JP2002099078A - マスタリング原盤 - Google Patents
マスタリング原盤Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトレジスト層が露光されているか否かを目
視で判別できるマスタリング原盤を提供する。 【解決手段】マスタリング原盤において、基板と、基板
上に形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層
上に形成され前記フォトレジスト層が露光されることに
より発生する酸と反応して変色する指示薬を含む変色層
とを備える構成とした。
視で判別できるマスタリング原盤を提供する。 【解決手段】マスタリング原盤において、基板と、基板
上に形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層
上に形成され前記フォトレジスト層が露光されることに
より発生する酸と反応して変色する指示薬を含む変色層
とを備える構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクまたは
液晶表示装置に用いる導光板等の製造工程において用い
るマスタリング原盤に関する。
液晶表示装置に用いる導光板等の製造工程において用い
るマスタリング原盤に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の光ディスクや導光板等の
製造工程におけるスタンパの製造工程を説明する図であ
る。図中、７０１は基板、７０２はフォトレジスト層、
７０３は露光部、７０４はレジストパターン、７０５は
導電膜、７０６は電鋳層、７０７はスタンパ、７０８は
マスタリング原盤である。
製造工程におけるスタンパの製造工程を説明する図であ
る。図中、７０１は基板、７０２はフォトレジスト層、
７０３は露光部、７０４はレジストパターン、７０５は
導電膜、７０６は電鋳層、７０７はスタンパ、７０８は
マスタリング原盤である。
【０００３】図７（ａ）に示す工程では、図示しないス
ピンコート装置にガラスや金属等の基板７０１を取り付
け、回転させた基板７０１上にフォトレジストを塗布
し、フォトレジスト層７０２を形成する。本工程により
得られたのがマスタリング原盤７０８である。
ピンコート装置にガラスや金属等の基板７０１を取り付
け、回転させた基板７０１上にフォトレジストを塗布
し、フォトレジスト層７０２を形成する。本工程により
得られたのがマスタリング原盤７０８である。
【０００４】図７（ｂ）に示す工程では、マスタリング
原盤７０８を図示しないカッティングマシンのターンテ
ーブルに取付け、記録情報に従って変調されたレーザ光
を照射することによりフォトレジスト層７０２を露光
し、露光部７０３を形成する。
原盤７０８を図示しないカッティングマシンのターンテ
ーブルに取付け、記録情報に従って変調されたレーザ光
を照射することによりフォトレジスト層７０２を露光
し、露光部７０３を形成する。
【０００５】図７（ｃ）に示す工程では、マスタリング
原盤７０８を図示しない現像装置に取り付け、現像液を
塗布してフォトレジスト層７０２を現像する。露光部７
０３のフォトレジスト層７０２が現像液に溶解して除去
され、基板７０１上にレジストパターン７０４が形成さ
れる。
原盤７０８を図示しない現像装置に取り付け、現像液を
塗布してフォトレジスト層７０２を現像する。露光部７
０３のフォトレジスト層７０２が現像液に溶解して除去
され、基板７０１上にレジストパターン７０４が形成さ
れる。
【０００６】図７（ｄ）に示す工程では、マスタリング
原盤７０８を図示しないスパッタリング装置に取り付
け、スパッタリングにより、レジストパターン７０４の
表面にニッケル、クロム等の導電膜７０５を形成する。
原盤７０８を図示しないスパッタリング装置に取り付
け、スパッタリングにより、レジストパターン７０４の
表面にニッケル、クロム等の導電膜７０５を形成する。
【０００７】図７（ｅ）に示す工程では、導電膜７０５
が形成されたマスタリング原盤７０８を図示しない電鋳
槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を行い、マスタリング
原盤７０８の導電膜７０５上に電鋳層７０６を形成す
る。
が形成されたマスタリング原盤７０８を図示しない電鋳
槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を行い、マスタリング
原盤７０８の導電膜７０５上に電鋳層７０６を形成す
る。
【０００８】図７（ｆ）に示す工程では、レジストパタ
ーン７０４が転写された電鋳層７０６を基板７０１から
剥離する。図７（ｇ）に示す工程では、電鋳層７０６に
付着したレジストパターン７０４を酸素アッシング等に
より除去し、電鋳層７０６を所望の形状に加工し、電鋳
層７０６の裏面を鏡面研磨することによりスタンパ７０
７を得る。スタンパ７０７を射出成形機の金型に取付
け、樹脂基板を成形することにより光ディスクのレプリ
カ基板または導光板が得られる。
ーン７０４が転写された電鋳層７０６を基板７０１から
剥離する。図７（ｇ）に示す工程では、電鋳層７０６に
付着したレジストパターン７０４を酸素アッシング等に
より除去し、電鋳層７０６を所望の形状に加工し、電鋳
層７０６の裏面を鏡面研磨することによりスタンパ７０
７を得る。スタンパ７０７を射出成形機の金型に取付
