２０重量％より多い、あるい
は導体成分が８０重量％よりも少ないと、ペーストとし
ての粘度が低く保形性が低下して絶縁基板の表面からペ
ーストがにじむ恐れがあるとともに、抵抗が増大する。
特に熱硬化性樹脂の特に望ましい含有量は、下限値が７
重量％以上、上限値が１４重量％以下であり、導体成分
の特に望ましい含有量は、下限値が８６重量％、上限値
が９３重量％である。

【００１７】また、本発明によれば、上記の導体成分中
に、融点Ｔ１（℃）が前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度Ｔ
２（℃）よりも１０℃以上低い低融点金属を含有するも
のである。つまり、Ｔ１≦Ｔ２−１０を満足することを
特徴とするものである。ここで、上記低融点金属の融点
とは、溶融開始温度を意味し、また熱硬化性樹脂の熱硬
化温度とは、硬化開始温度を意味するものである。

【００１８】低融点金属の融点Ｔ１が前記熱硬化性樹脂
の熱硬化温度Ｔ２に対して、Ｔ１＞Ｔ２−１０の場合に
は、低融点金属が溶融して導電性粉末間さらには導電性
粉末と銅箔等の配線間との接続がなされる前に熱硬化樹
脂が硬化してしまい、接続信頼性が低くなってしまうた
めである。特に、上記融点Ｔ１と熱硬化温度Ｔ２とは、
Ｔ１≦Ｔ２−１５、さらにはＴ１≦Ｔ２−２０であるこ
とが上記の効果を発揮させる上で望ましい。

【００１９】また、この低融点金属の含有量はペースト
全量中において、２０〜８０重量％の割合で含まれるこ
とが必要である。これは、低融点金属が２０重量％より
少ないと導電性粉末間や導電性粉末と銅箔等の配線間の
接続信頼性が低くなり、８０重量％より多いと低融点金
属が溶融した際の収縮量が大きくなるために導体に隙間
ができてしまい信頼性の低下につながるとともに、導体
の抵抗が増大するためである。低融点金属粉末の特に望
ましい範囲は、下限値が２５重量％以上、さらに３０重
量％以上、上限値が６０重量％以下、さらに５０重量％
以下であり、特に３０〜５０重量％が最適である。

【００２０】本発明における導体成分は、上記の低融点
金属のみ、あるいは低融点金属と他の金属との混合物で
あってもよい。他の金属としては、金、銀、パラジウ
ム、銅、ニッケル、の群から選ばれる少なくとも１種で
あることが望ましく、具体的には、上記の純粋な金属お
よびそれらの合金あるいは混合物、さらには上記から選
ばれる金属の核に他の金属を被覆したものを用いること
ができる。

【００２１】特に、絶縁基板へのマイグレーション抑制
およびコストの点で銅が好ましく、化学的安定性を考慮
すると銀を被覆した銅粉末が最適である。また、錫を含
有する低融点金属を添加した場合には、Ｃｕ₃Ｓｎを析
出させて耐熱性を高めることが望ましい。

【００２２】熱硬化性樹脂成分としては、熱硬化性樹脂
のみならず、その他に硬化剤、硬化促進剤の他、場合に
よっては溶剤が含まれる。

【００２３】熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂の群から選ばれ
る少なくとも１種を用いることができるが、とりわけ、
エポキシ系樹脂が望ましい。また、硬化剤や硬化促進剤
としては、熱硬化性樹脂に応じて公知のものが使用され
るが、例えば、エポキシ系樹脂の場合には、硬化剤とし
てフェノールノボラック樹脂、ジシアンジアミド、芳香
族アミン類、ジアミノマレオニトリル、ヒドラジッドの
群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

【００２４】また、硬化促進剤は、熱硬化温度（硬化開
始温度）の調整のために添加されるが、前記有機樹脂が
硬化促進剤等で硬化開始温度を変更させることができ
る。例えば、有機樹脂がエポキシ系樹脂であればイミダ
ゾール類、ベンジリジメチルアミンの群から選ばれる少
なくとも１種が好適に用いられ、ラジカル重合を行う樹
脂であればハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオ
キサイドの群から選ばれる少なくとも１種の有機過酸化
物が好適に添加される。この硬化促進剤は、０．１〜１
０重量％の割合で添加される。

【００２５】さらに、これら硬化剤や硬化促進剤として
の効果を有するラジカル重合開始剤として、ハイドロパ
ーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアリルパ
ーオキサイドの群から選ばれる少なくとも１種の有機過
酸化物を０．２５〜３重量％の割合で配合するのが好ま
しい。この有機過酸化物は導体配線中のトリアリルイソ
シアヌレートの硬化を促進することから該硬化温度を３
０℃以上、特に５０℃以上低下させることができる。

