JP2002097070A - 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 - Google Patents
複合型半導体磁器材料及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002097070A JP2002097070A JP2000287916A JP2000287916A JP2002097070A JP 2002097070 A JP2002097070 A JP 2002097070A JP 2000287916 A JP2000287916 A JP 2000287916A JP 2000287916 A JP2000287916 A JP 2000287916A JP 2002097070 A JP2002097070 A JP 2002097070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- calcined
- ceramic material
- temperature
- calcined body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ９６０℃以下の大気雰囲気で焼結しても、Ａ
ｇ１００％の内部電極を形成し、Ｂ定数を大きくする。 【解決手段】 複合型半導体磁器材料はＭｎＯ，Ｃｏ
Ｏ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群
より選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構
造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
を主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結体１１であ
る。半導体磁器材料はその焼結温度より１００℃低い温
度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼
体粉末若しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料は７
００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であ
る。磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材とし
て４０〜６０体積％含み、半導体磁器材料の仮焼体粉末
若しくは焼結体粉末を骨材として残部含む。
ｇ１００％の内部電極を形成し、Ｂ定数を大きくする。 【解決手段】 複合型半導体磁器材料はＭｎＯ，Ｃｏ
Ｏ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群
より選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構
造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
を主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結体１１であ
る。半導体磁器材料はその焼結温度より１００℃低い温
度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼
体粉末若しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料は７
００〜８００℃の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であ
る。磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材とし
て４０〜６０体積％含み、半導体磁器材料の仮焼体粉末
若しくは焼結体粉末を骨材として残部含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＯ等の金属酸
化物からなるスピネル構造の半導体磁器成分と、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトからなる磁性体磁器成分が混在
する複合型半導体磁器材料及びその製造方法に関する。
更に詳しくはＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品の材
料に用いられる複合型半導体磁器材料及びその製造方法
に関するものである。
化物からなるスピネル構造の半導体磁器成分と、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトからなる磁性体磁器成分が混在
する複合型半導体磁器材料及びその製造方法に関する。
更に詳しくはＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品の材
料に用いられる複合型半導体磁器材料及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーミスタ素体が少なくとも一対
の離間した内部電極を内装しかつ角部に丸みが形成さ
れ、このサーミスタ素体の外周面がガラス被膜により被
覆され、上記一対の内部電極のいずれかの一端部をサー
ミスタ素体の異なる外側面にそれぞれ露出させて、これ
らの内部電極がサーミスタ素体の両端に形成された外部
電極にそれぞれ電気的に接続されたチップ型サーミスタ
が知られている（特開平５−２８３２０７号）。このチ
ップ型サーミスタでは、サーミスタ素体の角部の欠け易
い点が改善され、外部電極の相違によって抵抗値が影響
を受けないようになっている。
の離間した内部電極を内装しかつ角部に丸みが形成さ
れ、このサーミスタ素体の外周面がガラス被膜により被
覆され、上記一対の内部電極のいずれかの一端部をサー
ミスタ素体の異なる外側面にそれぞれ露出させて、これ
らの内部電極がサーミスタ素体の両端に形成された外部
電極にそれぞれ電気的に接続されたチップ型サーミスタ
が知られている（特開平５−２８３２０７号）。このチ
ップ型サーミスタでは、サーミスタ素体の角部の欠け易
い点が改善され、外部電極の相違によって抵抗値が影響
を受けないようになっている。
【０００３】また上記サーミスタ素体は以下のようにし
て作製される。先ずマンガン，ニッケル，コバルト等の
酸化物粉末を混合・仮焼・粉砕してサーミスタ抵抗体材
料粉末を得た後に、この粉末にバインダを混合して成形
しサーミスタ抵抗体のグリーンシートを作製する。一
方、このグリーンシートにＡｇ，Ｐｄ，樹脂，溶剤等か
らなる電極材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグ
リーンシートを作製し、上記サーミスタ抵抗体のグリー
ンシートと内部電極膜付きのシートとを交互に積層して
グリーンシート積層体を作製する。次にこのグリーンシ