け、樹脂基板を成形することにより光ディスクのレプリ
カ基板または導光板が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
光ディスクや導光板等の製造工程におけるスタンパの製
造工程では、図７（ｂ）に示すように、マスタリング原
盤７０８のフォトレジスト層７０２を記録情報に従って
露光する露光工程がある。しかしながら、フォトレジス
ト層７０２の露光部７０３と未露光部とは目視によって
区別がつかない、すなわち、マスタリング原盤７０８が
図７（ｂ）の露光工程を経たか否かは目視では区別がで
きない。
光ディスクや導光板等の製造工程におけるスタンパの製
造工程では、図７（ｂ）に示すように、マスタリング原
盤７０８のフォトレジスト層７０２を記録情報に従って
露光する露光工程がある。しかしながら、フォトレジス
ト層７０２の露光部７０３と未露光部とは目視によって
区別がつかない、すなわち、マスタリング原盤７０８が
図７（ｂ）の露光工程を経たか否かは目視では区別がで
きない。
【００１０】そのため、作業者が誤って、既に露光工程
を経たマスタリング原盤７０８に対して、再び露光を行
ってしまったり、未だ露光工程を経ていないマスタリン
グ原盤７０８に対して図７（ｃ）に示す現像処理を行っ
てしまう等の事故が発生していた。
を経たマスタリング原盤７０８に対して、再び露光を行
ってしまったり、未だ露光工程を経ていないマスタリン
グ原盤７０８に対して図７（ｃ）に示す現像処理を行っ
てしまう等の事故が発生していた。
【００１１】従来の光ディスクや導光板等の製造工程に
おけるスタンパの製造工程では、露光前のマスタリング
原盤７０８を収納するケースと露光後のマスタリング原
盤７０８を収納するケースの色を異ならせることによ
り、上記事故の発生を防止していたが、作業者の勘違い
等により、誤った色のケースにマスタリング原盤７０８
を収納してしまうことがあり、事故の発生を防止できる
別の方法が望まれていた。
おけるスタンパの製造工程では、露光前のマスタリング
原盤７０８を収納するケースと露光後のマスタリング原
盤７０８を収納するケースの色を異ならせることによ
り、上記事故の発生を防止していたが、作業者の勘違い
等により、誤った色のケースにマスタリング原盤７０８
を収納してしまうことがあり、事故の発生を防止できる
別の方法が望まれていた。
【００１２】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、フォトレジスト層が露光されているか
否かを目視で判別できるマスタリング原盤を提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、フォトレジスト層が露光されているか
否かを目視で判別できるマスタリング原盤を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１記載の発
明は、マスタリング原盤において、基板と、前記基板上
に形成されたフォトレジスト層と、前記フォトレジスト
層上に形成され前記フォトレジスト層が露光されること
により発生する酸と反応して変色反応を示す指示薬を含
む変色層とを備えることを特徴とする。
明は、マスタリング原盤において、基板と、前記基板上
に形成されたフォトレジスト層と、前記フォトレジスト
層上に形成され前記フォトレジスト層が露光されること
により発生する酸と反応して変色反応を示す指示薬を含
む変色層とを備えることを特徴とする。
【００１４】本願の請求項２記載の発明は、マスタリン
グ原盤において、基板と、前記基板上に形成されたフォ
トレジスト層とを備え、前記フォトレジスト層は、前記
フォトレジスト層が露光されることにより発生する酸と
反応して変色反応を示す指示薬を含むことを特徴とす
る。
グ原盤において、基板と、前記基板上に形成されたフォ
トレジスト層とを備え、前記フォトレジスト層は、前記
フォトレジスト層が露光されることにより発生する酸と
反応して変色反応を示す指示薬を含むことを特徴とす
る。
【００１５】本願の請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは請求項２記載のマスタリング原盤において、前記指
示薬はメチルオレンジであることを特徴とする。
たは請求項２記載のマスタリング原盤において、前記指
示薬はメチルオレンジであることを特徴とする。
【００１６】本願の請求項４記載の発明は、請求項１ま
たは請求項２記載のマスタリング原盤において、前記指
示薬はブロモチモールブルーであることを特徴とする。
たは請求項２記載のマスタリング原盤において、前記指
示薬はブロモチモールブルーであることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例の
マスタリング原盤の構成を示す模式図である。（ａ）は
露光前の状態、（ｂ）は露光後の状態を示す。図中、１
０１はマスタリング原盤、１０２は基板、１０３はフォ
トレジスト層、１０４は変色層、１０５は露光部、１０
６は変色部である。
マスタリング原盤の構成を示す模式図である。（ａ）は
露光前の状態、（ｂ）は露光後の状態を示す。図中、１
０１はマスタリング原盤、１０２は基板、１０３はフォ
トレジスト層、１０４は変色層、１０５は露光部、１０
６は変色部である。
【００１８】図１（ａ）に示すように、本実施例のマス
