JP2002096559A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に記録層および反射層が少なくとも形
成され、該記録層を構成する記録材料にエネルギービー
ムを照射させることによって該記録材料の光学定数を変
化させて情報の記録、再生を行う光記録媒体において、
高いモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ
の挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 記録材料の主元素をＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの
元素から選ばれる合金とし、反射層材料がＮｉ，Ｚｎ，
ＢｉＴｅ，ＳｎＴｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｉｎ，またはＳｂを
主成分とするように構成する。
成され、該記録層を構成する記録材料にエネルギービー
ムを照射させることによって該記録材料の光学定数を変
化させて情報の記録、再生を行う光記録媒体において、
高いモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ
の挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 記録材料の主元素をＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの
元素から選ばれる合金とし、反射層材料がＮｉ，Ｚｎ，
ＢｉＴｅ，ＳｎＴｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｉｎ，またはＳｂを
主成分とするように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエネルギービームの
照射により記録層に光学的な変化を生じさせることによ
り記録・再生が出来る光記録媒体に関する。
照射により記録層に光学的な変化を生じさせることによ
り記録・再生が出来る光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による記録可能な
光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記
録媒体などがある。これらの光記録媒体はＣＤ−ＲＯＭ
あるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小規模の
配布メディアや保存用の媒体として使用されている。特
に、大容量メディアであるＤＶＤ−ＲＯＭと等容量の記
録密度の実現が課題となっている。この幅広い普及を図
る上で、高記録密度での記録パワーマージンの確保が特
に重要な課題である。この確保に関しては、相変化記録
材料、合金化可能な２層膜など無機系の記録材料が有利
であるが、反射率の不足、モジュレーションの不足、あ
るいは、ＤＶＤ−ＲＯＭなどＤＰＤ（Differential Ph
ase Detection）を使用するドライブのトラッキング信
号強度が不足する等の問題があった。特に、特開平６−
１７１２３６号公報に開示されるＡｌ−Ｇｅ２層膜では
熱処理後の反射率が上昇するが（ｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇ
ｈ変化）、ＲＯＭ互換を実現する上では、記録膜蒸着
（スパッタ）後の反射率が４０％以上であり、熱処理後
の反射率が低下（ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ変化）する反
応を示し、かつ、上記６０％以上のモジュレーションを
得ることがＲＯＭ互換となる記録媒体の課題となってい
た。同様にｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ記録としては特開平
１−１９４５１号公報、同１−１９４５３号公報、同１
−１９４５４号公報、同１−１９４５５号公報、同１−
１９４５９号公報等に記載されているＩｎ−Ｍｏ，Ｓｎ
−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ｍｏ，Ｓｎ−Ｇｅ等がある
が、得られる記録膜は反射率が低く、ｌｏｗ ｔｏ ｈ
ｉｇｈ変化のためＲＯＭ互換にもならない。同様に特開
平１−１９４５０号公報、同１−１９４５２号公報はｈ
ｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ記録であるが、反射率が低い、も
しくはモジュレーションが低いためＲＯＭ互換記録媒体
とはなりにくい。
光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記
録媒体などがある。これらの光記録媒体はＣＤ−ＲＯＭ
あるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小規模の
配布メディアや保存用の媒体として使用されている。特
に、大容量メディアであるＤＶＤ−ＲＯＭと等容量の記
録密度の実現が課題となっている。この幅広い普及を図
る上で、高記録密度での記録パワーマージンの確保が特
に重要な課題である。この確保に関しては、相変化記録
材料、合金化可能な２層膜など無機系の記録材料が有利
であるが、反射率の不足、モジュレーションの不足、あ
るいは、ＤＶＤ−ＲＯＭなどＤＰＤ（Differential Ph
ase Detection）を使用するドライブのトラッキング信
号強度が不足する等の問題があった。特に、特開平６−
１７１２３６号公報に開示されるＡｌ−Ｇｅ２層膜では
熱処理後の反射率が上昇するが（ｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇ
ｈ変化）、ＲＯＭ互換を実現する上では、記録膜蒸着
（スパッタ）後の反射率が４０％以上であり、熱処理後
の反射率が低下（ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ変化）する反
応を示し、かつ、上記６０％以上のモジュレーションを
得ることがＲＯＭ互換となる記録媒体の課題となってい
た。同様にｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ記録としては特開平
１−１９４５１号公報、同１−１９４５３号公報、同１
−１９４５４号公報、同１−１９４５５号公報、同１−
１９４５９号公報等に記載されているＩｎ−Ｍｏ，Ｓｎ
−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ｍｏ，Ｓｎ−Ｇｅ等がある
が、得られる記録膜は反射率が低く、ｌｏｗ ｔｏ ｈ
ｉｇｈ変化のためＲＯＭ互換にもならない。同様に特開
平１−１９４５０号公報、同１−１９４５２号公報はｈ
ｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ記録であるが、反射率が低い、も
しくはモジュレーションが低いためＲＯＭ互換記録媒体
とはなりにくい。
【０００３】また、これまでの記録可能な光学的情報記
録媒体として、基板上に設けられたＴｅやＢｉ等の低融
点の記録膜に対してレーザー光を照射させて孔の形成を
行い、孔の有無により記録膜の反射率を変化させて情報
の記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。この
孔の形成により情報を記録する方法では膜の表面に紫外
線硬化樹脂層などの保護層を設けることが出来ず保存性
に問題があり、またエアサンドイッチなどの特殊な基板
を用意しなければならずコスト高になるなどの問題を有
していた。
録媒体として、基板上に設けられたＴｅやＢｉ等の低融
点の記録膜に対してレーザー光を照射させて孔の形成を
行い、孔の有無により記録膜の反射率を変化させて情報
の記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。この
孔の形成により情報を記録する方法では膜の表面に紫外
線硬化樹脂層などの保護層を設けることが出来ず保存性
に問題があり、またエアサンドイッチなどの特殊な基板
を用意しなければならずコスト高になるなどの問題を有
していた。
【０００４】また、追記型の記録層材料としてＳｂ2 Ｓ
3 を用いることが提案されている（特開平３―２４１５
３７号公報、同３−２４０５８９号公報、同３−２４８
８８４号公報、同４−１０５２２６号公報、同８−２６
７９２５号公報）。これらの提案における光情報記録媒
体では、Ｓｂ2 Ｓ3 の熱伝導率の低さを利用して記録レ
ーザー光照射部で蓄熱により温度を上昇させ、これによ
り基板を変形させて記録ピットを形成する。しかし、こ
れらの提案において、短い波長域で十分な反射率を実現
出来ておらず、また、どのような条件が適しているか十
分に把握できていないため、線速度に大きく依存する感
度の低い材料となっていた。同様に、ｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗ変化となるように未記録状態での反射率を上げる
ため、特許公報第２５３８６４７号では記録層、光学的
干渉層、および光学的反射層を設けて高反射率を期待し
ているが、干渉層の存在により工程数が増え、コストの
引き上げにつながっている。
3 を用いることが提案されている（特開平３―２４１５
３７号公報、同３−２４０５８９号公報、同３−２４８
８８４号公報、同４−１０５２２６号公報、同８−２６
７９２５号公報）。これらの提案における光情報記録媒
体では、Ｓｂ2 Ｓ3 の熱伝導率の低さを利用して記録レ
ーザー光照射部で蓄熱により温度を上昇させ、これによ
り基板を変形させて記録ピットを形成する。しかし、こ
れらの提案において、短い波長域で十分な反射率を実現
出来ておらず、また、どのような条件が適しているか十
分に把握できていないため、線速度に大きく依存する感
度の低い材料となっていた。同様に、ｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗ変化となるように未記録状態での反射率を上げる
ため、特許公報第２５３８６４７号では記録層、光学的
干渉層、および光学的反射層を設けて高反射率を期待し
ているが、干渉層の存在により工程数が増え、コストの
引き上げにつながっている。
【０００５】ＧａＳｅ系光メモリー材料としては特開昭
６０−６３４号公報にＧａがモル％で３〜１５％、Ｓｅ
が８５〜９７％の組成の材料が提案されている。しか
し、本発明者らの鋭意検討によりこの範囲では反射率が
十分に高く、高いジッタ特性を有する範囲ではないこと
が判明した。また、これらの技術について全般的に存在
する問題点としては、反射率を上げれば記録層の温度が
上がりにくくなり、これまで反射率４０％以上の記録媒
体で十分なモジュレーションと感度を持つものは得られ
ておらず、そのために特に無機の追記型記録媒体などは
製品化に至っていない。
６０−６３４号公報にＧａがモル％で３〜１５％、Ｓｅ
が８５〜９７％の組成の材料が提案されている。しか
し、本発明者らの鋭意検討によりこの範囲では反射率が
十分に高く、高いジッタ特性を有する範囲ではないこと
が判明した。また、これらの技術について全般的に存在
する問題点としては、反射率を上げれば記録層の温度が
上がりにくくなり、これまで反射率４０％以上の記録媒
体で十分なモジュレーションと感度を持つものは得られ
ておらず、そのために特に無機の追記型記録媒体などは
製品化に至っていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした実情
の下に、成膜時にＲＯＭ互換となるに十分な反射率を有
し、高感度で高モジュレーション値を有する情報記録媒
体を安価に提供することにある。
の下に、成膜時にＲＯＭ互換となるに十分な反射率を有
し、高感度で高モジュレーション値を有する情報記録媒
体を安価に提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、このような目的は下記の（１）〜（３）の条件を
満たす記録層を用いることにより実現可能であることを
見出した。 （１） 光学ギャップが広く光が透過しやすい。 （２） 熱により透過率が大きく変化する。 （３） 透過率変化ができるだけ低い温度で起こる。 また本発明者らは鋭意検討の結果、このような目的は下
記の（１）〜（３）の条件を満たす反射層を用いること
により実現可能であることを見出した （１） スパッタした反射膜が高い反射率を有する。 （２） 反射膜の比熱が小さく記録層の温度が上昇しや
すい。 （３） 反射膜の熱伝導率が小さく記録層の温度が逃げ
にくい。
結果、このような目的は下記の（１）〜（３）の条件を
満たす記録層を用いることにより実現可能であることを
見出した。 （１） 光学ギャップが広く光が透過しやすい。 （２） 熱により透過率が大きく変化する。 （３） 透過率変化ができるだけ低い温度で起こる。 また本発明者らは鋭意検討の結果、このような目的は下
記の（１）〜（３）の条件を満たす反射層を用いること
により実現可能であることを見出した （１） スパッタした反射膜が高い反射率を有する。 （２） 反射膜の比熱が小さく記録層の温度が上昇しや
すい。 （３） 反射膜の熱伝導率が小さく記録層の温度が逃げ
にくい。
【０００８】すなわち本発明は、基板上に記録層および
反射層が少なくとも形成され、該記録層を構成する記録
材料にエネルギービームを照射させることによって該記
録材料の光学定数を変化させて情報の記録、再生を行う
光記録媒体において、前記記録材料の主元素がＡｇ, Ｇ
ａ, Ｓｅの元素の中から選ばれた２種類以上の合金で構
成されることを特徴とする光記録媒体である。
反射層が少なくとも形成され、該記録層を構成する記録
材料にエネルギービームを照射させることによって該記
録材料の光学定数を変化させて情報の記録、再生を行う
光記録媒体において、前記記録材料の主元素がＡｇ, Ｇ
ａ, Ｓｅの元素の中から選ばれた２種類以上の合金で構
成されることを特徴とする光記録媒体である。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に本発明の構成例を示す。基
板１上に記録層２と反射層３が成膜され紫外線硬化樹脂
層４が積層されている。これとカバー基板６が接着層５
により接着された構造になっている。上記の条件を満た
す記録層としてはＡｇＧａＳｅもしくはＧａＳｅが適
し、反射層としてはＺｎ，Ｎｉ，ＢｉＴｅ, ＳｎＴｅ,
Ｓｎ, Ｓｂ, Ｉｎ, Ｓｉなどの比熱と熱伝導率が低い材
料が適している。基板の材料は通常ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコ
ーン、フッ素樹脂、ＡＢＳ，ウレタンなどが挙げられる
が、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹
脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード
状、あるいはシート状であっても良い。
板１上に記録層２と反射層３が成膜され紫外線硬化樹脂
層４が積層されている。これとカバー基板６が接着層５
により接着された構造になっている。上記の条件を満た
す記録層としてはＡｇＧａＳｅもしくはＧａＳｅが適
し、反射層としてはＺｎ，Ｎｉ，ＢｉＴｅ, ＳｎＴｅ,
Ｓｎ, Ｓｂ, Ｉｎ, Ｓｉなどの比熱と熱伝導率が低い材
料が適している。基板の材料は通常ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコ
ーン、フッ素樹脂、ＡＢＳ，ウレタンなどが挙げられる
が、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹
脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード
状、あるいはシート状であっても良い。
【００１０】本発明の記録層、蓄熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビー
ム法などにより形成できる。また、その膜厚はその機
能、すなわち記録層、蓄熱層などによって異なるが、記
録層は１００〜４００Å，好ましくは２００〜３００
Å、蓄熱層は１００〜６００Å、好ましくは２００〜４
００Åとするのが良い。また、本発明の記録は未記録状
態では記録層の反射率はＲＯＭ互換となるに十分高い反
射率を示す必要があり、その最低値である４０％以上で
あることが望まれる。
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビー
ム法などにより形成できる。また、その膜厚はその機
能、すなわち記録層、蓄熱層などによって異なるが、記
録層は１００〜４００Å，好ましくは２００〜３００
Å、蓄熱層は１００〜６００Å、好ましくは２００〜４
００Åとするのが良い。また、本発明の記録は未記録状
態では記録層の反射率はＲＯＭ互換となるに十分高い反
射率を示す必要があり、その最低値である４０％以上で
あることが望まれる。
【００１１】
【実施例】以下、実施例に基づいて発明の構成を説明す
る。 （実施例１）ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付
き、厚さ０．６ｍｍ、直径Φ１２０ｍｍのポリカーボネ
ート樹脂製情報基板１上に本発明の記録層２ＧａＳｅ
３００Å、反射層３Ｎｉ ４００Åを順次スパッタ法に
より積層し、その上に紫外線硬化樹脂層４をスピンコー
トして紫外線照射により情報基板を形成した。該情報基
板とカバー基板６とを接着層５を以って接着し、ＤＶＤ
を作成した。評価条件は記録線速３．５ｍ／ｓ、線密度
＝０．４μｍ／ｂｉｔ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ＝０．６
とした。本ＤＶＤ記録層において様々なＧａとＳｅの比
でのジッタと反射率、モジュレーションの結果を表１に
示す。
る。 （実施例１）ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付
き、厚さ０．６ｍｍ、直径Φ１２０ｍｍのポリカーボネ
ート樹脂製情報基板１上に本発明の記録層２ＧａＳｅ
３００Å、反射層３Ｎｉ ４００Åを順次スパッタ法に
より積層し、その上に紫外線硬化樹脂層４をスピンコー
トして紫外線照射により情報基板を形成した。該情報基
板とカバー基板６とを接着層５を以って接着し、ＤＶＤ
を作成した。評価条件は記録線速３．５ｍ／ｓ、線密度
＝０．４μｍ／ｂｉｔ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ＝０．６
とした。本ＤＶＤ記録層において様々なＧａとＳｅの比
でのジッタと反射率、モジュレーションの結果を表１に
示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】（実施例２）記録層をＡｇＧａＳｅ ３０
０Åとした以外は実施例１と同様にしてＤＶＤを作製し
た。本ＤＶＤ記録層において様々なＡｇとＧａとＳｅの
比でのジッタと反射率、モジュレーションの結果を表２
に示す。
０Åとした以外は実施例１と同様にしてＤＶＤを作製し
た。本ＤＶＤ記録層において様々なＡｇとＧａとＳｅの
比でのジッタと反射率、モジュレーションの結果を表２
に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】（実施例３）記録層をＧａＳｅ（１：１）