ート積層体を切断・焼成することにより、上記サーミス
タ素体が作製される。
て作製される。先ずマンガン，ニッケル，コバルト等の
酸化物粉末を混合・仮焼・粉砕してサーミスタ抵抗体材
料粉末を得た後に、この粉末にバインダを混合して成形
しサーミスタ抵抗体のグリーンシートを作製する。一
方、このグリーンシートにＡｇ，Ｐｄ，樹脂，溶剤等か
らなる電極材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグ
リーンシートを作製し、上記サーミスタ抵抗体のグリー
ンシートと内部電極膜付きのシートとを交互に積層して
グリーンシート積層体を作製する。次にこのグリーンシ
ート積層体を切断・焼成することにより、上記サーミス
タ素体が作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の特
開平５−２８３２０７号に示されるサーミスタ素体で
は、この素体のＢ定数を大きくするために、１０００℃
以上の高温で焼成する必要があるため、比抵抗が小さく
融点が低い（９６０℃）Ａｇのみを内部電極として用い
ることができない。このためＡｇに融点の高いＰｄを含
有した内部電極にしなければならず、内部電極の比抵抗
が大きくなる不具合があった。また、上記サーミスタ素
体では、マンガン，ニッケル，コバルト等の酸化物粉末
を成形、積層、焼成してサーミスタ素体が作製されるた
め、焼成時に粒子界面にマンガン等の本来の特性を損な
う反応生成物が比較的多く生じる欠点もあった。本発明
の目的は、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結して
も、Ａｇ１００％の内部電極を形成できるとともにＢ定
数を大きくすることができる、複合型半導体磁器材料及
びその製造方法を提供することにある。本発明の別の目
的は、被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少な
く、所期の半導体電子部品の電気特性が得られる、複合
型半導体磁器材料及びその製造方法を提供することにあ
る。
開平５−２８３２０７号に示されるサーミスタ素体で
は、この素体のＢ定数を大きくするために、１０００℃
以上の高温で焼成する必要があるため、比抵抗が小さく
融点が低い（９６０℃）Ａｇのみを内部電極として用い
ることができない。このためＡｇに融点の高いＰｄを含
有した内部電極にしなければならず、内部電極の比抵抗
が大きくなる不具合があった。また、上記サーミスタ素
体では、マンガン，ニッケル，コバルト等の酸化物粉末
を成形、積層、焼成してサーミスタ素体が作製されるた
め、焼成時に粒子界面にマンガン等の本来の特性を損な
う反応生成物が比較的多く生じる欠点もあった。本発明
の目的は、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結して
も、Ａｇ１００％の内部電極を形成できるとともにＢ定
数を大きくすることができる、複合型半導体磁器材料及
びその製造方法を提供することにある。本発明の別の目
的は、被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少な
く、所期の半導体電子部品の電気特性が得られる、複合
型半導体磁器材料及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ 2
Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物から
なるスピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合
して焼成してなる複合型半導体磁器材料であって、半導
体磁器材料がその焼結温度より１００℃低い温度ないし
その焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉末若
しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料が７００〜８
００℃の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、磁性体
磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として４０〜６
０体積％含み、半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼
結体粉末を骨材として残部含むことを特徴とする複合型
半導体磁器材料である。
ＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ 2
Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物から
なるスピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合
して焼成してなる複合型半導体磁器材料であって、半導
体磁器材料がその焼結温度より１００℃低い温度ないし
その焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体粉末若
しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料が７００〜８
００℃の温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、磁性体
磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として４０〜６
０体積％含み、半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼
結体粉末を骨材として残部含むことを特徴とする複合型
半導体磁器材料である。
【０００６】請求項２に係る発明は、ＭｎＯ，ＣｏＯ，
ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ 2Ｏ3からなる群より
選ばれた２種以上の金属酸化物粉末を混合して第１混合
粉末を得る工程と、第１混合粉末をその焼結温度より１
００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成
して仮焼体若しくは焼結体を得る工程と、この仮焼体若
しくは焼結体を粉砕して所定の粒径のスピネル構造を有
する半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
得る工程と、Ｆｅ酸化物粉末，Ｎｉ酸化物粉末，Ｚｎ酸
化物粉末及びＣｕ酸化物粉末又はこれらの金属塩粉末を
所定の割合で混合して第２混合粉末を得る工程と、第２
混合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を
得る工程と、この仮焼体を粉砕して半導体磁器材料の仮