タリング原盤１０１は、直径が、例えば、２００ｍｍで
あり、厚さが、例えば、６ｍｍであり、両面を鏡面研磨
したガラス製の基板１０２と、基板１０２上に形成され
た厚さが、例えば、１００〜１５０ｎｍのフォトレジス
ト層１０３と、フォトレジスト層１０３が露光されるこ
とにより発生する酸と反応して変色するメチルオレン
ジ、ブロモチモールブルー等の指示薬を含む変色層１０
４とを備える。変色層１０４の厚さは、変色前後の色が
目視により識別できる厚さがあればよく、５０ｎｍ〜２
００ｎｍの範囲が好ましい。
タリング原盤１０１は、直径が、例えば、２００ｍｍで
あり、厚さが、例えば、６ｍｍであり、両面を鏡面研磨
したガラス製の基板１０２と、基板１０２上に形成され
た厚さが、例えば、１００〜１５０ｎｍのフォトレジス
ト層１０３と、フォトレジスト層１０３が露光されるこ
とにより発生する酸と反応して変色するメチルオレン
ジ、ブロモチモールブルー等の指示薬を含む変色層１０
４とを備える。変色層１０４の厚さは、変色前後の色が
目視により識別できる厚さがあればよく、５０ｎｍ〜２
００ｎｍの範囲が好ましい。
【００１９】図１（ｂ）は、本実施例のマスタリング原
盤１０１をカッティングマシンにより記録情報に応じて
露光を施した後の状態を示している。変色層１０４のフ
ォトレジスト層１０３の露光部１０５に対応する位置に
は、変色部１０６が形成される。変色部１０６が形成さ
れる原理については後述する。
盤１０１をカッティングマシンにより記録情報に応じて
露光を施した後の状態を示している。変色層１０４のフ
ォトレジスト層１０３の露光部１０５に対応する位置に
は、変色部１０６が形成される。変色部１０６が形成さ
れる原理については後述する。
【００２０】変色層１０４がメチルオレンジを含んでい
る場合、変色層１０４の変色部１０６以外の部分は黄色
であり、変色部１０６は赤色となる。すなわち、露光前
のマスタリング原盤１０１を変色層１０４側から目視し
た場合、黄色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１
０１を変色層１０４側から目視した場合、変色層１０４
の一部に赤色に変色した変色部１０６があるため、露光
前と異なった色に見える。
る場合、変色層１０４の変色部１０６以外の部分は黄色
であり、変色部１０６は赤色となる。すなわち、露光前
のマスタリング原盤１０１を変色層１０４側から目視し
た場合、黄色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１
０１を変色層１０４側から目視した場合、変色層１０４
の一部に赤色に変色した変色部１０６があるため、露光
前と異なった色に見える。
【００２１】変色層１０４がブロモチモールブルーを含
んでいる場合、変色層１０４の変色部１０６以外の部分
は緑色であり、変色部１０６は黄色となる。すなわち、
露光前のマスタリング原盤１０１を変色層１０４側から
目視した場合、緑色に見えるが、露光後のマスタリング
原盤１０１を変色層１０４側から目視した場合、変色層
１０４の一部に黄色に変色した変色部１０６があるた
め、露光前と異なった色に見える。
んでいる場合、変色層１０４の変色部１０６以外の部分
は緑色であり、変色部１０６は黄色となる。すなわち、
露光前のマスタリング原盤１０１を変色層１０４側から
目視した場合、緑色に見えるが、露光後のマスタリング
原盤１０１を変色層１０４側から目視した場合、変色層
１０４の一部に黄色に変色した変色部１０６があるた
め、露光前と異なった色に見える。
【００２２】図２は、本発明の第１の実施例のフォトレ
ジスト層のパターン形成原理を説明する模式図である。
（ａ）は露光前のフォトレジスト層の状態を示し、
（ｂ）は露光後のフォトレジスト層の状態を示す。図
中、２０１はナフトキノンアジド、２０２はノボラック
樹脂、２０３はケテン、２０４はインデンカルボン酸を
示す。
ジスト層のパターン形成原理を説明する模式図である。
（ａ）は露光前のフォトレジスト層の状態を示し、
（ｂ）は露光後のフォトレジスト層の状態を示す。図
中、２０１はナフトキノンアジド、２０２はノボラック
樹脂、２０３はケテン、２０４はインデンカルボン酸を
示す。
【００２３】フォトレジストは、一般に、ノボラック樹
脂と感光剤を含んでいる。図２（ａ）に示す露光前のフ
ォトレジスト層１０３は、感光剤に含まれているナフト
キノンアジド２０１がノボラック樹脂２０２に対して溶
解抑止剤として作用するため、現像液に対する溶解速度
が遅い。
脂と感光剤を含んでいる。図２（ａ）に示す露光前のフ
ォトレジスト層１０３は、感光剤に含まれているナフト
キノンアジド２０１がノボラック樹脂２０２に対して溶
解抑止剤として作用するため、現像液に対する溶解速度
が遅い。
【００２４】図２（ｂ）に示す露光後のフォトレジスト
層は、光の照射により感光剤中のナフトキノンアジド２
０１が窒素を放出し、ケテン２０３となり、さらにフォ
トレジスト層１０３中に含まれる水と反応して、アルカ
リ溶液に可溶なインデンカルボン酸２０４が発生してい
るため、現像液に対する溶解速度が速くなる。
層は、光の照射により感光剤中のナフトキノンアジド２
０１が窒素を放出し、ケテン２０３となり、さらにフォ
トレジスト層１０３中に含まれる水と反応して、アルカ
リ溶液に可溶なインデンカルボン酸２０４が発生してい
るため、現像液に対する溶解速度が速くなる。