３００Åとし、様々な反射膜（４００Å）を用いた場
合におけるジッタと反射率、モジュレーションとの結果
を表３に示す。なお、表３で反射膜材料として示されて
いる材料は各材料を８０％以上含んだ反射膜であること
を示している。
３００Åとし、様々な反射膜（４００Å）を用いた場
合におけるジッタと反射率、モジュレーションとの結果
を表３に示す。なお、表３で反射膜材料として示されて
いる材料は各材料を８０％以上含んだ反射膜であること
を示している。
【００１６】
【表３】
【００１７】（実施例４）記録層をＡｇＧａＳｅ（４：
３８：５８） ３００Åとし、様々な反射膜（４００
Å）を用いた場合におけるジッタと反射率、モジュレー
ションの結果を表４に示す。
３８：５８） ３００Åとし、様々な反射膜（４００
Å）を用いた場合におけるジッタと反射率、モジュレー
ションの結果を表４に示す。
【００１８】
【表４】
【００１９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、材料に
レーザーなどを照射させることによってその材料の光学
定数を変化させて情報の記録、再生を行う光記録媒体に
おいて、該記録媒体の記録層を構成する記録材料の主元
素がＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの元素の中から選ばれる２種類以
上の合金で構成されることを特徴とすることにより高い
モジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの挙
動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体記録層が
得られる。
レーザーなどを照射させることによってその材料の光学
定数を変化させて情報の記録、再生を行う光記録媒体に
おいて、該記録媒体の記録層を構成する記録材料の主元
素がＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの元素の中から選ばれる２種類以
上の合金で構成されることを特徴とすることにより高い
モジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの挙
動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体記録層が
得られる。
【００２０】請求項２に記載の発明によれば、該記録材
料の主元素がＧａとＳｅよりなり、モル％でＧａが１６
〜８４％、Ｓｅが１６〜８４％の組成で構成されること
を特徴とすることにより高い感度とモジュレーションを
有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができ
るＲＯＭ互換の光記録媒体記録層が得られる。
料の主元素がＧａとＳｅよりなり、モル％でＧａが１６
〜８４％、Ｓｅが１６〜８４％の組成で構成されること
を特徴とすることにより高い感度とモジュレーションを
有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができ
るＲＯＭ互換の光記録媒体記録層が得られる。
【００２１】請求項３に記載の発明によれば、該記録材
料の主元素がＡｇとＧａとＳｅよりなり、モル％でＡｇ
が１〜５％、Ｇａが２０〜４０％、Ｓｅが６０〜８０％
の組成で構成されることを特徴とすることにより高い感
度とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ
の挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体記録
層が得られる。
料の主元素がＡｇとＧａとＳｅよりなり、モル％でＡｇ
が１〜５％、Ｇａが２０〜４０％、Ｓｅが６０〜８０％
の組成で構成されることを特徴とすることにより高い感
度とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ
の挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録媒体記録
層が得られる。
【００２２】請求項４に記載の発明によれば、反射層材
料が主にNiであることを特徴とすることにより低ジッタ
で高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔ
ｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録
媒体が得られる。
料が主にNiであることを特徴とすることにより低ジッタ
で高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ ｔ
ｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記録
媒体が得られる。
【００２３】請求項５に記載の発明によれば、反射層材
料が主にＺｎであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
料が主にＺｎであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
【００２４】請求項６に記載の発明によれば、反射層材
料が主にＢｉＴｅであることを特徴とすることにより低
ジッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇ
ｈｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
料が主にＢｉＴｅであることを特徴とすることにより低
ジッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇ
ｈｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
【００２５】請求項７に記載の発明によれば、反射層材
料が主にＳｎＴｅであることを特徴とすることにより低
ジッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇ
ｈｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
料が主にＳｎＴｅであることを特徴とすることにより低
ジッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇ
ｈｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
【００２６】請求項８に記載の発明によれば、反射層材
料が主にＳｎであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
料が主にＳｎであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
【００２７】請求項９に記載の発明によれば、反射層材
料が主にＳｉであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
料が主にＳｉであることを特徴とすることにより低ジッ
タで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の光記
録媒体が得られる。
【００２８】請求項１０に記載の発明によれば、反射層
材料が主にＩｎであることを特徴とすることにより低ジ
ッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
材料が主にＩｎであることを特徴とすることにより低ジ
ッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
【００２９】請求項１１に記載の発明によれば、反射層
材料が主にＳｂであることを特徴とすることにより低ジ
ッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
材料が主にＳｂであることを特徴とすることにより低ジ
ッタで高い反射率とモジュレーションを有し、ｈｉｇｈ
ｔｏ ｌｏｗの挙動で書き込みができるＲＯＭ互換の
光記録媒体が得られる。
【図１】本発明による光記録媒体の一例の構成図であ
る。
る。
１ 情報基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 紫外線硬化樹脂層 ５ 接着層 ６ カバー基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 FA01 FA12 FA23 FB15 FB17 FB21 5D029 HA05 JA01 MA13 RA27
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に記録層および反射層が少なくと
も形成され、該記録層を構成する記録材料にエネルギー
ビームを照射させることによって該記録材料の光学定数
を変化させて情報の記録、再生を行う光記録媒体におい
て、前記記録材料の主元素がＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの元素の
中から選ばれた２種類以上の合金で構成されることを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録材料の主元素がＧａとＳｅより
なり、モル％でＧａが１６〜８４％、Ｓｅが１６〜８４
％の組成で構成されることを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録材料の主元素がＡｇとＧａとＳ
ｅよりなり、モル％でＡｇが１〜５％、Ｇａが２０〜４
０％、Ｓｅが６０〜８０％の組成で構成されることを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記反射層の材料が主にＮｉであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 前記反射層の材料が主にＺｎであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 前記反射層の材料が主にＢｉＴｅである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項７】 前記反射層の材料が主にＳｎＴｅである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項８】 前記反射層の材料が主にＳｎであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項９】 前記反射層の材料が主にＳｉであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項１０】 前記反射層の材料が主にＩｎであるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録
媒体。 - 【請求項１１】 前記反射層の材料が主にＳｂであるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000288514A JP2002096559A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000288514A JP2002096559A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002096559A true JP2002096559A (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18772091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000288514A Pending JP2002096559A (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002096559A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018207618A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-09-22 JP JP2000288514A patent/JP2002096559A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018207618A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2018190478A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
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