JP2002100723A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2002100723A
JP2002100723A JP2000286377A JP2000286377A JP2002100723A JP 2002100723 A JP2002100723 A JP 2002100723A JP 2000286377 A JP2000286377 A JP 2000286377A JP 2000286377 A JP2000286377 A JP 2000286377A JP 2002100723 A JP2002100723 A JP 2002100723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
leads
lead
electrode
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000286377A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Tazaki
修次 田崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000286377A priority Critical patent/JP2002100723A/ja
Publication of JP2002100723A publication Critical patent/JP2002100723A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49112—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低オン抵抗の半導体装置で主電流を複数のリ
ードに分散させて流すものでは、半導体ペレットと各リ
ードの電気的接続が困難であった。 【解決手段】 橋絡部１５ｄによって電気的に橋絡され
た複数のリード１５ａ〜１５ｃの一端を導電条１７を介
して半導体ペレット１２上の主電極１２ａに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に主電流を複数本のリードに分散させた半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は電子回路装置一般に使用さ
れ、大電流を制御するスイッチング素子としても多用さ
れている。この種半導体装置の一例を図４から説明す
る。図において、１は半導体ペレットで、図示省略する
が裏面には主電流が流入または流出する主電極が形成さ
れている。そしてその表面には主電流が流出または流入
する大面積の主電極１ａと、主電流の開閉制御する小面
積の制御電極１ｂが形成されている。２は半導体ペレッ
ト１の裏面電極と電気的に接続されてマウントする放熱
板で、一側面から図示例では４本のリード３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄを平行に導出している。４ａ、４ｂ、４ｃは
一端が放熱板２の近傍に配置され平行に延びる３本のリ
ード、５はリード４と同様に一端が放熱板２の近傍に配
置され、リード４ｃと平行に延びる１本のリードを示
す。６ａ、６ｂ、６ｃは半導体ペレット１上の主電極１
ａと３本のリード４ａ、４ｂ、４ｃを電気的に接続する
ワイヤ、７は半導体ペレット１上の制御電極１ｂとを電
気的に接続する微小電流が流れるワイヤ、８は半導体ペ
レット１、各リード内端部を含む主要部分を被覆した樹
脂を示す。
【０００３】この半導体装置は、リード３ａ〜３ｄから
供給された主電流が放熱板２に接続された裏面電極から
半導体ペレット１内を通りペレット表面の主電極１ａか
らワイヤ６ａ〜６ｃを通りリード４ａ〜４ｃに分散され
る。ここでリード３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｃや放熱板２は
十分厚く、通電断面積も十分大きいため電気抵抗は無視
できる。そのため半導体ペレット１のオン抵抗とワイヤ
６ａ〜６ｃの電気抵抗で、半導体装置としてのオン抵抗
が決定される。ここで、ワイヤ６ａ〜６ｃとリード４ａ
〜４ｃとを熱圧着法や超音波接合法にて接続する場合、
ワイヤ径が直径０．５ｍｍ程度を越えると接続の際に半
導体ペレット１の電極１ａを損傷することがある。その
ため、小径のワイヤを複数本並列接続し電気抵抗を低下
させるようにしている。
【０００４】しかしながら半導体ペレット１内を通過し
た電流は、主電極１ａに到達し、ワイヤ６に流入する
が、ワイヤ６の接続位置が分散していると主電極１ａに
到達した主電流は薄い主電極１ａを面方向に移動してワ
イヤ６に流入する。そのため主電極１ａでも電気抵抗を
生じるため、多数本のワイヤ６で電流を分散させたとし
ても半導体装置としてのオン抵抗を低減させるには限界
があった。
【０００５】一方、特開平１１−３５４７０２号公報
（先行技術）には、図５に示す半導体装置が開示されて
いる。ここで図４と同一物には同一符号を付し重複する
説明を省略する。図において、９は、放熱板２にマウン
トされた半導体ペレット１上の主電極１ａのほぼ全面を
覆う形状、寸法の電極板、１０は電極板９の一側方から
導出され平行に延びる３本のリードで、このリード１０
ａ、１０ｂ、１０ｃは電極板９に一体接続されている。
１１はリード１０ｃと平行配置され、内端が制御電極１
ｂ上まで伸びる制御電極用リードを示す。電極板９と主
電極１ａとの間、制御電極用リード１１と制御電極１ｂ
との間は図示省略するがそれぞれ導電ペーストを用いて
電気的に接続されている。
【０００６】この半導体装置は主電極１ａと３本のリー
ド１０に一体接続された電極板９とを全面接触させてい
るため接続抵抗を最小にでき、主電極１ａ上の電流分布
のばらつきも抑えることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す半導体装置
は大電流を取り扱う半導体装置として好ましいが、リー
ド１０、１１の内端を半導体ペレット１上に位置させる
ため、放熱板２とは別設しなければならない。そのため
予め一方のリードを半導体ペレットの主電極と制御電極
に接続し、この半導体ペレットを放熱板上にマウントす
ることにより組み立てることができるが、作業が煩雑で
あった。また半導体ペレット１に接続されたリード１０
と放熱板２に接続されたリード３は半導体ペレット１を
放熱板２に接続することにより一体化するため、取扱中
に各リード３、１０に異なる力が作用すると半導体ペレ
ット１に不所望な力がかかり、半導体ペレット１を損傷
することもあった。
【０００８】また放熱板と各リード１０、１１とを離隔
した状態で一体形成し、両者を連結する連結部を屈曲加
工するなどして半導体ペレット１をマウントした後、各
リード１０、１１の内端を半導体ペレット１上に位置さ
せることもできるが加工が煩雑で、主電極１ａと電極板
９の接続も煩雑であるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、少なくとも上面に主電
流が流れる電極を有する半導体ペレットを放熱板上にマ
ウントし、前記半導体ペレット上の主電流が流れる電極
と、一端が放熱板の近傍に配置され主電流を分散して流
す複数本のリードとを導電材料からなる板状の導電条に
て電気的に接続し、半導体ペレットを含む主要部分を樹
脂にて被覆した半導体装置において、上記主電流を分散
して流す複数本のリードの内端部を共通接続したことを
特徴とする半導体装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による半導体装置は、主電
流が流れる複数本のリードの内端部を共通接続し、この
共通接続部分と半導体ペレット上の主電極とを導電条を
介して電気的に接続したことを特徴とするが、主電流を
分散して流す複数本のリード内端部の共通接続部分は、
一枚の導電材料をプレスまたはエッチングして一体に形
成したり、リード内端部を導電性橋絡部材で橋絡して共
通接続することができる。また本発明による半導体装置
は導電条と半導体ペレット上の電極間、または導電条と
主電流を分散して流す複数本のリード内端部を、導電ペ
ーストを介して電気的に接続することができる。導電条
とリードとを導電ペーストを介して電気的に接続する場
合、共通接続部分に凹部を形成しり、貫通穴を形成する
ことができる。またリードの共通接続部と導電条の重合
部分に係合、係止部を形成して、導電条をリードの共通
接続部に重合させると導電条の一端が半導体ペレットの
主電極上に位置決めされるようにすることができる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１から説明する。
図において、１２は半導体ペレットで、図示省略するが
裏面には主電流が流入または流出する主電極が形成され
ている。そしてその表面には主電流が流出または流入す
る大面積の主電極１２ａと、主電流の開閉制御する小面
積の制御電極１２ｂが形成されている。１３は半導体ペ
レット１２の裏面電極と電気的に接続されてマウントす
る放熱板で、一側面から図示例では４本のリード１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを平行に導出している。１
５ａ、１５ｂ、１５ｃは一端が放熱板１３の近傍に配置
され平行に延びる３本のリードで、各リードの一端部は
一体に接続されて橋絡している。１６はリード１５と同
様に一端が放熱板１３の近傍に配置され、リード１５ｃ
と平行に延びる１本のリードを示す。１７は半導体ペレ
ット１２上の主電極１２ａと３本のリード１５ａ、１５
ｂ、１５ｃを電気的に接続する導電条で、一端側は主電
極１２ａの全面をほぼ覆うように形成され、中間部が屈
曲成形されて他端側がリード１５の橋絡部１５ｄ上に重
合する。１８は半導体ペレット１２上の制御電極１２ｂ
とを電気的に接続する微小電流が流れるワイヤ、１９は
半導体ペレット１２、各リード内端部を含む主要部分を
被覆した樹脂を示す。
【００１２】この半導体装置は、例えば図２に示すリー
ドフレーム２０と図３に示す導電条１７を用いて製造さ
れる。このリードフレーム２０は導電材料からなる平板
をプレスまたはエッチングにより製造されたもので、矩
形状のフレーム２０ａの中央に放熱板１３を配置し、フ
レーム２０ａの対向する内壁から放熱板１３に向かって
リード１４ａ〜１４ｄと、リード１５ａ〜１５ｃ、１６
を延在させ、リード１４ａ〜１４ｄの内端を放熱板１３
に接続し、リード１５ａ〜１５ｃの内端部を導電条１７
で橋絡している。また図示省略するが一般的には各リー
ドの中間部をタイバで連結している。
【００１３】このフレーム２０ａは多数連結され、放熱
板１３に半導体ペレット１２をマウントするマウント作
業、半導体ペレットの主電極１２ａ上及び制御電極１２
ｂ上、リード１５ａ〜１５ｃの橋絡部１５ｄ上にそれぞ
れ導電ペースト（図示せず）を供給し、導電条１７にて
電気的に接続する作業、リード１６と半導体ペレット１
２の制御電極１２ｂとを電気的に接続する作業、半導体
ペレット１２を含むリードフレーム２０上の主要部分を
樹脂１９にて被覆する作業が順次なされ、樹脂１９から
露出したリードフレーム２０の不要部分を切断除去して
個々の半導体装置が製造される。
【００１４】個々のリード１５は橋絡部１５ｄがない場
合、それぞれの巾が狭いため粘稠性の導電ペーストを塗
布すると時間の経過とともに垂れ下がり、供給量が多い
場合には短時間でも垂れ下がるため導電ペーストの供給
制御が困難である。さらにリードの一端は自由端である
ため押下されると円弧を描いて変位し上下方向に変位す
ると同時に水平面方向のずれも生じるため、リードと導
電条１７の間で導電ペーストを擦り落とす力が作用す
る。
【００１５】これに対して、本発明による半導体装置で
は各リード１４、１５、１６がフレーム２０ａに連結さ
れ一体化したリードフレームを用いて製造することが出
来、樹脂モールド作業が完了するまでの製造工程で移動
中に各リードが相互に他のリードに影響を及ぼすことが
なく、導電条１７も両端の接続面積が広いため、半導体
ペレット１２やリード１５への接続作業が容易である。
またリード１５の一端を橋絡部１５ｄで橋絡しているた
め、導電ペーストの供給面積が広く導電ペーストの供給
量、供給位置が多少ずれても垂れ下がりを防止でき、導
電条１７を導電ペーストと密着させるために加圧しても
リード１５が変形しにくく３本のリード１５ａ〜１５ｃ
の一端部の高さのばらつきがないため、少量の導電ペー
ストで導電条１７を確実に接続することができ、リード
１５側の接続姿勢が安定するため導電条１７の位置ずれ
がなく、半導体ペレット１２の主電極１２ａ上の接続も
安定する。 また主電極１２ａとリード１５とを導電条
１７で接続する際に、リード１５の一端は橋絡部１５ｄ
によって連結されているため、導電条１７とリード１５
の接続面積は、橋絡部１５ｄがない場合に比して増大
し、例えばリード数が３本で、リード巾とリード間隔が
等しい場合には接続面積が約６６％増大しこれによって
導電条１７とリード１５の間の接続抵抗を低減できる。
導電条１７は主電極１２ａ上でもほぼ全面接続されるた
め電気抵抗を低減することが出来、これによって半導体
装置のオン抵抗を安定して低減することができる。また
リード１５を橋絡した橋絡部１５ｄはリード１５ａ〜１
５ｃに引抜力が作用した場合に樹脂に対して引抜を防止
する作用をするため、外形寸法が小型で樹脂内のリード
長さが十分とれない場合でも、リードの引抜強度を高め
ることが出来、小型で、太いリードを用いながら耐湿性
に優れた半導体装置を実現できる。
【００１６】この図１に示す半導体装置の橋絡部１５ｄ
はリード１５ａ〜１５ｃと一体物であるが、各リード１
５ａ〜１５ｃを独立して形成した後、帯状の橋絡部を溶
接、半田付けその他適切な方法で接続してもよい。この
場合にはリード１５の厚みと橋絡部の厚みが加算され厚
くなるが、リード１５と橋絡部の重合部分をそれそれ肉
薄にすることにより、厚みの増大を抑えることが出来
る。また橋絡部にその長手方向に連続または断続した凹
部または貫通穴を形成することが出来る。この凹部また
は貫通穴によって余剰の導電ペーストを吸収でき、橋絡
部と導電条の間を電気的に接着する導電ペーストの厚み
を薄くし安定接続することが出来る。また、導電条１７
と橋絡部１５ｄの間に互いに係合、係止して位置決めす
る位置決め部を形成することが出来る。この位置決め部
によって、リード上で位置決めされた導電条の他端を主
電極上で位置決めできる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明により低オン抵抗で
信頼性が高く製造が容易な半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による半導体装置の一例を示す要部断
面平面図
【図２】 図１に示す半導体装置の製造に用いられるリ
ードフレームの平面図
【図３】 図１に示す半導体装置の製造に用いられる導
電条の平面図
【図４】 電力用半導体装置の一例を示す要部断面平面
図
【図５】 本発明の前提となる半導体装置の要部断面平
面図
【符号の説明】
１２ 半導体ペレット １２ａ 主電極 １３ 放熱板 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ リード １５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ リード １７ 導電条 １９ 樹脂

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも上面に主電流が流れる電極を有
    する半導体ペレットを放熱板上にマウントし、前記半導
    体ペレット上の主電流が流れる電極と、一端が放熱板の
    近傍に配置され主電流を分散して流す複数本のリードと
    を導電材料からなる板状の導電条にて電気的に接続し、
    半導体ペレットを含む主要部分を樹脂にて被覆した半導
    体装置において、 上記主電流を分散して流す複数本のリードの内端部を共
    通接続したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】主電流を分散して流す複数本のリード内端
    部の共通接続部分を、一枚の導電材料をプレスまたはエ
    ッチングして一体形成したことを特徴とする請求項１に
    記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】主電流を分散して流す複数本のリード内端
    部を導電性橋絡部材で橋絡し共通接続したことを特徴と
    する請求項１に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】導電条と半導体ペレット上の電極とを導電
    ペーストを介して電気的に接続したことを特徴とする請
    求項１に記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】導電条と主電流を分散して流す複数本のリ
    ード内端部とを導電ペーストを介して電気的に接続した
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】共通接続部分に凹部を形成したことを特徴
    とする請求項５に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】共通接続部分に貫通穴を形成したことを特
    徴とする請求項５に記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】リードの共通接続部分に導電条の一端を半
    導体ペレットの主電極上に位置決めする位置決め部を形
    成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
JP2000286377A 2000-09-21 2000-09-21 半導体装置 Pending JP2002100723A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000286377A JP2002100723A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000286377A JP2002100723A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002100723A true JP2002100723A (ja) 2002-04-05

Family

ID=18770310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000286377A Pending JP2002100723A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002100723A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006094398A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd 圧力波発生装置
JP2006179704A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
JP2006324320A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2009038126A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2017005165A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 富士電機株式会社 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006094398A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd 圧力波発生装置
JP4525273B2 (ja) * 2004-09-27 2010-08-18 パナソニック電工株式会社 圧力波発生装置
JP2006179704A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
JP2006324320A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2009038126A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2017005165A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 富士電機株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7898080B2 (en) Power semiconductor device comprising a semiconductor chip stack and method for producing the same
JP2015530748A (ja) 低いオン抵抗を有する、垂直にスタックされたパワーｆｅｔ及び同期バックコンバータ
JP6673012B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5263334B2 (ja) バスバーモジュール
EP2728615A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2004200677A (ja) パワー半導体モジュールのためのケーシング
JPH10261756A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2009267054A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US11742279B2 (en) Semiconductor device
JP2002100723A (ja) 半導体装置
KR20180008877A (ko) 감소된 클립 변위로 반도체 다이를 장착하기 위한 도전성 클립을 갖는 리드 프레임
JP2020519027A (ja) 半導体モジュール
JP2006203048A (ja) 半導体装置
JP3176067U (ja) 半導体装置
JP4169882B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN111354709B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP7034043B2 (ja) パワーモジュール及びパワーモジュールを有する電気装置
JP2013143519A (ja) 接続子および樹脂封止型半導体装置
JP2001035983A (ja) 半導体装置
JP4329187B2 (ja) 半導体素子
US20210217721A1 (en) Semiconductor device
WO2022070768A1 (ja) 半導体装置
JPH0325965A (ja) 半導体装置
WO2023149107A1 (ja) 半導体装置
JP5048627B2 (ja) リードフレーム及び半導体装置