【００２５】このように露光部と未露光部の現像液に対
する溶解速度の差を利用して、レジストパターンを形成
する。本実施例のマスタリング原盤１０１は、露光部１
０５にインデンカルボン酸が生じることを利用して、露
光後の変色層１０４が変色する。
する溶解速度の差を利用して、レジストパターンを形成
する。本実施例のマスタリング原盤１０１は、露光部１
０５にインデンカルボン酸が生じることを利用して、露
光後の変色層１０４が変色する。
【００２６】図３は、本発明の第１の実施例のマスタリ
ング原盤の変色層に含まれる指示薬の酸に対する反応を
示す模式図である。図３に示すように、指示薬（メチル
オレンジ）は酸と反応しキノン形構造をとり、黄色から
赤色に変色する。
ング原盤の変色層に含まれる指示薬の酸に対する反応を
示す模式図である。図３に示すように、指示薬（メチル
オレンジ）は酸と反応しキノン形構造をとり、黄色から
赤色に変色する。
【００２７】すなわち、本実施例のマスタリング原盤１
０１は、露光によってフォトレジスト層１０３中に発生
したインデンカルボン酸２０４と、変色層１０４中に含
まれる指示薬が反応することにより、変色層１０４が変
色する。そのため、露光後のマスタリング原盤１０１
は、露光前と異なった色に見える。
０１は、露光によってフォトレジスト層１０３中に発生
したインデンカルボン酸２０４と、変色層１０４中に含
まれる指示薬が反応することにより、変色層１０４が変
色する。そのため、露光後のマスタリング原盤１０１
は、露光前と異なった色に見える。
【００２８】図４は、本発明の第１の実施例のマスタリ
ング原盤を用いて光ディスク製造用のスタンパを製造す
る工程を示す図である。図中、図１と同様の箇所には同
じ符号を付し説明を省略する。４０１はレジストパター
ン、４０２は電鋳層、４０３はスタンパを示す。図４に
示す工程では、指示薬としてブロモチモールブルーを用
いた場合を例に挙げて説明する。
ング原盤を用いて光ディスク製造用のスタンパを製造す
る工程を示す図である。図中、図１と同様の箇所には同
じ符号を付し説明を省略する。４０１はレジストパター
ン、４０２は電鋳層、４０３はスタンパを示す。図４に
示す工程では、指示薬としてブロモチモールブルーを用
いた場合を例に挙げて説明する。
【００２９】図４（ａ）の工程では、両面が研磨された
厚さが６ｍｍ、直径が２００ｍｍであるガラス製の基板
１０２をスピンコート装置に取り付け、基板１０２を６
０００ｒｐｍで回転させ、フォトレジスト溶液を滴下
し、基板１０２上にフォトレジスト層１０３を形成し
た。フォトレジスト層１０３が形成された基板１０２
は、クリーンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加
熱され、フォトレジスト層１０３内に残存している溶媒
が除去される。加熱後のフォトレジスト層１０３の膜厚
は約１４０ｎｍであった。
厚さが６ｍｍ、直径が２００ｍｍであるガラス製の基板
１０２をスピンコート装置に取り付け、基板１０２を６
０００ｒｐｍで回転させ、フォトレジスト溶液を滴下
し、基板１０２上にフォトレジスト層１０３を形成し
た。フォトレジスト層１０３が形成された基板１０２
は、クリーンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加
熱され、フォトレジスト層１０３内に残存している溶媒
が除去される。加熱後のフォトレジスト層１０３の膜厚
は約１４０ｎｍであった。
【００３０】図４（ｂ）の工程では、フォトレジスト層
１０３が形成された基板１０２を、再度、スピンコート
装置に取り付け、基板１０２を２０００ｒｐｍで回転さ
せ、ブロモチモールブルーの結晶０．１ｇをエタノール
１０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、変色層１０４を形成
する。変色層１０４が形成された基板１０２は、クリー
ンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加熱され、変
色層１０４内に残存している溶媒が除去され、マスタリ
ング原盤１０１が作製される。加熱後の変色層１０４の
膜厚は約５０ｎｍであった。このとき、変色層１０４の
表面側から目視すると、マスタリング原盤１０１は緑色
に見える。
１０３が形成された基板１０２を、再度、スピンコート
装置に取り付け、基板１０２を２０００ｒｐｍで回転さ
せ、ブロモチモールブルーの結晶０．１ｇをエタノール
１０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、変色層１０４を形成
する。変色層１０４が形成された基板１０２は、クリー
ンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加熱され、変
色層１０４内に残存している溶媒が除去され、マスタリ
ング原盤１０１が作製される。加熱後の変色層１０４の
膜厚は約５０ｎｍであった。このとき、変色層１０４の
表面側から目視すると、マスタリング原盤１０１は緑色
に見える。
【００３１】図４（ｃ）の工程では、マスタリング原盤
１０１をカッティングマシーンのターンテーブルに取り
付け、マスタリング原盤１０１を線速度１．２ｍ／ｓで
回転させた。ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation）