焼体粉末若しくは焼結体粉末の粒径より小さい粒径のＮ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器
材料の仮焼体粉末を得る工程と、４０〜６０体積％の磁
性体磁器材料の仮焼体粉末と残部が半導体磁器材料の仮
焼体粉末若しくは焼結体粉末とを混合して第３混合粉末
を得る工程と、第３混合粉末を９６０℃以下の温度の大
気雰囲気で焼成する工程とを含む複合型半導体磁器材料
の製造方法である。
ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ 2Ｏ3からなる群より
選ばれた２種以上の金属酸化物粉末を混合して第１混合
粉末を得る工程と、第１混合粉末をその焼結温度より１
００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成
して仮焼体若しくは焼結体を得る工程と、この仮焼体若
しくは焼結体を粉砕して所定の粒径のスピネル構造を有
する半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
得る工程と、Ｆｅ酸化物粉末，Ｎｉ酸化物粉末，Ｚｎ酸
化物粉末及びＣｕ酸化物粉末又はこれらの金属塩粉末を
所定の割合で混合して第２混合粉末を得る工程と、第２
混合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を
得る工程と、この仮焼体を粉砕して半導体磁器材料の仮
焼体粉末若しくは焼結体粉末の粒径より小さい粒径のＮ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器
材料の仮焼体粉末を得る工程と、４０〜６０体積％の磁
性体磁器材料の仮焼体粉末と残部が半導体磁器材料の仮
焼体粉末若しくは焼結体粉末とを混合して第３混合粉末
を得る工程と、第３混合粉末を９６０℃以下の温度の大
気雰囲気で焼成する工程とを含む複合型半導体磁器材料
の製造方法である。
【０００７】本発明の複合型半導体磁器材料は、焼結温
度より１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若し
くは焼成したＭｎＯ等の金属酸化物からなるスピネル構
造の半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
骨材とし、７００〜８００℃の温度で仮焼したＮｉ−Ｚ
ｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料の
仮焼体粉末をマトリックス材として、両粉末を混合し焼
成することにより構成される。骨材の半導体磁器材料は
予め焼結温度又はそれに近い温度で焼成若しくは仮焼さ
れるため第３混合粉末の焼成時にはその粒界における反
応性が抑制される。磁性体磁器材料は第３混合粉末の焼
成時にマトリックス材として上記骨材を分散状態で被包
する。これにより複合型半導体磁器材料は、半導体磁器
材料によりＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品の電気
特性（Ｂ定数の増大）が得られ、磁性体磁器材料により
低温焼結を実現できる。
度より１００℃低い温度ないしその焼結温度で仮焼若し
くは焼成したＭｎＯ等の金属酸化物からなるスピネル構
造の半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
骨材とし、７００〜８００℃の温度で仮焼したＮｉ−Ｚ
ｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料の
仮焼体粉末をマトリックス材として、両粉末を混合し焼
成することにより構成される。骨材の半導体磁器材料は
予め焼結温度又はそれに近い温度で焼成若しくは仮焼さ
れるため第３混合粉末の焼成時にはその粒界における反
応性が抑制される。磁性体磁器材料は第３混合粉末の焼
成時にマトリックス材として上記骨材を分散状態で被包
する。これにより複合型半導体磁器材料は、半導体磁器
材料によりＮＴＣサーミスタ等の半導体電子部品の電気
特性（Ｂ定数の増大）が得られ、磁性体磁器材料により
低温焼結を実現できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。本発明の複合型半導体磁器材料はＭ
ｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3
からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物からなる
スピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
フェライトを主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結
体である。この複合型半導体磁器材料の製造方法を図４
に基づいて説明する。
基づいて説明する。本発明の複合型半導体磁器材料はＭ
ｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3
からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物からなる
スピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
フェライトを主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結
体である。この複合型半導体磁器材料の製造方法を図４
に基づいて説明する。
【０００９】(a) 半導体磁器材料（骨材）の製造方法 半導体磁器材料は、Ｍｎ酸化物（ＭｎＯ）粉末，Ｃｏ酸
化物（ＣｏＯ）粉末，Ｎｉ酸化物（ＮｉＯ）粉末，Ｃｕ
酸化物（ＣｕＯ）粉末、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末及
びＡｌ酸化物（Ａｌ2Ｏ3）粉末からなる群より選ばれた
２種以上を主な原料粉末とする。原料粉末にはＢ定数及
び抵抗率の調整又は誘電率の減少の目的で上記金属元素
以外の他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ等）を含有
させることもできる。上記原料粉末を湿式又は乾式で所
定の割合で混合し第１混合粉末を得る。得られた第１混
合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成
形する。この成形体を大気雰囲気でその焼結温度より１
００℃、好ましくは５０℃低い温度で仮焼するか、或い
はその焼結温度で焼成して金属酸化物の仮焼体若しくは
焼結体を作製する。上記仮焼温度若しくは焼成温度は原
料粉末の組成に応じて変化するが、例えば１０００〜１
４００℃である。焼結温度より１００℃低くてもよいの
は、後述する第３混合粉末で焼成するときにこの温度で
あってもこの仮焼体粉末の粒界での反応性を抑えられる
からである。
化物（ＣｏＯ）粉末，Ｎｉ酸化物（ＮｉＯ）粉末，Ｃｕ
