JP2002100504A - 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 - Google Patents
複合型半導体磁器材料を含む電子部品Info
- Publication number
- JP2002100504A JP2002100504A JP2000287917A JP2000287917A JP2002100504A JP 2002100504 A JP2002100504 A JP 2002100504A JP 2000287917 A JP2000287917 A JP 2000287917A JP 2000287917 A JP2000287917 A JP 2000287917A JP 2002100504 A JP2002100504 A JP 2002100504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic material
- powder
- semiconductor ceramic
- temperature
- thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ９６０℃以下の大気雰囲気で焼結しても、Ａ
ｇ１００％の内部電極を形成し、Ｂ定数を大きくする。 【解決手段】 ４０〜６０体積％の磁性体磁器材料と残
部が半導体磁器材料とにより形成された層を積層するこ
とにより基体１８が構成され、この基体１８の内部で所
定の高さ位置の平面内において互いに対向するように一
対の内部電極１４，１６が形成される。磁性体磁器材料
はＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体
磁器材料を７００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼
体粉末である。また半導体磁器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，
ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より
選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の
半導体磁器材料をその焼結温度より１００℃低い温度な
いしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉
末若しくは焼結体粉末である。
ｇ１００％の内部電極を形成し、Ｂ定数を大きくする。 【解決手段】 ４０〜６０体積％の磁性体磁器材料と残
部が半導体磁器材料とにより形成された層を積層するこ
とにより基体１８が構成され、この基体１８の内部で所
定の高さ位置の平面内において互いに対向するように一
対の内部電極１４，１６が形成される。磁性体磁器材料
はＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体
磁器材料を７００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼
体粉末である。また半導体磁器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，
ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より
選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の
半導体磁器材料をその焼結温度より１００℃低い温度な
いしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉
末若しくは焼結体粉末である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＯ等の金属酸
化物からなるスピネル構造の半導体磁器成分と、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトからなる磁性体磁器成分が混在
する複合型半導体磁器材料を含むＮＴＣサーミスタ等の
電子部品に関するものである。
化物からなるスピネル構造の半導体磁器成分と、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトからなる磁性体磁器成分が混在
する複合型半導体磁器材料を含むＮＴＣサーミスタ等の
電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーミスタ素体が少なくとも一対
の離間した内部電極を内装しかつ角部に丸みが形成さ
れ、このサーミスタ素体の外周面がガラス被膜により被
覆され、上記一対の内部電極のいずれかの一端部をサー
ミスタ素体の異なる外側面にそれぞれ露出させて、これ
らの内部電極がサーミスタ素体の両端に形成された外部
電極にそれぞれ電気的に接続されたチップ型サーミスタ
が知られている（特開平５−２８３２０７号）。このチ
ップ型サーミスタでは、サーミスタ素体の角部の欠け易
い点が改善され、外部電極の相違によって抵抗値が影響
を受けないようになっている。
の離間した内部電極を内装しかつ角部に丸みが形成さ
れ、このサーミスタ素体の外周面がガラス被膜により被
覆され、上記一対の内部電極のいずれかの一端部をサー
ミスタ素体の異なる外側面にそれぞれ露出させて、これ
らの内部電極がサーミスタ素体の両端に形成された外部
電極にそれぞれ電気的に接続されたチップ型サーミスタ
が知られている（特開平５−２８３２０７号）。このチ
ップ型サーミスタでは、サーミスタ素体の角部の欠け易
い点が改善され、外部電極の相違によって抵抗値が影響
を受けないようになっている。
【０００３】また上記サーミスタ素体は以下のようにし
て作製される。先ずマンガン，ニッケル，コバルト等の
酸化物粉末を混合・仮焼・粉砕してサーミスタ抵抗体材
料粉末を得た後に、この粉末にバインダを混合して成形
しサーミスタ抵抗体のグリーンシートを作製する。一
方、このグリーンシートにＡｇ，Ｐｄ，樹脂，溶剤等か
らなる電極材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグ
リーンシートを作製し、上記サーミスタ抵抗体のグリー
ンシートと内部電極膜付きのシートとを交互に積層して
グリーンシート積層体を作製する。次にこのグリーンシ
ート積層体を切断・焼成することにより、上記サーミス
タ素体が作製される。
て作製される。先ずマンガン，ニッケル，コバルト等の
酸化物粉末を混合・仮焼・粉砕してサーミスタ抵抗体材
料粉末を得た後に、この粉末にバインダを混合して成形
しサーミスタ抵抗体のグリーンシートを作製する。一
方、このグリーンシートにＡｇ，Ｐｄ，樹脂，溶剤等か