信号にて変調された、波長４０７ｎｍのクリプトンレー
ザ光をマスタリング原盤１０１の変色層１０４側から照
射し、フォトレジスト層１０３を露光する。
１０１をカッティングマシーンのターンテーブルに取り
付け、マスタリング原盤１０１を線速度１．２ｍ／ｓで
回転させた。ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation）
信号にて変調された、波長４０７ｎｍのクリプトンレー
ザ光をマスタリング原盤１０１の変色層１０４側から照
射し、フォトレジスト層１０３を露光する。
【００３２】フォトレジスト層１０３の露光された部分
には露光部１０５が形成され、露光部１０５にはインデ
ンカルボン酸が発生する。インデンカルボン酸と変色層
１０４のブロモチモールブルーが反応し、変色層１０４
の露光部１０５と接している付近の領域は黄色に変色す
る。このように、露光後のマスタリング原盤１０１は、
初期状態の緑色から、変色層１０４の一部が黄色に変色
した状態に変化するため、目視により露光工程を経たこ
とが容易に識別できる。
には露光部１０５が形成され、露光部１０５にはインデ
ンカルボン酸が発生する。インデンカルボン酸と変色層
１０４のブロモチモールブルーが反応し、変色層１０４
の露光部１０５と接している付近の領域は黄色に変色す
る。このように、露光後のマスタリング原盤１０１は、
初期状態の緑色から、変色層１０４の一部が黄色に変色
した状態に変化するため、目視により露光工程を経たこ
とが容易に識別できる。
【００３３】図４（ｄ）の工程では、露光工程を経たマ
スタリング原盤１０１を、現像装置に取り付け、純水を
滴下する。ブロモチモールブルーは水溶性なので、変色
層１０４が純水に溶解し、除去される。
スタリング原盤１０１を、現像装置に取り付け、純水を
滴下する。ブロモチモールブルーは水溶性なので、変色
層１０４が純水に溶解し、除去される。
【００３４】図４（ｅ）の工程では、現像液を滴下し、
フォトレジスト層１０３を現像する。露光部１０５の部
分のフォトレジスト層１０３が現像液に溶解し、レジス
トパターン４０１が形成される。レジストパターン４０
１が形成された基板１０２は、クリーンオーブン内で、
９０℃の温度で２０分間加熱され、レジストパターン４
０１内に残存している水分が除去される。
フォトレジスト層１０３を現像する。露光部１０５の部
分のフォトレジスト層１０３が現像液に溶解し、レジス
トパターン４０１が形成される。レジストパターン４０
１が形成された基板１０２は、クリーンオーブン内で、
９０℃の温度で２０分間加熱され、レジストパターン４
０１内に残存している水分が除去される。
【００３５】図４（ｆ）に示す工程では、レジストパタ
ーン４０１が形成された基板１０２を図示しないスパッ
タリング装置に取り付け、スパッタリングにより、レジ
ストパターン４０１の表面にニッケル、クロム等の図示
しない導電膜を形成する。導電膜が形成された基板１０
２を図示しない電鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を
行い、導電膜上に電鋳層４０２を形成する。
ーン４０１が形成された基板１０２を図示しないスパッ
タリング装置に取り付け、スパッタリングにより、レジ
ストパターン４０１の表面にニッケル、クロム等の図示
しない導電膜を形成する。導電膜が形成された基板１０
２を図示しない電鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を
行い、導電膜上に電鋳層４０２を形成する。
【００３６】図４（ｇ）に示す工程では、レジストパタ
ーン４０１が転写された電鋳層４０２を基板１０２から
剥離し、電鋳層４０２に付着したレジストパターン４０
１を酸素アッシング等により除去し、電鋳層４０２の裏
面を鏡面研磨し、電鋳層４０２を所望の形状に加工する
ことによりスタンパ４０３を得る。スタンパ４０３を射
出成形機の金型に取付け、樹脂基板を成形することによ
り光ディスクのレプリカ基板が得られる。
ーン４０１が転写された電鋳層４０２を基板１０２から
剥離し、電鋳層４０２に付着したレジストパターン４０
１を酸素アッシング等により除去し、電鋳層４０２の裏
面を鏡面研磨し、電鋳層４０２を所望の形状に加工する
ことによりスタンパ４０３を得る。スタンパ４０３を射
出成形機の金型に取付け、樹脂基板を成形することによ
り光ディスクのレプリカ基板が得られる。
【００３７】図５は、本発明の第２の実施例のマスタリ
ング原盤の構成を示す模式図である。（ａ）は露光前の
状態、（ｂ）は露光後の状態を示す。図中、図１と同様
の箇所には同じ符号を付し説明を省略する。５０１は変
色フォトレジスト層である。
ング原盤の構成を示す模式図である。（ａ）は露光前の
状態、（ｂ）は露光後の状態を示す。図中、図１と同様
の箇所には同じ符号を付し説明を省略する。５０１は変
色フォトレジスト層である。
【００３８】本実施例のマスタリング原盤１０１は、フ
ォトレジスト層が露光されることにより発生する酸（例
えば、インデンカルボン酸）と反応して変色する指示薬
（例えば、メチルオレンジ、ブロモチモールブルー）を
フォトレジスト溶液中に混合し、当該指示薬が混合され
たフォトレジスト溶液を基板１０２上に滴下することに
より、変色フォトレジスト層５０１が形成されたもので
ある。
ォトレジスト層が露光されることにより発生する酸（例
えば、インデンカルボン酸）と反応して変色する指示薬
（例えば、メチルオレンジ、ブロモチモールブルー）を
フォトレジスト溶液中に混合し、当該指示薬が混合され
たフォトレジスト溶液を基板１０２上に滴下することに
より、変色フォトレジスト層５０１が形成されたもので
ある。
【００３９】図５（ａ）に示すように、本実施例のマス
タリング原盤１０１は、直径が、例えば、２００ｍｍで
あり、厚さが、例えば、６ｍｍであり、両面を鏡面研磨
したガラス製の基板１０２と、基板１０２上に形成され
た、厚さが、例えば、１００〜１５０ｎｍの変色フォト
レジスト層５０１を備える。
タリング原盤１０１は、直径が、例えば、２００ｍｍで
あり、厚さが、例えば、６ｍｍであり、両面を鏡面研磨
したガラス製の基板１０２と、基板１０２上に形成され
た、厚さが、例えば、１００〜１５０ｎｍの変色フォト
レジスト層５０１を備える。
【００４０】図５（ｂ）は、本実施例のマスタリング原
盤１０１をカッティングマシンにより記録情報に応じて
露光を施した後の状態を示している。変色フォトレジス
ト層５０１の露光された領域の周辺には、露光された領
域に発生したインデンカルボン酸と指示薬が反応し、変
色部１０６が形成される。
盤１０１をカッティングマシンにより記録情報に応じて
露光を施した後の状態を示している。変色フォトレジス
ト層５０１の露光された領域の周辺には、露光された領
域に発生したインデンカルボン酸と指示薬が反応し、変
色部１０６が形成される。
【００４１】変色フォトレジスト層５０１がメチルオレ
ンジを含んでいる場合、変色フォトレジスト層５０１の
変色部１０６以外の部分は黄色であり、変色部１０６は
赤色となる。すなわち、露光前のマスタリング原盤１０
１を変色フォトレジスト層５０１側から目視した場合、
黄色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１０１を変
色フォトレジスト層５０１側から目視した場合、変色フ
ォトレジスト層５０１の一部に赤色に変色した変色部１
０６があるため、露光前と異なった色に見える。
ンジを含んでいる場合、変色フォトレジスト層５０１の
変色部１０６以外の部分は黄色であり、変色部１０６は
赤色となる。すなわち、露光前のマスタリング原盤１０
１を変色フォトレジスト層５０１側から目視した場合、
黄色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１０１を変
色フォトレジスト層５０１側から目視した場合、変色フ
ォトレジスト層５０１の一部に赤色に変色した変色部１
０６があるため、露光前と異なった色に見える。
【００４２】変色フォトレジスト層５０１がブロモチモ
ールブルーを含んでいる場合、変色フォトレジスト層５
０１の変色部１０６以外の部分は緑色であり、変色部１
０６は黄色となる。すなわち、露光前のマスタリング原
盤１０１を変色フォトレジスト層５０１側から目視した
場合、緑色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１０
１を変色層１０４側から目視した場合、変色フォトレジ
スト層５０１の一部に黄色に変色した変色部１０６があ
るため、露光前と異なった色に見える。
ールブルーを含んでいる場合、変色フォトレジスト層５
０１の変色部１０６以外の部分は緑色であり、変色部１
０６は黄色となる。すなわち、露光前のマスタリング原
盤１０１を変色フォトレジスト層５０１側から目視した
場合、緑色に見えるが、露光後のマスタリング原盤１０
１を変色層１０４側から目視した場合、変色フォトレジ
スト層５０１の一部に黄色に変色した変色部１０６があ
るため、露光前と異なった色に見える。
【００４３】図６は、本発明の第２の実施例のマスタリ
ング原盤を用いて光ディスク製造用のスタンパを製造す
る工程を示す図である。図中、図１、図４及び図５と同
様の箇所には同じ符号を付し説明を省略する。図６に示
す工程では、指示薬としてブロモチモールブルーを用い
た場合を例に挙げて説明する。
ング原盤を用いて光ディスク製造用のスタンパを製造す
る工程を示す図である。図中、図１、図４及び図５と同
様の箇所には同じ符号を付し説明を省略する。図６に示
す工程では、指示薬としてブロモチモールブルーを用い
た場合を例に挙げて説明する。
【００４４】図６（ａ）の工程では、両面が研磨された
厚さが６ｍｍ、直径が２００ｍｍであるガラス製の基板
１０２をスピンコート装置に取り付け、基板１０２を６
０００ｒｐｍで回転させ、フォトレジスト溶液１０ｍｌ
にブロモチモールブルーの結晶０．１ｍｇを溶解させた
溶液を滴下し、基板１０２上に変色フォトレジスト層５
０１を形成し、マスタリング原盤１０１を作製する。変
色フォトレジスト層５０１が形成された基板１０２は、
クリーンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加熱さ
れ、変色フォトレジスト層５０１内に残存している溶媒
が除去される。加熱後の変色フォトレジスト層５０１の
膜厚は約１４０ｎｍであった。このとき、変色フォトレ
ジスト層１０４の表面側から目視すると、マスタリング
原盤１０１は緑色に見える。
厚さが６ｍｍ、直径が２００ｍｍであるガラス製の基板
１０２をスピンコート装置に取り付け、基板１０２を６
０００ｒｐｍで回転させ、フォトレジスト溶液１０ｍｌ
にブロモチモールブルーの結晶０．１ｍｇを溶解させた