酸化物（ＣｕＯ）粉末、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末及
びＡｌ酸化物（Ａｌ2Ｏ3）粉末からなる群より選ばれた
２種以上を主な原料粉末とする。原料粉末にはＢ定数及
び抵抗率の調整又は誘電率の減少の目的で上記金属元素
以外の他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ等）を含有
させることもできる。上記原料粉末を湿式又は乾式で所
定の割合で混合し第１混合粉末を得る。得られた第１混
合粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成
形する。この成形体を大気雰囲気でその焼結温度より１
００℃、好ましくは５０℃低い温度で仮焼するか、或い
はその焼結温度で焼成して金属酸化物の仮焼体若しくは
焼結体を作製する。上記仮焼温度若しくは焼成温度は原
料粉末の組成に応じて変化するが、例えば１０００〜１
４００℃である。焼結温度より１００℃低くてもよいの
は、後述する第３混合粉末で焼成するときにこの温度で
あってもこの仮焼体粉末の粒界での反応性を抑えられる
からである。
【００１０】次いで得られた金属酸化物の仮焼体若しく
は焼結体をボールミル等で粉砕して篩い分けし所定の粒
径に揃えて骨材とする。この骨材の粒径は次に述べるマ
トリックス材の磁性体磁器材料粉末の粒径より大きくす
る。好ましくはマトリックス材より１桁程度大きくす
る。これは半導体磁器材料の粒径を磁性体磁器材料の粒
径より同等若しくは小さくすると、半導体磁器材料及び
磁性体磁器材料を混合して焼成したときに、焼結体であ
る複合型半導体磁器材料内に空隙が発生し、複合型半導
体磁器材料のクラック、歪みの原因となるからである。
この複合型半導体磁器材料により内部電極を有するＮＴ
Ｃ積層サーミスタを作製する場合には、平均粒径が１０
μｍ以下、好ましくは１μｍ〜６μｍの仮焼体若しくは
焼結体粉末からなる骨材にする。これは、ＮＴＣ積層サ
ーミスタでは通常一層の厚さは２０μｍ以下であり、骨
材の平均粒径が１０μｍを越えると骨材とマトリックス
材を含んだ層を形成できないからである。
は焼結体をボールミル等で粉砕して篩い分けし所定の粒
径に揃えて骨材とする。この骨材の粒径は次に述べるマ
トリックス材の磁性体磁器材料粉末の粒径より大きくす
る。好ましくはマトリックス材より１桁程度大きくす
る。これは半導体磁器材料の粒径を磁性体磁器材料の粒
径より同等若しくは小さくすると、半導体磁器材料及び
磁性体磁器材料を混合して焼成したときに、焼結体であ
る複合型半導体磁器材料内に空隙が発生し、複合型半導
体磁器材料のクラック、歪みの原因となるからである。
この複合型半導体磁器材料により内部電極を有するＮＴ
Ｃ積層サーミスタを作製する場合には、平均粒径が１０
μｍ以下、好ましくは１μｍ〜６μｍの仮焼体若しくは
焼結体粉末からなる骨材にする。これは、ＮＴＣ積層サ
ーミスタでは通常一層の厚さは２０μｍ以下であり、骨
材の平均粒径が１０μｍを越えると骨材とマトリックス
材を含んだ層を形成できないからである。
【００１１】(b) 磁性体磁器材料（マトリックス材）の
製造方法 Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁
器材料は、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末、Ｎｉ酸化物
（ＮｉＯ）粉末、Ｚｎ酸化物（ＺｎＯ）粉末及びＣｕ酸
化物（ＣｕＯ）を主な原料粉末とする。原料粉末には焼
結性の向上の目的で上記金属元素以外の他の元素（例え
ば、Ｍｇ、Ｃａ等）を含有させることもできる。上記原
料粉末を湿式又は乾式で所定の割合で混合し第２混合粉
末を得る。Ｆｅ2Ｏ3は４８〜５２モル％、ＮｉＯは１０
〜４０モル％、ＺｎＯは１０〜４０モル％及びＣｕＯは
１０〜３０モル％の割合で秤量される。得られた第２混
合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を得
て、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト仮焼体をボール
ミル等で粉砕して篩い分けし、骨材より小さい粒径のマ
トリックス材となる粉末状の磁性体磁器材料の仮焼体粉
末を得る。本発明の複合型半導体磁器材料により内部電
極を有するＮＴＣサーミスタを作製する場合であって、
骨材の平均粒径を１〜１０μｍにするときには、上述し
た理由により、磁性体磁器材料のマトリックス材の平均
粒径を１μｍ未満、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍ
にする。
製造方法 Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁
器材料は、Ｆｅ酸化物（Ｆｅ2Ｏ3）粉末、Ｎｉ酸化物
（ＮｉＯ）粉末、Ｚｎ酸化物（ＺｎＯ）粉末及びＣｕ酸
化物（ＣｕＯ）を主な原料粉末とする。原料粉末には焼
結性の向上の目的で上記金属元素以外の他の元素（例え
ば、Ｍｇ、Ｃａ等）を含有させることもできる。上記原
料粉末を湿式又は乾式で所定の割合で混合し第２混合粉
末を得る。Ｆｅ2Ｏ3は４８〜５２モル％、ＮｉＯは１０
〜４０モル％、ＺｎＯは１０〜４０モル％及びＣｕＯは
１０〜３０モル％の割合で秤量される。得られた第２混
合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して仮焼体を得
て、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト仮焼体をボール
ミル等で粉砕して篩い分けし、骨材より小さい粒径のマ
トリックス材となる粉末状の磁性体磁器材料の仮焼体粉
末を得る。本発明の複合型半導体磁器材料により内部電
極を有するＮＴＣサーミスタを作製する場合であって、
骨材の平均粒径を１〜１０μｍにするときには、上述し
た理由により、磁性体磁器材料のマトリックス材の平均
粒径を１μｍ未満、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍ
にする。
【００１２】(c) 複合型半導体磁器材料の製造方法 上記半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末を
骨材とし、上記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリッ
クス材として、両粉末を湿式又は乾式で混合して第３混
合粉末を得る。その混合割合は磁性体磁器材料が４０〜
６０体積％であり、残部が半導体磁器材料である。磁性
体磁器材料が４０体積％未満では得られた複合型半導体
磁器材料が多孔質になり実用上の強度が得られない上、
複合型半導体磁器材料をめっきしたときにめっき液が材
料内部に侵入するおそれがある。また６０体積％を越え
ると半導体磁器材料の割合が少な過ぎ、抵抗値が増大し