【００２６】また、ペースト中にはラジカル反応禁止剤
等は導体配線中のトリアリルイソシアヌレートの硬化を
抑制することから添加しないことが望ましい。

【００２７】さらに、導体ペースト中には、粘度調整の
ために、例えば、イソプロピルアルコール、テオピネオ
ール、２−オクタール、ブチルカルビトールアセテート
等を微量添加することもできるが、絶縁基板および導体
配線を熱硬化させる際に溶剤成分が揮発し、導体配線中
の充填密度が低下するとともに、揮発気体により絶縁層
間に膨れを生じる等の問題があるために、溶剤を実質的
に含有しないことが望ましい。

【００２８】ペーストの調製方法にあたっては、上記熱
硬化性樹脂成分、導体成分の組成物を攪拌脱泡機、プラ
ネタリーミキサ、回転ミルや３本ロール等で混練するこ
とにより所定粘度の導電性ペーストを作製することがで
きる。

【００２９】また、上記混合方法により混合された導体
ペーストの粘度については、印刷した時にダレ、にじみ
が生じずファインピッチのビアホール導体を形成するこ
とができ、また、ペーストをビアホール内への埋込充填
性を高める上で、せん断速度＝１００ｓ^-1において２０
〜１０００Ｐａ・ｓであることが望ましい。

【００３０】次に、上記導体ペーストを用いて配線基板
を作製する方法について説明する。まず、図１（ａ）に
示すように、未硬化または半硬化状態の軟質の絶縁シー
ト１１に対して、レーザー加工やマイクロドリルなどに
よってビアホール１２を形成する。

【００３１】配線基板１は、少なくとも熱硬化性樹脂を
含む絶縁材料から構成されるが、具体的には、有機樹脂
としては例えば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、
ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の
合成樹脂およびそれらの混合物が使用可能であるが、と
りわけ誘電特性がよく、吸水率が低い点でＰＰＥ（ポリ
フェニレンエーテル）を含有することが望ましい。

【００３２】また、この有機樹脂の中には、基板全体の
強度を高めるために、フィラーを複合化させることもで
きる。フィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｚｒ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴ
ｉＯ₃、ゼオライト、ＣａＴｉＯ₃等の無機質フィラーが
好適に使用される。また、ガラスやアラミド樹脂からな
る不織布、織布等に上記樹脂を含浸させて用いてもよ
い。このようにフィラーと複合化する場合、有機樹脂と
フィラーとは体積比率で３０：７０〜７０：３０の比率
で複合化することが望ましい。

【００３３】そして、図１（ｂ）に示すように、そのビ
アホール１２内に、前述したようにしてせん断速度＝１
００ｓ^-1において、２０〜１０００Ｐａ・ｓに調製され
た本発明の導体ペーストをスクリーン印刷等によって充
填してビアホール導体１３を形成する。かかる粘度のペ
ーストによれば、ビアホールからのペーストの流出を防
止し、ビアホールへのペーストの埋込充填性を高めるこ
とができる。

【００３４】また、導体ペーストの粘度が上記範囲であ
れば、ビアホール内へ充填したペーストの上面の一部が
絶縁基板表面に対して突出するように形成でき、これを
後述する配線回路層の形成時または絶縁基板の積層時に
圧縮することによってビアホール導体と配線回路層との
接続性を高めることもできる。

【００３５】そして、ペースト充填後に、所望により、
有機バインダの融点以下に冷却することにより、ビアホ
ール内の導電性ペーストの粘度を、せん断速度＝１００
ｓ^-1において、７６０〜２５００Ｐａ・ｓに高めること
によりビアホール中のペーストの保形性を高め、ペース
トのビアホールからのダレの発生やにじみを防止でき
る。

【００３６】次に、ビアホール導体１３を形成した絶縁
シート１１の表面に、配線回路層１４を形成する。配線
回路層１４としては、銅、アルミニウム、金、銀のうち
から選ばれる少なくとも１種、または２種以上の合金、
特に、銅あるいは銅を含む合金からなる厚さ５〜４０μ
ｍの金属箔によって形成することにより、ビアホール導
体１３を両端を封止して外気の影響を防止でき、しかも
導電性ペーストを充填して形成したビアホール導体１３
との電気的な接続性に優れることから最も望ましい。

【００３７】この金属箔による配線回路層１４の形成
は、ａ）絶縁シートの表面に金属箔を貼り付けた後、エ
ッチング処理して回路パターンを形成する方法、ｂ）絶
縁シート表面にレジストを形成して、メッキにより金属
箔層を形成する方法、ｃ）転写シート表面に金属箔を貼
り付けた後、エッチング処理して回路パターンを形成し
た後、この金属箔の回路パターンを絶縁シート表面に転
写させる方法、等が挙げられるが、この中でも、絶縁シ
ートをエッチングやメッキ液などに浸漬する必要がな
く、ビアホール導体内への薬品の侵入を防止する上で
は、ｃ）の転写法が最も望ましい。