溶液を滴下し、基板１０２上に変色フォトレジスト層５
０１を形成し、マスタリング原盤１０１を作製する。変
色フォトレジスト層５０１が形成された基板１０２は、
クリーンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加熱さ
れ、変色フォトレジスト層５０１内に残存している溶媒
が除去される。加熱後の変色フォトレジスト層５０１の
膜厚は約１４０ｎｍであった。このとき、変色フォトレ
ジスト層１０４の表面側から目視すると、マスタリング
原盤１０１は緑色に見える。
【００４５】図６（ｂ）の工程では、マスタリング原盤
１０１をカッティングマシーンのターンテーブルに取り
付け、マスタリング原盤１０１を線速度１．２ｍ／ｓで
回転させた。ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation）
信号にて変調された、波長４０７ｎｍのクリプトンレー
ザ光をマスタリング原盤１０１の変色フォトレジスト層
５０１側から照射し、変色フォトレジスト層５０１を露
光する。
１０１をカッティングマシーンのターンテーブルに取り
付け、マスタリング原盤１０１を線速度１．２ｍ／ｓで
回転させた。ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation）
信号にて変調された、波長４０７ｎｍのクリプトンレー
ザ光をマスタリング原盤１０１の変色フォトレジスト層
５０１側から照射し、変色フォトレジスト層５０１を露
光する。
【００４６】変色フォトレジスト層１０３の露光された
領域にはインデンカルボン酸が発生する。インデンカル
ボン酸と変色フォトレジスト層５０１中のブロモチモー
ルブルーが反応し、露光された領域の周辺は黄色に変色
する。このように、露光後のマスタリング原盤１０１
は、初期状態の緑色から、変色フォトレジスト層５０１
の一部が黄色に変色した状態に変化するため、目視によ
り露光工程を経たことが容易に識別できる。
領域にはインデンカルボン酸が発生する。インデンカル
ボン酸と変色フォトレジスト層５０１中のブロモチモー
ルブルーが反応し、露光された領域の周辺は黄色に変色
する。このように、露光後のマスタリング原盤１０１
は、初期状態の緑色から、変色フォトレジスト層５０１
の一部が黄色に変色した状態に変化するため、目視によ
り露光工程を経たことが容易に識別できる。
【００４７】図６（ｃ）の工程では、露光工程を経たマ
スタリング原盤１０１を、現像装置に取り付け、現像液
を滴下し、変色フォトレジスト層５０１を現像する。露
光された領域の変色フォトレジスト層５０１が現像液に
溶解し、レジストパターン４０１が形成される。レジス
トパターン４０１が形成された基板１０２は、クリーン
オーブン内で、９０℃の温度で２０分間加熱され、レジ
ストパターン４０１内に残存している水分が除去され
る。
スタリング原盤１０１を、現像装置に取り付け、現像液
を滴下し、変色フォトレジスト層５０１を現像する。露
光された領域の変色フォトレジスト層５０１が現像液に
溶解し、レジストパターン４０１が形成される。レジス
トパターン４０１が形成された基板１０２は、クリーン
オーブン内で、９０℃の温度で２０分間加熱され、レジ
ストパターン４０１内に残存している水分が除去され
る。
【００４８】図６（ｄ）に示す工程では、レジストパタ
ーン４０１が形成された基板１０２を図示しないスパッ
タリング装置に取り付け、スパッタリングにより、レジ
ストパターン４０１の表面にニッケル、クロム等の図示
しない導電膜を形成する。導電膜が形成された基板１０
２を図示しない電鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を
行い、導電膜上に電鋳層４０２を形成する。
ーン４０１が形成された基板１０２を図示しないスパッ
タリング装置に取り付け、スパッタリングにより、レジ
ストパターン４０１の表面にニッケル、クロム等の図示
しない導電膜を形成する。導電膜が形成された基板１０
２を図示しない電鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を
行い、導電膜上に電鋳層４０２を形成する。
【００４９】図６（ｅ）に示す工程では、レジストパタ
ーン４０１が転写された電鋳層４０２を基板１０２から
剥離し、電鋳層４０２に付着したレジストパターン４０
１を酸素アッシング等により除去し、電鋳層４０２の裏
面を鏡面研磨し、電鋳層４０２を所望の形状に加工する
ことによりスタンパ４０３を得る。スタンパ４０３を射
出成形機の金型に取付け、樹脂基板を成形することによ
り光ディスクのレプリカ基板が得られる。
ーン４０１が転写された電鋳層４０２を基板１０２から
剥離し、電鋳層４０２に付着したレジストパターン４０
１を酸素アッシング等により除去し、電鋳層４０２の裏
面を鏡面研磨し、電鋳層４０２を所望の形状に加工する
ことによりスタンパ４０３を得る。スタンパ４０３を射
出成形機の金型に取付け、樹脂基板を成形することによ
り光ディスクのレプリカ基板が得られる。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト層が露
光されているか否かを目視で判別できるマスタリング原
盤を提供することができる。
光されているか否かを目視で判別できるマスタリング原
盤を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例のマスタリング原盤の構
成を示す模式図。
成を示す模式図。
【図２】本発明の第１の実施例のフォトレジスト層のパ
ターン形成原理を説明する模式図。
ターン形成原理を説明する模式図。
【図３】本発明の第１の実施例のマスタリング原盤の変
色層に含まれる指示薬の酸に対する反応を示す模式図。
色層に含まれる指示薬の酸に対する反応を示す模式図。
【図４】本発明の第１の実施例のマスタリング原盤を用
いて光ディスク製造用のスタンパを製造する工程を示す
図。
いて光ディスク製造用のスタンパを製造する工程を示す
図。
【図５】本発明の第２の実施例のマスタリング原盤の構
成を示す模式図。
成を示す模式図。
【図６】本発明の第２の実施例のマスタリング原盤を用
いて光ディスク製造用のスタンパを製造する工程を示す
図。
いて光ディスク製造用のスタンパを製造する工程を示す
図。
【図７】従来の光ディスクや導光板等の製造工程におけ
るスタンパの製造工程を説明する図。
るスタンパの製造工程を説明する図。
１０１・・・マスタリング原盤、１０２・・・基板、１
０３・・・フォトレジスト層、１０４・・・変色層、１
０５・・・露光部、１０６・・・変色部、２０１・・・
ナフトキノンアジド、２０２・・・ノボラック樹脂、２
０３・・・ケテン、２０４・・・インデンカルボン酸、
４０１・・・レジストパターン、４０２・・・電鋳層、
４０３・・・スタンパ、５０１・・・変色フォトレジス
ト層、７０１・・・基板、７０２・・・フォトレジスト
層、７０３・・・露光部、７０４・・・レジストパター
ン、７０５・・・導電膜、７０６・・・電鋳層、７０７
・・・スタンパ、７０８・・・マスタリング原盤
０３・・・フォトレジスト層、１０４・・・変色層、１
０５・・・露光部、１０６・・・変色部、２０１・・・
ナフトキノンアジド、２０２・・・ノボラック樹脂、２
０３・・・ケテン、２０４・・・インデンカルボン酸、
４０１・・・レジストパターン、４０２・・・電鋳層、
４０３・・・スタンパ、５０１・・・変色フォトレジス
ト層、７０１・・・基板、７０２・・・フォトレジスト
層、７０３・・・露光部、７０４・・・レジストパター
ン、７０５・・・導電膜、７０６・・・電鋳層、７０７
・・・スタンパ、７０８・・・マスタリング原盤
Claims (4)
- 【請求項１】基板と、 前記基板上に形成されたフォトレジスト層と、 前記フォトレジスト層上に形成され前記フォトレジスト
層が露光されることにより発生する酸と反応して変色す
る指示薬を含む変色層とを備えることを特徴とするマス
タリング原盤。 - 【請求項２】基板と、 前記基板上に形成されたフォトレジスト層とを備え、 前記フォトレジスト層は、前記フォトレジスト層が露光
されることにより発生する酸と反応して変色する指示薬
を含むことを特徴とするマスタリング原盤。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載のマスタリン
グ原盤において、 前記指示薬はメチルオレンジであることを特徴とするマ
スタリング原盤。 - 【請求項４】請求項１または請求項２記載のマスタリン
グ原盤において、 前記指示薬はブロモチモールブルーであることを特徴と
するマスタリング原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289896A JP2002099078A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | マスタリング原盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289896A JP2002099078A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | マスタリング原盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002099078A true JP2002099078A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18773210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000289896A Pending JP2002099078A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | マスタリング原盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002099078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019151534A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法 |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000289896A patent/JP2002099078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019151534A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060207 |