（図５）かつＢ定数が低下して（図６）、ＮＴＣサーミ
スタ等の半導体電子部品としての電気特性（Ｂ定数の増
大）を有する複合型半導体磁器材料が得られない。半導
体磁器材料及び磁性体磁器材料の混合割合は、必要とす
る半導体電子部品の特性に応じて上記範囲内から決定さ
れる。
骨材とし、上記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリッ
クス材として、両粉末を湿式又は乾式で混合して第３混
合粉末を得る。その混合割合は磁性体磁器材料が４０〜
６０体積％であり、残部が半導体磁器材料である。磁性
体磁器材料が４０体積％未満では得られた複合型半導体
磁器材料が多孔質になり実用上の強度が得られない上、
複合型半導体磁器材料をめっきしたときにめっき液が材
料内部に侵入するおそれがある。また６０体積％を越え
ると半導体磁器材料の割合が少な過ぎ、抵抗値が増大し
（図５）かつＢ定数が低下して（図６）、ＮＴＣサーミ
スタ等の半導体電子部品としての電気特性（Ｂ定数の増
大）を有する複合型半導体磁器材料が得られない。半導
体磁器材料及び磁性体磁器材料の混合割合は、必要とす
る半導体電子部品の特性に応じて上記範囲内から決定さ
れる。
【００１３】バルクの複合型半導体磁器材料を作製する
場合には、第３混合粉末にバインダを加えて混練造粒
し、所定の形状に成形体を作製する。積層型の複合型半
導体磁器材料を作製する場合には、先ず第３混合粉末に
分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合し、
グリーンシート形成用ペイント（以下、シート用ペイン
トという）を調製する。次にこのシート用ペイントによ
りシートを作製した後に、このシートを積層してグリー
ン状態の積層体を作製する。得られた積層体は９６０℃
以下の温度の大気雰囲気で焼成される。この焼成により
マトリックス材の磁性体磁器材料が焼結体となり、この
焼結体の内部に、予め焼結若しくはほぼ焼結していた骨
材の半導体磁器材料が分散して本発明の複合型半導体磁
器材料が得られる。複合型半導体磁器材料の内部にＡｇ
を高比率で含む導体が存在する場合、この焼成温度はＡ
ｇの融点より低いため、内部電極が損われず、かつ内部
電極の比抵抗を小さくすることができる。
場合には、第３混合粉末にバインダを加えて混練造粒
し、所定の形状に成形体を作製する。積層型の複合型半
導体磁器材料を作製する場合には、先ず第３混合粉末に
分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混合し、
グリーンシート形成用ペイント（以下、シート用ペイン
トという）を調製する。次にこのシート用ペイントによ
りシートを作製した後に、このシートを積層してグリー
ン状態の積層体を作製する。得られた積層体は９６０℃
以下の温度の大気雰囲気で焼成される。この焼成により
マトリックス材の磁性体磁器材料が焼結体となり、この
焼結体の内部に、予め焼結若しくはほぼ焼結していた骨
材の半導体磁器材料が分散して本発明の複合型半導体磁
器材料が得られる。複合型半導体磁器材料の内部にＡｇ
を高比率で含む導体が存在する場合、この焼成温度はＡ
ｇの融点より低いため、内部電極が損われず、かつ内部
電極の比抵抗を小さくすることができる。
【００１４】なお、上記内部電極となる導電ペーストは
Ａｇに分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混
合して得られ、上記シート上にスクリーン印刷により所
定のパターンで積層される。また、上記グリーン状態の
積層体の形成方法を図３に基づいて説明する。図３(a-
1)〜(e-1)は積層過程の上面図であり、図３(a-2)〜(e-
2)は積層過程の図３(a-1)〜(e-1)におけるＡ−Ａ線断面
図である。先ず図３(a-1)〜(a-2)に示すように、シート
からなるベース部１３を用意する。このベース部１３は
グリーン状態の積層体１２の第１層目となる。次いでベ
ース部１３上に導電ペーストにより導体膜１４を所定の
パターンで印刷積層して形成する（図３(b-1)〜(b-
3)）。その上にシートを積層して中間部１５を形成する
（図３(c-1)〜(c-3)）。この中間部１５の上に導電ペー
ストにより導体膜１６を所定のパターンで印刷積層して
形成する（図３(d-1)〜(d-3)）。このとき導電膜１４と
導電膜１６は互いに平行になるように形成される。その
上にシートを積層してグリーン状態の積層体１２の最上
層であるアッパ部１７を形成する（図３(e-1)〜(e-
3)）。このようにしてグリーン状態の積層体１２が形成
される。更に、上記積層体１２の焼成後、この焼結体１
０の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを焼付け
て一対の外部電極２１，２２を形成し、これによりＮＴ
Ｃサーミスタ１０が得られる（図１及び図６）。このサ
ーミスタ１０の等価回路を図２に示す。
Ａｇに分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して混
合して得られ、上記シート上にスクリーン印刷により所
定のパターンで積層される。また、上記グリーン状態の
積層体の形成方法を図３に基づいて説明する。図３(a-
1)〜(e-1)は積層過程の上面図であり、図３(a-2)〜(e-
2)は積層過程の図３(a-1)〜(e-1)におけるＡ−Ａ線断面
図である。先ず図３(a-1)〜(a-2)に示すように、シート
からなるベース部１３を用意する。このベース部１３は
グリーン状態の積層体１２の第１層目となる。次いでベ
ース部１３上に導電ペーストにより導体膜１４を所定の
パターンで印刷積層して形成する（図３(b-1)〜(b-
3)）。その上にシートを積層して中間部１５を形成する
（図３(c-1)〜(c-3)）。この中間部１５の上に導電ペー
ストにより導体膜１６を所定のパターンで印刷積層して
形成する（図３(d-1)〜(d-3)）。このとき導電膜１４と
導電膜１６は互いに平行になるように形成される。その
上にシートを積層してグリーン状態の積層体１２の最上
層であるアッパ部１７を形成する（図３(e-1)〜(e-
3)）。このようにしてグリーン状態の積層体１２が形成
される。更に、上記積層体１２の焼成後、この焼結体１
０の両端面にＡｇを主成分とする導体ペーストを焼付け
て一対の外部電極２１，２２を形成し、これによりＮＴ
Ｃサーミスタ１０が得られる（図１及び図６）。このサ
ーミスタ１０の等価回路を図２に示す。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞先ずＭｎＯ粉末を４５モル％、ＣｏＯを４
６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ秤量し、湿式ミ
ルにより混合した。この混合粉末にバインダを加えて混
練造粒し、所定の形状に成形した後、この成形体を１３
００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造の