らなる電極材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグ
リーンシートを作製し、上記サーミスタ抵抗体のグリー
ンシートと内部電極膜付きのシートとを交互に積層して
グリーンシート積層体を作製する。次にこのグリーンシ
ート積層体を切断・焼成することにより、上記サーミス
タ素体が作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の特
開平５−２８３２０７号に示されるサーミスタ素体で
は、この素体のＢ定数を大きくするために、１０００℃
以上の高温で焼成する必要があるため、比抵抗が小さく
融点が９６０℃のＡｇのみを内部電極として用いること
ができない。このためＡｇに融点の高いＰｄを含有した
内部電極にしなければならず、内部電極の比抵抗が大き
くなる不具合があった。また、上記サーミスタ素体で
は、マンガン，ニッケル，コバルト等の酸化物粉末を成
形、積層、焼成してサーミスタ素体が作製されるため、
焼成時に粒子界面にマンガン等の本来の特性を損なう反
応生成物が比較的多く生じる欠点もあった。本発明の目
的は、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結しても、
Ａｇ１００％の内部電極を形成できるとともにＢ定数を
大きくすることができる、複合型半導体磁器材料を含む
電子部品を提供することにある。本発明の別の目的は、
被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少なく、所
期の半導体電子部品の電気特性が得られる、複合型半導
体磁器材料を含む電子部品を提供することにある。
開平５−２８３２０７号に示されるサーミスタ素体で
は、この素体のＢ定数を大きくするために、１０００℃
以上の高温で焼成する必要があるため、比抵抗が小さく
融点が９６０℃のＡｇのみを内部電極として用いること
ができない。このためＡｇに融点の高いＰｄを含有した
内部電極にしなければならず、内部電極の比抵抗が大き
くなる不具合があった。また、上記サーミスタ素体で
は、マンガン，ニッケル，コバルト等の酸化物粉末を成
形、積層、焼成してサーミスタ素体が作製されるため、
焼成時に粒子界面にマンガン等の本来の特性を損なう反
応生成物が比較的多く生じる欠点もあった。本発明の目
的は、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結しても、
Ａｇ１００％の内部電極を形成できるとともにＢ定数を
大きくすることができる、複合型半導体磁器材料を含む
電子部品を提供することにある。本発明の別の目的は、
被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少なく、所
期の半導体電子部品の電気特性が得られる、複合型半導
体磁器材料を含む電子部品を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１〜図３に示すように、４０〜６０体積％の磁性体磁
器材料と残部が半導体磁器材料とにより形成された層が
積層されてなる基体１８と、この基体１８の内部で所定
の高さ位置の平面内において互いに対向するように形成
された一対の内部電極１４，１６とを備えた複合型半導
体磁器材料を含む電子部品である。請求項２に係る発明
は、請求項１に係る発明であって、更に磁性体磁器材料
がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体
磁器材料を７００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼
体粉末であり、半導体磁器材料がＭｎＯ，ＣｏＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ば
れた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の半導
体磁器材料をその焼結温度より１００℃低い温度ないし
その焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉末若
しくは焼結体粉末であることを特徴とする。上記請求項
１又は２に記載された複合型半導体磁器材料を含む電子
部品では、複合型半導体磁器材料１１が、焼結温度より
１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼
成したＭｎＯ等の金属酸化物からなるスピネル構造の半
導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を骨材と
し、７００〜８００℃の温度で仮焼したＮｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料の仮焼体
粉末をマトリックス材として、両粉末を混合し焼成する
ことにより構成される。骨材の半導体磁器材料は予め焼
結温度又はそれに近い温度で焼成若しくは仮焼されるた
め第３混合粉末の焼成時にはその粒界における反応性が
抑制される。磁性体磁器材料は第３混合粉末の焼成時に
マトリックス材として上記骨材を分散状態で被包する。
これにより複合型半導体磁器材料１１は、半導体磁器材
料によりＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品１０の電
気特性（Ｂ定数の増大）が得られる。
図１〜図３に示すように、４０〜６０体積％の磁性体磁
器材料と残部が半導体磁器材料とにより形成された層が
積層されてなる基体１８と、この基体１８の内部で所定
の高さ位置の平面内において互いに対向するように形成
された一対の内部電極１４，１６とを備えた複合型半導
体磁器材料を含む電子部品である。請求項２に係る発明
は、請求項１に係る発明であって、更に磁性体磁器材料
がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体
磁器材料を７００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼
体粉末であり、半導体磁器材料がＭｎＯ，ＣｏＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ば
れた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の半導
体磁器材料をその焼結温度より１００℃低い温度ないし
その焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉末若
しくは焼結体粉末であることを特徴とする。上記請求項
１又は２に記載された複合型半導体磁器材料を含む電子
部品では、複合型半導体磁器材料１１が、焼結温度より
１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼
成したＭｎＯ等の金属酸化物からなるスピネル構造の半
導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を骨材と
し、７００〜８００℃の温度で仮焼したＮｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料の仮焼体
粉末をマトリックス材として、両粉末を混合し焼成する
ことにより構成される。骨材の半導体磁器材料は予め焼
結温度又はそれに近い温度で焼成若しくは仮焼されるた
め第３混合粉末の焼成時にはその粒界における反応性が
抑制される。磁性体磁器材料は第３混合粉末の焼成時に
マトリックス材として上記骨材を分散状態で被包する。
これにより複合型半導体磁器材料１１は、半導体磁器材
料によりＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品１０の電
気特性（Ｂ定数の増大）が得られる。
【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、更に図１及び図３に示すように、内
部電極１４，１６がＡｇ１００％からなることを特徴と
する。この請求項３に記載された複合型半導体磁器材料
を含む電子部品では、磁性体磁器材料の存在により低温
で焼結することができるので、Ａｇ１００％の内部電極
１４，１６を実現できる。
係る発明であって、更に図１及び図３に示すように、内
部電極１４，１６がＡｇ１００％からなることを特徴と
する。この請求項３に記載された複合型半導体磁器材料
を含む電子部品では、磁性体磁器材料の存在により低温
で焼結することができるので、Ａｇ１００％の内部電極
１４，１６を実現できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１に示すように、電子部品１０は
この実施の形態ではＮＴＣサーミスタである。このサー
ミスタ１０は４０〜６０体積％の磁性体磁器材料と残部
が半導体磁器材料とにより形成された層が積層されてな
る基体１８と、この基体１８の内部で所定の高さ位置の
平面内において互いに対向するように形成された一対の
内部電極１４，１６とを備えた複合型半導体磁器材料を
含む。上記磁性体磁器材料はＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェラ
イトを主成分とする磁性体磁器材料を７００〜８００℃
の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、上記半導体磁
器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及
びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化
物からなるスピネル構造の半導体磁器材料をその焼結温
度より１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若し
くは焼成してなる仮焼体粉末若しくは焼結体粉末であ
る。このＮＴＣサーミスタ１０の製造方法を図４に基づ
いて説明する。
基づいて説明する。図１に示すように、電子部品１０は
この実施の形態ではＮＴＣサーミスタである。このサー
ミスタ１０は４０〜６０体積％の磁性体磁器材料と残部
が半導体磁器材料とにより形成された層が積層されてな
る基体１８と、この基体１８の内部で所定の高さ位置の
平面内において互いに対向するように形成された一対の
内部電極１４，１６とを備えた複合型半導体磁器材料を
含む。上記磁性体磁器材料はＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェラ
イトを主成分とする磁性体磁器材料を７００〜８００℃
の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、上記半導体磁
器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及
びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化
物からなるスピネル構造の半導体磁器材料をその焼結温
度より１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若し
くは焼成してなる仮焼体粉末若しくは焼結体粉末であ
る。このＮＴＣサーミスタ１０の製造方法を図４に基づ
いて説明する。
【０００８】(a) 半導体磁器材料（骨材）の製造方法 半導体磁器材料は、Ｍｎ酸化物（ＭｎＯ）粉末，Ｃｏ酸
化物（ＣｏＯ）粉末，Ｎｉ酸化物（ＮｉＯ）粉末，Ｃｕ
酸化物（ＣｕＯ）粉末、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末及
びＡｌ酸化物（Ａｌ2Ｏ3）粉末からなる群より選ばれた
２種以上を主な原料粉末とする。原料粉末にはＢ定数及
び抵抗率の調整又は誘電率の減少の目的で上記金属元素
以外の他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ等）を含有
させることもできる。上記原料粉末を湿式又は乾式で所
定の割合で混合し第１混合粉末を得る。得られた第１混
合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成
形する。この成形体を大気雰囲気でその焼結温度より１
００℃、好ましくは５０℃低い温度で仮焼するか、或い
はその焼結温度で焼成して金属酸化物の仮焼体若しくは
焼結体を作製する。上記仮焼温度若しくは焼成温度は原
料粉末の組成に応じて変化するが、例えば１０００〜１
４００℃である。焼結温度より１００℃低くてもよいの
は、後述する第３混合粉末で焼成するときにこの温度で
あってもこの仮焼体粉末の粒界での反応性を抑えられる
からである。
化物（ＣｏＯ）粉末，Ｎｉ酸化物（ＮｉＯ）粉末，Ｃｕ
酸化物（ＣｕＯ）粉末、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末及
びＡｌ酸化物（Ａｌ2Ｏ3）粉末からなる群より選ばれた
２種以上を主な原料粉末とする。原料粉末にはＢ定数及
び抵抗率の調整又は誘電率の減少の目的で上記金属元素
以外の他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ等）を含有
させることもできる。上記原料粉末を湿式又は乾式で所
定の割合で混合し第１混合粉末を得る。得られた第１混
合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成
形する。この成形体を大気雰囲気でその焼結温度より１
００℃、好ましくは５０℃低い温度で仮焼するか、或い
はその焼結温度で焼成して金属酸化物の仮焼体若しくは
焼結体を作製する。上記仮焼温度若しくは焼成温度は原
料粉末の組成に応じて変化するが、例えば１０００〜１
４００℃である。焼結温度より１００℃低くてもよいの
は、後述する第３混合粉末で焼成するときにこの温度で
あってもこの仮焼体粉末の粒界での反応性を抑えられる
からである。
【０００９】次いで得られた金属酸化物の仮焼体若しく
は焼結体をボールミル等で粉砕して篩い分けし所定の粒
径に揃えて骨材とする。この骨材の粒径は次に述べるマ
トリックス材の磁性体磁器材料粉末の粒径より大きくす
る。好ましくはマトリックス材より１桁程度大きくす
る。これは半導体磁器材料の粒径を磁性体磁器材料の粒
径より同等若しくは小さくすると、半導体磁器材料及び
磁性体磁器材料を混合して焼成したときに、焼結体であ
る複合型半導体磁器材料内に空隙が発生し、複合型半導
体磁器材料のクラック、歪みの原因となるからである。
この複合型半導体磁器材料により内部電極を有するＮＴ
Ｃ積層サーミスタを作製するには、平均粒径が１０μｍ
以下、好ましくは１μｍ〜６μｍの仮焼体若しくは焼結
体粉末からなる骨材にする。これは、ＮＴＣ積層サーミ
スタでは通常一層の厚さは２０μｍ以下であり、骨材の
平均粒径が１０μｍを越えると骨材とマトリックス材を
含んだ層を形成できないからである。
は焼結体をボールミル等で粉砕して篩い分けし所定の粒
径に揃えて骨材とする。この骨材の粒径は次に述べるマ
トリックス材の磁性体磁器材料粉末の粒径より大きくす
る。好ましくはマトリックス材より１桁程度大きくす
る。これは半導体磁器材料の粒径を磁性体磁器材料の粒
径より同等若しくは小さくすると、半導体磁器材料及び
磁性体磁器材料を混合して焼成したときに、焼結体であ
る複合型半導体磁器材料内に空隙が発生し、複合型半導
体磁器材料のクラック、歪みの原因となるからである。
この複合型半導体磁器材料により内部電極を有するＮＴ
Ｃ積層サーミスタを作製するには、平均粒径が１０μｍ
以下、好ましくは１μｍ〜６μｍの仮焼体若しくは焼結
体粉末からなる骨材にする。これは、ＮＴＣ積層サーミ
スタでは通常一層の厚さは２０μｍ以下であり、骨材の
平均粒径が１０μｍを越えると骨材とマトリックス材を
含んだ層を形成できないからである。
【００１０】(b) 磁性体磁器材料（マトリックス材）の
製造方法 Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁
器材料は、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末、Ｎｉ酸化物
（ＮｉＯ）粉末、Ｚｎ酸化物（ＺｎＯ）粉末及びＣｕ酸
化物（ＣｕＯ）を主な原料粉末とする。原料粉末には焼
結性の向上の目的で上記金属元素以外の他の元素（例え
ば、Ｍｇ、Ｃａ等）を含有させることもできる。上記原
料粉末を湿式又は乾式で所定の割合で混合し第２混合粉
末を得る。Ｆｅ2Ｏ3は４８〜５２モル％、ＮｉＯは１０
〜４０モル％、ＺｎＯは１０〜４０モル％及びＣｕＯは
１０〜３０モル％の割合で秤量される。得られた第２混
合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を得
て、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト仮焼体をボール
ミル等で粉砕して篩い分けし、骨材より小さい粒径のマ
トリックス材となる粉末状の磁性体磁器材料の仮焼体粉
末を得る。上記複合型半導体磁器材料により内部電極を
有するＮＴＣサーミスタを作製し、かつ骨材の平均粒径
を１〜１０μｍにするときには、上述した理由により、
磁性体磁器材料のマトリックス材の平均粒径を１μｍ未
満、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍにする。
製造方法 Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁
器材料は、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末、Ｎｉ酸化物
（ＮｉＯ）粉末、Ｚｎ酸化物（ＺｎＯ）粉末及びＣｕ酸
化物（ＣｕＯ）を主な原料粉末とする。原料粉末には焼
結性の向上の目的で上記金属元素以外の他の元素（例え
ば、Ｍｇ、Ｃａ等）を含有させることもできる。上記原
料粉末を湿式又は乾式で所定の割合で混合し第２混合粉
末を得る。Ｆｅ2Ｏ3は４８〜５２モル％、ＮｉＯは１０
〜４０モル％、ＺｎＯは１０〜４０モル％及びＣｕＯは
１０〜３０モル％の割合で秤量される。得られた第２混
合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を得
て、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト仮焼体をボール
ミル等で粉砕して篩い分けし、骨材より小さい粒径のマ
トリックス材となる粉末状の磁性体磁器材料の仮焼体粉
末を得る。上記複合型半導体磁器材料により内部電極を
有するＮＴＣサーミスタを作製し、かつ骨材の平均粒径
を１〜１０μｍにするときには、上述した理由により、
磁性体磁器材料のマトリックス材の平均粒径を１μｍ未
満、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍにする。
【００１１】(c) 複合型半導体磁器材料の製造方法 上記半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
骨材とし、上記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリッ
クス材として、両粉末を湿式又は乾式で混合して第３混
合粉末を得る。その混合割合は磁性体磁器材料が４０〜
６０体積％であり、残部が半導体磁器材料である。磁性
体磁器材料が４０体積％未満では得られた複合型半導体
磁器材料が多孔質になり実用上の強度が得られない上、
複合型半導体磁器材料をめっきしたときにめっき液が材
料内部に侵入するおそれがある。また６０体積％を越え
ると半導体磁器材料の割合が少な過ぎ、抵抗値が増大し
かつＢ定数が低下して、ＮＴＣサーミスタ等の半導体電
子部品としての電気特性（Ｂ定数の増大）を有する複合
型半導体磁器材料が得られない。半導体磁器材料及び磁
性体磁器材料の混合割合は、必要とする半導体電子部品
の特性に応じて上記範囲内から決定される。
骨材とし、上記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリッ
クス材として、両粉末を湿式又は乾式で混合して第３混
合粉末を得る。その混合割合は磁性体磁器材料が４０〜
６０体積％であり、残部が半導体磁器材料である。磁性
体磁器材料が４０体積％未満では得られた複合型半導体
磁器材料が多孔質になり実用上の強度が得られない上、
複合型半導体磁器材料をめっきしたときにめっき液が材
料内部に侵入するおそれがある。また６０体積％を越え
ると半導体磁器材料の割合が少な過ぎ、抵抗値が増大し
かつＢ定数が低下して、ＮＴＣサーミスタ等の半導体電
子部品としての電気特性（Ｂ定数の増大）を有する複合
型半導体磁器材料が得られない。半導体磁器材料及び磁
性体磁器材料の混合割合は、必要とする半導体電子部品
の特性に応じて上記範囲内から決定される。
【００１２】積層型の複合型半導体磁器材料を作製する
には、先ず第３混合粉末に分散剤、バインダ、可塑剤、
溶剤等を添加して混合し、グリーンシート形成用ペイン
ト（以下、シート用ペイントという）を調製する。次に
このシート用ペイントによりシートを作製した後に、こ
のシートを積層してグリーン状態の積層体を作製する。
得られたグリーン状態の積層体は９６０℃以下の温度の
大気雰囲気で焼成される。この焼成によりマトリックス
材の磁性体磁器材料が焼結体となり、この焼結体の内部
に、予め焼結若しくはほぼ焼結していた骨材の半導体磁
器材料が分散して本発明の複合型半導体磁器材料が得ら
れる。複合型半導体磁器材料の内部にＡｇを高比率で含
む導体が存在する場合、この焼成温度はＡｇの融点より
低いため、内部電極が損われず、かつ内部電極の比抵抗
を小さくすることができる。
には、先ず第３混合粉末に分散剤、バインダ、可塑剤、
溶剤等を添加して混合し、グリーンシート形成用ペイン
ト（以下、シート用ペイントという）を調製する。次に
このシート用ペイントによりシートを作製した後に、こ
のシートを積層してグリーン状態の積層体を作製する。
得られたグリーン状態の積層体は９６０℃以下の温度の
大気雰囲気で焼成される。この焼成によりマトリックス
材の磁性体磁器材料が焼結体となり、この焼結体の内部
に、予め焼結若しくはほぼ焼結していた骨材の半導体磁
器材料が分散して本発明の複合型半導体磁器材料が得ら
れる。複合型半導体磁器材料の内部にＡｇを高比率で含
む導体が存在する場合、この焼成温度はＡｇの融点より
低いため、内部電極が損われず、かつ内部電極の比抵抗
を小さくすることができる。
【００１３】なお、上記内部電極となる導電ペーストは
Ａｇに分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混
合して得られ、上記シート上にスクリーン印刷により所
定のパターンで積層される。更に、上記積層体１２の焼
成後、この焼結体１０の両端面にＡｇを主成分とする導
体ペーストを焼付けて一対の外部電極２１，２２を形成
し、これによりＮＴＣサーミスタ１０が得られる（図
１，図３及び図５）。このサーミスタ１０の等価回路を
図２に示す。
Ａｇに分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混
合して得られ、上記シート上にスクリーン印刷により所
定のパターンで積層される。更に、上記積層体１２の焼
成後、この焼結体１０の両端面にＡｇを主成分とする導
体ペーストを焼付けて一対の外部電極２１，２２を形成
し、これによりＮＴＣサーミスタ１０が得られる（図
１，図３及び図５）。このサーミスタ１０の等価回路を
図２に示す。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞先ず、ＭｎＯ粉末を４５モル％、ＣｏＯを
４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ秤量し、湿式
ミルにより混合した。この混合粉末にバインダを加えて
混練造粒し、所定の形状に成形した後、この成形体を１
３００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造
の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼結体をボー
ルミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が６μｍの半導体
磁器材料（骨材）粉末を作製した。一方、ＮｉＯを１５
モル％、ＺｎＯを２５モル％、ＣｕＯを１０モル％及び
Ｆｅ2Ｏ3粉末を５０モル％それぞれ秤量し、湿式ミルに
より混合した。この混合粉末を８００℃で４時間、大気
雰囲気で仮焼してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト仮焼体を
得た。この仮焼体をボールミルで粉砕して篩い分けし、
平均粒径が０．３μｍの磁性体磁器材料（マトリックス
材）粉末を作製した。次いで得られた半導体磁器材料
（骨材）粉末と磁性体磁器材料（マトリックス材）粉末
を６０体積％（骨材）／４０体積％（マトリックス材）
の体積比で湿式混合し、更にこの混合粉末に分散剤、バ
インダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合してシート用ペ
イントを調製した。このシート用ペイントによりシート
を作製した後に、このシートを積層してグリーン状態の
積層体を作製した。
説明する。 ＜実施例１＞先ず、ＭｎＯ粉末を４５モル％、ＣｏＯを
４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ秤量し、湿式
ミルにより混合した。この混合粉末にバインダを加えて
混練造粒し、所定の形状に成形した後、この成形体を１
３００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造
の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼結体をボー
ルミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が６μｍの半導体
磁器材料（骨材）粉末を作製した。一方、ＮｉＯを１５
モル％、ＺｎＯを２５モル％、ＣｕＯを１０モル％及び
Ｆｅ2Ｏ3粉末を５０モル％それぞれ秤量し、湿式ミルに
より混合した。この混合粉末を８００℃で４時間、大気
雰囲気で仮焼してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト仮焼体を
得た。この仮焼体をボールミルで粉砕して篩い分けし、
平均粒径が０．３μｍの磁性体磁器材料（マトリックス
材）粉末を作製した。次いで得られた半導体磁器材料
（骨材）粉末と磁性体磁器材料（マトリックス材）粉末
を６０体積％（骨材）／４０体積％（マトリックス材）
の体積比で湿式混合し、更にこの混合粉末に分散剤、バ
インダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合してシート用ペ
イントを調製した。このシート用ペイントによりシート
を作製した後に、このシートを積層してグリーン状態の
積層体を作製した。
【００１５】上記グリーン状態の積層体の形成方法を図
３に基づいて説明する。図３(a-1)〜(e-1)は積層過程の
上面図であり、図３(a-2)〜(e-2)は積層過程の図３(a-
1)〜(e-1)におけるＡ−Ａ線断面図である。先ず図３(a-
1)〜(a-2)に示すように、シートからなるベース部１３
を用意した。このベース部１３はグリーン状態の積層体
１２の第１層目となる。次いでベース部１３上に導電ペ
ーストにより導体膜１４を所定のパターンで印刷積層し
て形成した（図３(b-1)〜(b-3)）。その上にシートを積
層して中間部１５を形成した（図３(c-1)〜(c-3)）。こ
の中間部１５の上に導電ペーストにより導体膜１６を所
定のパターンで印刷積層して形成した（図３(d-1)〜(d-
3)）。このとき導電膜１４と導電膜１６は互いに平行に
なるように形成した。その上にシートを積層してグリー
ン状態の積層体１２の最上層であるアッパ部１７を形成
した（図３(e-1)〜(e-3)）。このようにしてグリーン状
態の積層体１２を形成した。上記グリーン状態の積層体
を９００℃の温度の大気雰囲気で焼成した後に、この焼
結体１１の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを
焼付けて一対の外部電極２１，２２を形成した（図１及
び図３）。これによりＮＴＣサーミスタ１０を得た。こ
のサーミスタ１０を実施例１とした。
３に基づいて説明する。図３(a-1)〜(e-1)は積層過程の
上面図であり、図３(a-2)〜(e-2)は積層過程の図３(a-
1)〜(e-1)におけるＡ−Ａ線断面図である。先ず図３(a-
1)〜(a-2)に示すように、シートからなるベース部１３
を用意した。このベース部１３はグリーン状態の積層体
１２の第１層目となる。次いでベース部１３上に導電ペ
ーストにより導体膜１４を所定のパターンで印刷積層し
て形成した（図３(b-1)〜(b-3)）。その上にシートを積
層して中間部１５を形成した（図３(c-1)〜(c-3)）。こ
の中間部１５の上に導電ペーストにより導体膜１６を所
定のパターンで印刷積層して形成した（図３(d-1)〜(d-
3)）。このとき導電膜１４と導電膜１６は互いに平行に
なるように形成した。その上にシートを積層してグリー
ン状態の積層体１２の最上層であるアッパ部１７を形成
した（図３(e-1)〜(e-3)）。このようにしてグリーン状
態の積層体１２を形成した。上記グリーン状態の積層体
を９００℃の温度の大気雰囲気で焼成した後に、この焼
結体１１の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを
焼付けて一対の外部電極２１，２２を形成した（図１及
び図３）。これによりＮＴＣサーミスタ１０を得た。こ
のサーミスタ１０を実施例１とした。
【００１６】＜実施例２＞ＭｎＯ粉末を２９モル％、Ｃ
ｏＯを４４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ3/2換算で
２７モル％それぞれ秤量して混合・混練造粒・成形・焼
成してスピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た
ことを除いて、実施例１と同様にしてＮＴＣサーミスタ
を作製した。このサーミスタを実施例２とした。
ｏＯを４４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ3/2換算で
２７モル％それぞれ秤量して混合・混練造粒・成形・焼
成してスピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た
ことを除いて、実施例１と同様にしてＮＴＣサーミスタ
を作製した。このサーミスタを実施例２とした。
【００１７】＜比較例１＞先ずＭｎＯ粉末を４５モル
％、ＣｏＯを４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ
秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合粉末にバイ
ンダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形した後、こ
の成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してス
ピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼
結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が２μ
ｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこの粉末に分
散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合してシ
ート用ペイントを調製した。このシート用ペイントによ
りシートを作製した後に、このシートを積層してグリー
ン状態の積層体を作製した。更に上記グリーン状態の積
層体を９８０℃の温度の大気雰囲気で焼成した後に、こ
の焼結体の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを
焼付けて一対の外部電極を形成した。これによりＮＴＣ
サーミスタを得た。このサーミスタを比較例１とした。
％、ＣｏＯを４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ
秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合粉末にバイ
ンダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形した後、こ
の成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してス
ピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼
結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が２μ
ｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこの粉末に分
散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合してシ
ート用ペイントを調製した。このシート用ペイントによ
りシートを作製した後に、このシートを積層してグリー
ン状態の積層体を作製した。更に上記グリーン状態の積
層体を９８０℃の温度の大気雰囲気で焼成した後に、こ
の焼結体の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを
焼付けて一対の外部電極を形成した。これによりＮＴＣ
サーミスタを得た。このサーミスタを比較例１とした。
【００１８】＜比較例２＞先ずＭｎＯ粉末を２９モル
％、ＣｏＯを４４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ 3/2
換算で２７モル％それぞれ秤量し、湿式ミルにより混合
した。この混合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所
定の形状に成形した後、この成形体を８００℃で４時
間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造の金属酸化物か
らなる焼結体を得た。この焼結体をボールミルで粉砕し
て篩い分けし平均粒径が２μｍの半導体磁器材料粉末を
作製した。次にこの粉末に分散剤、バインダ、可塑剤、
溶剤等を添加して混合してシート用ペイントを調製し
た。このシート用ペイントによりシートを作製した後
に、このシートを積層してグリーン状態の積層体を作製
した。更に上記グリーン状態の積層体を１２５０℃の温
度の大気雰囲気で焼成した後に、この焼結体の両端面に
Ａｇを主成分とする導体ペーストを焼付けて一対の外部
電極を形成した。これによりＮＴＣサーミスタを得た。
このサーミスタを比較例２とした。
％、ＣｏＯを４４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ 3/2
換算で２７モル％それぞれ秤量し、湿式ミルにより混合
した。この混合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所
定の形状に成形した後、この成形体を８００℃で４時
間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造の金属酸化物か
らなる焼結体を得た。この焼結体をボールミルで粉砕し
て篩い分けし平均粒径が２μｍの半導体磁器材料粉末を
作製した。次にこの粉末に分散剤、バインダ、可塑剤、
溶剤等を添加して混合してシート用ペイントを調製し
た。このシート用ペイントによりシートを作製した後
に、このシートを積層してグリーン状態の積層体を作製
した。更に上記グリーン状態の積層体を１２５０℃の温
度の大気雰囲気で焼成した後に、この焼結体の両端面に
Ａｇを主成分とする導体ペーストを焼付けて一対の外部
電極を形成した。これによりＮＴＣサーミスタを得た。
このサーミスタを比較例２とした。
【００１９】＜比較試験及び評価＞実施例１，２と比較
例１，２のＮＴＣサーミスタの抵抗値及びＢ定数を測定
した。その結果を骨材及びマトリックス材の混合割合及
び焼成温度とともに表１にそれぞれ示す。なお、実施例
１及び比較例１の抵抗値が同一になるように、また実施
例２及び比較例２の抵抗値が同一になるようにそれぞれ
の内部電極の形状を変更した。
例１，２のＮＴＣサーミスタの抵抗値及びＢ定数を測定
した。その結果を骨材及びマトリックス材の混合割合及
び焼成温度とともに表１にそれぞれ示す。なお、実施例
１及び比較例１の抵抗値が同一になるように、また実施
例２及び比較例２の抵抗値が同一になるようにそれぞれ
の内部電極の形状を変更した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１及び２
のＮＴＣサーミスタは比較例１及び２のＮＴＣサーミス
タと同等の抵抗値及びＢ定数を示し、かつ比較例１及び
２より低い９００℃程度の大気雰囲気で焼成することに
より得られた。これにより内部電極を比抵抗の小さいＡ
ｇで形成でき、Ａｇ１００％の内部電極を有するＮＴＣ
サーミスタが製造可能となる。
のＮＴＣサーミスタは比較例１及び２のＮＴＣサーミス
タと同等の抵抗値及びＢ定数を示し、かつ比較例１及び
２より低い９００℃程度の大気雰囲気で焼成することに
より得られた。これにより内部電極を比抵抗の小さいＡ
ｇで形成でき、Ａｇ１００％の内部電極を有するＮＴＣ
サーミスタが製造可能となる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の電子部品に
よれば、半導体磁器材料の存在によりＮＴＣサーミスタ
等の半導体電子部品の電気特性が得られ、磁性体磁器材
料の存在により低温焼結を実現できる。これにより、大
気雰囲気中９６０℃以下の温度で焼成してＡｇ１００％
の内部電極を形成できる。また予め焼結若しくはほぼ焼
結した半導体磁器材料を骨材にすることにより、第３混
合粉末の焼成時にその粒界における反応生成物が比較的
少なくすることができ、所期の半導体電子部品の電気特
性（Ｂ定数の増大）が得られる。
よれば、半導体磁器材料の存在によりＮＴＣサーミスタ
等の半導体電子部品の電気特性が得られ、磁性体磁器材
料の存在により低温焼結を実現できる。これにより、大
気雰囲気中９６０℃以下の温度で焼成してＡｇ１００％
の内部電極を形成できる。また予め焼結若しくはほぼ焼
結した半導体磁器材料を骨材にすることにより、第３混
合粉末の焼成時にその粒界における反応生成物が比較的
少なくすることができ、所期の半導体電子部品の電気特
性（Ｂ定数の増大）が得られる。
【図１】本発明実施形態及び実施例１のＮＴＣサーミス
タの縦断面図。
タの縦断面図。
【図２】その等価回路図。
【図３】実施例１のＮＴＣサーミスタを製造する工程を
示す図。
示す図。
【図４】本発明実施形態のＮＴＣサーミスタの製造工程
を示すブロック線図。
を示すブロック線図。
【図５】本発明実施形態のＮＴＣサーミスタの外観斜視
図。
図。
１０ ＮＴＣサーミスタ（複合型半導体電子部品） １１ 焼結体（複合型半導体磁器材料） １２ 積層体 １４，１６ 導電膜（内部電極） １８ 基体 ２１，２２ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA28 AB02 AC01 5E034 BC01 DC01 DC05
Claims (3)
- 【請求項１】 ４０〜６０体積％の磁性体磁器材料と残
部が半導体磁器材料とにより形成された層が積層されて
なる基体(18)と、前記基体(18)の内部で所定の高さ位置
の平面内において互いに対向するように形成された一対
の内部電極(14,16)とを備えた複合型半導体磁器材料を
含む電子部品。 - 【請求項２】 磁性体磁器材料がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フ
ェライトを主成分とする磁性体磁器材料を７００〜８０
０℃の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、半導体磁
器材料がＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及
びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化
物からなるスピネル構造の半導体磁器材料をその焼結温