【００３８】そこで、ｃ）転写法による配線回路層を例
にして以下に説明する。

【００３９】図１（ｃ）に示すように、転写シート１５
の表面に、金属箔からなる配線回路層１４を形成する。
この配線回路層１４は、転写シート１５の表面に金属箔
を接着剤によって接着した後、この金属箔の表面にレジ
ストを回路パターン状に塗布した後、エッチング処理お
よびレジスト除去を行って形成される。この時、金属箔
からなる配線回路層１４露出面は、エッチング等により
表面粗さ（Ｒａ）０．１〜５μｍ、特に０．２〜４μｍ
程度に粗化されていることが望ましい。

【００４０】次に、図１（ｄ）に示すように、配線回路
層１４が形成された転写シート１５を前記ビアホール導
体１３が形成された軟質の絶縁シート１１の表面に位置
合わせして加圧積層した後、転写シート１５を剥がして
配線回路層１４を絶縁シート１１に転写させることによ
り配線層ａが形成される。

【００４１】この時、絶縁シート１１が軟質状態である
ことから、配線回路層１４は、絶縁シート１１の表面に
埋設され、実質的に絶縁シート１１表面と配線回路層１
４の表面が同一平面となるように加圧積層する。この時
の加圧積層条件としては、圧力２ＭＰａ以上、温度６０
〜２４０℃が適当である。

【００４２】このようにして作製した配線層を後述する
硬化処理によって１層の絶縁層の片面または両面に配線
回路層を形成した配線基板を作製することができるが、
以下、多層配線基板を作製する場合について以下に述べ
る。

【００４３】上記のようにして作製された一単位の配線
層ａに対して、同様にして作製された一単位の配線層
ｂ、ｃを図１（ｅ）に示すように積層圧着する。そし
て、この積層体を絶縁シート中の熱硬化性樹脂が硬化す
る温度に加熱して完全硬化する。この時、本発明によれ
ば、第１の加熱工程として、ビアホール中に充填した導
体ペースト中の低融点金属の融点以上、そして、絶縁シ
ートの熱硬化性樹脂の熱硬化温度および導体ペースト中
の熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも低い温度で加熱する
ことによって、低融点金属が溶融して銅粉末などの他の
導体粉末同士を溶融した金属によって結合させ、ビアホ
ール導体中の粒子同士の結合性を高めることができる。

【００４４】その後、第２の加熱工程として、絶縁シー
トの熱硬化性樹脂の熱硬化温度および導体ペースト中の
熱硬化性樹脂の熱硬化温度以上の温度に加熱することに
よって、絶縁シートおよびビアホール導体中の熱硬化性
樹脂を完全に硬化することによって、低い抵抗のビアホ
ール導体と、配線回路層との接続性に優れた信頼性の高
い多層配線基板を作製することができる。

【００４５】なお、上記の転写シートからの回路転写に
よって配線回路層を形成する方法では、絶縁シートへの
ビアホール形成や積層化と、金属箔のパターン化による
配線回路層の形成工程を並列的に行うことができるため
に、配線基板における製造時間を大幅に短縮することが
できる。

【００４６】また、上述の方法では、完全硬化時の加熱
工程を第１の加熱工程、第２の加熱工程と段階的に行な
ったが、この加熱工程は、連続的であってもよく、例え
ば、最終的な完全硬化温度に加熱昇温する過程におい
て、前記第１の加熱工程で説明したような現象が効果的
に発生するように昇温速度等を制御すればよい。

【００４７】また、上記の製造方法では、絶縁シートの
完全硬化およびビアホール導体の加熱処理を多層化後に
一括して行ったが、この加熱処理は、積層前に個々の絶
縁シートに対して施して硬化した後、積層して多層化す
ることも可能である。

【００４８】また、上記導体ペーストは、上記の製造方
法では、ビアホール導体形成用として用いたが、本発明
の導体ペーストはこれに限定されるものではなく、配線
基板における配線層用として用いることもでき、この場
合でも、配線層の保形性を高めるという効果がある。

【００４９】

【実施例】まず、平均粒径が５．３μｍのＡｇ被覆Ｃｕ
粉末（銀含有量３重量％）と、表１の組成物および融点
（溶融開始温度）からなる低融点金属と、表１の熱硬化
温度（熱硬化開始温度）を有する熱硬化性樹脂とを表１
に示す割合で調合し、３本ロールで混練して導体ペース
トを調製した。

【００５０】一方、ポリフェニレンエーテル樹脂４０体
積％と、シリカを６０体積％からなるＢステージの絶縁
シートに対して、マイクロドリルによって直径が２００
μｍのビアホールをビアホールの中心間の間隔５００μ
ｍで２つ形成し、そのビアホール内に前記のようにして
調製した導体ペーストを充填した。

【００５１】そして、導体ペーストを埋め込んだＢステ
ージ状態の絶縁シートの両面に、厚さ１２μｍの銅箔か
らなる配線回路層を転写法により前記ビアホール導体の
両端を挟持するように貼り合わせた後、２００〜２４０
℃で、２ＭＰａの圧力で、６０分間硬化処理を行い、単
層の配線基板を作製した。

【００５２】得られた配線基板におけるビアホール導体
の体積固有抵抗率（表中ではビア抵抗と記載）を測定
し、表１に示した。なお、この体積固有抵抗の測定は、
ビアホール導体を両側から挟持する金属箔からなる配線
回路層間の抵抗を測定したものである。

【００５３】さらに、８５℃、８５％相対湿度において
１０００時間経過後の導通抵抗（テスト１）と、９５％
相対湿度中、−５５〜＋１２５℃の温度範囲において１
０００サイクル後の導通抵抗（テスト２）を測定し、さ
らに、１５０℃、１０００時間経過後の導通抵抗（テス
ト３）を測定し、それぞれの条件における（初期抵抗と
テスト後の抵抗差／初期抵抗）×１００（％）で表され
る抵抗変化率を計算し、それぞれ表１に示した。

【００５４】また、硬化後の配線基板を２００℃に加
熱、冷却した後、絶縁基板のビアホール導体形成部周囲
について外観検査を行い、配線基板の膨れやボイドの発
生、絶縁基板間に存在する不要な導電性粒子の有無を確
認した。

【００５５】

【表１】

【００５６】表１の結果から明らかなように、低融点金
属の融点が熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも高い従来の
試料Ｎｏ．１０〜１３、２１では、導電率が低く、接続
信頼性も低いものであった。なお、熱硬化性樹脂の含有
量が５重量％よりも少ない試料Ｎｏ．１、２０重量％よ
りも多い試料Ｎｏ．１６では、いずれも初期抵抗が高い
ものであった。

【００５７】これに対して、導体ペースト中における低
融点金属の融点が熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも１０
℃以上低い場合、配線基板における例えばビアホール内
に導体ペーストを充填して形成したビアホール導体の導
電率を高めるとともに、ビアホール導体およびビアホー
ル導体と配線層との接続信頼性を高めることができた。

【００５８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の導体ペー
ストは、低融点金属が十分に溶融して導電路を形成した
後に熱硬化性樹脂が硬化することにより、ビアホール導
体の導電率を向上させることができるとともに、導電性
粉末間、あるいは導電性粉末と配線回路層間を強固に接
合し、導電性の変化のない安定性を有する配線基板を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
工程図である。

【符号の説明】

１配線基板１１絶縁シート１２ビアホール１３ビアホール導体１４配線回路層１５転写シート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱硬化性樹脂成分５〜２０重量％と、融点
が前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも１０℃以上低い
低融点金属を２０〜８０重量％含有する導体成分８０〜
９５重量％と、からなることを特徴とする導体ペース
ト。
【請求項２】前記低融点金属が、インジウム（Ｉｎ）、
錫（Ｓｎ）、あるいはこれらを含有する合金あるいは混
合物であることを特徴とする請求項１記載の導体ペース
ト。
【請求項３】少なくとも第１の熱硬化性樹脂を含有する
未硬化あるいは半硬化状態の絶縁シートにビアホールを
形成する工程と、該ビアホール中に、第２の熱硬化性樹
脂成分５〜２０重量％と、融点が前記第１および第２の
熱硬化性樹脂の熱硬化温度よりも１０℃以上低い低融点
金属を２０〜８０重量％含有する導体成分８０〜９５重
量％とからなる導体ペーストを充填してビアホール導体
を形成する工程と、前記ビアホール導体形成部を含む前
記絶縁シート表面に配線回路層を形成する工程と、該絶
縁シートを前記低融点金属の融点以上、前記第１および
第２の熱硬化温度未満の温度に加熱して前記ビアホール
導体中の導体成分同士を結合させた後、前記第１および
第２の熱硬化性樹脂の熱硬化温度に加熱して硬化する工
程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】前記導体ペースト中の低融点金属が、イン
ジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、あるいはこれらを含有す
る合金あるいは混合物であることを特徴とする請求項３
記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】前記第１の熱硬化性樹脂と、第２の熱硬化
性樹脂が同じ樹脂からなることを特徴とする請求項３ま
たは請求項４のいずれか記載の配線基板の製造方法。