金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼結体をボール
ミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が６μｍの半導体磁
器材料（骨材）粉末を作製した。一方、ＮｉＯを１５モ
ル％、ＺｎＯを２５モル％、ＣｕＯを１０モル％及びＦ
ｅ2Ｏ3粉末を５０モル％それぞれ秤量し、湿式ミルによ
り混合した。この混合粉末を８００℃で４時間、大気雰
囲気で仮焼してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト仮焼体を得
た。この仮焼体をボールミルで粉砕して篩い分けし、平
均粒径が０．３μｍの磁性体磁器材料（マトリックス
材）粉末を作製した。次いで得られた半導体磁器材料
（骨材）粉末と磁性体磁器材料（マトリックス材）粉末
を６０体積％（骨材）／４０体積％（マトリックス材）
の体積比で湿式混合した。次にこの混合粉末にバインダ
を加えて混練造粒した後に、所定の形状に加圧成形し
た。更にこの成形体を９００℃の温度の大気雰囲気で焼
成してバルクを得た。このバルクを実施例１とした。 ＜実施例２＞ＭｎＯ粉末を２９モル％、ＣｏＯを４４モ
ル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ3/2換算で２７モル％そ
れぞれ秤量して混合・混練造粒・成形・焼成してスピネ
ル構造の金属酸化物からなる焼結体を得たことを除い
て、実施例１と同様にして複合型半導体磁器材料のバル
クを作製した。このバルクを実施例２とした。
説明する。 ＜実施例１＞先ずＭｎＯ粉末を４５モル％、ＣｏＯを４
６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ秤量し、湿式ミ
ルにより混合した。この混合粉末にバインダを加えて混
練造粒し、所定の形状に成形した後、この成形体を１３
００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してスピネル構造の
金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼結体をボール
ミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が６μｍの半導体磁
器材料（骨材）粉末を作製した。一方、ＮｉＯを１５モ
ル％、ＺｎＯを２５モル％、ＣｕＯを１０モル％及びＦ
ｅ2Ｏ3粉末を５０モル％それぞれ秤量し、湿式ミルによ
り混合した。この混合粉末を８００℃で４時間、大気雰
囲気で仮焼してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト仮焼体を得
た。この仮焼体をボールミルで粉砕して篩い分けし、平
均粒径が０．３μｍの磁性体磁器材料（マトリックス
材）粉末を作製した。次いで得られた半導体磁器材料
（骨材）粉末と磁性体磁器材料（マトリックス材）粉末
を６０体積％（骨材）／４０体積％（マトリックス材）
の体積比で湿式混合した。次にこの混合粉末にバインダ
を加えて混練造粒した後に、所定の形状に加圧成形し
た。更にこの成形体を９００℃の温度の大気雰囲気で焼
成してバルクを得た。このバルクを実施例１とした。 ＜実施例２＞ＭｎＯ粉末を２９モル％、ＣｏＯを４４モ
ル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ3/2換算で２７モル％そ
れぞれ秤量して混合・混練造粒・成形・焼成してスピネ
ル構造の金属酸化物からなる焼結体を得たことを除い
て、実施例１と同様にして複合型半導体磁器材料のバル
クを作製した。このバルクを実施例２とした。
【００１６】＜比較例１＞先ずＭｎＯ粉末を４５モル
％、ＣｏＯを４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ
秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合粉末にバイ
ンダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形した後、こ
の成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してス
ピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼
結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が２μ
ｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこの粉末にバ
インダを加えて混練造粒した後に、所定の形状に加圧成
形した。更にこの成形体を９８０℃の温度の大気雰囲気
で焼成してバルクを得た。このバルクを比較例１とし
た。 ＜比較例２＞先ずＭｎＯ粉末を２９モル％、ＣｏＯを４
４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ 3/2換算で２７モル
％それぞれ秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合
粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形
した後、この成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で
焼成してスピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得
た。この焼結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均
粒径が２μｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこ
の粉末にバインダを加えて混練造粒した後に、所定の形
状に加圧成形した。更にこの成形体を１２５０℃の温度
の大気雰囲気で焼成してバルクを得た。このバルクを比
較例２とした。
％、ＣｏＯを４６モル％及びＣｕＯを９モル％それぞれ
秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合粉末にバイ
ンダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形した後、こ
の成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で焼成してス
ピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得た。この焼
結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均粒径が２μ
ｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこの粉末にバ
インダを加えて混練造粒した後に、所定の形状に加圧成
形した。更にこの成形体を９８０℃の温度の大気雰囲気
で焼成してバルクを得た。このバルクを比較例１とし
た。 ＜比較例２＞先ずＭｎＯ粉末を２９モル％、ＣｏＯを４
４モル％及びＡｌ2Ｏ3粉末をＡｌＯ 3/2換算で２７モル
％それぞれ秤量し、湿式ミルにより混合した。この混合
粉末にバインダを加えて混練造粒し、所定の形状に成形
した後、この成形体を８００℃で４時間、大気雰囲気で
焼成してスピネル構造の金属酸化物からなる焼結体を得
た。この焼結体をボールミルで粉砕して篩い分けし平均
粒径が２μｍの半導体磁器材料粉末を作製した。次にこ
の粉末にバインダを加えて混練造粒した後に、所定の形
状に加圧成形した。更にこの成形体を１２５０℃の温度
の大気雰囲気で焼成してバルクを得た。このバルクを比
較例２とした。
【００１７】＜比較試験及び評価＞実施例１，２と比較
例１，２のバルクの抵抗率及びＢ定数を測定した。その
結果を骨材及びマトリックス材の混合割合及び焼成温度
とともに表１にそれぞれ示す。
例１，２のバルクの抵抗率及びＢ定数を測定した。その
結果を骨材及びマトリックス材の混合割合及び焼成温度
とともに表１にそれぞれ示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１から明らかなように、実施例１及び２
の磁器材料は比較例１及び２の磁器材料と同等のＢ定数
を示し、かつ比較例１及び２より低い９００℃程度の大
気雰囲気で焼成することにより得られた。なお、実施例
１及び２の磁器材料は抵抗率が増大するけれども、対向
電極面積の増加及び対向電極間距離の減少により、比較
例１及び２の磁器材料と同等の抵抗値とすることが可能
である。
の磁器材料は比較例１及び２の磁器材料と同等のＢ定数
を示し、かつ比較例１及び２より低い９００℃程度の大
気雰囲気で焼成することにより得られた。なお、実施例
１及び２の磁器材料は抵抗率が増大するけれども、対向
電極面積の増加及び対向電極間距離の減少により、比較
例１及び２の磁器材料と同等の抵抗値とすることが可能
である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の複合型半導
体磁器材料によれば、半導体磁器材料の存在によりＮＴ
Ｃサーミスタ等の半導体電子部品の電気特性が得られ、
磁性体磁器材料の存在により低温焼結を実現できる。こ
れにより、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結して
Ａｇ１００％の内部電極を形成できる。また予め焼結若
しくはほぼ焼結した半導体磁器材料を骨材にすることに
より、第３混合粉末の焼成時にその粒界における反応生
成物が比較的少なくすることができ、所期の半導体電子
部品の電気特性（Ｂ定数の増大）を有する複合型半導体
磁器材料が得られる。
体磁器材料によれば、半導体磁器材料の存在によりＮＴ
Ｃサーミスタ等の半導体電子部品の電気特性が得られ、
磁性体磁器材料の存在により低温焼結を実現できる。こ
れにより、９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結して
Ａｇ１００％の内部電極を形成できる。また予め焼結若
しくはほぼ焼結した半導体磁器材料を骨材にすることに
より、第３混合粉末の焼成時にその粒界における反応生
成物が比較的少なくすることができ、所期の半導体電子
部品の電気特性（Ｂ定数の増大）を有する複合型半導体
磁器材料が得られる。
【図１】本発明の実施形態のＮＴＣサーミスタの縦断面
図。
図。
【図２】その等価回路図。
【図３】本発明の実施の形態のＮＴＣサーミスタを製造
する工程を示す図。
する工程を示す図。
【図４】本発明の実施形態のＮＴＣサーミスタの製造工
程を示すブロック線図。
程を示すブロック線図。
【図５】マトリックス材の割合を変えたときの複合型半
導体磁器材料の抵抗率の変化を示す図。
導体磁器材料の抵抗率の変化を示す図。
【図６】マトリックス材の割合を変えたときの複合型半
導体磁器材料のＢ定数の変化を示す図。
導体磁器材料のＢ定数の変化を示す図。
【図７】本発明の実施形態のＮＴＣサーミスタの外観斜
視図。
視図。
１０ ＮＴＣサーミスタ（複合型半導体電子部品） １１ 焼結体（複合型半導体磁器材料） １２ 積層体 １４，１６ 導電膜（内部電極） ２１，２２ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA28 AB02 AC01 AC03 AC13 AC16 4G030 AA25 AA27 AA28 AA29 AA31 AA32 BA06 CA01 GA01 GA03 GA04 GA09 GA27 5E034 BA10 BB01 BC04 BC19
Claims (3)
- 【請求項１】 ＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ
2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金
属酸化物からなるスピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器
材料とを混合して焼成してなる複合型半導体磁器材料で
あって、 前記半導体磁器材料がその焼結温度より１００℃低い温
度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼
体粉末若しくは焼結体粉末であり、 前記磁性体磁器材料が７００〜８００℃の温度で仮焼し
てなる仮焼体粉末であり、 前記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材とし
て４０〜６０体積％含み、前記半導体磁器材料の仮焼体
粉末若しくは焼結体粉末を骨材として残部含むことを特
徴とする複合型半導体磁器材料。 - 【請求項２】 ＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ
2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3からなる群より選ばれた２種以上の金
属酸化物粉末を混合して第１混合粉末を得る工程と、 前記第１混合粉末をその焼結温度より１００℃低い温度
ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成して仮焼体若し
くは焼結体を得る工程と、 前記仮焼体若しくは焼結体を粉砕して所定の粒径のスピ
ネル構造を有する半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは
焼結体粉末を得る工程と、 Ｆｅ酸化物粉末，Ｎｉ酸化物粉末，Ｚｎ酸化物粉末及び
Ｃｕ酸化物粉末又はこれらの金属塩粉末を所定の割合で
混合して第２混合粉末を得る工程と、 前記第２混合粉末を７００〜８００℃の温度で仮焼して
仮焼体を得る工程と、前記仮焼体を粉砕して前記半導体
磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体粉末の粒径より小
さい粒径のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とす
る磁性体磁器材料の仮焼体粉末を得る工程と、 ４０〜６０体積％の前記磁性体磁器材料の仮焼体粉末と
残部が前記半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼結体
粉末とを混合して第３混合粉末を得る工程と、 前記第３混合粉末を９６０℃以下の温度の大気雰囲気で
焼成する工程とを含む複合型半導体磁器材料の製造方
法。 - 【請求項３】 半導体磁器材料の仮焼体粉末若しくは焼
結体粉末の平均粒径が１〜１０μｍであって、磁性体磁
器材料の仮焼体粉末の平均粒径が１μｍ未満である請求
項２記載の複合型半導体磁器材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287916A JP2002097070A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287916A JP2002097070A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002097070A true JP2002097070A (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18771586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000287916A Withdrawn JP2002097070A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002097070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014195014A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属酸化物材料及びその製造方法並びにサーミスタ素子 |
| KR20170100129A (ko) * | 2016-02-25 | 2017-09-04 | 삼성전기주식회사 | Ntc 써미스터용 조성물 및 이를 이용한 ntc 써미스터 |
-
2000
- 2000-09-22 JP JP2000287916A patent/JP2002097070A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014195014A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属酸化物材料及びその製造方法並びにサーミスタ素子 |
| KR20170100129A (ko) * | 2016-02-25 | 2017-09-04 | 삼성전기주식회사 | Ntc 써미스터용 조성물 및 이를 이용한 ntc 써미스터 |
| KR102561933B1 (ko) | 2016-02-25 | 2023-08-01 | 삼성전기주식회사 | Ntc 써미스터용 조성물 및 이를 이용한 ntc 써미스터 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1997002221A1 (fr) | Porcelaine dielectrique, son procede de production et composants electroniques obtenus a partir de celle-ci | |
| KR100361310B1 (ko) | 스피넬계 페라이트를 이용한 부온도계수 서미스터 소자 | |
| JP4096822B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミック部品 | |
| JP2003226573A (ja) | 複合磁器材料およびｌｃ複合部品 | |
| JP2002097070A (ja) | 複合型半導体磁器材料及びその製造方法 | |
| EP0326999A2 (en) | Sintered ferrite materials and chip parts | |
| JP2002100509A (ja) | 複合型磁性体磁器材料及びその製造方法 | |
| JP2002100505A (ja) | サーミスタ・キャパシタ複合積層セラミック電子部品 | |
| JP2002100504A (ja) | 複合型半導体磁器材料を含む電子部品 | |
| JP2000082605A (ja) | 温度補償回路 | |
| JP2001010820A (ja) | フェライト組成物、フェライト焼結体、積層型電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JP3317246B2 (ja) | 複合セラミック及び複合セラミック素子 | |
| JP4587758B2 (ja) | ガラスセラミック基板 | |
| JPH013046A (ja) | 高誘電率を有する誘電体セラミック組成物 | |
| JP2727509B2 (ja) | チップインダクタおよびｌｃ複合部品 | |
| JP4052032B2 (ja) | 誘電体組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
| JP2002100510A (ja) | 低誘電率磁性体磁器材料及びその製造方法 | |
| JP4494881B2 (ja) | 低温焼成誘電体磁器組成物及び誘電体部品 | |
| WO2007091349A1 (ja) | 積層型フェライト部品、及び積層型フェライト部品の製造方法 | |
| JP2002100516A (ja) | 複合積層セラミック電子部品 | |
| JP2002260914A (ja) | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 | |
| JP2002100515A (ja) | 複合型磁性体積層セラミック電子部品 | |
| US6251299B1 (en) | Magnetic material, inductance element using the same and manufacturing method thereof | |
| JP2002100514A (ja) | 磁性体磁器材料を用いた電子部品 | |
| JP4174668B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、並びにその製造方法、それを用いた誘電体磁器及び積層セラミック部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |