KR20180008877A - 감소된 클립 변위로 반도체 다이를 장착하기 위한 도전성 클립을 갖는 리드 프레임 - Google Patents

감소된 클립 변위로 반도체 다이를 장착하기 위한 도전성 클립을 갖는 리드 프레임 Download PDF

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KR20180008877A
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die
grooves
lead terminal
semiconductor die
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후이-잉 딩
펭니안 왕
타오 유
준-펭 리우
준-카이 바이
치-핑 펭
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비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
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    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/37155—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/37001—Core members of the connector
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    • H01L2224/37163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
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    • H01L2224/40499—Material of the auxiliary connecting means
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73263—Layer and strap connectors
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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    • H01L2224/83417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
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    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/83466—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8434—Bonding interfaces of the connector
    • H01L2224/84345—Shape, e.g. interlocking features
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84385—Shape, e.g. interlocking features
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92246—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a strap connector
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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Abstract

반도체 조립체는 하부 전기 접촉부 및 상부 전기 접촉부를 포함하는 반도체 다이를 포함한다. 하부 다이 패드를 갖는 리드 프레임은 상기 다이의 하부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된다. 상부 도전성 부재는 상기 다이의 상기 상부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 제1 부분을 갖는다. 리드 단자는 상기 도전성 부재의 제2 부분에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 표면 부분을 갖는다. 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및/또는 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에는 일련의 홈들이 배치된다. 패키징 재료는 상기 반도체 다이, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부를 밀봉한다.

Description

감소된 클립 변위로 반도체 다이를 장착하기 위한 도전성 클립을 갖는 리드 프레임
본 발명은 리드 프레임에 관한 것이다.
전기 산업의 급속한 성장으로 인해 크기는 더 작지만 여러 특징들/기능들을 지원하기 위해 고전력 아키텍처(architecture)에서 작동하는 전기 장치가 필요해졌다. 고전력 장치는 일반적으로 고전류를 지원하고 매우 높은 전력을 생성하므로 그 장치는 효율적인 발열 성능을 가져야 한다. 일반적인 2 단자 표면 실장형 단일(discrete) 전력 반도체 장치는, 반도체 다이 또는 칩의 음극(cathode)/저부 측이 실장된 리드 프레임과, 반도체 다이의 양극(anode)/상부 측에 연결되는 클립(clip)을 포함한다. 제조자들은 다이 상부의 얇은 금속 층을 리드 프레임의 리드에 연결하기 위해 금 와이어(wire) 또는 알루미늄 와이어 대신 고전력 장치용 도전성 클립을 사용하기 시작했다.
도전성 클립을 장치의 부품들에 부착하기 위한 클립 부착 공정은 통상적으로 클립 릴(reel)로부터 클립을 절단하는 단계, 클립 릴로부터 클립을 들어 올리는 단계, 및 클립을 다이 표면에 부착하는 단계를 포함한다. 그러나 도전성 클립을 사용하면, 반도체 패키지 제조의 어려움과 비용을 증가시키고 조립 시 시간 당 유닛 개수(units per hour)("UPH")를 감소시키는, 클립 이동과 같은 문제들이 발생한다.
본 발명은 감소된 클립 변위로 반도체 다이를 장착하기 위한 도전성 클립을 갖는 리드 프레임을 제공한다.
여기 개시된 주제의 일 측면에 따르면, 반도체 조립체는 하부 전기 접촉부 및 상부 전기 접촉부를 포함하는 반도체 다이를 포함한다. 하부 다이 패드를 갖는 리드 프레임은 상기 다이의 상기 하부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된다. 상부 도전성 부재는 상기 다이의 상기 상부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 제1 부분을 갖는다. 리드 단자는 상기 도전성 부재의 제2 부분에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 표면 부분을 갖는다. 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및/또는 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에는 일련의 홈들이 구비된다. 패키징 재료는 상기 반도체 다이, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부를 밀봉한다.
여기 개시된 주제의 다른 측면에 따르면, 반도체 조립체를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 도전성 접착제가 리드 프레임의 다이 패드에 도포된다. 반도체 다이는, 상기 반도체 다이의 하부 전극이 상기 도전성 접착제에 접촉하도록, 상기 다이 패드 상에 배치된다. 도전성 접착제는 상기 반도체 다이의 상부 전극에 도포된다. 리드 단자의 표면 부분에는 홈들의 패턴이 형성된다. 도전성 접착제는, 홈들이 형성된 리드 단자의 상기 표면 부분에 도포된다. 도전성 부재는, 상기 도전성 부재의 근위부가 상기 반도체 다이의 상기 상부 전극 상의 상기 도전성 접착제에 접촉하고 상기 도전성 부재의 원위부가 상기 홈들이 형성된 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 상의 상기 도전성 접착제에 접촉하도록, 배치된다. 상기 반도체 다이의 상기 상부 전극, 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및 상기 다이 패드 상의 상기 도전성 접착제가 리플로우하도록 열이 가해진다. 상기 반도체 칩, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부는 패키징 재료로 밀봉된다.
도 1은 반도체 칩 패키지의 일례의 단면도이다.
도 2a는 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 칩 반조립체(subassembly)의 평면도이고, 도 2b는 도전성 부재가 제 위치에 놓이고 땜납이 리플로우(reflow)를 거친 후의 칩 반조립체를 도시한다.
도 3은 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 칩 반조립체의 평면도로서, 여기서 땜납 리플로우 후에 접합 강도를 향상시키고 클립 변위(shifting)를 감소시키기 위해 리드 단자의 표면에 일련의 평행한 홈들(grooves)이 형성된다.
도 4는 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 또 다른 칩 반조립체의 평면도로서, 여기서 땜납 리플로우 후에 접합 강도를 향상시키고 클립 변위를 감소시키기 위해 리드 단자의 표면에 홈들의 격자 패턴(grid pattern)이 형성된다.
도 5는 전기적 접속을 제공하기 위한 클립을 갖는 반도체 패키지 조립체를 형성하는 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
반도체 다이(die) 및 도전성 클립을 포함하고 고전력 애플리케이션(applications)에 적합한 조립체를 제공하는 반도체 패키지 조립체가 제공된다. 클립 접합(bonding)은, 예를 들어 표면 실장 패키지(surface mount packages), 전원 패키지(power packages) 및 브리지 정류기 패키지(bridge rectifier packages)를 포함한 다수의 반도체 패키지 조립체에 사용된다. 일 실시예에서, 조립 공정은 일반적으로, 반도체 다이가 실장된 다이 패드 사이에 제1 접합부를 형성하는 단계와 반도체 다이와 클립의 도전성 부재 사이에 제2 접합부를 형성하는 단계를 포함한다. 제3 접합부가 도전성 부재와 리드 단자 - 이들은 공동으로 클립을 형성한다 - 사이에 형성된다. 제3 접합부를 형성하는 도전성 부재의 표면 및/또는 리드 단자의 표면에는 홈들이 형성되어 접합부의 강도를 향상시키고 그 후의 땜납 리플로우 공정 동안 클립 이동을 감소시킨다.
다음의 설명은 반도체 조립체 제조 공정의 실시예들의 완전한 이해를 위한 구체적인 세부 사항을 제공한다. 그러나, 통상의 기술자는 여기 기재된 조립체 및 공정이 이들 세부 사항 없이 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 다른 예들에서, 공지된 구조들 및 기능들은 여기에 기술된 실시예들의 설명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세히 도시되거나 설명되지 않았다.
반도체 칩 패키지(100)의 일 예가 도 1의 단면도에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 다이 또는 칩(110)은 리드 프레임(120)의 다이 패드(115) 상에 배치된다. 예를 들어, 다이(110)는 다이오드(diode), 과도 전압 억제 소자(transient voltage suppressor) 또는 LED와 같은 2 단자 장치(two terminal device)일 수 있다. 다이(110)는 땜납(140)을 사용하여 다이 패드(115)의 표면에 납땜되어 다이 패드(115)와 다이(110)의 하부 표면 상의 전극 간에 전기 접속을 형성한다. 마찬가지로, 다이(110)는, 다이(110)에 인접한 도전성 부재(125)의 단부의 표면에 땜납(145)을 사용하여 납땜된다. 땜납(145)은 도전성 부재(125)와 다이(110)의 상부 표면 상의 전극 간에 전기 접속을 형성한다. 다이(110)의 전극들은, 다이(110) 내의 대응하는 반도체 장치 구조체들과 전기적으로 접속된 금속 또는 다른 전기 전도성 재료의 노출된 영역들로부터 형성될 수 있다.
다이 패드(115) 및 도전성 부재(125)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈, 티타늄(Ti) 또는 이들 금속에 기초한 합금들과 같은 임의의 적합한 전기 전도성 재료로 형성될 수 있다.
다이(110)에서 먼, 도전성 부재(125)의 단부는 리드 단자(135)의 상부 표면(155)과 전기적으로 접속된 접촉면(130)을 갖는다. 땜납(150)은 접촉면(130)과 리드 단자(135)의 상부 표면(155) 사이의 접속을 형성하는 데 사용된다. 도전성 부재(125)와 리드 단자(135)는 도전성 클립을 형성한다.
패키징 인클로저(packaging enclosure, 170)가 반도체 장치의 구성 요소들 주위에 형성된다. 특히, 다이(110), 다이 패드(115), 도전성 부재(125), 땜납(140, 145, 150) 및 리드 프레임(120)과 리드 단자(135)의 일부분들이 장치에 적절하게 에폭시(epoxy) 또는 다른 적절한 화합물로 밀봉되거나(encapsulated) 포장(encased)된다.
패키지 조립 공정 중에, 클립은 다이(110)의 상부 표면 및 리드 단자(135)의 상부 표면 둘 다에 땜납을 배치함으로써 형성된다. 도전성 부재(115)가 땜납 위에 배치되어 다이(110)와 리드 단자(135)를 연결하는 다리 역할을 한다. 적절하게 배치된 후에, 땜납이 리플로우하도록 조립체는 노(furnace)에서 가열되며, 이에 따라 냉각 후에 도전성 부재(125)가 제 위치에 고정된다.
조립 공정 중에 때때로 발생하는 한 가지 문제점은, 리플로우 후에 도전성 부재(125)의 위치가 그것이 배치된 지정 위치로부터 이동한다는 것이다. 이 문제점은 도 2a 및 2b를 참조하여 설명된다. 도 2a는 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 칩 반조립체의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 땜납 페이스트(180)가 다이(110)의 상부 표면과 리드 단자(135)의 상부 표면 모두에 도포되어 있다. 도 2b는 도전성 부재(125)가 제 위치에 놓이고 땜납이 리플로우를 거친 후의 칩 반조립체를 도시한다. 이 경우, 도전성 부재(125)는 리플로우 전의 위치로부터 거리 d만큼 x 방향(즉, 도 1에 도시된 지점 A와 지점 B를 연결하는 선을 따르는 방향)으로 이동하였다.
전술한 바와 같은 클립 이동(clip shifting)는 여러 가지 품질 문제를 야기할 수 있으며 장치 고장을 비롯하여 장치 성능 저하를 초래할 수 있다. 예를 들어, 장치 단락(shorting) 또는 높은 전류 누설(current leakage)과 같은 문제가 발생할 수 있다.
이론에 구애됨이 없이, 클립 이동은 도 1의 지점 A 및 지점 B에 형성된 접합부들 간 접합부 강도의 불균형에 기인하는 것 같다. 특히, 지점 A의 근위(proximal) 접합부는 도전성 부재(125), 땜납(145) 및 다이(110)에 의해 형성되고, 도전성 부재(125)가 구리로 형성되었다고 가정하면, 구리 층, 땜납 층 및 칩 금속(예컨대 Au)으로 구성된다. 한편, 지점 B의 원위(distal) 접합부는 도전성 부재(125), 땜납 및 리드 단자(135)에 의해 형성되고, 리드 단자(135)도 구리로 형성된다고 가정하면, 구리 층, 땜납 층 및 구리 층으로 구성된다. 두 개의 접합부가 형성되는 서로 다른 재료는 서로 다른 접합부 강도를 초래한다.
종래의 칩 조립 공정에서, 클립 이동은 공정 조건을 조정함으로써 때때로 제어된다. 예를 들어, 사용되는 땜납 페이스트의 부피와 땜납 리플로우 온도 프로파일(soldering reflow temperature profile)이 칩 이동이 감소되도록 조정된다. 그러나 다른 문제들 중에서 이러한 기법들은 시간 경과에 따른 불일치 - 패키지마다 구조적 차이들을 발생시키는 - 를 겪을 수도 있다.
공정 조건을 조정하는 대신에, 여기에 설명된 공정은 원위 접합부가 형성되는 도전성 부재(125) 및/또는 리드 단자(135)의 표면에 형성된 홈들을 사용한다. 홈들은 임의의 여러 상이한 프로파일을 가질 수 있으며, 예를 들어 V 자형 또는 U 자형일 수 있다. 또한, 홈들은 상이한 방식들로 패터닝 될 수 있으며, 예를 들어 평행선들의 패턴, 수평 및 수직선들의 격자, 평행선들을 포함하는 마름모꼴(rhomboid) 패턴, 불규칙하거나 비주기적인(nonperiodic) 패턴 등을 형성할 수 있다. 이러한 홈들은 도전성 부재(125)가 그것이 배치된 위치에 유지되도록 클립 프레임의 이동을 효과적으로 제어할 수 있다.
도 2a와 유사하게, 도 3은 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 칩 반조립체의 평면도이다. 이 경우, 원위 접합부(B)를 형성하는 리드 단자(135)의 표면에는 평행선들의 패턴을 형성하는 홈들(165)이 형성되어 있다. 도 4는 도전성 부재가 제 위치에 놓이기 전의 칩 반조립체 - 여기서 홈들(165)이 격자 패턴을 형성한다 - 의 또 다른 평면도이다.
전술한 바와 같이 홈들을 사용하여 달성될 수 있는 클립 이동의 감소는 다양한 패키지 조립체 응용물들(applications)에서 보여졌다. 예를 들면, 다수의 반도체 칩 패키지들이 형성된 하나의 공정에서, 도전성 부재가 다이에 놓여진 시각과 홈이 형성된(grooved) 표면을 사용하지 않은 리플로우 후의 시각 사이의 전도성 부재의 이동은 약 2.52 밀(mil) 내지 7.81 밀 사이의 범위에 있는 것으로 나타났다. 그러나, 평행한 홈들의 패턴이 도전성 부재의 표면에 형성되었을 때, 이동은 약 -1.19 밀과 4.21 밀 사이로 감소되었다. 마찬가지로, 홈들의 격자 패턴이 사용되었을 때, 이동은 약 -1.41 밀과 3.30 밀 사이로 감소되었다.
도 5는 전기적 접속을 제공하기 위한 클립을 갖는 반도체 패키지 조립체를 형성하는 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 조립 공정은 리드 프레임을 형성하는 단계와 클립 구조체를 형성하는 단계 - 이는 도전성 부재에 전기적으로 및 기계적으로 연결될 리드 단자의 표면에 홈들을 형성하는 단계를 포함한다 - 를 포함하며, 도전성 부재는 이어서 반도체 다이 상의 전극에 전기적으로 및 기계적으로 연결된다.
블록(405)에서, 땜납이 리드 프레임(120)의 다이 패드(115)의 하나 이상의 부분에 도포된다. 반도체 다이(110)의 제1 표면이 블록(410)에서 땜납 표면 상에 장착된다. 제1 표면은 다이의 저부 표면(bottom surface)일 수 있으나, 다른 실시예들에서는 그렇게 한정되지 않는다. 저부 표면은 장치에 적절하게 다이의 양극(anode) 또는 음극(cathode) 중 하나일 수 있다. 다음으로, 블록(415)에서, 땜납이 다이(110)의 제2 표면에 도포된다. 제2 표면은 다이의 상부 표면(top surface)일 수 있으나, 다른 실시예들에서는 그렇게 한정되지 않는다. 상부 표면은 장치에 적절하게 다이의 양극 또는 음극 중 하나일 수 있다. 또한, 블록(420)에서, 땜납이 리드 단자(135)의 홈이 형성된(grooved) 상부 표면에 도포된다. 도전성 부재(125)가 다이(110) 및 리드 단자(135)상의 땜납 표면들 상에 장착된다. 도전성 부재(125)는 임의의 적절한 수단을 사용하여 다이 및 리드 단자 상에 적합하게 배치되거나 정렬될 수 있다. 결과적인 조립체는 블록(425)에서 땜납이 리플로우를 거치도록 하기 위해 가열된다. 전술한 반도체 조립체 공정은 다이를 장치의 다른 구성 요소들에 접합하기 위해 땜납을 사용하지만, 대안적인 실시예들은 장치에 적절하게 장치의 다른 구성 요소들에 다이를 접합하기 위해 다른 도전성 접착제 화합물을 사용할 수 있다.
마지막으로, 블록(430)에서, 반도체 장치의 구성 요소들 주위에 패키징 인클로저(packaging enclosure)가 형성된다. 인클로저를 형성하는 단계는 도전성 다이(110), 다이 패드(115), 도전성 부재(125) 및 원위 접합부(B)를 포함하는 리드 단자(135)를, 장치에 적절하도록 공정들을 사용하여, 에폭시 또는 다른 적절한 화합물에 밀봉하거나 포장하는 단계를 포함한다.
"상측에(above)", "상부(upper)", "하측에(beneath)", "하측(below)", "하부(lower)" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 바와 같이 한 구성 요소(element) 또는 특징(feature)의 또 다른 구성 요소(들) 또는 특징(들)에 대한 관계를 쉽게 설명하기 위해 여기에서 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 바와 같은 방향(orientation)뿐만 아니라 사용 중 또는 작동 중인 장치의 상이한 방향들을 포함하도록 의도되었음을 이해할 것이다. 예를 들어, 도면의 장치가 반전된다면, 다른 구성 요소들 또는 특징들의 "하측(below)" 또는 "하측에(beneath)"로 기술된 구성 요소들은 다른 구성 요소들 또는 특징들의 "상측에(above)" 배향될 것이다. 따라서, 예시적인 용어 "상측에(above)"는 상측 및 하측을 둘 다 포함할 수 있다.

Claims (21)

  1. 하부 전기 접촉부 및 상부 전기 접촉부를 포함하는 반도체 다이;
    상기 다이의 상기 하부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 하부 다이 패드를 갖는 리드 프레임;
    상기 다이의 상기 상부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 제1 부분을 갖는 상부 도전성 부재;
    상기 도전성 부재의 제2 부분에 전기적으로 및 기계적으로 연결된 표면 부분을 가지는 리드 단자로서, 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및/또는 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에는 일련의 홈들이 구비된, 상기 리드 단자; 및
    상기 반도체 다이, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부를 밀봉하는 패키징 재료
    를 포함하는,
    반도체 조립체.
  2. 제1항에서,
    상기 일련의 홈들은 상기 리드 단자의 상기 표면 부분에 구비되는, 반도체 조립체.
  3. 제1항에서,
    상기 일련의 홈들은 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에 구비되는, 반도체 조립체.
  4. 제1항에서,
    상기 홈들은 V 자형 프로파일을 갖는, 반도체 조립체.
  5. 제1항에서,
    상기 일련의 홈들은 평행선들의 패턴을 형성하는, 반도체 조립체.
  6. 제1항에서,
    상기 일련의 홈들은 격자 패턴을 형성하는, 반도체 조립체.
  7. 제1항에서,
    상기 리드 단자의 상기 표면 부분을 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에 전기적으로 및 기계적으로 연결하는 제1 도전성 접착제 화합물을 더 포함하는, 반도체 조립체.
  8. 제7항에서,
    상기 도전성 부재의 상기 제1 부분을 상기 다이의 상기 상부 전기 접촉부에 전기적으로 및 기계적으로 연결하는 제2 도전성 접착제 화합물을 더 포함하는, 반도체 조립체.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 도전성 접착제 화합물 및 상기 제2 도전성 접착제 화합물은 땜납을 포함하는, 반도체 조립체.
  10. 제1항에서,
    상기 반도체 다이는 다이오드인, 반도체 조립체.
  11. 제1항에서,
    상기 반도체 다이는 과도 전압 억제 소자(transient voltage suppressor)인, 반도체 조립체.
  12. 제1항에서,
    상기 반도체 다이는 LED인, 반도체 조립체.
  13. 반도체 조립체를 형성하는 방법으로서,
    리드 프레임의 다이 패드에 땜납을 도포하는 단계;
    반도체 다이의 하부 전극이 상기 땜납에 접촉하도록 상기 다이 패드 상에 상기 반도체 다이를 배치하는 단계;
    상기 반도체 다이의 상부 전극에 땜납을 도포하는 단계;
    리드 단자의 표면 부분에 홈들의 패턴을 형성하는 단계;
    상기 홈들이 형성된 상기 리드 단자의 상기 표면 부분에 땜납을 도포하는 단계;
    도전성 부재를 배치하는 단계로서, 상기 도전성 부재의 근위부(proximal portion)가 상기 반도체 다이의 상기 상부 전극에 접촉하고 상기 도전성 부재의 원위부(distal portion)가 상기 홈들이 형성된 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 상의 상기 땜납에 접촉하도록, 상기 도전성 부재를 배치하는 단계;
    상기 반도체 다이의 상기 상부 전극, 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및 상기 다이 패드 상의 상기 땜납이 리플로우하도록 열을 가하는 단계; 및
    상기 반도체 칩, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부를 패키징 재료로 밀봉하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 일련의 홈들은 상기 리드 단자의 상기 표면 부분에 형성되는, 방법.
  15. 제13항에서,
    상기 일련의 홈들은 상기 도전성 부재의 상기 제2 부분에 형성되는, 방법.
  16. 제13항에서,
    상기 홈들은 V 자형 프로파일을 갖는, 방법.
  17. 제13항에서,
    상기 일련의 홈들은 평행선들의 패턴을 형성하는, 방법.
  18. 제13항에서,
    상기 일련의 홈들은 격자 패턴을 형성하는, 방법.
  19. 반도체 조립체를 형성하는 방법으로서,
    리드 프레임의 다이 패드에 도전성 접착제를 도포하는 단계;
    반도체 다이의 하부 전극이 상기 도전성 접착제에 접촉하도록 상기 다이 패드 상에 상기 반도체 다이를 배치하는 단계;
    상기 반도체 다이의 상부 전극에 도전성 접착제를 도포하는 단계;
    리드 단자의 표면 부분에 홈들의 패턴을 형성하는 단계;
    상기 홈들이 형성된 상기 리드 단자의 상기 표면 부분에 도전성 접착제를 도포하는 단계;
    도전성 부재를 배치하는 단계로서, 상기 도전성 부재의 근위부가 상기 반도체 다이의 상기 상부 전극 상의 상기 도전성 접착제에 접촉하고 상기 도전성 부재의 원위부가 상기 홈들이 형성된 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 상의 상기 도전성 접착제에 접촉하도록, 상기 도전성 부재를 배치하는 단계;
    상기 반도체 다이의 상기 상부 전극, 상기 리드 단자의 상기 표면 부분 및 상기 다이 패드 상의 상기 도전성 접착제가 리플로우하도록 열을 가하는 단계; 및
    상기 반도체 칩, 상기 리드 프레임의 적어도 일부, 상기 상부 도전성 부재의 적어도 일부 및 상기 리드 단자의 적어도 일부를 패키징 재료로 밀봉하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 홈들의 패턴은 일련의 평행한 홈들을 포함하는, 방법.
  21. 제19항에서,
    상기 홈들의 패턴은 격자 패턴을 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3503179A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-26 Nexperia B.V. Electronic device
US10964628B2 (en) * 2019-02-21 2021-03-30 Infineon Technologies Ag Clip frame assembly, semiconductor package having a lead frame and a clip frame, and method of manufacture
US11515244B2 (en) * 2019-02-21 2022-11-29 Infineon Technologies Ag Clip frame assembly, semiconductor package having a lead frame and a clip frame, and method of manufacture
US11069600B2 (en) * 2019-05-24 2021-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor package with space efficient lead and die pad design
EP3996129A1 (en) * 2020-11-04 2022-05-11 Nexperia B.V. A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3706915A (en) * 1970-03-09 1972-12-19 Gen Electric Semiconductor device with low impedance bond
US4935803A (en) * 1988-09-09 1990-06-19 Motorola, Inc. Self-centering electrode for power devices
JPH10180478A (ja) * 1996-12-25 1998-07-07 Miyota Co Ltd 溶接方法及び表面実装型部品
JP2000260788A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Sharp Corp 半導体装置
US6521982B1 (en) * 2000-06-02 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Packaging high power integrated circuit devices
JP2001210775A (ja) * 2000-01-27 2001-08-03 Sony Corp リードフレーム、電子部品パッケージ、及びそれらの作製方法
JP3563387B2 (ja) * 2001-01-23 2004-09-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置用導電性硬化樹脂及び半導体装置
US7683464B2 (en) * 2005-09-13 2010-03-23 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor package having dimpled plate interconnections
JP2008140788A (ja) * 2006-11-29 2008-06-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP5090088B2 (ja) * 2007-07-05 2012-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7902657B2 (en) 2007-08-28 2011-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self locking and aligning clip structure for semiconductor die package
US7972906B2 (en) 2008-03-07 2011-07-05 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including exposed connections
US8274164B2 (en) * 2008-11-06 2012-09-25 Microsemi Corporation Less expensive high power plastic surface mount package
CN201466961U (zh) * 2009-06-10 2010-05-12 常州银河电器有限公司 一种整流器
US8564110B2 (en) * 2009-10-27 2013-10-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Power device with bottom source electrode
JP5556278B2 (ja) * 2010-03-18 2014-07-23 パナソニック株式会社 絶縁放熱基板およびその製造方法
US8513784B2 (en) * 2010-03-18 2013-08-20 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Multi-layer lead frame package and method of fabrication
JP5542627B2 (ja) * 2010-11-11 2014-07-09 新電元工業株式会社 接続板、接合構造及び半導体装置
US8883567B2 (en) * 2012-03-27 2014-11-11 Texas Instruments Incorporated Process of making a stacked semiconductor package having a clip
JP6161251B2 (ja) 2012-10-17 2017-07-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9041188B2 (en) * 2012-11-10 2015-05-26 Vishay General Semiconductor Llc Axial semiconductor package
CN103187383A (zh) * 2013-02-26 2013-07-03 山东迪一电子科技有限公司 一种肖特基二极管的封装结构
US9589929B2 (en) 2013-03-14 2017-03-07 Vishay-Siliconix Method for fabricating stack die package
JP6102670B2 (ja) * 2013-10-07 2017-03-29 豊田合成株式会社 発光装置

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