度より１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若し
くは焼成してなる仮焼体粉末若しくは焼結体粉末である
請求項１記載の複合型半導体磁器材料を含む電子部品。 - 【請求項３】 内部電極(14,16)がＡｇ１００％からな
る請求項１又は２記載の複合型半導体磁器材料を含む電
子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287917A JP2002100504A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287917A JP2002100504A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100504A true JP2002100504A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18771587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000287917A Withdrawn JP2002100504A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100378873C (zh) * | 2004-11-05 | 2008-04-02 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻及其制备方法 |
| CN107140965A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-09-08 | 山东中厦电子科技有限公司 | 一种高电阻率、低b值负温度系数热敏材料及其制备方法 |
| CN107857575A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-30 | 重庆材料研究院有限公司 | 一种用于寻热式热敏电缆的热敏材料及其制备方法 |
-
2000
- 2000-09-22 JP JP2000287917A patent/JP2002100504A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100378873C (zh) * | 2004-11-05 | 2008-04-02 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻及其制备方法 |
| CN107140965A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-09-08 | 山东中厦电子科技有限公司 | 一种高电阻率、低b值负温度系数热敏材料及其制备方法 |
| CN107140965B (zh) * | 2017-04-25 | 2020-05-08 | 山东中厦电子科技有限公司 | 一种高电阻率、低b值负温度系数热敏材料及其制备方法 |
| CN107857575A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-30 | 重庆材料研究院有限公司 | 一种用于寻热式热敏电缆的热敏材料及其制备方法 |
| CN107857575B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-12-25 | 重庆材料研究院有限公司 | 一种用于寻热式热敏电缆的热敏材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101543752B1 (ko) | 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품 | |
| JP5678520B2 (ja) | サーミスタ素子 | |
| JP2010018482A (ja) | フェライト及びその製造方法 | |
| JP5729658B2 (ja) | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| CN110540421A (zh) | 铁氧体组合物和层叠电子器件 | |
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JP2003226573A (ja) | 複合磁器材料およびｌｃ複合部品 | |
| JP3975051B2 (ja) | 磁性フェライトの製造方法、積層型チップフェライト部品の製造方法及びｌｃ複合積層部品の製造方法 | |
| JP2002305125A (ja) | コンデンサアレイ | |
| JP2002100504A (ja) | 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 | |
| JPH06151103A (ja) | 積層型半導体磁器組成物 | |
| JP2002100509A (ja) | 複合型磁性体磁器材料及びその製造方法 | |
| JP2002100505A (ja) | サーミスタ・キャパシタ複合積層セラミック電子部品 | |
| JP2001010820A (ja) | フェライト組成物、フェライト焼結体、積層型電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JPH0891919A (ja) | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 | |
| JP4587758B2 (ja) | ガラスセラミック基板 | |
| JP7310543B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP6231050B2 (ja) | 複合電子部品 | |
| JP2002097070A (ja) | 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 | |
| JP2727509B2 (ja) | チップインダクタおよびｌｃ複合部品 | |
| JP4984958B2 (ja) | 積層型サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2000072548A (ja) | 複合セラミック及び複合セラミック素子 | |
| JP3606127B2 (ja) | フェライト焼結体の製造方法 | |
| JP2002100510A (ja) | 低誘電率磁性体磁器材料及びその製造方法 | |
| JP2002100516A (ja) | 複合積層セラミック電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |